TW202013082A - 整合式掃描式電子顯微鏡及用於先進製程控制之光學分析技術 - Google Patents

整合式掃描式電子顯微鏡及用於先進製程控制之光學分析技術 Download PDF

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Abstract

本發明揭示一種樣品分析系統，其包含一掃描式電子顯微鏡、一光學及/或電子束檢測系統及一光學度量系統。該系統進一步包含至少一控制器。該控制器經組態以：接收該樣品之第一複數個選定關注區域；基於由該掃描式電子顯微鏡對該等第一選定關注區域所執行之一第一檢測來產生一第一臨界尺寸均勻性圖；基於該第一臨界尺寸均勻性圖來判定第二複數個選定關注區域；基於由該光學及/或電子束檢測系統對該等第二選定關注區域所執行之一第二檢測來產生一第二臨界尺寸均勻性圖；及基於檢測結果及由該光學度量系統對該樣品執行之重疊量測來判定一或多個製程工具控制參數。

Description

整合式掃描式電子顯微鏡及用於先進製程控制之光學分析技術
本發明大體上係關於用於樣品分析之系統及方法，且更特定言之，本發明係關於採用整合式掃描式電子顯微鏡及用於先進製程控制之光學分析技術的系統及方法。
微影/乾式蝕刻製程通常產生跨基板(例如晶圓)之臨界尺寸(CD)或特徵大小不均勻性。能夠特徴化此不均勻性對半導體製造之製程控制而言至關重要，因為其轉化成晶圓良率及最終裝置效能。存在可用於分析樣品(例如晶圓或其他基板)以判定用於先進製程控制(APC)迴路之回饋或前饋資料之各種度量及/或檢測工具。SEM工具在任何檢測或度量應用中提供良好靈敏度，但SEM工具往往比光學工具慢得多。因此，需要改良基於SEM之檢測及度量系統。
根據本發明之一或多個繪示性實施例，揭示一種採用整合式掃描式電子顯微鏡及用於先進製程控制(APC)之光學分析技術之樣品分析系統。在一繪示性實施例中，該系統包含一掃描式電子顯微鏡(SEM)、一光學檢測系統及一光學度量系統。在實施例中，該系統進一步包含通信耦合至該SEM、該光學檢測系統及該光學度量系統之至少一控制器。在實施例中，該控制器經組態以接收樣品之第一複數個選定關注區域且基於由該SEM對該第一複數個選定關注區域所執行之一第一檢測來產生該樣品之一第一臨界尺寸均勻性圖。在實施例中，該控制器經進一步組態以基於該第一臨界尺寸均勻性圖來判定該樣品之第二複數個選定關注區域且基於由該光學檢測系統對該第二複數個選定關注區域所執行之一第二檢測來產生該樣品之一第二臨界尺寸均勻性圖。在實施例中，該控制器經進一步組態以至少部分基於該第二臨界尺寸均勻性圖及由該光學度量系統對該樣品執行之重疊量測來判定一或多個製程工具控制參數。
在另一繪示性實施例中，該系統包含一SEM、一電子束(eBeam)檢測系統及一光學度量系統。在實施例中，該系統進一步包含通信耦合至該SEM、該電子束檢測系統及該光學度量系統之至少一控制器。在實施例中，該控制器經組態以接收該樣品之第一複數個選定關注區域且基於由該SEM對該第一複數個選定關注區域所執行之一第一檢測來產生該樣品之一第一臨界尺寸均勻性圖。在實施例中，該控制器經進一步組態以基於該第一臨界尺寸均勻性圖來判定該樣品之第二複數個選定關注區域且基於由該電子束檢測系統對該第二複數個選定關注區域所執行之一第二檢測來產生該樣品之一第二臨界尺寸均勻性圖。在實施例中，該控制器經進一步組態以至少部分基於該第二臨界尺寸均勻性圖及由該光學度量系統對該樣品執行之重疊量測來判定一或多個製程工具控制參數。
根據本發明之一或多個繪示性實施例，亦揭示一種採用整合式掃描式電子顯微鏡及用於APC之光學分析技術之方法。在該方法之一繪示性實施方案中，接收一樣品之第一複數個選定關注區域(例如，基於一使用者輸入、APC工具輸出或其類似者)。使用一SEM對該樣品之該第一複數個選定關注區域執行一第一檢測，且基於該第一檢測來產生該樣品之一第一臨界尺寸均勻性圖。可基於該第一臨界尺寸均勻性圖來判定該樣品之第二複數個選定關注區域。在實施方案中，使用一光學檢測系統及/或一電子束檢測系統對該樣品之該第二複數個選定關注區域執行一第二檢測，且基於該第二檢測來產生該樣品之一第二臨界尺寸均勻性圖。在實施方案中，亦使用一光學度量系統來對該樣品執行重疊量測。接著，可至少部分基於該第二臨界尺寸均勻性圖及該等重疊量測來判定一或多個製程工具控制參數。
應瞭解，以上一般描述及以下詳細描述兩者僅供例示及說明且未必限制本發明。併入本說明書中且構成本說明書之一部分之附圖繪示本發明之實施例且與一般描述一起用於解釋本發明之原理。
相關申請案之交叉參考 本申請案主張名叫Hari Pathangi、Sivaprrasath Meenakshisundaram及Arun Lobo之發明者於2018年6月11日申請之名稱為「INTEGRATED SEM-BASED METROLOGY, INSPECTION AND REVIEW WITH OPTICAL METHODS FOR ADVANCED PROCESS CONTROL (APC)」之印度臨時專利申請案第201841021710號之優先權。本申請案亦主張名叫Hari Pathangi Sriraman、Sivaprrasath Meenakshisundaram及Arun Lobo之發明者於2018年6月21日申請之名稱為「INTEGRATED SCANNING ELECTRON MICROSCOPY AND OPTICAL ANAYLSIS TECHNIQUES FOR ADVANCED PROCESS CONTROL」之印度臨時專利申請案第201841023172號之優先權。印度臨時專利申請案第201841021710號及印度臨時專利申請案第201841023172號之全文以引用的方式併入本文中。
現將詳細參考附圖中所繪示之揭示標的。已相對於特定實施例及其特定特徵來特別展示及描述本發明。本文中所闡述之實施例應被視為說明而非限制。一般技術者應易於明白，可在不背離本發明之精神及範疇的情況下對形式及細節作出各種改變及修改。
特徴化CD或重疊誤差變動或缺陷密度對半導體製造之製程控制而言可為至關重要的，因為其轉化成晶圓良率及最終裝置效能。存在可用於分析樣品(例如晶圓或其他基板)以判定用於先進製程控制(APC)迴路之回饋或前饋資料之各種度量及/或檢測工具。光學工具具有相對較快通量之優點，但空間解析度滯後。另一方面，掃描式電子顯微鏡(SEM)通常具有比光學工具好之靈敏度，但往往慢很多。
揭示組合光學及SEM平台之個別優點之系統及方法。可利用此等系統及方法來達成一改良資料集，其可用於一晶圓廠中之前饋及回饋作業以用於選定通量約束下之裝置可變性補償。隨著技術節點越來越小、圖案及整合解決方案越來越複雜，基於SEM之技術需要更多共用檢測-複查及度量測試。本發明描述將使用一基於SEM之平台所產生之各種類型之製程控制資料與由一或多個光學工具(例如光學檢測及/或度量工具)收集之製程控制資料整合以提出適合於APC回饋及/或前饋迴路之資料的系統及方法。
根據本發明之一或多個繪示性實施例，揭示採用整合式掃描式電子顯微鏡及用於APC之光學分析技術的一樣品分析系統100。圖1繪示系統100之一實例性實施例。系統100可用於分析一樣品114 (例如一晶圓、板、面板、光罩或任何其他基板)之至少一表面。在實施例中，系統包含：一SEM 102 (例如KLA-Tencor公司之eDR 7xxx複查工具系列、具有整合式或離線CD量測能力之eSLxx檢測工具系列或其類似者)；一檢測系統104，其包括一光學檢測系統106 (例如一寬頻電漿檢測系統、雷射持續電漿檢測系統、KLA-Tencor公司之寬頻電漿KLA2xxx或3xxx系列(例如2925、3905...)系列檢測系統或其類似者)及/或一電子束(eBeam)檢測系統108 (例如KLA-Tencor公司之eSLxx系列電子束晶圓缺陷檢測平台或其類似者)；及一光學度量系統110 (例如一光學重疊度量系統、KLA-Tencor公司之ARCHER系列重疊度量系統或其類似者)。如本文中進一步所描述，系統100可經組態以實施一分析製程(例如方法300)，其利用此等檢測/度量工具(即，SEM 102、檢測系統104及光學度量系統110)之各者之獨立能力來改良APC回饋及/或前饋迴路之靈敏度及通量。
樣品114由一或多個支撐部件112支撐。例如，一或多個支撐部件112可包含一或多個樣品台、卡盤或其類似者。在一些實施例中，檢測/度量工具(例如SEM 102、檢測系統104、光學度量系統110)之各者具有經組態以在由檢測/度量工具分析樣品114時支撐樣品114之一或多個支撐部件112。在其他實施例中，兩個或兩個以上檢測/度量工具可經組態以共用一或多個支撐部件112。例如，檢測/度量工具可具有共用或相鄰安置之探針、偵測器及/或光學器件。此外，一或多個支撐部件112可為可致動的(例如，經組態以沿一軌道移動)，或一或多個支撐部件112可包含一輸送機或可與一輸送機耦合，該輸送機使樣品114自一第一檢測/度量工具之一各自支撐部件112移動至一第二檢測/度量工具之一各自支撐部件112，等等。在其他實施例中，樣品114可手動或使用拾取樣品114且將其移動至下一工具之一機器臂來自一檢測/度量工具移動至另一檢測/度量工具。
在實施例中，系統100進一步包含通信耦合至系統100之檢測/度量工具之一控制器116。例如，控制器116 (或複數個控制器116)可通信耦合至SEM 102、檢測系統104 (例如一光學檢測系統106及/或一電子束檢測系統108)及/或光學度量系統110。在一些實施例中，控制器116包含經組態以執行保存於一記憶體媒體120上之程式指令之一或多個處理器118。就此而言，控制器116之一或多個處理器118可執行本發明中所描述之各種製程步驟或操作之任何者。
一控制器116之一或多個處理器118可包含本技術中已知之任何處理元件。就此而言，一或多個處理器118可包含經組態以執行演算法及/或指令之任何微處理器型裝置。在一實施例中，一或多個處理器118可包括一桌上型電腦、大型電腦系統、工作站、影像電腦、並行處理器或經組態以執行一程式(其經組態以操作本發明中所描述之系統100)之任何其他電腦系統(例如網路電腦)。應進一步認識到，術語「處理器」可被廣義界定為涵蓋具有一或多個處理元件之任何裝置，該一或多個處理元件執行來自一非暫時性記憶體媒體120之程式指令。
記憶體媒體120可包含本技術中已知之任何儲存媒體，其適合於儲存可由相關聯之一或多個處理器118執行之程式指令。例如，記憶體媒體120可包含一非暫時性記憶體媒體。舉另一實例而言，記憶體媒體120可包含(但不限於)一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁性或光學記憶體裝置(例如磁碟)、一磁帶、一固態硬碟及其類似者。應進一步注意，記憶體媒體120可與一或多個處理器118一起容置於一共同控制器外殼中。在一實施例中，記憶體媒體120可相對於一或多個處理器118及控制器116之實體位置遠端定位。例如，控制器116之一或多個處理器118可存取可透過一網路(例如網際網路、內部網路及其類似者)存取之一遠端記憶體(例如伺服器)。因此，以上描述不應被解譯為本發明之一限制，而是僅為一說明。
在實施例中，控制器116經組態以與SEM 102、檢測系統104 (例如光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108)、光學度量系統110及/或一製程工具122通信。例如，控制器116可經組態以自SEM 102、檢測系統104 (例如光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108)、光學度量系統110及/或製程工具122接收資料或將資料發送至SEM 102、檢測系統104 (例如光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108)、光學度量系統110及/或製程工具122。控制器116可經組態以接收原始資料、經處理資料(例如厚度量測、表面均勻性/不均勻性量測及其類似者)及/或經部分處理資料之任何組合。例如，控制器116可經組態以接收檢測資料、度量資料、製程工具資料及其類似者。
控制器116可經進一步組態以將資料及/或控制信號發送至SEM 102、檢測系統104 (例如光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108)、光學度量系統110及/或製程工具122。在一些實施例中，控制器116可經組態以控制SEM 102、檢測系統104 (例如光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108)、光學度量系統110及/或製程工具122之一或多個操作參數。例如，控制器116可經組態以控制一或多個照明參數(例如照明強度、波長、頻寬、頻率、光點大小等等)、掃描圖案、掃描速度、光學參數(例如焦點、相對透鏡位置、孔隙大小、濾波器配置、透鏡配置等等)、SEM參數、製程工具參數(例如空間、時序及/或材料沈積參數)等等。
此外，本發明中所描述之步驟可由一單一控制器116或替代地，多個控制器實施。另外，控制器116可包含容置於一共同外殼中或多個外殼內之一或多個控制器。依此方式，任何控制器或控制器組合可單獨封裝為適合於整合至系統100中之一模組。例如，控制器116可充當SEM 102、檢測系統104 (例如光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108)、光學度量系統110及/或製程工具122之一集中處理平台且可實施一或多個分析(例如量測)演算法以接收資料(原始及/或經部分處理)以判定一或多個樣品屬性或參數(例如膜高度/厚度、表面均勻性/不均勻性等等)及/或基於所收集之資料來產生控制參數(例如工具參數)。
在實施例中，製程工具122包括一微影工具、一蝕刻工具、一化學機械拋光(CMP)工具、一沈積工具(例如一化學氣相沈積(CVD)工具、一物理氣相沈積(PVD)工具、一原子層沈積工具等等)、一清潔工具、一電鍍工具、一離子植入工具及一熱工具(例如一快速熱退火工具)或其類似者。美國專利第8,284,394號中論述製程工具(例如製程設備)之一些其他實例。美國專利第8,284,394號中亦論述檢測/度量工具之額外實例。美國專利第8,284,394號之全文以引用的方式併入本文中，且應注意，在一些實施例中，檢測系統104、光學度量系統110及/或製程工具122可包括美國專利第8,284,394號中所揭示之各自檢測系統、度量工具或製程設備之任何者。
圖3A至圖3C繪示根據本發明之一或多個實施例之採用整合式掃描式電子顯微鏡及用於先進製程控制之光學分析技術之一方法300中所執行之步驟。本文先前在系統100之內文中所描述之實施例及啟用技術應被解譯為擴展至方法300。然而，應進一步注意，方法300不受限於系統100之架構。
在步驟302中，方法300包含接收一樣品114之第一複數個選定關注區域(ROI)。在實施例中，控制器116經組態以接收樣品114之複數個選定ROI。例如，控制器116可接收一或多個使用者輸入(例如ROI及/或關注缺陷(DOI)選擇)。在一些實施例中，控制器116經組態以自製程工具122接收ROI或DOI選擇及/或經組態以基於一或多個製程工具122輸出(例如，基於樣品處理參數或預期樣品屬性)來判定選定ROI。
在步驟304中，方法300包含使用一SEM 102對樣品114之第一複數個選定ROI執行一檢測。在實施例中，SEM 102經組態以對樣品114之選定ROI執行一檢測。例如，SEM 102可經組態以基於SEM 102之一或多個使用者輸入來執行檢測，或控制器116可經組態以將一或多個控制信號發送至SEM 102以引起SEM 102檢測樣品114之選定ROI。
在步驟306中，方法300包含基於由SEM 102執行之檢測來產生樣品114之一第一臨界尺寸均勻性(CDU)圖。在實施例中，控制器116經組態以自SEM 102接收檢測資料(例如樣品表面量測、影像資料、DOI資料及其類似者)。控制器116可經組態以基於檢測資料來產生一CDU圖。例如，圖2A展示可由控制器116基於檢測資料來產生之一CDU圖200之一實例。CDU圖200可包含特徴化為具有成功、失敗或不確定讀數之樣品114部分(例如晶粒)之圖案或色彩識別。例如，在CDU圖200中，一第一色彩(例如綠色)或圖案區塊202可指示成功，一第二色彩(例如灰色)或圖案區塊204可指示不確定性，且一第三色彩(例如紅色)或圖案區塊206可指示失敗。
在步驟308中，方法300包含基於第一CDU來判定樣品114之第二複數個選定ROI。在實施例中，控制器116經組態以基於步驟306中所產生之一CDU圖(例如CDU圖200)來判定需要進一步複查之選定ROI。例如，控制器116可經組態以識別不確定及/或失敗讀數(例如區塊204及206)作為需要進一步複查之選定ROI。
在步驟310中，方法300包含使用另一檢測系統104 (例如光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108)對樣品114之第二複數個選定ROI (即，識別為需要進一步複查之ROI)執行一第二檢測。在實施例中，光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108經組態以對樣品114之第二複數個選定ROI執行一檢測。例如，光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108可經組態以基於光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108之一或多個使用者輸入來執行檢測，或控制器116可經組態以將一或多個控制信號發送至光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108以引起光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108檢測樣品114之第二複數個選定ROI (例如由控制器116識別為需要進一步複查之ROI)。在一些實施例中，SEM 102亦經組態以對樣品114之第二複數個選定ROI執行一檢測(例如一複檢)。例如，SEM 102可經組態以基於SEM 102之一或多個使用者輸入來執行檢測，或控制器116可經組態以將一或多個控制信號發送至SEM 102以引起SEM 102複檢樣品114之第二複數個選定ROI (例如由控制器116識別為需要進一步複查之ROI)。
在一些實施方案中，光學檢測及/或電子束檢測無需為方法300中之一專用步驟。亦可使用來自一習知檢測-複查作業之光學檢測及SEM複查(例如複檢)資料。在其他實施方案中，對於特定層或DOI，光學檢測及SEM複查(例如複檢)步驟可由電子束檢測替換以無需光學檢測及/或SEM複查。
在步驟312中，方法300包含基於由光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108執行之檢測及/或由SEM 102執行之複檢來產生樣品114之一第二CDU圖。在實施例中，控制器116經組態以自光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108接收檢測資料(例如樣品表面量測、影像資料、DOI資料及其類似者)及/或自SEM 102接收複檢資料。控制器116可經組態以基於來自光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108之檢測資料及/或來自SEM 102之複檢資料來產生一CDU圖。例如，圖2B展示可由控制器116基於來自光學檢測系統106及/或電子束檢測系統108之檢測資料及/或來自SEM 102之複檢資料來產生之一CDU圖210之一實例。CDU圖210可包含特徴化為具有先前儲存讀數或成功、失敗或不確定讀數之樣品114部分(例如晶粒)之圖案或色彩識別。例如，在CDU圖210中，一第一色彩(例如白色或空白)或圖案(例如無填充)區塊212可指示一先前儲存讀數，一第二色彩(例如綠色)或圖案區塊214可指示成功，一第三色彩(例如灰色)或圖案區塊216可指示不確定性，且一第四色彩(例如紅色)或圖案區塊218可指示失敗。
在一些實施方案中，方法300進一步包含使用SEM 102對樣品114執行電壓對比(VC)掃描及/或度量量測之步驟314至步驟322。在其他實施方案中，方法300可自步驟312直接進行至對樣品114執行光學度量且判定用於APC回饋或前饋迴路之一或多個製程工具參數之步驟324至步驟328。
在步驟314中，方法300包含使用SEM 102對樣品114之第一複數個選定ROI執行一VC掃描。在實施例中，SEM 102經組態以對樣品114之選定ROI執行一VC掃描。例如，SEM 102可經組態以基於SEM 102之一或多個使用者輸入來執行VC掃描，或控制器116可經組態以將一或多個控制信號發送至SEM 102以引起SEM 102對樣品114之選定ROI執行一VC掃描。
在步驟316中，方法300包含基於由SEM 102執行之VC掃描來產生樣品114之一第三CDU圖。在實施例中，控制器116經組態以自SEM 102接收VC掃描資料(例如VC影像資料及/或量測)。控制器116可經組態以基於VC掃描資料來產生一CDU圖。例如，圖2C展示可由控制器116基於VC掃描資料來產生之一CDU圖220之一實例。CDU圖220可包含特徴化為具有成功、失敗或不確定讀數之樣品114部分(例如晶粒)之圖案或色彩識別。例如，在CDU圖220中，一第一色彩(例如綠色)或圖案區塊222可指示成功，一第二色彩(例如灰色)或圖案區塊224可指示不確定性，且一第三色彩(例如紅色)或圖案區塊226可指示失敗。
在步驟318中，方法300包含基於第一CDU來判定樣品114之第三複數個選定ROI。在實施例中，控制器116經組態以基於步驟316中所產生之一CDU圖(例如CDU圖220)來判定需要進一步複查之選定ROI。例如，控制器116可經組態以識別不確定及/或失敗讀數(例如區塊224及226)作為需要進一步複查之選定ROI。
在步驟320中，方法300包含使用SEM 102對樣品114之第三複數個選定ROI (即，在步驟318中識別為需要進一步複查之ROI)執行重疊量測。在實施例中，SEM 102經組態以對樣品114之第三複數個選定ROI執行重疊量測。例如，SEM 102可經組態以基於SEM 102之一或多個使用者輸入來執行重疊量測，或控制器116可經組態以將一或多個控制信號發送至SEM 102以引起SEM 102對樣品114之第三複數個選定ROI (例如，在步驟318中由控制器116識別為需要進一步複查之ROI)執行重疊量測。在實施方案中，可使用劃線中之特定重疊目標或使用裝置上結構來執行SEM重疊量測。此外，結果亦可與光學重疊量測組合以評估非零偏移(NZO)。
在步驟322中，方法300包含基於由SEM 102執行之重疊量測來產生樣品114之一第四CDU圖。在實施例中，控制器116經組態以自SEM 102接收量測資料(例如樣品表面量測、層與層及/或圖案對準量測、重疊誤差量測及其類似者)。控制器116可經組態以基於來自SEM 102之量測資料來產生一CDU圖。例如，圖2D展示可由控制器116基於來自SEM 102之量測資料來產生之一CDU圖230之一實例。CDU圖230可包含特徴化為先前儲存讀數或成功、失敗或不確定讀數之樣品114部分(例如晶粒)之圖案或色彩識別。例如，在CDU圖230中，一第一色彩(例如白色或空白)或圖案(例如無填充)區塊232可指示一先前儲存讀數，一第二色彩(例如綠色)或圖案區塊234可指示成功，一第三色彩(例如灰色)或圖案區塊236可指示不確定性，且一第四色彩(例如紅色)或圖案區塊238可指示失敗。
在步驟324中，方法300包含使用一光學度量系統110對樣品114執行重疊量測。在實施例中，光學度量系統110經組態以對樣品114之整個(或實質上整個)表面或樣品114之選定ROI執行重疊量測。例如，光學度量系統110可經組態以基於光學度量系統110之一或多個使用者輸入來執行重疊量測，或控制器116可經組態以將一或多個控制信號發送至光學度量系統110以引起光學度量系統110對樣品114之一表面及/或樣品114之一表面之選擇部分(ROI)執行重疊量測。
在步驟326中，方法300包含基於由SEM 102執行之重疊量測來產生樣品114之一重疊向量圖。在實施例中，控制器116經組態以自光學度量系統110接收量測資料(例如樣品表面量測、層與層及/或圖案對準量測、重疊誤差量測及其類似者)。控制器116可經組態以基於來自光學度量系統110之量測資料來產生一重疊向量圖。例如，圖2E展示可由控制器116基於來自光學度量系統110之量測資料來產生之一重疊向量圖240之一實例。
在步驟328中，方法300包含至少部分基於CDU及重疊量測來判定製程工具122之一或多個控制參數。在實施例中，控制器116經進一步組態以至少部分基於由光學度量系統110對樣品114所執行之重疊量測及/或自步驟326中所產生之重疊向量圖(例如圖240)導出之資訊與檢測資料、VC掃描資料、SEM重疊資料及/或自步驟306中所產生之CDU圖(例如CDU圖200)、步驟312中所產生之CDU圖(例如CDU圖210)、步驟316中所產生之CDU圖(例如CDU圖220)及/或步驟322中所產生之CDU圖(例如CDU圖230)導出之資訊之組合來判定一或多個製程工具控制參數。在一些實施例中，控制器116經進一步組態以將一或多個製程工具控制參數傳輸至製程工具122以(例如)用於一APC回饋及/或前饋迴路。
在一些實施方案中，與步驟306、步驟312及/或步驟316相關聯之資料亦用於前饋APC模型。同時，與步驟316、322及/或326相關聯之資料可用於掃描儀(例如檢測/度量掃描儀)回饋及/或製程工具122之回饋。
每一使用案例不必具有所有步驟。個別步驟及順序可根據所研究之層、製程(例如前段製程(FEoL)、中段製程(MoL)、後段製程(BEoL)等等)、DOI類型等等來客製。通過一系列步驟所收集之資料將有助於藉由改良以較慢步進之取樣策略來提高製程控制通量。此外，藉由整合藉由不同度量及檢測-複查步驟所收集之資料，可啟用大量前饋及回饋APC迴路用於更嚴格製程控制及裝置可變性補償。
所揭示之系統100及方法300包含經歸併以得到用於較快及較佳製程控制之差異化資料之度量及檢測常式。此可允許藉由巧妙組合光學工具及電子束工具來更精細及更專心取樣一製程窗之邊緣或失效部分。所揭示之系統100及方法300組合呈現邊緣放置錯誤定義之CDU+重疊資料與用於如SAxP及(LE)n 之先進圖案化方案之檢測(+VC)資料。取樣方案及量測密度/區域覆蓋由各自步驟(光學/電子束)之通量判定以藉此得到光學/電子束工具之改良通量/靈敏度折衷。
本文中所描述之標的有時繪示含於其他組件內或與其他組件連接之不同組件。應瞭解，此等所描繪之架構僅供例示，且實際上可實施達成相同功能之諸多其他架構。就概念而言，達成相同功能之任何組件配置經有效「相關聯」以達成所要功能。因此，本文中經組合以達成一特定功能之任何兩個組件可被視為彼此「相關聯」以達成所要功能，不管架構或中間組件如何。同樣地，如此相關聯之任何兩個組件亦可被視為彼此「連接」或「耦合」以達成所要功能，且能夠如此相關聯之任何兩個組件亦可被視為彼此「可耦合」以達成所要功能。「可耦合」之特定實例包含(但不限於)可實體交互及/或實體交互組件及/或可無線交互及/或無線交互組件及/或可邏輯交互及/或邏輯交互組件。
據信，將藉由以上描述來理解本發明及其諸多伴隨優點，且將明白，可在不背離所揭示標的或不犧牲其所有材料優點之情況下對組件之形式、建構及配置作出各種改變。所描述之形式僅供說明，且以下申請專利範圍意欲涵蓋及包含此等改變。此外，應瞭解，本發明由隨附申請專利範圍界定。
100:樣品分析系統 102:掃描式電子顯微鏡(SEM) 104:檢測系統 106:光學檢測系統 108:電子束檢測系統 110:光學度量系統 112:支撐部件 114:樣品 116:控制器 118:處理器 120:記憶體媒體 122:製程工具 200:臨界尺寸均勻性(CDU)圖 202:第一色彩或圖案區塊 204:第二色彩或圖案區塊 206:第三色彩或圖案區塊 210:CDU圖 212:第一色彩或圖案區塊 214:第二色彩或圖案區塊 216:第三色彩或圖案區塊 218:第四色彩或圖案區塊 220:CDU圖 222:第一色彩或圖案區塊 224:第二色彩或圖案區塊 226:第三色彩或圖案區塊 230:CDU圖 232:第一色彩或圖案區塊 234:第二色彩或圖案區塊 236:第三色彩或圖案區塊 238:第四色彩或圖案區塊 240:重疊向量圖 300:方法 302:步驟 304:步驟 306:步驟 308:步驟 310:步驟 312:步驟 314:步驟 316:步驟 318:步驟 320:步驟 322:步驟 324:步驟 326:步驟 328:步驟
熟習技術者可藉由參考附圖來較佳理解本發明之諸多優點，其中： 圖1係根據本發明之一或多個實施例之採用整合式掃描式電子顯微鏡及用於先進製程控制之光學分析技術之一系統之一示意圖； 圖2A係根據本發明之一或多個實施例之基於由一掃描式電子顯微鏡(SEM)對複數個選定關注區域所執行之一檢測之一臨界尺寸均勻性(CDU)圖之一實例； 圖2B係根據本發明之一或多個實施例之基於由一光學檢測系統或一電子束檢測系統對複數個選定關注區域所執行之一檢測之一CDU圖之一實例，其中基於圖2A之CDU圖來判定複數個選定關注區域； 圖2C係根據本發明之一或多個實施例之基於由一SEM對複數個選定關注區域所執行之一電壓對比(VC)掃描之一CDU圖之一實例； 圖2D係根據本發明之一或多個實施例之基於由一SEM對複數個選定關注區域所執行之重疊量測之一CDU圖之一實例，其中基於圖2C之CDU圖來判定複數個選定關注區域； 圖2E係根據本發明之一或多個實施例之基於由一光學度量系統執行之重疊量測之一向量圖之一實例； 圖3A係繪示根據一或多個實施方案之採用整合式掃描式電子顯微鏡及用於先進製程控制之光學分析技術之一方法的一流程圖之一部分； 圖3B係繪示根據一或多個實施方案之採用整合式掃描式電子顯微鏡及用於先進製程控制之光學分析技術之一方法的一流程圖之一部分；及 圖3C係繪示根據一或多個實施方案之採用整合式掃描式電子顯微鏡及用於先進製程控制之光學分析技術之一方法的一流程圖之一部分。
100:樣品分析系統
102:掃描式電子顯微鏡(SEM)
104:檢測系統
106:光學檢測系統
108:電子束檢測系統
110:光學度量系統
112:支撐部件
114:樣品
116:控制器
118:處理器
120:記憶體媒體
122:製程工具

Claims (29)

  1. 一種用於分析一樣品之系統，其包括： 一掃描式電子顯微鏡； 一光學檢測系統； 一光學度量系統；及 至少一控制器，其通信耦合至該掃描式電子顯微鏡、該光學檢測系統及該光學度量系統，該至少一控制器經組態以： 接收該樣品之第一複數個選定關注區域； 基於由該掃描式電子顯微鏡對該第一複數個選定關注區域所執行之一第一檢測來產生該樣品之一第一臨界尺寸均勻性圖； 基於該第一臨界尺寸均勻性圖來判定該樣品之第二複數個選定關注區域； 基於由該光學檢測系統對該第二複數個選定關注區域所執行之一第二檢測來產生該樣品之一第二臨界尺寸均勻性圖；及 至少部分基於該第二臨界尺寸均勻性圖及由該光學度量系統對該樣品所執行之重疊量測來判定一或多個製程工具控制參數。
  2. 如請求項1之系統，其中該至少一控制器經組態以將該一或多個製程工具控制參數傳輸至一製程工具。
  3. 如請求項2之系統，其中該至少一控制器經組態以自該製程工具接收該樣品之該第一複數個選定關注區域。
  4. 如請求項2之系統，其中該製程工具包括一微影工具。
  5. 如請求項1之系統，其中該光學檢測系統包括一寬頻電漿檢測系統。
  6. 如請求項1之系統，其中該光學度量系統包括一光學重疊度量系統。
  7. 如請求項1之系統，其中該至少一控制器經進一步組態以基於由該光學度量系統對該樣品所執行之該等重疊量測來產生一重疊向量圖。
  8. 如請求項1之系統，其中該至少一控制器經進一步組態以： 基於由該掃描式電子顯微鏡對該第一複數個選定關注區域所執行之一電壓對比掃描來產生該樣品之一第三臨界尺寸均勻性圖； 基於該第三臨界尺寸均勻性圖來判定該樣品之第三複數個選定關注區域；及 基於在該第三複數個選定關注區域處由該掃描式電子顯微鏡對該樣品所執行之重疊量測來產生該樣品之一第四臨界尺寸均勻性圖。
  9. 如請求項8之系統，其中該至少一控制器經進一步組態以至少部分基於該第四臨界尺寸均勻性圖來判定該一或多個製程工具控制參數。
  10. 一種用於分析一樣品之系統，其包括： 一掃描式電子顯微鏡； 一電子束檢測系統； 一光學度量系統；及 至少一控制器，其通信耦合至該掃描式電子顯微鏡及該光學度量系統，該至少一控制器經組態以： 接收該樣品之第一複數個選定關注區域； 基於由該掃描式電子顯微鏡對該第一複數個選定關注區域所執行之一第一檢測來產生該樣品之一第一臨界尺寸均勻性圖； 基於該第一臨界尺寸均勻性圖來判定該樣品之第二複數個選定關注區域； 基於由該電子束檢測系統對該第二複數個選定關注區域所執行之一第二檢測來產生該樣品之一第二臨界尺寸均勻性圖；及 至少部分基於該第二臨界尺寸均勻性圖及由該光學度量系統對該樣品所執行之重疊量測來判定一或多個製程工具控制參數。
  11. 如請求項10之系統，其中該至少一控制器經組態以將該一或多個製程工具控制參數傳輸至一製程工具。
  12. 如請求項11之系統，其中該至少一控制器經組態以自該製程工具接收該樣品之該第一複數個選定關注區域。
  13. 如請求項11之系統，其中該製程工具包括一微影工具。
  14. 如請求項10之系統，其中該光學度量系統包括一光學重疊度量系統。
  15. 如請求項10之系統，其中該至少一控制器經進一步組態以基於由該光學度量系統對該樣品所執行之該等重疊量測來產生一重疊向量圖。
  16. 如請求項10之系統，其中該至少一控制器經進一步組態以： 基於由該掃描式電子顯微鏡對該第一複數個選定關注區域所執行之一電壓對比掃描來產生該樣品之一第三臨界尺寸均勻性圖； 基於該第三臨界尺寸均勻性圖來判定該樣品之第三複數個選定關注區域；及 基於在該第三複數個選定關注區域處由該掃描式電子顯微鏡對該樣品所執行之重疊量測來產生該樣品之一第四臨界尺寸均勻性圖。
  17. 如請求項16之系統，其中該至少一控制器經進一步組態以至少部分基於該第四臨界尺寸均勻性圖來判定該一或多個製程工具控制參數。
  18. 一種分析一樣品之方法，其包括： 接收一樣品之第一複數個選定關注區域； 使用一掃描式電子顯微鏡對該樣品之該第一複數個選定關注區域執行一第一檢測； 基於該第一檢測來產生該樣品之一第一臨界尺寸均勻性圖； 基於該第一臨界尺寸均勻性圖來判定該樣品之第二複數個選定關注區域； 使用一光學檢測系統或一電子束檢測系統之至少一者對該樣品之該第二複數個選定關注區域執行一第二檢測； 基於該第二檢測來產生該樣品之一第二臨界尺寸均勻性圖； 使用一光學度量系統對該樣品執行重疊量測；及 至少部分基於該第二臨界尺寸均勻性圖及該等重疊量測來判定一或多個製程工具控制參數。
  19. 如請求項18之方法，其進一步包括： 將該一或多個製程工具控制參數傳輸至一製程工具。
  20. 如請求項19之方法，其中自該製程工具接收該樣品之該第一複數個選定關注區域。
  21. 如請求項18之方法，其進一步包括： 基於由該光學度量系統對該樣品所執行之該等重疊量測來產生一重疊向量圖。
  22. 如請求項18之方法，其進一步包括： 使用該掃描式電子顯微鏡對該樣品之該第一複數個選定關注區域執行一電壓對比掃描； 基於該電壓對比掃描來產生該樣品之一第三臨界尺寸均勻性圖； 基於該第三臨界尺寸均勻性圖來判定該樣品之第三複數個選定關注區域； 使用該掃描式電子顯微鏡對該樣品之該第三複數個選定關注區域執行重疊量測；及 基於由該掃描式電子顯微鏡所執行之該等重疊量測來產生該樣品之一第四臨界尺寸均勻性圖。
  23. 如請求項22之方法，其進一步包括： 至少部分基於該第四臨界尺寸均勻性圖來判定該一或多個製程工具控制參數。
  24. 一種用於一樣品分析系統之控制器，其包括： 至少一處理器；及 至少一記憶體媒體，其通信耦合至該至少一處理器，該至少一記憶體媒體包含程式指令，該等程式指令可由該至少一處理器執行且經組態以引起該處理器： 接收一樣品之第一複數個選定關注區域； 基於由一掃描式電子顯微鏡對該第一複數個選定關注區域所執行之一第一檢測來產生該樣品之一第一臨界尺寸均勻性圖； 基於該第一臨界尺寸均勻性圖來判定該樣品之第二複數個選定關注區域； 基於由一光學檢測系統或一電子束檢測系統之至少一者對該第二複數個選定關注區域所執行之一第二檢測來產生該樣品之一第二臨界尺寸均勻性圖；及 至少部分基於該第二臨界尺寸均勻性圖及由一光學度量系統對該樣品所執行之重疊量測來判定一或多個製程工具控制參數。
  25. 如請求項24之控制器，其中該等程式指令經進一步組態以引起該處理器： 將該一或多個製程工具控制參數傳輸至一製程工具。
  26. 如請求項25之控制器，其中該等程式指令經進一步組態以引起該處理器： 自該製程工具接收該樣品之該第一複數個選定關注區域。
  27. 如請求項24之控制器，其中該等程式指令經進一步組態以引起該處理器： 基於由該光學度量系統對該樣品所執行之該等重疊量測來產生一重疊向量圖。
  28. 如請求項24之控制器，其中該等程式指令經進一步組態以引起該處理器： 基於由該掃描式電子顯微鏡對該第一複數個選定關注區域所執行之一電壓對比掃描來產生該樣品之一第三臨界尺寸均勻性圖； 基於該第三臨界尺寸均勻性圖來判定該樣品之第三複數個選定關注區域；及 基於在該第三複數個選定關注區域處由該掃描式電子顯微鏡對該樣品所執行之重疊量測來產生該樣品之一第四臨界尺寸均勻性圖。
  29. 如請求項28之控制器，其中該等程式指令經進一步組態以引起該處理器： 至少部分基於該第四臨界尺寸均勻性圖來判定該一或多個製程工具控制參數。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112859530B (zh) * 2019-11-28 2023-08-29 长鑫存储技术有限公司 晶圆曝光修正方法及系统与存储介质
CN111863653B (zh) * 2020-07-31 2021-07-16 长江存储科技有限责任公司 晶圆缺陷的检测方法、检测系统和计算机可读存储介质

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100702741B1 (ko) * 1999-06-29 2007-04-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 장치 제조를 위한 집적식 임계치수 제어
JP4787673B2 (ja) 2005-05-19 2011-10-05 株式会社Ｎｇｒ パターン検査装置および方法
WO2007092950A2 (en) 2006-02-09 2007-08-16 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for determining a characteristic of a wafer
US8611639B2 (en) 2007-07-30 2013-12-17 Kla-Tencor Technologies Corp Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods
CN102645443A (zh) * 2012-03-28 2012-08-22 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种光伏探测材料缺陷与器件性能关联性的系统表征方法
CN103904003B (zh) * 2012-12-24 2016-08-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种混合反馈式先进过程控制系统
US10410338B2 (en) * 2013-11-04 2019-09-10 Kla-Tencor Corporation Method and system for correlating optical images with scanning electron microscopy images
US9589086B2 (en) * 2014-01-27 2017-03-07 Macronix International Co., Ltd. Method for measuring and analyzing surface structure of chip or wafer
US10267746B2 (en) * 2014-10-22 2019-04-23 Kla-Tencor Corp. Automated pattern fidelity measurement plan generation
US10061211B2 (en) * 2016-02-17 2018-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for layoutless overlay control
US10546790B2 (en) * 2016-03-01 2020-01-28 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI749687B (zh) * 2020-08-05 2021-12-11 力晶積成電子製造股份有限公司 電壓對比缺陷的分析方法及分析系統
US11927625B2 (en) 2020-08-05 2024-03-12 Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation Analysis method and analysis system of voltage contrast defect

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