TWI745158B - 含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法及放熱性樹脂組成物的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，其可製造維持了氮化鋁粒子之高熱傳導性、耐濕性經提高之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子。 本發明之具備氮化鋁粒子與被覆前述氮化鋁粒子表面之含矽氧化物被膜之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法具備下述步驟：將含有特定構造之有機矽氧化合物溶解於溶劑之有機矽氧化合物溶液與前述氮化鋁粒子混合後，加熱而去除前述溶劑，藉此獲得由前述有機矽氧化合物被覆之前述氮化鋁粒子之第1步驟，及將由前述有機矽氧化合物被覆之前述氮化鋁粒子於300℃以上1000℃以下之溫度加熱之第2步驟。

Description

含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法及放熱性樹脂組成物的製造方法
本發明有關含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法及含有含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之放熱性樹脂組成物的製造方法。
氮化鋁之熱傳導性高，具備優異之電絕緣性。因此，氮化鋁有望作為放熱片及電子零件之密封材等之製品中使用的樹脂組成物之填充劑。然而，氮化鋁因與水反應而引起水解，並變性為熱傳導性低的氫氧化鋁。且氮化鋁於水解之際亦產生具有腐蝕性之氨。
氮化鋁之水解亦因大氣中之水分而進行。因此，添加有氮化鋁之製品於高溫、高濕之條件下，不僅引起耐濕性、熱傳導性降低，亦因氧化鋁之水解而產生之氨導致腐蝕，而有性能劣化之顧慮。
謀求氮化鋁之耐濕性提高之技術分別提案有如下方法：於氮化鋁粉末之表面形成由Si-Al-O-N所成之層的方法(例如參考專利文獻1)，於氮化鋁粉末之表面以矽酸鹽(silicate)處理劑與偶合劑形成被覆層之方法(例如參考專利文獻2)，以矽酸鹽處理劑處理之氮化鋁粉末之表面殘留有機基之方法(例如參考專利文獻3)，使用特定磷酸酯將氮化鋁粒子表面進行表面修飾之方法(例如參考專利文獻4)等。
專利文獻1之防濕性氮化鋁粉末係藉由於氮化鋁粉末表面塗佈矽酸酯層之後，於350~1000℃之高溫進行燒成，而於表面形成由Si-Al-O-N所成之層。專利文獻2之氮化鋁系粉末係藉由矽酸鹽處理劑與偶合劑進行表面處理後進行高溫加熱處理，而於表面形成被覆層。專利文獻3之氮化鋁粉末係藉由以矽酸鹽處理劑進行表面處理後於不超過90℃之溫度進行加熱處理，而殘留有機基，因而提高與樹脂之相容性。專利文獻4之表面修飾粒子係藉由使用特定之酸性磷酸酯進行表面修飾之氮化鋁粒子而提高耐濕性。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3446053號公報 [專利文獻2]日本專利第4088768號公報 [專利文獻3]日本專利第4804023號公報 [專利文獻4]日本特開2015-71730號公報
[發明欲解決之課題]
然而，以往技術具有如下課題。 上述氮化鋁粉末，為了謀求耐濕性提高，而具有Si-Al-O-N之反應層、以矽酸鹽處理劑與偶合劑形成之被覆層、表面修飾層等。其結果，雖見到耐濕性之改善，但尚非充分的程度，相反地作為謀求耐濕性提高之手段而使用之被膜，多數情況會使氮化鋁本來之熱傳導性降低。
本發明係為了解決上述課題而完成者，目的在於提供含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，其可製造維持了氮化鋁粒子之高熱傳導性、耐濕性經提高之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子；以及提供含有含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之放熱性樹脂組成物的製造方法。 [用以解決課題之手段]
本發明人等經積極檢討之結果，發現使用於溶劑中溶解有特定有機矽氧化合物(silicone compound)的有機矽氧化合物溶液藉由特定方法被覆氮化鋁粒子，可解決上述課題，因而完成本發明。亦即，本發明具有以下構成。
[1] 一種含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，其係具備氮化鋁粒子與被覆前述氮化鋁粒子表面之含矽氧化物被膜之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，該方法具備下述步驟： 將含有以下述式(1)表示之構造之有機矽氧化合物溶解於溶劑之有機矽氧化合物溶液與前述氮化鋁粒子混合後，加熱而去除前述溶劑，藉此獲得由前述有機矽氧化合物被覆之前述氮化鋁粒子之第1步驟，及 將由前述有機矽氧化合物被覆之前述氮化鋁粒子於300℃以上1000℃以下之溫度加熱之第2步驟，
Figure 02_image001
(式(1)中，R為碳數4以下之烷基)。
[2] 如[1]之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，其中前述含有以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物包含以下述式(2)表示之化合物及以下述式(3)表示之化合物中之至少一者，
Figure 02_image003
(式(2)中，R1及R2分別獨立為氫原子或甲基，R1及R2之至少一者為氫原子，m為0~10之整數)，
Figure 02_image005
(式(3)中，n為3~6之整數)。
[3] 如[1]或[2]之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，其中前述氮化鋁粒子之體積累計的d50為10μm以上60μm以下。
[4] 如[1]至[3]中任一項之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，其中前述第1步驟中之前述加熱溫度為35℃以上200℃以下。
[5] 一種放熱性樹脂組成物的製造方法，其具備將藉由如[1]至[4]中任一項之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法所製造之前述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子與樹脂混合之混合步驟。 [發明效果]
依據本發明，可提供含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，其可製造維持高熱傳導性、耐濕性經提高之氧化矽被覆氮化鋁粒子等含矽氧化物被覆氮化鋁粒子；以及可提供含有含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之放熱性樹脂組成物的製造方法。
以下針對本發明之實施形態(以下稱為「本實施形態」)詳細說明。又，本發明並非限定於以下實施形態，於不變更本發明要旨之範圍可進行各種變更。
＜含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法＞ 本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法係製造具備氮化鋁粒子與被覆前述氮化鋁粒子表面之含矽氧化物被膜之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子者。作為含矽氧化物被膜或含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之「含矽氧化物」詳情將於後述，但舉例為氧化矽、或矽元素及鋁元素之複合氧化物。作為氧化物包含氧化物、氧氮化物或氧碳氮化物等。 因此，本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法具備下述步驟：將含有以下述式(1)表示之構造之有機矽氧化合物溶解於溶劑之有機矽氧化合物溶液與氮化鋁粒子混合後，加熱而去除溶劑，藉此獲得由有機矽氧化合物被覆之氮化鋁粒子之第1步驟，及將由有機矽氧化合物被覆之氮化鋁粒子於300℃以上1000℃以下之溫度加熱之第2步驟。
Figure 02_image007
(式(1)中，R為碳數4以下之烷基)。
關於此等本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，參考圖1詳細說明。圖1中作為本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法之一例，係顯示本實施形態之氧化矽被覆氮化鋁粒子的製造方法之流程圖。
[氮化鋁粒子] 關於本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，作為原料使用之氮化鋁粒子可使用市售品等之習知者。氮化鋁粒子之製法並未特別限制，有例如使金屬鋁粉與氮或氨直接反應之直接氮化法、使氧化鋁進行碳還原並於氮或氨環境下加熱同時進行氮化反應之還原氮化法等。
又，作為氮化鋁粒子，亦可使用將氮化鋁微粒子之凝集體予以燒結成顆粒狀之粒子。尤其，以體積累計之d50為1μm左右之高純度氮化鋁微粒子作為原料之燒結顆粒可適當地使用作為氮化鋁粒子。
此處，所謂高純度氮化鋁微粒子係氧含量低，金屬雜質亦少之粒子。具體而言，例如氧含量為1質量%以下，金屬雜質(亦即鋁以外之金屬原子)之總含量為1000質量ppm以下之高純度氮化鋁由於可獲得含矽氧化物被覆氮化鋁粒子所含之氮化鋁粒子之更高熱傳導性故而較適宜。 氮化鋁粒子可單獨或組合使用。
又，上述之氧含量可藉附帶有氧檢測用紅外線檢測器之無機分析裝置等而測定。具體而言，氧含量可藉由使用氧・氮・氫分析裝置(ONH836：LECO JAPAN合同股份公司製)而測定。
又，鋁以外之金屬原子的總含量可藉由ICP(感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma))質量分析裝置等測定。具體而言，鋁以外之金屬原子的總含量可使用ICP質量分析計(ICPMS-2030：島津製作所股份有限公司製)而測定。
又，本說明書中，所謂粒子之體積累計之d50表示體積累計之累計值相對於某粒度分佈成為50%之粒徑。體積累計之d50係由利用雷射繞射散射法所得之粒度分佈而求出，具體而言，體積累計之d50係藉由使用雷射繞射散射式粒徑分佈測定裝置(Microtrac MT3300EX2：Microtracbel股份有限公司製)而測定。
本實施形態所用之氮化鋁粒子之形狀並未特別限制，舉例為例如無定形(破碎狀)、球形、橢圓狀、板狀(鱗片狀)等。又，含矽氧化物被覆氮化鋁粒子作為放熱材料用之填料而於放熱性樹脂組成物中分散並含有之情況，作為氮化鋁粒子可僅使用具有同一形狀、構造之相同種類之氮化鋁粒子(單一物)，亦可以各種比例混合具有不同形狀、構造之2種以上之不同種氮化鋁粒子而成之氮化鋁粒子之混合物形態而使用。
含矽氧化物被覆氮化鋁粒子於放熱性樹脂組成物中分散並含有之情況，構成含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之氮化鋁粒子相對於放熱性樹脂組成物之體積比(填充量)越大，放熱性樹脂組成物之熱傳導率越高。因此，氮化鋁粒子之形狀，較佳接近於因添加含矽氧化物被覆氮化鋁粒子所致之放熱性樹脂組成物之黏度上升較少的球形。
氮化鋁粒子之平均長寬比(粒子形狀之指標)較佳為0.8以上1.0以下之範圍，更佳為0.85以上1.0以下之範圍，又更佳為0.9以上1.0以下之範圍。此處，所謂氮化鋁粒子之平均長寬比係針對隨機抽出之粒子100個之電子顯微鏡照片，分別測定短徑(D1)及長徑(D2)，將該比(D1/D2)相加之平均值。又，所謂短徑(D1)係針對氮化鋁粒子之電子顯微鏡照片，以兩條平行線夾住之最小長度，所謂長徑(D2)係針對電子顯微鏡照片，以兩條平行線夾住之最大長度。
本實施形態所使用之氮化鋁粒子之體積累計之d50較佳為0.2μm以上200μm以下，更佳為10μm以上100μm以下，又更佳為10μm以上60μm以下，特佳為15μm以上50μm以下之範圍。
氮化鋁粒子之體積累計之d50若為上述範圍內，則於搭載電力系電子零件之放熱材料中，使用含有含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之放熱性樹脂組成物之情況，由於仍可供給最小厚度之薄的放熱材料，並且被膜容易均一被覆氮化鋁粒子表面，故氮化鋁粒子之耐濕性更為提高。
又，本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法由於可形成厚度薄的含矽氧化物之被覆層，故即使使用體積累計之d50為50μm以下之比較細的氮化鋁粒子，對熱傳導性造成之影響亦小，如後述實施例所示，氮化鋁粒子之體積累計之d50若為30μm以下，則熱傳導性更優異。
[被覆所用之有機矽氧化合物] 本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法中，作為構成含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之含矽氧化物被膜之原料使用之有機矽氧化合物只要為含有上述式(1)表示之構造之有機矽氧化合物，則不管為直鏈狀、環狀或分支鏈狀之形態，均可無特別限制地使用。以式(1)表示之構造係氫直接鍵結於矽原子之氫矽氧烷單位。
上述式(1)中，作為碳數為4以下之烷基的R，較佳為甲基、乙基、丙基、第三丁基等，特佳為甲基。本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法中，作為原料使用之有機矽氧化合物為例如含有以式(1)表示之構造之寡聚物或聚合物。
作為有機矽氧化合物，例如以下述式(2)表示之化合物及以下述式(3)表示之化合物之至少一者較為適宜。
Figure 02_image009
(式(2)中，R1及R2分別獨立為氫原子或甲基，R1及R2之至少一者為氫原子，m為0~10之整數)，
Figure 02_image011
(式(3)中，n為3~6之整數)。
尤其，上述式(3)中n為4之環狀氫矽氧烷寡聚物就可於氮化鋁粒子表面形成均一被膜之方面較為優異。含有以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物之重量平均分子量較佳為100以上2000以下，更佳為150以上1000以下，又更佳為180以上500以下之範圍。推測藉由使用該範圍之重量平均分子量之含有以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物，容易於氮化鋁粒子表面形成薄且均一之被膜。又，式(2)中，m較佳為1。
本說明書中，重量平均分子量係使用凝膠滲透層析儀(GPC)之聚苯乙烯換算重量平均分子量，具體而言，可藉由組合管柱(Shodex(註冊商標) LF-804：昭和電工股份有限公司製)與示差折射率檢測器(Shodex(註冊商標) RI-71S：昭和電工股份有限公司製)之組合而測定。
＜第1步驟＞ 第1步驟係藉由含有上述以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物被覆上述氮化鋁粒子表面。
第1步驟係首先將含有上述以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物溶解於溶劑之有機矽氧化合物溶液與氮化鋁粒子混合。 使含有以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物溶解之溶劑並未特別限定，但舉例為例如二氯甲烷(CH 2Cl 2)、甲苯等之有機溶劑。 有機矽氧化合物溶液之含有以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物的濃度並未特別限定，但舉例為例如0.10質量%以上60質量%以下，較佳為0.30質量%以上40質量%以下。
隨後，加熱混合物，使溶劑揮發去除。藉此，獲得藉由有機矽氧化合物被覆之氮化鋁粒子。 第1步驟之加熱溫度只要設定為不使含有以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物揮發，且可使所用溶劑充分揮發之溫度即可。第1步驟之加熱溫度較佳為35℃以上200℃以下，更佳為40℃以上150℃以下，又更佳為40℃以上100℃以下。此時之壓力可為常壓亦可為減壓。
含有以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物於第1步驟之使用量並未特別限定，但例如相對於氮化鋁粒子100質量份，較佳為0.02質量份以上50質量份，更佳為0.1質量份以上25質量份，又更佳為0.2質量份以上20質量份。又，其使用量係以所用之含有以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物全部附著於氮化鋁粒子而決定。
又，第1步驟之加熱處理之環境並未特別限定，可為例如N 2、Ar、He等之惰性氣體環境下，或含有H 2、CO、CH 4等之還原氣體之環境下，但較佳於含有氧氣之環境下例如大氣中(空氣中)進行。
＜第2步驟＞ 第2步驟係將第1步驟所得之藉由有機矽氧化合物被覆之氮化鋁粒子於300℃以上1000℃以下，較佳350℃以上950℃以下，更佳500℃以上900℃以下之溫度加熱。藉此，可於氮化鋁粒子表面形成含矽氧化物被膜。 該第2步驟之加熱為低溫之情況，於氮化鋁粒子表面形成作為含矽氧化物被膜之氧化矽被膜，可製造氧化矽被覆氮化鋁粒子。且，該第2步驟之加熱為高溫之情況，於氮化鋁粒子表面形成作為含矽氧化物被膜之矽元素與鋁元素之複合氧化物之被膜，可製造矽元素與鋁元素之複合氧化物被覆氮化鋁粒子。推測於第2步驟之溫度若變高，則構成氮化鋁粒子之鋁跑出氮化鋁粒子表面，而與源自有機矽氧化合物之矽一起形成複合氧化物，而形成矽元素及鋁元素之複合氧化物之被膜。 第2步驟中，若可將第1步驟所得之藉由有機矽氧化合物被覆之氮化鋁粒子於300℃以上1000℃以下之溫度加熱，亦即若可將第1步驟所得之藉由有機矽氧化合物被覆之氮化鋁粒子保持於300℃以上1000℃以下之溫度範圍，則可使用一般加熱爐。
認為第2步驟之熱處理(於300℃以上1000℃以下之溫度加熱)，於熱處理之初期階段藉由使被覆氮化鋁粒子表面之含有以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物進行脫氫反應，而使有機矽氧化合物彼此或與氮化鋁粒子表面之羥基等鍵結，而使被覆更為強固。因此，於熱處理之末期，有機矽氧化合物之有機基(碳數4以下之烷基)分解並揮散。因此，形成之含矽氧化物被膜之碳原子含量變少，隨之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之碳原子含量亦變少。因此可獲得碳原子含量未達1000質量ppm，較佳未達500質量ppm，更佳未達250質量ppm之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子。含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之碳原子含量若為上述範圍，則有耐濕性良好之傾向，且局部分佈之碳原子不易對絕緣性等造成影響。
又，所謂氧化矽被覆意指以氧化矽為主成分之薄膜包覆。但，於經包覆之氧化矽與氮化鋁粒子之界面，有存在複數無機複合物之可能性，故以ToF-SIMS(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry：飛行時間二次離子質量分析，ION-TOF公司，TOF. SIMS5)分析之情況，二次離子彼此之再結合或離子化之際之分解等亦重疊，亦有AlSiO 4離子、SiNO離子等之片段作為副成分而同時被檢測出之情況。該ToF-SIMS分析所分析之複合片段亦可定義為將氮化鋁予以氧化矽化之情況的部分檢測物。作為標準，若為氧化矽之2次電子量多於其他區分(fraction)之狀態，則可視為氧化矽係主成分。
作為進一步提高確認氧化矽純度之實驗，由於藉同樣方法於氮化鋁多結晶基板上形成氧化矽被膜之試料表面以光電子分光測定裝置(XPS：X-ray Photoelectron Spectroscope，ULVAC-PHI公司，Quantera II)進行測定而檢測出之源自Si之光電子的動能與氧化矽之標準峰值103.7eV大致一致，故推測成為大部分成為SiO 2構造。又，依加熱溫度而定，亦有殘存有機成分之例。只要不損及本發明效果之範圍，則相當有可能混合存在有機矽氧烷成分。
碳原子之含量可藉由利用管式電爐方式之非分散紅外線吸收法之碳・硫分析裝置等測定。具體而言，可使用碳・硫分析裝置(Carbon Analyzer EMIA-821：堀場製作所股份有限公司製)而測定。
第2步驟之加熱溫度(熱處理溫度)為300℃以上1000℃以下，較佳為350℃以上950℃以下，更佳為500℃以上900℃以下。藉由於該溫度範圍進行，而形成耐濕性及熱傳導性良好之含矽氧化物被膜。具體而言，若於300℃以上加熱，則由於含矽氧化物被膜緻密化而使水分難以透過，故耐濕性變良好。又，若於1000℃以下，較佳950℃以下，更佳900℃以下加熱，則熱傳導性變良好。另一方面，若超過1000℃，則耐濕性及熱傳導性變差。又，加熱溫度若為300℃以上1000℃以下，較佳為350℃以上950℃以下，更佳為500℃以上900℃以下，則於氮化鋁表面形成均一之含矽氧化物被膜。又，加熱溫度若為300℃以上，則含矽氧化物被膜成為絕緣性優異者，若為1000℃以下，較佳950℃以下，更佳900℃以下，則對能量成本亦為有效。加熱溫度較佳為350℃以上，更佳為500℃以上，又更佳為650℃以上。
作為加熱時間，較佳為30分鐘以上12小時以下，更佳為30分鐘以上6小時以下，又更佳為45分鐘以上4小時以下之範圍。熱處理時間若為30分鐘以上，則不會殘存有機矽氧化合物之有機基(碳數4以下之烷基)的分解物，就於氮化鋁粒子表面獲得碳原子含量非常少的含矽氧化物被膜之方面而言較佳。又，加熱時間設為6小時以下，就可生產效率良好地製造含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之方面而言較佳。
第2步驟之熱處理環境並未特別限定，可為例如N 2、Ar、He等之惰性氣體環境下，或含有H 2、CO、CH 4等之還原氣體之環境下，但較佳於含有氧氣之環境下例如大氣中(空氣中)進行。
第2步驟之熱處理後，有含矽氧化物被覆氮化鋁粒子彼此部分熔黏之情況。於該情況，藉由將其充分解碎，可獲得無固黏・凝集之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子。又，解碎所使用之裝置並未特別限定，可使用輥磨機、錘磨機、噴射磨機、球磨機等之一般粉碎機。
又，第2步驟結束後，進而可依序進行第1步驟及第2步驟。亦即，亦可重複實施依序進行第1步驟及第2步驟的步驟。
本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，可形成均一且薄的含矽氧化物被膜。因此，即使進行複數次例如2~5次左右之依序進行第1步驟及第2步驟的步驟，亦可發揮氮化鋁粒子之良好熱傳導率。
另一方面，關於耐濕性，認為於依序進行第1步驟及第2步驟的步驟之次數與耐濕性之間具有正相關。因此，可對應於實際用途所要求之耐濕性程度而自由選擇依序進行第1步驟及第2步驟的步驟次數。
上述本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法所得之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子，如後述實施例所示，由於維持了氮化鋁粒子本來之高熱傳導性且耐濕性亦優異，故可廣泛適用作為電氣電子領域等使用之放熱材料用途之填料。
以上述本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法製造之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子，亦即具備氮化鋁粒子與被覆氮化鋁粒子表面之含矽氧化物被膜之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子係碳原子含量未達1000質量ppm，較佳未達500質量ppm，更佳未達250質量ppm。
如上述，以上述本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法所製造之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之耐濕性優異。 例如將上述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子投入經調整至pH4之鹽酸水溶液中，於85℃處理2小時(亦即含矽氧化物被覆氮化鋁粒子於經調整至pH4之鹽酸水溶液中於85℃浸漬2小時)時，萃取至鹽酸水溶液中之氨濃度為35mg/L以下，耐濕性極為優異。又，於酸性溶液中之水解反應由於在空氣中更被促進，故藉由將粒子暴露於經調整至pH4之鹽酸水溶液，可進行耐濕性之加速試驗。因此，藉由使用pH4之鹽酸水溶液，可評價含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之耐濕性，上述氨濃度若為35mg/L以下，則可說耐濕性良好。且配合使用pH4之鹽酸水溶液亦可比較耐藥品性。 上述萃取出之氨濃度較佳為20mg/L以下，更佳為10mg/L以下。 基於耐濕性之觀點，碳原子含量越低越好。此處，於上述本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法中由於使用含有以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物作為原料，故含矽氧化物被覆氮化鋁粒子多數情況含有碳原子，例如有含有50質量ppm以上，進而60質量ppm以上之情況。然而，如上述若為未達1000質量ppm，較佳未達500質量ppm，更佳未達250質量ppm，則耐濕性優異。
且，以本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法製造之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之矽原子含量並未特別限定，但為例如5000質量ppm以下，較佳3000質量ppm以下，更佳未達2800質量ppm以下，又更佳為2600質量ppm以下。含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之矽原子含量為例如100質量ppm以上。
又，以本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法製造之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之由BET法求出之比表面積並未特別限定，但例如為0.08m 2/g以上0.90m 2/g以下，較佳為0.10m 2/g以上0.80m 2/g以下，更佳為0.12m 2/g以上0.70m 2/g以下。
又，以本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法製造之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之矽原子含量相對於由BET法求出之比表面積(矽原子含量/由BET法求出之比表面積)並未特別限定，但為例如850質量ppm・g/m 2以上1800質量ppm・g/m 2以下，較佳為900質量ppm・g/m 2以上1700質量ppm・g/m 2以下，更佳為950質量ppm・g/m 2以上1650質量ppm・g/m 2以下。
又，矽原子含量可藉ICP法測定。又，含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之由BET法求出之比表面積可由利用氣體流動法之氮吸附BET單點法而測定。作為評價裝置可使用Mountech公司製Macsorb HM model-1210。
＜放熱性樹脂組成物的製造方法＞ 使用以上述本實施形態之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法製造之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子，可製造放熱性樹脂組成物。亦即，本實施形態之放熱性樹脂組成物的製造方法具備將以上述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法製造之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子與樹脂混合之步驟。作為含矽氧化物被膜與含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之含矽氧化物，舉例為上述之氧化矽，或矽元素及鋁元素之複合氧化物。作為氧化物包含氧化物、氧氮化物、或氧碳氮化物等。 以上述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法製造之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子由於維持了氮化鋁粒子之高熱傳導性，耐濕性提高，故以本實施形態之放熱性樹脂組成物的製造方法所得之放熱性樹脂組成物之耐濕性及熱傳導性優異。
混合步驟係將以上述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法製造之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子與樹脂混合。
混合步驟中混合之樹脂並未特別限定，但為熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂之混合物，就所得放熱性樹脂組成物之耐熱性優異之方面較佳。作為熱硬化性樹脂，舉例為例如矽氧樹脂、環氧樹脂、酚樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、乙烯酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚乙烯醇乙酸酯樹脂等，可單獨使用或混合兩種以上使用。再者，亦可使用於熱硬化性樹脂中添加硬化劑或硬化促進劑之混合物。尤其就硬化後之耐熱性、接著性、電氣特性良好之方面，較佳為環氧樹脂，於重視柔軟密著性之用途中較佳為矽氧樹脂。
又，矽氧樹脂有加成反應硬化型矽氧樹脂、縮合反應硬化型矽氧樹脂、有機過氧化物硬化型矽氧樹脂等，可單獨使用或組合黏度不同之兩種以上而使用。尤其，於所得放熱性樹脂組成物使用於重視柔軟密著性之用途之情況，作為矽氧樹脂舉例為例如不生成可能成為氣泡等之原因物質之副生成物之加成反應硬化型液狀矽氧樹脂，基底聚合物的具有烯基之有機聚矽氧與交聯劑的具有Si-H基之有機聚矽氧烷於硬化劑存在下，於常溫或加熱下反應，可獲得矽氧樹脂硬化物。又，作為基底聚合物之有機聚矽氧烷之具體例，例如有具有乙烯基、烯丙基、丙烯基、己烯基等作為烯基者。尤其，乙烯基於作為有機聚矽氧烷係較佳。又，硬化觸媒可使用例如鉑金屬系之硬化觸媒，為了實現成為目的之樹脂硬化物之硬度，亦可調整添加量而使用。
作為環氧樹脂，舉例為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂等之2官能縮水甘油醚型環氧樹脂、六氫苯二甲酸縮水甘油酯、二聚酸縮水甘油酯等之縮水甘油酯型環氧樹脂、環氧化聚丁二烯及環氧化大豆油等之線狀脂肪族環氧樹脂、異氰脲酸三縮水甘油酯等之雜環型環氧樹脂、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-4,4’-二胺基二苯基甲烷、N,N,N’,N’-四縮水甘油基-1,3-苯二(甲烷胺)、4-(縮水甘油氧基)-N,N-二縮水甘油基苯胺、3-(縮水甘油氧基)-N,N-二縮水甘油基苯胺等之縮水甘油胺型環氧樹脂、酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、萘芳烷基型環氧樹脂、4官能萘型環氧樹脂、三苯基甲烷型環氧樹脂等之多官能縮水甘油醚型環氧樹脂等。上述之環氧樹脂可單獨使用或混合兩種以上使用。
使用上述環氧樹脂之情況，亦可調配硬化劑、硬化促進劑。作為硬化劑舉例為例如甲基四氫苯二甲酸酐、甲基六氫苯二甲酸酐及橋亞甲基四氫苯二甲酸酐等之脂環式酸酐、十二碳烯琥珀酸酐等之脂肪族酸酐、苯二甲酸酐及苯偏三甲酸酐等之芳香族酸酐、雙酚A、雙酚F、雙酚S等之雙酚類、酚・甲醛樹脂、酚・芳烷基樹脂、萘酚・芳烷基樹脂、酚-二環戊二烯共聚物樹脂等之酚樹脂類、二氰二醯胺及己二醯肼等之有機二醯肼，作為硬化觸媒舉例為例如三(二甲胺基甲基)酚、二甲基苄基胺、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)十一碳烯及其衍生物等之胺類、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑及2-苯基咪唑等之咪唑類及其衍生物。該等可單獨使用或組合兩種以上使用。
混合步驟中亦可並用上述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子以外通常使用之氮化硼、氧化鋁、氧化矽、氧化鋅等之填料。
混合步驟中，上述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子或上述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子以外之填料只要以成為期望放熱性樹脂組成物之量混合即可。 所得放熱性樹脂組成物中之上述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子及上述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子以外之填料之總含量較佳為50體積%以上95體積%以下，更佳為60體積%以上90體積%以下，又更佳為70體積%以上90體積%以下。總含量若為50體積%以上，則可發揮良好放熱性，若為95體積%以下則放熱性樹脂組成物之使用時獲得良好作業性。
又，所得放熱性樹脂組成物中含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之含量，較佳為上述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子及上述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子以外之填料之總含量之30體積%以上100體積%以下，更佳為40體積%以上100體積%以下，又更佳為50體積%以上100體積%以下之範圍。總含量為30體積%以上時可發揮良好放熱性。
混合步驟中，進而可根據需要適當添加矽氧(silicone)、胺基甲酸酯丙烯酸酯、丁縮醛樹脂、丙烯酸橡膠、二烯系橡膠及其共聚物等之可撓性賦予劑、矽烷系偶合劑、鈦系偶合劑、無機離子補足劑、顏料、染料、稀釋劑、溶劑等。
混合步驟中之混合方法並未特別限定，舉例為例如將含矽氧化物被覆氮化鋁粒子、樹脂、其他添加劑等，一次或分割，單獨或適當組合擂潰機、行星式混合機、自轉・公轉混合機、捏合機、輥磨機等之分散・溶解裝置，且根據需要予以加熱之混合、溶解、混練之方法。
又，所得放熱性樹脂組成物可經成形且根據需要予以反應作成成形體使用。例如將所得放熱性樹脂組成物成形為薄片狀，根據需要予以反應，可作成放熱薄片。上述放熱性樹脂組成物及放熱薄片等之成形體可適當使用於半導體功率裝置、功率模組等之接著用途等。關於成形體之製造方法例，以放熱薄片等之薄片狀成形體為例於以下加以說明。
作為該放熱薄片等之薄片狀之成形體的製造方法，舉例為以基材膜夾住兩面之形態將放熱性樹脂組成物進行壓縮加壓等而成形之方法，於基材膜上使用棒塗佈器、網版印刷、刮刀塗佈器、模嘴塗佈器、缺角輪塗佈器等之裝置塗佈放熱性樹脂組成物之方法等。再者，成形塗佈後之放熱薄片等之薄片狀成形體亦可追加去除溶劑之步驟、藉由加熱等而B階段化、完全硬化等之處理步驟。如上述，依據步驟而可獲得各種形態之放熱薄片等之薄片狀成形體，可廣泛對應於成為對象之用途領域、使用方法。
於基材膜上塗佈放熱性樹脂組成物而形成之際，為了使作業性良好而可使用溶劑。作為溶劑並未特別限定，但可單獨或混合兩種以上使用：酮系溶劑之丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環戊酮、環己酮、醚系溶劑之1,4-二噁烷、四氫呋喃、二甘醇二甲醚、甘油醚系溶劑之甲基溶纖素、乙基溶纖素、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇甲基乙基醚、其他苯甲醇、N-甲基吡咯啶酮、γ-丁內酯、乙酸乙酯、N,N-二甲基甲醯胺等。
為了將放熱性樹脂組成物形成為薄片狀，必須有保持薄片形狀之薄片形成性。為了獲得薄片形成性，可於放熱性樹脂組成物中添加高分子量成分。舉例為例如苯氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚碳二醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚醚碸樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸橡膠等，其中，基於耐熱性及膜形成性優異之觀點，較佳為苯氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、丙烯酸橡膠、異氰酸酯樹脂、聚碳二醯亞胺樹脂等，更佳為苯氧基樹脂、聚醯亞胺樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、丙烯酸橡膠。該等可單獨使用或可作為兩種以上之混合物、共聚物而使用。
高分子量成分之分子量較佳為10000重量平均分子量以上100000之重量平均分子量以下，更佳為20000重量平均分子量50000重量平均分子量以下之範圍。
又，處理性相當良好之薄片形狀可藉由添加如上述範圍之重量平均分子量成分而保持。
高分子量成分之添加量並未特別限定，但為了保持薄片性狀，相對於放熱性樹脂組成物，較佳為0.1質量%以上20質量%以下，更佳為1質量%以上15質量%以下，又更佳為2質量%以上10質量%以下之範圍。又，為0.1質量%以上20質量%以下的添加量，處理性亦良好，而謀求良好薄片、膜之形成。
放熱薄片等之薄片狀之成形體的製造時使用之基材膜，若為可耐受製造時之加熱、乾燥等步驟條件者，則未特別限定，舉例為例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等之具有芳香環之聚酯所成之膜、聚丙烯膜、聚醯亞胺膜、聚醚醯亞胺膜等。上述之膜亦可為組合兩種以上之多層膜，亦可為表面經矽氧系等之脫模劑處理者。又，基材膜厚度較佳為10μm以上100μm以下。
形成於基材膜上之放熱薄片等之薄片狀成形體之厚度較佳為20μm以上500μm以下，更佳為50μm以上200μm以下。薄片厚度為20μm以上可獲得均一組成之薄片，為500μm以下可獲得良好之放熱性。 [實施例]
以下舉例實施例及比較例具體說明本發明，但本發明之範圍並不受該等實施例之任何限定。
[含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之碳原子含量之測定] 含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之碳原子含量之測定可藉由使用利用管狀電爐方式之非分散紅外線吸收法之碳・硫分析裝置(Carbon Analyzer EMIA-821：堀場製作所股份有限公司製)測定。
[含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之矽原子含量之測定] 含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之矽原子含量係藉以下順序測定。 (1)於20cc之鐵氟龍(註冊商標)容器中，投入97質量%硫酸(超特級，和光純藥製)與離子交換水以1：2(體積比)混合之溶液10cc與樣品(含矽氧化物被覆氮化鋁粒子)0.5g。 (2)連同鐵氟龍(註冊商標)容器一起放入不鏽鋼耐壓容器中，於230℃維持15小時，使投入之樣品溶解。 (3)取出於(1)混合之溶液，自使用ICP(島津製作所製，ICPS-7510)測定之矽原子濃度，算出含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之矽原子含量。
[含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之由BET法求出之比表面積之測定] 含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之由BET法求出之比表面積分別使用Mountech公司製Macsorb HM model-1210測定。又，作為吸附氣體係使用He 70體積%與N 230體積之混合氣體。含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之由BET法求出之比表面積於表中記載於「BET比表面積(m 2/g)」欄。
[粒子之耐濕性評價] 含矽氧化物被覆氮化鋁粒子等之耐濕性係藉由於50ml樣品管中投入經調整為pH4之鹽酸水溶液17g與含矽氧化物被覆氮化鋁粒子3g並密封後，以振動式恆溫槽以85℃、80rpm、2小時之條件振盪，靜置後，冷卻至室溫(25℃)，於25之溫度條件使用氨電極(氨電極5002A：堀場製作所股份有限公司製)測定上澄液中之氨濃度。表中記載於「耐濕性氨濃度」欄，亦一併記載測定溫度。
[樹脂成形體之熱傳導率之測定] 於25℃，藉由雷射閃光法熱擴散率測定裝置(LFA447 NanoFlash：NETZSCH公司製)測定樹脂成形體之熱擴散率。又，針對各成分假定為單純的加成性成立，藉由考慮各成分之調配量之加權平均，求出樹脂成形體之理論比熱與理論密度。接著，藉由將熱擴散率乘以理論比熱與理論密度而算出之值作為樹脂成形體之厚度方向之熱傳導率。
熱擴散率測定用之樣品係使用將下述[樹脂成形體之製造]所得之厚1mm且內徑30mm之圓形狀之樹脂成形體，使用離子塗佈器(IB-3：EICOH股份有限公司製)於兩面實施金塗覆後，進而將兩面進行石墨塗佈者。
又，各實施例及比較例之樹脂成形體之理論比熱係以氮化鋁之理論比熱為0.73J/g・K，樹脂成分之理論比熱為1.80J/g・K，高分子量成分之理論比熱為1.80J/g・K而計算。且，各實施例及比較例之樹脂成形體之理論密度係以氮化鋁之理論密度為3.26g/cm 3，樹脂成分之理論密度為1.17g/cm 3，高分子量成分之理論密度為1.17g/cm 3而計算。又，溶劑係視為所有揮發者，且硬化劑由於為微量故而忽略。
[粒子之製作] ＜實施例1＞ (第1步驟) 將體積累計之d50為16μm、由BET法求出之比表面積為0.5m 2/g之氮化鋁粒子A(TFZ-N15P：東洋鋁公司製)與式(3)中n=4之有機矽氧化合物A(環狀甲基氫矽氧烷4聚物：東京化成工業公司製)溶解於CH 2Cl 2(沸點40℃)之溶液，以自轉・公轉混合機(THINKY公司製，消泡練太郎)，以2000rpm旋轉20秒後冷卻之動作進行5次而混合。又，有機矽氧化合物A使用相對於氮化鋁粒子A 100質量份成為0.2質量份之量。 隨後，於大氣中藉由於40℃加熱6小時，將CH 2Cl 2全部去除。藉此，獲得以有機矽氧化合物被覆之氮化鋁粒子。 (第2步驟) 將第1步驟所得之以有機矽氧化合物被覆之氮化鋁粒子於大氣中，以650℃加熱1.5小時，獲得作為含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之氧化矽被覆氮化鋁粒子。
＜實施例2＞ 除了將有機矽氧化合物A之量變更為相對於氮化鋁粒子A 100質量份為3.3質量份以外，與實施例1同樣，獲得作為含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之氧化矽被覆氮化鋁粒子。
＜實施例3＞ 除了將有機矽氧化合物A之量變更為相對於氮化鋁粒子A 100質量份為16.7質量份以外，與實施例1同樣，獲得作為含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之氧化矽被覆氮化鋁粒子。
＜實施例4＞ 除了於第2步驟後，進而依序重複進行第1步驟及第2步驟以外，與實施例2同樣，獲得作為含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之氧化矽被覆氮化鋁粒子。
＜實施例5＞ 除了將氮化鋁粒子A變更為體積累計之d50為50μm、由BET法求出之比表面積為0.07m 2/g之氮化鋁粒子B(FAN-f50-A1：古河電子股份有限公司製)，將有機矽氧化合物A以相對於氮化鋁粒子B 100質量份成為0.7質量份之量溶解於CH 2Cl 2以外，與實施例1同樣，獲得作為含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之氧化矽被覆氮化鋁粒子。
＜實施例6＞ 除了將有機矽氧化合物A之量變更為相對於氮化鋁粒子B 100質量份為16.7質量份以外，與實施例5同樣，獲得作為含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之氧化矽被覆氮化鋁粒子。
＜實施例7＞ 除了將有機矽氧化合物A變更為以式(2)表示之R1為甲基，R2為氫，且m為1之有機矽氧化合物B(製品名KF-99-P：信越化學工業股份有限公司製)，將有機矽氧化合物B以相對於氮化鋁粒子B 100質量份成為0.7質量份之量溶解於CH 2Cl 2以外，與實施例5同樣，獲得作為含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之氧化矽被覆氮化鋁粒子。
＜實施例8＞ 除了於第2步驟後，進而依序重複進行第1步驟及第2步驟以外，與實施例5同樣，獲得作為含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之氧化矽被覆氮化鋁粒子。
＜實施例9＞ 除了將第2步驟之加熱溫度設為900℃以外，與實施例1同樣，獲得作為含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之矽元素及鋁元素之複合氧化物被覆氮化鋁粒子。
＜實施例10＞ 除了將第2步驟之加熱溫度設為400℃以外，與實施例1同樣，獲得作為含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之氧化矽被覆氮化鋁粒子。
＜比較例1＞ 為氮化鋁粒子A，係將未經過實施例全部步驟之未處理品作為比較例1之粒子。
＜比較例2＞ 為氮化鋁粒子B，係將未經過實施例全部步驟之未處理品作為比較例2之粒子。
＜比較例3＞ 除了將第2步驟之加熱溫度設為1100℃以外，進行與實施例1同樣操作。
＜比較例4＞ 除了將第2步驟之加熱溫度設為200℃以外，進行與實施例1同樣操作。於所得粒子表面未形成氧化矽被膜等之含矽氧化物被膜。
[樹脂成形體之製造] 製作於作為樹脂成分之液狀硬化性環氧樹脂[環氧當量189之雙酚A型環氧樹脂(YD128：新日鐵住金化學股份有限公司製)]中，以成為表1及表2記載之質量份之方式調配有作為高分子量成分之聚苯乙烯換算重量平均分子量40000之雙酚A型苯氧樹脂(商品名「YP-50S」，新日鐵住金化學(股)製，純度：99.0質量%以上)之樹脂混合物。 表1及表2中記載之質量份之實施例1~10及比較例1~4之粒子、樹脂混合物與硬化劑(2-乙基-4-甲基咪唑，東京化成工業公司製)之調配物以手動攪拌後，滴加用以稀釋之溶劑(1-甲氧基-2-丙醇)直至可進行薄片塗佈之濃度後，以自轉公轉混合機(THINKY公司製，消泡練太郎)進行5次之2000rpm攪拌30秒。 所得組成物使用於單面施以脫模處理之PET膜作為塗佈基材而薄片化。 具體而言，所得組成物使用塗佈器以膜厚成為500μm之方式，塗佈於PET膜之施以脫模處理之側的面而形成樹脂組成物層，於真空下於50℃乾燥20分鐘，使溶劑揮發。確認溶劑揮發後，自PET膜基材削取樹脂組成物層，再度於真空下於50℃乾燥20分鐘，獲得溶劑完全去除之組成物。所得組成物為黏土狀或粉狀。 隨後，於鋼板上敷上厚188μm之PET，進而於其上，積層表面經塗佈脫模劑之厚35μm之銅箔。於銅箔表面上設置內壁經塗佈脫模劑之厚1mm且內徑30mm之鋼製圓筒模具，填充上述所得之黏土狀或粉狀之組成物，與配置於模具下者同樣，使於與組成物接觸之面塗佈有脫模劑之銅箔、PET及鋼板依序積層而夾入。將其於120℃熱加壓30分鐘，使樹脂組成物層硬化，製作厚1mm且內徑30mm之圓形狀之樹脂成形體(環氧樹脂成形體)。
又，實施例及比較例之樹脂成形體的粒子含量(體積%)係以氮化鋁之理論密度為3.26g/cm 3，樹脂成分之理論密度為1.17g/cm 3，高分子量成分之理論密度為1.17g/cm 3，針對各成分假定為單純的加成性成立而計算。又，溶劑係視為全部揮發，且硬化劑由於為微量故而忽略。
針對實施例及比較例所得之粒子，將[含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之碳原子含量之測定]、[含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之矽原子含量測定]、[含矽氧化物被覆氮化鋁粒子之由BET法求出之比表面積之測定]、[粒子之耐濕性評價]及[樹脂成形體之熱傳導率之測定]結果示於表1及表2。
實施例1~10之粒子與比較例1~4之粒子比較，耐濕性較高。又，使用實施例1~10之粒子的樹脂成形體與使用比較例1~4之粒子的樹脂成形體係相同程度之熱傳導率。由該等結果可知，藉由本發明之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法所得之實施例1~10之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子與未進行含矽氧化物被覆處理之比較例1及2之粒子或第2步驟之加熱溫度為本發明範圍外之比較例3及4之粒子比較，維持了氮化鋁粒子之高的熱傳導性，且可格外提高氮化鋁粒子之耐濕性。 尤其，使用d50為30μm以下之氮化鋁粒子之實施例1~4及9~10之熱傳導率高。
Figure 02_image013
Figure 02_image015
[圖1]係顯示本發明之氧化矽被覆氮化鋁粒子之製造方法的流程圖。

Claims (5)

  1. 一種含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，其係具備氮化鋁粒子與被覆前述氮化鋁粒子表面之含矽氧化物被膜之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，該方法具備下述步驟： 將含有以下述式(1)表示之構造之有機矽氧化合物溶解於溶劑之有機矽氧化合物溶液與前述氮化鋁粒子混合後，加熱而去除前述溶劑，藉此獲得由前述有機矽氧化合物被覆之前述氮化鋁粒子之第1步驟，及 將由前述有機矽氧化合物被覆之前述氮化鋁粒子於300℃以上1000℃以下之溫度加熱之第2步驟，
    Figure 03_image001
    (式(1)中，R為碳數4以下之烷基)。
  2. 如請求項1之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，其中前述含有以式(1)表示之構造之有機矽氧化合物包含以下述式(2)表示之化合物及以下述式(3)表示之化合物中之至少一者，
    Figure 03_image003
    (式(2)中，R1及R2分別獨立為氫原子或甲基，R1及R2之至少一者為氫原子，m為0~10之整數)，
    Figure 03_image005
    (式(3)中，n為3~6之整數)。
  3. 如請求項1之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，其中前述氮化鋁粒子之體積累計的d50為10μm以上60μm以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法，其中前述第1步驟中之前述加熱溫度為35℃以上200℃以下。
  5. 一種放熱性樹脂組成物的製造方法，其具備將藉由如請求項1至4中任一項之含矽氧化物被覆氮化鋁粒子的製造方法所製造之前述含矽氧化物被覆氮化鋁粒子與樹脂混合之混合步驟。
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