TWI740526B - 電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

一種電漿處理裝置，使用電漿對配置於處理室中的被處理物進行真空處理，所述電漿處理裝置包括：容器主體，於形成所述處理室的壁具有開口；金屬板，以堵塞所述開口的方式設置，並形成有於厚度方向上貫通的狹縫；電介質板，與所述金屬板接觸而受到支撐，並自所述處理室的外部側堵塞所述狹縫；以及天線，以與所述金屬板相向的方式設置於所述處理室的外部，並與高頻電源連接而產生高頻磁場，所述電漿處理裝置滿足h-D/2＞0.7（h為所述天線的中心軸與所述金屬板中的所述天線側的表面之間的距離（mm），D為所述天線的直徑（mm））。

Description

電漿處理裝置
本發明是有關於一種使用電漿對被處理物進行處理的電漿處理裝置。
以往提出了一種電漿處理裝置，其藉由於天線中流動高頻電流而產生的感應電場來產生感應耦合型的電漿（簡稱ICP（inductively coupled plasma）），並使用該感應耦合型的電漿對基板等被處理物實施處理。作為此種電漿處理裝置，於專利文獻1中揭示了如下裝置：將天線配置於真空容器的外部，並經由以堵塞真空容器的側壁的開口的方式設置的電介質窗，使自天線產生的高頻磁場透過至真空容器內，藉此於處理室內產生電漿。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2017-004665號公報
[發明所欲解決之課題] 然而，於所述電漿處理裝置中，由於將電介質窗用作真空容器的側壁的一部分，因此電介質窗必須具有充分的強度，以便在對真空容器內進行真空排氣時可耐受容器內外的差壓。特別是構成電介質窗的電介質材料為韌性低的陶瓷或玻璃，因此為了具備可耐受所述差壓的充分的強度，需要充分增大電介質窗的厚度。因此，自天線至真空容器內的處理室的距離變遠，故存在處理室中的感應電場的強度變弱、電漿生成的效率降低的問題。
本發明是鑒於此種問題而成者，其主要課題在於提供一種電漿處理裝置，所述電漿處理裝置於在處理室的外部配置天線的裝置中，可效率良好地向處理室供給自天線產生的高頻磁場。 [解決課題之手段]
即，本發明的電漿處理裝置是使用電漿對配置於處理室中的被處理物進行真空處理的裝置，其包括：容器主體，於形成所述處理室的壁具有開口；金屬板，以堵塞所述開口的方式設置，並形成有於厚度方向上貫通的狹縫；電介質板，與所述金屬板接觸而受到支撐，並自所述處理室的外部側堵塞所述狹縫；以及天線，以與所述金屬板相向的方式設置於所述處理室的外部，並與高頻電源連接而產生高頻磁場，所述電漿處理裝置滿足下述（1）式。 h-D/2＞0.7       （1） 此處，h為所述天線的中心軸與所述金屬板中的所述天線側的表面之間的距離（mm），D為所述天線的直徑（mm）。
即，本發明的電漿處理裝置藉由形成於金屬板的狹縫、及其上所配置的電介質板形成了磁場透過窗，所述磁場透過窗使自天線產生的高頻磁場透過至處理室側。若為此種構成，則形成磁場透過窗的構件的一部分是由韌性比陶瓷等電介質材料大的金屬材料構成，因此與僅由電介質材料構成磁場透過窗的情況相比，可減小磁場透過窗的厚度。另外，由於電介質板與金屬板接觸而受到支撐，因此可減輕真空處理時的電介質板的變形，減少電介質板內產生的彎曲應力。因此，可減小電介質板自身的厚度。藉此，可縮短天線至處理室的距離，從而可效率良好地向處理室內供給自天線產生的高頻磁場。 另外，若電介質板的厚度過小，則有無法耐受真空處理時的差壓而破裂之虞，但由於如上所述般使金屬板的表面與天線的表面之間的距離大於0.7 mm，故可將設置於天線與金屬板之間的電介質板的厚度設計為可耐受真空處理時的差壓的程度的厚度。 進而，由於以堵塞容器主體的開口的方式設置金屬板，因此可使包圍作為電漿生成空間的處理室的構件全部電性接地。藉此，可降低天線的電壓對電漿帶來的影響，從而可降低電子溫度並降低離子能量。
若天線的表面與金屬板的表面之間的距離過長，則難以效率良好地向處理室供給自天線產生的高頻磁場。因此，所述電漿處理裝置較佳為更滿足下述式（2）。 15≧h-D/2         （2）
自所述厚度方向觀察，所述狹縫較佳為以位於所述天線與所述處理室之間的方式形成。若為此種裝置，則可效率更良好地向處理室內供給自天線產生的高頻磁場。
較佳為所述天線呈直線狀，且多個所述狹縫彼此平行地形成。若為此種裝置，則可更均勻地向處理室內供給高頻磁場，因此，可使處理室中生成的電漿密度更均勻。
較佳為於所述金屬板的內部形成有冷卻用流體能夠流通的流路。 若為此種裝置，則可將由金屬板中流動的感應電流產生的電阻熱傳遞至冷卻用流體中而逸散。藉此，可抑制使用過程中的金屬板的溫度上升，抑制自金屬板對被處理物的輻射熱所引起的溫度上升，從而可更穩定地對被處理物進行電漿處理。
作為所述金屬板的態樣，可列舉所述流路以至少通過彼此相鄰的狹縫之間的方式形成的態樣。 於自厚度方向觀察時在天線與處理室之間形成有狹縫的情況下，於金屬板中相鄰的狹縫間（特別是天線的正下方）流動比較大的感應電流，於該部分產生的熱量最大。因此，藉由以通過彼此相鄰的狹縫之間的方式形成流路，可效率良好地將金屬板冷卻，並效率良好地抑制溫度上升。
較佳為所述電漿處理裝置包括：窗構件，以堵塞所述開口的方式安裝於所述容器主體，並形成使自所述天線產生的高頻磁場透過至所述處理室內的磁場透過窗，所述窗構件具有所述金屬板、所述電介質板、以及保持所述金屬板及所述電介質板的保持框。 若為此種裝置，則形成磁場透過窗的窗構件與容器主體為不同的構件，因此，即便於因氣體所導致的腐蝕或熱所導致的劣化等而金屬板消耗或污染的情況下，亦可容易地與窗構件一同拆下以進行金屬板的更換及清洗。
若自所述金屬板的厚度方向觀察時狹縫與天線所成的角度變小（即，若接近平行），則金屬板中流動的感應電流會變大以抵消自天線產生的高頻磁場，從而有向處理室供給的高頻磁場的強度降低之虞。 因此，自所述金屬板的厚度方向觀察，所述狹縫與所述天線所成的角度較佳為30°以上、90°以下。若如此，則以自厚度方向觀察時與天線交叉的方式形成狹縫，因此，沿著天線的軸向於金屬板中流動的感應電流被狹縫切為多段。藉此，可減小於金屬板中流動的感應電流，從而可提高向處理室供給的高頻磁場的強度。所述狹縫與所述天線所成的角度越大（即，越接近垂直）越佳。該角度更佳為45°以上、90°以下，進而更佳為約90°。
若狹縫的寬度尺寸相對於金屬板的板厚而言過大，則於天線與金屬板之間產生的電場容易通過狹縫進入處理室內，有對所生成的電漿帶來影響之虞。 因此，所述狹縫的寬度尺寸較佳為所述金屬板的板厚以下，更佳為1/2以下。藉此，可抑制電場進入處理室內，減少對所生成的電漿帶來的影響。再者，本說明書中所謂「狹縫的寬度尺寸」是指自厚度方向觀察時與天線重疊的部位的、沿著天線的方向上的狹縫的長度。
彼此相鄰的狹縫間的所述金屬板的寬度尺寸較佳為15 mm以下，更佳為5 mm以下。 若如此，則可進一步減小金屬板中流動的感應電流，可進一步提高向處理室供給的高頻磁場的強度。
為了更有效地抑制真空處理時的電介質窗的破損，所述電漿處理裝置較佳為：所述電介質板（i）積層有包含無機材料的無機層與包含有機材料的有機層；或（ii）包含在無機纖維中含浸有有機材料的纖維強化材料。
若如此，則是將磁場透過性優異的玻璃或陶瓷等無機材料、與柔軟性比所述無機材料優異的有機材料組合而構成了電介質板，因此，可於減小電介質板的厚度的同時，抑制真空處理時的處理室內外的差壓所導致的電介質板的急劇破損。
於所述電介質板積層有無機層與有機層的情況下，較佳為所述無機層呈板狀，且所述有機層呈片狀。 若為此種裝置，則由於使電介質板的柔軟性提高的有機層為片狀，因此可減小電介質板自身的厚度。再者，所謂「片狀」是指「可捲繞的形狀」，所謂「板狀」是指「無法捲繞的形狀」。
於所述電介質板積層有無機層與有機層的情況下，較佳為自所述處理室朝向所述天線依序積層有所述無機層與所述有機層。 當對處理室過度進行真空排氣時，於柔軟性比有機層低的無機層中產生大的應力，有無機層比有機層先發生破裂等破損之虞。若為如上所述的構成，則由於在無機層上積層有有機層（即，有機層位於大氣側），故即便於無機層發生破裂等而意外破損的情況下，亦可藉由具有柔軟性的有機層自大氣側將所述無機層密封。因此，可防止由真空洩漏導致的處理室內的急劇的壓力變動，從而可防止真空泵等的破損。 另外，就防止由濺鍍氣體導致的有機層的腐蝕的觀點而言，亦較佳為無機層及有機層以此種順序積層。
於所述電介質板積層有無機層與有機層的情況下，較佳為所述無機層與所述有機層彼此接合。 若如此，則由於有機層與無機層經積層接合，故即便於過度進行真空排氣等而無機層發生破裂等破損的情況下，亦可防止其碎片飛散。
於所述電介質板積層有無機層與有機層的情況下，就降低電介質損耗、降低由高頻引起的自發熱的觀點而言，較佳為所述無機材料為選自無鹼玻璃、石英玻璃或陶瓷中的一種，且所述有機材料為選自聚四氟乙烯或聚醯亞胺中的一種。
於所述電介質板包含纖維強化材料的情況下，就降低電介質損耗、降低由高頻引起的自發熱的觀點而言，較佳為所述無機纖維為玻璃纖維，所述有機材料為聚醯亞胺。
於所述電介質板包含纖維強化材料的情況下，較佳為所述電介質板積層有包含所述纖維強化材料的纖維強化層與包含無機材料的無機層。於所述情況下，較佳為纖維強化層呈片狀，無機層呈板狀。 [發明的效果]
根據如上所述的本發明，可提供一種電漿處理裝置，所述電漿處理裝置於在處理室的外部配置天線的裝置中，可效率良好地向處理室供給自天線產生的高頻磁場。
以下，基於圖式對本發明的一實施形態的電漿處理裝置進行說明。再者，以下說明的電漿處理裝置用於將本發明的技術思想具體化，只要無特定記載，則本發明並不限定於以下的裝置。另外，於一實施形態中說明的內容亦可適用於其他的實施形態。另外，為使說明明確，有時會誇大各圖式所示的構件的大小或位置關係等。
＜裝置構成＞ 本實施形態的電漿處理裝置100使用感應耦合型的電漿P對基板等被處理物W實施真空處理。此處，基板例如為液晶顯示器或有機電致發光（electroluminescence，EL）顯示器等平板顯示器（flat panel display，FPD）用的基板、可撓式顯示器用的可撓式基板等。另外，對基板實施的處理例如為藉由電漿化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD）法進行的膜形成、蝕刻、灰化、濺鍍等。
再者，本實施形態的電漿處理裝置100於藉由電漿CVD法進行膜形成的情況下亦稱為電漿CVD裝置，於藉由電漿CVD法進行蝕刻的情況下亦稱為電漿蝕刻裝置，於藉由電漿CVD法進行灰化的情況下亦稱為電漿灰化裝置，於藉由電漿CVD法進行濺鍍的情況下亦稱為電漿濺鍍裝置
具體而言，如圖1所示，電漿處理裝置100包括：真空容器2，於內側形成有被真空排氣且導入氣體G的處理室1；天線3，設置於處理室1的外部；以及高頻電源4，對天線3施加高頻。於真空容器2形成有磁場透過窗5，所述磁場透過窗5使自天線3產生的高頻磁場透過至處理室1內。若自高頻電源4對天線3施加高頻，則自天線3產生的高頻磁場透過磁場透過窗5而形成於處理室1內，藉此於處理室1內的空間中產生感應電場，從而生成感應耦合型的電漿P。
真空容器2包括容器主體21、以及形成磁場透過窗5的窗構件22。
容器主體21例如為金屬製的容器，藉由其壁（內壁）而於內側形成了處理室1。於容器主體21的壁（此處為上壁21a）形成有於厚度方向上貫通的開口部211。窗構件22以堵塞該開口部211的方式可裝卸地安裝於容器主體21。再者，容器主體21電性接地，且窗構件22與容器主體21之間藉由O形環等墊圈或黏接劑而經真空密封。
真空容器2構成為藉由真空排氣裝置6對處理室1進行真空排氣。另外，真空容器2構成為經由例如流量調整器（省略圖示）及容器主體21中所設置的多個氣體導入口212而向處理室1導入氣體G。氣體G只要設為與對基板W實施的處理內容相對應的氣體即可。例如，於藉由電漿CVD法在基板上進行膜形成的情況下，氣體G為原料氣體或利用稀釋氣體（例如H2 ）對所述原料氣體進行稀釋後的氣體。若列舉更具體的例子，則於原料氣體為SiH4 的情況下，可於基板上形成Si膜，於原料氣體為SiH4 +NH3 的情況下，可於基板上形成SiN膜，於原料氣體為SiH4 +O2 的情況下，可於基板上形成SiO2 膜，於原料氣體為SiF4 +N2 的情況下，可於基板上形成SiN：F膜（氟化氮化矽膜）。
另外，於真空容器2內設置有對基板W予以保持的基板支架7。可如該例般自偏壓電源8對基板支架7施加偏電壓。偏電壓例如為負的直流電壓、負的偏電壓等，但並不限於此。藉由此種偏電壓，例如可對電漿P中的正離子入射至基板W時的能量進行控制，從而對形成於基板W的表面的膜的結晶度進行控制等。亦可於基板支架7內設置對基板W進行加熱的加熱器71。
如圖1及圖2所示，天線3設置有多根，且各天線3以與磁場透過窗5相向的方式配置於處理室1的外部。此處，各天線3與磁場透過窗5之間的距離設為2 mm左右。各天線3配置成與處理室1中所設置的基板W的表面實質上平行。
各天線3為相同構成的天線，自外觀來看，呈長度為數十cm以上的直線狀（具體而言為圓柱狀）。作為天線3的一端部的供電端部3a經由匹配電路41而連接有高頻電源4，作為另一端部的終端部3b直接接地。再者，終端部3b亦可經由電容器或線圈等接地。
此處，各天線3是於內部形成有冷卻液CL可流通的流路的中空結構。具體而言，如圖2所示，各天線3包括至少兩個導體單元31、以及與彼此相鄰的導體單元31電性串聯連接的作為定量元件的電容器32。此處，各天線3包括三個導體單元31與兩個電容器32。各導體單元31為相同形狀而呈於內部形成有供冷卻液流動的直線狀流路的直管狀（具體而言為圓管狀）。各導體單元31的材質例如為銅、鋁、該些的合金或不鏽鋼等金屬，但並不限於此，亦可適當變更。
藉由以所述方式構成各天線3，天線3的合成電抗簡單而言成為自電感電抗減去電容電抗的形式，因此可降低天線3的阻抗。其結果，即便於延長天線3的情況下亦可抑制其阻抗的增大，於天線3中容易流動高頻電流IR，從而可於處理室1內效率良好地產生感應耦合型的電漿P。
高頻電源4可經由匹配電路41使高頻電流IR流至天線3。高頻的頻率例如為通常的13.56 MHz，但並不限於此，亦可適當變更。
然後，於本實施形態的電漿處理裝置100中，如圖3所示，窗構件22包括自處理室1側朝向天線3側依序設置的金屬板221及電介質板222。金屬板221形成有於其厚度方向上貫通的狹縫221s，並以堵塞容器主體21的開口部211的方式設置。電介質板222與金屬板221接觸而受到支撐，並以自處理室1的外部側（即天線3側）堵塞狹縫221s的方式設置於金屬板221的天線3側的表面。於本實施形態的電漿處理裝置100中，藉由金屬板221的狹縫221s與堵塞所述狹縫221s的電介質板222形成了磁場透過窗5。即，自天線3產生的高頻磁場透過電介質板222與狹縫221s而被供給至處理室1。再者，藉由堵塞開口211的金屬板221與堵塞金屬板221的狹縫221s的電介質板222，處理室1內的真空得到保持。於以下的說明中，將金屬板221的厚度方向簡稱為「厚度方向」。
金屬板221使自天線3產生的高頻磁場透過至處理室1內，並且防止電場自處理室1外進入處理室1內。具體而言，對金屬材料進行軋製加工（例如冷軋或熱軋）而形成為平板狀。此處，將金屬板221的厚度設為約5 mm，但並不限於此，亦可根據規格適當變更。金屬板221的板厚只要是於真空處理時可耐受處理室1的內外壓的差壓的厚度即可，較佳為1 mm以上。
如圖3及圖4所示，金屬板221於俯視時呈可覆蓋容器主體21的開口211的整體的形狀（此處為矩形）。由金屬板221的外周緣包圍的面積比容器主體21的開口211的面積大。而且，金屬板221設置成：以包圍容器主體21的開口211的天線3側的周緣部的方式與容器主體21接觸而受到支撐。金屬板221配置成與處理室1中所配置的基板W的表面實質上平行。金屬板221與容器主體21藉由於其間夾入密封結構（未圖示）而經真空密封。此處，密封結構藉由設置於金屬板221與容器主體21之間的、例如O形環或墊圈等密封構件或者黏接劑來實現。所述密封構件以包圍開口211的外周緣的方式設置。
於本實施形態中，金屬板221與容器主體21電性接觸，從而經由容器主體21接地。金屬板221並不限於此，亦可直接接地。
構成金屬板221的材料例如可為選自包括Cu、Al、Zn、Ni、Sn、Si、Ti、Fe、Cr、Nb、C、Mo、W或Co的群組中的一種金屬或者該些的合金（例如不鏽鋼合金、鋁合金等）等。另外，亦可包含根據原料、材料、製造設備等的狀況而混入的微量的元素（不可避免的雜質）。就提高耐腐蝕性、耐熱性的觀點而言，亦可對金屬板221的處理室1側的表面進行塗敷處理。
如圖4所示，自厚度方向觀察，狹縫221s呈採用與天線3正交的方向作為長邊方向的矩形，且以位於天線3與處理室1之間的方式形成於天線3的正下方。狹縫221s形成於與各天線3對應的位置。具體而言，於與一根天線3對應的位置形成有多個狹縫221s。更具體而言，於與天線3所包括的各導體單元31對應的位置形成有一個或多個狹縫221s。於本實施形態中，於與各導體單元31對應的位置形成有六個狹縫221s。狹縫221s的數量並不限於此，亦可根據規格適當變更。各狹縫221s於此處呈相同的形狀，但亦可為不同的形狀。
狹縫221s於與各天線3（具體而言為各導體單元31）對應的位置彼此平行地形成。具體而言，如圖5所示，自厚度方向觀察，各狹縫221s形成為其長邊方向與天線3所成的角度θs 大致相同。此處，將狹縫221s與天線3所成的該角度θs 設為約90°。
各狹縫221s形成為其寬度尺寸dw 大致相同。狹縫221s的寬度尺寸dw 較佳為金屬板221的板厚以下，更佳為約1/2以下，進而更佳為約1/3以下。
另外，狹縫221s沿著天線3而以規定的間距長度dp 等間隔地形成。此處所謂「間距長度」是指如圖5所示般沿著天線3的方向上的彼此相鄰的狹縫221s各自的中心位置間的距離。
另外，狹縫221s形成為彼此相鄰的狹縫221s間的金屬板221的寬度尺寸相同。此處所謂「彼此相鄰的狹縫間的金屬板的寬度尺寸」（於以下亦簡稱為「狹縫間長度」）是指自狹縫221s的間距長度dp 減去狹縫221s的寬度尺寸dw 而得的長度。狹縫間長度ds 較佳為15 mm以下，更佳為5 mm以下。
本實施形態的電漿處理裝置100包括將金屬板221冷卻的冷卻機構9。具體而言，如圖6所示，該冷卻機構9包括：形成於金屬板221的內部的、冷卻用流體可流通的流路91、以及將冷卻用流體供給至流路91的冷卻流體供給機構（未圖示）。流路91的兩端於金屬板221的表面開口，冷卻用流體自其中一個開口91a供給至流路91，並自另一個開口91b排出。
流路91形成為沿一方向使流體自其中一個開口91a流至另一個開口91b。此處，流路91與每根天線3（具體而言為導體單元31）對應地設置。流路91包括與狹縫221s的短邊方向平行地形成的第一流路部分91x、及與狹縫221s的長邊方向平行地形成的第二流路部分91y，且形成為第一流路部分91x與第二流路部分91y組合並於多個狹縫221s之間蛇行。流路91以至少通過彼此相鄰的狹縫221s之間的方式形成。更具體而言，第二流路部分91y以通過彼此相鄰的狹縫221s之間的中央部的方式形成。再者，向流路91供給的冷卻用流體可為液體或氣體的任一種。
電介質板222使自天線3產生的高頻磁場透過至處理室1內，並且堵塞狹縫221s來保持處理室1內的真空。具體而言，該電介質板222整體由電介質物質構成且呈平板狀。此處，使電介質板222的板厚比金屬板221的板厚小，但並不限於此。就縮短天線3與處理室1之間的距離的觀點而言，較佳為薄的電介質板222。電介質板222的板厚只要具備於對處理室1進行了真空排氣的狀態下可耐受自狹縫221s接受的處理室1內外的差壓的強度即可，可根據狹縫221s的數量及長度、電介質板222的材質等規格適當設定。 例如，於狹縫221s的寬度尺寸dw 為20 mm、狹縫221s的長度尺寸dl 為30 mm、狹縫間長度ds 為5 mm、電介質板222包含無鹼玻璃的情況下，電介質板222的板厚較佳為0.7 mm以上。
構成電介質板222的材料可為氧化鋁、碳化矽、氮化矽等陶瓷；石英玻璃、無鹼玻璃等無機材料；氟樹脂（例如鐵氟龍（Teflon））等樹脂材料等已知的材料。另外，就降低電介質損耗的觀點而言，構成電介質的材料的電介質損耗角正切較佳為0.01以下，更佳為0.005以下。
電介質板222以覆蓋並堵塞金屬板221中所形成的多個狹縫221s的方式設置於金屬板221的天線3側的表面。具體而言，電介質板222以包圍多個狹縫221s的周圍並密接的方式與金屬板221的天線3側的表面接觸。電介質板222與金屬板221藉由於其間夾入密封結構（未圖示）而經真空密封。此處，密封結構藉由設置於電介質板222與金屬板221之間的、例如O形環或墊圈等密封構件或者黏接劑來實現。該些密封構件可設置成一起包圍全部的多個狹縫221s，亦可設置成各別地包圍多個狹縫221s。另外，於電介質板222包含樹脂材料等具有高彈性的材料的情況下，密封結構亦可藉由電介質板222的彈力來實現。
窗構件22更包括對金屬板221與電介質板222予以保持的保持框223。保持框223將金屬板221與電介質板222按壓於容器主體21的上表面21b而予以保持。如圖3及圖4所示，保持框223呈平板狀，並以與處理室1中所設置的基板W的表面實質上平行的方式配置於電介質板222上。具體而言，保持框223以其下表面與電介質板222及金屬板221的上表面接觸的方式配置。保持框223藉由螺釘機構等固定構件（未圖示）可裝卸地安裝於容器主體21的上表面21b。
構成保持框223的材料例如可為選自包括Cu、Al、Zn、Ni、Sn、Si、Ti、Fe、Cr、Nb、C、Mo、W或Co的群組中的一種金屬或者該些的合金等。另外，就減小於內部流動的感應電流的觀點而言，保持框223較佳為由電介質構成。作為此種電介質材料，例如可列舉氧化鋁、碳化矽、氮化矽等陶瓷；石英玻璃、無鹼玻璃等無機材料；氟樹脂（例如鐵氟龍（Teflon））等樹脂材料等。另外，用於固定保持框223的螺栓等固定構件亦與保持框223同樣地，較佳為由陶瓷等電介質材料構成。
於保持框223中形成有多個於厚度方向上貫通的長孔狀的開口223o，且自該開口223o露出了電介質板222。如圖4所示，開口223o形成於與各天線3（具體而言為各導體單元31）對應的位置。更具體而言，自厚度方向觀察，開口223o以包圍各天線3及位於與所述天線3對應的位置的磁場透過窗5的方式形成。此處，以與三根天線3（即九根導體單元31）對應的方式形成有九個開口223o。
本實施形態的電漿處理裝置100可包括將保持框223冷卻的保持框冷卻機構（未圖示）。保持框冷卻機構例如可藉由水冷或空冷的手段來冷卻保持框223。於水冷的情況下，可構成為藉由使保持框223成為於其內部具有冷卻液可流通的流路的中空結構來冷卻保持框223。另外，於空冷的情況下，可構成為藉由利用風扇等進行的送風來冷卻保持框223。
而且，如圖3所示，本實施形態的電漿處理裝置100以天線3的直徑（具體而言為各導體單元31的直徑）D（mm）及天線3的中心軸（具體而言為各導體單元31的中心軸）與金屬板221的天線3側的表面之間的距離h（mm）滿足以下（1）式及（2）式的方式設定天線3的位置。 h-D/2＞0.7       （1） 15≧h-D/2         （2） 再者，所述（1）式及（2）式中的「h-D/2」的值使用天線3的表面與金屬板221的天線3側的表面之間的距離最短的位置處的h（mm）及D（mm）的值來計算。
＜本實施形態的效果＞ 根據以所述方式構成的本實施形態的電漿處理裝置100，由於形成磁場透過窗5的窗構件22的一部分是由韌性比陶瓷等電介質材料大的金屬材料構成，因此與僅由電介質材料構成磁場透過窗5的情況相比，可減小磁場透過窗5的厚度。藉此，可縮短天線3至處理室1的距離，從而可效率良好地向處理室1內供給自天線3產生的高頻磁場。 進而，由於以堵塞容器主體21的開口211的方式設置金屬板221，因此，可使包圍作為電漿生成空間的處理室1的構件全部電性接地。藉此，可降低天線3的電壓對電漿帶來的影響，從而可降低電子溫度並降低離子能量。
＜其他變形實施形態＞ 再者，本發明並不限於所述實施形態。
所述實施形態的電漿處理裝置100以天線3的直徑D（mm）、及天線3的中心軸與金屬板221的天線3側的表面之間的距離h（mm）滿足所述（1）式及（2）式的方式設定天線3的位置，但並不限於此。於另一實施形態中，亦可以不滿足所述（2）式而僅滿足（1）式的方式設定天線3的位置。
於所述實施形態中，金屬板221為平板狀，但並不限定於此。於另一實施形態中，亦可如圖7所示般構成為載置電介質板222的面位於比容器主體21的上壁21a更靠基板W側的位置。若為此種構成，則可使天線3更接近處理室1，因此可進一步提高處理室1中形成的電漿密度。
於所述實施形態中，狹縫221s與天線3所成的角度θs 為約90°，但並不限於此。於另一實施形態中，該角度θs 可為約30°以上、約90°以下的任意的角度θs 。該角度θs 更佳為約60°以上、約90°以下，最佳為約90°。
於又一實施形態中，亦可如圖8所示般，於金屬板221中不僅形成了與天線3所成的角度θs 為約30°以上、約90°以下的狹縫221s，更形成了與天線3所成的角度為約0°以上、未滿約30°的狹縫221t。於所述情況下，狹縫221t與天線3所成的角度較佳為0°。另外，該狹縫221t較佳為以位於天線3的正下方的方式形成。
於所述實施形態中，狹縫221s以彼此平行的方式形成，但並不限定於此。狹縫221s亦可形成為與天線3所成的角度彼此不同。
另外，狹縫221s亦可不以一定的間距長度dp 形成。例如，於狹縫221s的寬度尺寸dw 一定的情況下，亦可於天線3（具體而言為導體單元31）的長邊方向上的中央位置附近增大間距長度dp 及狹縫間長度ds ，且越接近天線3的長邊方向上的兩端部越減小間距長度dp 及狹縫間長度ds 。若如此，則於處理室1內，可使沿著天線3的長邊方向的電漿密度接近均勻。
另外，狹縫221s各自的寬度尺寸dw 亦可不同。例如，於狹縫221s以一定的間距長度dp 形成的情況下，亦可於天線3的長邊方向上的中央位置附近減小寬度尺寸dw （即，增大狹縫間長度ds ），且越接近天線3的長邊方向上的兩端部越增大寬度尺寸dw （即，減小狹縫間長度ds ）。若如此，則於處理室1內，可使沿著天線3的長邊方向的電漿密度接近均勻。
於所述實施形態中，於相鄰的狹縫221s之間形成有僅一條第二流路部分91y，但並不限於此，亦可形成有多條。另外，流路91並不限於自其中一個開口91a至另一個開口91b不分支地形成，亦可形成為於中途分支。另外，開口91a及開口91b並非必須設置於流路91的兩端，亦可設置於流路91的中途。
所述實施形態的電漿處理裝置包括一片金屬板221，但並不限定於此。於另一實施形態中，亦可包括於厚度方向上重疊的多片金屬板221。於所述情況下，各金屬板221的構成材料可彼此不同，亦可為相同的構成材料。
於所述實施形態中，窗構件22安裝於容器主體21的上表面21b，但並不限於此。於另一實施形態中，亦可安裝於容器主體21的上表面所設置的凸緣等。
於所述實施形態中，保持框223的開口223o於與各導體單元31對應的位置形成有多個，但並不限定於此。於另一實施形態中，自厚度方向觀察，亦可以包圍全部導體單元31的方式形成有一個開口。
所述實施形態的電漿處理裝置100包括多根天線3，但並不限於此，亦可包括僅一根天線3。
所述實施形態的電漿處理裝置100中，天線3包括多個導體單元31、以及與彼此相鄰的導體單元31電性串聯連接的作為定量元件的電容器32，但並不限於此。於另一實施形態中，天線3亦可僅包括一個導體單元31，且不包括電容器32。
於另一實施形態的電漿處理裝置100中，亦可如圖9的（a）、（b）所示般於金屬板221的側面2211形成開口，並以堵塞該開口的方式嵌入側板92。而且，流路91（此處為第一流路部分91x）的內側壁的一部分亦可由側板的側面921形成。此種流路91例如可藉由如下方式形成：藉由自金屬板221的側面2211沿著狹縫的長邊方向進行切削而形成第二流路部分91y，藉由沿著與狹縫的長邊方向正交的方向進行切削而形成第一流路部分91x，並以堵塞藉由該切削加工而形成於側面2211的開口的方式設置側板92。當然，亦可藉由其他方法形成流路91。
於所述實施形態中，天線3為直線狀的導體，但並不限於此，亦可為螺旋形的導體或圓頂狀線圈。
於所述實施形態中，電介質板222為包含已知的材料的單層結構，但並不限於此。以下，對其他實施形態中的電介質板222的態樣進行說明。
於另一實施形態中，電介質板222亦可如圖10（圖3的A部的放大圖）所示般以呈積層結構的方式構成，所述積層結構積層有包含無機材料的無機層222a與包含有機材料的有機層222b。再者，本說明書中所謂「包含無機材料」是指含有無機材料作為主成分（超過50%），並不排除包含無機材料以外的材料的情況。「包含有機材料」亦為相同的含義。
於所述情況下，無機層222a呈板狀，且其板厚較佳為具備於對處理室1進行了真空排氣的狀態下可耐受自狹縫221s接受的處理室1內外的差壓的強度。板厚例如較佳為約0.7 mm～約14.5 mm左右，但並不限於此。就效率良好地向處理室1供給高頻磁場的觀點而言，其厚度越薄越佳。構成無機層222a的無機材料較佳為可使高頻磁場透過、且可發揮比有機層222b更優異的耐壓性的材料。具體而言，無機材料較佳為選自無鹼玻璃、石英玻璃或陶瓷中的至少一種。
有機層222b呈片狀，且其厚度越薄越佳。具體而言，有機層222b的厚度較佳為約0.5 mm～約2.0 mm左右。構成有機層222b的有機材料較佳為可使高頻磁場透過、且可發揮比無機層222a更優異的柔軟性的材料。具體而言，有機材料較佳為選自聚四氟乙烯（鐵氟龍（Teflon））或聚醯亞胺中的至少一種。
另一實施形態的電介質板222中，亦可自處理室1朝向天線3依序積層有此種無機層222a與有機層222b。有機層222b可以自天線3側俯視時至少位於各狹縫221s上的方式積層於無機層222a上。有機層222b亦可積層於無機層222a的整個上表面上。
無機層222a與有機層222b亦可於其界面處彼此接合。無機層222a與有機層222b的積層接合可藉由任意的接合方法來進行，但就減少由高頻引起的自發熱的觀點而言，較佳為無機層222a與有機層222b直接接合而不經由黏接劑等黏接構件。
若如此，則由於將包含磁場透過性優異的無機材料的無機層222a與包含柔軟性比所述無機材料優異的有機材料的有機層222b積層而構成了電介質板222，因此可於減小電介質板222自身的厚度的同時，防止由真空處理時的處理室1內外的差壓導致的電介質板222的急劇破損。此處，由於自處理室1側朝向天線3側依序積層有板狀的無機層222a與片狀的有機層222b，因此即便於無機層222a發生破裂等而破損的情況下，亦可藉由有機層222b堵塞該破損部位並進行密封。藉此，即便於無機層222a意外破裂的情況下，亦可防止由真空洩漏引起的處理室1內的急劇壓力變動，並防止真空泵等的破損，從而可減小其損失。
於又一實施形態中，亦可如圖11所示般自處理室1朝向天線3依序積層有有機層222b與無機層222a。
另外，電介質基板222並不限於積層有一個無機層222a與一個有機層222b的雙層結構，亦可為積層有三層以上的結構。例如，亦可如圖12所示般構成為於兩個有機層222b之間配置一個無機層222a。
又一實施形態的電介質板222中，無機層222a亦可於其內部包括金屬性的線材（wire）等線狀的增強構件。若如此，則即便於過度進行真空排氣等而無機層發生破裂等破損的情況下，亦可更有效地防止其碎片飛散。於所述情況下，增強構件較佳為以自天線3側俯視時與天線3交叉的方式設置，且較佳為例如與天線3所成的角度為約30°以上、約90°以下。若如此，則於增強構件中可減少於沿著天線3的方向上流動的逆電流，從而可減少發熱、高頻磁場的透過性的降低等。
又一實施形態的電介質板222亦可如圖13所示般為由纖維強化層構成的單層結構，所述纖維強化層包含在無機纖維中含浸有有機材料的纖維強化材料。於所述情況下，電介質板222較佳為由在玻璃纖維中含浸有聚醯亞胺的纖維強化型材料構成。
另外，電介質板222亦可為積層有由纖維強化型複合材料構成的所述纖維強化層、與包含無機材料（無鹼玻璃、石英玻璃、陶瓷等）的無機層的多層結構。於所述情況下，較佳為纖維強化層呈片狀，無機層呈板狀，且自處理室1朝向天線3依序積層有無機層與纖維強化層。
此外，本發明並不限於所述實施形態，當然可於不脫離其主旨的範圍內進行各種變形。
＜高頻磁場強度的評價＞ 關於所述電漿處理裝置100中的金屬板221的規格（狹縫間長度ds 、狹縫的角度θs 、狹縫寬度dw 、板厚等）的不同對高頻磁場帶來的影響，藉由實驗進行評價。再者，本發明並不受以下實驗例的限制，亦可在適合於前述及後述的主旨的範圍內加入變更來實施，該些均包含於本發明的技術範圍內。
（1）狹縫間長度ds 所帶來的影響 評價狹縫間長度ds 對高頻磁場帶來的影響。具體而言，準備六個包含不鏽鋼合金（SUS316）的厚度為10 μm的金屬板。於各金屬板中，使狹縫間長度ds 各不相同（分別為0 mm、5 mm、15 mm、45 mm、70 mm、140 mm）來形成寬度尺寸為0.5 mm的狹縫。再者，使各金屬板中形成的狹縫與之後安置的天線所成的角度θs 均為90°。然後，對各金屬板，自其中一面側所設置的天線供給高頻磁場，並使用一匝的拾取線圈（pick-up coil）測定透過至相反之面側（處理室側）的高頻磁場的平行磁場強度。此處，向天線供給150 W的高頻電力（頻率：13.56 MHz）來產生高頻磁場。然後，算出各金屬板中的平行磁場強度相對於狹縫間長度為0 mm的金屬板中的平行磁場強度之比（磁場強度比）。將其結果示於圖14。
根據圖14所示的結果可知，狹縫間長度越短，越可效率良好地向處理室側供給自天線產生的高頻磁場。可知特別是藉由將狹縫間長度設為約15 mm以下，平行磁場強度變得更強，藉由設為約5 mm以下，平行磁場強度進一步變強。
（2）狹縫的角度θs 所帶來的影響 評價狹縫的角度θs 對高頻磁場帶來的影響。具體而言，準備四個包含不鏽鋼合金（SUS316）的厚度10 μm的金屬板。於各金屬板中，以一定的間距長度（5 mm）平行地形成一定的寬度尺寸（0.5 mm）的狹縫。此處，使各金屬板中形成的狹縫與之後安置的天線所成的角度θs （狹縫的角度θs ）各不相同（分別為90°、60°、45°、30°）。然後，以與所述（1）相同的程序測定各金屬板的處理室側的平行磁場強度。然後，計算各金屬板中的平行磁場強度相對於狹縫的角度θs 為90°（即，狹縫與天線正交）的金屬板中的平行磁場強度之比（磁場強度比）。將其結果示於圖15。
根據圖15所示的結果可知，於30°～90°的任一狹縫角度θs 下，均可效率良好地向處理室側供給自天線產生的高頻磁場。而且可知，狹縫的角度θs 越大、即相對於天線越接近直角，越可效率良好地供給高頻磁場。可知特別是藉由將狹縫的角度θs 設為約45°以上，平行磁場強度變得更強，藉由設為約60°以上，平行磁場強度進一步變強。
（3）狹縫寬度dw 所帶來的影響 評價狹縫寬度dw 對高頻磁場帶來的影響。具體而言，準備三個厚度1 mm的金屬板（Cu）。於各金屬板中，以規定的狹縫間長度（5 mm）形成寬度尺寸各不相同（1 mm、3 mm、5 mm）的狹縫。即，將各金屬板中的狹縫的間距長度分別設為6 mm、8 mm、10 mm。再者，使各金屬板中形成的狹縫與之後安置的天線所成的角度θs 均為90°。然後，以與所述（1）相同的程序測定各金屬板的處理室側的平行磁場強度。另外，準備狹縫間距為0 mm的金屬板（即，以連續的方式形成狹縫而完全開口），以相同的程序測定平行磁場強度。計算各金屬板中的平行磁場強度相對於狹縫間距為0 mm的金屬板中的平行磁場強度之比（磁場強度比）。將其結果示於圖16。
根據圖16所示的結果可知，無論為1 mm～5 mm的哪一狹縫寬度，均可效率良好地向處理室側供給自天線產生的高頻磁場。而且可知，狹縫寬度越大，越可效率良好地供給高頻磁場。
（4）金屬板的厚度所帶來的影響 評價金屬板的厚度對高頻磁場帶來的影響。具體而言，準備厚度1 mm的金屬板（Cu）與厚度3 mm的金屬板（Cu）。於各金屬板中以間距長度8 mm形成寬度尺寸3 mm的狹縫。再者，使各金屬板中形成的狹縫與之後安置的天線所成的角度θs 均為90°。然後，以與所述（1）相同的程序測定各金屬板的處理室側的平行磁場強度。此處，使向天線供給的高頻電力以50 W為單位於100 W～300 W間變化，來測定平行磁場強度。然後，於所供給的每一高頻電力的大小下，計算厚度3 mm的金屬板中的平行磁場強度相對於厚度1 mm的金屬板中的平行磁場強度之比（磁場強度比）。將其結果示於圖17。
根據圖17所示的結果，與向天線供給的高頻電力的大小無關，厚度1 mm的金屬板中的平行磁場強度均比厚度3 mm的金屬板中的平行磁場強度大。藉此可知，於金屬板的板厚較小時，可效率更良好地向處理室側供給自天線產生的高頻磁場。
＜電漿的發光強度的評價＞ （1）高頻電力的大小對電漿發光強度帶來的影響 於所述實施形態的電漿處理裝置100中，以如下方式確認了使自天線3產生的高頻磁場經由磁場透過窗5而透過，並可於處理室1內產生電漿P。
具體而言，準備於厚度方向上形成有多個狹縫221s（寬度尺寸dw 為3 mm，長度尺寸dl 為30 mm，狹縫間長度ds 為3 mm）的包含Cu合金的板厚3 mm的金屬板221、以及板厚0.6 mm的電介質板222，利用保持框223按照所述實施形態的要領對該些予以保持並安裝於容器主體21。作為天線3，使用直徑D為6 mm者，並將該天線3設置成使得天線3的中心軸與金屬板221的天線3側的表面之間的距離h為4.5 mm。然後，於對真空容器2進行真空排氣後，一邊導入7.0 sccm的Ar氣體，一邊將處理室1內的壓力調整為18×10-3 托（Torr）。然後，相對於天線3，一邊變更電力值一邊供給高頻電力（頻率：13.56 MHz），利用發光分光分析裝置測量處理室1中所產生的電漿P的發光強度。將其結果示於圖18。如根據圖18可知般，可確認到藉由利用電介質板222覆蓋形成有狹縫221s的金屬板221來形成磁場透過窗5，使自天線3產生的高頻磁場經由磁場透過窗5而透過，並可於處理室1內產生電漿P。
（2）天線中心軸～金屬板表面的距離對電漿發光強度帶來的影響 接著，於所述（1）的評價中所使用的電漿處理裝置100中，使天線3的中心軸與金屬板221的表面之間的距離變化，並評價由此帶來的對電漿發光強度的影響。具體而言，使天線3的中心軸與金屬板221的天線3側的表面之間的距離h於4.5 mm～11 mm內變化，並對天線3供給1000 W的高頻電力，利用發光分光分析裝置測量處理室1中所產生的電漿P的發光強度。將其結果示於圖19。如根據圖19可知般，處理室1中所產生的電漿P的發光強度和天線3的中心軸與金屬板221的天線3側的表面之間的距離h的倒數大致成比例，距離h越短，電漿P的發光強度越強。另外，若將h=4.5 mm時的發光強度作為基準值（100%），並將其25%的發光強度設定為可進行真空處理的下限，則該下限處的距離h為約18 mm，「h-D/2」的值為約15 mm。
1:處理室 2:真空容器 3:天線 3a:供電端部 3b:終端部 4:高頻電源 5:磁場透過窗 6:真空排氣裝置 7:基板支架 8:偏壓電源 9:冷卻機構 21:容器主體 21a:上壁 21b:上表面 22:窗構件 31:導體單元 32:電容器 41:匹配電路 71:加熱器 91:流路 91a、91b:開口 91x:第一流路部分 91y:第二流路部分 92:側板 100:電漿處理裝置 211:開口/開口部 212:氣體導入口 221:金屬板 221s、221t:狹縫 222:電介質板 222a:無機層 222b:有機層 223:保持框 223o:開口 921、2211:側面 CL:冷卻液 D:直徑 dl:長度尺寸 dp:間距長度 ds:狹縫間長度 dw:寬度尺寸 G:氣體 h:距離 IR:高頻電流 P:電漿 W:被處理物/基板 θs:角度
圖1是示意性地表示本實施形態的電漿處理裝置的整體構成的、與天線的長邊方向正交的剖面圖。 圖2是示意性地表示所述實施形態的電漿處理裝置的整體構成的、沿著天線的長邊方向的剖面圖。 圖3是示意性地表示所述實施形態的電漿處理裝置的窗構件的構成的、沿著天線的長邊方向的剖面圖。 圖4是示意性地表示所述實施形態的電漿處理裝置的窗構件的構成的、從天線側觀察而得的平面圖。 圖5是示意性地表示所述實施形態的電漿處理裝置的天線與狹縫的關係的平面圖。 圖6是示意性地表示將所述實施形態的金屬板冷卻的冷卻機構的構成的平面圖。 圖7是示意性地表示另一實施形態的電漿處理裝置的整體構成的、沿著天線的長邊方向的剖面圖。 圖8是示意性地表示另一實施形態的電漿處理裝置的天線與狹縫的關係的平面圖。 圖9的（a）、（b）是示意性地表示另一實施形態的金屬板的構成的平面圖（a）及正視圖（b）。 圖10是示意性地表示另一實施形態的窗構件的電介質板的構成的、沿著天線的長邊方向的剖面圖。 圖11是示意性地表示另一實施形態的窗構件的電介質板的構成的、沿著天線的長邊方向的剖面圖。 圖12是示意性地表示另一實施形態的窗構件的電介質板的構成的、沿著天線的長邊方向的剖面圖。 圖13是示意性地表示另一實施形態的窗構件的電介質板的構成的沿著天線的長邊方向的剖面圖。 圖14是說明狹縫間長度對高頻磁場的強度帶來的影響的圖表。 圖15是說明狹縫角度對高頻磁場的強度帶來的影響的圖表。 圖16是說明狹縫寬度對高頻磁場的強度帶來的影響的圖表。 圖17是說明金屬板的厚度對高頻磁場的強度帶來的影響的圖表。 圖18是說明施加至天線的高頻電力與電漿發光強度的關係的圖表。 圖19是說明天線的中心軸-金屬板的表面間的距離與電漿發光強度的關係的圖表。
1:處理室
2:真空容器
3:天線
3a:供電端部
3b:終端部
4:高頻電源
7:基板支架
8:偏壓電源
21:容器主體
21a:上壁
22:窗構件
31:導體單元
32:電容器
41:匹配電路
71:加熱器
100:電漿處理裝置
211:開口/開口部
CL:冷卻液
IR:高頻電流
P:電漿
W:被處理物/基板

Claims (19)

  1. 一種電漿處理裝置，使用電漿對配置於處理室中的被處理物進行真空處理，所述電漿處理裝置包括：容器主體，於形成所述處理室的壁具有開口；金屬板，以堵塞所述開口的方式設置，並形成有於厚度方向上貫通的狹縫；電介質板，與所述金屬板接觸而受到支撐，並自所述處理室的外部側堵塞所述狹縫；以及天線，以與所述金屬板相向的方式設置於所述處理室的外部，並與高頻電源連接而產生高頻磁場，所述電漿處理裝置滿足下述(1)式，且滿足下述式(2)，h-D/2>0.7 (1) 15≧h-D/2 (2)此處，h為所述天線的中心軸與所述金屬板中的所述天線側的表面之間的距離(mm)，D為所述天線的直徑(mm)。
  2. 如請求項1所述的電漿處理裝置，其中，自所述厚度方向觀察，所述狹縫以位於所述天線與所述處理室之間的方式形成。
  3. 如請求項1或請求項2所述的電漿處理裝置，其中，所述天線呈直線狀， 多個所述狹縫彼此平行地形成。
  4. 如請求項3所述的電漿處理裝置，其中，於所述金屬板的內部形成有冷卻用流體能夠流通的流路。
  5. 如請求項4所述的電漿處理裝置，其中，所述流路以至少通過彼此相鄰的狹縫之間的方式形成。
  6. 如請求項1或請求項2所述的電漿處理裝置，包括：窗構件，以堵塞所述開口的方式安裝於所述容器主體，並形成使自所述天線產生的高頻磁場透過至所述處理室內的磁場透過窗，所述窗構件具有所述金屬板、所述電介質板、以及保持所述金屬板及所述電介質板的保持框。
  7. 如請求項1或請求項2所述的電漿處理裝置，其中，自所述厚度方向觀察，所述狹縫與所述天線所成的角度為30°以上、90°以下。
  8. 如請求項7所述的電漿處理裝置，其中，所述狹縫與所述天線所成的角度為45°以上、90°以下。
  9. 如請求項1或請求項2所述的電漿處理裝置，其中，所述狹縫的寬度尺寸為所述金屬板的板厚以下。
  10. 如請求項9所述的電漿處理裝置，其中，所述狹縫的寬度尺寸為所述金屬板的板厚的1/2倍以下。
  11. 如請求項3所述的電漿處理裝置，其中，彼此相鄰的狹縫間的所述金屬板的寬度尺寸為15mm以下。
  12. 如請求項11所述的電漿處理裝置，其中，彼此 相鄰的狹縫間的所述金屬板的寬度尺寸為5mm以下。
  13. 如請求項1或請求項2所述的電漿處理裝置，其中，所述電介質板(i)積層有包含無機材料的無機層與包含有機材料的有機層；或(ii)包含在無機纖維中含浸有有機材料的纖維強化材料。
  14. 如請求項13所述的電漿處理裝置，其中，所述電介質板(i)積層有所述無機層與所述有機層，且所述無機層呈板狀，所述有機層呈片狀。
  15. 如請求項13所述的電漿處理裝置，其中，所述電介質板(i)積層有所述無機層與所述有機層，且自所述處理室朝向所述天線依序積層有所述無機層與所述有機層。
  16. 如請求項13所述的電漿處理裝置，其中，所述電介質板(i)積層有所述無機層與所述有機層，且所述無機層與所述有機層彼此接合。
  17. 如請求項13所述的電漿處理裝置，其中，所述電介質板(i)積層有所述無機層與所述有機層，且所述無機材料為選自無鹼玻璃、石英玻璃或陶瓷中的一種，所述有機材料為選自聚四氟乙烯或聚醯亞胺中的一種。
  18. 如請求項13所述的電漿處理裝置，其中，所述 電介質板(ii)包含所述纖維強化材料，且所述無機纖維為玻璃纖維，所述有機材料為聚醯亞胺。
  19. 如請求項13所述的電漿處理裝置，其中，所述電介質板(ii)包含所述纖維強化材料，且積層有包含所述纖維強化材料的纖維強化層與包含無機材料的無機層。
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