TWI749546B - 用於調變光源波長的裝置及方法 - Google Patents

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普拉吉 弗祖瓦葉
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Abstract

本發明提供用於控制一雷射系統之裝置及方法，其能夠產生具有多個替代波長之雷射輻射的脈衝之叢發，其中控制該波長的一元件預定位於在其用於產生一個波長之位置與其用於產生另一波長的位置之間的叢發之間。亦揭示一種系統，其使用二次規劃、動態規劃、反轉前饋控制或反覆學習控制來判定用於該元件在位置之間移動的一最佳控制波形。諸如一預填入查找表或一場可程式化閘陣列之一資料儲存器件可用以儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數。

Description

用於調變光源波長的裝置及方法
本發明係關於用於產生用於例如微影裝置中之多個雷射光束的系統及方法。
微影裝置將所要圖案施加至諸如半導體材料之晶圓的基板上，通常施加至基板之目標部分上。替代地稱作遮罩或倍縮光罩之圖案化器件可用以產生待形成於晶圓之個別層上的電路圖案。通常藉由成像至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來實現圖案之轉印。一般而言，單個基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分。
微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上通過輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化器件轉印至基板。在本文中，為簡單起見，步進器及掃描器兩者將僅被稱作掃描器。
用以對圖案進行照明且將其投影至基板上之光源可具有多個配置中之任一者。常用於微影系統中之深紫外線準分子雷射包括248 nm波長下的氟化氪(KrF)雷射及193nm波長下的氟化氬(ArF)雷射。通常，準分子雷射經設計與特定混合氣體一起操作；因此，改變波長可為複雜的。詳言之，自一次放電至下一次放電(「發射間(shot-to-shot)」)改變中心波長具有挑戰性。
然而，可存在期望具有改變波長之能力的情形。舉例而言，在記憶體(亦即，結構類似於堆疊在彼此之頂部上的NAND(非AND)之閘極的記憶體)之3D NAND層級中。自2D至3D NAND架構之轉變需要製造程序之顯著改變。在3D NAND製造中，挑戰主要由以極端縱橫比(孔直徑與其深度之比率)進行的蝕刻及沈積程序驅動。產生具有極高縱橫比(HAR)特徵之複雜3D結構為複雜的且需要極精確且最終需要程序均一性及可重複性以達成縮放。此外，隨著多層堆疊高度增加，因此在例如記憶體陣列的堆疊之頂部及底部處達成一致蝕刻及沈積結果之難度亦增加。
此等考慮因素產生對較大聚焦深度之需求。微影聚焦深度DOF藉由關係式DOF=±m2 λ/(NA)2來判定，其中λ為照明光之波長，NA為數值孔徑，且m1及m2為取決於抗蝕劑程序之實踐因子。歸因於3D NAND微影之較大聚焦深度要求，有時在晶圓上方針對每一遍次使用不同雷射波長進行多於一個曝光遍次。
另外，構成使雷射輻射聚焦之透鏡的材料為分散的，因此不同波長在不同深度聚焦。此為可能需要具有改變波長之能力的另一原因。
DUV光源包括用於控制DUV光之波長的系統。通常，此等波長控制系統包括回饋及前饋補償器以促進波長穩定性。在特徵上，吾人預期目標或參考波長(亦即，由波長控制系統命令之波長)在雷射操作期 間將不快速改變。因此，控制器主要用於抑制暫時干擾。前饋補償器亦補償預期為不頻繁的波長目標之經命令改變，亦即，波長改變事件。在此事件出現例如以達成600fm之波長設定點改變時，通常必須給予系統約100ms數量級的穩定時間來穩定地穩定至新波長。此通常超過脈衝之間的時間，以使得在目標波長設定點在脈衝之間改變約500fm的用例下，此控制系統將不能夠提供所要波長追蹤效能。
作為一特定實例，在兩個不同波長下產生DUV光的應用中，參考波長在曝光期間具有兩個設定點，亦即，第一波長下的第一設定點及第二波長下的第二設定點。參考波長隨後將在此等兩個設定點之間經調變。每一波長目標改變需要預定穩定時間。此限制可調變參考波長之速率。另外，在暫時穩定週期期間波長基本上不可控。此對波長目標改變之間的可允許等待時間設置約束。
需要具有改變脈衝之間的參考波長(亦即，在脈衝間(pulse-to-pulse)基礎上)之能力。此能力可藉由縮短暫時穩定週期實現。亦需要縮短或甚至消除參考波長改變之間的等待時間。
下文呈現一或多個實施例之簡化概述以便提供對實施例之基本理解。此概述並非所有預期實施例之廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或重要要素，亦不意欲描繪任何或所有實施例之範疇。其唯一目的為將一或多個實施例之一些概念以簡化形式呈現為稍後呈現之更詳細描述的序言。
根據實施例之一個態樣，由改變參考波長引起的暫時週期藉由藉由將致動器預定位在叢發之間以達成叢發之間的即將來臨之新目標 波長來準備致動器而縮短。
根據另一態樣，波長控制係通過在線窄化模組中使用諸如壓電致動器之致動器來達成。基於致動器之動態模型來運算用於致動致動器以最小化實際波長與波長目標之間的差值之最佳控制波形。可使用若干方法中之任一者來運算最佳控制波形。舉例而言，可使用具有約束之二次規劃及/或動態規劃產生給定波長目標之最佳控制信號來運算最佳控制波形。可使用預填入查找表，其含有可操作源極之不同重複率中之至少一些的最佳控制參數。
作為另一實例，可使用模型反轉前饋控制來判定最佳控制波形。此方法依賴於致動器動態模型來建構反轉致動器動態之數位濾波器。藉由使所要致動器軌跡之波形穿過此濾波器，可即時地產生最佳控制波形以達成零穩態誤差追蹤。在此處及他處，術語「軌跡」用以指包括加速之致動器的運動之特性。
作為另一實例，用以達成兩個分離波長之最佳解使用學習演算法實現以通過學習之若干反覆達成誤差收斂。所提出方法能夠達成1000fm分離度之兩個分離波長，其中分離度誤差低於20fm。
根據另一態樣，可藉由使用場可程式化閘陣列(FPGA)以極高速率將最佳控制波形饋送至致動器。
下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之其他特徵及優點以及本發明之各種實施例的結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的呈現此類實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
100:光微影系統
105:照明系統
110:脈衝光束
115:光微影曝光裝置或掃描器
120:晶圓
125:晶圓台
130:微影控制器
135:控制系統
140:固態或氣體放電種子雷射系統
145:放大載物台
150:中繼光學器件
160:雷射系統輸出子系統
165:主控振盪器腔室
170:線窄化模組
175:主控振盪器輸出耦合器
180:線中心分析模組
185:MO波前工程箱
200:PRA雷射腔室
210:PRA WEB
220:光束反轉器
230:頻寬分析模組
240:光學脈衝伸展器
250:輸出組合式自動遮光片度量衡模組
300:ILC模組
330:串流傳輸資料獲取單元
340:帶寬波長控制模組
350:PZT
360:線中心(中心波長)分析模組
370:發射控制平台或處理器
A:前饋控制信號
S100:步驟
S110:步驟
S120:步驟
S130:步驟
S140:步驟
S150:步驟
S160:步驟
S210:步驟
S220:步驟
S230:步驟
S240:步驟
S250:步驟
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式藉助於實例而非藉助於限制來說明本發明之實施例的方法及系統。圖式與詳細描述一起進一步用以解釋本文中所呈現之方法及系統之原理且使得熟習相關技術者能夠製成及使用本文中所呈現之方法及系統。在圖式中，類似附圖標記指示相同或功能上類似之元件。
圖1展示根據所揭示主題之態樣的光微影系統之總體廣泛概念的示意性未按比例的視圖。
圖2展示根據所揭示主題之態樣的照明系統之總體廣泛概念的示意性未按比例的視圖。
圖3為根據實施例之態樣的兩腔室雷射系統之功能方塊圖。
圖4為根據實施例之態樣的兩個雷射腔室中之放電的可能相對時序之圖式。
圖5為根據實施例之態樣的兩個雷射腔室中之放電的另一可能相對時序之圖式。
下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之其他特徵及優點以及本發明之各種實施例的結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之具體實施例。本文中僅出於說明性目的呈現此類實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
本說明書揭示併入有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示之實施例僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明由在此隨附之申請專利範圍界定。
所描述之實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此類片語未必指相同實施例。另外，在結合實施例描述特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆在熟習此項技術者之認識範圍內。
在更詳細地描述實施例之前，有指導性的係呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。參考圖1，光微影系統100包括照明系統105。如下文更充分地描述，照明系統105包括光源，該光源產生脈衝光束110且將其導引至光微影曝光裝置或掃描器115，該光微影曝光裝置或掃描器將微電子特徵圖案化於晶圓120上。晶圓120置放於晶圓台125上，該晶圓台經建構以固持晶圓120且連接至經組態以根據某些參數準確地定位晶圓120之定位器。
光微影系統100使用具有在深紫外線(DUV)範圍內之波長(例如，具有248奈米(nm)或193nm之波長)的光束110。可在晶圓120上經圖案化之微電子特徵之最小大小取決於光束110之波長，其中較低波長允許較小最小特徵大小。當光束110之波長為248nm或193nm時，微電子特徵之最小大小可為例如50nm或更小。光束110之帶寬可為其光譜(或發射光譜)之實際瞬時帶寬，其含有關於光束110之光能如何遍及不同波長而分佈的資訊。掃描器115包括具有例如一或多個聚光透鏡、遮罩及接物鏡配置之光學配置。遮罩可沿著一或多個方向移動，諸如沿著光束110之光軸或在垂直於光軸之平面中移動。接物鏡配置包括投影透鏡且使得影像傳送能夠自遮罩進行至晶圓120上之光阻。照明系統105調整光束110照射於遮 罩上之角度範圍。照明系統105亦使光束110橫越遮罩之強度分佈均勻化(使該光束橫越遮罩之強度分佈均一)。
掃描器115可包括微影控制器130、空氣調節器件及用於各種電組件之電源供應器，以及其他特徵。微影控制器130控制如何在晶圓120上印刷層。微影控制器130包括儲存諸如程序配方之資訊的記憶體。程序程式或配方基於例如所使用遮罩以及影響曝光之其他因子而判定對晶圓120之曝光的長度。在微影期間，光束110之複數個脈衝照明晶圓120之相同區域以構成照明劑量。
光微影系統100亦較佳地包括控制系統135。一般而言，控制系統135包括數位電子電路系統、電腦硬體、韌體及軟體中之一或多者。控制系統135亦包括記憶體，其可為唯讀記憶體及/或隨機存取記憶體。適用於有形地體現電腦程式指令及資料之儲存器件包括所有形式之非揮發性記憶體，包括(藉助於實例)：半導體記憶體器件，諸如EPROM、EEPROM及快閃記憶體器件；磁碟，諸如內部硬碟及抽取式磁碟；磁光碟；及CD-ROM磁碟。
控制系統135亦可包括一或多個輸入器件(諸如鍵盤、觸控式螢幕、麥克風、滑鼠、手持型輸入器件等)及一或多個輸出器件(諸如揚聲器或監視器)。控制系統135亦包括一或多個可程式化處理器及有形地體現於機器可讀儲存器件中以供一或多個可程式化處理器執行之一或多個電腦程式產品。一或多個可程式化處理器可各自執行指令之程式以藉由對輸入資料進行操作及產生適當輸出來執行所要功能。通常，處理器自記憶體接收指令及資料。前述任一者可藉由經專門設計之特殊應用積體電路(ASIC)補充或併入於其中。控制系統135可為集中式的或貫穿光微影系統 100部分地或完全地分佈。
參看圖2，例示性照明系統105係產生脈衝雷射光束作為光束110的脈衝雷射源。圖2說明性地且以方塊圖展示根據所揭示主題之某些態樣的實施例的氣體放電雷射系統。氣體放電雷射系統可包括例如固態或氣體放電種子雷射系統140、例如功率環放大器(「PRA」)載物台145之放大載物台、中繼光學器件150及雷射系統輸出子系統160。種子系統140可包括例如主控振盪器(「MO」)腔室165。
種子雷射系統140亦可包括主控振盪器輸出耦合器(「MOOC」)175(其可包含部分反射鏡)，其與線窄化模組(「LNM」)170中之反射光柵(未展示)一起形成振盪器空腔，在該振盪器空腔中，種子雷射140振盪以形成種子雷射輸出脈衝，亦即形成主控振盪器(「MO」)。系統亦可包括線中心分析模組(「LAM」)180。線中心分析模組(LAM)180可包括用於精細波長量測之標準具光譜儀以及較粗略解析度光柵光譜儀。主控振盪器(MO)波前工程箱(「WEB」)185可用以將主控振盪器(MO)種子雷射系統140之輸出重新導引放大載物台145，且可包括例如具有例如多稜鏡擴束器(未展示)的擴束件及例如呈光學延遲路徑(未展示)之形式的相干破壞件。
放大載物台145可包括例如功率環放大器(PRA)雷射腔室200，功率環放大器(PRA)雷射腔室亦可為振盪器，其例如由種子光束注入及輸出耦合光學器件(未展示)形成，種子光束注入及輸出耦合光學器件可併入至功率環放大器(PRA)波前工程箱(WEB)210中且可由光束反轉器220重導引回通過腔室200中之增益介質。功率環放大器(PRA)波前工程箱(WEB)210可併有部分反射輸入/輸出耦合器(未展示)及用於標稱操作波長(例如，對於ArF系統，在大約193nm下)之最大反射鏡以及一或多個稜鏡。
放大載物台145之輸出處的帶寬分析模組(「BAM」)230可自該放大載物台接收脈衝之輸出雷射光束且出於度量衡目的而拾取該光束之一部分，例如以量測輸出帶寬及脈衝能量。脈衝之雷射輸出光束隨後穿過光學脈衝伸展器(「OPuS」)240及輸出組合式自動遮光片度量衡模組(「CASMM」)250，其亦可係脈衝能量計之部位。光學脈衝伸展器(OPuS)240之一個目的可係例如將單個輸出雷射脈衝轉換成脈衝串。自原始單輸出脈衝產生之次級脈衝可相對於彼此延遲。藉由將原始雷射脈衝能量分佈至次級脈衝串中，雷射之有效脈衝長度可得以擴展且同時峰值脈衝強度得以減小。光學脈衝伸展器(OPuS)240因此可自功率環放大器(PRA)波前工程箱(WEB)210經由帶寬分析模組(BAM)230接收雷射光束且將光學脈衝伸展器(OPuS)240之輸出導引至組合式自動遮光片度量衡模組(CASMM)250。其他適合之配置可在其他實施例中使用。
如所屬領域中已知，功率環放大器(PRA)雷射腔室200及主控振盪器(MO)165經組態為腔室，其中電極之間的放電可引起雷射氣體中之雷射氣體放電，以產生反相高能量分子群體，包括例如Ar、Kr及/或Xe，以產生相對寬頻帶輻射，其可以線變窄至線窄化模組(「LNM」)170中經選擇之相對非常窄的帶寬及中心波長。
通常，調諧發生在線窄化模組(LNM)中。用於線變窄及雷射調諧之典型技術係在雷射之放電空腔的背部處提供窗口，雷射光束之一部分通過該窗口傳遞至線窄化模組(LNM)中。此處，光束之部分經稜鏡擴束器擴展且導引至光柵，在該光柵經放大時，其將雷射之更廣光譜的狹窄的所選擇部分反射回放電腔室中。通常，藉由使用諸如(例如)壓電致動器之致動器來改變光束照明光柵的角度來調諧雷射。
如上文所闡述，對於一些應用，能夠產生具有一個波長之一或多個脈衝的叢發且隨後能夠切換至產生具有不同波長之一或多個脈衝 的叢發係有益的。然而，嘗試在脈衝之間達成此情況具有挑戰性，此係因為穩定時間(亦即，系統在波長改變之後穩定下來所花費的時間之量)通常比脈衝間間隔長。根據一個態樣，藉由藉由將致動器預定位在叢發之間以達成叢發之間的即將來臨之新目標波長來準備致動器來縮短由改變參考波長引起的暫時穩定週期。
根據另一態樣，致動器的動態模型用以運算用於致動致動器以最小化實際波長與波長目標之間的差值之最佳控制波形。
可使用若干方法中之任一者來運算最佳控制波形。舉例而言，可使用動態規劃來運算最佳控制波形。此方法充分適用於處理含有非線性動力學的複雜模型。若採用具有較強非線性動力學之致動器模型，則動態規劃可用以產生給定波長目標之最佳控制信號。然而，動態規劃確實存在挑戰：其需要可能並不可即時實施之大量運算資源。為克服此情況，可使用含有可操作源極之不同重複率中之至少一些的最佳控制參數之諸如預填入查找表或經預程式化場可程式化閘陣列(FPGA)之資料儲存器件。
作為另一實例，可使用模型反轉前饋控制來判定最佳控制波形。此方法依賴於致動器動態模型來建構反轉致動器動態之數位濾波器。藉由使所要致動器軌跡之所要波形穿過此濾波器，可即時地產生最佳控制波形以達成零穩態誤差追蹤。
作為另一實例，用以用穩定方式達成兩個分離波長之最佳解使用學習演算法實現以通過學習之若干反覆來保證誤差收斂。本文中所揭示之系統及方法的實施例可潛在地達成以1000fm分離之兩個分離波長，其中分離度誤差低於20fm。
根據另一態樣，可藉由使用FPGA以極高速率將最佳控制 波形饋送至致動器。
控制系統可包括前饋控制及反覆學習控制(ILC)之組合。如圖3中所展示，如下文將描述，前饋控制信號A藉由反覆學習控制(ILC)模組300使用來自串流傳輸資料獲取單元330之波長量測及反覆學習控制(ILC)更新法則來脫機運算。帶寬波長控制模組(BWCM)340使用前饋控制信號A來更新諸如帶寬波長控制模組(BWCM)340中所包括之FPGA的資料儲存單元中之預界定資料。帶寬波長控制模組(BWCM)340隨後在雷射脈衝時例如在60kHz下致動壓電傳感器(PZT)350。雷射輻射之波長藉由線中心(中心波長)分析模組(LAM)360及發射控制平台或處理器(FCP)370來量測，且在6kHz下將波長量測收集至資料獲取單元330中。
將瞭解，圖3中所展示之系統可經組態以涵蓋多個頻率方案。破損箱內部之區域表示基本上可脫機發生之程序。壓電傳感器(PZT)350可在約60kHz下驅動。波長資料可在約6kHz下獲得。
為了考慮對壓電傳感器(PZT)電壓之改變的約束，具有約束之二次規劃可用以幫助尋找可實行操作區內之最佳前饋信號。二次規劃為尋找在數學上具有約束之給定二次成本函數的最佳解之技術。
標準QP求解器可用以下結構解決問題：
Figure 109115310-A0305-02-0013-4
 s.t.LX
Figure 109115310-A0305-02-0013-5
b
其中X為除了其必須滿足LX
Figure 109115310-A0305-02-0013-7
b外可自由選擇的設計參數。換言之，QP求解器尋找最小化由LX
Figure 109115310-A0305-02-0013-8
b界定之可實行區域內的成本函數之最佳X。
在本文所描述之應用中，接物鏡將尋找滿足致動器約束同時最小化致動器位置與所要控制波形之間的誤差之前饋控制。壓電傳感器(PZT)動態可以以下狀態空間形式表示：x(k+1)=Ax(k)+Bu(k) y(k+1)=Cx(k+1)
其中A、B、C分別為描述壓電傳感器(PZT)動力學之狀態、輸入及輸出矩陣；x為狀態向量，u為輸入向量，且y為來自壓電傳感器(PZT)之輸出。
取代以上動態模型，原始成本函數可重寫為
Figure 109115310-A0305-02-0014-3
 s.t.DU
Figure 109115310-A0305-02-0014-9
l
此適合標準QP形式，其中H=P T QP f=-P T QR X=U L=D b=l
且P描述壓電傳感器(PZT)輸入輸出動力學，Q為加權函數，R表示所要控制波形，D表示致動器約束，且l為對致動器約束之臨限值。
根據另一態樣，反覆學習控制(ILC)控制可藉由以下方程式描述：U k =U k-1+LE k-1
其中U k 為在第k反覆處所使用之前饋控制信號，L為規定反覆學習控制(ILC)演算法的收斂之學習函數，且E k 為在第k反覆處之誤差。
反覆學習控制(ILC)控制之穩定性及收斂屬性可藉由將反覆學習控制(ILC)控制法則與系統之動態模型組合而推導為E k =(I-PL)E k-1
其中P為描述系統之輸入輸出關係的矩陣，且I為單位矩陣。若(I-PL)之所有本徵值的絕對值小於1，則保證穩定性。收斂速率亦藉由矩陣(I-PL)判定。若(I-PL)=0，則誤差將在一次反覆之後收斂至0。
圖4為展示根據實施例之一個態樣之控制輻射源的方法之流程圖。在步驟S100中，脈衝之前一叢發已結束。在步驟S110中，致動 器藉由將其預定位至其應定位以產生具有第一頻率之脈衝的位置與其應定位以產生具有第二頻率之脈衝的位置之間之位置來準備。在步驟S120中，使用上文所描述的技術中之一或多者來運算最佳控制波形。在步驟S130中，判定是否已觸發新叢發。若「是」已觸發新叢發，則在步驟S140中，使用例如FPGA將在命令重複率及頻率下進行的操作之參數中繼至該源。在步驟S150中，判定當前叢發是否已結束。若當前叢發尚未結束，則重複步驟S140。若叢發已結束，則程序在步驟S160處結束。
圖5展示由反覆學習控制(ILC)執行的用於用初始QP前饋控制信號運算其更新法則之方法。在步驟S210中，二次規劃用以產生初始前饋控制信號。在步驟S220中，前饋控制信號用以發射雷射。在步驟S230中，判定該前饋信號中之誤差是否已經收斂。若誤差尚未收斂，則在步驟S250中，反覆學習用以更新控制信號。隨後在步驟S220中使用新控制信號來發射雷射。若誤差已經收斂，則如在步驟S240中結束程序。
應瞭解，實施方式章節而非發明內容及摘要章節意欲用以解譯申請專利範圍。發明內容章節及摘要章節可闡述如由本發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且由此，並不意欲以任何方式來限制本發明及所附申請專利範圍。
上文已憑藉說明指定功能及其關係的實施之功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文中已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要恰當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此類特定實施 例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此類調適及修改意欲在所揭示的實施例之等效物的含義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭將由熟習此項技術者按照該等教示及導引進行解譯。
在以下編號條項中陳述本發明之其他態樣。
1.一種雷射系統，其包含：一致動器，其具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有一第一波長之雷射輻射之一或多個脈衝的一第一叢發，在該第二狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有與該第一波長不同的一第二波長的雷射輻射之一或多個脈衝的一第二叢發；以及一致動器控制器，其經配置以將一信號供應至該致動器以使得該致動器在叢發之間採取一第三狀態，該第三狀態在該第一狀態與該第二狀態中間。
2.如條項1之雷射系統，其中該第一狀態為一第一位置，該第二狀態為一第二位置，且該第三狀態為該第一位置與該第二位置之間的一第三位置。
3.一種雷射系統，其包含：一致動器，其具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有一第一波長之雷射輻射之一或多個脈衝的一第一叢發，在該第二狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有與該第一波長不同的一第二波長的雷射輻射之一或多個脈衝的一第二叢發；以及一致動器控制器，其經配置以將一信號供應至該致動器以使得該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態，該致動器控制器包含一模組，該模 組經配置以運算該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態的該信號之一最佳控制波形，該致動器控制器使得該致動器沿著一軌跡在該最佳控制波形之控制下自該第一狀態轉變至該第二狀態。
4.如條項3之雷射系統，其中該模組經調適以使用具有約束的二次規劃運算該最佳控制波形。
5.如條項3之雷射系統，其中該模組經調適以使用動態規劃運算該最佳控制波形。
6.如條項3之雷射系統，其中該模組經調適以使用模型反轉前饋控制運算該最佳控制波形。
7.如條項3之雷射系統，其中該模組經調適以使用反覆學習控制運算該最佳控制波形。
8.如條項3至7中任一項之雷射系統，其中該模組進一步包含用於儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數的構件。
9.如條項8之雷射系統，其中用於儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數的該構件包含一預填入查找表。
10.如條項8之雷射系統，其中用於儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數的該構件包含一場可程式化閘陣列。
11.一種控制一雷射系統之方法，該方法包含以下步驟：將一致動器置放於一第一狀態中，在該第一狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有一第一波長之雷射輻射的一或多個脈衝之一第一叢發；以及將該致動器置放於一第二狀態中，在該第二狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有與該第一波長不同的一第二波長的雷射輻射之一或多個 脈衝之一第二叢發，該方法進一步包含在將該致動器置放於該第一狀態中與將該致動器置放於該第二狀態中的該步驟之間將該致動器置放於一第三狀態中之一第三步驟，該第三狀態在該第一狀態與該第二狀態中間。
12.如條項11之控制一雷射系統之方法，其中該第一狀態為一第一位置，該第二狀態為一第二位置，且該第三狀態為該第一位置與該第二位置之間的一第三位置。
13.一種控制一雷射系統之方法，該方法包含以下步驟：將一致動器置放於一第一狀態中，在該第一狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有一第一波長之雷射輻射的一或多個脈衝之一第一叢發；以及將該致動器置放於一第二狀態中，在該第二狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有與該第一波長不同的一第二波長的雷射輻射之一或多個脈衝之一第二叢發，其中將該致動器置放於該第二狀態中之該步驟包含運算該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態之一最佳控制波形且使得該致動器沿著一軌跡在該最佳控制波形之控制下自該第一狀態轉變至該第二狀態。
14.如條項13之控制一雷射系統之方法，其中該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態之一最佳控制波形之該運算包含使用具有約束的二次規劃。
15.如條項13之控制一雷射系統之方法，其中該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態之一最佳控制波形的該運算包含使用動態規劃。
16.如條項13之控制一雷射系統之方法，其中該致動器自該第一狀 態轉變至該第二狀態之一最佳控制波形之該運算包含使用模型反轉前饋控制。
17.如條項13之控制一雷射系統之方法，其中該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態之一最佳控制波形之該運算包含使用反覆學習控制。
18.如條項13至17中任一項之控制一雷射系統之方法，其中該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態之一最佳控制波形之該運算包含儲存用於儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數的構件。
19.如條項18之控制一雷射系統之方法，其中儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數係使用一預填入查找表進行。
20.如條項18之控制一雷射系統之方法，其中儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數包含使用一場可程式化閘陣列。
21.一種控制一雷射系統之方法，該方法包含以下步驟：將一致動器置放於一第一狀態中，在該第一狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有一第一波長之雷射輻射的一或多個脈衝之一第一叢發；以及將該致動器置放於一第二狀態中，在該第二狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有與該第一波長不同的一第二波長的雷射輻射之一或多個脈衝之一第二叢發，該方法進一步包含在將該致動器置放於該第一狀態中與將該致動器置放於該第二狀態中的該步驟之間將該致動器置放於一第三狀態中之一第三步驟，該第三狀態在該第一狀態與該第二狀態中間，其中將該致動器置放於該第二狀態中之該步驟包含運算使得該致動器沿著一最佳軌跡自該第一狀態轉變至該第二狀態的一最佳控制波形。
S210:步驟
S220:步驟
S230:步驟
S240:步驟
S250:步驟

Claims (21)

  1. 一種雷射系統，其包含： 一致動器，其具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有一第一波長之雷射輻射之一或多個脈衝的一第一叢發，在該第二狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有與該第一波長不同的一第二波長的雷射輻射之一或多個脈衝的一第二叢發；以及 一致動器控制器，其經配置以將一信號供應至該致動器以使得該致動器在叢發之間採取一第三狀態，該第三狀態在該第一狀態與該第二狀態中間。
  2. 如請求項1之雷射系統，其中該第一狀態為一第一位置，該第二狀態為一第二位置，且該第三狀態為該第一位置與該第二位置之間的一第三位置。
  3. 一種雷射系統，其包含： 一致動器，其具有一第一狀態及一第二狀態，在該第一狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有一第一波長之雷射輻射之一或多個脈衝的一第一叢發，在該第二狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有與該第一波長不同的一第二波長的雷射輻射之一或多個脈衝的一第二叢發；以及 一致動器控制器，其經配置以將一信號供應至該致動器以使得該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態，該致動器控制器包含一模組，該模組經配置以運算該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態的該信號之一最佳控制波形，該致動器控制器使得該致動器沿著一軌跡在該最佳控制波形之控制下自該第一狀態轉變至該第二狀態。
  4. 如請求項3之雷射系統，其中該模組經調適以使用具有約束的二次規劃運算該最佳控制波形。
  5. 如請求項3之雷射系統，其中該模組經調適以使用動態規劃運算該最佳控制波形。
  6. 如請求項3之雷射系統，其中該模組經調適以使用模型反轉前饋控制運算該最佳控制波形。
  7. 如請求項3之雷射系統，其中該模組經調適以使用反覆學習控制運算該最佳控制波形。
  8. 如請求項4之雷射系統，其中該模組進一步包含用於儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數的構件。
  9. 如請求項8之雷射系統，其中用於儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數的該構件包含一預填入查找表。
  10. 如請求項8之雷射系統，其中用於儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數的該構件包含一場可程式化閘陣列。
  11. 一種控制一雷射系統之方法，該方法包含以下步驟： 將一致動器置放於一第一狀態中，在該第一狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有一第一波長之雷射輻射的一或多個脈衝之一第一叢發；以及 將該致動器置放於一第二狀態中，在該第二狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有與該第一波長不同的一第二波長的雷射輻射之一或多個脈衝之一第二叢發， 該方法進一步包含在將該致動器置放於該第一狀態中與將該致動器置放於該第二狀態中的該步驟之間將該致動器置放於一第三狀態中之一第三步驟，該第三狀態在該第一狀態與該第二狀態中間。
  12. 如請求項11之控制一雷射系統的方法，其中該第一狀態為一第一位置，該第二狀態為一第二位置，且該第三狀態為該第一位置與該第二位置之間的一第三位置。
  13. 一種控制一雷射系統之方法，該方法包含以下步驟： 將一致動器置放於一第一狀態中，在該第一狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有一第一波長之雷射輻射的一或多個脈衝之一第一叢發；以及 將該致動器置放於一第二狀態中，在該第二狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有與該第一波長不同的一第二波長的雷射輻射之一或多個脈衝之一第二叢發， 其中將該致動器置放於該第二狀態中之該步驟包含運算該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態之一最佳控制波形且使得該致動器沿著一軌跡在該最佳控制波形之控制下自該第一狀態轉變至該第二狀態。
  14. 如請求項13之控制一雷射系統之方法，其中該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態之一最佳控制波形之該運算包含：使用具有約束的二次規劃。
  15. 如請求項13之控制一雷射系統之方法，其中該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態之一最佳控制波形之該運算包含：使用動態規劃。
  16. 如請求項13之控制一雷射系統之方法，其中該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態之一最佳控制波形之該運算包含：使用模型反轉前饋控制。
  17. 如請求項13之控制一雷射系統之方法，其中該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態之一最佳控制波形之該運算包含：使用反覆學習控制。
  18. 如請求項14之控制一雷射系統之方法，其中該致動器自該第一狀態轉變至該第二狀態之一最佳控制波形之該運算包含：儲存用於儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數的構件。
  19. 如請求項18之控制一雷射系統之方法，其中儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數係使用一預填入查找表進行。
  20. 如請求項18之控制一雷射系統之方法，其中儲存複數個重複率中之每一者的至少一個最佳控制參數包含：使用一場可程式化閘陣列。
  21. 一種控制一雷射系統之方法，該方法包含以下步驟： 將一致動器置放於一第一狀態中，在該第一狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有一第一波長之雷射輻射的一或多個脈衝之一第一叢發；以及 將該致動器置放於一第二狀態中，在該第二狀態中該致動器使得該雷射系統產生具有與該第一波長不同的一第二波長的雷射輻射之一或多個脈衝之一第二叢發， 該方法進一步包含在將該致動器置放於該第一狀態中與將該致動器置放於該第二狀態中的該步驟之間將該致動器置放於一第三狀態中之一第三步驟，該第三狀態在該第一狀態與該第二狀態中間， 其中將該致動器置放於該第二狀態中之該步驟包含運算使得該致動器沿著一最佳軌跡自該第一狀態轉變至該第二狀態的一最佳控制波形。
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