TWI745322B - 用於決定加工工具的加工參數的加工探針裝置與電腦實施方法 - Google Patents

用於決定加工工具的加工參數的加工探針裝置與電腦實施方法 Download PDF

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Abstract

本發明的各種範例係揭露了一種可以測量加工工具之加工特性的獨立且可編程的加工探針裝置。加工探針裝置係包括一個以上的感測器、一類比-數位轉換器及資訊處理器、一電性電源以及數位訊號通訊裝置,其中,該些元件係接附於一可撓性薄膜。所述的可撓性薄膜可以被固定於仿效半導體工件的一基板上。

Description

用於決定加工工具的加工參數的加工探針裝置與電腦實 施方法
本發明係關於半導體測試設備,更具體來說,係與用於測試半導體設備的加工資訊的方法與系統相關聯的技術的一些實施例。
本發明中的多種範例揭露了一種用於決定半導體加工工具的加工參數的裝置。隨著半導體裝置中的關鍵尺寸縮小,在加工工具中(例如,蝕刻與沉積腔室)的加工參數的精確控制(例如,加工溫度、氣體密度、離子通量)也變得更為重要。可以藉由測量半導體工件所實際經歷的加工參數,或者藉由測量半導體工件正在加工工具中經歷的加工參數來達到精確的控制。
同時,本領域中也有對於加工工具中的汙染預防的需求(例如,會使裝置劣化的金屬汙染物或屏蔽顆粒物質)。此外,對於半導體工件而言,加工工具需要越來越嚴格的加工均一性,因而無法透過侵入性的監控器來記錄半導體工件實際經歷的加工狀態。因此,該領域中需要一種代表半導體工件的監控裝置,該裝置需要能夠以與實際的半導體工件相同 的方式被轉移進入加工工具中,並且需要滿足嚴格的汙染控制規程。這種監控裝置可以被用來測量半導體工件所實際經歷的加工狀態。
本發明中的各種實例揭露了一種獨立且可編程的加工探針裝置(Processing Probe Apparatus,PPA),其可以測量加工工具的加工特性。加工探針裝置包括了一個以上的感測器、一處理器(例如,類比-數位轉換器及資訊處理器(Analog-to-Digital Converter and Information (ADCI)Processor))、一電性電源(Electrical Power Source,EPS)、以及一數據或光學訊號通訊裝置,其中,上述的元件皆接合於一可撓性薄膜上。所述的可撓性薄膜可以被夾置兩個基板之間,或者可以被固定於仿效半導體工件的一基板上。
本發明中的各種示例,揭露了一種用於測量加工工具的加工特性的方法。舉例來說,用於測量的方法可以包括下列步驟:事前對加工探針裝置進行編程以執行各種測量、將加工探針裝置轉移進入加工工具中、允許加工探針裝置在加工工具運行一個以上的加工狀態或加工配方時執行測量、將測量的加工資訊轉換為數位格式、儲存所轉換的加工資訊、將加工探針裝置移出加工工具,以及,將所儲存的加工資訊下載至一計算機裝置上。
在某些實例中,在加工工具運行一個以上的加工狀態或加工配方時所測量的數據,可以透過無線或光學的方式傳遞至加工工具外部的一接收器。可以對所測量的數據進行動態分析,藉此利用所測量的數據在加工工具運行一個以上的加工狀態或加工配方時,動態地管理加工工具的 一個以上的加工狀態或加工配方。舉例來說,用於測量的方法可以包括以下的步驟:預先對加工探針裝置進行編程以執行各種測量、將加工探針裝置轉移進入加工工具中、允許加工探針裝置在加工工具運行一個以上的加工狀態或加工配方時執行測量、將測量的加工資訊轉換為數位格式、將轉換後的加工資訊傳送至位於加工工具外部的一計算機裝置,以及,將加工探針裝置移出加工工具。
100:加工探針裝置系統
102:處理器
104:電性電源
106:通訊裝置
108:感測器
110:屏蔽
112:計算機裝置
114:計算機裝置
116:計算機裝置
118:加工工具
120:網絡
122:無線或光學通道
200:加工探針裝置
202:處理器
204:電性電源
206:通訊裝置
208:感測器
210:可撓性積層板/積層板
212:基板
300、300A、300B、300C、300D:加工探針裝置
302:CPU/處理器/微處理器
304:電源/電性電源/電力單元
306:通訊裝置
308:感測器
310:屏蔽/電磁屏蔽層/阻隔層/汙染阻隔層
312:基板/矽晶圓
314:互聯器/電性互聯器
316:電性絕緣材料
318:積層板
320:紅外線或光學I/O裝置、無線通訊裝置
322:光學電力充電系統
326:填充材料
328:光學開口
330:電磁屏蔽/電磁屏蔽層
332:熱傳導介質
334:記憶體
336:位置感測器
338:顆粒與污染物屏蔽
400:流程/方法
402~416:步驟
500:計算機裝置
515:匯流排
561:記憶體
562:CPU/主中央處理單元/主微處理器
563:處理器
568:介面
600:系統/計算系統架構/計算機裝置
605:匯流排/系統匯流排
610:處理器/處理單元
612:快取記憶體
615:記憶體/系統記憶體
620:唯讀記憶體
625:隨機存取記憶體
630:儲存裝置
632、634、636:模組
635:輸出裝置
640:通訊介面
645:輸入裝置
700:系統/電腦系統
755:處理器
760:晶片組
765:輸出裝置
770:儲存裝置
775:隨機存取記憶體
780:電橋
785:使用者介面元件
790:通訊介面
為了進一步說明上文中的內容以及本文中的其他優點與特徵,下文中將參照附圖中所顯示的特定範例,對上文中簡述的原理進行更具體的說明。熟悉該領域的人士應當理解,該些附圖所顯示的僅為本發明的範例,而不應被視為對本發明範疇的限制。通過該些附圖,本文可以對本發明的原理進行更具體且詳盡的說明,其中,該些附圖包括:圖1係根據本發明中的某些態樣顯示了一加工探針裝置系統的範例;圖2係根據本發明中的某些態樣顯示了加工探針裝置的範例;圖3A-圖3D係根據本發明的某些態樣顯示了加工探針裝置的範例;圖4係根據本發明的某些態樣顯示了測量加工工具之加工特性的方法的示例性流程;圖5係根據本發明的各種實施方式顯示的示例性的計算機裝置;以及 圖6及圖7係根據本發明的各種範例顯示的示例性系統。
下文中的詳細說明旨在對本發明的各種配置進行描述,其並不代表本發明所能實施的唯一配置。附圖係與下文結合構成本說明書的一部分。為了使閱讀本說明書的本領域技術人士能夠更完整地理解本發明,下文中的詳細說明中係包括了特定的細節。然而,熟悉該領域的技術人士應當理解本發明並不受限於下文中所述的特定細節,並且可以以該些細節以外的方式實施本發明。在某些實例中,為了不模糊本發明的概念,結構與元件是以方塊圖的形式顯示。
圖1係根據本發明的某些態樣顯示了加工探針裝置(Processing Probe Apparatus)系統100的一範例。在此範例中,該加工探針裝置系統係包括了一加工探針裝置、一接收器(可選的)以及一計算機裝置(例如,112、114及116)。所述的接收器可以為一數位接收器或一光學接收器。接收器可以是計算機裝置的一部分,或者可以透過一網絡120與計算機裝置耦接。加工探針裝置裝入一加工工具118中。所述的計算機裝置係被配置以從接收器接收數據或者直接從加工探針裝置通過網絡120接收數據,藉此對所接收的數據進行分析。所述的接收器係位在加工工具外部。
在某些實例中,接收器可以通過無線或光學通道122或有線連接從加工探針裝置接收數據。無線或光學通道122可以為任何適合用於讓加工探針裝置進行無線通訊的通道,例如,光學、藍芽、蜂巢式、近場通訊或Wi-Fi等通道。接著,接收器將接收到的數據透過網絡120傳送至 計算機裝置(例如,112、114及116),或者,接收器可以將接收到的數據直接傳送至加工工具。
加工探針裝置係包括一處理器102(例如,類比-數位轉換器及資訊處理器)、一個以上的感測器108、通訊裝置106(例如,數位通訊裝置(Digital Communication Device,DCD)或光學通訊裝置(Optical communication Device,OCD))、電性電源(EPS)104以及一屏蔽110。處理器102係包括用於裝置的操作的軟體編程指令。處理器102可以從感測器108接收類比數據、將類比數據轉換為數位格式,並且記錄所述數據。在完成數據的紀錄之後,所記錄的數據可以通過通訊裝置106被傳輸至接收器、加工工具118或計算機裝置。在某些實例中,處理器102可以使加工探針裝置透過無線或光學通道122以大致即時的方式將轉換後的數位感測器數據傳遞至接收器(未顯示於圖中)。
在某些實例中,轉換後的數位感測器數據可以被儲存在加工探針裝置的記憶體(未顯示於圖中)或儲存裝置中。在加工探針裝置從加工工具118上卸載下來之後,轉換後的數位感測器數據係被取回以進行後續的處理。
電性電源104係將電力供應至加工探針裝置的元件(例如,處理器102及通訊裝置106)。在某些實例中,電性電源104可以根據需求將電流或電壓供應至所述的一個以上的感測器。作為替代的方案,電性電源104也可以直接作為感測器108的激發源。
在某些實例中,通訊裝置106也可以從一外部裝置(例如,接收器(可選的)、加工工具118或計算機裝置)接收數據。從外部裝置所接收 的數據可以包括以特定格式指示處理器102蒐集數據的指令或執行特定的功能步驟的指令。
屏蔽110可以防止加工工具中的電磁輻射預干擾加工探針裝置的電性主動元件(例如,108、104、102、106)所執行的測量與訊號處理,或者,可以防止電性主動元件因為潛在的化學侵蝕所造成的降解。在某些實例中,屏蔽110可以包括有小型的開口,藉以接納傳送至通訊裝置106的數據以及從通訊裝置106傳送過來的數據,或者,利用感測器108接納加工特性的測量結果。在某些實施例中,屏蔽110的小型開口是光學開口,而非在屏蔽110上的實際開口。光學開口可以允許特定頻率的光通過,但仍然屏蔽其他頻率的電磁輻射。
圖2係根據本發明的某些態樣顯示了一加工探針裝置200的範例的俯視圖。在此實例中,加工探針裝置200係包括一圓形的基板212、一處理器202、一通訊裝置206以及多個感測器208,其中,薄型且可撓性的積層板210係接附於所述的圓形基板212上。積層板210係包括以預定圖案(例如,具有一定程度的對稱性的圖案)設置的複數個電性電源204。在某些實例中,處理器202、通訊裝置206及/或多個感測器208可以以對稱圖案的形式設置於基板212上。在此實例中,圖中並未顯示加工探針裝置200的屏蔽與電性絕緣材料。
圖3係根據本發明的某些態樣顯示了另一實例的加工探針裝置300A。在此實例中,圖中顯示的是加工探針裝置300A的側視圖。加工探針裝置300A係包括薄型且可撓性的積層板318,其中,積層板318係均勻地接附於基板312上。基板312的範例可以包括具有各種厚度(例如, 0.5-3mm)與各種直徑(例如,450mm、300mm或200mm)的圓形的半導體晶圓,或者,具有適當形狀以及適當實體尺寸之由其他材料所製成的圓盤的半導體晶圓。
積層板318可以包括一個以上的電性主動元件,該一個以上的電性主動元件可以安裝在包含電性互聯器314的薄膜上。電性主動元件係至少包括以下元件的其中之一:一個以上的電性電源304(例如,電池、電容器或太陽能電池)、一處理器302、一通訊裝置306(例如,紅外線通訊裝置、光學通訊裝置、無線通訊裝置或有線通訊裝置)以及一個以上的感測器308(例如,如電阻熱偵測器(Resistance Thermal Detector,RTD)、熱電偶或光學感測器等溫度感測器)。
在此實例中,積層板318係包括一屏蔽310,該屏蔽310可以做為大致環繞於加工工具內部元件的阻隔層,用於阻隔化學物、電磁輻射及/或汙染物。在某些實例中,屏蔽310可以具有一個以上的小型開口或光學性透明的開口,藉以接納來自通訊裝置306與感測器308的數據傳輸,或者接納傳遞至通訊裝置306與感測器308的數據傳輸。
在某些實例中,積層板318係包括一電性絕緣材料316,該電性絕緣材料316係將屏蔽310與加工探針裝置300的其他元件(例如,處理器302、通訊裝置306及感測器308等等的電性主動元件)電性隔絕。電性絕緣材料316可以包括但不限於,如環氧樹脂、絕緣薄膜(例如,聚亞醯胺)及矽氧烷等材料。
圖3B係根據本發明的某些態樣顯示另一範例的加工探針裝置300B。在此實例中,圖中顯示的是加工探針裝置300B的側視圖。加工 探針裝置300B係包括設置於一基板(例如,矽晶圓312)上的一主動層。主動層上包括有一阻隔層310。阻隔層310大致為平坦的形狀,並且是由矽化氮或二氧化矽等可以由如物理氣相沉積法等已知的沉積技術施加的材料所組成,然而,阻隔層310的組成並不限於此。主動層進一步包括一CPU 302、一記憶體334、一電源304、複數個感測器308、一光學電力充電系統322、一紅外線或光學I/O裝置320、一填充材料326、一電磁屏蔽層330,以及將加工探針裝置300B的主動元件電性連接的一電性互聯器314。電性互聯器314可以被整合於與其他元件一起壓印在基板上的一可撓性印刷電路板中。該些感測器308可以是溫度感測器,例如,可以是電阻熱偵測器、熱電偶及/或光學感測器。電源304係將電力供應至加工探針裝置300B的其他元件。光學電力充電系統(例如,太陽能電池)可以在不破壞加工探針裝置300B的一體性的情況下對電源304充電,或可以在不與加工探針裝置300B實體接觸的情況下對電源304充電。填充材料326係用於填充加工探針裝置300B的主動元件之間的空間,此外,填充材料326可以具有電性絕緣性並且可以具有與基板相似的熱傳導特性。電磁屏蔽層330可以防止加工工具中的電磁輻射對加工探針裝置300B的電性主動元件(例如,308、304、302及/或306)所執行的測量與訊號處理產生預干擾。
在此實例中,加工探針裝置300B包含基板312以及加工探針裝置300B的其他元件的總厚度係小於或等於3mm。電磁屏蔽層330係包括設置在光學電力充電系統322上的一光學開口328,其中,光學性透明的光學開口328可以允許在第一頻率範圍內的光線通過並抵達光學電力充電系統322。電磁屏蔽層330也可以在紅外線或光學I/O裝置320上包括有額 外的光學開口,藉此使紅外線或光學I/O裝置320可以與加工探針裝置300B外部的接收器(未顯示)進行通訊。如果該些感測器308為光學感測器,則可以在電磁屏蔽層330上設置額外的開口,藉此允許可見光、紅外線光或紫外線光通過以進行測量。部分的阻隔層310以及位在光學電力充電系統322及/或紅外線或光學I/O裝置附近的填充材料,可以用於允許第一頻率範圍內的光通過,以及/或者允許紅外線或光學I/O裝置320與接收器(未顯示)進行通訊。
處理器302可以通過電性互聯器314從該些感測器接收數據,並且將所接收到的感測器數據轉換為數位感測器數據。處理器302可以將轉換後的感測器數據存進記憶體334中。在加工探針裝置300B從加工工具上卸載下來後,可以將儲存的感測器數據取回並進行後續處理。在某些實例中,處理器302會使轉換後的感測器數據在加工探針裝置300B仍然處於加工工具中時透過紅外線或光學I/O裝置320傳遞至接收器(未顯示)。
圖3C係根據本發明的某些態樣顯示另一範例的加工探針裝置300C。在此實例中,圖中顯示的是加工探針裝置300C的側視圖及剖視圖。加工探針裝置300C係包括設置在基板(例如,矽晶圓312)底部的主動層。主動層係包括位於底部的污染阻隔層310。汙染阻隔層大致為平坦的形狀,並且在加工探針裝置300C被用於蒐集加工數據時與靜電夾具接觸。所述的主動層係進一步包括一CPU302、一記憶體334、一電力單元304、複數個感測器308、一光學電力充電系統322、一紅外線或光學I/O裝置320、一電磁屏蔽層310、一填充材料326,以及,用於將加工探針裝置300C的主動元件電性連接的一電性互聯器314。電源304係將電力供應 至加工探針裝置300C的其他元件。光學電力充電系統(例如,太陽能電池)可以在不破壞加工探針裝置300C的一體性的情況下對電源304充電。紅外線或I/O探針裝置320可以透過紅外線或光學通道與加工探針裝置300C外部的接收器(未顯示)進行通訊。填充材料326係用於填充加工探針裝置300C的主動元件之間的空間。在此實例中,右側與左側的主動層係代表在矽晶圓中透過圖中未明確顯示的矽晶圓的其他通道連接的主動區域。
圖3D係根據本發明的某些態樣顯示另一實例的加工探針裝置300D。在此實例中,加工探針裝置300D係包括一顆粒與污染物屏蔽338、電磁屏蔽330、熱傳導介質332、複數個溫度感測器308、一個以上的互聯器314、一記憶體334、一個以上的位置感測器336、一電源304、一微處理器302以及一無線通訊裝置320。
顆粒與污染物屏蔽338為加工探針裝置300D的外部層,其可以用於保護加工工具不受到來自加工探針裝置300D的汙染。電磁屏蔽330可以設置於顆粒與污染物屏蔽338內,並且可以透過熱傳導介質332與該些感測器308連接。電磁屏蔽330可以用於防止加工工具中的電磁輻射干擾加工探針裝置300D的該些電性主動元件(例如,308、336、334、304、302及320)所執行的測量與訊號處理。
該些感測器308可以被設置於熱傳導介質332的第一表面及第二表面上。該些感測器308可以以預定圖案(例如,具有一定程度的對稱性的圖案)的形式設置。
記憶體334係用於儲存從該些溫度感測器308所接收到的數據以及微處理器302使用的程式。無線通訊裝置320係用於將加工探針裝 置300D中所蒐集的數據傳遞至外部裝置(未顯示),或者用於接收來自外部裝置的數據與指令。
電源304係用於將電力供應至加工探針裝置300D的電性主動元件(例如,308、336、334、304、302及320)。電源304可以包括電池、電容器或太陽能電池的至少其中之一。在某些實例中,加工探針裝置300D係進一步包括一感測器激發源以及交流/直流轉換器(未顯示)。
一個以上的位置感測器336係被配置以偵測加工探針裝置300D與加工工具的靜電夾具之間的相對位置。一個以上的位置感測器336可以偵測到靜電夾持的開始,並且可以為該些感測器308提供開始進行溫度測量的時間參考。
圖4係根據本發明的某些態樣顯示用於決定加工工具的加工特性的流程400的範例。本領域中具有通常知識者應當理解,除了有特別聲明外,在不脫離本發明的範疇的情況下,該流程也可以由額外、數量更少或替換的步驟執行,並且可以以類似、替換的順序執行,或者,可以多個步驟同時執行。在示例性的方法400中,首先,於步驟402,將一加工探針裝置裝載進一加工工具中。在某些範例中,加工探針裝置可以被預先編程,以使加工探針裝置可以執行各種測量。
於步驟404,如圖1所示,加工工具係運行一加工配方。接著,於步驟406,加工探針裝置可以在加工配方運行時測量加工工具的加工資訊。於步驟408中,將所測量的加工數據轉換為數位資訊。
如圖1-圖3所示,在步驟410中,可以將所測量的加工數據傳送至加工工具外部的計算機裝置或接收器。在某些實例中,可以在加 工工具運行加工配方的同時傳送所測量到的加工數據。在某些實例中,可以將測量到的加工數據儲存在加工探針裝置上,並且在加工探針裝置從加工工具上卸載下來後將測量到的加工數據傳送至計算機裝置。
如圖1-圖3所示,在步驟412中,可以對所測量的加工數據進行分析,藉此擷取加工工具在運行加工配方時的加工參數。在某些實例中,可以透過加工探針裝置的處理器對所測量的加工數據進行分析。舉例來說,可以從所測量的加工數據中擷取出加工工具中的溫度圖或電漿光譜。
在某些實例中,可以透過計算機裝置對所測量的加工數據進行分析。分析後的數據可以用於動態地控制加工工具上運行的加工配方,或者,用於修改該加工配方或將該加工配方最佳化。示例性的方法400進一步包括步驟414,根據加工配方決定加工工具中需要的加工參數,以及,根據所需要的加工參數以及加工工具的加工參數,動態地調整加工工具的一個以上的設定或者加工配方的至少一個參數。
圖5係根據本發明的各種實施方式顯示示例性的計算機裝置500。計算機裝置500係包括一主中央處理單元(CPU)562、介面568以及一匯流排515(例如,PCI匯流排)。當在合適的軟體或韌體的控制下運行時,舉例來說,CPU 562係負責執行封包管理、錯誤偵測及/或如佈線錯誤偵測功能等的路由功能。較佳地,CPU 562係在包含操作系統以及任何合適的應用軟體的軟體控制下完成所有的上述功能。CPU 562可以包括一個以上的處理器563,如微處理器的Motorola家族中的處理器,或者微處理器的MIPS家族中的微處理器。在替代的實例中,處理 器563係特別設計來用於控制計算機裝置500的操作的硬體。在特定的實例中,記憶體561(如非揮發性的動態隨機存取記憶體(Random Access Memory,RAM)及/或唯讀記憶體(Read-Only Memory,ROM)也可以構成CPU 562的一部分。然而,有很多種不同的方法可以將記憶體耦接到系統。
介面568一般是以介面卡的形式提供(有時會稱為“線路卡”)。通常,介面可以控制經由網絡進行的數據封包的傳送與接收,並且有時會支援與計算機裝置500一起使用的其他周邊裝置。目前可用的介面包括了乙太網路介面、訊框傳送介面、纜線介面、數位用戶線路介面、訊號環介面以及其他類似的介面。此外,也可以使用各種高速度的介面,如高速訊號環介面、無線介面、乙太網路介面、十億位元乙太網路介面、非同步傳輸模式介面、高速串列介面、POS(Packet over SONET/SDH)介面、光纖分散式數據介面等各種介面。一般來說,這些介面可以包括適合用來與合適的媒體進行通訊的端口。在某些案例中,這些介面可以包括獨立的處理器,並且,在某些狀況下,可以包括揮發性的RAM。獨立的處理器可以控制密集的通訊作業,如封包切換、媒體控制與管理。藉由為密集的通訊作業提供分開的處理器,這些介面係允許主微處理器562有效率地執行路由計算、網絡診斷及安全功能等作業。
雖然圖5中顯示的系統是本發明的其中一種特定的計算機裝置,其並非為本發明能實施的唯一一種網絡裝置架構。舉例來說,也 經常會使用具有用於處理通訊以及路由計算等作業的單一處理器的架構。此外,也可以將其他種類的介面及媒體與路由器一起使用。
不管網絡裝置的配置為何,其都可以採用一個以上的記憶體或記憶體模組(包括記憶體561),用於儲存一般目的的網絡作業使用的程式指令,以及儲存用於本說明書中所述的漫遊、路由最佳化及路由功能的機制。作為範例,所述的程式指令可以控制操作系統及/或一個以上的應用程式的操作。記憶體的記憶可以用於儲存如移動綁定、註冊的表單以及其他相關的表單。
圖6與圖7係根據本發明的各種態樣顯示了可能系統的範例。在實施本發明時,本領域中具有通常知識者應當能夠理解有更合適的範例。本領域中具有通常知識者也能夠輕易地理解可以有其他可能的系統範例。
圖6中顯示了一計算系統架構600,其中,系統的元件係透過一匯流排605與彼此進行電性通訊。示例性的系統600係包括了一處理單元(CPU或處理器)610以及用於將各種系統元件與處理器610耦接的一系統匯流排605,其中,系統元件包括了如唯讀記憶體(ROM)620以及隨機存取記憶體(RAM)625等等的系統記憶體615。系統600可以包括與處理器610直接連接、靠近處理器610或與處理器610整合為一體的高速記憶體的快取記憶體。系統600可以從記憶體615及/或儲存裝置630將數據複製到快取記憶體612,以供處理器610進行快速讀取。如此一來,快取記憶體可以藉由防止處理器610在等待數據時造成延遲來提升效能表現。這些模組以及其他的模組可以控制或者被配置來控制處理 器610以執行各種動作。也可以使用其他的系統記憶體615。記憶體615係包括多種具有不同效能特性的不同種類的記憶體。處理器610可以包括任何通用用途的處理器以及一硬體模組或軟體模組,例如,儲存在儲存裝置630中的模組632、模組634及模組636,其中,該些模組係用於控制處理器610以及特定目的的處理器,且軟體指令係整合於特定目的處理器的實際處理器設計之中。處理器610可以為實質上完全獨立的計算機系統,其可以包括多個核心或處理器、一匯流排、記憶體控制器、快取記憶體等。多核處理器可以為對稱或非對稱的處理器。
為了確保與計算機裝置600之間的使用者互動,一輸入裝置645可以代表任何數量的輸入機制,如用於說話的麥克風、用於手勢觸控或圖像輸入的觸控螢幕、鍵盤、滑鼠、動作輸入、語音以及其他的輸入機制。輸出裝置635可以是該領域中習知的一個以上的數量的輸出機制。在某些情況中,多模式系統可以確保使用者提供多種類型的輸入,藉以與計算機裝置600進行通訊。通訊介面640通常可以管理使用者輸入與系統輸出。對於任何特定硬體配置的操作都沒有任何的限制,因此,本發明中的基礎特徵可以隨著科技發展輕易地替換為改良的硬體或韌體配置。本發明中的任一範例中的任何特徵或步驟,都可以與其他範例中其他特徵或步驟混合搭配。
儲存裝置630是一非揮發性的記憶體,並且可以是硬碟或其他種類的可由電腦讀取的媒體,其中可以儲存可由電腦存取的數據,例如磁匣、快閃記憶卡、固態記憶裝置、數位多光能影音光碟、卡帶、隨機存取記憶體625、唯讀記憶體620等媒體,以及上述媒體的混合。
儲存裝置630可以包括用於控制處理器610的軟體模組632、634及636。也可以考慮使用其他的硬體或軟體模組。儲存裝置630可以與系統匯流排605連接。在本發明的一態樣中,用於執行特定功能的硬體模組可以包括儲存在電腦可讀取的媒體中並且與必需的硬體元件相連的軟體元件以執行其功能,其中,必需的硬體元件可以是如處理器610、匯流排605、輸出裝置635(例如,顯示器)等等的元件。
圖7中顯示了一電腦系統700,其具有可以用於執行上述方法、產生並顯示圖像使用者介面的一晶片組架構。電腦系統700是可以用於實施本發明的電腦硬體、軟體及韌體的範例。系統700可以包括一處理器755,其代表了任何數量的實體上及/或邏輯上不同的資源,該些資源可以執行用於執行識別計算的軟體、韌體及硬體。處理器755可以與一晶片組760進行通訊,晶片組760可以控制傳送至處理器755的輸入以及從處理器755發出的輸出。在此範例中,晶片組760係將資訊輸出至如顯示器等的輸出裝置765,且晶片組760可以讀取並且將資訊覆寫至儲存裝置770,作為範例,儲存裝置770可以包括磁性媒體以及固態媒體。晶片組760也可以從隨機存取記憶體775讀取數據並且將數據覆寫至隨機存取記憶體775。用於與各種使用者介面元件785介接的電橋780,可以用來與晶片組760介接。這種使用者介面元件785可以包括鍵盤、麥克風、觸控偵測與處理電路、如滑鼠等的指標裝置等等的元件。在一般的情況中,輸入至系統700的輸入可以是來自各種來源的、由機器產生的及/或由人類產生的輸入。
晶片組760可以與具有不同實體介面的一個以上的通訊介面790介接。這種通訊介面可以包括有線及無線的區域網絡介面、寬頻無線網絡介面以及個人區域網絡介面。用於產生、顯示並且利用本文中揭示的圖形使用者介面的方法的某些應用,可以包括透過實體介面接收有序數據集或由機器自身產生有序數據集,並且透過處理器755分析儲存在儲存裝置770或隨機存取記憶體775中的數據。此外,機器可以透過使用者介面元件785接收來自使用者的輸入,並且利用處理器755解析這些輸入來執行如瀏覽功能等等之合適的功能。
該領域中具有通常知識者應當理解,作為範例的系統600與系統700可以具有一個以上的處理器610、755,或者可以是經由網絡連結在一起的一群或一集群的計算機裝置的一部份,藉此提供更強大的處理能力。
上文中提供的範例以及技術內容皆是以清晰性以及說明本發明的內容為目的,該領域中具有通常知識者可以輕易地理解該些範例中可以包括額外的概念以及變化。
本發明的各種態樣係提供了用於決定加工工具中的加工操作的參數的系統與方法。雖然上文中係以特定的範例說明可以在不同的指示中採用可選擇的操作,在其他的範例中也可以將可選擇的操作整合進不同的指示中。為了說明的清晰性,在某些情況中,可以以包括有個別的功能方塊的形式呈現本發明的內容,該些功能方塊係包括裝置、裝置元件、方法的步驟或程序,其中,該方法可以是於軟體或軟體與硬體的結合中實施的方法。
本發明的各種範例可以進一步在各式各樣的操作環境中實施,在某些情況中,這些操作環境可以包括一個以上的伺服器電腦、使用者電腦或可以用來操作任何數量之應用程式的計算機裝置。使用者或客戶端裝置可以包括任何數量之一般目的的個人電腦,如執行標準作業系統的桌上型電腦或筆記型電腦,以及如執行行動軟體並且可以支援一定數量的網絡與訊息協定的的蜂巢式、無線及手持裝置。這種系統也可以包括一定數量之執行各種市面上可以取得的操作系統的工作站,以及執行其他種類之以研發與資料庫管理為目的使用的習知應用程式的工作站。這些裝置也可以包括其他的電子裝置,例如虛擬輸出端、精簡型客戶端、遊戲系統以及可以通過網絡進行通訊的其他裝置。
範例的範圍或範例的部分係以硬體的方式實施,然而,本發明申請的內容亦可以透過下列技術中的任何一者或者下列技術的組合實施:具有在接收到數據訊號時用於執行邏輯功能的邏輯閘之離散邏輯電路、具有合適的組合邏輯閘之特殊應用積體電路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、如可程式化邏輯閘陣列(Programmable Gate Array,PGA)的可編程的硬體、現場可程式化邏輯閘陣列(Field Programmable Gate Array,FPGA)等技術。
大部分範例中使用的至少一個網絡係透過對於該領域中具有通常知識者來說算熟悉的技術支援通訊,例如,可以透過各種市面上可以取得的協定支援通訊,該些協定可以是傳輸控制/網際網絡協定(Transmission Control Protocol/Internet Protocol,TCP/IP)、開放式系統互聯(Open System Interconnection,OSI)、檔案傳送協定(File Transfer Protocol,FTP)、通用型隨插即用協定(Universal Plug and Play,UPnP)、網路檔案系統(Network File System,NFS)、網路文件共享系統(Common Internet File System,CIFS)、AppleTalk等協定中的任一者。舉例來說,該網絡可以是一區域網絡、廣域網絡、虛擬專用網絡、互聯網、內聯網、外聯網、公共交換電話網、紅外線網絡、無線網絡或是上述網絡中的任意組合。
根據上文中所述範例的方法可以由可由電腦執行的指令實施,其中,可由電腦執行的指令係儲存在可以由電腦讀取的媒體中,或者是可以從可由電腦讀取的媒體上取得。舉例來說,這些指令可以包括構成或配置成一般用途之電腦、特殊用途之電腦或特殊用途的處理裝置的指令與數據,藉此執行特定的功能或功能群組。可以透過網絡取得所使用之電腦資源的一部分。舉例來說,可由電腦執行的指令可以是二進制的中階格式的指令,例如彙編語言、韌體或源代碼。可以用於儲存指令、可使用之資訊以及在上文中所述之方法的範例中所產生之資訊的可由電腦讀取的媒體的範例,係包括磁盤或光盤、快閃記憶體、具有非揮發性記憶體的USB裝置、網絡化的裝置等等。
根據上述技術內容之由裝置實施的方法可以包括硬體、韌體及/或軟體,並且可以具有任何的形式因素。這種形式因素的典型範例係包括伺服器電腦、筆記型電腦、智慧型手機、小型因素的個人電腦、個人數位助手等形式因素。在本文中所描述的功能也可以被實施於周邊設備或附加卡中。在其他更進一步的範例中,這些功能也可以與其他不同的晶片 組一起實施在一電路板上,或者與其他在單一裝置中執行的不同步驟一起實施。
在採用網絡服務器的範例中,網絡服務器可以執行任何種類的伺服器或中階的應用程式,其係包括超文件傳輸協定(HyperText Transfer Protocol,HTTP)伺服器、FTP伺服器、共通閘道介面(Common Gateway Interface,CGI)伺服器、數據伺服器、Java伺服器以及商務應用伺服器。這些伺服器可以在從使用者裝置接收到要求時執行程式或指令碼,例如,執行可以由一種以上的腳本或程式所實施之一個以上的網路應用程式,該些腳本或程式可以由任何的程式語言所撰寫,如Java、C、C#或C++,或者,可以由任何的腳本語言所撰寫,如Perl、Python或TCL。這些伺服器也可以包括數據庫伺服器,其係包括但不限於可以從開放市場上購得的伺服器。
任何用於執行屬於電腦、伺服器或其他網絡裝置所需要的檔案可以根據合適的方式以區域或遠端的方式儲存。當系統中包括電腦化的裝置時,各個裝置可以包括可以通過匯流排電性耦接的硬體元件,其中,舉例來說,該些元件係包括至少一中央處理單元、至少一輸入裝置(例如,滑鼠、鍵盤、控制器、觸控螢幕元件或鍵盤),以及至少一輸出裝置(例如,顯示器、印表機或揚聲器)。這種系統也可以包括一個以上的儲存裝置,例如,磁碟機、光學儲存裝置、如隨機存取記憶體或唯讀記憶體等等的固態儲存裝置,以及,可移除的媒體裝置、記憶卡、快閃記憶卡等等。
上述的裝置也可以包括可由電腦讀取的儲存媒體讀取器、通訊裝置(例如,數據機、網絡卡(無線或有線)、紅外線計算機裝置)以及上 文中所述的工作記憶體。可由電腦讀取的儲存媒體讀取器可以與下述裝置連結或者用於接收下述裝置:代表遠端、區域、固定及/或可移除的儲存裝置之可由電腦讀取的儲存媒介,以及用於暫時及/或永久容納、儲存、傳遞與接收可由電腦讀取之資訊的儲存裝置。這種系統與各種裝置一般會包括為在至少一工作記憶體裝置中的一定數量的軟體應用程式、模組、服務或其他要件,其中,所述的工作記憶體裝置係包括如客戶端應用程式或網絡瀏覽器等等的操作系統與應用程式。本領域中的技術人士應當理解,本發明的其他範例可以具有與上文中所述範例不同的眾多改變。舉例來說,也可以採用客製化的硬體,且/或可以在硬體、軟體(包括可攜帶的軟體,如小型應用程式)或同時在兩者中實施特定的元件。此外,也可以採用與其他計算機裝置之間的連接,例如網絡輸入/輸出裝置。
用於容納編碼或部分的編碼之儲存媒體與可由電腦讀取的媒體,可以包括該領域中任何已知的合適的媒體或該領域中使用的媒體,該些媒體係包括儲存媒體與計算機媒體,且其係包括但不限於,在任何用於儲存及/或傳遞資訊的方法或技術中實施的揮發性與非揮發性的、可移除與不可移除的媒體。該些方法或技術中儲存或傳遞的資訊可以是電腦可讀取的指令、數據結構、程式模組或其他數據,包括RAM、ROM、EPROM、EEPROM、快閃記憶體或其他記憶體技術、CD-ROM、DVD或其他光學儲存器、磁性卡帶、磁性錄影帶、磁性磁碟儲存器或其他磁性儲存裝置,或者,任何可以用來儲存所需要的資訊的其他媒介以及可以由系統裝置存取的其他媒介。根據本發明中所提供的技術內容以及教示內 容,該領域中具有通常知識者應當能夠理解本發明的各種態樣也可以由其他方式及/或方法實施。
據此,本說明書與附圖應被視為說明性的內容,而不應對本發明造成限制。然而,在不脫離本發明的申請專利範圍所界定的精神與範疇的條件下,可以對本說明書的內容做各種的改良與變化。
200:加工探針裝置
202:處理器
204:電性電源
206:通訊裝置
208:感測器
210:可撓性積層板/積層板
212:基板

Claims (20)

  1. 一種用於決定加工工具的加工參數的電腦實施方法,包括:將一基板及一加工探針裝置加載至該加工工具中,其中,該加工探針裝置設置在該基板上且包括一可撓性主動層,該可撓性主動層包括一處理器、複數個感測器、一電源、一通訊裝置、一互聯器以及一屏蔽層,該屏蔽層可用於防止該加工工具中的電磁輻射干擾該主動層的元件所執行的測量與訊號處理;在該加工工具上運行一加工配方;在該加工工具運行該加工配方的同時,使該加工探針裝置測量加工參數;從該加工探針裝置接收測量的數據;以及分析所測量的數據以決定該些加工參數。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電腦實施方法,其中,該等感測器為電阻熱偵測器、熱電偶或光學感測器。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電腦實施方法,其中,該加工探針裝置進一步包括一個以上的位置感測器,所述的一個以上的位置感測器係用以偵測該加工探針裝置與該加工工具的一靜電夾具之間的一相對位置。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之電腦實施方法,其中,所述的一個以上的位置感測器係用以偵測該靜電夾具與該加工探針裝置之間的靜電夾持的一開始位置,並且為該些感測器提供開始溫度測量的一時間參考。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電腦實施方法,其中,該加工探針裝置進一步包括一阻隔層,該阻隔層具有大致平坦的表面並且係設置於該主動層上,該主動層係設置於該基板上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電腦實施方法,其中,該主動層進一步包括一填充材料,該填充材料可用於填滿該主動層的元件之間的空間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電腦實施方法,其中,該主動層進一步包括一光學充電系統,該光學充電系統可用於在不與該加工探針裝置實體接觸的情況下對該電源充電。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電腦實施方法,其中,該屏蔽層包括光學性透明的一第一光學開口,藉以允許在一第一頻率範圍內的光線通過並且抵達該光學充電系統。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之電腦實施方法,其中,該屏蔽層包括一第二光學開口,可用於允許該通訊裝置與該加工探針裝置外部的一接收器進行通訊。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之電腦實施方法,其中,該加工探針裝置進一步包括一阻隔層,該阻隔層具有大致平坦的底部表面,該主動層係設置在該阻隔層上,且該基板係設置在該主動層上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之電腦實施方法,其中,該主動層進一步包括一熱傳導介質,該等感測器係設置在該熱傳導介質的一第一表面與一第二表面上,且該第一表面與該第二表面係彼此相對。
  12. 一種用於決定加工工具的加工參數的加工探針裝置,其係包括:一基板;以及一可撓性主動層,該可撓性主動層包括:一處理器;複數個感測器;一電源;一通訊裝置;一互聯器;一屏蔽層,該屏蔽層可用於防止該加工工具中的電磁輻射干擾該主動層的元件所執行的測量與訊號處理;以及一個以上的位置感測器,該一個以上的位置感測器係用以偵測該加工探針裝置與該加工工具的一靜電夾具之間的一相對位置。
  13. 根據申請專利範圍第12項所述之加工探針裝置,其中,該等感測器為電阻熱偵測器、熱電偶或光學感測器;其中,該一個以上的位置感測器係用以偵測該靜電夾具與該加工探針裝置之間的靜電夾持的一開始位置,並且為該些感測器提供開始溫度測量的一時間參考。
  14. 根據申請專利範圍第12項所述之加工探針裝置,進一步包括一阻隔層,該阻隔層具有大致平坦的頂部表面並且係設置於該主動層上,該主動層係設置於該基板上。
  15. 根據申請專利範圍第12項所述之加工探針裝置,其中,該主動層進一步包括一填充材料,該填充材料可用於填滿該主動層的元件之間的空間。
  16. 根據申請專利範圍第12項所述之加工探針裝置,其中,該主動層進一步包括一光學充電系統,該光學充電系統可用於在不與該加工探針裝置實體接觸的情況下對該電源充電。
  17. 根據申請專利範圍第16項所述之加工探針裝置,其中,該屏蔽層包括光學性透明的一第一光學開口,藉以允許在一第一頻率範圍內的光線通過並且抵達該光學充電系統。
  18. 根據申請專利範圍第17項所述之加工探針裝置,其中,該屏蔽層包括一第二光學開口,可用於允許該通訊裝置與該加工探針裝置外部的一接收器進行通訊。
  19. 根據申請專利範圍第12項所述之加工探針裝置,進一步包括一阻隔層,該阻隔層具有大致平坦的底部表面,該主動層係設置在該阻隔層上,且該基板係設置在該主動層上。
  20. 根據申請專利範圍第12項所述之加工探針裝置,其中,該主動層進一步包括一熱傳導介質,該等感測器係設置在該熱傳導介質的一第一表面與一第二表面上,且該第一表面與該第二表面係彼此相對。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11315811B2 (en) * 2018-09-06 2022-04-26 Kla Corporation Process temperature measurement device fabrication techniques and methods of calibration and data interpolation of the same
CN110926630A (zh) * 2020-01-20 2020-03-27 上海集迦电子科技有限公司 一种带柔性电路板的晶圆温度传感装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010005017A1 (en) * 1998-06-18 2001-06-28 Hiroto Sato Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same
JP2009535855A (ja) * 2006-05-01 2009-10-01 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション シールドを備えるプロセス条件測定素子
US20120065764A1 (en) * 2010-09-10 2012-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method to reduce pre-back-grinding process defects

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5644245A (en) * 1993-11-24 1997-07-01 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for inspecting electrical characteristics of a microelectronic element
US5548470A (en) * 1994-07-19 1996-08-20 International Business Machines Corporation Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity
US6455770B2 (en) * 1997-07-03 2002-09-24 Lee J. Pulver Electromagnetic radiation shield for attenuating electromagnetic radiation from an active electronic device
KR100560886B1 (ko) * 1997-09-17 2006-03-13 동경 엘렉트론 주식회사 가스 플라즈마 프로세스를 감시 및 제어하기 위한 시스템및 방법
US6445202B1 (en) * 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
TW483037B (en) * 2000-03-24 2002-04-11 Hitachi Ltd Semiconductor manufacturing apparatus and method of processing semiconductor wafer using plasma, and wafer voltage probe
US6691068B1 (en) * 2000-08-22 2004-02-10 Onwafer Technologies, Inc. Methods and apparatus for obtaining data for process operation, optimization, monitoring, and control
US7960670B2 (en) * 2005-05-03 2011-06-14 Kla-Tencor Corporation Methods of and apparatuses for measuring electrical parameters of a plasma process
US6807503B2 (en) * 2002-11-04 2004-10-19 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication
US7135852B2 (en) * 2002-12-03 2006-11-14 Sensarray Corporation Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
US20040126906A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monitoring a material processing system
US20040127030A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monitoring a material processing system
US7697260B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
US20050284570A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Doran Daniel B Diagnostic plasma measurement device having patterned sensors and features
US20060238954A1 (en) * 2005-04-21 2006-10-26 Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation Electrostatic chuck for track thermal plates
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
JP5034327B2 (ja) * 2006-06-07 2012-09-26 富士通セミコンダクター株式会社 半導体製造装置用温度測定具、半導体製造装置の温度測定方法、及び半導体製造装置
US7829468B2 (en) * 2006-06-07 2010-11-09 Lam Research Corporation Method and apparatus to detect fault conditions of plasma processing reactor
WO2008042903A2 (en) * 2006-10-03 2008-04-10 Kla-Tencor Technologies Corporation Systems for sensing pressure/shear force
JP5246836B2 (ja) * 2007-01-24 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用のプロセス性能検査方法及び装置
JP4302751B2 (ja) * 2007-03-29 2009-07-29 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体光センサ
CN102160167B (zh) * 2008-08-12 2013-12-04 应用材料公司 静电吸盘组件
WO2010090948A1 (en) * 2009-02-04 2010-08-12 Mattson Technology, Inc. Electrostatic chuck system and process for radially tuning the temperature profile across the surface of a substrate
JP5496630B2 (ja) * 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
US8845764B2 (en) * 2010-06-14 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device comprising solid electrolyte layer over active material and second electrolyte and method of manufacturing the same
US8298041B2 (en) * 2010-10-08 2012-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for wafer back-grinding control
US8937800B2 (en) * 2012-04-24 2015-01-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity
BR112015001055A2 (pt) * 2012-07-19 2017-06-27 3M Innovative Properties Co rótulo de blindagem eletromagnética
JP6329762B2 (ja) * 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9196514B2 (en) * 2013-09-06 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixilated heating
US9622375B2 (en) * 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
JP6674269B2 (ja) * 2015-02-09 2020-04-01 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010005017A1 (en) * 1998-06-18 2001-06-28 Hiroto Sato Scintillator panel, radiation image sensor, and methods of making the same
JP2009535855A (ja) * 2006-05-01 2009-10-01 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション シールドを備えるプロセス条件測定素子
US20120065764A1 (en) * 2010-09-10 2012-03-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method to reduce pre-back-grinding process defects

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