TWI738762B - 具有對準間隔物之光電模組及其組裝方法 - Google Patents

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馬休斯 葛洛爾
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Abstract

諸如近接感測器、二維及三維相機、經結構化或經編碼光發射器及投射器等光電模組包含光學總成及光敏或發光之主動光電組件。該等光學總成經由對準間隔物及黏合劑對準至該等主動光電組件。該等對準間隔物包含可操作以限制黏合劑之橫向遷移之表面,藉此防止該等主動光電組件被黏合劑污染。在某些例項中,可在不損害該黏合劑之完整性之情況下維持小的光電模組佔據面積。

Description

具有對準間隔物之光電模組及其組裝方法
一光電模組可包含一光學總成、安裝至一基板之一主動光電組件及安置於光學總成與主動光電組件之間的一間隔物。一光學總成可包含光學元件,諸如折射或繞射光學元件、一微透鏡陣列、一光圈及一或多個光譜濾光器。光學總成可進一步包含經構形以裝納光學元件之間隔物或筒。一主動光電組件可係一發光主動光電組件(例如,一雷射二極體、一發光二極體或其每一者之一陣列)或一光敏主動光電組件(例如,一光電二極體、基於影像感測器之互補式金屬氧化物半導體(CMOS)或電荷耦合裝置(CCD))。在某些例項中,一光電模組可含有發光主動光電組件及光敏主動光電組件兩者,其中每一主動光電組件可與一對應光學總成對準。光學總成至主動光電組件之精確對準對最佳模組效能而言可係必要的。 舉例而言,一光電模組(諸如一相機)可包含特徵在於一特定焦距之一光學總成及諸如一影像感測器之一光敏主動光電組件。在此等例項中,光學總成焦距必須與影像感測器對準。 可經由一主動對準程序來實現對準。在某些例項中,主動對準程序涉及將一光學總成固定至一間隔物(例如,藉由黏合劑),而在某些例項中,間隔物可被包含在光學總成中(例如,整合至或形成至光學總成中)。然後,將過量黏合劑沈積至基板上,藉此形成一接合線,且經由間隔物使光學總成與主動光電組件大致對準使得經由所沈積(未固化)黏合劑將間隔物大致固定至基板。在其中光電模組包含一影像感測器之某些例項中,(舉例而言)可經由一光學總成將自一測試目標反射之光大致引導至光敏光電組件上。可然後由光電組件收集對準資料(諸如自測試目標反射之光之強度)。可然後使用對準資料來精細化光學總成相對於主動光電組件之位置,此乃因先前所沈積黏合劑係處於一未固化狀態中。在此等例項中,由於光學總成係固定或整合至間隔物,因此可調整間隔物位置(例如,橫向地、垂直地或其兩者)直至光學總成與主動光電組件精確地對準為止。然後至少部分地固化黏合劑(例如,沿著接合線),藉此使光學總成與主動光電組件相對於彼此固定於適當位置中。由於在基板與間隔物之間沈積過量黏合劑,因此可在不曝露無黏合劑間隙或沿著間隔物與基板之間的接合線損害機械完整性之情況之下實現對間隔物基板位置之調整(例如,橫向地及/或垂直地)。 此外,充足黏合劑可用於維持基板與間隔物之間的一不透光密封使得分散光(或串擾)無法穿過接合線。否則分散光可照射於一光敏主動光電組件上,或被自一發光主動光電組件發出從而潛在地導致人眼安全問題。 前述主動對準程序亦可適用於包含發光主動光電組件之光電模組。在此等例項中,主動光電組件可經由光學總成引導光,而非主動光電組件收集對準資料。然後一外部成像裝置可收集對準資料。如先前段落中所闡述繼續進行程序直至達成光學總成與主動光電組件之間的精確對準為止。 如上文所闡述,主動對準程序需要增加光電模組佔據面積(亦即,橫向尺寸)以容納自間隔物與基板之間的間隔排出之過量黏合劑。降低佔據面積之試圖可導致黏合劑遷移至主動光電組件上,藉此破壞該主動光電組件。此外,降低沿著接合線之黏合劑之量之試圖可導致:1)基板與間隔物之間的無黏合劑間隙、2)基板與間隔物之間的不充分地不透光之區域及3)基板與間隔物之間的具有不良機械性質之區域(例如,其中基板與間隔物可脫層之區域)。
本發明闡述具有一或多個對準間隔物之光電模組。該一或多個對準間隔物包含可操作以限制黏合劑至主動光電組件上之橫向遷移之特徵。在某些例項中,對準間隔物可准許一小接合線及藉此一小模組佔據面積。在某些例項中,對準間隔物可連同黏合劑一起提供優越機械穩定性。此外,在某些例項中,一或多個對準間隔物可提供一不透光密封。 舉例而言,在一項態樣中,一光電模組包含固定至一對準間隔物之一第一延伸部之一光學總成。該光學總成利用一光學總成黏合劑固定至該第一延伸部。該光電模組進一步包含固定至該對準間隔物之一第二延伸部之一基板。該基板利用一基板黏合劑固定至該第二延伸部。該光電模組進一步包含安裝至該基板且實質上與該光學總成對準之一主動光電組件。該第一延伸部及該第二延伸部定位於該對準間隔物之橫向相對側上。該對準間隔物之該第二延伸部包含可操作以限制該基板黏合劑之橫向遷移之一表面。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含一對準間隔物,該對準間隔物具有定位於該對準間隔物之橫向相對側上之第一延伸部及第二延伸部,其中該第二延伸部包含一或多個具倒角表面。該一或多個具倒角表面劃界出可操作以限制一基板黏合劑之該橫向遷移之一表面。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含一對準間隔物,該對準間隔物具有定位於該對準間隔物之橫向相對側上之第一延伸部及第二延伸部,其中該第二延伸部包含具有一凹槽之一或多個具倒角表面。該一或多個具倒角表面劃界出可操作以限制一基板黏合劑之該橫向遷移之一表面。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含一對準間隔物,該對準間隔物具有定位於該對準間隔物之橫向相對側上之第一延伸部及第二延伸部,其中該第二延伸部包含一或多個凹槽。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含一基板,其中該基板包含一或多個對準延伸部。該一或多個對準延伸部可操作以與該一或多個凹槽整合。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含一基板,其中該基板包含一或多個承窩。該等承窩經構形使得一或多個第二延伸部可整合於該一或多個承窩內。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含一光學總成。該光學總成包含一或多個光學元件。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含特徵在於一焦距之一光學總成。該光學總成與一主動光電組件之間的一距離實質上等於該焦距。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含一光學總成。該光學總成包含一或多個光學元件。該一或多個光學元件係一微透鏡陣列、一折射光學元件及/或一繞射光學元件。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含一主動光電組件。該主動光電組件係可操作以產生一波長或波長範圍之電磁輻射之一發光二極體、一雷射二極體及/或發光二極體及/或雷射二極體之一陣列。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含光學總成。該光學總成進一步包含一光譜濾光器。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含一主動光電組件。該主動光電組件係可操作以產生一波長或波長範圍之電磁輻射之一發光二極體、一雷射二極體及/或發光二極體及/或雷射二極體之一陣列。該光電模組進一步包含光學總成黏合劑及基板黏合劑。基板黏合劑及光學總成黏合劑實質上對由該主動光電組件產生之該波長或波長範圍之電磁輻射不透明。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含一主動光電組件。該主動光電組件係一或多個光敏像素。該一或多個光敏像素對一波長或波長範圍之電磁輻射敏感。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含一主動光電組件。該主動光電組件係一或多個光敏像素。該一或多個光敏像素對一波長或波長範圍之電磁輻射敏感。該光電模組進一步包含光學總成黏合劑及基板黏合劑。該基板黏合劑及該光學總成黏合劑實質上對該主動光電組件所敏感的該波長或波長範圍之電磁輻射不透明。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含補充黏合劑。該補充黏合劑實質上對由一主動光電組件產生之該波長或波長範圍之電磁輻射不透明。該補充黏合劑至少部分地與該基板、基板黏合劑、對準間隔物、光學總成黏合劑及/或光學總成接觸,藉此形成橫向地環繞該主動光電組件之一不透光屏障。 在另一態樣中,(舉例而言)一光電模組包含補充黏合劑。該補充黏合劑實質上對一主動光電組件所敏感的該波長或波長範圍之電磁輻射不透明。該補充黏合劑至少部分地與該基板、基板黏合劑、對準間隔物、光學總成黏合劑及/或光學總成接觸,藉此形成橫向地環繞該主動光電組件之一不透光屏障。 本發明亦闡述用於製造具有一或多個對準間隔物之光電模組之方法。該方法包含將未固化基板黏合劑沈積至一基板上及將一光學總成及對準間隔物安裝至該基板上。該方法進一步包含以下步驟:經由該對準間隔物調整該光學總成相對於該主動光電組件之位置;及將電磁輻射引導至該未固化基板黏合劑,使得該未固化基板黏合劑至少部分地固化。 在另一態樣中,(舉例而言)一方法包含以下步驟:將未固化補充黏合劑沈積至該基板、基板黏合劑、對準間隔物、光學總成黏合劑及/或光學總成之至少一部分上。該方法進一步包含以下步驟:將電磁輻射引導至該未固化補充黏合劑,使得該未固化補充黏合劑至少部分地固化,藉此形成橫向地環繞該主動光電組件之一不透光屏障。 在另一態樣中,(舉例而言)一方法包含啟動該主動光電組件,及經由該光學總成將電磁輻射引導至該主動光電組件。該方法進一步包含以下步驟:利用該主動光電組件收集對準資料,及經由該對準間隔物調整該光學總成相對於該主動光電組件之位置。藉由由該主動光電組件收集之該對準資料判定該位置。 在另一態樣中,(舉例而言)一方法包含啟動該主動光電組件,及經由該光學總成自該主動光電組件引導電磁輻射。該方法進一步包含以下步驟:利用一外部成像裝置收集對準資料,及經由該對準間隔物調整該光學總成相對於該主動光電組件之該位置。該位置係藉由該成像裝置所收集之該對準資料而判定。 依據以下詳細說明、隨附圖式及申請專利範圍將明瞭其他態樣、特性及優點。
如圖1A中所展示,一光電模組100包含一光學總成103、一對準間隔物105、一基板107及安裝至基板107之一主動光電組件109。光電模組100可係可操作以收集光、發射光或兩者之任何模組。舉例而言,光電模組100可係一近接感測器、二維相機、三維相機、時差測距相機、圖案或經編碼光投射器或一影像投射器。 如上文所提及,光學總成103可包含光學元件110,諸如折射或繞射光學元件、一微透鏡陣列或前述之任何組合。光學元件110可由光學樹脂或玻璃構成且共同地特徵可在於一焦距F或對於主動對準程序必要有用之其他光學參數。光學總成103可進一步包含一或多個光圈(例如,由黑鉻構成)及光譜濾光器(例如,由聚酯、樹脂或介電質材料構成)。且可進一步包含經構形以裝納光學元件110之間隔物或筒。間隔物或筒可藉由射出成型製造或甚至可由已具有通孔(例如,分別填充有光學折射材料)併入至其中之不透明基板(例如,印刷電路板)形成。 在某些例項中,對準間隔物105係不透明且可藉由射出成型製造。對準間隔物105包含一第一延伸部111。在某些例項中,光學總成103可藉由一光學總成黏合劑113固定至第一延伸部111。光學總成黏合劑113可藉由電磁輻射(例如,紫外線或紅外線光)至少部分地固化。在其他例項中,對準間隔物105可與光學總成103成一體(例如,製造於一起),其中第一延伸部111以及(據推斷)對準間隔物105將歸入至光學總成103中。舉例而言,光學總成103可包含經構形以裝納光學元件110且亦包含形成對準間隔物105之一連續延伸部之一筒。在此等例項中,對準間隔物105可視為光學總成103之一部分。 對準間隔物105進一步包含一第二延伸部115。第一延伸部111及第二延伸部115可定位於對準間隔物105之橫向相對側上。基板107可藉由一基板黏合劑117固定至第二延伸部115。基板107可係一印刷電路板(舉例而言)或主動光電組件109可適當地安裝至其上之其他材料(諸如一引線框架)。主動光電組件109可係一發光主動光電組件(例如,一雷射二極體、一發光二極體或其每一者之一陣列)或一光敏主動光電組件(例如,一光電二極體、基於影像感測器之互補式金屬氧化物半導體(CMOS)或電荷耦合裝置(CCD))。因此,主動光電組件可係可操作的以發射一特定波長或波長範圍之電磁輻射118 (亦即,光)或對一特定波長或波長範圍之電磁輻射118敏感。 如上文所闡述,由於光學總成103固定至對準間隔物105,因此對準間隔物105可用於主動地將光學總成103對準至主動光電組件109且可藉由基板黏合劑117固定於適當位置中。第二延伸部115包含可操作以限制基板黏合劑117之橫向遷移之一表面119。藉由限制基板黏合劑117之橫向遷移,表面119可防止將過量基板黏合劑117遷移至主動光電組件109上,藉此准許一較小光電模組佔據面積。此外,基板黏合劑117可展現較佳機械穩定性,且在基板107與對準間隔物105之間提供一不透光無間隙接合線,如下文更詳細地論述。 圖1A至圖1C繪示具有不同基板107及不同主動光電組件109之實例性光電模組100。圖1A繪示安裝至一基板107 (此處繪示為一印刷電路板)之一光敏主動光電組件109 (此處繪示為一CMOS或CCD影像感測器)。光學總成103之特徵在於一焦距F且係經由間隔物105及基板黏合劑117對準至主動光電組件109使得光學總成103與主動光電組件109之間的距離實質上等於焦距F。在此等例項中,光118可藉由光學總成103聚焦至主動光電組件109上。 圖1B繪示安裝至一基板107 (此處繪示為一印刷電路板)之一發光主動光電組件109 (此處繪示為一發光二極體、雷射二極體或二極體之一陣列)。在此處,光學總成103之特徵在於一焦距F且係經由間隔物105及基板黏合劑117對準至主動光電組件109使得光學總成103與主動光電組件109之間的距離實質上等於焦距F。在此等例項中,由主動光電組件109發射之光118可(舉例而言)藉由光學總成103聚焦、透射或放大。圖1B亦繪示補充黏合劑120。補充黏合劑120可對光118不透明。此外,補充黏合劑120可與光電模組100之至少一部分接觸(亦即,補充黏合劑120可至少部分地與基板107、基板黏合劑117、對準間隔物105、光學總成黏合劑113及/或光學總成103接觸),藉此形成橫向地環繞主動光電組件109之一不透光屏障。 圖1C繪示安裝至一基板107 (此處繪示為一引線框架)之一發光主動光電組件109 (此處繪示為一發光二極體、雷射二極體或二極體之一陣列)。再次,光學總成103之特徵在於一焦距F且係經由間隔物105及基板黏合劑117對準至主動光電組件109使得光學總成103與主動光電組件109之間的距離實質上等於焦距F。在此等例項中,由主動光電組件109發射之光118可(舉例而言)藉由光學總成103聚焦、透射或放大。 圖2A至圖2C繪示圖1A至圖1C中所繪示之光電模組100之一部分之一放大圖。圖2A繪示對準間隔物105之第二延伸部115。如上文所闡述,延伸部包含可操作以限制基板黏合劑117之橫向遷移之一表面119。第二延伸部115以一角度q形成倒角(如所繪示之實例中),使得表面119可操作以將基板黏合劑117引離基板107。可將基板黏合劑117與表面119之間的表面互動以及其他因素(諸如黏合劑黏度、比重、搖變度及倒角角度q)精細化使得可將基板黏合劑117引離基板107,如所繪示。舉例而言,基板黏合劑117可具有54,000mPa·s之一沈積黏度、1.3 g/cm3 之一比重、4.4 (1/10 s-1 )之一搖變度及30°之一倒角角度q。 圖2A至圖2C繪示對準間隔物105之相同第二延伸部115,但每一圖繪示對準間隔物105與基板107之間的一不同間隙G及基板黏合劑117之一橫向擴展L (亦即,接合線寬度)。圖2A至圖2C圖解說明若干個可接受間隙G及可被對準間隔物105容納之橫向擴展L。在每一情形中,可將某些過量基板黏合劑117引離基板107。在某些例項中,舉例而言如圖2B及圖2C中所繪示,基板黏合劑117可黏合至一較大區域(亦即,表面119之一較大部分),藉此增強機械穩定性。 圖3A至圖3D繪示具有若干個不同實例性對準間隔物的圖1A至圖1C中所繪示之光電模組100之一部分之一放大圖。圖3A繪示具有一承窩127之一基板107。承窩127可經構形使得第二延伸部115可整合於承窩127內。在此例項中,基板黏合劑117可被承窩127以及表面119限制。圖3B繪示承窩127之另一版本。在此例項中,承窩127可形成倒角使得第二延伸部115可整合於承窩127內。如同上文,承窩127與表面119兩者可限制基板黏合劑117之橫向遷移。 圖3C繪示具有一具倒角第二延伸部115之一對準間隔物105。劃界出表面119之具倒角第二延伸部115包含至少一個凹槽121。在此例項中,可將基板黏合劑117引離基板107且凹槽可充當過量基板黏合劑117之一貯存器,藉此限制基板黏合劑117之橫向遷移。 圖3D繪示一對準間隔物105,其中第二延伸部115包含一凹槽123。圖3D亦繪示具有一對準延伸部125之一基板107。對準延伸部125可操作以整合於凹槽123內。在此及其他構形中,即使(舉例而言)發生基板黏合劑117之脫層仍可維持眼睛安全。 圖4繪示一種用於製造具有一或多個對準間隔物之一光電模組之實例性方法。在一步驟402中,將基板黏合劑117沈積至具有一主動光電組件109之一基板107上。 在另一步驟404中,經由一對準間隔物105將一光學總成103安裝至基板107。在另一步驟406中,啟動主動光電組件109。舉例而言,在其中主動光電組件109係光敏的之例項中,將組件109開啟電源、初始化及以其他方式準備好用於收集光並儲存強度值。舉例而言,在其中主動光電組件109係發光的之其他例項中,將組件109開啟電源且使其產生光。 在另一步驟408中,經由光學總成103引導電磁輻射。舉例而言,可藉由一或多個光學元件將電磁輻射聚焦於光學總成103內或光電組件109上(在其中組件109係光敏的之例項中)或聚焦至光電模組100外部之一成像裝置上(在其中組件109係發光的之例項中)。 在另一步驟410中,利用主動光電組件109收集對準資料。亦即,在其中組件109係光敏的之例項中,可使用該主動光電組件109來收集資料,或在其中組件109係發光的之例項中,可使用光電模組100外部之一成像裝置來收集資料。 在另一步驟412中,經由對準間隔物105調整光學總成103相對於主動光電組件109之位置。在其中光學總成103包含特徵在於一焦距之光學元件110之例項中,可調整光學總成103之位置直至焦距入射於主動光電組件109上為止。 在另一步驟414中,將電磁輻射引導至基板黏合劑117使得基板黏合劑117至少部分地固化。電磁輻射可係紅外線或紫外線,舉例而言。 在另一步驟416中,將補充黏合劑120沈積至基板107、基板黏合劑117、對準間隔物105、光學總成黏合劑113及/或光學總成103之至少一部分上。 在另一步驟418中,將電磁輻射引導至補充黏合劑120上,藉此形成橫向地環繞主動光電組件之一不透光屏障。電磁輻射可係紅外線或紫外線,舉例而言。 可對前述實施方案做出各種修改。可將上文在不同實施方案中闡述之特徵組合於相同實施方案中。因此,其他實施方案在申請專利範圍之範疇內。
100‧‧‧光電模組103‧‧‧光學總成105‧‧‧對準間隔物107‧‧‧基板109‧‧‧主動光電組件/光敏主動光電組件/發光主動光電組件/組件/光電組件110‧‧‧光學元件111‧‧‧第一延伸部113‧‧‧光學總成黏合劑115‧‧‧第二延伸部/具倒角第二延伸部117‧‧‧基板黏合劑118‧‧‧電磁輻射/光119‧‧‧表面120‧‧‧補充黏合劑121‧‧‧凹槽123‧‧‧凹槽125‧‧‧凹槽127‧‧‧承窩F‧‧‧焦距G‧‧‧可接受間隙/間隙L‧‧‧橫向擴展
圖1A至圖1C繪示具有對準間隔物之實例性光電模組。 圖2A至圖2C繪示一實例性光電模組之一部分。 圖3A至圖3D繪示實例性對準間隔物。 圖4繪示用於製造具有一或多個對準間隔物之一光電模組之一實例性方法。
100‧‧‧光電模組
103‧‧‧光學總成
105‧‧‧對準間隔物
107‧‧‧基板
109‧‧‧主動光電組件/光敏主動光電組件/發光主動光電組件/組件/光電組件
110‧‧‧光學元件
111‧‧‧第一延伸部
113‧‧‧光學總成黏合劑
115‧‧‧第二延伸部/具倒角第二延伸部
117‧‧‧基板黏合劑
118‧‧‧電磁輻射/光
119‧‧‧表面
F‧‧‧焦距

Claims (18)

  1. 一種光電模組,該光電模組包括:一光學總成,其固定至一對準間隔物之一第一延伸部,該光學總成利用一光學總成黏合劑固定至該第一延伸部;一基板,其固定至該對準間隔物之一第二延伸部,該基板利用一基板黏合劑固定至該第二延伸部;一主動光電組件,其安裝至該基板且實質上與該光學總成對準;該第一延伸部及該第二延伸部定位於該對準間隔物之橫向相對側上;且該對準間隔物之該第二延伸部包含可操作以限制該基板黏合劑之橫向遷移之一表面,其中該第二延伸部包含一或多個具倒角表面,該一或多個具倒角表面劃界出可操作以限制該基板黏合劑之該橫向遷移之該表面,而且其中該一或多個具倒角表面包含一凹槽。
  2. 如請求項1之光電模組,其中該對準間隔物之該第二延伸部包含一或多個凹槽。
  3. 如請求項2之光電模組,其中該基板包含一或多個對準延伸部,該一或多個對準延伸部可操作以整合於該一或多個凹槽內。
  4. 如請求項1之光電模組,其中該基板包含一或多個承窩,該一或多個承窩經構形使得該一或多個第二延伸部可整合於該一或多個承窩內。
  5. 如請求項1之光電模組,該光學總成進一步包含一或多個光學元件。
  6. 如請求項1之光電模組,該光學總成之特徵在於一焦距,其中該光學總成與該主動光電組件之間的距離實質上等於該焦距。
  7. 如請求項5之光電模組,其中該一或多個光學元件選自由以下各項組成之清單:一微透鏡陣列、一折射光學元件及一繞射光學元件。
  8. 如請求項1之光電模組,其中該主動光電組件選自由以下各項組成之清單:一發光二極體、一雷射二極體、發光二極體之一陣列及雷射二極體之一陣列,其各自可操作以產生一波長或波長範圍之電磁輻射。
  9. 如請求項7之光電模組,其中該光學總成進一步包含一光譜濾光器。
  10. 如請求項8之光電模組,其中該光學總成黏合劑及該基板黏合劑實質上對由該主動光電組件產生之該波長或波長範圍之電磁輻射不透明。
  11. 如請求項1之光電模組,該主動光電組件包含一或多個光敏像素,該一或多個光敏像素對一波長或波長範圍之電磁輻射敏感。
  12. 如請求項11之光電模組,其中該光學總成黏合劑及該基板黏合劑實質上對該主動光電組件所敏感的該波長或波長範圍之電磁輻射不透明。
  13. 如請求項10之光電模組,該光電模組進一步包含補充黏合劑,該補充黏合劑實質上對由該主動光電組件產生之該波長或波長範圍之電磁輻射不透明,該補充黏合劑與該光電模組之至少一部分接觸,藉此形成橫向地環繞該主動光電組件之一不透光屏障。
  14. 如請求項12之光電模組,該光電模組進一步包含補充黏合劑,該補充黏合劑實質上對該主動光電組件所敏感的該波長或波長範圍之電磁輻射不透明,該補充黏合劑與該光電模組之至少一部分接觸,藉此形成橫向地環繞該主動光電組件之一不透光屏障。
  15. 一種用於製造具有一對準間隔物之一光電模組之方法,該方法包括:將未固化基板黏合劑沈積至一基板上;將一光學總成及對準間隔物安裝至該基板上;其中該對準間隔物包括一第一延伸部及一第二延伸部,該第一延伸部及該第二延伸部定位於該對準間隔物之橫向相對側上;其中該基板係固定至該對準間隔物的該第二延伸部;其中該第二延伸部包含可操作以限制該基板黏合劑之橫向遷移之一表面;其中該第二延伸部包含一或多個具倒角表面,該一或多個具倒角表面劃界出可操作以限制該基板黏合劑之該橫向遷移之該表面;其中該一或多個具倒角表面包含一凹槽; 將一光學總成安裝至該對準間隔物的該第一延伸部;經由該對準間隔物調整該光學總成相對於該主動光電組件之位置;及將電磁輻射引導至該未固化基板黏合劑,使得該未固化基板黏合劑至少部分地固化。
  16. 如請求項15之方法,其進一步包括:將未固化補充黏合劑沈積至該光電模組之至少一部分上;及將電磁輻射引導至該未固化補充黏合劑,使得該未固化補充黏合劑至少部分地固化,藉此形成橫向地環繞該主動光電組件之一不透光屏障。
  17. 如請求項15之方法,其進一步包括:啟動該主動光電組件;經由該光學總成將電磁輻射引導至該主動光電組件;利用該主動光電組件收集對準資料;及經由該對準間隔物調整該光學總成相對於該主動光電組件之該位置,該位置係藉由該主動光電組件所收集之該對準資料而判定。
  18. 如請求項15之方法,其進一步包括:啟動該主動光電組件;經由該光學總成自該主動光電組件引導電磁輻射;利用一外部成像裝置收集對準資料;及經由該對準間隔物調整該光學總成相對於該主動光電組件之該位置,該位置係藉由該成像裝置所收集之該對準資料而判定。
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