TWI739319B - 檢測裝置及微影裝置 - Google Patents

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TWI739319B TW109106057A TW109106057A TWI739319B TW I739319 B TWI739319 B TW I739319B TW 109106057 A TW109106057 A TW 109106057A TW 109106057 A TW109106057 A TW 109106057A TW I739319 B TWI739319 B TW I739319B
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喬漢納 亨利克斯 愛維哈達 愛德剛達 姆德曼
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Abstract

本發明提供一種用於檢測一物件之檢測裝置，該裝置包含：一量測系統，其經組態以量測：- 跨越該物件之一所關注區域之該物件的一第一參數，及- 在該物件上之複數個位置處之該物件的一第二參數，其與該第一參數不同；一載物台裝置，其經組態以在該第一參數之一量測期間相對於該量測系統定位該物件，其中該量測系統經組態以在該第一參數之該量測期間量測該複數個不同位置處之該第二參數，且其中，該載物台裝置經組態以基於該載物台裝置之一順應性特徵而相對於該量測系統定位該物件。

Description

檢測裝置及微影裝置
本發明係關於微影領域，尤其係關於量測如藉由微影裝置執行之曝光製程之製備中的半導體基板之特徵的領域。
微影裝置係一種經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如，光罩)之圖案(常常亦稱為「設計佈局」或「設計」)投影至提供於基板(例如，晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
隨著半導體製造製程持續發展，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地減小，同時每器件的功能元件(諸如電晶體)之量已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為了跟上莫耳定律，半導體行業正追求使得能夠產生愈來愈小特徵的技術。為將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前使用之典型波長為365nm(i線)、248nm、193nm及13.5nm。相比於使用例如具有193nm之波長之輻射的微影裝置，使用具有在4nm至20nm之範圍內之波長(例如6.7nm或13.5nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。
典型地，半導體電路之製造製程需要將複數個不同層準確圖案化至半導體基板上。為確保半導體電路之恰當操作，需要正確地對準層之序列。為實現此，基板可以具備例如被稱作對準標記之複數個標記。此等標記之位置典型地在經圖案化輻射光束的投影之前測定，且用於正確地定位經圖案化輻射光束。
半導體基板之準確圖案化亦需要其上投影經圖案化光束之基板的表面大體上保持在經圖案化輻射光束之焦平面中，以便獲得準確圖案化。為實現此，可在經圖案化輻射光束之投影之前測定基板之高度剖面。該高度剖面隨後可用於在經圖案化輻射光束之投影期間控制基板之位置。
隨著對於更小且更複雜半導體電路之需求不斷增大，對於關於待圖案化之基板之資訊的需求亦不斷增大。特定言之，對測定更多對準標記位置之需求不斷增大，以實現經圖案化輻射光束之更準確投影。
另外，對增大微影裝置之輸送量，亦即每時間單位處理的基板數目的需求不斷增大。
由於對資訊之需求增加，獲得此資訊(例如基板之高度剖面及複數個對準標記之位置)所需的時間趨於增加至裝置之輸送量可能減小而非增大的程度。
本發明之目標為提供一種裝置，其能夠以更加時間高效的方式獲得關於物件(諸如基板)之狀態的所需資訊。
根據本發明之一第一態樣，提供一種用於檢測一物件之檢測裝置，該檢測裝置包含：一量測系統，其經組態以量測： - 跨越該物件之一所關注區域之該物件的一第一參數，及- 在該物件上之複數個位置處之該物件的一第二參數，其與該第一參數不同；一載物台裝置，其經組態以在該第一參數之一量測期間相對於該量測系統定位該物件，其中該量測系統經組態以在該第一參數之該量測期間量測該複數個不同位置處之該第二參數，且其中，該載物台裝置經組態以基於該載物台裝置之一順應性特徵而相對於該量測系統定位該物件。
根據本發明之該檢測裝置能夠執行一物件之一第一參數及一第二參數之一組合量測序列，其中在該第一參數之一量測期間，在考慮定位該物件之該載物台裝置之一順應性特徵同時，相對於該量測系統定位該物件。藉由考慮該順應性特徵，可以更快地執行該量測序列且該量測序列可更準確。
400:檢測裝置
410:物件
410.1:第一所關注點
410.2:第二所關注點
420:量測系統
420.1:輻射源
420.2:偵測器
420.3:輻射源
420.4:偵測器
420.11:第一量測光束
420.21:第一反射量測光束
420.31:第二量測光束
420.41:第二反射量測光束
500:檢測裝置
510:物件
520:量測系統
520.1:第一量測光束
520.2:量測光束
520.3:箭頭
530:載物台裝置
532:物件台/支撐件
534:定位器件
534.1:合作部件
534.2:合作部件
540:載物台位置量測系統
540.1:感測器
540.2:感測器目標
550:參考框架
560:基座框架或平衡塊
570:控制單元
570.1:輸入端
570.2:輸出端
572:輸入信號
574:控制信號
610:物件
610.1:位置
632:物件台
640.1:感測器
680:致動器
ACT:致動器
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
BF:基座框架
BM:平衡塊
C:目標部分
CC:順應性校正
CoG:重心
CU:控制單元
ES:錯誤信號
F:力
FB:回饋控制器
FBC:回饋控制器
FF:前饋控制器
FFC:前饋控制器
FFF:前饋力
IF:位置量測系統
IL:照明系統
IS:隔振系統
LA:微影裝置
M1:光罩對準標記
M2:光罩對準標記
MA:圖案化器件
MF:度量衡框架
MS:方塊
MT:光罩支撐件
P:設備/方塊
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PCS:位置控制系統
PoC:控制點
PM:第一定位器
PMS:位置量測系統
PS:投影系統
PW:第二定位器
SC:位置
SO:輻射源
SP:設定點產生器/輸出信號/感測器信號
SPS:設定點信號
T:力矩
W:基板
WT:基板支撐件
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中：- 圖1描繪微影裝置之示意性綜述；- 圖2描繪圖1之微影裝置的部分之詳細視圖；- 圖3示意性地描繪定位控制系統；- 圖4描繪可應用於根據本發明之檢測裝置中之量測系統；- 圖5描繪根據本發明之檢測裝置；- 圖6描繪可應用於本發明中之物件台之俯視圖； - 圖7描繪可由根據本發明之檢測裝置應用之控制方案。
在本發明之文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有365、248、193、157或126nm之波長)及極紫外輻射(EUV，例如具有在約5至100nm之範圍內之波長)。
如本文中所採用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化器件」可廣泛地解釋為係指可用於向入射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，經圖案化橫截面對應於將在基板的目標部分中產生之圖案。在此上下文中亦可使用術語「光閥」。除經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。微影裝置LA包括：照明系統(亦稱為照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；光罩支撐件(例如光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM；基板支撐件(例如晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板支撐件之第二定位器PW；及投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。
在操作中，照射系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於導引、塑形及/或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之 光學組件或其任何組合。照明器IL可用於調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸漬液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更一般術語「投影系統」PS同義。
微影裝置LA可屬於如下類型，其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋以便填充投影系統PS與基板W之間的空間，此亦稱為浸潤微影。在以引用之方式併入本文中的US6952253中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影裝置LA亦可屬於具有兩個或更多個基板支撐件WT(又名「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可對位於基板支撐件WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板W用於在另一基板W上曝光圖案。此雙載物台微影裝置可例如配備有根據本發明之檢測裝置，其中在曝光製程之準備中，檢測裝置之量測系統經組態以在基板上執行量測製程，該量測製程例如涉及測定基板之高度剖面及測定基板上存在的複數個標記之位置。在此類實施例中，根據本發明之檢測裝置之載物台裝置可因此實施為基板支撐件WT。在一實施例中，如應用於根據本發明之檢測裝置中之定位器件可以與第二定位器PW類似方式實施，例如如下所述。特定言之，應用之定位器件可包含長衝程模組及短衝程模組。
除基板支撐件WT以外，微影裝置LA可包含量測載物台。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔器件。感測器可經配置以量測投影系統PS之特性或輻射光束B之特性。量測載物台可固持多個感測器。清潔器件可經配置以清潔微影裝置之部分，例如投影系統PS之部分或提供浸潤液體之系統之部分。量測載物台可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS下方移動。
在操作中，輻射光束B入射於固持在光罩支撐件MT上之圖案化器件(例如光罩)MA，且藉由存在於圖案化器件MA上之圖案(設計佈局)圖案化。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置量測系統IF，可準確地移動基板支撐器WT，例如以便將不同的目標部分C定位在輻射光束B之路徑中的聚焦及對準位置處。類似地，第一定位器PM及可能的另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用於關於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等基板對準標記P1、P2可位於目標部分之間的空間中。在基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，該等基板對準標記P1、P2稱為切割道對準標記。
為了闡明本發明，使用笛卡爾(Cartesian)座標系。笛卡爾座標系具有三個軸，亦即x軸、y軸及z軸。三個軸中之每一者正交於其他兩個軸。圍繞x軸之旋轉被稱作Rx旋轉。圍繞y軸之旋轉被稱作Ry旋轉。圍繞z軸之旋轉被稱作Rz旋轉。x軸及y軸界定水平平面，而z軸在豎直 方向上。笛卡爾座標系不限制本發明，而僅用於闡明。實際上，另一座標系，諸如圓柱形座標系可用於闡明本發明。笛卡爾座標系之定向可以不同，例如，使得z軸具有沿著水平平面之分量。
圖2展示圖1之微影裝置LA之部分的更詳細視圖。微影裝置LA可具備基座框架BF、平衡塊BM、度量衡框架MF及隔振系統IS。度量衡框架MF支撐投影系統PS。此外，度量衡框架MF可支撐位置量測系統PMS的部分。度量衡框架MF為藉由基座框架BF經振動隔離系統IS支撐。隔振系統經配置以防止或減小自基座框架BF傳播至度量衡框架MF的振動。
第二定位器PW經配置以藉由在基板支撐件WT與平衡塊BM之間提供驅動力來加速基板支撐件WT。驅動力在所要方向上加速基板支撐件WT。由於動量守恆，驅動力亦以相等的大小施加至平衡塊BM上，但是方向與所要方向相反。典型地，平衡塊BM的質量明顯大於第二定位器PW的移動部分及基板支撐件WT的質量。
在一實施例中，第二定位器PW由平衡塊BM支撐。舉例而言，其中第二定位器PW包含使基板支撐件WT懸浮於平衡塊BM上方之平面馬達。在另一實施例中，第二定位器PW由基座框架BF支撐。舉例而言，其中第二定位器PW包含線性馬達且其中第二定位器PW包含使基板支撐件WT懸浮於基座框架BF上方之軸承，如氣體軸承。
位置量測系統PMS可包含任何類型之感測器，該感測器適合於測定基板支撐件WT之位置。位置量測系統PMS可包含任何類型的感測器，該感測器適合於測定光罩支撐件MT之位置。感測器可為光學感測器，諸如干涉儀或編碼器。位置量測系統PMS可包含干涉儀及編碼器的組 合系統。感測器可為另一類型之感測器，諸如磁感測器、電容式感測器或電感感測器。位置量測系統PMS可測定相對於參考，例如度量衡框架MF或投影系統PS的位置。位置量測系統PMS可藉由量測位置或藉由量測位置的時間導數(諸如速度或加速度)來測定基板台WT及/或光罩支撐件MT的位置。
位置量測系統PMS可包含編碼器系統。舉例而言，編碼器系統係自2006年9月7日申請之以引用方式併入的美國專利申請案US2007/0058173A1為吾人所知。編碼器系統包含編碼器頭、光柵及感測器。編碼器系統可接收主輻射光束及次輻射光束。主輻射光束以及次輻射光束兩者源自相同輻射光束，亦即，原始輻射光束。藉由運用光柵來繞射原始輻射光束而產生主輻射光束及次輻射光束中之至少一者。若藉由運用光柵繞射原始輻射光束產生主輻射光束及次輻射光束兩者，則主輻射光束需要具有與次輻射光束相比不同的繞射階。舉例而言，不同繞射階為+1st階、-1st階、+2nd階及-2nd階。編碼器系統將主輻射光束及次輻射光束光學組合成組合輻射光束。編碼器頭中之感測器判定組合輻射光束之相位或相位差。感測器基於該相位或相位差而產生信號。信號表示編碼器頭相對於光柵之位置。編碼器頭及光柵中之一者可經配置於基板結構WT上。編碼器頭及光柵中之另一者可經配置於度量衡框架MF或基座框架BF上。舉例而言，複數個編碼器頭經配置於度量衡框架MF上，而光柵經配置於基板支撐件WT之頂表面上。在另一實例中，光柵經配置於基板支撐件WT之底表面上，且編碼器頭經配置於基板支撐件WT下方。
位置量測系統PMS可包含干涉計系統。干涉儀系統自例如1998年7月13日提交的特此以引用之方式併入之美國專利US6,020,964 中已知。干涉計系統可包含光束分光器、鏡面、參考鏡面及感測器。輻射光束藉由分束器分成參考光束及量測光束。量測光束傳播至鏡面，並由鏡面反射回至光束分光器。參考光束傳播至參考鏡面，並由參考鏡面反射回至光束分光器。在光束分光器處，量測光束及參考光束組合成組合輻射光束。組合輻射光束入射於感測器上。感測器判定組合輻射光束頻率之相位或頻率。感測器基於該相位或頻率而產生信號。信號表示鏡面之位移。在一實施例中，將鏡面連接至基板支撐件WT。可將參考鏡面連接至度量衡框架MF。在一實施例中，藉由額外光學元件替代光束分光器將量測光束及參考光束組合成組合輻射光束。
第一定位器PM可包含長衝程模組及短衝程模組。短衝程模組經配置以在較小移動範圍內以較高準確度相對於長衝程模組來移動光罩支撐件MT。長衝程模組經配置以在較大移動範圍內以相對較低準確度相對於投影系統PS來移動短衝程模組。藉由長衝程模組及短衝程模組之組合，第一定位器PM能夠在較大移動範圍內以較高準確度相對於投影系統PS來移動光罩支撐件MT。類似地，第二定位器PW可包含長衝程模組及短衝程模組。短衝程模組經配置以在較小移動範圍內以較高準確度相對於長衝程模組來移動基板支撐件WT。長衝程模組經配置以在較大移動範圍內以相對較低準確度相對於投影系統PS來移動短衝程模組。藉由長衝程模組及短衝程模組之組合，第二定位器PW能夠在較大移動範圍內以較高準確度相對於投影系統PS來移動基板支撐件WT。
第一定位器PM及第二定位器PW各自具備致動器以分別移動光罩支撐件MT及基板支撐件WT。致動器可為線性致動器以沿單軸(例如y軸)提供驅動力。多個線性致動器可應用於沿多個軸提供驅動力。 致動器可為平坦致動器以沿多個軸提供驅動力。舉例而言，平坦致動器可經配置以6個自由度移動基板支撐件WT。致動器可為包含至少一個線圈及至少一個磁體之電磁致動器。致動器經配置以藉由將電流施加至至少一個線圈而相對於至少一個磁體移動至少一個線圈。致動器可為移動磁體型致動器，其具有分別耦接至基板支撐件WT及光罩支撐件MT之至少一個磁體。致動器可為移動線圈型致動器，其具有分別耦接至基板支撐件WT及光罩支撐件MT的至少一個線圈。致動器可為音圈致動器、磁阻致動器、洛倫茲(Lorentz)致動器或壓電致動器，或者任何其他適合之致動器。
微影裝置LA包含如圖3示意性地描繪之位置控制系統PCS。位置控制系統PCS包含設定點產生器SP、前饋控制器FF及回饋控制器FB。位置控制系統PCS將驅動信號提供至致動器ACT。致動器ACT可為第一定位器PM或第二定位器PW之致動器。致動器ACT驅動設備P，該設備P可包含基板支撐件WT或光罩支撐件MT。設備P之輸出為位置量，諸如位置或速度或加速度。位置量由位置量測系統PMS量測。位置量測系統PMS產生信號，該信號為表示設備P之位置量之位置信號。設定點產生器SP產生信號，該信號為表示設備P之所要位置量之參考信號。舉例而言，參考信號表示基板支撐件WT之所要軌跡。參考信號與位置信號之間的差形成回饋控制器FB的輸入。基於輸入，回饋控制器FB為致動器ACT提供驅動信號的至少一部分。參考信號可形成前饋控制器FF的輸入。基於輸入，前饋控制器FF為致動器ACT提供驅動信號的至少一部分。前饋FF可利用關於設備P之動力特徵之資訊，諸如質量、硬度、共振模式及固有頻率。
如例如藉由如上所述之微影裝置執行之半導體電路的製造 製程需要將複數個不同層準確圖案化至半導體基板上。為確保所形成半導體電路之恰當操作，在曝光製程期間，需要正確地對準層序列且需要將基板之表面定位於所施加輻射光束(例如經圖案化輻射光束)之焦平面中。
為實現此，可使基板經歷量測序列或製程，在此期間測定基板之高度圖，且在此期間測定複數個標記(例如對準標記)之位置。
為滿足對半導體器件中之更小結構之不斷增加的需求，亦不斷增加對於具有關於曝光製程之前關於可用的基板之狀態之更多資訊的需求。因此，在曝光製程之前執行之量測序列的持續時間往往會增大。當此發生時，其可不利地影響微影裝置之輸送量，亦即每時間單位可處理之基板的數目。
本發明提供用於滿足對於更詳細量測序列之不斷增大需求之解決方案，其不會不利地影響微影裝置之輸送量或至少與已知解決方案相比而對輸送量具有較小影響或增大輸送量。
根據本發明，提供一種用於檢測物件之檢測裝置，其包含：量測系統，其經組態以量測：- 跨越物件之所關注區域之物件的第一參數，及- 在物件上之複數個位置處之物件的第二參數，其與第一參數不同；載物台裝置，其經組態以在第一參數之量測期間相對於量測系統定位物件，其中該量測系統經組態以在第一參數之量測期間量測複數個不同位置處之第二參數，且其中，載物台裝置經組態以基於載物台裝置之順應性特徵而相對於量測系統定位物件。
大體而言，如本發明中應用之量測系統可經組態以同時或在組合量測序列期間量測多個參數。藉此，相較於其中依序量測第一參數及第二參數之量測序列，亦即其中在完整第二參數之量測之前執行第一參數之量測的量測序列，可更快執行第一參數及第二參數之量測。在一實施例中，第一參數可例如表示物件之高度剖面，然而第二參數可例如表示物件上之複數個標記的位置。在此類實施例中，量測系統可因此經組態以在物件之高度剖面之量測期間測定物件上之複數個標記的位置。
圖4示意性地展示根據本發明之檢測裝置400之一實施例。圖4示意性地描繪用於檢測物件410之檢測裝置400，該檢測裝置400包含用於量測物件410之不同參數或特徵之量測系統420。在如所展示之實施例中，量測系統經組態以量測物件410之第一參數及物件410之第二參數，第二參數與第一參數不同。在如所展示之實施例中，為量測第一參數，量測系統420包含：輻射源420.1，其經組態以將第一量測光束420.11投影至物件410上；及偵測器420.2，其經組態以接收第一反射量測光束420.21，第一反射量測光束對應於離開物件410之第一量測光束420.11之反射。在如所展示之實施例中，將第一量測光束420.11投影至物件410之第一所關注點410.1上。在本發明之含義中，所關注點係指當執行製程(例如量測製程、或檢測製程、或曝光製程)時，物件上之位置。應注意，此類位置不需要為單個點，但可為物件上之一區域，例如正方形、圓形或狹縫形區域，其由量測光束檢測或經輻射光束曝光。因而，在如所展示之實施例中，輻射源420.1及偵測器420.2經組態以量測第一所關注點410.1處之第一參數。在如所展示之實施例中，為量測第二參數，量測系統420進一步包含：輻射源420.3，其經組態以將第二量測光束420.31投影至物件 410上；及偵測器420.4，其經組態以接收第二反射量測光束420.41，第二反射量測光束對應於離開物件410之第二量測光束420.31之反射。在如所展示之實施例中，將第二量測光束420.31投影至物件410之第二所關注點410.2上。為相對於量測系統420定位物件410，可例如將該物件安裝至檢測裝置400之載物台裝置。根據本發明，如下文將更詳細地解釋，物件之此類定位可考慮載物台裝置之順應性特徵。
可進一步指出，在本發明之一實施例中，量測系統可經組態以同時量測複數個所關注點處之第一參數。在此類實施例中，輻射源420.1及偵測器420.2可經組態以同時將複數個第一量測光束420.11分別投影至複數個所關注點上，並接收複數個第一反射量測光束420.21。在此類實施例中，該複數個所關注點可例如以陣列形式配置，例如一維陣列或二維陣列，因此能夠更密集或詳細測定跨越所關注區域之第一參數。
關於如根據本發明之檢測裝置之一實施例中應用之量測系統400，可進一步提及以下內容。在如圖4中所展示之實施例中，如應用於量測第一參數及第二參數之量測原理利用經組態以接收反射輻射光束之輻射源及偵測器。可指出，亦可應用其他量測原理。在一實施例中，如藉由量測系統400所測定之第一參數包括物件之高度或高度剖面。為量測高度剖面，可應用多種量測原理，包括電容性量測、氣壓量測、反射及/或折射光學量測等等。在一實施例中，如藉由量測系統400所測定之第二參數包括位於物件410上之一或多個標記之位置。測定標記之位置可例如基於反射及/或折射光學量測或基於影像之量測確立。在如所展示之實施例中，第一所關注點與第二所關注點不同。在一實施例中，第一所關注點可與第二所關注點大體上重合。
根據本發明之檢測裝置400可有利地用於根據本發明之微影裝置中。此微影裝置可能例如為雙載物台裝置。此類裝置可例如配備有兩個載物台或基板支撐件，該等載物台或基板支撐件可經組態以在檢測裝置400之量測系統420的操作範圍及微影裝置之投影系統(例如如上所述之投影系統PL)的操作範圍兩者中位移且定位基板。有利地，量測系統420可經組態以測定基板之高度剖面或高度圖作為第一參數。此高度圖可例如藉由相對於量測系統，例如相對於量測光束420.11來位移物件而獲得。藉此，量測光束420.11可掃描基板之表面且可在該掃描期間藉由偵測器420.2收集高度量測資料。在一實施例中，量測系統420經組態以測定基板(大體而言物件)跨越基板之所關注區域之高度剖面或高度圖。在將曝露於輻射光束(例如經圖案化輻射光束)之半導體基板的情況下，測定高度剖面或高度圖之所關注區域應較佳地包括將藉由輻射光束曝光之目標區域。大體而言，根據本發明之檢測裝置可用於執行量測製程或檢測製程，其中在組合量測序列期間而非在兩個參數之連續量測期間評估兩個參數。可指出，亦可平行於基板之曝光製程執行量測製程或檢測製程。特定言之，可基於固持經曝光之基板的物件台之順應性特徵而校正曝光製程期間執行或所需的量測。作為本發明之本申請案之一實例，可在可掃描物件之大體上整個表面期間執行量測製程，以便獲得該物件之大體上整個表面之高度剖面。在此類實施例中，檢測裝置400之量測系統420可進一步經組態以測定存在於基板上之複數個標記或標記物之位置作為第二參數。此類標記物可例如為對準標記物，其可用於測定目標區域在基板上之位置。基於該位置，在曝光製程期間，可實現輻射光束及目標區域的恰當對準。在本發明之一實施例中，其中量測系統經組態以如上所述同時量測複數個所關注點 處之第一參數，該複數個所關注點可例如以陣列形式配置，該陣列在大體上垂直於量測製程期間掃描物件之方向的方向上延伸。
如所提及，如根據本發明之檢測裝置中所使用之量測系統經組態以量測物件之第一參數且經組態以在第一參數之量測期間亦量測第二參數。其中在第一參數之量測期間量測第二參數之此類量測序列亦可被稱作組合量測或組合量測序列。藉由執行此組合量測或組合量測序列，相較於依序(亦即一個接一個)量測第一參數及第二參數，第一參數及第二參數之量測結果可變得更快可獲得。
大體而言，可能出現用於量測第一參數之所需或較佳量測條件可與用於量測第二參數之所需或較佳量測條件不同。另外，(第一或第二參數之)量測之持續時間與量測之所需準確度之間將典型地存在平衡點。大體而言，在所需或所要準確度之限制內，吾人將安排儘可能快地執行量測。
在第一參數之量測期間執行第二參數之量測的情況下，可能需要考慮用於兩個參數之所需量測條件。
在第一參數對應於基板(大體而言物件)之高度圖或高度剖面的情況下，相對於量測系統420以恆定速度或速率位移物件410，進而藉由量測光束掃描該物件之所關注區域可為有利的。為完全掃描物件或物件之所關注區域，可需要複數個此類掃描。為使高度圖之量測之持續時間儘可能較短，掃描物件之恆定速率較佳地經選定為儘可能的高。在本發明之一實施例中，其中量測系統經組態以如上所述同時量測複數個所關注點處之第一參數，該複數個所關注點可例如以陣列形式配置，該陣列在大體上垂直於在量測製程期間掃描物件之方向的方向上延伸。
在第二參數對應於複數個標記在基板上之位置的情況下，可能需要相較於測定高度圖之速度的相對較低速度。可能需要此較低速度以獲得可測定標記之位置之所需準確度。
為適應第一參數及第二參數之組合量測期間的不同量測條件或需求，在組合量測序列期間可能必須改變量測參數或條件。特定言之，在第一參數對應於基板之高度圖或高度剖面且第二參數對應於複數個標記在該基板上之位置的情況下，可為需要或期望在組合量測序列期間控制物件相對於量測系統420之位移，特定言之速率。在此類實施例中，在量測並未含有標記之一或多個所關注點時以相對較高速度掃描物件且在量測的確含有經測定位置之標記的所關注點時以相對較低速度掃描物件可例如為較佳的。為實現此依位置而定速率，根據本發明之檢測裝置可進一步包含用於相對於量測系統位移、移動或定位物件之載物台或載物台裝置。隨後可由載物台裝置或檢測裝置之適合之控制單元來控制物件相對於量測系統之位置或速率。此載物台或載物台裝置可例如包含用於在量測序列期間固持物件之支撐件或物件台。此支撐件或物件台可類似於如上所述之支撐件MT或WT。
下文參考圖5更詳細地闡述本發明之此實施例。
關於在第一參數及第二參數之組合量測期間施加依位置而定速率，可指出在組合量測序列期間將遵循之軌跡期間，固持物件之物件台將典型地加快及減速。然而，本發明人已觀察到，在量測序列期間施加此類加速或減速可能不利地影響第一參數或第二參數之量測準確度。已觀察到，在諸如上文所述的組合量測序列之量測序列期間加速或減速物件台的情況下，該物件台可能因施加於其上之加速或減速力而變形。因此變形 所致，所關注點之位置資訊可為不準確的，因此得到低準確度之量測結果。
在本發明之含義中，例如因施加於其上之力所致的結構(諸如物件台)之變形可被稱作順應性。結構之順應性亦可考慮為結構之機械硬度之倒數。其可例如以nm/N為單位表現，其指示因施加於物件上之力(以N為單位)所致之結構變形(以nm為單位)。以類似方式結構可被視為因施加一或多種力矩所致而變形。在此類情況下，施加類似順應性考慮因素。因施加力矩所致之順應性或變形可例如以nm/Nm為單位表現。應注意，可相對於結構之參考點(例如結構之重心(CoG)或相對於考慮點在結構上之剛性主體位置(例如所關注點)來考慮變形。在此情況下，變形或順應性亦可表示物件上之特定點或位置相對於結構上之考慮點之CoG或剛性主體位置的位移。
在本發明之一實施例中，因此在諸如其中在第一參數之量測期間量測第二參數之組合量測序列之量測序列期間，考慮固持物件之支撐件或物件台的順應性。在此實施例中，檢測裝置可進一步包含用於相對於量測系統位移物件之載物台裝置，其中載物台裝置由控制器或控制單元控制，該控制器或控制單元考慮該載物台，例如該載物台之物件台的順應性。此實施例示意性地展示於圖5中。
圖5示意性地展示根據本發明之檢測裝置500的另一實施例。檢測裝置500包含量測系統520，其經組態以量測物件510(例如半導體基板或晶圓)之第一參數及第二參數。在如所展示之實施例中，量測系統520可經組態以量測物件510之第一參數及該物件之第二參數。第一參數之量測可例如藉由將第一量測光束520.1投影至物件510上，特定言之投影至物件510上之所關注點(PoI)上並接收自所關注點(PoI)反射之反射量 測光束520.2實現。以如上所述之類似方式，量測系統520可經組態以同時量測複數個所關注點處之第一參數。在此類實施例中，量測系統520可包含經組態以同時將複數個第一量測光束520.1分別投影至複數個所關注點上並接收自複數個所關注點反射之複數個反射量測光束520.2之輻射源及偵測器。在此類實施例中，該複數個所關注點可例如以陣列形式配置，例如一維陣列或二維陣列，因此能夠更密集或詳細測定跨越所關注區域之第一參數。
第二參數之量測可例如藉由捕獲物件510，特定言之物件510上之所關注點(PoI)之影像來實現。藉由箭頭520.3示意性地說明影像之捕獲。
應注意，如上文所提及，在量測第一參數時之所關注點可與在量測第二參數時之所關注點不同。在本發明之一實施例中，第一參數之所關注點與第二參數之所關注點大體上重合。
檢測裝置進一步包含載物台裝置530，其經組態以相對於量測系統520位移物件510。為此，載物台裝置530包含經組態以支撐物件510之物件台或支撐件532。載物台裝置530進一步包含用於定位該物件台或支撐件532之定位器件534。此定位器件534可例如以與如上所述之第二定位器PW類似的方式實施。此定位器件534可例如包含長衝程模組及短衝程模組。短衝程模組經配置以在較小移動範圍內以較高準確度相對於長衝程模組來移動固持物件510之物件台532。應注意，短衝程模組未展示於圖5中。長衝程模組經配置以在較大移動範圍內以相對較低準確度相對於量測系統520來移動短衝程模組連同物件台532。在圖5中，附圖標記534.1及534.2可例如係指長衝程模組之合作部件。附圖標記534.1可例如係指經組態以與線圈陣列534.2合作以便在相對較大距離內位移物 件台532之磁體或磁體陣列。在如所展示之實施例中，將線圈陣列534.2(例如一維或二維陣列)安裝至基座框架或平衡塊560。替代地，附圖標記534.2可例如係指磁體或磁體陣列，而附圖標記534.1可例如係指與磁體陣列534.2合作之線圈陣列。後一配置可例如被稱作移動線圈配置，而前一配置可被稱為移動磁體配置。藉由長衝程模組及短衝程模組之組合，定位器件534能夠在較大移動範圍內以較高準確度相對於量測系統520移動物件台532。
定位器件可經組態以在物件台532上之不同位置處施加力。該等力之組合可表現或呈現為作用於物件台之重心(CoG)上之所得力F及所得力矩T之組合。
在如所展示之實施例中，載物台裝置530進一步包含經組態以量測物件台532相對於參考框架550之位置的載物台位置量測系統540。在如所展示之實施例中，載物台位置量測系統540包含複數個感測器540.1，該等感測器540.1經安裝至物件台532且經組態以與安裝至參考框架550之一或多個感測器目標540.2合作。在一實施例中，載物台位置量測系統540可包含基於編碼器之量測系統。在此類實施例中，一或多個感測器目標540.2可包含一維或二維光柵且感測器540.1可經組態以與該等光柵合作，以在一或多個自由度(DOF)中相對於參考框架測定物件台532之位置。在一實施例中，載物台位置量測系統540可經組態以以六個自由度(6 DOF)或甚至更大自由度測定物件台532之位置或變形。應注意，在如所展示之實施例中，亦將量測系統520安裝至參考框架550。因而，載物台位置量測系統540亦可視為量測物件台532相對於量測系統520之位置。根據本發明，物件台532上之測定物件台532之位置之一或多個位置 被稱為一或多個控制點(PoC)。在如圖5中所展示之實施例中，控制點(PoC)將因此對應於載物台位置量測系統540之感測器540.1的位置。大體而言，所提到之控制點可為物件台532上之任何位置。在一實施例中，可使用變換矩陣將如藉由感測器540.1所量測之位置變換至吾人希望控制之物件上之位置。此位置可例如為物件台532應定位之既定點，以執行量測。
檢測裝置500進一步包含控制單元570，其經組態以控制定位器件，進而控制物件510相對於量測系統之位置。控制單元570可例如實施為微控制器、FPGA、計算機或其類似物。在如所展示之實施例中，控制單元570包含經組態以接收一或多個輸入信號572之輸入端570.1，該控制單元可使用該一或多個輸入信號572來控制定位器件530之位置。控制單元570進一步包含輸出端570.2，其經組態以提供一或多個控制信號574，例如用於控制定位器件。在一實施例中，控制單元570可例如在輸入端570.1處接收以下輸入信號572：
- 第一輸入信號，其表示後接物件台532之位置設定點或軌跡。
- 第二輸入信號，其表示物件台532之量測位置，例如自載物台位置量測系統540，特定言之載物台位置量測系統540之感測器540.1獲得之量測信號。
基於該等輸入信號572，控制單元570可例如經組態以產生控制信號以控制如由定位器件534產生之一或多個力，以根據位置設定點或軌跡位移物件台532。
如由控制安裝至物件台之物件的位置之控制單元應用的典型控制迴路可例如包含：回饋迴路，其中控制信號係基於物件台之量測位置與設定點之間的差而產生；及前饋迴路，其中控制信號係基於位置設定點或軌跡， 特定言之獲得位置設定點或軌跡所需的加速度/減速度而產生。
如熟習此項技術者將理解，此典型控制迴路依賴於載物台位置量測系統540之一或多個信號可用於準確測定所關注點PoI之位置(亦即量測第一參數及第二參數之物件上之點或位置)的假定。此假定物件台532用作或表現為剛性主體。換種說法，在剛性主體行為的情況下，可基於載物台位置量測系統之量測信號及量測參數而準確地測定所關注點之位置(亦即經檢測/量測/經曝光之物件510上之位置)，例如第一及第二參數可歸因於物件上之正確位置。然而，在物件台532將在量測製程期間變形的情況下，感測器之位置(PoC)與所關注點PoI之間的定位關係將相較於未變形情況而不同。因此，第一及第二參數之量測結果將不再歸因於物件上之正確位置。作為一實例，物件之高度圖或剖面將不再使量測高度與該物件上之正確位置相關聯。
為降低或減輕此影響，在一實施例中，本發明提供一種檢測裝置，其具有用於控制該裝置之定位器件的控制單元，其中該控制單元經組態以基於固持物件之物件台的順應性來控制定位器件。如上文所提及，結構或物件台之順應性係指因將一或多個力及力矩施加於結構上所致之結構的變形。
當將某種力施加至結構時，結構之變形或順應性可例如以nm/N為單位表現且大體指示結構上之兩個點之間的以nm為單位之變形，順應性可被視為結構之機械硬度的倒數。結構之順應性可例如衍生自結構之有限元件模型。藉助於有限元件模型化或類似技術，吾人可因此測定或估算諸如物件台之結構的順應性。在物件(諸如基板)經夾持於物件台之情況下，可例如假定該物件連同該物件台變形。在此情況下，吾人可因此測 定隨至物件台之一或多種施加力或力變化而變化之物件台之物件510上之所關注點的順應性。類似地，吾人亦可測定隨至物件台之一或多種施加力變化而變化之物件台之控制點的順應性。物件台之順應性亦可表示為物件台上之點(例如所關注點或控制點)相對於參考點(例如施加力的物件台上之位置、或物件台之重心、或考慮點之剛性主體位置)之變形或位移。
亦可提及，大體而言物件台或大體而言結構之順應性亦將取決於施加力之位置及方向。另外，順應性將大體而言亦取決於所關注點之位置。就此而言，可注意到所關注點，亦即實際上執行量測之物件上的位置將在量測序列期間位移。因此，所關注點與施加力的位置之間的距離亦將改變，且據此亦將改變順應性。此例如說明於圖6中。
圖6示意性地展示經組態以固持物件610，例如半導體基板之物件台632的俯視圖。在如所展示之實施例中，該物件台具備4個致動器680，該等致動器680經組態以沿如由箭頭指示之方向在物件台632上施加力。物件台632進一步包含4個位置感測器640.1，該等位置感測器640.1經組態以量測物件台632相對於量測系統(未展示)之位置，該量測系統經組態以量測物件610在位置610.1(亦被稱作物件610之所關注點PoI)處之參數或特徵。當將力施加於物件台632上時，因物件台之順應性所致，該物件台將變形，導致感測器640.1相對於其標稱或未變形位置而位移。以類似方式，由於變形，所關注點位置610.1將改變。大體而言，特定位置(例如感測器之位置或所關注點之位置)之變形或位移將視該位置與施加力之位置之間的距離而定。當力施加位置與感測器或所關注點之位置之間的距離較小時，變形亦將較小。在如所展示之實施例中，感測器640.1與力施加位置，亦即致動器680之位置之間的距離大體上固定。在如所展示 之實施例中，因此可獨立於物件台632之位置來考慮由4個致動器施加之力對於特定感測器之位移之影響。然而，對於所關注點610.1，力之影響將視物件台632之位置而定，此係由於此位置判定所關注點距不同力施加位置多近或多遠。就此而言，可指出，在量測系統經組態以同時在複數個所關注點處執行量測之情況下，力或力矩對於不同所關注點之影響將不同。
在一實施例中，根據本發明之檢測裝置包含用於相對於量測系統位移物件之載物台裝置，該載物台裝置包含經組態以應用考慮該載物台裝置之順應性的控制方案之控制單元。圖7示意性地展示用於控制根據本發明之檢測裝置的載物台裝置之此控制方案。控制方案示意性地展示控制單元CU可應用於本發明中。在如所展示之配置中，控制單元CU包含前饋控制器FFC及回饋控制器FBC。在如所展示之實施例中，控制單元CU經組態以接收設定點信號SPS作為輸入，該設定點信號SPS表示將由物件上之所關注點遵循之軌跡。在如所展示之實施例中，前饋控制器FFC經組態以基於設定點信號SPS來測定將藉由載物台裝置之定位器件產生的前饋力。在本發明之一實施例中，前饋控制器經組態以產生前饋力，該前饋控制器考慮載物台裝置之順應性，例如固持遵循所關注點之軌跡之物件的物件台之順應性。作為此前饋控制器之一實例，可提及貼齊前饋控制器。此控制器例如已知於以引用之方式併入本文中之WO2015/185301。基於設定點信號，前饋控制器可經組態以如下產生所需前饋力FFF：FFF=FF1+FF2，FF1=m * s^2 * SPS，FF2=-m2 * s^4 *SPS * cpoi. (1)
其中：m=待驅動之質量； s=拉普拉斯轉化(Laplace transformation)之複雜論點；s^2 * SPS因此表示自該設定點信號推導出之所需加速，且s^4 *SPS因此表示自設定點信號推導出之所需貼齊值
cpoi=所關注點之順應性。
等式(1)可一般化為矩陣方程式，其中FFF表示前饋
向量，其表示所需前饋力且SPS表示設定點向量。在此情況下，FFF可如下測定：FFF=FF1+FF2，FF1=M * s^2 * SPS，FF2=-M*Cpoi*M*s^4*SPS (2)
其中：M=待驅動之質量矩陣；s=拉普拉斯轉化之複雜論點；s^2 * SPS因此表示自設定點信號推導出之所需加速且s4*SPS因此表示自設定點信號推導出之所需貼齊值
Cpoi=所關注點之順應性矩陣。
藉由考慮順應性，預期出現所關注點之更準確定位，亦即預期所關注點之實際位置更佳遵循由SPS描述之所要軌跡。在展示於圖7中之控制方案中，方塊P表示根據本發明之檢測裝置之實際載物台裝置。方塊P可因此視為將所施加力轉換至載物台裝置，亦即施加至載物台裝置之物件台之力轉換至載物台裝置之位置，如例如藉由該載物台裝置之載物台位置量測系統量測。方塊P之輸出信號SP可因此表示如藉由載物台位置量測系統產生之輸出信號，例如安裝至物件台之一或多個感測器的輸出信號。
典型地，載物台位置量測系統之輸出信號用作對於檢測裝置之載物台裝置的控制系統或控制單元之回饋。在載物台裝置(特定言之物件台)可被視為表現為剛性主體之情況下，可容易地應用載物台位置量測系統之感測器信號SP以推導出所關注點之位置。在圖7展示之控制方案中，方塊MS表示將載物台位置量測系統之感測器信號SP轉化為所關注點之位置。
由於載物台裝置之物件台的順應性，一或多個感測器信號SP無法輕易地轉化為所關注點之位置。在本發明之一實施例中，在測定所關注點之位置，亦即根據本發明之檢測裝置的量測系統量測經檢測物件之參數的位置中進一步考慮物件台之順應性。在如所展示之實施例中，藉由方塊MS將如自載物台位置量測系統獲得之感測器信號SP轉化為所關注點之位置SC。然而，由於所關注點及控制點兩者之順應性，位置SC無法準確地表現所關注點之實際位置。在如所展示之實施例中，基於所測定之前饋力FFF，所關注點及控制點兩者之順應性之影響經測定為順應性校正CC。藉此，更準確的所關注點位置，亦即獲得所關注點及控制點兩者之順應性的校正並應用為對於回饋控制器FBC之回饋。更具體言之，在如所展示之實施例中，回饋控制器FBC接收錯誤信號ES，該錯誤信號ES表示點所關注之所要位置與所關注點之量測或測定位置之間的差。
如由回饋控制器FBC應用之錯誤信號ES可因此表示為：ES=SPS-MS * SP+(Cpoc-Cpoi)*FFF，或ES=SPS-SC+(Cpoc-Cpoi)*FFF (3)
在等式(3)中，SC-(Cpoc-Cpoi)*FFF可因此考慮所關注點之位置，對於控制點及所關注點兩者之順應性的校正。所關注點之此順 應性校正的位置可因此用作檢測裝置之量測系統實際上量測第一參數及/或第二參數之實際位置。就此而言，可指出，在量測系統經組態以同時在複數個所關注點處執行量測之情況下，需要測定經量測之複數個所關注點中之每一者的順應性經校正位置。
如例如圖7中所展示，所提出控制方案因此使得檢測裝置能夠在量測序列期間準確量測跨越所關注區域之物件的參數或特徵，即使在該物件經歷加速度或減速度時。此已藉由本發明人藉助於模擬證實。
特定言之，模擬半導體基板之量測序列，由此得到基板之高度圖及待測定之基板上之複數個標記的位置。在模擬中，以相對較高速度執行高度圖之量測，然而以較低速度執行標記之位置量測。當標記之位置量測待執行時，固持基板之物件台因此交替地經歷減速及加速度力。模擬結果之處理，特定言之考慮如上所述之順應性之所關注點位置之處理產生高度圖，其大體上對應於如在物件台未經歷加速或減速力時產生之高度圖。
本發明因此實現在組合量測序列期間測定物件之兩個參數之快速且可靠的方式。
有利地，參數可例如為半導體基板之高度圖作為第一參數，且基板上之複數個標記之位置作為第二參數。然而，可指出亦可考慮其他參數組合。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中的微影裝置之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。
儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中之本 發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置之部分。此等裝置可一般被稱為微影工具。此類微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可具體參考在光學微影之上下文中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明在上下文允許之情況下不限於光學微影且可用於其他應用(例如壓印微影)中。
在內容背景允許之情況下，可在硬體、韌體、軟體或其任何組合中實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如，計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此類描述僅出於方便起見，且此等動作實際上由計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等所引起，且在執行此操作時可造成致動器或其他器件與實體世界相互作用之其他器件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所陳述之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
CC:順應性校正
CU:控制單元
ES:錯誤信號
FBC:回饋控制器
FFC:前饋控制器
FFF:前饋力
MS:方塊
P:設備/方塊
SC:位置
SP:設定點產生器/輸出信號/感測器信號
SPS:設定點信號

Claims (20)

  1. 一種用於檢測一物件之檢測裝置，其包含： 一量測系統，其經組態以量測： 跨越該物件之一所關注區域之該物件的一第一參數，及 在該物件上之複數個位置處之該物件的一第二參數，其與該第一參數不同； 一載物台裝置，其經組態以在該第一參數之一量測期間相對於該量測系統定位該物件，其中 該量測系統經組態以在該第一參數之該量測期間量測該複數個不同位置處之該第二參數，且其中， 該載物台裝置經組態以基於該載物台裝置之一順應性特徵而相對於該量測系統定位該物件。
  2. 如請求項1之檢測裝置，其中該載物台裝置包含： 一物件台，其經組態以固持該物件； 一載物台位置量測系統，其經組態以產生表示該物件台之一位置的一載物台位置信號； 一定位器件，其經組態以對該物件台施加一力以相對於該量測系統位移該物件台，及 一控制系統，其經組態以基於該載物台位置信號來控制該定位器件，該控制系統進一步經組態以基於該物件台之一順應性特徵來控制該定位器件。
  3. 如請求項1或2之檢測裝置，其中該物件包含一基板。
  4. 如請求項3之檢測裝置，其中該所關注區域包括將在一曝光製程期間藉由一輻射光束曝光之複數個目標區域。
  5. 如請求項3之檢測裝置，其中該基板包含分別安置於該複數個位置處之複數個標記。
  6. 如請求項5之檢測裝置，其中該物件之該第一參數包含該所關注區域之一高度剖面，且其中該第二參數包含該複數個標記之一位置。
  7. 如請求項6之檢測裝置，其中該控制系統經組態以接收表示該物件相對於該量測系統之一軌跡的一設定點信號。
  8. 如請求項7之檢測裝置，其中該軌跡表示該物件相對於該量測系統之一量測位置的一所要位置。
  9. 如請求項8之檢測裝置，其中該控制系統經組態以產生表示用於該定位器件之一所需力的一力信號，該力信號係基於該設定點信號及該物件台之一順應性特徵。
  10. 如請求項9之檢測裝置，其中該載物台位置量測系統包含一或多個感測器，該一或多個感測器經組態以與一或多個感測器目標合作以產生該載物台位置信號。
  11. 如請求項10之檢測裝置，其中該量測系統經組態以量測該物件之一第一所關注點處之該第一參數且經組態以量測該物件之一第二所關注點處之該第二參數。
  12. 如請求項11之檢測裝置，其中該第一所關注點及該第二所關注點大體上重合。
  13. 如請求項10之檢測裝置，其中該量測系統經組態以同時量測該物件之複數個所關注點處之該第一參數且經組態以量測該物件之一第二所關注點處之該第二參數。
  14. 如請求項13之檢測裝置，其中該第二所關注點及該複數個所關注點中之一者大體上重合。
  15. 如請求項13之檢測裝置，其中該複數個所關注點以在一第一方向上延伸之一陣列形式配置，該量測系統經組態以藉由一第二方向掃描該所關注區域來量測該物件之該第一參數，該第二方向大體上垂直於該第一方向。
  16. 如請求項11之檢測裝置，其中將該一或多個感測器安裝至該載物台，且其中該順應性特徵表示該一或多個感測器相對於一參考之一變形及/或位移。
  17. 如請求項16之檢測裝置，其中該順應性特徵進一步表示一所關注點相對於一參考之一變形及/或位移。
  18. 如請求項17之檢測裝置，其中該順應性特徵表示因施加於該物件台上之該力所致之一變形。
  19. 一種微影裝置，其包含如請求項1至18中任一項之一檢測裝置。
  20. 如請求項19之微影裝置，其中該物件之該第一參數包含該所關注區域之一高度剖面，且其中該第二參數包含複數個標記之一位置。
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