TWI745165B - 電流參數計算方法 - Google Patents

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TWI745165B
TWI745165B TW109139895A TW109139895A TWI745165B TW I745165 B TWI745165 B TW I745165B TW 109139895 A TW109139895 A TW 109139895A TW 109139895 A TW109139895 A TW 109139895A TW I745165 B TWI745165 B TW I745165B
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  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

本發明係揭露一種電流參數計算方法，其係選取分別對應絕緣閘雙極性電晶體之電流關係式之不同參數之初始值，其中電流關係式根據二極體之電流公式而建立。以每一初始值為中心，據此選取每一參數對應之複數個選取值，將參數對應之選取值代入電流關係式，以形成複數條電流曲線。計算絕緣閘雙極性電晶體之電流量測曲線與每一電流曲線在相同偏壓時的電流差之絕對值，以得到分別對應不同偏壓之偏差值，並計算對應同一電流曲線之所有偏差值之總和。當所有總和之最小者收斂時，選取其對應之選取值，進而完成精準電流關係式。

Description

電流參數計算方法
本發明係關於一種計算方法，且特別關於一種電流參數計算方法。
絕緣閘雙極電晶體（Insulated  Gate  Bipolar  Transistor , IGBT），是半導體器件的一種，主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。傳統的雙載子接面電晶體(BJT)導通電阻小，但是驅動電流大，而金氧半場效電晶體(MOSFET)的導通電阻大，卻有著驅動電流小的優點。IGBT正是結合了這兩者的優點：不僅驅動電流小，導通電阻也很低。
絕緣閘雙極電晶體的基本包裝為三個端點的功率級半導體元件，其特點為高效率及切換速度快，為改善功率級雙載子接面電晶體運作的工作狀況而誕生。絕緣閘雙極電晶體結合了場效電晶體閘極易驅動的特性與雙極性電晶體耐高電流與低導通電壓壓降特性，絕緣閘雙極電晶體通常用於中高容量功率場合，如切換式電源供應器、馬達控制與電磁爐。大型的絕緣閘雙極電晶體模組應用於數百安培與六千伏特的電力系統領域，其模組內部包含數個單一絕緣閘雙極電晶體元件與保護電路。然而，目前並無能夠精準吻合絕緣閘雙極電晶體之電流公式。
因此，本發明係在針對上述的困擾，提出一種電流參數計算方法，以解決習知所產生的問題。
本發明提供一種電流參數計算方法，其係推導出精準的絕緣閘雙極性電晶體之電流關係式，以供使用者使用。
在本發明之一實施例中，提供一種電流參數計算方法，其包含下列步驟：選取分別對應絕緣閘雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor)之電流關係式之複數個不同參數之複數個第一初始值，其中電流關係式根據二極體之電流公式而建立；以每一第一初始值為中心，向正方向與負方向延伸以形成第一預設範圍，在第一預設範圍中選取每一參數對應之複數個第一選取值，將所有參數對應之所有第一選取值代入電流關係式，以形成複數條第一電流曲線；計算絕緣閘雙極性電晶體之電流量測曲線與每一第一電流曲線在相同偏壓時的電流差之絕對值的N次方，以得到分別對應不同偏壓之複數個第一偏差值，並計算對應同一第一電流曲線之所有第一偏差值之總和，其中N為自然數；選取所有前一電流曲線對應之總和的最小者，將最小者對應之所有選取值分別作為分別對應所有參數之複數個第二初始值；以每一第二初始值為中心，向正方向與負方向延伸以形成第二預設範圍，在第二預設範圍中選取每一參數對應之複數個第二選取值，將所有參數對應之所有第二選取值代入電流關係式，以形成複數條第二電流曲線；計算電流量測曲線與每一第二電流曲線在相同偏壓時的電流差之絕對值的N次方，以得到分別對應不同偏壓之複數個第二偏差值，並計算對應同一第二電流曲線之所有第二偏差值之總和；選取所有第二電流曲線對應之總和的最小者；以及判斷最新之最小者與前一最小者之差值是否小於一預設值：若是，選取最新之最小者對應之所有選取值；以及若否，回至選取所有前一電流曲線對應之總和的最小者，將所有前一電流曲線對應之所有選取值分別作為分別對應所有參數之所有第二初始值之步驟。
在本發明之一實施例中， 絕緣閘雙極性電晶體包含一N型半導體基板、一P型重摻雜層、一P型井區、一環形N型重摻雜區、一源極層、一絕緣層與一閘極層。P型重摻雜層設於N型半導體基板之底部，P型重摻雜層作為汲極層。P型井區設於N型半導體基板中，環形N型重摻雜區設於P型井區中。源極層與絕緣層設於N型半導體基板之頂部。源極層覆蓋部分之P型井區與部分之環形N型重摻雜區，絕緣層覆蓋部分之N型半導體基板、部分之P型井區與部分之環形N型重摻雜區，並環繞源極層。閘極層設於絕緣層上。
在本發明之一實施例中，絕緣閘雙極性電晶體更包含一P型重摻雜區，其係設於P型井區中，環形N型重摻雜區環繞P型重摻雜區，源極層覆蓋P型重摻雜區。
在本發明之一實施例中，電流關係式以下列公式表示：
Figure 02_image001
；在
Figure 02_image003
時，
Figure 02_image005
；以及在
Figure 02_image007
時，
Figure 02_image009
；其中
Figure 02_image001
為二極體之電流公式，I為絕緣閘雙極性電晶體之電流，
Figure 02_image011
為飽和電流，
Figure 02_image013
為絕緣閘雙極性電晶體之汲極電壓，
Figure 02_image015
為絕緣閘雙極性電晶體之閘極電壓，
Figure 02_image017
為絕緣閘雙極性電晶體之臨界電壓，
Figure 02_image019
為絕緣閘雙極性電晶體之1/爾利電壓(early voltage)，
Figure 02_image021
為絕緣閘雙極性電晶體之汲源電壓，
Figure 02_image023
為絕緣閘雙極性電晶體之製程互導參數(process transconductance parameter) ，且為溫度的函數。
在本發明之一實施例中，參數包含
Figure 02_image011
、
Figure 02_image017
、
Figure 02_image023
與
Figure 02_image019
。
在本發明之一實施例中，最新之最小者與前一最小者之差值小於預設值時，所有前一電流曲線為所有第一電流曲線。
在本發明之一實施例中，第一預設範圍之最大值與其對應之第一初始值之差值的絕對值等於第一預設範圍之最小值與其對應之第一初始值之差值的絕對值。
在本發明之一實施例中，第一選取值在該第一預設範圍中為均勻分布。
在本發明之一實施例中，第二預設範圍之最大值與其對應之第二初始值之差值的絕對值等於第二預設範圍之最小值與其對應之第二初始值之差值的絕對值。
在本發明之一實施例中，第二選取值在該第二預設範圍中為均勻分布。
基於上述，電流參數計算方法根據二極體之電流公式而建立精準的絕緣閘雙極性電晶體之電流關係式，以供使用者使用。
茲為使　貴審查委員對本發明的結構特徵及所達成的功效更有進一步的瞭解與認識，謹佐以較佳的實施例圖及配合詳細的說明，說明如後：
本發明之實施例將藉由下文配合相關圖式進一步加以解說。盡可能的，於圖式與說明書中，相同標號係代表相同或相似構件。於圖式中，基於簡化與方便標示，形狀與厚度可能經過誇大表示。可以理解的是，未特別顯示於圖式中或描述於說明書中之元件，為所屬技術領域中具有通常技術者所知之形態。本領域之通常技術者可依據本發明之內容而進行多種之改變與修改。
在說明書及申請專利範圍中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。然而，所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，同樣的元件可能會用不同的名詞來稱呼。說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異做為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來做為區分的基準。在說明書及申請專利範圍所提及的「包含」為開放式的用語， 故應解釋成「包含但不限定於」。另外，「耦接」在此包含任何直接及間接的連接手段。因此，若文中描述第一元件耦接於第二元件，則代表第一元件可通過電性連接或無線傳輸、光學傳輸等信號連接方式而直接地連接於第二元件，或者通過其他元件或連接手段間接地電性或信號連接至該第二元件。
於下文中關於“一個實施例”或“一實施例”之描述係指關於至少一實施例內所相關連之一特定元件、結構或特徵。因此，於下文中多處所出現之“一個實施例”或 “一實施例”之多個描述並非針對同一實施例。再者，於一或多個實施例中之特定構件、結構與特徵可依照一適當方式而結合。
除非特別說明，一些條件句或字詞，例如「可以(can)」、「可能(could)」、「也許(might)」，或「可(may)」，通常是試圖表達本案實施例具有，但是也可以解釋成可能不需要的特徵、元件，或步驟。在其他實施例中，這些特徵、元件，或步驟可能是不需要的。
第1圖為本發明之電流參數計算方法之一實施例之流程圖。第2圖為本發明之絕緣閘雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor)之一實施例之結構俯視圖。第3圖為第2圖沿A-A’線之結構剖視圖。以下介紹本發明之電流參數計算方法之一實施例，請同時參閱第1圖、第2圖與第3圖。如步驟S10所示，選取分別對應絕緣閘雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor)1之電流關係式之複數個不同參數之複數個第一初始值，其中此電流關係式根據二極體之電流公式而建立。舉例來說，絕緣閘雙極性電晶體1包含一N型半導體基板10、一P型重摻雜層11、一P型井區12、一環形N型重摻雜區13、一源極層14、一絕緣層15、一閘極層16與一P型重摻雜區17，但本發明並不以此為限，其中亦可省略P型重摻雜區17。P型重摻雜層11設於N型半導體基板10之底部，P型重摻雜層11作為汲極層。P型井區12設於N型半導體基板10中，環形N型重摻雜區13設於P型井區12中。源極層14與絕緣層15設於N型半導體基板10之頂部。源極層14覆蓋部分之P型井區12與部分之環形N型重摻雜區13，絕緣層15覆蓋部分之N型半導體基板10、部分之P型井區12與部分之環形N型重摻雜區13，並環繞源極層14。閘極層16設於絕緣層15上，P型重摻雜區17設於P型井區12中，環形N型重摻雜區13環繞P型重摻雜區17，源極層14覆蓋P型重摻雜區17。當汲極層與閘極層16施加高電壓，源極層14施加低電壓時，N型半導體基板10、P型井區12與環形N型重摻雜區13形成的NPN雙載子接面電晶體會被啟動，從而驅動絕緣閘雙極性電晶體1，使絕緣閘雙極性電晶體1之電流從P型重摻雜層11依序透過N型半導體基板10、P型井區12與P型重摻雜區17，最後流向源極層14。
由於絕緣閘雙極性電晶體1之電流是基於N型半導體基板10、P型井區12與環形N型重摻雜區13形成的NPN雙載子接面電晶體的電流所產生，故在本發明之某些實施例中，絕緣閘雙極性電晶體1之電流關係式以公式(1)表示：
Figure 02_image001
(1)
在
Figure 02_image003
時，
Figure 02_image005
，在
Figure 02_image007
時，
Figure 02_image009
。其中
Figure 02_image001
為二極體之電流公式，I為絕緣閘雙極性電晶體1之電流，
Figure 02_image011
為飽和電流，
Figure 02_image013
為絕緣閘雙極性電晶體1之汲極電壓，
Figure 02_image015
為絕緣閘雙極性電晶體1之閘極電壓，
Figure 02_image017
為絕緣閘雙極性電晶體1之臨界電壓，
Figure 02_image019
為絕緣閘雙極性電晶體1之1/爾利電壓(early voltage)，
Figure 02_image021
為絕緣閘雙極性電晶體1之汲源電壓，
Figure 02_image023
為絕緣閘雙極性電晶體1之製程互導參數(process transconductance parameter) ，且為溫度的函數。
Figure 02_image015
是提供給閘極層16，
Figure 02_image013
是提供給汲極層，
Figure 02_image040
是提供給源極層14之源極電壓，
Figure 02_image042
。在步驟S10中所使用的參數包含
Figure 02_image011
、
Figure 02_image017
、
Figure 02_image023
與
Figure 02_image019
，但本發明並不以此為限。舉例來說，
Figure 02_image011
的第一初始值為0.1毫安培(mA)，
Figure 02_image017
的第一初始值為1伏特，
Figure 02_image023
的第一初始值為100微安培/平方伏特(μA/V 2)，
Figure 02_image019
的第一初始值為0.01伏特 -1。
如步驟S12所示，以每一第一初始值為中心，向正方向與負方向延伸以形成第一預設範圍。在第一預設範圍中選取每一參數對應之複數個第一選取值，將所有參數對應之所有第一選取值代入電流關係式，以形成複數條第一電流曲線。本發明之某些實施例中，第一預設範圍之最大值與其對應之第一初始值之差值的絕對值等於第一預設範圍之最小值與其對應之第一初始值之差值的絕對值。舉例來說，
Figure 02_image011
對應的第一預設範圍之最大值與最小值分別為0.15毫安培與0.05毫安培，
Figure 02_image017
對應的第一預設範圍之最大值與最小值分別為1.5伏特與0.5伏特，
Figure 02_image023
對應的第一預設範圍之最大值與最小值分別為150微安培/平方伏特與50微安培/平方伏特，
Figure 02_image019
對應的第一預設範圍之最大值與最小值分別為0.015伏特 -1與0.005伏特 -1。此外，所有第一選取值在第一預設範圍中可為均勻分布，舉例來說，
Figure 02_image011
對應的第一選取值有三個，即0.15毫安培、0.1毫安培與0.05毫安培。
Figure 02_image017
對應的第一選取值有三個，即0.5伏特、1伏特與1.5伏特。
Figure 02_image023
對應的第一選取值有三個，即50微安培/平方伏特、100微安培/平方伏特與150微安培/平方伏特。
Figure 02_image019
對應的第一選取值有三個，即0.005伏特 -1、0.01伏特 -1與0.015伏特 -1。因為
Figure 02_image011
、
Figure 02_image017
、
Figure 02_image023
與
Figure 02_image019
對應的第一選取值皆有三個，所以第一電流曲線有81條。
如步驟S14所示，計算絕緣閘雙極性電晶體1之電流量測曲線與每一第一電流曲線在相同偏壓時的電流差之絕對值的N次方，以得到分別對應不同偏壓之複數個第一偏差值，並計算對應同一第一電流曲線之所有第一偏差值之總和，其中N為自然數。第4圖為本發明之絕緣閘雙極性電晶體之電流量測曲線與第一電流曲線相對汲極電壓之曲線圖，其中實線代表電流量測曲線，虛線代表第一電流曲線，在相同的汲極電壓
Figure 02_image013
下，同時固定源極電壓
Figure 02_image040
與閘極電壓
Figure 02_image015
，以計算對應不同汲極電壓
Figure 02_image013
之第一偏差值，最後再計算對應同一第一電流曲線之所有第一偏差值之總和。
請繼續參閱第1圖、第2圖與第3圖。如步驟S16所示，選取所有前一電流曲線對應之總和的最小者，將最小者對應之所有選取值分別作為分別對應所有參數之複數個第二初始值。若步驟S16是第一次執行，則是選取所有第一電流曲線對應之總和的最小者，將此最小者對應之所有第一選取值分別作為分別對應所有參數之複數個第二初始值。舉例來說，
Figure 02_image011
的第二初始值為0.2毫安培(mA)，
Figure 02_image017
的第二初始值為2伏特，
Figure 02_image023
的第二初始值為200微安培/平方伏特(μA/V 2)，
Figure 02_image019
的第二初始值為0.02伏特 -1。
如步驟S18所示，以每一第二初始值為中心，向正方向與負方向延伸以形成第二預設範圍。在第二預設範圍中選取每一參數對應之複數個第二選取值，將所有參數對應之所有第二選取值代入電流關係式，以形成複數條第二電流曲線。本發明之某些實施例中，第二預設範圍之最大值與其對應之第二初始值之差值的絕對值等於第二預設範圍之最小值與其對應之第二初始值之差值的絕對值。舉例來說，
Figure 02_image011
對應的第二預設範圍之最大值與最小值分別為0.25毫安培與0.15毫安培，
Figure 02_image017
對應的第二預設範圍之最大值與最小值分別為2.5伏特與1.5伏特，
Figure 02_image023
對應的第二預設範圍之最大值與最小值分別為250微安培/平方伏特與150微安培/平方伏特，
Figure 02_image019
對應的第二預設範圍之最大值與最小值分別為0.025伏特 -1與0.0125伏特 -1。此外，所有第二選取值在第二預設範圍中可為均勻分布，舉例來說，
Figure 02_image011
對應的第二選取值有三個，即0.25毫安培、0.2毫安培與0.15毫安培。
Figure 02_image017
對應的第二選取值有三個，即1.5伏特、2伏特與2.5伏特。
Figure 02_image023
對應的第二選取值有三個，即150微安培/平方伏特、200微安培/平方伏特與250微安培/平方伏特。
Figure 02_image019
對應的第二選取值有三個，即0.015伏特 -1、0.02伏特 -1與0.025伏特 -1。因為
Figure 02_image011
、
Figure 02_image017
、
Figure 02_image023
與
Figure 02_image019
對應的第二選取值皆有三個，所以第二電流曲線亦有81條。
如步驟S20所示，計算電流量測曲線與每一第二電流曲線在相同偏壓時的電流差之絕對值的N次方，以得到分別對應不同偏壓之複數個第二偏差值，並計算對應同一第二電流曲線之所有第二偏差值之總和。在本發明之某些實施例中，在相同的汲極電壓
Figure 02_image013
下，同時固定源極電壓
Figure 02_image040
與閘極電壓
Figure 02_image015
，以計算對應不同汲極電壓
Figure 02_image013
之第二偏差值，最後再計算對應同一第二電流曲線之所有第二偏差值之總和。
如步驟S22所示，選取所有第二電流曲線對應之總和的最小者。最後，如步驟S24所示，判斷最新之最小者與前一最小者之差值是否小於一預設值。若是，執行步驟S26，即選取最新之最小者對應之所有選取值；若否，回至步驟S16，即選取所有前一電流曲線對應之總和的最小者，將最小者對應之所有選取值分別作為分別對應所有參數之複數個第二初始值。預設值是用來判斷選取值是否收斂到最小值。當選取值收斂到最小值後，便可選取最新之最小者對應之所有選取值，將此代入絕緣閘雙極性電晶體1之電流關係式(1)中，推導出精準的絕緣閘雙極性電晶體1之電流關係式，以供使用者使用。舉例來說，判斷所有第二電流曲線對應之總和的最小者與所有第一電流曲線對應之總和的最小者之差值是否小於預設值，若是，選取所有第二電流曲線對應之總和的最小者所對應之所有第二選取值；若否，則選取所有前一第二電流曲線對應之總和的最小者，將此最小者對應之所有第二選取值分別作為分別對應所有參數之複數個新第二初始值，以供進行後續步驟。換言之，若最新之最小者與前一最小者之差值小於預設值時，則所有前一電流曲線為所有第一電流曲線。
根據上述實施例，電流參數計算方法根據二極體之電流公式而建立精準的絕緣閘雙極性電晶體之電流關係式，以供使用者使用。
以上所述者，僅為本發明一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，故舉凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
1:絕緣閘雙極性電晶體 10:N型半導體基板 11:P型重摻雜層 12:P型井區 13:環形N型重摻雜區 14:源極層 15:絕緣層 16:閘極層 17:P型重摻雜區 V D :汲極電壓 VG:閘極電壓 VS:源極電壓 S10、S12、S14、S16、S18、S20、S22、S24、S26:步驟
第1圖為本發明之電流參數計算方法之一實施例之流程圖。 第2圖為本發明之絕緣閘雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor)之一實施例之結構俯視圖。 第3圖為第2圖沿A-A’線之結構剖視圖。 第4圖為本發明之絕緣閘雙極性電晶體之電流量測曲線與第一電流曲線相對汲極電壓之曲線圖。
S10、S12、S14、S16、S18、S20、S22、S24、S26:步驟

Claims (10)

  1. 一種電流參數計算方法，包含下列步驟：選取分別對應絕緣閘雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor)之電流關係式之複數個不同參數之複數個第一初始值，其中該電流關係式根據二極體之電流公式而建立；以每一該第一初始值為中心，向正方向與負方向延伸以形成第一預設範圍，在該第一預設範圍中選取每一該參數對應之複數個第一選取值，將該些參數對應之該些第一選取值代入該電流關係式，以形成複數條第一電流曲線；選取不同偏壓，並計算該絕緣閘雙極性電晶體之電流量測曲線與每一該第一電流曲線在相同偏壓時的電流差之絕對值的N次方，以得到同一該第一電流曲線上之分別對應不同偏壓之複數個第一偏差值，並計算對應同一該第一電流曲線之該些第一偏差值之總和，其中N為自然數；選取所有前一該電流曲線對應之該總和的最小者，將該最小者對應之該些選取值分別作為分別對應該些參數之複數個第二初始值；以每一該第二初始值為中心，向正方向與負方向延伸以形成第二預設範圍，在該第二預設範圍中選取每一該參數對應之複數個第二選取值，將該些參數對應之該些第二選取值代入該電流關係式，以形成複數條第二電流曲線；選取不同偏壓，並計算該電流量測曲線與每一該第二電流曲線在相同偏壓時的電流差之絕對值的N次方，以得到同一該第二電流曲線上之分別對應不同偏壓之複數個第二偏差值，並 計算對應同一該第二電流曲線之該些第二偏差值之總和；選取該些第二電流曲線對應之該總和的最小者；以及判斷最新之該最小者與前一該最小者之差值是否小於一預設值：若是，選取該最新之該最小者對應之該些選取值；以及若否，回至選取該所有前一該電流曲線對應之該總和的該最小者，將所有前一該電流曲線對應之該些選取值分別作為分別對應該些參數之該些第二初始值之步驟。
  2. 如請求項1所述之電流參數計算方法，其中該絕緣閘雙極性電晶體包含：一N型半導體基板；一P型重摻雜層，設於該N型半導體基板之底部，該P型重摻雜層作為汲極層；一P型井區，設於該N型半導體基板中；一環形N型重摻雜區，設於該P型井區中；一源極層與一絕緣層，設於該N型半導體基板之頂部，其中該源極層覆蓋部分之該P型井區與部分之該環形N型重摻雜區，該絕緣層覆蓋部分之該N型半導體基板、部分之該P型井區與部分之該環形N型重摻雜區，並環繞該源極層；以及一閘極層，設於該絕緣層上。
  3. 如請求項2所述之電流參數計算方法，其中該絕緣閘雙極性電晶體更包含一P型重摻雜區，其係設於該P型井區中，該環形N型重摻雜區環繞該P型重摻雜區，該源極層覆蓋該P型重摻雜區。
  4. 如請求項1所述之電流參數計算方法，其中該電流關係式以下列公式表示：
    Figure 109139895-A0305-02-0016-6
     在V D <(VG-Vth)時，
    Figure 109139895-A0305-02-0016-2
    ；以及在V D
    Figure 109139895-A0305-02-0016-3
    (VG-Vth)時，IG=k N /2[(V G -V th )2)](1+λV DS )；其中
    Figure 109139895-A0305-02-0016-4
    為該二極體之該電流公式，I為該絕緣閘雙極性電晶體之電流，I0為飽和電流，V D 為該絕緣閘雙極性電晶體之汲極電壓，VG為該絕緣閘雙極性電晶體之閘極電壓，Vth為該絕緣閘雙極性電晶體之臨界電壓，λ為該絕緣閘雙極性電晶體之1/爾利電壓(early voltage)，V DS 為該絕緣閘雙極性電晶體之汲源電壓，k N 為該絕緣閘雙極性電晶體之製程互導參數(process transconductance parameter)，且為溫度的函數。
  5. 如請求項4所述之電流參數計算方法，其中該些參數包含I0、Vth、k N 與λ。
  6. 如請求項1所述之電流參數計算方法，其中該最新之該最小者與該前一該最小者之該差值小於該預設值時，該所有前一該電流曲線為所有該第一電流曲線。
  7. 如請求項1所述之電流參數計算方法，其中該第一預設範圍之最大值與其對應之該第一初始值之差值的絕對值等於該第一預設範圍之最小值與其對應之該第一初始值之差值的絕對值。
  8. 如請求項1所述之電流參數計算方法，其中該些第一選取值在該第一預設範圍中為均勻分布。
  9. 如請求項1所述之電流參數計算方法，其中該第二預設範圍 之最大值與其對應之該第二初始值之差值的絕對值等於該第二預設範圍之最小值與其對應之該第二初始值之差值的絕對值。
  10. 如請求項1所述之電流參數計算方法，其中該些第二選取值在該第二預設範圍中為均勻分布。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6314390B1 (en) * 1998-11-30 2001-11-06 International Business Machines Corporation Method of determining model parameters for a MOSFET compact model using a stochastic search algorithm
CN102323967A (zh) * 2011-09-07 2012-01-18 中国人民解放军海军工程大学 一种fs型igbt开关瞬态模型建立方法
CN102368274A (zh) * 2011-09-07 2012-03-07 中国人民解放军海军工程大学 一种fs型igbt瞬态温度特性的电热仿真方法
CN105138741A (zh) * 2015-08-03 2015-12-09 重庆大学 基于神经网络的igbt模型参数校准系统及方法
CN106295013A (zh) * 2016-08-12 2017-01-04 全球能源互联网研究院 一种高压半导体器件短期失效模型的建模方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6314390B1 (en) * 1998-11-30 2001-11-06 International Business Machines Corporation Method of determining model parameters for a MOSFET compact model using a stochastic search algorithm
CN102323967A (zh) * 2011-09-07 2012-01-18 中国人民解放军海军工程大学 一种fs型igbt开关瞬态模型建立方法
CN102368274A (zh) * 2011-09-07 2012-03-07 中国人民解放军海军工程大学 一种fs型igbt瞬态温度特性的电热仿真方法
CN105138741A (zh) * 2015-08-03 2015-12-09 重庆大学 基于神经网络的igbt模型参数校准系统及方法
CN106295013A (zh) * 2016-08-12 2017-01-04 全球能源互联网研究院 一种高压半导体器件短期失效模型的建模方法

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