CN108701581B - 用于确定加工操作的参数的装置和方法 - Google Patents

用于确定加工操作的参数的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108701581B
CN108701581B CN201680072689.6A CN201680072689A CN108701581B CN 108701581 B CN108701581 B CN 108701581B CN 201680072689 A CN201680072689 A CN 201680072689A CN 108701581 B CN108701581 B CN 108701581B
Authority
CN
China
Prior art keywords
flexible laminate
sensors
computer
implemented method
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680072689.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108701581A (zh
Inventor
A·陈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ioneer LLC
Original Assignee
Ioneer LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ioneer LLC filed Critical Ioneer LLC
Publication of CN108701581A publication Critical patent/CN108701581A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108701581B publication Critical patent/CN108701581B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00Programme-control systems
    • G05B19/02Programme-control systems electric
    • G05B19/418Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41875Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45031Manufacturing semiconductor wafers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Abstract

本技术的各种示例公开了一种可以测量加工工具的加工特性的独立且可编程的加工探针装置(PPA)。加工探针装置包括一个或更多个传感器、模拟‑数字转换器及信息(ADCI)处理器、电源(EPS)以及数字信号通信装置,所有这些元件均附接到柔性薄膜。所述柔性薄膜可以被安装在仿效半导体工件的基板上。

Description

用于确定加工操作的参数的装置和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年12月10日递交的、题为“用于从加工信息获得数据的装置和方法(Apparatus and method for obtaining data from process information)”的美国临时申请62/265,807以及于2016年7月25日递交的、题为“用于测量静电夹具的热特性的装置和方法(Apparatus and method for measuring thermal properties of anelectrostatic chuck)”的美国临时申请62/366,491的优先权。
技术领域
本公开总地涉及半导体测试设备,更具体来说,该技术的某些实施例涉及用于测试半导体设备的加工(process)信息的方法和系统。
发明内容
本技术的各个示例公开了一种用于确定半导体加工(processing)工具的加工参数的装置。随着半导体装置中的关键尺寸缩小,准确控制加工工具(例如,蚀刻与沉积腔室)的加工参数(例如,加工温度、气体浓度、离子通量)变得更为重要。可以通过测量半导体工件实际经历过的加工参数或者在加工工具中正在经历的加工参数来达到精确控制。
同时,也有防止加工工具内部污染的需求(例如,降解金属污染物或掩蔽颗粒物质的装置)。此外,对于半导体工件而言,加工工具需要越来越严格的加工均一性,其禁止使用侵入性的监控器来记录半导体工件所经历的实际加工状态。因此,具有对类似于半导体工件的监控装置的需求,该监控装置能够以实际的半导体工件被转移的方式被转移到加工工具中,并且满足严格的污染控制协议。这种监控装置可以被用来测量半导体工件实际经历的加工状态。
本技术的各种示例公开了一种独立且可编程的加工探针装置(Processing ProbeApparatus,PPA),其可以测量加工工具的加工特性。加工探针装置包括一个或更多个传感器、处理器(例如,模拟-数字转换器及信息处理器(analog-to-digital converter andinformation(ADCI)processor))、电源(electrical power source,EPS)以及数字或光学信号通信装置,其中,所有元件均附接到柔性薄膜。柔性薄膜可以被夹置在两个基板之间,或者可以被安装在模仿半导体工件的基板上。
本技术的各种示例公开了一种测量加工工具的加工特性的方法。举例来说,该方法可以包括下列步骤:事前对加工探针装置进行编程以执行各种测量,将加工探针装置转移到加工工具中,允许加工探针装置在加工工具上运行一个或更多个加工状态或加工配方时执行测量,将测量的加工信息转换为数字格式,存储所转换的加工信息、将装置转移出加工工具,以及将所存储的加工信息下载至计算机装置上。
在某些实例中,在工具上运行一个或更多个加工状态或加工配方时所测量的数据,可以通过无线或光学的方式被传送至加工工具外部的接收器。可以对测量数据进行动态分析,并且利用测量数据在工具上运行一个或更多个加工状态或加工配方时,动态地管理加工工具的一个或更多个加工状态或加工配方。举例来说,所述方法可以包括以下步骤:预先对加工探针装置进行编程以执行各种测量,将加工探针装置转移到加工工具中,允许加工探针装置在工具上运行一个或更多个加工状态或加工配方时执行测量,将测量的加工信息转换为数字格式,将转换后的加工信息传送至位于加工工具外部的计算机装置,以及将装置转移出加工工具。
附图说明
为了描述可以获得本公开的上述及其他优点和特征所采用的方式,下文中将参照附图中所示的特定示例,来呈现对上文中简述的原理的更具体的描述。应当理解,这些附图仅描绘了本公开的示例,而不应被视为对本发明范围的限制,通过使用这些附图,可以对本发明的原理进行更具体且详尽的描述和解释,其中:
图1示出了根据本技术的某些方面的加工探针装置(PPA)系统的示例;
图2示出了根据本技术的某些方面的加工探针装置的示例;
图3A-图3D示出了根据本技术的某些方面的加工探针装置的示例;
图4示出了根据本技术的某些方面的测量加工工具的加工特性的方法的示例性过程;
图5示出了根据本技术的各种实现方式的示例性计算装置;以及
图6和图7示出了根据本技术的各种示例的示例性系统。
详细描述
下文中阐述的详细描述意图作为对本技术的各种配置的描述,其并不意图代表本技术可以在其中实践的唯一配置。附图合并于本文中并且构成本详细描述的一部分。出于提供对本技术的更透彻理解的目的,详细描述包括具体细节。然而,将是清楚且显而易见的是,本技术并不限于本文中阐述的具体细节,并且可以在没有这些细节的情况下实践。在某些实例中,为了避免模糊本技术的概念,结构与元件是以方块图的形式显示的。
图1示出了根据本技术的某些方面的加工探针装置(Processing ProbeApparatus,PPA)系统100的示例。在此示例中,该加工探针装置系统包括加工探针装置、接收器(可选的)以及计算装置(例如,112、114和116)。接收器可以是数字接收器或光学接收器。接收器可以是计算装置的一部分,或者可以经由网络120耦连至计算装置。加工探针装置被装载到加工工具118中。计算装置被配置以从接收器接收数据或者通过网络120直接从加工探针装置接收数据,并对所接收到的数据进行分析。接收器位于加工工具外部。
在某些示例中,接收器可以经由无线或光学通道122或有线连接从加工探针装置接收数据。无线或光学通道122可以是被用于使加工探针装置能够进行无线通信的任何合适的通道,诸如,光学、蓝牙、蜂窝、近场通信或Wi-Fi通道。接着,接收器可以将接收到的数据经由网络120传送至计算装置(例如,112、114和116),或者可以将接收到的数据直接传送至加工工具。
加工探针装置包括处理器102(例如,模拟-数字转换器及信息(ADCI)处理器)、一个或更多个传感器108、通信装置106(例如,数字通信装置(digital communicationdevice,DCD)或光学通信装置(optical communication device,OCD))、电源(EPS)104以及屏蔽110。处理器102包括用于装置的操作的软件程序指令。处理器102可以从传感器108接收模拟数据、将数据转换为数字格式,并且记录所述数据。在完成数据的记录之后,所记录的数据可以通过通信装置106被传送至接收器、加工工具118或计算装置。在某些示例中,处理器102可以使加工探针装置经由无线或光学通道122以大致实时的方式将转换后的数字传感器数据传送至接收器(未示出)。
在某些示例中,转换后的数字传感器数据可以被存储在加工探针装置的存储器(未示出)或存储装置中。在加工探针装置从加工工具118卸载下来之后,转换后的数字传感器数据被取回并进行处理。
电源104将电力供应至加工探针装置的元件(例如,处理器102和通信装置106)。在某些示例中,电源104可以根据需求将电流或电压供应至一个或更多个传感器(108)。作为替代的方案,电源104可以直接用作传感器(108)的激发源。
在某些示例中,通信装置106还可以从外部装置(例如,接收器(可选的)、加工工具118或计算装置)接收数据。从外部装置接收的数据可以包括用于处理器102收集特定格式的数据的命令或用于执行特定的功能步骤的命令。
屏蔽110可以防止加工工具内的电磁(EM)辐射干扰加工探针装置的电活性元件(例如,108、104、102、106)所执行的测量与信号处理,或者,可以防止电活性元件的降解的潜在化学侵蚀。在某些示例中,屏蔽110可以包括小型开口,其适于传送数据至通信装置106以及从通信装置106传送数据,或者,适于利用传感器108测量加工特性。在某些示例中,屏蔽110的小型开口是光学开口,其不是屏蔽110上的实际开口。光学开口可以允许某些频率的光通过,但仍然屏蔽其他频率的电磁辐射。
图2示出了根据本技术的某些方面的加工探针装置200的俯视图的示例。在此示例中,加工探针装置200包括圆形的基板212、处理器202、通信装置206以及多个传感器208,其中,薄型且柔性的层压板(laminate)210附接到所述圆形的基板212。层压板210包括以预定图案(例如,具有某程度的对称性的图案)布置的多个电源(EPS)204。在某些示例中,处理器202、通信装置206和/或多个传感器208可以以对称图案的形式布置在基板212上。在此示例中,未示出加工探针装置200的屏蔽与电绝缘材料。
图3A示出了根据本技术的某些方面的加工探针装置300A的另一示例。在此示例中,示出了加工探针装置300A的侧视图。加工探针装置300A包括薄型且柔性的层压板318,层压板318均匀地附接至基板312的顶部。基板312的示例可以包括具有各种厚度(例如,0.5-3mm)与各种直径(例如,450mm、300mm或200mm)的圆形的半导体晶圆,或者,具有适当形状以及适当物理尺寸的半导体晶圆的由其他材料所制成的圆盘。
层压板318可以包括一个或更多个电活性元件,该一个或更多个电活性元件安装在包含电气互连314的薄膜上。电活性元件包括以下中的至少一个:一个或更多个电源304(例如,电池、电容器或太阳能电池)、处理器302、通信装置306(例如,红外线通信装置、光学通信装置、无线通信装置或有线通信装置)以及一个或更多个传感器308(例如,诸如RTD、热电偶或光学传感器等温度传感器)。
在此示例中,层压板318包括屏蔽310,该屏蔽310可以用作大致环绕加工工具内部的元件的阻挡层,用于阻挡化学物、电磁辐射和/或污染物。在某些示例中,屏蔽310可以包括一个或更多个小型开口或光学透明的开口,以适于去往和来自通信装置306与传感器308的数据传输。
在某些示例中,层压板318包括电气隔离材料316,该电气隔离材料316将屏蔽310与加工探针装置300的其他元件(例如,诸如处理器302、通信装置306和传感器308之类的电活性元件)电气隔离开。电气隔离材料316可以包括但不限于诸如环氧树脂、绝缘薄膜(例如,聚酰亚胺)和硅氧烷之类的材料。
图3B示出了根据本技术的某些方面的加工探针装置300B的另一示例。在此示例中,示出了加工探针装置300B的侧视图。加工探针装置300B包括设置于基板(例如,硅晶圆312)的顶部上的有源层。有源层包括顶部上的阻挡层310。阻挡层310大致是平坦的,并且由氮化硅或二氧化硅组成,但并不限于此,氮化硅或二氧化硅可以由诸如物理气相沉积之类的已知的沉积技术施加。有源层进一步包括CPU 302、存储器334、电源304、多个传感器308、光学电力充电系统322、红外线或光学I/O装置320、填充材料326、电磁屏蔽层330,以及将加工探针装置300B的有源元件电连接的电气互连314。电气互连314可以被合并于与其他元件一起层压在基板上的柔性印刷电路板中。多个传感器308可以是温度传感器,诸如电阻式热探测器(RTD)、热电偶和/或光学传感器。电源304将电力供应至加工探针装置300B的其他元件。光学电力充电系统(例如,太阳能电池)可以用于在不破坏加工探针装置300B的一体性或无需物理接触加工探针装置300B的情况下给电源304充电。填充材料326用于填充加工探针装置300B的有源元件之间的空间,并且可以是电绝缘的并且可以具有与基板相似的热特性。电磁屏蔽层330可以防止加工工具内的电磁辐射对加工探针装置300B的电活性元件(例如,308、304、302和/或306)所执行的测量与信号处理产生干扰。
在此示例中,加工探针装置300B包含基板312以及加工探针装置300B的其他元件的总厚度小于或等于3mm。电磁屏蔽层330包括在光学电力充电系统322的顶部上的光学开口328,光学开口328是光学透明的,以允许具有第一频率范围内的光通过并到达光学电力充电系统322。电磁屏蔽层330也可以在红外线或光学I/O装置320的顶部上包含一个或更多个额外的光学开口,使得红外线或光学I/O装置320可以与加工探针装置300B外部的接收器(未示出)进行通信。如果传感器308为光学传感器,则可以在电磁屏蔽层330中提供额外的开口,以允许测量可见光、红外线光或紫外线光的通过。阻挡层310和填充材料326的位于光学电力充电系统322和/或红外线或光学I/O装置附近的部分,可以操作为允许具有第一频率范围内的光通过,和/或允许红外线或光学I/O装置320与接收器(未示出)进行通信。
处理器302可以经由电气互连314从多个传感器接收数据,并且将所接收到的传感器数据转换为数字传感器数据。处理器302可以将转换后的传感器数据存储在存储器334中。在加工探针装置300B从加工工具上卸载后,可以将存储的传感器数据取回并进行处理。在某些示例中,处理器302会使转换后的传感器数据在加工探针装置300B仍然处于加工工具内部时经由红外线或光学I/O装置320传送至接收器(未示出)。
图3C示出了根据本技术的某些方面的加工探针装置300C的另一示例。在此示例中,示出了加工探针装置300C的侧视图及剖视图。加工探针装置300C包括设置在基板(例如,硅晶圆312)底部的有源层。有源层包括位于底部的污染阻挡层310。污染阻挡层310大致是平坦的,并且在加工探针装置300C被用于收集加工数据时与静电夹具接触。有源层进一步包括CPU 302、存储器334、电力单元304、多个传感器308、光学电力充电系统322、红外线或光学I/O装置320、电磁屏蔽层310、填充材料326,以及将加工探针装置300C的有源元件电连接的互连314。电源304将电力供应至加工探针装置300C的其他元件。光学电力充电系统(例如,太阳能电池)可以用于在不破坏加工探针装置300C的一体性的情况下给电源304充电。红外线或光学I/O装置320可以经由红外线或光学通道与加工探针装置300C外部的接收器(未示出)进行通信。填充材料326用于填充加工探针装置300C的有源元件之间的空间。在此示例中,右侧与左侧的有源层代表硅晶圆中通过图中未明确示出的硅晶圆中的其他通道连接的有源区。
图3D示出了根据本技术的某些方面的加工探针装置300D的另一示例。在此示例中,加工探针装置300D包括颗粒与污染物屏蔽336、电磁屏蔽330、热传导介质332、多个温度传感器308、一个或更多个互连314、存储器334、一个或更多个位置传感器336、电源304、微处理器302以及无线通信装置320。
颗粒与污染物屏蔽336为加工探针装置300D的外部层,其可操作为保护加工工具不受到来自加工探针装置300D的污染。电磁屏蔽330可以设置于颗粒与污染物屏蔽336内部,并且可以经由热传导介质332连接至多个传感器308。电磁屏蔽330可操作为防止加工工具内的电磁辐射干扰加工探针装置300D的电活性元件(例如,308、336、334、304、302及320)所执行的测量与信号处理。
多个传感器308可以被设置于热传导介质332的第一表面和第二表面上。多个传感器308可以以预定图案(例如,具有某程度的对称性的图案)布置。
存储器334被配置为存储从多个温度传感器308所接收到的数据以及用于微处理器302的程序。无线通信装置320被配置为将加工探针装置300D内所收集的数据传送至外部装置(未示出),或者接收来自外部装置的数据与指令。
电源304被配置为将电力供应至加工探针装置300D的电活性元件(例如,308、336、334、304、302和320)。电源304可以包括电池、电容器或太阳能电池中的至少一个。在某些示例中,加工探针装置300D进一步包括传感器激发源以及交流/直流转换器(未示出)。
一个或更多个位置传感器336被配置为检测加工探针装置300D与加工工具的静电夹具(ESC)之间的相对位置。一个或更多个位置传感器336可以检测静电夹持的开始,并且可以为多个传感器308提供开始温度测量的时间参考。
图4示出了根据本技术的某些方面的确定加工工具的加工特性的示例流程400。应当理解,除了有特别声明外,在多个示例的范围内,可以具有以类似或可选的顺序或并行地执行的额外的、更少的或替换的步骤。示例方法400开始于步骤402,将加工探针装置装载到加工工具中。在某些示例中,加工探针装置可以被预先编程,以使加工探针装置执行各种测量。
在步骤404,如图1所示,在加工工具上运行加工配方。在步骤406,加工探针装置可以在加工配方运行时测量加工工具的加工信息。在步骤408,将所测量的加工数据转换为数字信息。
如图1-图3所示,在步骤410,可以将所测量的数据传送至加工工具外部的计算装置或接收器。在某些示例中,可以在加工工具上运行加工配方的同时传送所测量的加工数据。在某些示例中,可以将所测量的加工数据存储在加工探针装置上,并且在加工探针装置从加工工具上卸载下来后将所测量的加工数据发送至计算装置。
如图1-图3所示,在步骤412中,可以对所测量的加工数据进行分析,以在运行加工配方时提取加工工具的加工参数。在某些示例中,可以用加工探针装置的处理器对所测量的加工数据进行分析。举例来说,可以从所测量的加工数据中提取出加工工具内部的温度图或等离子体光谱。
在某些示例中,可以用计算装置对所测量的加工数据进行分析。分析后的数据可以用于动态地控制在加工工具上运行的加工配方,或者用于修改或优化该加工配方。示例方法400进一步包括步骤414,基于加工配方确定期望的加工工具内部的加工参数,以及至少基于想要的加工参数以及加工工具的加工参数,动态地调整加工工具的一个或更多个设置或者加工配方的至少一个参数。
图5示出了根据本技术的各种实现方式的示例性计算装置500。计算装置500包括主中央处理单元(CPU)562、接口568以及总线515(例如,PCI总线)。当在合适的软件或固件的控制下运行时,举例来说,CPU 562负责执行数据包管理、错误检测和/或诸如布线错误检测功能之类的路由功能。较佳地,CPU 562在包含操作系统以及任何合适的应用软件的软件控制下完成所有的这些功能。CPU 562可以包括一个或更多个处理器563,诸如来自Motorola微处理器家族的处理器,或者来自MIPS微处理器家族的处理器。在替代的示例中,处理器563是特别设计用于控制计算装置500的操作的硬件。在具体的示例中,存储器561(诸如非易失性的RAM和/或ROM)也可以构成CPU 562的一部分。然而,有很多种不同的方法可以将存储器耦接到系统。
接口568一般是以接口卡的形式提供(有时称为“线路卡”)。通常,它们可以控制通过网络进行的数据包的传送与接收,并且有时会支持与计算装置500一起使用的其他外围设备。目前可提供的接口包括以太网接口、帧中继接口、线缆接口、DSL接口、令牌环接口以及其他类似的接口。此外,可以提供各种非常高速度的接口,诸如快速令牌环接口、无线接口、以太网接口、千兆位以太网接口、ATM接口、HSSI接口、POS接口、FDDI接口等各种接口。一般来说,这些接口可以包括适合用来与合适的媒体进行通信的端口。在某些情况下,它们还可以包括独立的处理器,并且,在某些情况下,可以包括易失性的RAM。独立的处理器可以控制这种通信密集的任务,如数据包切换、媒体控制与管理。通过为通信密集的任务提供单独的处理器,这些接口允许主微处理器562有效率地执行路由计算、网络诊断及安全功能等。
虽然图5中示出的系统是本技术的一个具体计算装置,但其并非为本专利申请可以在其上实现的唯一网络装置架构。举例来说,经常会使用具有用于处理通信以及路由计算等的单一处理器的架构。此外,也可以将其他类型的接口及媒体与路由器一起使用。
不管网络装置的配置为何,其都可以采用一个或更多个存储器或存储器模块(包括存储器561),其被配置为存储用于通用目的的网络计算的程序指令,以及存储用于本文描述的漫游、路由最佳化及路由功能的机制。例如,程序指令可以控制操作系统和/或一个或更多个应用程序的操作。一个或更多个存储器还可以被配置为存储表单,诸如移动绑定、注册以及关联表单。
图6与图7示出了根据本技术的各种方面的示例可能系统。在实践本技术时,更加合适的示例对于本领域普通技术人员来说是显而易见的。本领域呃普通技术人员也能够轻易地理解其他系统示例是可能的。
图6示出了计算系统架构600,其中,系统的元件利用总线605彼此进行电气通信。示例性的系统600系包括处理单元(CPU或处理器)610以及将各种系统元件与处理器610耦接的系统总线605,其中,系统元件包括诸如只读存储器(ROM)620以及随机存取存储器(RAM)625之类的系统存储器615。系统600可以包括与处理器610直接连接、靠近处理器610或被集成为处理器610的一部分的属于高速存储器的高速缓存。系统600可以将数据从存储器615和/或存储装置630复制到高速缓存612,以供处理器610进行快速访问。如此一来,高速缓存可以提供性能提高,其在等待数据时避免了处理器610延迟。这些模块以及其他的模块可以控制或者被配置为控制处理器610以执行各种动作。其他的系统存储器615也可用于使用。存储器615可以包括具有不同性能特性的多个不同类型的存储器。处理器610可以包括任何通用处理器和被配置为控制处理器610的硬件模块或软件模块(诸如,存储在存储装置630中的模块632、模块634和模块636),以及专用处理器,其中软件指令被整合到实际处理器设计之中。处理器610可以实质上是完全独立的计算系统,其可以包括多个核心或处理器、总线、存储器控制器、高速缓存等。多核处理器可以是对称的或非对称的。
为了使能与计算装置600的用户交互,输入装置645可以代表任何数量的输入机制,诸如用于说话的麦克风、用于手势或图形输入的触敏屏幕、键盘、鼠标、运动输入、语音等。输出装置635还可以是本领域中习知的多个输出机制中的一个或更多个。在某些情况中,多模式系统可以使得用户能够提供多种类型的输入,以与计算装置600进行通信。通信接口640通常可以操纵和管理用户输入与系统输出。对于任何特定硬件布置的操作都没有任何的限制,因此,本发明中的基本特征可以随着它们的发展轻易地替换为改进的硬件或固件布置。本专利申请的任何示例中的任何特征或步骤,都可以与任何其他示例中的任何其他特征或步骤混合。
存储装置630是非易失性存储器,并且可以是硬盘或其他类型的可以存储可由计算机存取的数据的计算机可读介质,诸如磁带盒、闪存卡、固态存储器装置、数字多功能盘、卡带、随机存取存储器625、只读存储器620以及上述介质的混合。
存储装置630可以包括用于控制处理器610的软件模块632、634和636。也可以考虑使用其他的硬件或软件模块。存储装置630可以与系统总线605连接。在一个方面,执行特定功能的硬件模块可以包括存储在计算机可读介质中并且与必需的硬件(诸如处理器610、总线605、输出装置635(例如,显示器)等等)元件相连以执行其功能的软件元件。
图7示出了计算机系统700,其具有可以用于执行上述方法并产生和显示图形用户界面(GUI)的芯片集架构。计算机系统700是可以用于实现所公开的技术的计算机硬件、软件和固件的示例。系统700可以包括处理器755,其代表了任何数量的物理上和/或逻辑上不同的资源,该些资源能够执行被配置为执行所识别的计算的软件、固件和硬件。处理器755可以与芯片集760进行通信,芯片集760可以控制至处理器755的输入以及来自处理器755的输出。在此示例中,芯片集760将信息输出至诸如显示器之类的输出装置765,且芯片集760可以读取信息以及将信息写入存储装置770,作为示例,存储装置770可以包括磁介质以及固态介质。芯片集760还可以从随机存取存储器775读取数据以及将数据写入随机存取存储器775。用于与各种用户接口元件785接合的桥780,可以用来与芯片集760接合。这种用户接口元件785可以包括键盘、麦克风、触摸检测与处理电路、诸如鼠标之类的指向装置等等。在一般的情况中,输入至系统700的输入可以来自各种来源、由机器产生的和/或由人类产生的任何一种。
芯片集760还可以与具有不同物理接口的一个或更多个通信接口790接合。这种通信接口可以包括用于有线和无线的局域网的接口、用于宽带无线网络的接口以及用于个人区域网络的接口。用于产生、显示以及使用本文中公开的图形用户界面的方法的某些应用,可以包括通过物理界面接收有序数据集或可以通过处理器755分析存储在存储装置770或随机存取存储器775中的数据由机器自身产生的有序数据集。此外,机器可以经由用户界面元件785接收来自用户的输入,并且通过利用处理器755解释这些输入来执行诸如浏览功能之类的合适的功能。
应当理解,示例系统600与系统700可以具有一个以上的处理器610、755,或者可以是联网在一起以提供更大的处理能力的一组计算装置或计算装置集群的一部分。
如本领域普通技术人员容易认识到的,上文中提供的示例以及技术仅仅是出于清晰和解释的目的,并且可以包括许多额外的概念以及变化。
本技术的各种方面提供了用于确定加工工具内部的加工操作的参数的系统与方法。虽然上文已经引用了具体示例来示出如何用不同的指令来采用可选择的操作,但其他的示例可以将可选择的操作整合进不同的指令中。为了解释的清晰性,在某些情况中,本技术可以被呈现为包括各个功能块,功能块包括装置、装置元件、以软件或软件与硬件的组合体现的方法的步骤或例程。
各种示例可以进一步在各式各样的操作环境中实现,在某些情况中,这些操作环境可以包括一个或更多个服务器计算机、用户计算机或可以用来操作任何数量的应用程序的计算装置。用户装置或客户端装置可以包括任何数量的通用个人计算机,诸如运行标准操作系统的桌上型计算机或膝上型计算机,以及运行移动软件并且能够支持多个网络协议与讯息协议的蜂窝式、无线及手持装置。这种系统还可以包括出于诸如开发和数据库管理之类的目的运行任意种类的商用操作系统以及其他已知应用程序的多个工作站。这些装置还可以包括其他的电子装置,诸如伪输出端、瘦客户端、游戏系统以及能够经由网络进行通信的其他装置。
就示例及其部分来说,其以硬件来实现,然而,本专利申请可以采用下列技术中的任何一个或者下列技术的组合来实现:具有在接收到数据信号时用于实现逻辑功能的逻辑门的一个或更多个离散逻辑电路、具有合适的组合逻辑门的专用集成电路(ASIC)、诸如一个或更多个可编程门阵列(PGA)的可编程的硬件、现场可编程门阵列(FPGA)等技术。
大部分示例利用至少一个网络,其将是本领域中技术人员所熟悉的用于使用任何种类的商用协议(诸如TCP/IP、OSI、FTP、UPnP、NFS、CIFS、AppleTalk等)支持通信的网络。举例来说,该网络可以是局域网、广域网、虚拟专用网络、因特网、内联网、外联网、公共交换电话网、红外线网络、无线网络或是上述网络中的任意组合。
根据上面描述的示例的方法可以使用计算机可执行指令来实现,所述计算机可执行指令存储在计算机可读介质中,或者可以从计算机可读介质取得。举例来说,这些指令可以包括使得或配置通用计算机、专用计算机或专用处理装置以执行某功能或功能组的指令与数据。可以通过网络取得所使用的计算机资源的一部分。举例来说,计算机可执行指令可以是二进制的中间格式的指令,诸如汇编语言、固件或源代码。可以用于存储指令、所使用的信息和/或在根据上述示例的方法期间所创建的信息的计算机可读介质的示例,包括磁盘或光盘、闪存、具有非易失性存储器的USB装置、联网的存储装置等等。
实现根据这些技术的方法的装置可以包括硬件、固件和/或软件,并且可以具有任何的形式因素(form factor)。这种形式因素的典型示例包括服务器计算机、膝上型计算机、智能手机、小型形式因素的个人计算机、个人数字助理等。在本文中所描述的功能还可以被具体化在外围设备或附加卡中。在更进一步的示例中,这些功能还可以在电路板上在不同的芯片或在单个器件中执行的不同加工之间实现。
在采用网络服务器的示例中,网络服务器可以运行任何种类的服务器或中间层的应用程序,其包括超文件传输协议(HTTP)服务器、FTP服务器、公共网关接口(CGI)服务器、数据服务器、Java服务器以及商务应用服务器。一个或更多个服务器还能够响应于来自用户设备的请求而执行程序或脚本,诸如通过执行可以被实现为以任何编程语言(诸如 C、C#或C++)或任何脚本语言(诸如Perl、Python或TCL)以及其组合编写的一个或更多脚本或程序的网络应用程序。一个或更多个服务器还可以包括数据库服务器,其包括但不限于可以从开放市场上商购得到的服务器。
任何用于执行属于计算机、服务器或其他网络装置的功能的必要文件可以根据合适的方式被本地和/或远程存储。当系统包括计算机化的装置时,每个这种装置可以包括可以通过总线电耦接的硬件元件,举例来说,该些元件包括至少一个中央处理单元(CPU)、至少一个输入装置(例如,鼠标、键盘、控制器、触敏显示元件或小键盘),以及至少一个输出装置(例如,显示装置、打印机或扬声器)。这种系统还可以包括一个或更多个存储装置,诸如磁盘驱动、光学存储装置、以及诸如随机存取存储器(RAM)或只读存储器(ROM)之类的固态存储装置,以及可移除的媒体装置、记忆卡、闪存卡等等。
这种装置还可以包括如上所述的计算机可读存储介质读取器、通信装置(例如,调制解调器、网络卡(无线或有线)、红外线计算装置)以及工作存储器。计算机可读存储介质读取器可以与计算机可读存储介质连接或被配置为接收计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质代表远程的、本地的、固定的和/或可移除的存储装置,以及用于暂时和/或永久容纳、存储、传送与检索计算机可读信息的存储装置。这种系统与各种装置一般还会包括位于至少一个工作存储器装置中的多个软件应用程序、模块、服务或其他元件,所述工作存储器装包括操作系统和诸如客户端应用程序或网络浏览器之类的应用程序。应当理解,从上面的描述,替代示例可具有众多改变。举例来说,还可以采用定制的硬件,和/或可以以硬件、软件(包括便携式软件,诸如小型应用程序)或两者实现的特定元件。此外,也可以采用与其他计算装置(诸如网络输入/输出装置)的连接。
用于容纳代码或部分代码的存储介质与计算机可读介质,可以包括本领域中已知的或使用的任何合适的介质,包括存储介质与计算介质,诸如但不限于以用于存储和/或传输信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术实现的易失性和非易失性的、可移除和不可移除的介质,包括RAM、ROM、EPROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光学存储、磁带盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置,或者可以用来存储所需要的信息并且可以由系统装置访问的任何其他介质。基于本文提供的技术和教导,本领域的普通技术人员应当能够理解实现本技术的各个方面的其他方式和/或方法。
据此,本说明书与附图应被视为是说明性的,而不是限制性的意义。然而,在不脱离如权利要求书中所阐述的本专利申请的广泛精神和范围的情况下,显然可以对其进行各种修改和变化。

Claims (20)

1.一种用于确定加工工具的加工参数的计算机实现的方法,包括:
将基板和加工探针装置PPA装载至所述加工工具中,其中所述加工探针装置被设置在所述基板上,所述加工探针装置包括柔性层压板,所述柔性层压板包括处理器、多个传感器、电源、通信装置、互连和屏蔽层,所述屏蔽层可操作为防止所述加工工具内的电磁(EM)辐射干扰所述柔性层压板的元件所执行的测量与信号处理;
在所述加工工具上运行加工配方;
在运行所述加工配方的同时,使所述加工探针装置测量所述加工工具的加工参数;
从所述加工探针装置接收测量的加工数据;以及
分析所测量的加工数据以确定所述加工参数。
2.如权利要求1所述的计算机实现的方法,其中,所述多个传感器为电阻式热探测器(RTD)、热电偶或光学传感器。
3.如权利要求2所述的计算机实现的方法,其中,所述加工探针装置进一步包括一个或更多个位置传感器,所述一个或更多个位置传感器被配置为检测所述加工探针装置与所述加工工具的静电夹具(ESC)之间的相对位置。
4.如权利要求3所述的计算机实现的方法,其中,所述一个或更多个位置传感器被配置为感测静电夹持的开始,并且为所述多个传感器提供对开始温度测量的时间参考。
5.如权利要求1所述的计算机实现的方法,其中,所述加工探针装置进一步包括阻挡层,所述阻挡层具有大致平坦的顶部表面并且被设置在所述柔性层压板的顶部上,所述柔性层压板被设置在所述基板的顶部上。
6.如权利要求1所述的计算机实现的方法,其中,所述柔性层压板进一步包括填充材料,所述填充材料可操作为填充所述柔性层压板的元件之间的空间。
7.如权利要求1所述的计算机实现的方法,其中,所述柔性层压板进一步包括光学充电系统,所述光学充电系统可操作为在无需物理接触所述加工探针装置的情况下给所述电源充电。
8.如权利要求7所述的计算机实现的方法,其中,所述屏蔽层包括第一光学开口,所述第一光学开口是光学透明的,以允许具有第一频率范围的光通过并且到达所述光学充电系统。
9.如权利要求8所述的计算机实现的方法,其中,所述屏蔽层包括第二光学开口,所述第二光学开口可操作为允许所述通信装置与所述加工探针装置外部的接收器进行通信。
10.如权利要求1所述的计算机实现的方法,其中,所述加工探针装置进一步包括阻挡层,所述阻挡层具有大致平坦的底部表面,所述柔性层压板被设置在所述阻挡层的顶部上,所述基板被设置在所述柔性层压板的顶部上。
11.如权利要求1所述的计算机实现的方法,其中,所述柔性层压板进一步包括热传导介质,所述多个传感器被设置在所述热传导介质的第一表面与第二表面上,所述第一表面与所述第二表面是彼此相对的。
12.一种用于确定加工工具的加工参数的装置,其包括:
基板;以及
柔性层压板,所述柔性层压板包括:
处理器;
多个传感器;
电源;
通信装置;
互连;
屏蔽层,所述屏蔽层可操作为防止所述加工工具内的电磁(EM)辐射干扰所述柔性层压板的元件所执行的测量与信号处理;以及
一个或更多个位置传感器,所述一个或更多个位置传感器被配置为检测所述装置与所述加工工具的静电夹具(ESC)之间的相对位置。
13.如权利要求12所述的装置,其中,所述多个传感器为电阻式热探测器(RTD)、热电偶或光学传感器;其中,所述一个或更多个位置传感器被配置为感测静电夹持的开始,并且为所述多个传感器提供对开始温度测量的时间参考。
14.如权利要求12所述的装置,进一步包括阻挡层,所述阻挡层具有大致平坦的顶部表面并且被设置在所述柔性层压板的顶部上,所述柔性层压板被设置在所述基板的顶部上。
15.如权利要求12所述的装置,其中,所述柔性层压板进一步包括填充材料,所述填充材料可操作为填充所述柔性层压板的元件之间的空间。
16.如权利要求12所述的装置,其中,所述柔性层压板进一步包括光学充电系统,所述光学充电系统可操作为在无需物理接触所述装置的情况下给所述电源充电。
17.如权利要求16所述的装置,其中,所述屏蔽层包括第一光学开口,所述第一光学开口是光学透明的,以允许具有第一频率范围的光通过并且到达所述光学充电系统。
18.如权利要求17所述的装置,其中,所述屏蔽层包括第二光学开口,所述第二光学开口可操作为允许所述通信装置与所述装置外部的接收器进行通信。
19.如权利要求12所述的装置,进一步包括阻挡层,所述阻挡层具有大致平坦的底部表面,所述柔性层压板被设置在所述阻挡层的顶部上,所述基板被设置在所述柔性层压板的顶部上。
20.如权利要求12所述的装置,其中,所述柔性层压板进一步包括热传导介质,所述多个传感器被设置在所述热传导介质的第一表面与第二表面上,所述第一表面与所述第二表面是彼此相对的。
CN201680072689.6A 2015-12-10 2016-12-05 用于确定加工操作的参数的装置和方法 Active CN108701581B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562265807P 2015-12-10 2015-12-10
US62/265,807 2015-12-10
US201662366491P 2016-07-25 2016-07-25
US62/366,491 2016-07-25
PCT/US2016/064987 WO2017100132A1 (en) 2015-12-10 2016-12-05 Apparatus and method for determining parameters of process operation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108701581A CN108701581A (zh) 2018-10-23
CN108701581B true CN108701581B (zh) 2023-12-19

Family

ID=59013127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680072689.6A Active CN108701581B (zh) 2015-12-10 2016-12-05 用于确定加工操作的参数的装置和方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11724354B2 (zh)
JP (1) JP6925044B2 (zh)
KR (1) KR20180093966A (zh)
CN (1) CN108701581B (zh)
TW (1) TWI745322B (zh)
WO (1) WO2017100132A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11315811B2 (en) 2018-09-06 2022-04-26 Kla Corporation Process temperature measurement device fabrication techniques and methods of calibration and data interpolation of the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009535855A (ja) * 2006-05-01 2009-10-01 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション シールドを備えるプロセス条件測定素子

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5644245A (en) * 1993-11-24 1997-07-01 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for inspecting electrical characteristics of a microelectronic element
US5548470A (en) * 1994-07-19 1996-08-20 International Business Machines Corporation Characterization, modeling, and design of an electrostatic chuck with improved wafer temperature uniformity
US6455770B2 (en) * 1997-07-03 2002-09-24 Lee J. Pulver Electromagnetic radiation shield for attenuating electromagnetic radiation from an active electronic device
CN1299226C (zh) * 1997-09-17 2007-02-07 东京电子株式会社 用于监视和控制气体等离子体处理的系统和方法
DE69927522T2 (de) * 1998-06-18 2006-07-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Strahlungsbildsensor und verfahren zu dessen herstellung
US6445202B1 (en) * 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
TW483037B (en) * 2000-03-24 2002-04-11 Hitachi Ltd Semiconductor manufacturing apparatus and method of processing semiconductor wafer using plasma, and wafer voltage probe
US6691068B1 (en) * 2000-08-22 2004-02-10 Onwafer Technologies, Inc. Methods and apparatus for obtaining data for process operation, optimization, monitoring, and control
US7960670B2 (en) * 2005-05-03 2011-06-14 Kla-Tencor Corporation Methods of and apparatuses for measuring electrical parameters of a plasma process
US6807503B2 (en) * 2002-11-04 2004-10-19 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication
US7135852B2 (en) * 2002-12-03 2006-11-14 Sensarray Corporation Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
US20040126906A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monitoring a material processing system
US20040127030A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monitoring a material processing system
US7697260B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
US20050284570A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Doran Daniel B Diagnostic plasma measurement device having patterned sensors and features
US20060238954A1 (en) * 2005-04-21 2006-10-26 Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation Electrostatic chuck for track thermal plates
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US7829468B2 (en) * 2006-06-07 2010-11-09 Lam Research Corporation Method and apparatus to detect fault conditions of plasma processing reactor
JP5034327B2 (ja) * 2006-06-07 2012-09-26 富士通セミコンダクター株式会社 半導体製造装置用温度測定具、半導体製造装置の温度測定方法、及び半導体製造装置
WO2008042903A2 (en) * 2006-10-03 2008-04-10 Kla-Tencor Technologies Corporation Systems for sensing pressure/shear force
JP5246836B2 (ja) * 2007-01-24 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用のプロセス性能検査方法及び装置
JP4302751B2 (ja) * 2007-03-29 2009-07-29 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体光センサ
EP2321846A4 (en) * 2008-08-12 2012-03-14 Applied Materials Inc ELECTROSTATIC FODDER ASSEMBLY
WO2010090948A1 (en) * 2009-02-04 2010-08-12 Mattson Technology, Inc. Electrostatic chuck system and process for radially tuning the temperature profile across the surface of a substrate
JP5496630B2 (ja) * 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
JP5711615B2 (ja) * 2010-06-14 2015-05-07 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置の作製方法
US8571699B2 (en) * 2010-09-10 2013-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method to reduce pre-back-grinding process defects
US8298041B2 (en) * 2010-10-08 2012-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for wafer back-grinding control
US8937800B2 (en) * 2012-04-24 2015-01-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity
JP2015525901A (ja) * 2012-07-19 2015-09-07 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 電磁遮蔽ラベル
JP6329762B2 (ja) * 2012-12-28 2018-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9196514B2 (en) * 2013-09-06 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixilated heating
US9622375B2 (en) * 2013-12-31 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution
US9954113B2 (en) * 2015-02-09 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009535855A (ja) * 2006-05-01 2009-10-01 ケーエルエー−テンカー・コーポレーション シールドを備えるプロセス条件測定素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP6925044B2 (ja) 2021-08-25
TW201736036A (zh) 2017-10-16
US11724354B2 (en) 2023-08-15
KR20180093966A (ko) 2018-08-22
JP2019506008A (ja) 2019-02-28
TWI745322B (zh) 2021-11-11
US20210101249A1 (en) 2021-04-08
CN108701581A (zh) 2018-10-23
WO2017100132A1 (en) 2017-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Gao et al. Speeding up GW calculations to meet the challenge of large scale quasiparticle predictions
US20140042442A1 (en) Reliable physical unclonable function for device authentication
US10746782B2 (en) Accelerated wafer testing using non-destructive and localized stress
US10126362B2 (en) Controlling a test run on a device under test without controlling the test equipment testing the device under test
CN108701581B (zh) 用于确定加工操作的参数的装置和方法
Meister et al. Optimization of a bolometer detector for ITER based on Pt absorber on SiN membrane
Cai et al. Apparatus for measuring the Seebeck coefficients of highly resistive organic semiconducting materials
Pérez Garza et al. MEMS‐based system for in‐situ biasing and heating solutions inside the TEM
WO2019211614A1 (en) Near-zero leakage switching circuit
US20200383196A1 (en) Method and system for measuring plasma emissions in a plasma processing reactor
Westergaard Østerberg et al. Fast micro Hall effect measurements on small pads
US20220091060A1 (en) Multifunctional heterojunction metal oxide gas sensor
US11437102B1 (en) Memory erasure using proximity heaters
US11761903B2 (en) Wafer inspection and verification
CN114930718A (zh) 用于太阳能电池测试和表征的可重复使用的接口
CN117783684A (zh) 一种晶圆的电容测试方法、装置及系统
Nojima et al. Failure analysis of fine Cu patterning by shave‐off profiling
WO2018125045A1 (en) Targeted burn-in on an integrated circuit
Butler et al. Metal deposition in power semiconductors

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant