TWI738545B

TWI738545B - 改善ｅｍｉ撕膜便利性的加工工藝

Info

Publication number: TWI738545B
Application number: TW109136559A
Authority: TW
Inventors: 鐘富發; 馬祖鵬; 曹玉山; 呂俊賢
Original assignee: 大陸商華通精密線路板（惠州）有限公司
Priority date: 2020-10-21
Filing date: 2020-10-21
Publication date: 2021-09-01
Also published as: TW202216465A

Abstract

一種改善EMI撕膜便利性的加工工藝，步驟S1、拉耳製作；步驟S2、準備治具；步驟S3、貼合底部EMI；步驟S4、貼合FPC；步驟S5、貼合上部EMI；步驟S6、FPC預壓；步驟S7、撕EMI表面PET；步驟S8、FPC快壓；步驟S9、放置EMI後撕膜處理，EMI膠面朝下，PI膠帶的反黏膜膠面朝上，放置在設備工作臺上，啟動設備，帶動膠帶輪在EMI的上表面由左至右來回滾動，使PI膠帶和拉耳接觸後，直接將EMI的轉寫膜撕除。

Description

改善EMI撕膜便利性的加工工藝

本發明是有關於一種FPC技術領域，且特別是有關於一種改善EMI撕膜便利性的加工工藝。

柔性電路板的尺寸根據需求可以製作成很小的單元，生產時便於板件生產和後續元器件的安裝，通常會拼版生產這類柔性電路板。柔性電路板的正反面均貼附有電磁遮罩膜(Electro Magnetic Interference,EMI)，製作柔性電路板時需要將EMI的轉寫膜撕除才能進行下一工序。電磁遮罩膜(EMI)是電子器件中作為傳輸信號作用的柔性線路板(Flexible Printed Circuit,FPC)。當信號層分佈在FPC最外層時，為避免信號傳輸過程受到電磁干擾而引起信號失真，FPC在壓合覆蓋膜後會再壓合一層導電層(電磁遮罩膜)，起到阻擋電磁干擾的作用。覆蓋膜是與基材相同的絕緣材料(例如是聚酰亞胺(Polyimide,PI)和膠結合的一種材料；為FPC起到保護、絕緣和維持柔性的作用。

由於EMI材料極其脆弱，因此原料加工和使用過程中會附上轉寫膜作為保護，在壓合到產品後再撕除轉寫膜，而壓合後EMI會整面貼附於板面上，再由人工使用小刀挑起將轉寫膜撕除，若刀口直接指向產品需求區域會造成刮傷和破損，目前做法會在FPC廢料區預留出廢料區作為撕離下刀口，由於下刀位置仍會與板面壓合貼附，因此仍需要通過小刀作業，仍有刮傷板面的風險，產品報廢率較高。

因此，我們提出一種改善EMI撕膜便利性的加工工藝。

本發明提供一種改善EMI撕膜便利性的加工工藝，以解決上述背景技術中提出現有技術中壓合後EMI會整面貼附於板面上，再由人工使用小刀挑起將轉寫膜撕除，若刀口直接指向產品需求區域會造成刮傷和破損，目前做法會在FPC廢料區預留出廢料區作為撕離下刀口，由於下刀位置仍會與板面壓合貼附，因此仍需要通過小刀作業，仍有刮傷板面的風險，產品報廢率較高的問題。

為實現上述目的，本發明採用了如下技術方案：

一種改善EMI撕膜便利性的加工工藝，包括以下步驟：步驟S1、拉耳製作，在EMI上表面一側製作拉耳；步驟S2、準備治具，準備與FPC匹配的治具備用；步驟S3、貼合底部EMI，將EMI貼合於準備好的治具一面；步驟S4、貼合FPC，取出待處理的FPC於貼合於治具一面的EMI 貼合；步驟S5、貼合上部EMI，在上述步驟S1至步驟S4完成的FPC上表面再貼合一層EMI；步驟S6、FPC預壓，對上下表面均貼合了EMI的FPC進行預壓；步驟S7、撕EMI表面PET，在FPC預壓後，撕除EMI的表面PET薄膜；步驟S8、FPC快壓，利用壓機對上述步驟S1至步驟S7完成的FPC進行快速壓合；步驟S9、放置EMI後撕膜處理，將EMI的膠面朝下，將PI膠帶的反黏膜膠面朝上，放置在設備工作臺上，啟動設備，帶動膠帶輪在EMI的上表面由左至右來回滾動，使PI膠帶和拉耳接觸後，直接將EMI的轉寫膜撕除。

優選的，步驟S1中的所述拉耳為黃色PI膠帶，厚度為30μm，耐高溫170℃以上。

優選的，在製作帶有拉耳的EMI後，進行順時針收卷製作，EMI的下表面設置有白色隔離膜，EMI的一側設置有厚度為30μm的黃色PI膠帶，所述黃色PI膠帶底部為表面PET薄膜，EMI成型公差+/-0.1mm，產品在卷料位置公差+/-0.5mm。

優選的，步驟S2中的所述FPC包括轉寫膜、保護層、金屬薄膜層和異方性導電接著劑層，所述轉寫膜厚度為57μm，所述保護層的厚度為5μm，所述金屬薄膜層的厚度為0.1μm，所述異方性導電接助劑層的厚度為3μm，實際耦合前為5μm。

優選的，所述EMI層包括導電膠層、金屬合金層、絕緣層、載體膜。

優選的，所述步驟S6中的FPC預壓採用的工具為預壓機。

本發明的技術效果和優點：本發明提出的一種改善EMI撕膜便利性的加工工藝，與現有技術相比，具有以下優點：

為解決EMI撕膜需人工通過小刀挑起撕離口的問題，通過在物料加工時在撕離口位置增加離型面即拉耳，且拉耳為PI膠帶，保證撕離口不與板面貼附和壓合在一起，後通過膠帶將EMI轉寫膜撕除。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10:治具

100:拉耳

200:EMI

300:表面PET薄膜

400:白色隔離膜

圖1是依照本發明的一實施例的一種EMI和拉耳結構示意圖。

圖2是物料結構示意圖。

圖3是圖1的EMI貼合於治具再貼合FPC及另一EMI的示意圖。

圖4是圖3的EMI與FPC貼完後的示意圖。

下面將對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用於限定本發明。基於本發明中的實施例，所屬技術領域中具有通常知識者在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。

一種改善EMI撕膜便利性的加工工藝，包括以下步驟：如圖1所示，步驟S1、拉耳製作。在EMI200上表面一側製作拉耳100。如圖2所示，接著，貼上白色隔離膜400。原因在於，兩片物料間帶有黏性，白色隔離膜400作用是防止兩片物料黏在一起。物料由白色隔離膜400(隔離片間物料)、EMI200、黃色PI膠帶(也就是拉耳100)以及表面PET薄膜300(也就是承載PET膜層)所構成；步驟S2、準備治具10。準備與FPC匹配的治具10備用；如圖3所示，步驟S3、貼合底部EMI200。先將白色隔離膜400撕除，再將EMI200貼合於準備好的治具10一面；步驟S4、貼合FPC。取出待處理的FPC於貼合於治具10一面的EMI200貼合；步驟S5、貼合上部EMI200。在上述步驟完成的FPC上表面再貼合另一層EMI200。圖3下圖中表示FPC兩面都需貼合形成有拉耳100的EMI200，圖3下圖為上圖的局部剖面示意圖。需注意的是，圖3中省略了拉耳100及表面PET薄膜300的繪示，以更清楚地示意出貼合結構之間的關係；步驟S6、FPC預壓。對上下表面均貼合了EMI200的FPC進行預壓；步驟S7、撕EMI200表面PET薄膜300。在FPC預壓後，撕除兩EMI200的表面PET薄膜300；S8、FPC快壓。利用壓機對FPC進行快速壓合；S9、放置EMI200後撕膜處理。EMI200膠面朝下，聚酰亞胺(Polyimide,PI)膠帶反黏膜膠面朝上，放置在設備工作臺上，啟動設備，帶動膠帶輪在EMI200上表面(也就是EMI200本身的轉寫膜)由左至右來回滾動，使PI膠帶和拉耳100接觸後，直接將EMI200的轉寫膜撕除。EMI200的轉寫膜例如是在EMI200遠離於拉耳100的一側。由於EMI200的轉寫膜會與拉耳100接觸，因而能夠黏著於轉寫膜，並藉由PI膠帶的拉力，拉動拉耳100並使拉耳100與轉寫膜自FPC上移除。需注意的是，圖1至圖4僅示意地簡單繪示各元件的相對位置，而僅供參考，其實際的尺寸比例不一定會與圖1至圖4所示相近。

具體的，步驟S1中的拉耳100為黃色PI膠帶，厚度為30μm，耐高溫170℃以上。

具體的，在製作帶有拉耳100的EMI200後，進行順時針收卷製作，EMI200下表面設置有白色隔離膜400，EMI200一側設置有厚度為30μm的黃色PI膠帶，所述黃色PI膠帶底部為表面PET薄膜300，EMI200成型公差+/-0.1mm，產品在卷料位置公差 +/-0.5mm。使用上述厚度為30μm的黃色PI膠帶的好處在於，反備於EMI200異方性導電接著劑面起到與FPC隔絕的作用，需具備耐高溫要求且厚度不可太厚。

具體的，步驟S2中的所述FPC包括轉寫膜、保護層、金屬薄膜層和異方性導電接助劑層，所述轉寫膜厚度為57μm，所述保護層的厚度為5μm，所述金屬薄膜層的厚度為0.1μm，所述異方性導電接助劑層的厚度為3μm，實際耦合前為5μm。

具體的，EMI200層包括導電膠層、金屬合金層、絕緣層、載體膜。

具體的，步驟S6中的FPC預壓採用的工具為預壓機。

通過以上對比，本發明為解決EMI撕膜需人工通過小刀挑起撕離口的問題，通過在物料加工時在撕離口位置增加離型面，即拉耳，且拉耳為PI膠帶，保證撕離口不與板面貼附和壓合在一起，後通過膠帶將EMI轉寫膜撕除。

最後應說明的是：以上所述僅為本發明的優選實施例而已，並不用於限制本發明，儘管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，對於所屬技術領域中具有通常知識者來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特徵進行等同替換，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。

100:拉耳

200:EMI

300:表面PET薄膜

Claims

一種改善EMI撕膜便利性的加工工藝，包括以下步驟：步驟S1、在EMI上表面的一側製作拉耳；步驟S2、準備與FPC匹配的治具備用；步驟S3、將所述EMI貼合於準備好的所述治具的一面；步驟S4、取出待處理的所述FPC於貼合於所述治具的所述面的所述EMI貼合；步驟S5、在所述步驟S1至所述步驟S4完成的所述FPC的上表面再貼合另一所述EMI；步驟S6、對上下表面均貼合了所述EMI的所述FPC進行預壓；步驟S7、在所述FPC預壓後，撕除所述EMI的表面PET薄膜；步驟S8、利用壓機對所述步驟S1至所述步驟S7完成的所述FPC進行快速壓合；以及步驟S9、將所述EMI的膠面朝下，將PI膠帶的反黏膜膠面朝上，放置在設備工作臺上，啟動設備，帶動膠帶輪在所述EMI的所述上表面由左至右來回滾動，使所述PI膠帶和所述拉耳接觸後，直接將所述EMI的轉寫膜撕除，其中所述拉耳為黃色PI膠帶。
如請求項1所述的改善EMI撕膜便利性的加工工藝，其中：步驟S1中的所述拉耳厚度為30μm，耐高溫170℃以上。
如請求項1所述的改善EMI撕膜便利性的加工工藝，其中：在製作帶有所述拉耳的所述EMI後，進行順時針收卷製作，所述EMI的下表面設置有白色隔離膜，所述EMI的所述側設置有厚度為30μm的黃色PI膠帶，所述黃色PI膠帶底部為表面PET薄膜，所述EMI成型公差+/-0.1mm，產品在卷料位置公差+/-0.5mm。
如請求項1所述的改善EMI撕膜便利性的加工工藝，其中：步驟S2中的所述FPC包括轉寫膜、保護層、金屬薄膜層和異方性導電接助劑層，所述轉寫膜厚度為57μm，所述保護層的厚度為5μm，所述金屬薄膜層的厚度為0.1μm，所述異方性導電接助劑層的厚度為3μm，實際耦合前所述異方性導電接助劑層的厚度為5μm。
如請求項1所述的改善EMI撕膜便利性的加工工藝，其中：所述EMI層包括導電膠層、金屬合金層、絕緣層、載體膜。
如請求項1所述的改善EMI撕膜便利性的加工工藝，其中：所述步驟S6中對所述FPC預壓所採用的工具為預壓機。