TWI750164B - 雷射處理設備與使用其之雷射處理方法 - Google Patents
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Abstract
本發明涉及雷射處理設備和雷射處理方法,可以立即檢測且校正雷射振盪中的問題,且可以視需要改變用於多個雷射的振盪方法,且因此可以增大雷射處理工序的生產率。
Description
本發明是有關於一種雷射處理設備(laser processing apparatus)以及使用所述雷射處理設備的雷射處理方法(laser processing method),且特別是有關於一種使得能夠容易地控制多個雷射源的雷射處理設備以及使用所述雷射處理設備的雷射處理方法。
正積極地進行研究以開發作為下一代顯示器的柔性顯示器(flexible display),其薄而輕,並且可彎曲或可折疊但耐衝擊。實際上已開發出一些柔性顯示器,但其需要進一步改善。
矽電晶體將玻璃基板或藍寶石基板用作基底材料基板。歸因於矽電晶體的低柔性以及基底材料基板的限制而難以將矽電晶體應用於柔性顯示器。因此,正進行研究以開發通過使用薄玻璃板作為基板、使用金屬板作為基板或使用塑膠基板來製造柔性半導體裝置的方法。
作為實施柔性顯示器的實例,TFT電路以及為發光裝置
的OLED形成於薄膜上的特定結構中。此處,因為薄膜不容易處置,因此TFT成型工藝是在薄膜附接到載體玻璃的情況下執行的。
因此,在薄膜上形成TFT之後需要從載體玻璃分離薄膜的過程,且此過程是使用雷射剝離(laser-lift-off,LLO)方法執行。也就是說,可以通過將雷射照射到載體玻璃與薄膜之間的粘合劑來將能量施加到所述粘合劑以降低粘合強度,且接著可以從載體玻璃分離並且移除薄膜。
在雷射剝離過程中,在工作臺速度與雷射的振盪頻率同步時,在將工作臺移動多達雷射光束寬度的同時照射雷射光束,其中工作臺速度是由雷射光束寬度以及雷射頻率確定。
根據當前的商品化雷射剝離過程,在使用多個雷射源時,誘發多個雷射源以恒定頻率同時振盪以便進行所述過程。
然而,因為多個雷射振盪器同時驅動,因此雷射振盪器的維護週期以及消耗性元件的替換週期短。此外,因為不可能在需要維護單個雷射振盪器時個別地驅動以及維護雷射振盪器,因此降低雷射剝離過程的效率以及生產率。
本發明提供一種能夠容易地檢測多個雷射源的振盪狀態的雷射處理設備以及使用所述雷射處理設備的雷射處理方法。
本發明提供一種能夠個別地使用多個雷射源的雷射處理設備以及使用所述雷射處理設備的雷射處理方法。
本發明提供一種能夠通過降低設備的維護次數而改善雷射處理過程的效率和生產率的雷射處理設備以及使用所述雷射處理設備的雷射處理方法。
根據示範性實施例,一種雷射處理設備包含:雷射產生單元,其經配置以產生照射到用於處理的目標的雷射光束的振盪信號,且使多個雷射光束振盪;雷射處理單元,其安置於由所述雷射產生單元振盪的所述雷射光束的傳播路徑上,且經配置以處理所述雷射光束;以及雷射觀測單元,其在所述傳播路徑上連接到所述雷射產生單元和所述雷射處理單元中的至少一個以檢測所述雷射光束的振盪且通過處理以及分析檢測到的資料而確定所述雷射產生單元的操作狀態。
所述雷射觀測單元可以包含:檢測部件,其連接到所述雷射產生單元和所述雷射處理單元中的至少一個,且經配置以測量所述雷射光束的振盪頻率以及脈衝資料;轉換部件,其經配置以將從所述檢測部件接收的所述雷射光束的類比資料轉換成數位資料;以及確定部件,其經配置以通過分析由所述轉換部件轉換的數位信號而確定所述振盪信號是否異常。
所述雷射觀測單元可以包含控制部件,所述控制部件經配置以根據確定所述振盪信號是否異常的結果而控制所述振盪信號,所述結果已從所述確定部件接收。
所述檢測部件可以設置於以下位置中的至少一個:在所述雷射光束的傳播方向上位於所述雷射產生單元前部的位置、用
於將所述雷射光束朝向所述用於處理的目標反射的位置,和用於控制所述雷射光束的長度的位置。
所述雷射產生單元可以包含:雷射控制部件,其經配置以產生所述多個雷射光束中的每一個的所述振盪信號;以及雷射產生部件,其連接到所述雷射控制部件以根據所產生的振盪信號而使每一雷射光束振盪。
所述雷射處理設備可以進一步包含調整單元,所述調整單元經配置以根據上面放置所述用於處理的目標的工作臺的位置而針對所述用於處理的目標的每一處理區域調整所述雷射光束的振盪模式以及所述工作臺的操作狀態。
所述調整單元可以包含:位置檢測部件,其經配置以測量所述工作臺的所述位置;調整部件,其連接到所述位置檢測部件以及所述雷射產生單元以根據所述工作臺的測量位置而調整所述雷射光束的所述振盪模式以及所述工作臺的移動速度;以及運動控制部件,其連接到所述調整部件以根據所述雷射光束的經調整振盪模式而控制所述工作臺的所述移動速度。
根據另一示例性實施例,一種雷射處理方法包含:根據用於處理的目標的處理條件而設定用於控制多個雷射光束的振盪的多個振盪條件;通過將所述所設定振盪條件傳遞到用於使所述多個雷射光束振盪的雷射產生部件而使所述多個雷射光束振盪;檢測振盪的所述多個雷射光束;以及通過使用檢測到的雷射光束資料而確定所述雷射產生部件的雷射光束振盪狀態。
所述設定所述多個振盪條件可以包含設定振盪模式,以使得所述多個雷射光束被同時驅動或交替地驅動。
所述確定所述雷射光束振盪狀態可以包含:比較所述檢測到的雷射光束資料與所述所設定振盪條件的資料;以及在所述檢測到的雷射光束資料的值不同於所述所設定振盪條件的所述資料時,確定所述雷射產生部件需要校正。
在所述檢測所述多個雷射光束期間,可以獲得所述多個雷射光束的振盪頻率以及脈衝資料。
所述雷射處理方法可以包含:停止在所述多個雷射光束之間需要校正的雷射光束的振盪;以及在校正所述振盪停止雷射光束期間減小所述用於處理的目標的處理速度,在確定所述雷射產生部件需要校正之後,此時所述振盪模式為交替驅動。
所述雷射處理方法可以包含:停止在所述多個雷射光束之間需要校正的雷射光束的振盪;以及在校正所述振盪停止雷射光束期間增大除所述振盪停止雷射光束以外的所述雷射光束的能量,在確定所述雷射產生部件需要校正之後,此時所述振盪模式為同時驅動。
所述雷射處理方法可以包含:檢測上面放置所述用於處理的目標的工作臺的位置;以及在所述工作臺的所述檢測到的位置為所述用於處理的目標的第一區域開始的位置時,減小所述工作臺的移動速度,同時使所述多個雷射光束同時地驅動,此時,在所述設定所述多個振盪條件期間,所述用於處理的目標劃分成
包含在所述多個雷射光束的振盪方向上的邊緣的所述第一區域以及不包含所述邊緣的第二區域,且所述第一區域需要以高於所述第二區域的雷射光束能量的雷射光束能量進行處理。
所述雷射處理方法可以包含:檢測上面放置所述用於處理的目標的工作臺的位置;以及在所述工作臺的所述檢測到的位置為所述用於處理的目標的第二區域開始的位置時,增大所述工作臺的移動速度,同時交替地驅動所述多個雷射光束,此時,在所述設定所述多個振盪條件期間,所述用於處理的目標劃分成包含在所述多個雷射光束的振盪方向上的邊緣的第一區域以及不包含所述邊緣的所述第二區域,且所述第一區域需要以高於所述第二區域的雷射光束能量的雷射光束能量進行處理。
根據又一示範性實施例,一種雷射處理方法包含:檢測上面放置用於處理的目標的工作臺的位置;以及根據所述工作臺的所述檢測到的位置而控制多個雷射光束的振盪條件以及所述用於處理的目標的處理速度。
所述控制所述多個雷射光束的所述振盪條件以及所述用於處理的目標的所述處理速度可以包含在所述工作臺的所述檢測到的位置對應於所述用於處理的目標的邊緣時,同時驅動所述多個雷射光束且減小所述用於處理的目標的所述處理速度。
所述控制所述多個雷射光束的所述振盪條件以及所述用於處理的目標的所述處理速度可以包含在所述工作臺的所述檢測到的位置偏離所述用於處理的目標的邊緣時,交替地驅動所述多
個雷射光束且增大所述用於處理的目標的所述處理速度。
1:雷射處理設備
50:工作臺
100:雷射產生單元
110:雷射控制部件
130、130a、130b:雷射產生部件
150、150a、150b:光閥部件
300:雷射處理單元
310:反射鏡
350:射束切割器
400:雷射觀測單元
410:檢測部件
412:第一檢測器
414:第二檢測器
416:第三檢測器
430:轉換部件
450:確定部件
470:控制部件
500:調整單元
510:位置檢測部件
530:調整部件
550:運動控制部件
A、B、C:區段
L、L1、L2:雷射光束
S:用於處理的目標
S100~S300、S410~S470:步驟
可以從結合附圖所作的以下描述中更詳細地理解示例性實施例,其中:圖1為說明根據一實施例的雷射處理設備的圖。
圖2為說明圖1的雷射產生單元以及雷射觀測單元的詳細配置的圖。
圖3a及圖3b為說明根據一實施例的雷射的振盪模式的圖。
圖4為說明根據一實施例的包含調整單元的雷射處理設備的圖。
圖5為說明根據一實施例的雷射處理方法的流程圖。
圖6為說明根據一實施例的基於是否校正雷射產生部件的雷射處理方法的流程圖。
圖7為說明根據一實施例的基於用於處理的目標的處理條件的雷射處理方法的流程圖。
圖8為說明圖7的實例的圖。
下文中將參考附圖詳細描述示範性實施例。然而,本發明可以用不同形式體現,且不應被解釋為限於本文中所陳述的實施例。而是,提供這些實施例是為了使得本發明將是透徹並且完
整的,且這些實施例將把本發明的範圍完整地傳達給所屬領域的技術人員。在圖式中,可能會為了說明的清楚起見而誇示元件的尺寸,且相同參考數位始終指相同元件。
根據一實施例的雷射處理設備旨在容易地檢測且控制照射到被處理的物件的雷射的振盪狀態,其可以確定用於使多個雷射振盪的振盪條件是否與實際振盪的雷射相同。此外,可以根據雷射的振盪狀態以及被處理的物件的處理區域而容易地可互換地使用多個雷射的振盪模式。此處,在一實施例中,雷射處理設備可以表示用於通過使用雷射剝離(LLO)方法從基板分離沉積於基板上的薄膜的設備。此外,被處理的物件可以是柔性有機發光二極體(flexible organic light-emitting diode,OLED)薄膜沉積於玻璃基板上的結構。
然而,所述雷射處理設備不限於所述實施例,且因此可以應用於需要用於將雷射照射到被處理的物件的各種設備(例如雷射熱處理設備、雷射處理設備等等)的各種領域中,以確定經設定以使雷射振盪的振盪條件資料是否與實際振盪雷射的檢測到的資料相同並控制雷射振盪。
在下文中,振盪雷射稱為雷射光束,且術語“振盪雷射”與術語“雷射光束”可以互換地使用,具有相同意義。
將參考圖1到圖4描述根據一實施例的雷射處理設備。圖1為說明根據一實施例的雷射處理設備的圖。圖2為說明圖1的雷射產生單元以及雷射觀測單元的詳細配置的圖。圖3a及圖3b
為說明根據一實施例的雷射的振盪模式的圖。圖4為說明根據一實施例的包含調整單元的雷射處理設備的圖。
根據一實施例的雷射處理設備1用以將雷射光束L照射到用於處理的目標S且檢測並控制雷射光束L的振盪狀態。雷射處理設備1包含:雷射產生單元100,其產生照射到用於處理的目標S的雷射光束L的振盪信號,且根據所述振盪信號使多個雷射光束振盪;雷射處理單元300,其安置於雷射光束L的傳播路徑上,且處理雷射光束L;以及雷射觀測單元400,其在雷射光束L的傳播路徑上連接到雷射產生單元100和雷射處理單元300中的至少一個以確定雷射光束L是否振盪,且通過處理以及分析檢測到的資料而確定雷射產生單元100的操作狀態。
雷射產生單元100為用於產生雷射光束L的元件,其包含:雷射控制部件110,其產生多個雷射光束L的相應振盪信號;以及雷射產生部件130,其連接到雷射控制部件110以根據所產生的振盪信號而使每一雷射光束L振盪。此外,雷射產生單元100可以包含安置在雷射產生部件130的前部的光閥部件150,光閥部件150的數目對應於雷射產生部件130的數目。
此處,根據要振盪的雷射的數目,雷射產生單元100可以包含多個雷射產生部件130以及分別佈置在雷射產生部件130的前部的多個光閥部件150。也就是說,因為在一實施例中使用兩個雷射,因此雷射產生部件130可以包含第一雷射產生部件130a以及第二雷射產生部件130b。此外,光閥部件150可以包含分別
佈置在第一雷射產生部件130a以及第二雷射產生部件130b的前部的第一光閥部件150a以及第二光閥部件150b。儘管雷射產生部件130與光閥部件150在下文描述為單個部件,但以下描述也適用於多個雷射產生部件130以及多個光閥部件150。
雷射產生部件130為用於使雷射振盪的裝置,其可以稱為振盪器。各種已知雷射產生器(例如KrF准分子雷射產生器、ArF准分子雷射產生器,等)可以根據要使用的雷射光束的波長而採用為雷射產生部件130。此處,可以根據基板與包含於用於處理的目標S中的薄膜之間的結合能量而確定雷射光束L的光源的類型。
光閥部件150安置在雷射產生部件130的前部以阻斷雷射光束L的路徑。也就是說,光閥部件150可以與雷射產生部件130的雷射光束L的傳播方向平行地安置以打開雷射光束L的路徑,或可以安置在與雷射光束L的傳播方向相交的方向上以阻斷雷射光束L的路徑。
雷射處理單元300在雷射產生單元100的前部安置於雷射光束L的傳播路徑上,以將雷射光束L處理成直線形狀(直線束)且處理此直線的能量分佈。雷射處理單元300包含用於處理雷射光束L的形狀的透鏡系統(未示出)、用於通過反射雷射光束L而改變雷射光束L的傳播路徑的反射鏡310,以及用於控制雷射光束L的長度的射束切割器(beam cutter)350。為了確定並控制雷射光束L的振盪狀態,雷射觀測單元400包含:檢測部件410,
其連接到雷射產生單元100和雷射處理單元300中的至少一個以測量雷射光束L的振盪頻率以及脈衝資料;轉換部件430,其連接到檢測部件410以將從檢測部件410接收的雷射光束L的資料轉換從數位資料;以及確定部件450,且通過分析經轉換數位信號而確定雷射光束L的振盪信號是否異常。此外,雷射觀測單元400包含控制部件470,其根據確定所述振盪信號是否異常的結果而控制雷射光束L的振盪信號,所述結果已從確定部件450接收。
也就是說,雷射觀測單元400包含用於測量因雷射產生單元100而振盪的雷射光束L的傳播路徑上的雷射光束L的振盪頻率以及脈衝資料、比較所測量振盪頻率以及脈衝資料與從雷射控制部件110傳遞到雷射產生部件130的振盪信號資料以確定雷射光束L的振盪信號是否異常,以及根據所述確定的結果而控制雷射控制部件110的操作的配置。
檢測部件410安置於雷射光束L的傳播路徑上以感測雷射光束L,其可以連接到雷射產生單元100和雷射觀測單元400中的至少一個。也就是說,檢測部件410可以設置於以下位置中的至少一個:在雷射產生單元100的前部的位置、用於將雷射光束L反射到用於處理的目標S的位置,以及用於控制雷射光束L在雷射光束L的傳播路徑上的長度的位置。
此處,檢測部件410可以包含:第一檢測器412,其安置於雷射產生單元100的前部;第二檢測器414,其安置於已透射穿過反射鏡310以改變朝向用於處理的目標S的雷射光束L的傳播
路徑的雷射光束L到達的位置處;以及第三檢測器416,其安置於通過射束切割器350分隔開以控制雷射光束L的長度的殘餘雷射光束L到達的位置處。
將第一檢測器412、第二檢測器414以及第三檢測器416安置在上述位置的原因描述如下。在安置第一檢測器412的位置處,雷射光束L最初被振盪以照射到用於處理的目標S,且因此第一檢測器412可以容易地檢測雷射光束L。此外,在安置第二檢測器414的位置處,第二檢測器414可以容易地檢測雷射光束L,即使第二檢測器414不安置於雷射光束L的傳播路徑上也是如此,歸因於反射鏡310的材料特性因此反射鏡310部分地透射雷射光束L而非將全部雷射光束L朝向用於處理的目標S反射。最後,在安置第三檢測器416的位置處,第三檢測器416可以容易地檢測雷射光束L,即使第三檢測器416不安置於雷射光束L的傳播路徑上也是如此,因為射束切割器350用以調整雷射光束L的長度,且可以容易地在所述位置處檢測到長度調整之後分離的殘餘雷射光束L。也就是說,實施例的檢測部件410安置在可以檢測雷射光束L而不阻斷雷射光束L朝向用於處理的目標S傳播的位置處。
能夠感測光(例如雷射光束L)的元件(例如,光電二極體)可以用作檢測部件410。也就是說,用於通過將光自身或包含於光中的資訊轉換成電信號而檢測光的裝置被用於檢測單元410中,且因此檢測單元410可以即時地(in real time)獲得雷射光束
L的振盪頻率以及脈衝資料。
轉換部件430將由檢測部件410檢測到的雷射光束L的類比資料轉換成數位格式。也就是說,數位轉換器(digitizer)用以將由用於檢測雷射的光學信號檢測器測量的信號轉換成數位信號,以使得經轉換信號可以輸入到下文描述的控制部件。
確定單元450顯示從轉換部件430傳遞的雷射光束L的數位資料,且分析從轉換部件430傳遞的雷射光束L的數位資料以確定雷射光束L的振盪信號是否異常。也就是說,確定單元450比較由檢測部件410檢測到的雷射光束L的資料(下文稱為檢測到的資料)與從雷射控制部件110傳遞到雷射產生部件130的振盪信號的資料以使雷射產生單元100中的雷射光束L振盪(下文稱為設定資料)。在檢測到的資料與設定資料具有相同值時,確定部件450確定雷射光束L的振盪的異常尚未發生。然而,在檢測到的資料與設定資料具有不同值時,確定部件450確定已發生雷射光束L的振盪的異常。如上文所描述,檢測到的資料與設定資料可以是雷射光束L的頻率資料與脈衝資料。
用以根據確定部件450的確定結果控制雷射產生單元100的控制部件470根據確定雷射光束L的振盪的異常是否已發生的結果而控制雷射產生部件130的振盪操作,所述結果已從確定部件450接收。也就是說,在從確定部件450接收到的確定結果指示設定資料不同于測量資料時,控制部件470將校正信號傳遞到雷射控制部件110,以使得設定資料與測量資料可以彼此相
等。
雷射處理設備1可以進一步包含調整單元500,所述調整單元根據上面放置用於處理的目標S的工作臺50的位置而針對用於處理的目標S的每一處理區域調整雷射光束L的振盪模式以及工作臺50的移動速度。
調整單元500為用於根據雷射光束L照射到的用於處理的目標S的位置而容易地改變雷射光束L的處理條件的元件,且包含:位置檢測部件510,其測量工作臺50的位置;調整部件530,其連接到位置檢測部件510以及雷射產生單元100以根據工作臺50的所測量位置而調整雷射光束L的振盪模式以及工作臺50的操作狀態;以及運動控制部件550,其連接到調整部件530以根據雷射光束L的經調整振盪模式而控制工作臺50的速度。
位置檢測部件510為用於測量工作臺50的位置(因為工作臺50移動)的元件,其例如可以使用位置編碼器。也就是說,位置檢測部件510即時地檢測工作臺50的位置,且將工作臺50的位置資料傳遞到調整部件530。更詳細地,儘管位置檢測部件510收集工作臺50的位置資料,但位置檢測部件510可以用來檢測放置在工作臺50上的用於處理的目標S的位置。舉例來說,假定工作臺50橫向劃分成第一部分到第十部分,且用於處理的目標S放置在工作臺50上並覆蓋第三部分到第七部分。因此,位置檢測部件510可以認識到用於處理的目標S不存在於第一部分和第二部分上,但存在於第三部分以及後續部分上。也就是說,為了
根據工作臺50的位置而檢測用於處理的目標S的位置,預先設定工作臺50與用於處理的目標S之間的位置關係,以使得可以根據所述位置關係而檢測用於處理的目標S的位置。
調整部件530用以根據從位置檢測部件510接收的工作臺50的位置而改變雷射光束L的振盪模式或控制工作臺50的移動,其將用於改變雷射光束L的振盪模式的控制信號與用於改變工作臺50的移動速度的控制信號分別傳遞到雷射控制部件110與運動控制部件550。
運動控制部件550從調整部件530接收用於改變工作臺50的移動速度的控制信號,且根據接收到的信號而提供用於移動工作臺50的功率。
如上文所描述而配置的雷射處理設備1即時地比較具有用於使雷射光束L振盪的振盪信號的設定資料與在根據所設定的振盪信號使雷射光束L振盪(在通過使用多個雷射光束L處理用於處理的目標S期間)之後測量的雷射光束L的測量資料。因此,可以容易地確定雷射光束L的振盪狀態的異常是否已發生。
此外,可以基於工作臺50的位置而容易地檢測用於處理的目標S的位置,且可以針對用於處理的目標S的每一檢測到的位置而調整雷射光束L的振盪模式以及工作臺50的移動速度。因此,不同工藝條件可以容易地應用在用於處理的目標S的每一位置,且因此可以增大處理效率以及生產率。
將參考圖5到8描述根據一實施例的雷射處理方法。圖5
為說明根據一實施例的雷射處理方法的流程圖。圖6為說明根據一實施例的基於是否校正雷射產生部件的雷射處理方法的流程圖。圖7為說明根據一實施例的基於用於處理的目標的處理條件的雷射處理方法的流程圖。圖8為說明圖7的實例的圖。
根據一實施例的雷射處理方法包含:根據用於處理的目標S的處理條件而設定用於控制多個雷射光束的振盪的多個振盪條件;通過將所述所設定振盪條件傳遞到用於使所述多個雷射光束L振盪的雷射產生部件130而使所述多個雷射光束振盪;檢測振盪的所述多個雷射光束L;以及通過使用檢測到的雷射光束資料而確定所述雷射產生部件130的雷射光束振盪狀態。
首先,檢查將以雷射光束L處理的用於處理的目標S的處理條件,且根據用於處理的目標S的處理條件而設定雷射光束L的振盪條件(S110)。用於處理的目標S的處理條件可以包含材料以及與要分離的薄膜的結合能量。此外,用於處理的目標S的處理條件可以包含在通過使用雷射光束L處理時可能受雷射光束L的能量影響的任何條件。另外,多個雷射光束L的振盪條件可以設定為同時驅動或交替驅動,以使得多個雷射光束L同時振盪或交替地振盪。此處,在需要高能雷射光束照射到用於處理的目標S時,可以設定多個雷射光束L的同時驅動,且在需要比同時驅動低的能量的雷射光束照射到用於處理的目標S時,可以設定交替驅動。
在根據用於處理的目標S的處理條件而設定雷射光束振
盪條件時,雷射光束L根據所設定的雷射光束振盪條件(下文稱為所設定振盪條件)而振盪(S120)。也就是說,在所設定振盪條件指示多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2)的同時驅動振盪模式(如圖3a中所示)時,雷射控制部件110將振盪信號傳遞到每一雷射產生部件130,以使得雷射產生部件130使雷射光束L1與雷射光束L2同時振盪。或者,在所設定振盪條件指示多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2)的交替驅動振盪模式(如圖3b中所示)時,雷射控制部件110將振盪信號傳遞到每一雷射產生部件130,以使得雷射產生部件130使雷射光束L1與雷射光束L2在不同時間振盪。
此處,在用於處理的目標S劃分成包含在雷射光束L的振盪方向上的邊緣的第一區域以及不包含所述邊緣的第二區域且需要以比第二區域的雷射光束能量高的雷射光束能量處理第一區域的情況下,設定多個雷射光束(雷射光束L1以及雷射光束L2)的振盪條件可以包含檢測上面放置用於處理的目標S的工作臺50的位置以及在工作臺50的檢測到的位置為第一區域的開始位置時減小工作臺50的移動速度,同時使多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2)同時地驅動。
此外,在工作臺50的檢測到的位置為第二區域的開始位置時,可以增大工作臺50的移動速度,同時交替地驅動多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2),以進行雷射光束L的照射。
在雷射光束L回應於雷射控制部件110的振盪信號而振
盪時,檢測振盪的雷射光束L(S130)。此處,可以通過使用提供到檢測部件410的檢測器來測量雷射光束L的振盪頻率以及脈衝資料而檢測雷射光束L。
如上文所描述,可以通過檢測雷射光束L而確定雷射光束L的振盪狀態。通過檢測雷射光束L而確定雷射光束L的振盪狀態包含比較檢測到的雷射光束資料與所設定振盪條件的資料(S140),以及在檢測到的雷射光束資料的值不同於所設定振盪條件的資料時,確定需要校正雷射產生部件130。
也就是說,確定檢測到的雷射光束資料是否匹配所設定振盪條件的資料(S150),且在檢測到的雷射光束資料等於所設定振盪條件的資料時,確定雷射光束L的振盪狀態令人滿意(S160)。然而,在檢測到的雷射光束資料不等於所設定振盪條件的資料時,確定需要校正雷射光束L的振盪狀態(S200)。
如上文所描述,根據用於處理的目標S的處理條件設定雷射振盪條件(S110)、根據所設定振盪條件使雷射光束L振盪(S120)、檢測振盪的雷射光束L(S130)以及比較檢測到的雷射光束資料與所設定振盪條件的資料(S140,S150)包含於觀測雷射振盪狀態(S100)中。
在觀測到雷射振盪狀態(S100)之後,在確定需要校正用於產生雷射光束L的雷射產生部件130(S200)時,控制部件470檢查雷射光束L的振盪模式(S210),且應用根據振盪模式調整用於處理的目標S的處理速度或雷射光束L的能量的方法。
在確定需要校正雷射產生部件130(S200)且雷射光束L的振盪模式為同時驅動的情況下,在所述確定之後執行停止在多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2)之間需要校正的雷射光束L的振盪(S220B),且在校正振盪停止雷射光束L期間增大除振盪停止雷射光束L以外的雷射光束的能量(S230B)。
也就是說,停止在多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2)之間需要校正的雷射光束L的振盪(S220B),且控制部件470將控制信號傳遞到雷射控制部件110,以使得不需要校正的雷射光束L以較高能量振盪,以便補償應由需要校正的雷射光束L遞送到用於處理的目標S的雷射光束能量。
相反,在確定雷射產生部件130需要校正(S200)且雷射光束L的振盪模式為交替驅動的情況下,在所述確定之後執行停止在多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2)之間需要校正的雷射光束L的振盪(S220A),且在校正振盪停止雷射光束L期間減小用於處理的目標S的處理速度(S230A)。此處,用於處理的目標S的處理速度可以設定為通過以下方程式1計算的值。
[方程式1]V=V0(n-x)/n
(其中V表示用於處理的目標的所計算的處理速度,V0表示用於處理的目標的當前處理速度,n表示所使用的雷射產生部件的數目,x表示需要校正的雷射產生部件的數目)
在完成雷射產生部件130的校正,且因此需要校正的雷
射產生部件被歸一化(S240)時,啟動經校正雷射產生部件130的操作,以啟動需要校正的雷射光束L的振盪(S250)。此外,在校正期間調整的雷射光束能量或用於處理的目標S的處理速度可以在校正之前恢復為先前值(S260A,S260B),以完成雷射光束L的照射(S300)。
同時,根據另一實施例的雷射處理方法為用於根據基板的位置應用不同處理條件的方法,其包含:檢測上面放置用於處理的目標S的工作臺50的位置;以及根據工作臺50的檢測到的位置而控制多個雷射光束(雷射光束L1和雷射光束L2)的振盪條件以及用於處理的目標S的處理速度。
在控制多個雷射光束(雷射光束L1和雷射光束L2)的振盪條件以及用於處理的目標S的處理速度期間,在工作臺50的檢測到的位置對應於用於處理的目標S的邊緣時,多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2)可以同時驅動,且可以減小用於處理的目標S的處理速度。
然而,在控制多個雷射光束(雷射光束L1和雷射光束L2)的振盪條件以及用於處理的目標S的處理速度期間,在工作臺50的檢測到的位置偏離用於處理的目標S的邊緣時,多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2)可以交替地驅動,且可以增大用於處理的目標S的處理速度。
也就是說,在啟動雷射光束L的照射(S410)時,工作臺50開始以第一速度移動(S420)。此處,參考圖8,工作臺50
的位置可以劃分成三個區段,也就是說,區段A、區段B以及區段C,其中在區段A中,用於處理的目標S不存在於工作臺50上。區段B表示用於處理的目標S存在於工作臺50上的區段,且包含用於處理的目標S在工作臺50的移動方向上的邊緣。區段C表示用於處理的目標S的不包含邊緣的區域存在於工作臺50上的區段。此處,區段B包含玻璃與用於處理的目標S的薄膜之間的結合強度高於其它區域的結合強度的接合區域。
在位置檢測部件510通過檢測工作臺50的位置而認識到工作臺50進入用於處理的目標S的接合區域(S430)時,調整部件530將用於將多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2)的振盪模式改變為同時驅動振盪模式的信號傳遞到雷射控制部件110,以將能量比當前雷射光束L的能量高的雷射光束L照射到接合區域,並且還將用於緩慢移動工作臺50的信號傳遞到運動控制部件550,以使得雷射光束L充分地照射到接合區域。因此,雷射控制部件110可以通過控制多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2)以使得多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2)以相同振盪頻率和相同脈衝同時振盪而增大照射到用於處理的目標S的雷射光束L的能量。此外,運動控制部件550可以通過減緩工作臺50的移動而允許雷射光束L充分地照射到用於處理的目標S(S440)。
同時,在位置檢測部件510通過檢測工作臺50的位置而認識到工作臺50退出用於處理的目標S的接合區域(S450)時,
調整部件530將用於將多個雷射光束(雷射光束L1與雷射光束L2)的振盪模式改變為交替驅動振盪模式的信號傳遞到雷射控制部件110,以將能量比當前雷射光束L的能量低的雷射光束L照射到接合區域,且增大工作臺50的移動速度(S460)。
也就是說,可互換地使用雷射光束L的振盪模式以通過增大對於用於處理的目標S的邊緣部分的雷射光束L的照射密度而容易地移除接合且快速進行對於除邊緣部分以外的部分的處理。
根據實施例,可以在用於處理的目標的雷射處理過程期間容易地檢測且控制多個雷射源的振盪狀態。也就是說,可以通過比較振盪雷射的檢測到的資料與根據用於處理的目標的處理條件而設定的雷射振盪條件資料來確定雷射振盪狀態是否異常。此外,可以容易地控制多個雷射中的每一個的振盪,且因此可以根據用於處理的目標的處理區域以及雷射產生部件是否異常而容易地可互換地使用使多個雷射同時振盪的方法與使多個雷射交替地振盪的方法。
因此,可以立即檢測到且校正雷射振盪中的問題,且可以視需要改變用於多個雷射的振盪方法,且因此可以增大雷射處理過程的生產率。
另外,雷射產生部件的使用時間可能會減小,因為視需要選擇性地使用多個雷射,且因此可以防止增大雷射產生部件的維護次數。
雖然已參考特定實施例描述雷射處理設備以及使用所述雷射處理設備的雷射處理方法,但它們並不限於此。因此,所屬領域的技術人員將容易地理解,可對其進行各種修改和改變而不脫離由所附權利要求書限定的本發明的精神和範圍。
1‧‧‧雷射處理設備
50‧‧‧工作臺
100‧‧‧雷射產生單元
300‧‧‧雷射處理單元
310‧‧‧反射鏡
350‧‧‧射束切割器
400‧‧‧雷射觀測單元
L‧‧‧雷射光束
S‧‧‧用於處理的目標
Claims (16)
- 一種雷射處理設備,包括:雷射產生單元,其經配置以產生照射到用於處理的目標的雷射光束的振盪信號,且使多個雷射光束振盪;雷射處理單元,其安置於由所述雷射產生單元振盪的所述雷射光束的傳播路徑上,且經配置以處理所述雷射光束;雷射觀測單元,其在所述傳播路徑上連接到所述雷射產生單元和所述雷射處理單元中的至少一個以檢測所述雷射光束的振盪且通過處理以及分析檢測到的資料而確定所述雷射產生單元的操作狀態;以及調整單元,其經配置以根據上面放置所述用於處理的目標的工作臺的位置而針對所述用於處理的目標的每一處理區域將所述多個雷射光束的振盪模式調整為同時驅動或交替驅動。
- 如申請專利範圍第1項所述的雷射處理設備,其中所述雷射觀測單元包括:檢測部件,其連接到所述雷射產生單元和所述雷射處理單元中的至少一個,且經配置以測量所述雷射光束的振盪頻率以及脈衝資料;轉換部件,其經配置以將從所述檢測部件接收的所述雷射光束的類比資料轉換成數位資料;以及確定部件,其經配置以通過分析由所述轉換部件轉換的數位信號而確定所述振盪信號是否異常。
- 如申請專利範圍第2項所述的雷射處理設備,其中所述雷射觀測單元包括控制部件,所述控制部件經配置以根據確定所述振盪信號是否異常的結果而控制所述振盪信號,所述結果已從所述確定部件接收。
- 如申請專利範圍第2項所述的雷射處理設備,其中所述檢測部件設置於以下位置中的至少一個:在所述雷射光束的傳播方向上位於所述雷射產生單元前部的位置、用於將所述雷射光束朝向所述用於處理的目標反射的位置,和用於控制所述雷射光束的長度的位置。
- 如申請專利範圍第1項所述的雷射處理設備,其中所述雷射產生單元包括:雷射控制部件,其經配置以產生所述多個雷射光束中的每一個的所述振盪信號;以及雷射產生部件,其連接到所述雷射控制部件以根據所產生的振盪信號而使每一雷射光束振盪。
- 如申請專利範圍第1項所述的雷射處理設備,所述調整單元還根據所述多個雷射光束的經調整振盪模式調整所述工作臺的操作狀態。
- 如申請專利範圍第6項所述的雷射處理設備,其中所述調整單元包括:位置檢測部件,其經配置以測量所述工作臺的所述位置;調整部件,其連接到所述位置檢測部件以及所述雷射產生單 元以根據所述工作臺的測量位置而調整所述多個雷射光束的所述振盪模式以及所述工作臺的移動速度;以及運動控制部件,其連接到所述調整部件以根據所述多個雷射光束的經調整振盪模式而控制所述工作臺的所述移動速度。
- 一種雷射處理方法,包括:根據用於處理的目標的處理條件,對多個雷射光束設定振盪條件,以控制多個雷射光束的振盪;通過將對所述多個雷射光束設定的所述振盪條件傳遞到用於使所述多個雷射光束振盪的雷射產生部件而使所述多個雷射光束振盪;檢測振盪的所述多個雷射光束;以及通過使用檢測到的雷射光束資料而確定所述雷射產生部件的雷射光束振盪狀態;其中所述設定所述振盪條件包括針對所述用於處理的目標的每一處理區域設定所述多個雷射光束的振盪模式,以使得針對所述用於處理的目標的每一處理區域的所述多個雷射光束被同時驅動或交替地驅動。
- 如申請專利範圍第8項所述的雷射處理方法,其中所述確定所述雷射光束振盪狀態包括:比較所述檢測到的雷射光束資料與對所述多個雷射光束設定的所述振盪條件的資料;以及在所述檢測到的雷射光束資料的值不同於對所述多個雷射光 束設定的所述振盪條件的所述資料時,確定所述雷射產生部件需要校正。
- 如申請專利範圍第9項所述的雷射處理方法,其中在所述檢測所述多個雷射光束期間,獲得所述多個雷射光束的振盪頻率以及脈衝資料。
- 如申請專利範圍第9項所述的雷射處理方法,包括:停止在所述多個雷射光束之間需要校正的雷射光束的振盪;以及在校正所述振盪停止雷射光束期間減小所述用於處理的目標的處理速度,在確定所述雷射產生部件需要校正之後,此時所述振盪模式為交替驅動。
- 如申請專利範圍第9項所述的雷射處理方法,包括:停止在所述多個雷射光束之間需要校正的雷射光束的振盪;以及在校正所述振盪停止雷射光束期間增大除所述振盪停止雷射光束以外的所述雷射光束的能量,在確定所述雷射產生部件需要校正之後,此時所述振盪模式為同時驅動。
- 如申請專利範圍第8項所述的雷射處理方法,包括:檢測上面放置所述用於處理的目標的工作臺的位置;以及在所述工作臺的所述檢測到的位置為所述用於處理的目標的 第一區域開始的位置時,減小所述工作臺的移動速度,同時使所述多個雷射光束同時地驅動,此時,在所述設定所述振盪條件期間,所述用於處理的目標劃分成包含在所述多個雷射光束的振盪方向上的邊緣的所述第一區域以及不包含所述邊緣的第二區域,且所述第一區域需要以高於所述第二區域的雷射光束能量的雷射光束能量進行處理。
- 如申請專利範圍第8項所述的雷射處理方法,包括:檢測上面放置所述用於處理的目標的工作臺的位置;以及在所述工作臺的所述檢測到的位置為所述用於處理的目標的第二區域開始的位置時,增大所述工作臺的移動速度,同時交替地驅動所述多個雷射光束,此時,在所述設定所述多個振盪條件期間,所述用於處理的目標劃分成包含在所述多個雷射光束的振盪方向上的邊緣的第一區域以及不包含所述邊緣的所述第二區域,且所述第一區域需要以高於所述第二區域的雷射光束能量的雷射光束能量進行處理。
- 一種雷射處理方法,包括:檢測上面放置用於處理的目標的工作臺的位置;以及根據所述工作臺的所述檢測到的位置而控制多個雷射光束的振盪條件以及所述用於處理的目標的處理速度;其中所述控制所述多個雷射光束的所述振盪條件以及所述用於處理的目標的所述處理速度包括在所述工作臺的所述檢測到的位置對應於所述用於處理的目標的邊緣時,同時驅動所述多個雷 射光束且減小所述用於處理的目標的所述處理速度。
- 一種雷射處理方法,包括:檢測上面放置用於處理的目標的工作臺的位置;以及根據所述工作臺的所述檢測到的位置而控制多個雷射光束的振盪條件以及所述用於處理的目標的處理速度;其中所述控制所述多個雷射光束的所述振盪條件以及所述用於處理的目標的所述處理速度包括在所述工作臺的所述檢測到的位置偏離所述用於處理的目標的邊緣時,交替地驅動所述多個雷射光束且增大所述用於處理的目標的所述處理速度。
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Families Citing this family (4)
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WO2020242160A1 (ko) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 레이저쎌 주식회사 | 선형 이송 방식의 레이저 리플로우 장치 |
KR102376989B1 (ko) * | 2019-05-31 | 2022-03-21 | 레이저쎌 주식회사 | 선형 이송 방식의 레이저 리플로우 장치 |
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JP2023067017A (ja) * | 2021-10-29 | 2023-05-16 | Jswアクティナシステム株式会社 | レーザ剥離装置、情報処理方法、及びプログラム |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63116481A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Nikon Corp | レ−ザ加工装置 |
KR100609831B1 (ko) * | 2004-08-03 | 2006-08-09 | 주식회사 이오테크닉스 | 다중 레이저 가공장치 |
US9252560B2 (en) * | 2009-03-06 | 2016-02-02 | Imra America, Inc. | Optical scanning and imaging systems based on dual pulsed laser systems |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001326159A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Nikon Corp | レーザ装置、露光装置、および該露光装置を用いるデバイス製造方法 |
US7425471B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-09-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset |
JP2008212975A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
JP5074272B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2012-11-14 | 株式会社リンクスタージャパン | 脆性材料基板の加工装置および切断方法 |
JP5789527B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2015-10-07 | 株式会社アマダホールディングス | レーザ加工装置及びレーザ発振制御方法 |
KR101562331B1 (ko) * | 2014-02-05 | 2015-10-22 | 에이피시스템 주식회사 | 레이저 처리 장치 |
KR101560378B1 (ko) * | 2014-04-30 | 2015-10-20 | 참엔지니어링(주) | 레이저 처리장치 및 처리방법 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63116481A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-20 | Nikon Corp | レ−ザ加工装置 |
KR100609831B1 (ko) * | 2004-08-03 | 2006-08-09 | 주식회사 이오테크닉스 | 다중 레이저 가공장치 |
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