TWI749687B - 電壓對比缺陷的分析方法及分析系統 - Google Patents

電壓對比缺陷的分析方法及分析系統 Download PDF

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Abstract

一種電壓對比缺陷的分析方法，包括以下步驟。使用電子束檢測機台對待測晶粒進行電壓對比缺陷檢測，以找出電壓對比缺陷的缺陷位置。使用掃描式電子顯微鏡取得在待測晶粒的缺陷位置上的第一掃描式電子顯微鏡影像。量測第一掃描式電子顯微鏡影像在待測晶粒的缺陷位置上的第一關鍵尺寸。將待測晶粒上的第一關鍵尺寸與在缺陷位置上未發生電壓對比缺陷的參考晶粒上的相對應的第二關鍵尺寸進行比對，以判定第一關鍵尺寸與第二關鍵尺寸是否相同。

Description

電壓對比缺陷的分析方法及分析系統
本發明是有關於一種缺陷的分析方法及分析系統，且特別是有關於一種電壓對比缺陷的分析方法及分析系統。
在半導體元件的缺陷檢測技術中，發展出一種利用電子束來進行缺陷檢測的電壓對比法。此外，會進一步對電壓對比法所找出的電壓對比缺陷進行分析，以查明電壓對比缺陷的成因。電壓對比缺陷有時與關鍵尺寸均勻性(critical dimension uniformity)有關，目前常見的檢查方法是藉由電子束檢測法來檢測關鍵尺寸均勻性。然而，由於關鍵尺寸均勻性的電子束檢測(electron beam inspection，EBI)的檢查範圍(inspection coverage)較小(一般為小於1%)，因此造成電壓對比缺陷與關鍵尺寸均勻性的相關性低，而降低缺陷分析的可靠度。
本發明提供一種電壓對比缺陷的分析方法及分析系統， 其可提升缺陷分析的可靠度。
本發明提出一種電壓對比缺陷的分析方法，包括以下步驟。使用電子束檢測機台對待測晶粒進行電壓對比缺陷檢測，以找出電壓對比缺陷的缺陷位置(defect address)。使用掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)取得在待測晶粒的缺陷位置上的第一掃描式電子顯微鏡影像(即後述的掃描式電子顯微鏡影像P2)。量測第一掃描式電子顯微鏡影像在待測晶粒的缺陷位置上的第一關鍵尺寸。將待測晶粒上的第一關鍵尺寸與在缺陷位置上未發生電壓對比缺陷的參考晶粒上的相對應的第二關鍵尺寸進行比對，以判定第一關鍵尺寸與第二關鍵尺寸是否相同。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析方法中，待測晶粒與參考晶粒源自於相同晶圓。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析方法中，電壓對比缺陷檢測的檢查範圍可為待測晶粒上的待測元件區的5%至100%。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析方法中，待測元件區例如是記憶體區或測試元件區(test key region)。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析方法中，電壓對比缺陷檢測可包括以下步驟。使用電子束檢測機台掃描待測晶粒，以取得電子束檢測影像。根據電子束檢測影 像的灰階值，找出電子束檢測影像中的缺陷位置。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析方法中，更可包括以下步驟。在取得第一掃描式電子顯微鏡影像之前，使用掃描式電子顯微鏡取得在待測晶粒的缺陷位置上的第二掃描式電子顯微鏡影像(即後述的掃描式電子顯微鏡影像P1)。第一掃描式電子顯微鏡影像的影像品質可高於第二掃描式電子顯微鏡影像的影像品質。依據第二掃描式電子顯微鏡影像來判定是否存在物理性缺陷(physical defect)。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析方法中，更可包括以下步驟。依據第一掃描式電子顯微鏡影像來判定是否存在物理性缺陷。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析方法中，更可包括以下步驟。依據電壓對比缺陷所對應的結構進行缺陷分類。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析方法中，在進行缺陷分類之後，可使用掃描式電子顯微鏡取得缺陷分類後所得的各個缺陷類型中的待測晶粒的第一掃描式電子顯微鏡影像。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析方法中，獲得參考晶粒的第二關鍵尺寸的方法可包括以下步驟。使用掃描式電子顯微鏡取得在參考晶粒對應於待測晶粒的缺 陷位置上的第三掃描式電子顯微鏡影像。量測第三掃描式電子顯微鏡影像上的第二關鍵尺寸。
本發明提出一種電壓對比缺陷的分析系統，包括電子束檢測機台、掃描式電子顯微鏡與電子裝置。電子束檢測機台用以對待測晶粒進行電壓對比缺陷檢測，以找出電壓對比缺陷的缺陷位置。掃描式電子顯微鏡用以取得在待測晶粒的缺陷位置上的第一掃描式電子顯微鏡影像。電子裝置耦接於電子束檢測機台與掃描式電子顯微鏡。電子裝置包括記憶體與處理器。記憶體用以儲存多個模組。處理器耦接於記憶體。處理器用以讀取並執行上述多個模組，以進行以下操作。處理器量測第一掃描式電子顯微鏡影像在待測晶粒的缺陷位置上的第一關鍵尺寸。處理器將待測晶粒上的第一關鍵尺寸與在缺陷位置上未發生電壓對比缺陷的參考晶粒上的相對應的第二關鍵尺寸進行比對，以判定第一關鍵尺寸與第二關鍵尺寸是否相同。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析系統中，待測晶粒與參考晶粒源自於相同晶圓。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析系統中，電壓對比缺陷檢測的檢查範圍可為待測晶粒上的待測元件區的5%至100%。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析系統中，待測元件區例如是記憶體區或測試元件區。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析系統中，電子束檢測機台可用以掃描待測晶粒，以取得電子束檢測影像。處理器可根據電子束檢測影像的灰階值，找出電子束檢測影像中的缺陷位置。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析系統中，掃描式電子顯微鏡可用以取得在待測晶粒的缺陷位置上的第二掃描式電子顯微鏡影像。第一掃描式電子顯微鏡影像的影像品質可高於第二掃描式電子顯微鏡影像的影像品質。處理器可依據第二掃描式電子顯微鏡影像來判定是否存在物理性缺陷。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析系統中，處理器可依據第一掃描式電子顯微鏡影像來判定是否存在物理性缺陷。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析系統中，處理器可依據電壓對比缺陷所對應的結構進行缺陷分類。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析系統中，掃描式電子顯微鏡可用以取得缺陷分類後所得的各個缺陷類型中的待測晶粒的第一掃描式電子顯微鏡影像。
依照本發明的一實施例所述，在上述電壓對比缺陷的分析系統中，掃描式電子顯微鏡可用以取得在參考晶粒的對應於待測晶粒的缺陷位置上的第三掃描式電子顯微鏡影像。處理器可量 測第三掃描式電子顯微鏡影像上的第二關鍵尺寸。
基於上述，在上述電壓對比缺陷的分析方法與分析系統中，在使用電子束檢測機台找出待測晶粒的電壓對比缺陷的缺陷位置之後，取得在待測晶粒的缺陷位置上的第一掃描式電子顯微鏡影像(即後述的掃描式電子顯微鏡影像P2)，再將第一掃描式電子顯微鏡影像在待測晶粒的缺陷位置上的第一關鍵尺寸與在缺陷位置上未發生電壓對比缺陷的參考晶粒上的相對應的第二關鍵尺寸進行比對，以判定第一關鍵尺寸與第二關鍵尺寸是否相同。藉此，可判定待測晶粒的電壓對比缺陷是否由關鍵尺寸均勻性不佳所造成。此外，由於第一掃描式電子顯微鏡影像是在待測晶粒的電壓對比缺陷的缺陷位置上取得，因此可提升電壓對比缺陷與關鍵尺寸均勻性之間的相關性，進而提升缺陷分析的可靠度。另外，上述電壓對比缺陷的分析方法可由電壓對比缺陷的分析系統中的電子束檢測機台、掃描式電子顯微鏡與電子裝置來自動執行，因此可建構出自動化的分析方法與分析系統。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10:電壓對比缺陷的分析系統
100:電子束檢測機台
102:掃描式電子顯微鏡
104:電子裝置
106:記憶體
108:處理器
110:影像處理模組
112:影像分析模組
114:運算模組
CD1,CD2:關鍵尺寸
P1,P2:掃描式電子顯微鏡影像
S100、S102、S104、S106、S108、S110、S112:步驟
圖1為根據本發明的一實施例的電壓對比缺陷的分析系統的 示意圖。
圖2為根據本發明的一實施例的電壓對比缺陷的分析方法的流程圖。
圖1為根據本發明的一實施例的電壓對比缺陷的分析系統的示意圖。
請參照圖1，電壓對比缺陷的分析系統10包括電子束檢測機台100、掃描式電子顯微鏡102與電子裝置104。電子束檢測機台100可對晶圓上的晶粒進行晶粒檢測，以取得晶粒所對應的電子束檢測影像，並將電子束檢測影像提供至電子裝置104進行影像處理及分析。在本實施例中，電子束檢測機台100可用以對待測晶粒進行電壓對比缺陷檢測，以找出電壓對比缺陷的缺陷位置。
掃描式電子顯微鏡102可對晶圓上的晶粒進行晶粒檢測，以取得晶粒所對應的掃描式電子顯微鏡影像，並將掃描式電子顯微鏡影像提供至電子裝置104進行影像處理及分析。晶圓可包括多個記憶體晶粒，如靜態隨機存取記憶體(static random access memory，SRAM)晶粒，但本發明的檢測對象並不以此為限。在本實施例中，掃描式電子顯微鏡102可用以取得在待測晶粒的缺陷位置上的掃描式電子顯微鏡影像。
電子裝置104耦接於電子束檢測機台100與掃描式電子顯微鏡102。電子裝置104可為電腦設備。電子裝置104包括記憶體106與處理器108。記憶體106用以儲存多個模組，其中上述多個模組可包括影像處理模組110、影像分析模組112與運算模組114。記憶體106可用於儲存影像以及多個模組或軟體，以供處理器108存取並執行之，以實現本發明各實施例所述的相關手段及電壓對比缺陷的分析方法。
處理器108耦接於記憶體106。處理器108用以讀取並執行上述多個模組(如，影像處理模組110、影像分析模組112與運算模組114)，以進行以下操作。處理器108量測掃描式電子顯微鏡影像在待測晶粒的缺陷位置上的關鍵尺寸CD1。處理器108將待測晶粒上的關鍵尺寸CD1與在缺陷位置上未發生電壓對比缺陷的參考晶粒上的相對應的關鍵尺寸CD2進行比對，以判定關鍵尺寸CD1與關鍵尺寸CD2是否相同。藉此，可判定待測晶粒的電壓對比缺陷是否由關鍵尺寸均勻性不佳所造成。然而，本發明的處理器108並不限於執行上述模組。在一些實施例中，處理器108亦可執行相關程式或透過相對應的硬體電路來實現前述的影像處理及/或分析。
在本實施例中，處理器108可為圖形處理單元(graphics processing unit，GPU)、影像處理器(image signal processor，ISP)、中央處理單元(central processing unit，CPU)或是其他可程式化之 一般用途或特殊用途的微處理器(microprocessor)、數位訊號處理器(digital signal processor，DSP)、可程式化控制器、特殊應用積體電路(application specific integrated circuits，ASIC)、可程式化邏輯裝置(programmable logic device，PLD)、其他類似處理器或這些處理器電路的組合。
圖2為根據本發明的一實施例的電壓對比缺陷的分析方法的流程圖。
在本實施例中，電壓對比缺陷的分析系統10與分析方法可用以判定待測晶粒的電壓對比缺陷是否由關鍵尺寸均勻性不佳所造成。在一些實施例中，電壓對比缺陷的分析系統10與分析方法可用以判定待測晶粒的電壓對比缺陷是否由接觸窗的關鍵尺寸均勻性不佳(如，接觸窗的關鍵尺寸不穩定)所造成。在一些實施例中，電壓對比缺陷的分析系統10與分析方法可用以判定待測晶粒的電壓對比缺陷是否由金屬矽化物(如，矽化鎳(NiSi))的關鍵尺寸均勻性不佳(如，金屬矽化物形成不完全)所造成。
請參照圖1與圖2，進行步驟S100，使用電子束檢測機台100對待測晶粒進行電壓對比缺陷檢測，以找出電壓對比缺陷的缺陷位置。電壓對比缺陷檢測可包括以下步驟。首先，使用電子束檢測機台100掃描待測晶粒，以取得電子束檢測影像。接著，處理器108可根據電子束檢測影像的灰階值，找出電子束檢測影像中的缺陷位置。電壓對比缺陷的缺陷位置可為發生暗電壓對比 (dark voltage contrast，DVC)的位置或明電壓對比(bright voltage contrast，BVC)的位置。此外，電壓對比缺陷檢測的檢查範圍可為待測晶粒上的待測元件區的5%至100%。待測元件區例如是記憶體區(如，SRAM區)或測試元件區。待測晶粒可為記憶體晶粒。在本實施例中，待測晶粒是以SRAM晶粒為例來進行說明，但本發明並不以此為限。
接著，可進行步驟S102，使用掃描式電子顯微鏡102取得在待測晶粒的缺陷位置上的掃描式電子顯微鏡影像P1。
然後，可進行步驟S104，處理器108可依據掃描式電子顯微鏡影像P1來判定是否存在物理性缺陷。若判定結果為「是」，則可判定電壓對比缺陷是否由物理性缺陷所造成。若判定結果為「否」，則可判定電壓對比缺陷與物理性缺陷無關。物理性缺陷例如是微粒(particle)或殘渣(residue)。
接下來，可進行步驟S106，處理器108可依據電壓對比缺陷所對應的結構進行缺陷分類。處理器108可利用步驟S100中所獲得的電子束檢測影像來進行缺陷分類。如此一來，在後續使用電子裝置104進行電壓對比缺陷分析時，可從各個缺陷類型中的多個晶粒中挑選出一個作為代表，而無須對重覆缺陷類型的晶粒進行檢測，藉此可提升整體產能(throughput)。
在一些實施例中，以SRAM晶粒為例，前述的缺陷類型所對應的結構可為SRAM的位元線(bit line)結構、字元線(word line) 結構、共用接點(share contact)結構、反向器傳輸端(Q,Q bar)結構、接地(Vss)端結構、工作電壓(Vdd)端結構或其他存在結構缺陷的具有金屬材料與氧化層為特定相對位置關係或特定比例關係的部分。
此外，步驟S102、步驟S104與步驟S106為可選擇性進行的步驟。在一些實施例中，在進行步驟S100之後，可省略步驟S102與步驟S104，而直接進行步驟S106。在另一些實施例中，在進行步驟S100之後，可省略步驟S102、步驟S104與步驟S106，而直接進行步驟S108。
之後，進行步驟S108，使用掃描式電子顯微鏡102取得在待測晶粒的缺陷位置上的掃描式電子顯微鏡影像P2。掃描式電子顯微鏡影像P2的影像品質可高於掃描式電子顯微鏡影像P1的影像品質。在進行步驟S106的情況下，可使用掃描式電子顯微鏡102取得缺陷分類後所得的各個缺陷類型中的待測晶粒的掃描式電子顯微鏡影像P2。
在一些實施例中，在不進行步驟S102與步驟S104的情況下，處理器108可依據掃描式電子顯微鏡影像P2來判定是否存在物理性缺陷。
再者，進行步驟S110，處理器108可量測掃描式電子顯微鏡影像P2在待測晶粒的缺陷位置上的關鍵尺寸CD1。
隨後，進行步驟S112，處理器108可將待測晶粒上的關 鍵尺寸CD1與在缺陷位置上未發生電壓對比缺陷的參考晶粒上的相對應的關鍵尺寸CD2進行比對，以判定CD1關鍵尺寸與關鍵尺寸CD2是否相同。若判定結果為「是」，則可判定電壓對比缺陷與關鍵尺寸均勻性無關，後續可再進行其他檢測來找出電壓對比缺陷的成因。若判定結果為「否」，則可判定電壓對比缺陷與關鍵尺寸均勻性相關，亦即待測晶粒的電壓對比缺陷是由關鍵尺寸均勻性不佳所造成。此處所記載的「相同」一詞所指的是「實質上相同」，亦即可存在可容許的誤差。關鍵尺寸CD2為在參考晶粒的對應於待測晶粒的缺陷位置的位置上所量測的關鍵尺寸。在本實施例中，待測晶粒與參考晶粒源自於相同晶圓，且所選用的參考晶粒的數量可為一個或多個。
此外，獲得參考晶粒的關鍵尺寸CD2的方法可包括以下步驟。首先，使用掃描式電子顯微鏡102取得在參考晶粒對應於待測晶粒的缺陷位置上的掃描式電子顯微鏡影像P3。接著，處理器108可量測掃描式電子顯微鏡影像P3上的關鍵尺寸CD2。
基於上述實施例，在上述電壓對比缺陷的分析方法與電壓對比缺陷的分析系統10中，在使用電子束檢測機台100找出待測晶粒的電壓對比缺陷的缺陷位置之後，取得在待測晶粒的缺陷位置上的掃描式電子顯微鏡影像P2，再將掃描式電子顯微鏡影像P2在待測晶粒的缺陷位置上的關鍵尺寸CD1與在缺陷位置上未發生電壓對比缺陷的參考晶粒上的相對應的關鍵尺寸CD2進行比 對，以判定關鍵尺寸CD1與關鍵尺寸CD2是否相同。藉此，可判定待測晶粒的電壓對比缺陷是否由關鍵尺寸均勻性不佳所造成。此外，由於掃描式電子顯微鏡影像P2是在待測晶粒的電壓對比缺陷的缺陷位置上取得，因此可提升電壓對比缺陷與關鍵尺寸均勻性之間的相關性，進而提升缺陷分析的可靠度。另外，上述電壓對比缺陷的分析方法可由電壓對比缺陷的分析系統10中的電子束檢測機台100、掃描式電子顯微鏡102與電子裝置104來自動執行，因此可建構出自動化的分析方法與分析系統。
綜上所述，藉由上述實施例的電壓對比缺陷的分析方法與分析系統可自動化地判定待測晶粒的電壓對比缺陷是否由關鍵尺寸均勻性不佳所造成，且可提升電壓對比缺陷與關鍵尺寸均勻性之間的相關性與缺陷分析的可靠度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
S100、S102、S104、S106、S108、S110、S112:步驟

Claims (18)

  1. 一種電壓對比缺陷的分析方法，包括：使用電子束檢測機台對待測晶粒進行電壓對比缺陷檢測，以找出電壓對比缺陷的缺陷位置；使用掃描式電子顯微鏡取得在所述待測晶粒的所述缺陷位置上的第一掃描式電子顯微鏡影像；量測所述第一掃描式電子顯微鏡影像在所述待測晶粒的所述缺陷位置上的第一關鍵尺寸；將所述待測晶粒上的所述第一關鍵尺寸與在所述缺陷位置上未發生所述電壓對比缺陷的參考晶粒上的相對應的第二關鍵尺寸進行比對，以判定所述第一關鍵尺寸與所述第二關鍵尺寸是否相同，在取得所述第一掃描式電子顯微鏡影像之前，使用所述掃描式電子顯微鏡取得在所述待測晶粒的所述缺陷位置上的第二掃描式電子顯微鏡影像，其中所述第一掃描式電子顯微鏡影像的影像品質高於所述第二掃描式電子顯微鏡影像的影像品質；以及依據所述第二掃描式電子顯微鏡影像來判定是否存在物理性缺陷。
  2. 如請求項1所述的電壓對比缺陷的分析方法，其中所述待測晶粒與所述參考晶粒源自於相同晶圓。
  3. 如請求項1所述的電壓對比缺陷的分析方法，其中所述電壓對比缺陷檢測的檢查範圍為所述待測晶粒上的待測元件區的5%至100%。
  4. 如請求項3所述的電壓對比缺陷的分析方法，其中所述待測元件區包括記憶體區或測試元件區。
  5. 如請求項1所述的電壓對比缺陷的分析方法，其中所述電壓對比缺陷檢測包括：使用所述電子束檢測機台掃描所述待測晶粒，以取得電子束檢測影像；以及根據所述電子束檢測影像的灰階值，找出所述電子束檢測影像中的所述缺陷位置。
  6. 如請求項1所述的電壓對比缺陷的分析方法，更包括：依據所述第一掃描式電子顯微鏡影像來判定是否存在物理性缺陷。
  7. 如請求項1所述的電壓對比缺陷的分析方法，更包括：依據所述電壓對比缺陷所對應的結構進行缺陷分類。
  8. 如請求項7所述的電壓對比缺陷的分析方法，其中在進行所述缺陷分類之後，使用所述掃描式電子顯微鏡取得所述缺陷分類後所得的各個缺陷類型中的所述待測晶粒的所述第一掃描式電子顯微鏡影像。
  9. 如請求項1所述的電壓對比缺陷的分析方法，其中獲得所述參考晶粒的所述第二關鍵尺寸的方法，包括：使用所述掃描式電子顯微鏡取得在所述參考晶粒對應於所述待測晶粒的所述缺陷位置上的第三掃描式電子顯微鏡影像；以及量測所述第三掃描式電子顯微鏡影像上的所述第二關鍵尺寸。
  10. 一種電壓對比缺陷的分析系統，包括：電子束檢測機台，用以對待測晶粒進行電壓對比缺陷檢測，以找出電壓對比缺陷的缺陷位置；掃描式電子顯微鏡，用以取得在所述待測晶粒的所述缺陷位置上的第一掃描式電子顯微鏡影像；以及電子裝置，耦接於所述電子束檢測機台與所述掃描式電子顯微鏡，且包括：記憶體，用以儲存多個模組；以及處理器，耦接於所述記憶體，其中所述處理器用以讀取並執行所述多個模組，以進行以下操作，所述處理器量測所述第一掃描式電子顯微鏡影像在所述待測晶粒的所述缺陷位置上的第一關鍵尺寸，且所述處理器將所述待測晶粒上的所述第一關鍵尺寸與在所述缺陷位置上未發生所述電壓對比缺陷的參考晶粒上的相對應的第二關鍵尺寸進行比對，以判定所述第一關鍵尺寸 與所述第二關鍵尺寸是否相同，其中所述掃描式電子顯微鏡用以取得在所述待測晶粒的所述缺陷位置上的第二掃描式電子顯微鏡影像，其中所述第一掃描式電子顯微鏡影像的影像品質高於所述第二掃描式電子顯微鏡影像的影像品質，且所述處理器依據所述第二掃描式電子顯微鏡影像來判定是否存在物理性缺陷。
  11. 如請求項10所述的電壓對比缺陷的分析系統，其中所述待測晶粒與所述參考晶粒源自於相同晶圓。
  12. 如請求項10所述的電壓對比缺陷的分析系統，其中所述電壓對比缺陷檢測的檢查範圍為所述待測晶粒上的待測元件區的5%至100%。
  13. 如請求項12所述的電壓對比缺陷的分析系統，其中所述待測元件區包括記憶體區或測試元件區。
  14. 如請求項10所述的電壓對比缺陷的分析系統，其中所述電子束檢測機台用以掃描所述待測晶粒，以取得電子束檢測影像，且所述處理器根據所述電子束檢測影像的灰階值，找出所述電子束檢測影像中的所述缺陷位置。
  15. 如請求項10所述的電壓對比缺陷的分析系統，其中所述處理器依據所述第一掃描式電子顯微鏡影像來判定是否存在物理性缺陷。
  16. 如請求項10所述的電壓對比缺陷的分析系統，其中所述處理器依據所述電壓對比缺陷所對應的結構進行缺陷分類。
  17. 如請求項16所述的電壓對比缺陷的分析系統，其中所述掃描式電子顯微鏡用以取得所述缺陷分類後所得的各個缺陷類型中的所述待測晶粒的所述第一掃描式電子顯微鏡影像。
  18. 如請求項10所述的電壓對比缺陷的分析系統，其中所述掃描式電子顯微鏡用以取得在所述參考晶粒的對應於所述待測晶粒的所述缺陷位置上的第三掃描式電子顯微鏡影像，且所述處理器量測所述第三掃描式電子顯微鏡影像上的所述第二關鍵尺寸。
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