TWI791348B - 用於調變光源波長的裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供用於控制一系統中之波長的裝置及方法，該系統用於產生在多於一個波長(色彩)下之雷射輻射，其中一或多個致動器回應於供應有一波形而控制波長。基於該雷射之一當前重複率而判定該波形之該等特性及/或用於控制該波形之一控制器的該等特性。判定一當前重複率，且若其為新的，則命令一新波形。亦揭示一種其中取決於重複率之一校正應用於判定一波長之一ILC演算法的系統。

Description

用於調變光源波長的裝置及方法
本發明係關於諸如產生光之準分子雷射的雷射系統及用於控制其中心波長之系統與方法。
微影裝置將所要圖案施加至諸如半導體材料之晶圓的基板上，通常施加至基板之目標部分上。替代地稱為遮罩或倍縮光罩之圖案化器件可用於產生待形成於晶圓之個別層上的電路圖案。通常藉由成像至設置於基板上之輻射敏感材料(例如，抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單個基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分。
微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化器件轉印至基板。在本文中，為簡單起見，步進器及掃描器兩者將被簡稱為掃描器。
用於照明圖案且將其投影至基板上之光源可具有多個組態中之任一者。通常用於微影系統中之深紫外線準分子雷射包括處於248 nm波長下之氟化氪(KrF)雷射及處於193nm波長下之氟化氬(ArF)雷射。
為了將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵的最小大小。微影裝置可使用具有在4至20nm(例如，6.7nm或13.5nm)之範圍內的波長的極遠紫外(EUV)輻射，或具有在約120至約400nm(例如，193或248nm)之範圍內的波長的深紫外線(DUV)輻射。
微影裝置可在可稱為單色模式之單個波長下操作，然而，對於一些應用，需要具有改變波長之能力。舉例而言，在記憶體(亦即，結構類似於堆疊在彼此之頂部上的NAND(非AND)之閘極的記憶體)之3D NAND層級中。自2D至3D NAND架構之轉變需要製造製程之顯著變化。在3D NAND製造中，挑戰主要由以極端縱橫比(孔直徑與其深度之比率)進行的蝕刻及沈積製程驅動。產生具有極高縱橫比(HAR)特徵之複雜3D結構為複雜的且需要極精確且最終製程均一性及可重複性以達成縮放。此外，隨著多層堆疊高度增加，在例如記憶體陣列的堆疊之頂部及底部處達成一致蝕刻及沈積結果之難度亦增加。
此等考慮因素導致對較大聚焦深度之需求。微影聚焦深度(DoF)藉由關係式DOF=±m2 λ/(NA)2來判定，其中λ為照射光之波長，NA為數值孔徑，且m1及m2為取決於抗蝕劑製程之實踐因子。歸因於3D NAND微影之較大聚焦深度要求，有時在晶圓上方針對每一遍次使用不同雷射波長進行多於一個曝光遍次。
對於物鏡之給定數值孔徑(NA)，多焦點成像(MFI)使用多個聚焦位階(例如，經由多個波長)以有效地增加DoF。此使得成像NA及因此曝光寬容度(製程窗)能夠增加，同時DoF可根據生產層需要藉由MFI最 佳化。
另外，構成使雷射輻射聚焦之透鏡的材料為分散的，因此不同波長在不同深度聚焦。此為可能需要具有改變波長之能力的另一原因。
在單色模式中，兩個致動器(亦即，步進電機及壓電換能器(PZT))結合彼此操作以穩定中心波長。在操作中，步進電機具有有限解析度，且因此，將PZT用作主要致動器。然而，在雙色模式中，波長穩定性係基於中心波長，亦即具有兩個交替光譜之構件，且在此模式下，PZT具有產生生成交替波長之波形的任務。
作為一特定實例，在兩個不同波長下產生DUV光的應用中，參考波長在曝光期間具有兩個設定點，亦即第一波長下之第一設定點及第二波長下之第二設定點。參考波長將隨後在此等兩個設定點之間調變。每一波長目標改變需要預定穩定時間。
DUV光源包括用於控制DUV光之波長的系統。通常，此等波長控制系統包括回饋及前饋補償器以促進波長穩定性。前饋補償器補償波長目標之命令改變，亦即波長改變事件。當此事件發生時，必須允許系統穩定地穩定至新波長之穩定時間。
通常，MFI演算法假定雷射將僅以(或實質上接近)特定重複率(例如，6kHz)在MFI模式下操作，且因此校正及最佳化用於PZT顫動的基礎波形以在此單個操作點處發揮效能。隨後使用反覆學習控制(ILC)演算法對此基礎波形進行逐個修改，以(合理地)補償預期操作點之外的漂移及操作。
然而，在整個晶圓內將僅存在單個重複率的假定在某些使 用情況下可能並不成立。舉例而言，對於晶圓之邊緣附近之場重複率可顯著變化係可能的。在某種程度上，諸如ILC演算法之演算法係基於以下假定建構：用於每一連續場之重複率將類似於(亦即，不會不同於)用於先前場之重複率，包括此等較低重複率的場可將持久損壞引入至學習補償中從而可導致晶圓報廢。
要求將在整個晶圓內使用單個重複率之假定亦限制即使在晶圓中心可用之重複率的範圍，此可能會對掃描器的劑量控制最佳化產生不利地影響-在最壞情況下，可能會致使劑量控制器不能解決問題，從而停止生產。
下文呈現一或多個實施例之簡化概述以便提供對實施例之基本理解。此概述並非所有所涵蓋實施例之廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或決定性要素，亦不意欲劃定任何或所有實施例之範疇。其唯一目的為將一或多個實施例之一些概念以簡化形式呈現為稍後呈現之更詳細描述的序言。
根據一實施例之一態樣，揭示一種雷射系統，其包含：一觸發電路，其用於在至少兩個叢發中激發該雷射系統，一第一叢發包括以一第一重複率激發之複數個第一叢發脈衝，且一第二叢發包括以一第二重複率激發之複數個第二叢發脈衝；一波長控制器件，其經調適以回應於一第一施加波形而控制該等第一叢發脈衝之每一脈衝的一波長且回應於一第二施加波形而控制該等第二叢發脈衝之每一脈衝的一波長；及一比較器，其用於執行該第二重複率與該第一重複率之間的一比較，且用於至少部分地基於該比較而判定該第二施加波形之一或多個參數。該比較器可判定在該 第二重複率不同於該第一重複率時使用不同於該第一施加波形之一第二施加波形。該比較器可判定在該第二重複率與該第一重複率相同時使用與該第一施加波形相同之一第二施加波形。該比較器可使用該第二重複率作為一輸入來計算該第二施加波形之一或多個參數。該比較器可包含至少部分地基於該第二重複率判定該第二施加波形之一或多個參數的一場可程式化閘陣列。該比較器可包含具有一查找表之一記憶體，其中該查找表基於該第二重複率而傳回該第二施加波形之一或多個參數。該一或多個參數可包括該第二叢發波形之一振幅的一量值、該第二叢發波形之一振幅之一量值的一時間變化及/或對該第二叢發波形之一回饋演算法的一校正。該回饋演算法可為一反覆學習控制演算法。
根據一實施例之另一態樣，該比較器可在該第二叢發中之複數個第一觸發脈衝用於計算該第二重複率之後將該第二施加波形施加於該第二叢發。該比較器可在該第二叢發中之兩個第一觸發脈衝用於計算該第二重複率之後將該第二施加波形施加於該第二叢發。該比較器可在該第二叢發中之該複數個第一觸發脈衝用於計算該第二重複率期間將一第一觸發波形施加於該第二叢發。該比較器可將該第一施加波形施加為該第一觸發波形。該比較器可將一預設波形施加為該第一觸發波形。該比較器可將一恆定位準施加為該第一觸發波形。
根據一實施例之另一態樣，該雷射系統可進一步包含用於管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變之一轉變管理單元。該轉變管理單元可藉由使該第一觸發波形與該第二施加波形交叉淡化來管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的該轉變。該轉變管理單元可藉由在該第一觸發波形之一零交叉處自該第一觸發波形切換至該第二施加波 形來管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的該轉變。該轉變管理單元可藉由在該第一觸發波形之一局部最大值或最小值處自該第一觸發波形切換至該第二施加波形來管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的該轉變。
根據一實施例之另一態樣，揭示一種控制一雷射系統之方法，該方法包含：在包括以一第一重複率激發之複數個第一叢發脈衝的一第一叢發中激發該雷射系統；在包括複數個第二叢發脈衝之一第二叢發中開始激發該雷射系統，同時判定激發該等第二叢發脈衝之一第二重複率；使用該第二重複率以判定用於判定該等第二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數；及將該第二叢發波形施加於該致動器。使用該第二重複率以判定一第二叢發波形之一或多個參數可包含判定不同於該第一叢發波形之一或多個參數的該第二叢發波形之一或多個參數。使用該第二重複率以判定一第二叢發波形之一或多個參數可包含判定與該第一叢發波形之該等參數相同的該第二叢發波形之參數。使用該第二重複率以判定用於判定該等第二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數可包含使用該第二重複率作為一輸入來計算該第二叢發波形之參數。使用該第二重複率以判定用於判定該等第二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數可包含使用該第二重複率作為至一場可程式化閘陣列之一輸入以判定該第二叢發波形之參數。使用該第二重複率以判定用於判定該等第二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數可包含使用該第二重複率在一查找表中查找該第二叢發波形的參數。該一或多個參數可包括該第二叢發波形之一振幅的一量值、該第二叢發波形之一振幅之一量值的一時間變化及/或對該第二叢發波形 之一回饋演算法的一校正。該回饋演算法可為一反覆學習控制演算法。
根據一實施例之另一態樣，該方法可進一步包含在使用該第二重複率以判定用於判定該等第二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數之前使用該第二叢發中之複數個第一觸發脈衝以計算該第二重複率。該方法可進一步包含在該第二叢發中之該複數個第一觸發脈衝用於計算該第二重複率期間將一第一觸發波形施加於該第二叢發。施加一第一觸發波形可包含施加該第一叢發波形。施加一第一觸發波形可包含施加一預設波形。施加一第一觸發波形可包含在該第二叢發中之該複數個第一觸發脈衝用於計算該第二重複率期間將一第一觸發波形施加於該第二叢發。施加一第一觸發波形可包含將第一施加波形施加為該第一觸發波形。施加一第一觸發波形可包含將一預設波形施加為該第一觸發波形。施加一第一觸發波形可包含將一恆定位準施加為該第一觸發波形。
根據一實施例之另一態樣，該方法可進一步包含管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變。管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變可包含使該第一觸發波形與該第二施加波形交叉淡化。管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變可包含在該第一觸發波形之一零交叉處自該第一觸發波形切換至該第二施加波形。管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變可包含在該第一觸發波形之一局部最大值或最小值處自該第一觸發波形切換至該第二施加波形。
下文參考隨附圖式詳細地描述實施例之另外特徵及例示性態樣以及各種實施例之結構及操作。應注意，實施例不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
10:琢面化場鏡面器件
11:琢面化光瞳鏡面器件
13:鏡面
14:鏡面
200:光源裝置
201:放大自發性發射
202:光束
204:經放大光束
206:成像光
210:三維框架
212:光束分光器
220:氣體放電台
224:第二光共振器元件
228:第一光共振器
230:線分析模組
240:主控振盪器波前工程改造邏輯框
250:輸入/輸出光學元件
252:OC孔徑
254:第一光共振器元件
260:光學放大器
261:腔室
261a:第一腔室壁
261b:第二腔室壁
262a:第一腔室光學埠
262b:第二腔室光學埠
263:氣體放電介質
264a:第一腔室孔徑
264b:第二腔室孔徑
265:腔室調節器
266a:第一腔室窗口
266b:第二腔室窗口
270:光譜特徵調節器
272:LNM孔徑
274:傾斜角度調變器
276a:稜鏡
276b:稜鏡
276c:稜鏡
276d:稜鏡
280:功率環放大器台
282:第三光共振器元件
284:第四光共振器元件
286:功率環放大器
288:第二光共振器
290:控制器
292:第一信號
294:第二信號
296:第三信號
300:ILC模組
330:串流傳輸資料獲取單元
340:頻寬波長控制模組
350:PZT
360:線中心分析模組
370:點火控制平台或處理器
400:成像裝置
800:波形
810:圓圈
820:上部水平線
830:下部水平線
860:系統
870:系統
880:查找表
960:系統
970:系統
980:查找表
1000:電腦系統
1002:使用者輸入/輸出介面
1003:使用者輸入/輸出器件
1004:處理器
1006:通信基礎架構
1008:主記憶體
1010:次要記憶體
1012:硬碟機
1014:抽取式儲存磁碟機
1018:抽取式儲存單元
1020:介面
1022:抽取式儲存單元
1024:通信介面
1026:通信路徑
1028:遠端器件
A:前饋控制信號
B:輻射光束
B':輻射光束
IL:照明系統
LA.:微影裝置
MA:圖案化器件
MT:支撐結構
PS:投影系統
S100:步驟
S110:步驟
S120:步驟
S130:步驟
S140:步驟
S150:步驟
S160:步驟
S210:步驟
S220:步驟
S230:步驟
S240:步驟
S250:步驟
S800:步驟
S810:步驟
S820:步驟
S830:步驟
S840:步驟
S850:步驟
S900:步驟
S910:步驟
S920:步驟
S930:步驟
S940:步驟
S950:步驟
SO:輻射源
W:基板
WT:基板台
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明實施例，且連同實施方式一起進一步用以解釋實施例之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用實施例。
圖1為根據一例示性實施例之微影裝置的示意性圖示。
圖2為根據一例示性實施例之光源裝置的示意性俯視圖示。
圖3為根據一例示性實施例之圖2中所示之光源裝置的氣體放電台的示意性部分橫截面圖示。
圖4為根據一例示性實施例之圖2中所示之光源裝置的氣體放電台的示意性部分橫截面圖示。
圖5為根據一實施例之一態樣的用於提供波長控制之系統的概念圖。
圖6為展示根據一實施例之一態樣的用於提供波長控制之程序之步驟的流程圖。
圖7為展示根據一實施例之一態樣的用於提供波長控制之程序的一部分之步驟的流程圖。
圖8為關於雷射脈衝之致動器波形的圖。
圖9A為關於雷射脈衝之致動器波形的圖。
圖9B為關於雷射脈衝之致動器波形的圖。
圖10A為關於雷射脈衝之致動器波形的圖。
圖10B為關於雷射脈衝之致動器波形的圖。
圖11為展示根據一實施例之一態樣的用於提供波形控制之程序的一部分之步驟的流程圖。
圖12A為根據一實施例之一態樣的用於提供波形控制之系統的概念 圖。
圖12B為根據一實施例之一態樣的用於提供波形控制之系統的概念圖。
圖13為展示根據一實施例之一態樣的用於提供ILC校正控制之程序的一部分之步驟的流程圖。
圖14A為根據一實施例之一態樣的用於提供ILC校正控制之系統的概念圖。
圖14B為根據一實施例之一態樣的用於提供ILC校正控制之系統的概念圖。
圖15為根據一實施例之一態樣的電腦控制系統之功能方塊圖。
實施例之特徵及例示性態樣將自結合圖式在以下闡述之實施方式變得顯而易見，在圖式中，相同參考標號貫穿全文識別對應元件。在該等圖式中，相同參考標號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。另外，一般而言，參考標號之最左側數字識別首次出現該參考標號之圖式。除非另外指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應解釋為按比例圖式。
本說明書揭示併有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示之實施例僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示之實施例。本發明由隨附申請專利範圍界定。
所描述之實施例及說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一例示性實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特 徵、結構或特性。此外，此類片語未必係指相同實施例。此外，當結合一實施例描述特定特徵、結構或特性時，應理解，結合無論是否予以明確描述之其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆在熟習此項技術者之知識範圍內。
為易於描述，本文中可使用諸如「在...之下」、「在...下方」、「下部」、「在...上方」、「在...上」、「上部」以及類似術語的空間相對術語描述如諸圖中所說明的一個元件或特徵相對於另一元件或特徵的關係。除了圖式中所描繪的定向之外，空間相對術語亦意欲涵蓋器件在使用或操作中的不同定向。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)，且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解釋。
如本文中所使用之術語「約」或「實質上」或「大約」指示可基於特定技術變化之給定量之值。基於特定技術，術語「約」或「實質上」或「大約」可指示在例如值之1%至15%(例如，值之±1%、±2%、±5%、±10%或±15%)內變化之給定量的值。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合來實施。本發明之實施例亦可實施為儲存於有形機器可讀媒體上之指令，其可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈機器(例如，計算器件)可讀取形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)；及其他者。此外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅係出於方便起見，且此類動作事實上係由計算器件、處理器、 控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他器件引起。
然而，在更詳細地描述此類實施例之前，有指導性的係呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
圖1展示包含輻射源SO及微影裝置LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV及/或DUV輻射光束B及將EUV及/或DUV輻射光束B供應至微影裝置LA。微影裝置LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA(例如，遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。
照明系統IL經組態以在EUV及/或DUV輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節EUV及/或DUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11共同提供具有所需橫截面形狀及所需強度分佈之EUV及/或DUV輻射光束B。除了琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或替代該等器件，照明系統IL可包括其他鏡面或器件。
在因此調節之後，EUV及/或DUV輻射光束B與圖案化器件MA相互作用(例如，對於DUV，透射性遮罩或對於EUV，反射性遮罩)。由於此相互作用，產生經圖案化EUV及/或DUV輻射射束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV及/或DUV輻射光束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV及/或DUV輻射光束B'投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用至經圖案化EUV及/或DUV輻射光束B'，因此形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用縮減因數4或8。儘管在圖1中將投影系統PS說明為僅具有兩個鏡面13、14，但投影系 統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此情況下，微影裝置LA使由經圖案化EUV及/或DUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即處於充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如，氫氣)。
如上文所論述，主控振盪器功率放大器(MOPA)為兩級光共振器配置。主控振盪器(MO)，例如第一光共振器台(例如，用種子雷射)產生高度同調光束。功率放大器(PA)，例如第二光共振器台增加光束之光功率同時保留光束特性。MO可包括氣體放電腔室、輸入/輸出光學元件(例如，光學耦合器(OC))及光譜特徵調節器(例如，線寬窄化模組(LNM))。輸入/輸出光學元件及光譜特徵調節器可包圍氣體放電腔室以形成光共振器。
MOPA之效能極其取決於MO之對準。MO之對準可包括氣體放電腔室之對準、OC之對準及LNM之對準。對準(例如，腔室、OC、LNM等)中之每一者可有助於MO隨時間推移之對準誤差及變化。然而，MO之對準可費時，且需要幾個小時人工維護(例如，經同步效能維護(SPM))。另外，若腔室、OC及LNM顯著不對準(例如，無初始參考點)，則初始對準可能很難(例如，試誤法)。此外，監視及調節MO對準可抑制(例如，阻擋)所輸出光束(例如，DUV光束)例如到達DUV微影裝置。
成像光(例如，可見雷射光束)可(例如，依序或同時)投影於腔室、OC及LNM上以照明且OC及/或LNM沿腔室之光軸(例如，第一及 第二光學埠)直接對準。來自氣體放電腔室的放大自發性發射(ASE)可充當信標(例如，參考點)以促進成像光沿MO腔之光軸(例如，沿腔室、OC及LNM之光軸)的軸線校正(例如，雷射軸線校正)。另外，ASE可用於將腔室與MO腔之光軸初始地對準(例如，粗略對準)。此外，感測裝置(例如，攝影機)可用於在視覺上研究MO內之不同目標平面(例如，腔室埠、OC孔徑、LNM孔徑等)且量化任何對準誤差(例如，影像比較)。舉例而言，感測裝置可研究各種目標平面上的成像光之近場(NF)及遠場(FF)區，且例如藉由光束分析(例如，水平對稱性、豎直對稱性等)應用調整(例如，精確對準)。
如下文所論述之光源裝置及系統可縮減主控振盪器之對準時間(例如，SPM)、減少主控振盪器隨時間推移之對準變化，及監視且動態控制主控振盪器之可量化對準誤差，以將高度同調光束提供至(例如)DUV微影裝置。
圖2至圖4說明根據各種例示性實施例之光源裝置200。圖2為根據一例示性實施例之光源裝置200的示意性俯視圖示。圖3及圖4為根據例示性實施例的圖2中所示之光源裝置200之氣體放電台220的示意性部分橫截面圖示。
圖2說明根據各種例示性實施例之光源裝置200。光源裝置200可經組態以監視且動態控制氣體放電台220(例如，MO)之可量化對準誤差，且將高度同調且對準光束(例如，光束202、經放大光束204)提供至(例如)DUV微影裝置(例如，LA)。光源裝置200可經進一步組態以縮減氣體放電台220(例如，MO)之對準時間，且減少氣體放電台220(例如，MO)隨時間推移之對準變化。儘管圖2中將光源裝置200展示為獨立裝置 及/或系統，但本發明之實施例可與其他光學系統一起使用，該等其他光學系統諸如但不限於輻射源SO、微影裝置LA及/或其他光學系統。在一些實施例中，光源裝置200可為微影裝置LA中之輻射源SO。舉例而言，DUV輻射光束B可為光束202及/或經放大光束204。
光源裝置200可為藉由氣體放電台220(例如，MO)及功率環放大器(PRA)台280(例如，PA)形成的MOPA。光源裝置200可包括氣體放電台220、線分析模組(LAM)230、主控振盪器波前工程改造邏輯框(MoWEB)240、功率環放大器(PRA)台280及控制器290。在一些實施例中，所有上文所列舉之組件可容納於三維(3D)框架210中。在一些實施例中，3D框架210可包括金屬(例如，鋁、鋼等)、陶瓷及/或任何其他合適的剛性材料。
氣體放電台220可經組態以輸出高度同調光束(例如，光束202)。氣體放電台220可包括第一光共振器元件254、第二光共振器元件224、輸入/輸出光學元件250(例如，OC)、光學放大器260及光譜特徵調節器270(例如，LNM)。在一些實施例中，輸入/輸出光學元件250可包括第一光共振器元件254，且光譜特徵調節器270可包括第二光共振器元件224。第一光共振器228可藉由輸入/輸出光學元件250(例如，經由第一光共振器元件254)及光譜特徵調節器270(例如，經由第二光共振器元件224)界定。第一光共振器元件254可為部分反射性的(例如，部分鏡面)，且第二光共振器元件224可為反射性的(例如，鏡面或光柵)以形成第一光共振器228。第一光共振器228可將藉由光學放大器260(例如，放大自發性發射(ASE)201)產生的光引導至光學放大器260，以實現固定數目次通過從而形成光束202。在一些實施例中，如圖2中所示，氣體放電台220可 將光束202輸出至PRA台280作為MOPA配置之部分。
PRA台280可經組態以經由多通配置放大來自氣體放電台220之光束202，且輸出經放大光束204。PRA台280可包括第三光共振器元件282、功率環放大器(PRA)286及第四光共振器元件284。第二光共振器288可藉由第三光共振器元件282及第四光共振器元件284界定。第三光共振器元件282可為部分反射性的(例如，部分光束分光器)，且第四光共振器元件284可為反射性的(例如，鏡面或稜鏡或光束反向器)以形成第二光共振器288。第二光共振器288可將來自氣體放電台220之光束202引導至PRA 286以實現固定數目次通過從而形成經放大光束204。在一些實施例中，PRA台280可將經放大光束204輸出至微影裝置，例如微影裝置(LA)。舉例而言，經放大光束204可為來自微影裝置LA中之輻射源SO的EUV及/或DUV輻射光束B。
如圖2至圖4中所示，光學放大器260可以光學方式耦接至輸入/輸出光學元件250及光譜特徵調節器270。光學放大器260可經組態以輸出ASE 201及/或光束202。在一些實施例中，光學放大器260可將ASE 201用作信標以導引腔室261之光軸及/或氣體放電台220(例如，MO腔)之光軸的軸線校正。光學放大器260可包括腔室261、氣體放電介質263及腔室調節器265。氣體放電介質263可安置於腔室261內，且腔室261可安置於腔室調節器265上。
腔室261可經組態以將氣體放電介質263固持於第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b內。腔室261可包括第一腔室光學埠262a及與第一腔室光學埠262a相對的第二腔室光學埠262b。在一些實施例中，第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b可形成腔室261之光軸。
如圖3中所示，第一腔室光學埠262a可與輸入/輸出光學元件250光通信。第一腔室光學埠262a可包括第一腔室壁261a、第一腔室窗口266a及第一腔室孔徑264a。在一些實施例中，如圖3中所示，第一腔室孔徑264a可為矩形開口。
如圖4中所示，第二腔室光學埠262b可與光譜特徵調節器270光通信。第二腔室光學埠262b可包括第二腔室壁261b、第二腔室窗口266b及第二腔室孔徑264b。在一些實施例中，如圖4中所示，第二腔室孔徑264b可矩形開口。在一些實施例中，腔室261之光軸穿過第一腔室孔徑264a及第二腔室孔徑264b。
氣體放電介質263可經組態以輸出ASE 201(例如，193nm)及/或光束202(例如，193nm)。在一些實施例中，氣體放電介質263可包括用於準分子雷射之氣體(例如，Ar2、Kr2、F2、Xe2、ArF、KrCl、KrF、XeBr、XeCl、XeF等)。舉例而言，氣體放電介質263可包括ArF或KrF，且在自腔室261中之周圍電極(未展示)激發(例如，施加電壓)時，經由第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b輸出ASE 201(例如，193nn)及/或光束202(例如，193nm)。在一些實施例中，氣體放電台220可包括經組態以在腔室261中之電極(未展示)兩端施加高壓電脈衝的電壓電源供應器(未展示)。
腔室調節器265可經組態以空間(例如，橫向、成角度地等)調節腔室261之光軸(例如，沿第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b)。如圖2中所示，腔室調節器265可耦接至腔室261及第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b。在一些實施例中，腔室調節器265可具有六個自由度(例如，6軸)。舉例而言，腔室調節器265可包括一或多個線性 馬達及/或致動器，從而以六個自由度(例如，前/後、上/下、左/右、橫擺、間距、橫滾)提供腔室261之光軸之調整。在一些實施例中，腔室調節器265可橫向且成角度地調節腔室261，以將腔室261之光軸(例如，沿第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b)與氣體放電台220(例如，MO腔)之光軸對準。舉例而言，如圖2中所示，氣體放電台220(例如，MO腔)之光軸可藉由腔室261之光軸(例如，沿第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b)、輸入/輸出光學元件250(例如，OC孔徑252)及光譜特徵調節器270(例如，LNM孔徑272)界定。
輸入/輸出光學元件250可經組態以與第一腔室光學埠262a光通信。在一些實施例中，輸入/輸出光學元件250可為經組態以部分反射光束並形成第一光共振器228的光學耦合器(OC)。舉例而言，OC先前已在2011年2月8日發佈的美國專利第7,885,309號中描述，該美國專利全部內容以引用的方式併入本文中。如圖2中所示，輸入/輸出光學元件250可包括第一光共振器元件254，以將光引導(例如，反射)至光學放大器260，且將來自光學放大器260的光(例如，光束202、ASE 201)傳輸出氣體放電台220(例如，MO腔)。
如圖3中所示，輸入/輸出光學元件250可包括OC孔徑252及第一光共振器元件254。第一光共振器元件254可經組態以相對於腔室261(例如，第一腔室光學埠262a)在豎直及/或水平方向上經由OC孔徑252成角度地調節(例如，翻轉及/或傾斜)光。在一些實施例中，OC孔徑252可為矩形開口。在一些實施例中，氣體放電台220之對準可基於第一腔室孔徑264a與OC孔徑252之對準。在一些實施例中，第一光共振器元件254可成角度地調節(例如，翻轉及/或傾斜)輸入/輸出光學元件250，使得來自輸 入/輸出光學元件250之反射平行於氣體放電台220(例如，MO腔)之光軸。在一些實施例中，第一光共振器元件254可為能夠進行角調整(例如，翻轉及/或傾斜)之可調整鏡面(例如，部分反射器、光束分光器等)。在一些實施例中，OC孔徑252可為固定的，且第一光共振器元件254可進行調節。在一些實施例中，OC孔徑252可進行調節。舉例而言，OC孔徑252可相對於腔室261在豎直及/或水平方向上進行空間調節。
光譜特徵調節器270(例如，LNM)可經組態以與第二腔室光學埠262b光通信。在一些實施例中，光譜特徵調節器270可為經組態以將光譜線窄化提供至光束的線窄化模組(LNM)。舉例而言，LNM先前已在2012年2月28日發佈的美國專利第8,126,027號中描述，該美國專利全部內容以引用的方式併入本文中。
如圖2中所展示，光譜特徵調節器270可包括第二光共振器元件224，以將來自光學放大器260的光(例如，光束202、ASE 201)向著輸入/輸出光學元件250引導(例如，反射)回至光學放大器260。
如圖4中所示，光譜特徵調節器270可包括LNM孔徑272及傾斜角度調變器(TAM)274。TAM 274可經組態以相對於腔室261(例如，第二腔室光學埠262b)在豎直及/或水平方向上經由LNM孔徑272成角度地調節光。在一些實施例中，LNM孔徑272可為矩形開口。在一些實施例中，氣體放電台220之對準可基於第二腔室孔徑264b與LNM孔徑272之對準。在一些實施例中，TAM 274可成角度地調節(例如，翻轉及/或傾斜)光譜特徵調節器270，使得來自光譜特徵調節器270之反射平行於氣體放電台220(例如，MO腔)之光軸。在一些實施例中，TAM 274可包括能夠進行角調整(例如，翻轉及/或傾斜)的可調整鏡面(例如，部分反射器、 光束分光器等)及/或可調整稜鏡。在一些實施例中，LNM孔徑272可為固定的且TAM 274可進行調節。在一些實施例中，LNM孔徑272可進行調節。舉例而言，LNM孔徑272可相對於腔室261在豎直及/或水平方向上進行空間調節。
在一些實施例中，TAM 274之可調節鏡面(例如，部分反射器、光束分光器等)及/或可調節稜鏡可包括複數個稜鏡276a-d。稜鏡276a-d可經致動以操控入射光在第二光共振器元件224上的入射角，該第二光共振器元件224可用以選擇波長之窄帶以沿光學路徑反射回去。在一些實施例中，稜鏡276a可裝配有具有有限步進解析度的步進電機，且可用於粗略波長控制。稜鏡276b可使用壓電換能器(PZT)致動器來致動，其相較於稜鏡276a提供經改良解析度及頻寬。在操作中，控制器290可在雙台組態中使用稜鏡276a、276b。
LAM 230可經組態以監視光束(例如，光束202、成像光206)之線中心(例如，中心波長)。LAM 230可經進一步組態以監視用於度量衡波長量測的光束(例如，ASE 201、光束202、成像光206)之能量。舉例而言，LAM先前已在2011年2月8日發佈的美國專利第7,885,309號中描述，該美國專利全部內容以引用的方式併入本文中。
如圖2中所示，LAM 230可光學地耦接至氣體放電台220及/或MoWEB 240。在一些實施例中，LAM 230可安置於氣體放電台220與MoWEB 240之間。舉例而言，如圖2中所示，LAM 230可光學地直接耦接至MoWEB 240，且光學地耦接至氣體放電台220。在一些實施例中，如圖2中所示，光束分光器212可經組態以向著PRA台280引導ASE 201及/或光束202，且向著成像裝置引導ASE 201及/或光束202。在一些實施例 中，如圖2中所示，光束分光器212可安置於MoWEB 240中。
MoWEB 240可經組態以向光束(例如，光束202、成像光206)提供光束成形。MoWEB 240可經進一步組態以監視光束(例如，ASE 201、光束202、成像光206)之前向及/或後向傳播。舉例而言，MoWEB先前已在2011年2月8日發佈的美國專利第7,885,309號中描述，該美國專利全部內容以引用的方式併入本文中。如圖2中所示，MoWEB 240可光學地耦接至LAM 230。在一些實施例中，LAM 230、MoWEB 240及/或成像裝置可經由單個光學配置光學地耦接至氣體放電台220。
控制器290可經組態以與輸入/輸出光學元件250、腔室調節器265及/或光譜特徵調節器270通信。在一些實施例中，控制器290可經組態以將第一信號292提供至輸入/輸出光學元件250，將第二信號294提供至光譜特徵調節器270，且將第三信號296提供至腔室調節器265。在一些實施例中，控制器290可經組態以將信號(例如，第一信號292及/或第二信號294)提供至輸入/輸出光學元件250及/或光譜特徵調節器270，且基於來自成像裝置400之輸出(例如，二維(2D)影像比較)調節輸入/輸出光學元件250(例如，調節第一光共振器元件254)及/或光譜特徵調節器270(例如，調節TAM 274)。
在一些實施例中，第一光共振器元件254、腔室調節器265及/或TAM 274可與控制器290實體及/或電子通信(例如，第一信號292、第二信號294及/或第三信號296)。舉例而言，第一光共振器元件254、腔室調節器265及/或TAM 274可藉由控制器290(例如，橫向及/或成角度地)調節以將腔室261之光軸(例如，沿第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b)與藉由輸入/輸出光學元件250(例如，OC孔徑252)及光譜特徵調節 器270(例如，LNM孔徑272)界定的氣體放電台220(例如，MO腔)之光軸對準。
通常，調諧發生在LNM中。用於線窄化及雷射調諧之典型技術係在雷射之放電腔的背部處提供窗口，雷射光束之一部分經由該窗口傳遞至LNM中。此處，光束之部分經稜鏡光束擴展器擴展且引導至光柵，在該光柵經放大時，其將雷射之更廣光譜的狹窄的選定部分反射回放電腔室中。通常，雷射藉由使用諸如(例如)壓電致動器之致動器來改變光束照明光柵的角度來調諧。
因此，主要波長致動器為LNM。如上文所論述，LNM可包括複數個稜鏡276a-d及第二光共振器元件224(例如，光柵)。複數個稜鏡276a-d可經致動以操控入射光在第二光共振器元件224上的入射角，該第二光共振器元件224可用來選擇波長之窄帶以沿光學路徑反射回去。在一些實施例中，入射角之量值可控制所選定波長。
在一些實施例中，為控制入射角之量值，且因此控制選定波長，可使用複數個稜鏡276a-d調節最終入射角。舉例而言，稜鏡276a相比於276b對最終入射角可具有更大控制。亦即，在一些實施例中，控制器290在雙台組態中使用稜鏡276a、276b，其中稜鏡276a用於大的跳變且用以降低稜鏡276b飽和度，其用於最終入射角之更精細變化。控制稜鏡276a、276b對於MFI操作尤其重要，該等MFI操作需要圍繞設定點的更多調節，且實情為，除了精確控制正弦波之中心點(亦即，中心波長)外還需要精確追蹤奈奎斯特頻率下的正弦波。存在用於控制成像操作之中心波長的程序，諸如MFI操作。
多焦點成像操作可包括雙色模式。在雙色模式下，波長目 標可在叢發(例如，每一脈衝)內之兩個已知設定點之間交替，且可使用PZT以追蹤快速變化的目標。如上文所闡述，對於一些應用，能夠進行具有一個波長之一或多個脈衝且接著能夠切換以產生具有不同波長之一或多個脈衝係有益的。
在一些實施例中，程序提供用於在叢發期間移動控制稜鏡276b之移動的致動器。亦即，程序提供用於處理中心波長之變化的叢發內解決方案。根據另一態樣，致動器之動態模型用於計算致動致動器以最小化實際波長與波長目標之間的差值之最佳控制波形。
在一些實施例中，顫動波形(或序列)可與用於移動稜鏡276b之致動器的偏移組合。舉例而言，顫動波形可為用以使量化隨機化的雜訊之施加形式。可在叢發結束(EOB)及/或以設定脈衝間隔更新偏移。在一些實施例中，EOB更新可移動稜鏡276b之致動器，以將藉由取整個叢發之波長量測結果的平均值而獲得的估計中心波長漂移清零。在一些實施例中，間隔更新可基於評估程序。
可使用若干方法中之任一者來計算最佳控制波形。舉例而言，最佳控制波形可使用動態規劃來計算。此方法非常適於處理含有非線性動力學之複雜模型。若採用具有強非線性動力學之致動器模型，則動態規劃可用於產生用於給定波長目標之最佳控制信號。然而，動態規劃確實呈現挑戰：其需要可能並不可即時實施之相當大的計算資源。為克服此情況，可使用含有可操作資源之不同重複率中之至少一些的最佳控制參數之諸如預填入查找表或經預程式化場可程式化閘陣列(FPGA)之資料儲存器件。
作為另一實例，可使用模型反轉前饋控制來判定最佳控制 波形。此方法依賴於致動器動態模型來建構反轉致動器動態之數位濾波器。藉由使所需致動器軌跡之所需波形穿過此濾波器，可即時地產生最佳控制波形以達成零穩態誤差追蹤。
作為另一實例，用以用穩定方式達成兩個單獨波長之最佳解決方案係使用學習演算法來實現，以通過學習之若干次反覆保證誤差收斂。本文中所揭示之系統及方法的實施例有可能達成以1000fm分離之兩個單獨波長，其中分離度誤差低於20fm。
根據另一態樣，最佳控制波形可藉由使用FPGA以極高速率饋送至致動器。
控制系統可包括前饋控制及反覆學習控制(ILC)之組合。如圖5中所示，如下文將描述，前饋控制信號A由ILC模組300使用來自串流傳輸資料獲取單元330之波長量測及ILC校正/更新定律來脫機計算。頻寬波長控制模組(BWCM)340使用前饋控制信號A來更新諸如BWCM 340中所包括之FPGA的資料儲存單元中之預定義資料。BWCM 340隨後在雷射脈衝時例如在60kHz下致動PZT 350。雷射輻射之波長藉由線中心(中心波長)分析模組(LAM)360及點火控制平台或處理器(FCP)370來量測，且在6kHz下將波長量測收集至資料獲取單元330中。
應瞭解，圖5中所示之系統可經組態為涵蓋多個頻率方案。虛線框內部之區域表示基本上可脫機發生之程序。PZT 350可在約60kHz下驅動。波長資料可在約6kHz下獲得。
為了考慮對PZT電壓之改變的約束，具有約束之二次規劃可用於幫助尋找可實行操作區內之最佳前饋信號。二次規劃為尋找在數學上具有約束之給定二次成本函數的最佳解之技術。
標準QP求解器可運用以下結構解決問題：
Figure 110146875-A0305-02-0026-1
s.t.LX
Figure 110146875-A0305-02-0026-8
b
其中X為除了其必須滿足LX
Figure 110146875-A0305-02-0026-10
b外可自由選擇的設計參數。換言之，QP求解器尋找最小化由LX
Figure 110146875-A0305-02-0026-9
b定義之可實行區內的成本函數之最佳X。
在本文所描述之本申請中，目標為尋找滿足致動器約束同時最小化致動器位置與所需控制波形之間的誤差之前饋控制。PZT動態可以以下狀態空間形式表示：x(k+1)=Ax(k)+Bu(k)
y(k+1)=Cx(k+1)
其中A、B、C分別為描述PZT動力學之狀態矩陣、輸入矩陣及輸出矩陣；x為狀態向量、u為輸入向量，且y為來自PZT之輸出。
代入以上動態模型，可將原始成本函數重寫為
Figure 110146875-A0305-02-0026-7
s.t.DU
Figure 110146875-A0305-02-0026-11
l
此適合標準QP形式，其中
Figure 110146875-A0305-02-0026-6
且P描述PZT輸入輸出動力學，Q為加權函數，R表示所需控制波形，D表示致動器約束，且l為對致動器約束之臨限值。
ILC為追蹤用於在重複模式下工作之系統的控制之方法。在此等任務中之每一者中，需要系統以高精度且反覆執行同一動作。此動作由在有限時間間隔內準確追蹤所選參考信號之目標表示。重複允許系統 改良自重複至重複之追蹤準確度，以實際上學習準確地追蹤參考所需的所需輸入。學習程序使用來自先前重複之資訊以改良控制信號，最終能夠反覆地找到合適的控制動作。內部模型原理產生可達成完美追蹤之條件，但控制演算法之設計仍需要作出許多決策以適應應用。
根據另一態樣，ILC控制可藉由以下等式描述：U k =U k-1+LE k-1
其中U k 為在第k反覆處所使用之前饋控制信號，L為規定ILC演算法的收斂之學習函數，且E k 為在第k反覆處之誤差。
ILC控制之穩定性及收斂特性可藉由將ILC控制定律與系統之動態模型組合而導出為E k =(I-PL)E k-1
其中P為描述系統之輸入輸出關係的矩陣，且I為單位矩陣。若(I-PL)之所有本徵值的絕對值小於1，則保證了穩定性。收斂速率亦藉由矩陣(I-PL)判定。若(I-PL)=0，則誤差將在一次反覆之後收斂至0。
圖6為展示根據一實施例之一個態樣的控制輻射源之方法的流程圖。在步驟S100中，脈衝之前一叢發已結束。在步驟S110中，藉由將其預定位至在其應定位以產生具有第一重複率/第一頻率之脈衝的位置與其應定位以產生具有第二重複率/第二頻率之脈衝的位置之間的位置來準備致動器。在步驟S120中，使用上文所描述之技術中之一或多者來計算最佳控制波形。在步驟S130中，判定是否已觸發新叢發。若「是」已觸發新叢發，則在步驟S140中，在命令重複率及頻率下進行的操作之參數使用例如FPGA中繼至源。在步驟S150中，判定當前叢發是否已結 束。若當前叢發尚未結束，則重複步驟S140。若叢發已結束，則程序在步驟S160處結束。
圖7展示藉由ILC執行的用於用初始QP前饋控制信號計算其更新定律之方法。在步驟S210中，使用二次規劃以產生初始前饋控制信號。在步驟S220中，使用前饋控制信號以激發雷射。在步驟S230中，判定前饋信號中之誤差是否已經收斂。若誤差尚未收斂，則在步驟S250中使用反覆學習以更新控制信號。隨後在步驟S220中，使用新控制信號以激發雷射。若誤差已收斂，則程序在步驟S240中結束。
如所提及，通常，MFI演算法假定雷射將僅以(或實質上接近)6kHz在MFI模式下操作，且因此校準及最佳化用於PZT顫動的基礎波形以在此單個操作點處發揮效能。因為演算法預期每一連續場之重複率類似於先前場之重複率，故例如在晶圓之邊緣處或甚至在晶圓場之中心處包括較低重複率場會將持久破壞引入至學習補償中，其將造成晶圓報廢或致使劑量控制器無法解決問題，從而停止生產。
為了解決此問題，根據一實施例之一態樣，基於重複率或包括重複率之範圍而判定待使用之波形之參數(例如，振幅、相位)，而非使用單個經校準基礎波形。可基於重複率在運行中計算波形。可格化儲存波形，亦即取決於若干範圍中之哪一範圍包括當前命令需要重複率，自諸如加載至韌體之查找表的記憶體中選擇。該波形可使用場可程式化閘陣列來判定。此使得能夠擴展MFI之可用重複率範圍。
圖8展示待施加於致動器以達成交替的雙色脈衝之波形800，亦即包括具有一個色彩之第一脈衝與具有第二色彩之第二脈衝交替的叢發。X軸展示以毫秒為單位之時間。Y軸展示任意單位之波形800之振 幅。圓圈810表示來自雷射之個別脈衝或發射。上部水平線820指示當推測發生具有第一色彩之脈衝時致動器之目標位置。下部水平線830指示當發生具有第二色彩之脈衝時致動器之目標位置。在圖8中所示之理想情況下，波形800之最小值及最大值與目標位準處之脈衝重合。
圖9A展示使用可在特定重複率下提供令人滿意的結果之波形導致在另一重複率下的次佳操作之情況。此處，次佳操作為導致在波形已假定其目標值之後發生脈衝之恆定相位偏移。在此等情形下，具有增大之最大振幅絕對值的波形被命令，如圖9B中所示，使得當發生脈衝時波形處於其目標值。
圖10A展示使用可在特定重複率下提供令人滿意的結果之波形導致在另一重複率下的次佳操作之情況的另一實例。此處，次佳操作為可變相位偏移，其再次導致在波形已假定在序列(叢發)中之稍後脈衝中之其目標值之後發生脈衝。在此等情形下，具有隨時間增加之最大絕對值的振幅的波形被命令，如圖10B中所示，使得當發生脈衝時波形處於其目標值。
圖11為展示用於提供適合於當前重複率之波形的程序之流程圖。叢發在步驟S800處開始。在步驟S810中，判定當前重複率(在圖式中為reprate)，且在步驟S820中判定當前重複率是否不同於用於緊接在前一叢發中之重複率。若重複率並非新的，則在步驟S830中，保持使用當前波形。若重複率為新的，則在步驟S840中判定新波形(亦即，新波形之一或多個參數)，且在步驟S850中，使用新波形。如所提及，在執行步驟直至判定是否正使用新重複率期間，可使用過渡或「第一觸發」波形，其可為(例如)來自先前叢發之重複率或已知在叢發之初始脈衝期間令人滿意 地操作的通用預設波形。若針對兩個不同重複率同一波形為最佳，則新波形將與現有波形相同係可能的。
如所提及，根據一實施例之另一態樣，因為由重複率之變化引起的技術問題在給定叢發之稍後脈衝中往往會變得更明顯，故第一觸發波形可用於叢發中之預定數目個初始脈衝，例如每一叢發之第一脈衝的「格雷斯週期」或足夠脈衝以準確地判定重複率。舉例而言，此可為兩個或三個脈衝。第一觸發波形可為(例如)預設波形。第一觸發波形可為用於先前叢發之後一部分的波形。將使用第一觸發波形直至可判定最適當波形為止。
圖12A為用於基於當前重複率選擇新波形之系統860的概念圖。在圖12A中所示之系統中，新重複率用作依據重複率計算波形之函數的輸入變數。可針對給定系統探索地判定此函數。替代地，如圖12B中所示，用於基於重複率選擇最佳波形之系統870可包括查找表880，其列舉來自例如以十分之一千赫茲格化儲存之各種重複率的波形W1、W2等之參數。可藉由如以上一個實例中所示之振幅、振幅隨著時間之變化(亦展示為以上實例)、相位或頻率來參數化波形。系統亦可實施為場可程式化閘陣列。圖12B之重複率在5kHz至7kHz範圍內，其中如所提及，以0.10kHz組進行格化儲存。然而，一般熟習此項技術者應瞭解，可使用不同範圍，可使用不同中心點，且可使用不同組大小。
關於ILC演算法，根據一實施例之另一態樣，學習的校正亦可藉由重複率格化儲存。類似於上文所描述之彼等方法的方法可用以橋接叢發之第一脈衝與判定重複率，亦即鎖存重複率估計之脈衝之間的間隙。
圖13為展示用於提供適合於當前重複率之ILC校正之程序的流程圖。叢發在步驟S900處開始。在步驟S910中，判定當前重複率(在圖式中為reprate)，且在步驟S920中判定當前重複率是否不同於用於緊接在前一叢發中之重複率。若重複率並非新的，則在步驟S930中，保持使用當前ILC校正。然而，若重複率為新的，則在步驟S940中，判定新ILC校正且在步驟S950中，使用新ILC校正。如所提及，對於直至判定是否正使用新重複率的步驟，可使用過渡ILC校正，其可為(例如)來自先前叢發之ILC校正或已知至少在叢發之初始脈衝期間令人滿意的效能之一般預設ILC校正。若對於兩個不同重複率同一ILC校正為最佳，則新ILC校正將與現有ILC校正相同係可能的。
如所提及，根據一實施例之另一態樣，因為由重複率之變化引起的技術問題在給定叢發之稍後脈衝中往往會變得更明顯，故過渡ILC校正可用於叢發中之預定數目個初始脈衝，例如每一叢發之前幾個脈衝或足夠脈衝以準確地判定重複率。過渡ILC校正可為(例如)預設ILC校正。過渡ILC校正可為用於先前叢發之後一部分的ILC校正。將使用過渡ILC校正直至可判定最適當的ILC校正為止。
圖14A為用於基於當前重複率選擇新ILC校正之系統960的概念圖。在圖14A中所示之系統中，新重複率用作依據重複率計算ILC校正之函數中的參數。可針對給定系統探索地判定此函數。替代地，如圖14B中所示，用於基於重複率選擇最佳ILC校正之系統970可包括查找表980，其列舉來自例如以十分之一千赫茲格化儲存之各種重複率的ILC校正C1、C2等之參數。系統970亦可實施為場可程式化閘陣列。圖14B之重複率在5kHz至7kHz範圍內，其中如所提及，以0.10kHz組進行格化儲 存。然而，一般熟習此項技術者應瞭解，可使用不同範圍，可使用不同中心點，且可使用不同組大小。
根據一實施例之一態樣，系統開始在每一叢發之第一觸發(等效地第一脈衝)時回放「第一觸發」波形。當然，系統並不識別新叢發之重複率直至新叢發之第二觸發為止。隨後，系統將新叢發之重複率識別為觸發之間的時間之倒數。此時，系統可(1)在判定當時波形針對該經判定之重複率產生可接受效能的情況下，繼續回放當時波形，或(2)在判定當時波形並不判定該經判定之重複率之可接受效能的情況下，轉變為將產生經判定之重複率之可接受效能的新波形。
換言之，
1.叢發x，脈衝1→每第一觸發波形的致動
2.叢發x，脈衝2→1)識別重複率repRate(x)；(2)基於經判定重複率選擇波形X；及3)開始每一所選擇的波形X致動
3.叢發x+1，脈衝1→每第一觸發波形的致動
4.叢發x+1，脈衝2→1)識別重複率repRate(x+1)；(2)基於經判定重複率選擇波形Y；及3)開始每一所選擇的波形Y的致動
若repRate(x)與repRate(x+1)相同(或足夠接近)，則波形Y將與波形X相同。在此背景下，「足夠接近」意謂波形X在repRate(x)及repRate(x+1)兩者下產生可接受效能。
第一觸發波形可為若干波形中之任一者。舉例而言，第一觸發波形可僅為恆定位準。第一觸發波形可為預設波形，其可經選擇為最可能經判定以用作波形Y的波形。第一觸發波形可為波形X，亦即，來自前述叢發之波形。此等僅為實例。
根據一實施例之一態樣，系統並不對重複率作出假定。實情為，判定校正波形以僅在已識別重複率之後使用。
根據一實施例之另一態樣，裝置及方法可包括在已判定叢發x+1之重複率之後，提供波形之間的控制轉變，例如(1)自叢發x之波形X至叢發x+1之第一觸發波形，及(2)自第一觸發波形至針對叢發x+1而判定之波形Y。
此轉變管理可藉由若干技術中之任一者實現。舉例而言，轉變可藉由使用交叉衰減技術來處理，其中當前波形逐漸斜出，而新波形逐漸斜入。換言之，傳出波形之負增益變化導致傳出波形之淡出。同時，新波形之正增益變化引起新波形之淡入。轉變可藉由偵測傳出波形何時越過零且在其相同方向上之零交叉中之一者開始調換新波形來處理。當振幅不變化時，轉變可藉由在時間導數為最小的局部最小值或最大值處切換來處理。此等僅為實例。當然，如所提及，轉變處理必須足夠快以使得其並不超過「格雷斯週期」，亦即進入在新叢發期間之效能開始因第一觸發波形之使用而不可接受地降級的時間。
如圖15中所示，可例如使用一或多個熟知電腦系統實施本文中的各種實施例及組件，諸如(例如)諸圖中所展示或以其他方式論述的實例實施例、系統及/或器件。電腦系統1000可為能夠執行本文中所描述之功能的任何熟知電腦。
電腦系統1000包括一或多個處理器(亦稱為中央處理單元或CPU)，諸如處理器1004。處理器1004連接至通信基礎設施或匯流排1006。
一或多個處理器1004可各自為圖形處理單元(GPU)。在一 實施例中，GPU為處理器，其為經設計以處理數學上密集型應用程式的特殊化電子電路。GPU可具有有效地用於大資料塊之並行處理的並行結構，該等資料塊諸如為電腦圖形應用程式、影像、視訊等共有的數學上密集型資料。
電腦系統1000亦包括經由使用者輸入/輸出介面1002與通信基礎架構1006通信的使用者輸入/輸出器件1003，諸如監視器、鍵盤、指標器件等。
電腦系統1000亦包括主記憶體或主要記憶體1008，諸如隨機存取記憶體(RAM)。主記憶體1008可包括一或多個層級之快取記憶體。主記憶體1008儲存有控制邏輯(亦即，電腦軟體)及/或資料。
電腦系統1000亦可包括一或多個次要儲存器件或記憶體1010。次要記憶體1010可包括例如硬碟機1012及/或抽取式儲存器件或磁碟機1014。抽取式儲存磁碟機1014可為軟碟機、磁帶機、緊密光碟機、光學儲存器件、磁帶備份器件，及/或任何其他儲存器件/磁碟機。
抽取式儲存磁碟機1014可與抽取式儲存單元1018互動。抽取式儲存單元1018包括其上儲存有電腦軟體(控制邏輯)及/或資料的電腦可用或電腦可讀儲存器件。抽取式儲存單元1018可為軟碟、磁帶、緊密光碟、DVD、光學儲存碟，及/任何其他電腦資料儲存器件。抽取式儲存磁碟機1014以熟知方式自抽取式儲存單元1018讀取及/或寫入至抽取式儲存單元1018。
根據例示性實施例，次要記憶體1010可包括用於允許電腦程式及/或其他指令及/或資料待由電腦系統1000存取的其他構件、工具或其他方法。舉例而言，此類構件、工具或其他方法可包括抽取式儲存單元 1022及介面1020。抽取式儲存單元1022及介面1020的實例可包括程式匣及匣介面(諸如，在視訊遊戲器件中發現的程式匣及匣介面)、抽取式記憶體晶片(諸如，EPROM或PROM)及相關聯插口、記憶棒及USB埠、記憶卡及相關聯記憶卡插槽，及/或任何其他抽取式儲存單元及相關聯介面。
電腦系統1000可進一步包括通信或網路介面1024。通信介面1024使得電腦系統1000能夠與遠端器件、遠端網路、遠端實體等(以參考編號1028個別地及共同地參考)之任何組合通信及互動。舉例而言，通信介面1024可允許電腦系統1000經由通信路徑1026與遠端器件1028通信，該通信路徑1026可為有線及/或無線的且可包括LAN、WAN、網際網路等之任何組合。控制邏輯及/或資料可經由通信路徑1026傳輸至電腦系統1000及自該電腦系統1000傳輸。
在實施例中，包含其上儲存有控制邏輯(軟體)之有形電腦可用或可讀媒體的有形裝置或製品在本文中亦稱作電腦程式產品或程式儲存器件。此有形裝置或製品包括(但不限於)電腦系統1000、主記憶體1008、次要記憶體1010及抽取式儲存單元1018及1022，以及體現前述各者之任何組合的有形製品。此控制邏輯在由一或多個資料處理器件(諸如，電腦系統1000)執行時致使此等資料處理器件如本文中所描述進行操作。
基於本發明中含有之教示，如何使用除圖15中所示之資料處理器件、電腦系統及/或電腦架構之外的資料處理器件、電腦系統及/或電腦架構來製造及使用本發明之實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。特定言之，實施例可運用除本文中所描述之軟體、硬體及/或操作系統實施之外的軟體、硬體及/或操作系統實施而操作。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但將瞭解，實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入至經供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措詞將由熟習相關技術者按照本文中之教示進行解釋。
如本文中所使用之術語「基板」描述在其上添加材料層之材料。在一些實施例中，可圖案化基板自身，且亦可圖案化添加於基板之頂部上之材料，或可保持不圖案化。
以下實例為說明性的而非限制本發明之實施例。領域中通常遇到的且對熟習相關技術者將顯而易見的各種條件及參數之其他合適修改及調適在本發明之精神及範疇內。
儘管可在本文中特定地參考裝置及/或系統在IC製造中的使用，但應明確理解，此類裝置及/或系統具有多種其他可能的應用。舉例而言，其可用於製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之引導及偵測圖案、LCD面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之內容背景中，本文中之術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被視為分別由更一般術語「遮罩」、「基板」及「目標部分」替代。
雖然上文已描述特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之 方式不同的其他方式來實踐實施例。描述不意欲限制申請專利範圍之範疇。
應瞭解，實施方式章節而非發明內容及發明摘要章節意欲用於解釋申請專利範圍。發明內容及發明摘要章節可闡述如由發明者預期的一或多個但並非所有例示性實施例，且因此，並不意欲以任何方式限制實施例及所附申請專利範圍。
上文已憑藉說明指定功能及其關係之實施的功能建置區塊來描述實施例。為了便於描述，本文已任意地定義此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可定義替代邊界。
對特定實施例之前述描述將因此完全地揭露實施例之一般性質：在不脫離實施例之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效物的含義及範圍內。
實施例之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據所附申請專利範圍及其等效物進行界定。
可使用以下條項進一步描述實施例：
1.一種雷射系統，其包含：一觸發電路，其用於在至少兩個叢發中激發該雷射系統，一第一叢發包括以一第一重複率激發之複數個第一叢發脈衝，且一第二叢發包括以一第二重複率激發之複數個第二叢發脈衝；一波長控制器件，其經調適以回應於一第一施加波形而控制該等第一叢發脈衝中之每一者的一各別波長且回應於一第二施加波形而控制該等 第二叢發脈衝中之每一者的一各別波長；及一比較器，其用於執行該第二重複率與該第一重複率之間的一比較，且用於至少部分地基於該比較而判定該第二施加波形之一或多個參數。
2.如條項1之雷射系統，其中若該第二重複率不同於該第一重複率，則該比較器判定使用不同於該第一施加波形之一第二施加波形。
3.如條項1之雷射系統，其中若該第二重複率與該第一重複率相同，則該比較器判定使用與該第一施加波形相同的一第二施加波形。
4.如條項3之雷射系統，其中該比較器使用該第二重複率作為一輸入來計算該第二施加波形之一或多個參數。
5.如條項3之雷射系統，其中該比較器包含至少部分地基於該第二重複率判定該第二施加波形之一或多個參數的一場可程式化閘陣列。
6.如條項3之雷射系統，其中該比較器包含具有一查找表之一記憶體，且其中該查找表基於該第二重複率傳回該第二施加波形之一或多個參數。
7.如條項6之雷射系統，其中該一或多個參數包括該第二施加波形之一振幅之一量值。
8.如條項6之雷射系統，其中該一或多個參數包括該第二施加波形之一振幅之一量值的一時間變化。
9.如條項6之雷射系統，其中該一或多個參數包括對該第二施加波形之一回饋演算法的一校正。
10.如條項9之雷射系統，其中該回饋演算法為一反覆學習控制演算法。
11.如條項9之雷射系統，其中該比較器在該第二叢發中之複數個觸發脈衝已用於計算該第二重複率之後將該第二施加波形施加於該第二叢發。
12.如條項11之雷射系統，其中該比較器在該第二叢發中之該第三脈衝已用於計算該第二重複率之前將該第二施加波形施加於該第二叢發。
13.如條項9之雷射系統，其中該比較器在該第二叢發中之該複數個觸發脈衝已用於計算該第二重複率之後將在該第一叢發期間所施加之一第一觸發波形施加於該第二叢發。
14.如條項13之雷射系統，其中該比較器將該第一施加波形施加為該第一觸發波形。
15.如條項13之雷射系統，其中該比較器將一預設波形施加為該第一觸發波形。
16.如條項13之雷射系統，其中該比較器將一恆定位準施加為該第一觸發波形。
17.如條項13之雷射系統，其進一步包含用於管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變之一轉變管理單元。
18.如條項17之雷射系統，其中該轉變管理單元藉由使該第一觸發波形與該第二施加波形交叉淡化來管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的該轉變。
19.如條項17之雷射系統，其中該轉變管理單元藉由在該第一觸發波形之一零交叉處自該第一觸發波形切換至該第二施加波形來管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的該轉變。
20.如條項17之雷射系統，其中該轉變管理單元藉由在該第一觸發波 形之一局部最大值或最小值處自該第一觸發波形切換至該第二施加波形來管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的該轉變。
21.一種控制一雷射系統之方法，該方法包含：在包括以一第一重複率激發之複數個第一叢發脈衝的一第一叢發中激發該雷射系統；起始在包括複數個第二叢發脈衝之一第二叢發中激發該雷射系統同時判定激發該等第二叢發脈衝之一第二重複率；使用該第二重複率以判定用於判定該等第二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數；及將該第二叢發波形施加於該致動器。
22.如條項21之方法，其中使用該第二重複率以判定一第二叢發波形之一或多個參數包含判定不同於一第一叢發波形之一或多個參數的該第二叢發波形之一或多個參數。
23.如條項21之方法，其中使用該第二重複率以判定一第二叢發波形之一或多個參數包含判定與一第一叢發波形之該等參數相同的該第二叢發波形之參數。
24.如條項21之方法，其中使用該第二重複率以判定用於判定該等第二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數包含使用該第二重複率作為一輸入來計算該第二叢發波形之參數。
25.如條項21之方法，其中使用該第二重複率以判定用於判定該等第二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數包含使用該第二重複率作為至一場可程式化閘陣列之一輸入以判定該第二叢發波形之參數。
26.如條項21之方法，其中使用該第二重複率以判定用於判定該等第 二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數包含使用該第二重複率在一查找表中查找該第二叢發波形的參數。
27.如條項21之方法，其中該一或多個參數包括該第二叢發波形之一振幅的一量值。
28.如條項21之方法，其中該一或多個參數包括該第二叢發波形之一振幅之一量值的一時間變化。
29.如條項21之方法，其中該一或多個參數包括對用於該第二叢發波形之一回饋演算法之一校正。
30.如條項29之方法，其中該回饋演算法為一反覆學習控制演算法。
31.如條項21之方法，其進一步包含在使用該第二重複率以判定用於判定該等第二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數之前使用該第二叢發中之複數個第一觸發脈衝來計算該第二重複率。
32.如條項31之方法，其進一步包含在該第二叢發中之該複數個第一觸發脈衝用於計算該第二重複率期間將一第一觸發波形施加於該第二叢發。
33.如條項32之方法，其中施加一第一觸發波形包含施加該第一叢發波形。
34.如條項32之方法，其中施加一第一觸發波形包含施加一預設波形。
35.如條項32之方法，其中施加一第一觸發波形包含在該第二叢發中之該複數個第一觸發脈衝用於計算該第二重複率期間將一第一觸發波形施加於該第二叢發。
36.如條項32之方法，其中施加一第一觸發波形包含將在該第一叢發 期間施加之一第一施加波形施加為該第一觸發波形。
37.如條項32之方法，其中施加一第一觸發波形包含將一預設波形施加為該第一觸發波形。
38.如條項32之方法，其中施加一第一觸發波形包含將一恆定位準施加為該第一觸發波形。
39.如條項32之方法，其進一步包含管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變。
40.如條項39之方法，其中管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變包含使該第一觸發波形與該第二施加波形交叉淡化。
41.如條項39之方法，其中管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變包含在該第一觸發波形之一零交叉處自該第一觸發波形切換至該第二施加波形。
42.如條項39之方法，其中管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變包含在該第一觸發波形之一局部最大值或最小值處自該第一觸發波形切換至該第二施加波形。
S800: 步驟 S810: 步驟 S820: 步驟 S830: 步驟 S840: 步驟 S850: 步驟

Claims (40)

  1. 一種雷射系統，其包含：一觸發電路，其用於在至少兩個叢發中激發(firing)該雷射系統，一第一叢發包括以一第一重複率激發之複數個第一叢發脈衝，且一第二叢發包括以一第二重複率激發之複數個第二叢發脈衝；一波長控制器件，其經調適以回應於一第一施加波形而控制該等第一叢發脈衝中之每一者的一各別波長且回應於一第二施加波形而控制該等第二叢發脈衝中之每一者的一各別波長；及一比較器，其用於執行該第二重複率與該第一重複率之間的一比較，且用於至少部分地基於該比較而判定該第二施加波形之一或多個參數，其中該比較器在該第二叢發中之複數個觸發脈衝已用於計算該第二重複率之後將該第二施加波形施加於該第二叢發。
  2. 如請求項1之雷射系統，其中若該第二重複率不同於該第一重複率，則該比較器判定使用不同於該第一施加波形之一第二施加波形。
  3. 如請求項1之雷射系統，其中若該第二重複率與該第一重複率相同，則該比較器判定使用與該第一施加波形相同的一第二施加波形。
  4. 如請求項3之雷射系統，其中該比較器使用該第二重複率作為一輸入來計算該第二施加波形之一或多個參數。
  5. 如請求項3之雷射系統，其中該比較器包含至少部分地基於該第二重複率判定該第二施加波形之一或多個參數之一場可程式化閘陣列。
  6. 如請求項3之雷射系統，其中該比較器包含具有一查找表之一記憶體，且其中該查找表基於該第二重複率而傳回該第二施加波形之一或多個參數。
  7. 如請求項6之雷射系統，其中該一或多個參數包括該第二施加波形之一振幅之一量值。
  8. 如請求項6之雷射系統，其中該一或多個參數包括該第二施加波形之一振幅之一量值的一時間變化。
  9. 如請求項6之雷射系統，其中該一或多個參數包括對該第二施加波形之一回饋演算法之一校正。
  10. 如請求項9之雷射系統，其中該回饋演算法為一反覆學習控制演算法。
  11. 如請求項1之雷射系統，其中該比較器在該第二叢發中之該第三脈衝已用於計算該第二重複率之前將該第二施加波形施加於該第二叢發。
  12. 如請求項9之雷射系統，其中該比較器在該第二叢發中之該複數個觸 發脈衝已用於計算該第二重複率之後將在該第一叢發期間所施加之一第一觸發波形施加於該第二叢發。
  13. 如請求項12之雷射系統，其中該比較器將該第一施加波形施加為該第一觸發波形。
  14. 如請求項12之雷射系統，其中該比較器將一預設波形施加為該第一觸發波形。
  15. 如請求項12之雷射系統，其中該比較器將一恆定位準施加為該第一觸發波形。
  16. 如請求項12之雷射系統，其進一步包含用於管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變之一轉變管理單元。
  17. 如請求項16之雷射系統，其中該轉變管理單元藉由使該第一觸發波形與該第二施加波形交叉淡化來管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的該轉變。
  18. 如請求項16之雷射系統，其中該轉變管理單元藉由在該第一觸發波形之一零交叉處自該第一觸發波形切換至該第二施加波形來管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的該轉變。
  19. 如請求項16之雷射系統，其中該轉變管理單元藉由在該第一觸發波形之一局部最大值或最小值處自該第一觸發波形切換至該第二施加波形來管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的該轉變。
  20. 一種控制一雷射系統之方法，該方法包含：在包括以一第一重複率激發之複數個第一叢發脈衝的一第一叢發中激發該雷射系統；在包括複數個第二叢發脈衝之一第二叢發中開始激發該雷射系統，同時判定激發該等第二叢發脈衝之一第二重複率；使用該第二叢發中之複數個第一觸發脈衝來計算該第二重複率，且之後使用該第二重複率以判定用於決定該等第二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數；及將該第二叢發波形施加於該致動器。
  21. 如請求項20之方法，其中使用該第二重複率以判定一第二叢發波形之一或多個參數包含：判定不同於一第一叢發波形之一或多個參數的該第二叢發波形之一或多個參數。
  22. 如請求項20之方法，其中使用該第二重複率以判定一第二叢發波形之一或多個參數包含：判定與一第一叢發波形之該等參數相同的該第二叢發波形之參數。
  23. 如請求項20之方法，其中使用該第二重複率以判定用於決定該等第 二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數包含：使用該第二重複率作為一輸入來計算該第二叢發波形之參數。
  24. 如請求項20之方法，其中使用該第二重複率以判定用於決定該等第二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數包含：使用該第二重複率作為至一場可程式化閘陣列之一輸入以判定該第二叢發波形之參數。
  25. 如請求項20之方法，其中使用該第二重複率以判定用於決定該等第二叢發脈衝之波長之一致動器的一第二叢發波形之一或多個參數包含：使用該第二重複率在一查找表中查找該第二叢發波形的參數。
  26. 如請求項20之方法，其中該一或多個參數包括該第二叢發波形之一振幅的一量值。
  27. 如請求項20之方法，其中該一或多個參數包括該第二叢發波形之一振幅之一量值的一時間變化。
  28. 如請求項20之方法，其中該一或多個參數包括對用於該第二叢發波形之一回饋演算法之一校正。
  29. 如請求項28之方法，其中該回饋演算法為一反覆學習控制演算法。
  30. 如請求項20之方法，其進一步包含在該第二叢發中之該複數個第一觸發脈衝用於計算該第二重複率期間將一第一觸發波形施加於該第二叢發。
  31. 如請求項30之方法，其中施加一第一觸發波形包含：施加該第一叢發波形。
  32. 如請求項30之方法，其中施加一第一觸發波形包含：施加一預設波形。
  33. 如請求項30之方法，其中施加一第一觸發波形包含：在該第二叢發中之該複數個第一觸發脈衝用於計算該第二重複率期間將一第一觸發波形施加於該第二叢發。
  34. 如請求項30之方法，其中施加一第一觸發波形包含：將在該第一叢發期間施加之一第一施加波形施加為該第一觸發波形。
  35. 如請求項30之方法，其中施加一第一觸發波形包含：將一預設波形施加為該第一觸發波形。
  36. 如請求項30之方法，其中施加一第一觸發波形包含：將一恆定位準施加為該第一觸發波形。
  37. 如請求項30之方法，其進一步包含管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變。
  38. 如請求項37之方法，其中管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變包含：使該第一觸發波形與該第二施加波形交叉淡化。
  39. 如請求項37之方法，其中管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變包含：在該第一觸發波形之一零交叉處自該第一觸發波形切換至該第二施加波形。
  40. 如請求項37之方法，其中管理該第一觸發波形與該第二施加波形之間的一轉變包含：在該第一觸發波形之一局部最大值或最小值處自該第一觸發波形切換至該第二施加波形。
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