TWI735509B - 電漿處理裝置及控制方法 - Google Patents

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TWI735509B
TWI735509B TW106101346A TW106101346A TWI735509B TW I735509 B TWI735509 B TW I735509B TW 106101346 A TW106101346 A TW 106101346A TW 106101346 A TW106101346 A TW 106101346A TW I735509 B TWI735509 B TW I735509B
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阪根亮太
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明係提高電漿處理裝置內產生之電漿之均一性。 本發明之電漿處理裝置10具備經施加高頻電力之第1電極、相對於第1電極作為對向電極發揮功能之第2電極、及控制第1電極與第2電極之間所產生之電漿之分佈的控制部60。第1電極為例如上部電極16。第2電極具有下部電極2a、及配置於下部電極2a之周圍之周邊部。周邊部包含沿周向分割之複數個分割電極。控制部60係對複數個分割電極之各者，控制經由該分割電極之電漿與接地之間之阻抗。

Description

電漿處理裝置及控制方法
本發明之各種態樣及實施形態係關於一種電漿處理裝置及控制方法。
半導體之製造步驟中，具有使用電漿進行處理之步驟。使用電漿之處理步驟中，處理裝置內所產生之電漿之均一性為左右所製造之半導體之特性的重要因素之一。因此，使用電漿之處理步驟中，要求以較高精度控制電漿之分佈。為了減少處理裝置內所產生之電漿之偏差，於處理裝置中，考慮到將產生電漿之空間製成對稱之構造。然而，即便以將產生電漿之空間製成對稱之構造之方式進行設計，由於零件之加工尺寸之誤差或安裝之偏差、零件之消耗等，故處理裝置內之空間不製成對稱之構造之情形亦較多。
為了防止該情形，已知有如下之技術：將用於產生電漿之電極分為中心部及周邊部，藉由控制中心部與接地之間之阻抗、周邊部與接地之間之阻抗而控制徑向之電漿之分佈。又，已知有如下之技術：於對電極施加高頻電力之供電部之周圍設置控制供電部與接地之間之阻抗之裝置，控制施加於電極之高頻電力之周向之分佈。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 美國專利第8299390號說明書
[專利文獻2] 日本專利特開2009-164608號公報
[專利文獻3] 美國專利第8652297號說明書
然而，同時對徑向及周向控制處理裝置內所產生之電漿之分佈之方法並不存在。因此，要求同時對徑向及周向控制處理裝置內所產生之電漿之分佈。
本發明之一態樣係一種電漿處理裝置，其具備：經施加高頻電力之第1電極、相對於第1電極作為對向電極發揮功能之第2電極、控制第1電極與第2電極之間所產生之電漿之分佈之控制部。第2電極具有中心部、及配置於中心部之周圍之周邊部。周邊部包含沿周向分割之複數個分割電極。控制部係對複數個分割電極之各者，控制經由該分割電極之電漿與接地之間之阻抗。
根據本發明之各種態樣及實施形態，能夠提高電漿處理裝置內所產生之電漿之均一性。
1:腔室
2:載置台
2a:下部電極
2b:冷媒室
2c:配管
2d:配管
3:絕緣板
3a:內壁構件
4:基材
5:聚焦環
6:靜電吸盤
6a:電極
6b:絕緣層
7a:高頻電源
7b:高頻電源
8a:整合器
8b:整合器
10:電漿處理裝置
12:直流電源
13:配管
15:氣體供給源
15a:質量流量控制器
15b:配管
16:上部電極
16a:上部電極
16b:上部電極
16b-1:上部電極
16b-2:上部電極
16b-3:上部電極
16b-4:上部電極
16b-5:上部電極
16b-6:上部電極
16b-7:上部電極
16b-8:上部電極
16b-9:上部電極
16b-10:上部電極
16b-11:上部電極
16b-12:上部電極
16c-1:上部電極
16c-2:上部電極
16c-3:上部電極
16c-4:上部電極
16c-5:上部電極
16c-6:上部電極
16c-7:上部電極
16c-8:上部電極
16c-9:上部電極
16c-10:上部電極
16c-11:上部電極
16c-12:上部電極
45:絕緣性構件
60:控制部
61:處理器
62:使用者介面
63:記憶部
71:排氣通路
72:排氣口
73:排氣裝置
74:開口部
75:擋板
76:沈積防護罩
77:沈積防護罩
100:分佈調整部
100a:分佈調整部
100b:分佈調整部
100-1:分佈調整部
100a-1:分佈調整部
100b-1:分佈調整部
100-2:分佈調整部
100a-2:分佈調整部
100b-2:分佈調整部
100-3:分佈調整部
100a-3:分佈調整部
100b-3:分佈調整部
100-4:分佈調整部
100a-4:分佈調整部
100b-4:分佈調整部
100-5:分佈調整部
100a-5:分佈調整部
100b-5:分佈調整部
100-6:分佈調整部
100a-6:分佈調整部
100b-6:分佈調整部
100-7:分佈調整部
100a-7:分佈調整部
100b-7:分佈調整部
100-8:分佈調整部
100a-8:分佈調整部
100b-8:分佈調整部
100-9:分佈調整部
100a-9:分佈調整部
100b-9:分佈調整部
100-10:分佈調整部
100a-10:分佈調整部
100b-10:分佈調整部
100-11:分佈調整部
100a-11:分佈調整部
100b-11:分佈調整部
100-12:分佈調整部
100a-12:分佈調整部
100b-12:分佈調整部
101:分割電極
101a:分割電極
101b:分割電極
101c:分割電極
101d:分割電極
102:支持棒
102a:支持棒
102b:支持棒
102c:支持棒
102d:支持棒
103:板部
103a:板部
103b:板部
103c:板部
103d:板部
104:致動器
104a:致動器
104b:致動器
105:絕緣構件
106:介電體
107:開關
108:可變阻抗電路
109:開關
109a:開關
109b:開關
109c:開關
109d:開關
110:電阻
111:電壓計
112:電流計
160:頂板支持部
160a:頂板支持部
160b:頂板支持部
161:上部頂板
161a:上部頂板
161b:上部頂板
162:氣體擴散室
162a:氣體擴散室
162b:氣體擴散室
163:氣體流通口
163a:氣體流通口
163b:氣體流通口
164:氣體流通口
164a:氣體流通口
164b:氣體流通口
165:氣體導入口
165a:氣體導入口
165b:氣體導入口
165c:氣體導入口
166a:可變阻抗電路
166b:可變阻抗電路
A:軸線
G:閘閥
L:寬度
S:處理空間
V:閥
W:半導體晶圓
圖1係表示電漿處理裝置之一例之剖視圖。
圖2係表示實施例1中之電漿處理裝置之上表面之一例的圖。
圖3係表示實施例1中之分佈調整部之一例之放大剖視圖。
圖4係表示分割電極之一例之立體圖。
圖5係表示分佈調整部附近之等效電路之一例之圖。
圖6係表示與分割電極之位置相對之電漿與腔室之側壁之間之阻抗之變化之一例的圖。
圖7係表示靜電電位之分佈之一例之圖。
圖8係表示靜電電位之變化率之一例之圖。
圖9係表示蝕刻速率之偏差之一例之圖。
圖10係表示藉由分佈調整部所修正之蝕刻速率之分佈之一例的圖。
圖11係表示電漿處理裝置之其他例之剖視圖。
圖12係表示實施例2中之電漿處理裝置之上表面之一例的圖。
圖13係表示實施例2中之分佈調整部之一例之放大剖視圖。
圖14係表示實施例2中之分佈調整部之其他例之放大剖視圖。
圖15係表示分割電極之板部配置之一例之模式圖。
圖16係表示實施例2中之分佈調整部之其他例之放大剖視圖。
圖17係表示實施例3中之分佈調整部之一例之放大剖視圖。
圖18係表示實施例3中之分佈調整部之其他例之放大剖視圖。
圖19係表示實施例3中之分佈調整部之其他例之放大剖視圖。
圖20係表示實施例4中之電漿處理裝置之一例之剖視圖。
圖21係表示實施例4中之電漿處理裝置之上表面之一例的圖。
圖22係表示實施例4中之電漿處理裝置之上表面之其他例的圖。
圖23係表示實施例5中之分佈調整部之一例之放大剖視圖。
圖24係表示實施例5中之控制部處理之一例之流程圖。
揭示之電漿處理裝置於一個實施形態中具備施加有高頻電力之第1電極、相對於第1電極作為對向電極發揮功能之第2電極、及控制第1電極與 第2電極之間所產生之電漿之分佈之控制部。第2電極具有中心部、及配置於中心部之周圍之周邊部。周邊部包含沿周向所分割之複數個分割電極。控制部對於各個複數個分割電極控制經由該分割電極之電漿與接地之間之阻抗。
又，於揭示之電漿處理裝置之一個實施形態中，各個分割電極亦可為接地之導體。控制部亦可對於各個分割電極，控制垂直於與第2電極對向之第1電極之電極面的方向上之位置、平行於該電極面之方向上之位置、或其等兩者之位置，藉此控制經由各個分割電極之電漿與接地之間之阻抗。
又，於揭示之電漿處理裝置之一個實施形態中，各個分割電極亦可為經由第1可變阻抗電路接地之導體。控制部亦可藉由控制連接於各個分割電極之第1可變阻抗電路之阻抗，而控制經由各個分割電極之電漿與接地之間之阻抗。
又，於揭示之電漿處理裝置之一個實施形態中，第1可變阻抗電路亦可為控制分割電極與接地之間之導通及非導通之開關。
又，於揭示之電漿處理裝置之一個實施形態中，第1可變阻抗電路亦可包含可變電阻、可變電容器、及可變電感器中之至少任一者。
又，揭示之電漿處理裝置於一個實施形態中，亦可具備連接於各個分割電極，測定該分割電極與接地之間之電壓、及流經該分割電極之電流中之至少任一者之測定部。控制部亦可以各個分割電極之電壓及電流中之至少任一者於複數個分割電極之間滿足特定之關係之方式，控制經由各個分割電極之電漿與接地之間之阻抗。
又，於揭示之電漿處理裝置之一個實施形態中，分割電極亦可為板 狀導體，亦可以分割電極之厚度方向為徑向之方式配置於第2電極之中心部之周圍。
又，於揭示之電漿處理裝置之一個實施形態中，分割電極亦可為棒狀導體，亦可以分割電極之長度方向為垂直於與第2電極對向之第1電極之電極面的方向之朝向配置於第2電極之中心部之周圍。
又，於揭示之電漿處理裝置之一個實施形態中，第2電極之中心部亦可接地，亦可經由第2可變阻抗電路接地。
又，揭示之電漿處理裝置之控制方法於一個實施形態中，係藉由具備施加有高頻電力之第1電極、相對於第1電極作為對向電極發揮功能之第2電極、及控制第1電極與第2電極之間所產生之電漿之分佈之控制部的電漿處理裝置之控制部而執行。第2電極具有中心部、及配置於中心部之周圍之周邊部。周邊部包含沿周向所分割之複數個分割電極。控制部執行以下步驟：測定各個分割電極與接地之間之電壓、及流經該分割電極之電流；以各個分割電極之電壓及電流於複數個分割電極之間滿足特定之關係之方式，決定經由各個分割電極之電漿與接地之間之阻抗；及以變為所決定之阻抗之方式，對於各個分割電極控制經由該分割電極之電漿與接地之間之阻抗。
以下，對於揭示之電漿處理裝置及控制方法之實施形態，基於圖式進行詳細說明。再者，所揭示之電漿處理裝置及控制方法並非由本實施形態者。
[實施例1]
[電漿處理裝置10之構成]
圖1係表示電漿處理裝置10之一例之剖視圖。本實施例中之電漿處理 裝置10為例如電容耦合型平行板電漿蝕刻裝置。電漿處理裝置10具有藉由例如表面經陽極氧化處理之鋁而形成，內部形成有大致圓筒形狀之空間之腔室1。腔室1安全接地。腔室1以藉由腔室1之內側壁所形成之大致圓筒形狀之空間之中心軸與圖1所示之軸線A一致之方式配置。
於腔室1內設有載置有半導體晶圓W之大致圓筒形狀之載置台2。載置台2具有下部電極2a、基材4、聚焦環5及靜電吸盤6。基材4藉由陶瓷等所形成，介隔絕緣板3配置於腔室1之底部。於基材4之上設有藉由例如鋁等所形成之下部電極2a。
於下部電極2a之上表面設有將半導體晶圓W以靜電力吸附保持之靜電吸盤6。靜電吸盤6具有以一對絕緣層6b夾著藉由導電膜所形成之電極6a之構造。於電極6a電性連接有直流電源12。半導體晶圓W載置於靜電吸盤6之上表面，利用藉由自直流電源12所供給之直流電壓而產生於靜電吸盤6之表面之靜電力，吸附保持於靜電吸盤6之上表面。
於下部電極2a之上表面以包圍靜電吸盤6之方式設有藉由例如單晶矽等所形成之導電性聚焦環5。藉由聚焦環5於半導體晶圓W之表面提高蝕刻等電漿處理之均一性。下部電極2a及基材4之側表面藉由利用例如石英等所形成之圓筒形狀之內壁構件3a包圍。
於下部電極2a之內部中形成有例如環狀之冷媒室2b。於冷媒室2b中，自設於外部之未圖示之冷卻單元經由配管2c及2d循環供給有例如熱傳導液等冷媒。藉由於冷媒室2b內循環之冷媒控制下部電極2a、基材4及靜電吸盤6之溫度，控制靜電吸盤6上之半導體晶圓W為特定溫度。
又，於靜電吸盤6上所載置之半導體晶圓W之背面與靜電吸盤6之上表面之間，自未圖示之傳熱氣體供給機構經由配管13供給例如He氣體等 傳熱氣體。
於下部電極2a中經由整合器8b連接有高頻電源7b。高頻電源7b將用於離子之引入(偏壓)之特定頻率(例如13MHz)之高頻電力供給至下部電極2a。
於載置台2之周圍以包圍載置台2之方式設有排氣通路71。排氣通路71內設有具有複數個貫通孔之擋板(baffle plate)75。於排氣通路71中經由排氣口72連接有排氣裝置73。排氣裝置73具有例如渦輪分子泵等真空泵，能夠將腔室1內減壓至所需之真空度。
於腔室1之側壁設有開口部74，於開口部74設有用於開啟及關閉該開口部74之閘閥G。又，於腔室1之內側壁及載置台2之外側壁裝卸自如地設有沈積防護罩76及77。沈積防護罩76及77防止沈積附著於腔室1之內側壁。
於下部電極2a之上方以與載置台2對向之方式設有上部電極16。下部電極2a與上部電極16係以相互大致平行之方式設於腔室1內。以下，存在將載置於靜電吸盤6上之半導體晶圓W與上部電極16之下表面之間之空間稱為處理空間S之情形。
上部電極16經由絕緣性構件45支持於腔室1之上部。上部電極16具有頂板支持部160及上部頂板161。頂板支持部160藉由例如表面經陽極氧化處理之鋁等而形成為大致圓板形狀，於其下部裝卸自如地支持上部頂板161。上部頂板161藉由例如Si、SiC、石英等含矽物質而形成為大致圓板形狀。上部頂板161之下表面為電極面之一例。
於頂板支持部160中，經由整合器8a連接有高頻電源7a。高頻電源7a將用於電漿之產生之特定頻率(例如60MHz)之高頻電力供給至頂板支持 部160。
於頂板支持部160之內部設有氣體擴散室162。於頂板支持部160之底部以位於氣體擴散室162之下部之方式形成有複數個氣體流通口163。複數個氣體流通口163以軸線A作為中心同心圓狀地，以大致均等之間隔形成於氣體擴散室162之下部。
於上部頂板161中，以於厚度方向貫通上部頂板161之方式設有複數個氣體流通口164。複數個氣體流通口164以軸線A作為中心同心圓狀地，以大致均等之間隔形成於上部頂板161。各個氣體流通口164連通於上述氣體流通口163中之一個。供給至氣體擴散室162之處理氣體經由複數個氣體流通口163及164擴散成噴淋狀地供給至腔室1內。又，複數個氣體流通口163及164以軸線A作為中心同心圓狀地，以大致均等之間隔配置。因此，經由複數個氣體流通口163及164供給至腔室1內之處理氣體以軸線A作為中心，於周向以大致均等之流量供給至處理空間S內。
再者，於上部電極16設有未圖示之加熱器、及用於使冷媒循環之未圖示之配管等溫度調整機構，於半導體晶圓W之處理中能夠將上部電極16控制為所需範圍內之溫度。又，於上部電極16，於腔室1內之處理空間S產生電漿時，亦可視需要經由低通濾波器(LPF)施加負直流電壓。
於上部電極16之頂板支持部160設有用於向氣體擴散室162導入處理氣體之氣體導入口165。再者，氣體導入口165較佳為以軸線A通過氣體導入口165之中心之方式配置。於氣體導入口165連接有配管15b之一端。配管15b之另一端經由閥V及質量流量控制器(MFC)15a連接於供給用於半導體晶圓W之處理之處理氣體之氣體供給源15。自氣體供給源15供給之處理氣體經由配管15b供給至氣體擴散室162，經由氣體流通口163及164擴散 成噴淋狀地供給至腔室1內。
於載置台2之周圍、載置台2之上方，以包圍處理空間S之方式沿著腔室1之側壁配置有複數個分佈調整部100。複數個分佈調整部100例如如圖2所示，以軸線A作為中心軸之圓狀地以大致均等之間隔配置，控制處理空間S內所產生之電漿之分佈。圖2係表示實施例1中之電漿處理裝置10之上表面之一例的圖。於本實施例中，於腔室1內以包圍處理空間S之方式配置有12個分佈調整部100。再者，分佈調整部100之個數例如如圖2所示，只要以軸線A作為中心軸之圓狀地配置，則既可未達12個，亦可多於12個。
[分佈調整部100之構造]
圖3係表示實施例1中之分佈調整部100之一例之放大剖視圖。本實施例中之分佈調整部100具有分割電極101及致動器104。分割電極101經由形成於絕緣性構件45之貫通口，插入較上部電極16更下方之位置之空間，即由腔室1、絕緣性構件45及絕緣構件105所包圍之空間。
致動器104為例如氣缸等，使分割電極101沿著軸線A於上下方向移動。所謂上下方向係相對於作為與下部電極2a對向之上部頂板161之下表面即電極面垂直的方向。致動器104根據來自控制部60之指示，以自控制部60所指示之移動量，使分割電極101沿著軸線A於上下方向移動。
圖4係表示分割電極101之一例之立體圖。分割電極101係由鋁等導體形成，具有支持棒102及板部103。於本實施例中，板部103彎曲成沿著大致圓筒狀之腔室1之側壁的形狀。以軸線A作為中心軸之圓之周向上之板部103之寬度L，係將以軸線A至配置有分割電極101之位置之距離作為半徑之圓，按分佈調整部100之個數均等分割之長度，減去設於相鄰之分佈 調整部100之板部103之間之間隙之距離所得的長度。設於相鄰之分佈調整部100之板部103之間之間隙較佳為狹小者。分割電極101係以板部103之厚度方向朝向以軸線A作為中心軸之圓之徑向之方式配置於腔室1內。再者，板部103亦可為不彎曲之平板形狀。
於本實施例中，分割電極101接地。分割電極101只要為即便移動亦能保持與接地電位連接之連接方法，則亦可藉由纜線、金屬板、金屬無供油套筒、或金屬密封件等任意方法連接於接地電位。
藉由致動器104使分割電極101於上下方向移動，則經由分割電極101之處理空間S內之電漿與接地之間之阻抗變化。藉此，處理空間S內之高頻電力之分佈變化，處理空間S內產生之電漿之分佈變化。於各個分佈調整部100中，分割電極101之上下方向之位置能夠獨立地控制。因此，於處理空間S與各分佈調整部100之間，電漿之分佈為獨立地控制。藉此，於處理空間S內，能夠於各個以軸線A作為中心軸之圓之周向及徑向上，控制處理空間S內產生之電漿之分佈。
再者，上部電極16係作為經施加電漿產生用之高頻電力之陰極發揮功能。另一方面，相對於電漿產生用之高頻電力，下部電極2a及各個分割電極101係作為相對於上部電極16之對向電極即陽極發揮功能。上部電極16為第1電極之一例，下部電極2a及複數個分割電極101為第2電極之一例。又，下部電極2a為第2電極中之中心部之一例，複數個分割電極101為配置於下部電極2a之周圍之周邊部的一例。
如上所述構成之電漿處理裝置10係藉由控制部60統括地控制其動作。控制部60具備具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等控制電漿處理裝置10之各部之處理器61、使用者介面62、及記憶部63。
使用者介面62包含供操作員輸入用於操作電漿處理裝置10之命令等之鍵盤、及將電漿處理裝置10之工作狀況可視化顯示之顯示器等。
於記憶部63中儲存有用於處理器61實現電漿處理裝置10所執行之各種處理之控制程式(軟體)、及記憶有處理條件之資料等之製程配方。處理器61讀出記憶部63內所記憶之控制程式，基於所讀出之控制程式動作。並且，處理器61根據經由使用者介面62所受理之指示等，自記憶部63讀出製程配方等，並基於所讀出之製程配方等控制電漿處理裝置10。藉此，藉由電漿處理裝置10進行所需之處理。又，處理器61亦能夠將儲存於電腦可讀取之記錄媒體等之控制程式或製程配方等，自該記錄媒體讀出並執行。所謂電腦可讀取之記錄媒體為例如硬碟、DVD(Digital Versatile Disc，數位多功能光碟)、軟碟、半導體記憶體等。又，處理器61亦能夠將儲存於其他裝置之記憶部內之控制程式或製程配方等，經由例如通訊線路自該其他裝置取得並執行。
於電漿處理裝置10中對半導體晶圓W進行使用電漿之處理之情形時，控制部60對電漿處理裝置10進行以下之控制。首先，控制部60以半導體晶圓W載置於靜電吸盤6上之狀態控制閥V及MFC15a，供給特定流量之處理氣體至氣體擴散室162內。供給至氣體擴散室162內之處理氣體經由複數個氣體流通口163及164擴散成噴淋狀地供給至腔室1內。又，控制部60使排氣裝置73工作，將腔室1內控制為特定壓力。
並且，控制部60使高頻電源7a產生特定頻率之高頻電力施加於上部電極16，並且使高頻電源7b產生特定頻率之高頻電力施加於下部電極2a。藉此，於靜電吸盤6上之半導體晶圓W與上部電極16之間之處理空間S產生處理氣體之電漿。並且，藉由處理空間S所產生之電漿所包含之離 子或自由基對靜電吸盤6上之半導體晶圓W進行蝕刻等特定處理。
[模擬結果]
圖5係表示分佈調整部100附近之等效電路之一例之圖。將處理空間S內所產生之電漿與載置台2之間之電容量定義為C1，將電漿與上部電極16之間之電容量定義為C2，將電漿與腔室1之側壁之間之電容量定義為C3~C10。若使分割電極101之上下方向之位置變化，則圖5所示之電容量C5及電容量C8變化。藉此，處理空間S內之電漿與接地之間之阻抗變化。
此處，例如如圖5所示，將電漿與載置台2之間之電容量C1重新定義為Cb，將電漿與腔室1之側壁之間之電容量C3~C10重新定義為電容量Cw。又，例如如圖5所示，將分割電極101之下端與絕緣構件105之上表面之間之距離定義為h1，將自絕緣構件105之上表面至上部電極16之下表面為止之高度定義為h2。並且，藉由模擬求得分割電極101之位置變化之情形時之電容量Cw與電容量Cb之電容量比Cw/Cb。
h1=0之情形時，電容量比Cw/Cb=1.24。h1=h2/2之情形時，電容量比Cw/Cb=0.92。h1=h2之情形時，電容量比Cw/Cb=0.60。自該結果可知：藉由分割電極101之插入量，電漿與載置台2之間之電容量Cb與電漿與腔室1之側壁之間之電容量Cw之電容量比Cw/Cb較大變化。若電容量比Cw/Cb變化，則於處理空間S之中心部與周邊部之高頻電力之比亦變化。若於處理空間S之中心部與周邊部之高頻電力之比變化，則於處理空間S之中心部與周邊部之電漿之分佈亦變化。因此，藉由控制分割電極101之插入量，能夠控制於處理空間S之中心部與周邊部之電漿之分佈。
又，藉由模擬求得由使分割電極101之位置變化之情形時之電容量Cw所引起之阻抗之變化。圖6係表示與分割電極101之位置相對之電漿與 腔室1之側壁之間之阻抗之變化之一例的圖。於圖6中，使用40MHz之高頻電力作為電漿產生用之高頻電力進行模擬。
參考圖6之模擬結果可知：越減少分割電極101之插入量，即h1越變大，電漿與腔室1之側壁之間之阻抗越大。其係電漿與腔室1之側壁之間之電容量Cw變小之緣故。又，參考圖6之模擬結果可知：藉由使分割電極101之插入量變化，電漿與腔室1之側壁之間之阻抗於最大值與最小值表現為2倍左右之差。自圖6之模擬結果可明確：藉由獨立地控制各個分割電極101之插入量亦能夠控制處理空間S內之電漿之周向之分佈。
圖7係表示靜電電位之分佈之一例之圖。圖7所示之「down」表示分割電極101之位置為h1=0之情形時之靜電電位之分佈。圖7所示之「mid」表示分割電極101之位置為h1=2h/2之情形時之靜電電位之分佈。圖7所示之「up」表示分割電極101之位置為h1=h2之情形時之靜電電位之分佈。圖7中之縱軸之值藉由半導體晶圓W之中心位置(即軸線A通過之半導體晶圓W上之位置)中之靜電電位標準化。參考圖7可知：根據分割電極101之插入量，靜電電位之分佈變化。
圖8係表示靜電電位之變化率之一例之圖。參考圖7及圖8可知：越是半導體晶圓W之邊緣附近，相對於分割電極101之插入量之靜電電位之變化量越大。自該結果可知：於半導體晶圓W之面內，能夠更有效地控制邊緣部分之電漿之分佈。
例如如圖9所示，於半導體晶圓W之蝕刻速率於半導體晶圓W之面內偏向x方向(圖9之下側)之情形時，控制自半導體晶圓W之中心(軸線A)觀察處於x方向之分割電極101之插入量。例如如圖2所示配置有複數個分佈調整部100之情形時，於自軸線A觀察處於x方向之分佈調整部100-6~ 100-8中，向上方提拉分割電極101。藉此，於自軸線A至分佈調整部100-6~100-8之方向上，電漿與接地之間之阻抗增加，高頻電力減少。藉此，自軸線A至分佈調整部100-6~100-8之方向上之電漿減少。
又，例如如圖2所示配置有複數個分佈調整部100之情形時，於自軸線A觀察位於與x方向相反之方向之分佈調整部100-12、100-1、及100-2中，向下方拉下分割電極101。藉此，於自軸線A至分佈調整部100-12、100-1、及100-2之方向上，電漿與接地之間之阻抗減少，高頻電力增加。藉此，自軸線A至分佈調整部100-12、100-1、及100-2之方向上之電漿增加。
藉此，x方向上之電漿減少，與x方向相反之方向上之電漿增加。藉此，電漿之分佈相較形成如圖9所示之蝕刻速率之分佈時之分佈更偏向與x方向相反之方向。藉此，例如如圖10所示，蝕刻速率之偏差受到抑制。
自上述說明可明確：根據本實施例之電漿處理裝置10，藉由分別獨立地控制均等配置於周向之複數個分割電極101之插入量，於周向及徑向上能夠同時控制電漿之分佈。藉此，能夠提高電漿處理裝置10內所產生之電漿之均一性。
再者，於上述實施例1中，藉由高頻電源7a所產生之電漿產生用之高頻電力經由整合器8a施加於上部電極16，然而揭示之技術不限定於此。例如如圖11所示，藉由高頻電源7a所產生之電漿產生用之高頻電力亦可經由整合器8a施加於下部電極2a。圖11係表示電漿處理裝置10之其他例之剖視圖。於此情形時，頂板支持部160直接接地或經由電容器等元件接地。
於圖11之例中，下部電極2a作為施加有電漿產生用之高頻電力之陰極發揮功能。另一方面，相對於電漿產生用之高頻電力，上部電極16及各 個分割電極101作為相對於下部電極2a之對向電極即陽極發揮功能。於此情形時，下部電極2a為第1電極之一例，上部電極16及複數個分割電極101為第2電極之一例。又，上部電極16為第2電極中之中心部之一例，複數個分割電極101為配置於上部電極16之周圍之周邊部的一例。
再者，上述實施例1之分割電極101具有支持棒102及板部103，然而揭示之技術不限於此，各個分割電極101亦可為1根不具有板部103之棒狀導體。
又，於上述實施例1中，各個分佈調整部100之致動器104使分割電極101於上下方向移動，然而作為其他例，致動器104亦可使分割電極101於以軸線A作為中心軸之圓之徑向移動。又，致動器104亦可使分割電極101於上下方向及以軸線A作為中心軸之圓之徑向移動。
[實施例2]
[分佈調整部100之構成]
於上述實施例1中，於處理空間S之周圍沿著腔室1之側壁設有1行之複數個分佈調整部100。於實施例2中，於處理空間S之周圍沿著腔室1之側壁同心圓狀地設有複數行之複數個分佈調整部100，該點與實施例1不同。
圖12係表示實施例2中之電漿處理裝置10之上表面之一例的圖。本實施例之電漿處理裝置10例如如圖12所示，沿著腔室1之側壁設有複數個分佈調整部100。於各個分佈調整部100包含分佈調整部100a及分佈調整部100b。複數個分佈調整部100a與複數個分佈調整部100b分別沿著以軸線A作為中心軸之2個同心圓配置。於圖12之例中，於腔室1之側壁側設有分佈調整部100a-1~100a-12，於軸線A側設有分佈調整部100b-1~100b- 12。
圖13係表示實施例2中之分佈調整部100之一例之放大剖視圖。分佈調整部100a具有分割電極101a及致動器104a。分割電極101a具有支持棒102a及板部103a。分佈調整部100b具有分割電極101b及致動器104b。分割電極101b具有支持棒102b及板部103b。於分割電極101a與分割電極101b之間配置有介電體106。藉由於分割電極101a與分割電極101b之間配置有介電體106，能夠增大由分割電極101a及分割電極101b之上下方向之移動所引起之電漿與接地之間之阻抗之變化量。
此處，於實施例1中，沿著腔室1之側壁配置有1行之複數個分佈調整部100。因此，藉由分割電極101之上下方向之移動，上下方向上之阻抗分佈亦較大變化。與此相對，於本實施例中，分佈調整部100a及分佈調整部100b於徑向配置有複數個。因此，藉由獨立地控制分割電極101a之向上下方向之移動及分割電極101b之上下方向，能夠減少上下方向上之阻抗之分佈之變化。
[分佈調整部100之其他例]
分割電極101a及分割電極101b例如如圖14所示，亦可以板部103a及板部103b變成上下方向重疊之位置之方式配置。圖14係表示實施例2中之分佈調整部100之其他例之放大剖視圖。
於此情形時，複數個板部103a與複數個板部103b例如如圖15所示，較佳以相鄰於周向之板部103a之間之間隙與相鄰於周向之板部103b之間之間隙於周向為不同之位置之方式配置。藉此，能夠降低相鄰於周向之板部103a之間之間隙及相鄰於周向之板部103b之間之間隙對於處理空間S內所產生之電漿之影響。
又，各個板部103a與各個板部103b例如如圖16所示，亦可以厚度方向朝向上下方向之方式配置。再者，於實施例2中，各個分佈調整部100a之致動器104a使分割電極101a於上下方向移動，各個分佈調整部100b之致動器104b使分割電極101b於上下方向移動，然而揭示之技術不限於此。作為其他例，亦可為致動器104a使分割電極101a於以軸線A作為中心軸之圓之徑向移動，致動器104b亦使分割電極101b於以軸線A作為中心軸之圓之徑向移動。又，亦可為致動器104a分別使分割電極101a於上下方向及以軸線A作為中心軸之圓之徑向移動，致動器104b亦分別使分割電極101b於上下方向及以軸線A作為中心軸之圓之徑向移動。
自上述說明可明確：根據本實施例之電漿處理裝置10，於周向及徑向上能夠同時控制電漿之分佈，能夠提高電漿處理裝置10內所產生之電漿之均一性。又，根據本實施例之電漿處理裝置10，能夠減少上下方向上之電漿之分佈之變化。
[實施例3]
於上述實施例1及實施例2中，藉由使接地之分割電極101移動，而控制電漿與接地之間之阻抗。與此相對，於實施例3中，與實施例1及2不同之點在於，不使分割電極101移動，而是藉由使分割電極101與接地之間之阻抗變化，而控制電漿與接地之間之阻抗。
圖17係表示實施例3之分佈調整部100之一例之放大剖視圖。各個分佈調整部100具有分割電極101及開關107。分割電極101經由形成於絕緣性構件45之貫通口，插入較上部電極16更下方之位置之空間，即由腔室1、絕緣性構件45及絕緣構件105所包圍之空間，且固定於絕緣性構件45。分割電極101係以導體形成，且具有支持棒102及板部103。
支持棒102經由開關107接地。開關107根據來自控制部60之指示，控制支持棒102與接地之連接及遮斷。開關107為第1可變阻抗電路之一例。藉由開關107控制支持棒102與接地之連接及遮斷，則經由分割電極101之電漿與接地之間之阻抗變化。藉此，於周向及徑向上能夠同時控制電漿之分佈，能夠提高電漿處理裝置10內產生之電漿之均一性。
再者，支持棒102例如如圖18所示，亦可取代開關107，而改為經由可變阻抗電路108接地。圖18係表示實施例3中之分佈調整部100之其他例之放大剖視圖。可變阻抗電路108包含使用電阻、電容器及電感器之至少一種而構成之電路。可變阻抗電路108為第1可變阻抗電路之一例。可變阻抗電路108根據來自控制部60之指示使支持棒102與接地之間之阻抗變化。藉由使用可變阻抗電路108，能夠更細微地控制支持棒102與接地之間之阻抗。再者，可變阻抗電路108較佳為分別獨立地使支持棒102與接地之間之電阻及電抗變化。
又，例如如圖19所示，亦可於上下方向及徑向配置複數個板部103a~103d，控制板部103a~103d各者與接地之間之阻抗。圖19係表示實施例3中之分佈調整部100之其他例之放大剖視圖。
例如如圖19所示，分割電極101a經由形成於絕緣性構件45之貫通口，插入較上部電極16更下方之位置之空間，即由腔室1、絕緣性構件45及絕緣構件105所包圍之空間，且固定於絕緣性構件45。分割電極101a係以導體形成，且具有支持棒102a及板部103a。支持棒102a經由開關109a接地。開關109a根據來自控制部60之指示，控制支持棒102a與接地之連接及遮斷。
分割電極101b經由形成於絕緣性構件45之貫通口，插入較上部電極 16更下方之位置之空間，即由腔室1、絕緣性構件45及絕緣構件105所包圍之空間，且固定於絕緣性構件45。分割電極101b係以導體形成，且具有支持棒102b及板部103b。支持棒102b經由開關109b接地。開關109b根據來自控制部60之指示，控制支持棒102b與接地之連接及遮斷。
分割電極101c經由形成於絕緣性構件45之貫通口，插入較上部電極16更下方之位置之空間，即由腔室1、絕緣性構件45及絕緣構件105所包圍之空間，且固定於絕緣性構件45。分割電極101c係以導體形成，且具有支持棒102c及板部103c。支持棒102c經由開關109c接地。開關109c根據來自控制部60之指示，控制支持棒102c與接地之連接及遮斷。
分割電極101d經由形成於絕緣性構件45之貫通口，插入較上部電極16更下方之位置之空間，即由腔室1、絕緣性構件45及絕緣構件105所包圍之空間，且固定於絕緣性構件45。分割電極101d係以導體形成，且具有支持棒102d及板部103d。支持棒102d經由開關109d接地。開關109d根據來自控制部60之指示，控制支持棒102d與接地之連接及遮斷。
再者，於圖19所例示之分佈調整部100中，亦可替代開關109a~109d分別設有可變阻抗電路。
自上述說明可明確：根據本實施例之電漿處理裝置10，於周向及徑向上能夠同時控制電漿之分佈，能夠提高電漿處理裝置10內所產生之電漿之均一性。又，根據本實施例之電漿處理裝置10，由於固定有各個分割電極101，故亦可不設置用於使分割電極101移動之致動器104。因此，無需用於使分割電極101移動之空間及用於配置致動器104之空間，能夠使電漿處理裝置10小型化。
[實施例4]
於上述實施例1~3中，藉由設於處理空間S之周圍之複數個分佈調整部100控制周向之電漿與接地之間之阻抗。與此相對，於實施例4中，上部電極16分為中心部、周邊部，周邊部於周向分割成複數個。並且，藉由控制所分割之各個上部電極16與接地之阻抗控制周向之電漿與接地之間之阻抗，該點與實施例1~3不同。
圖20係表示實施例4中之電漿處理裝置10之一例之剖視圖。圖21係表示實施例4中之電漿處理裝置10之上表面之一例的圖。再者，除了以下進行說明之方面以外，於圖20及圖21中，附有與圖1或圖2相同符號之構成由於具有與圖1或圖2中之構成相同或同樣之功能，故省略說明。本實施例中之上部電極16具有上部電極16a及配置於上部電極16a之周圍之複數個上部電極16b-1~16b-12。複數個上部電極16b-1~16b-12以軸線A作為中心軸之圓周狀地以大致等間隔配置。上部電極16a與複數個上部電極16b-1~16b-12藉由絕緣性構件45絕緣。又，複數個上部電極16b-1~16b-12藉由絕緣性構件45相互絕緣。
上部電極16a介隔絕緣性構件45支持於腔室1之上部。上部電極16a具有頂板支持部160a及上部頂板161a。頂板支持部160a藉由例如表面經陽極氧化處理之鋁等而形成為大致圓板形狀，於其下部裝卸自如地支持上部頂板161a。上部頂板161a藉由例如Si、SiC、石英等含矽物質而形成為大致圓板形狀。
頂板支持部160a經由可變阻抗電路166a接地。再者，作為其他例，頂板支持部160a亦可於不經由可變阻抗電路166a之情形下接地。可變阻抗電路166a為第2可變阻抗電路之一例。於頂板支持部160a之內部設有氣體擴散室162a。氣體擴散室162a形成有複數個氣體流通口163a。複數個 氣體流通口163a以軸線A作為中心同心圓狀地，以大致均等之間隔形成於氣體擴散室162a之下部。
於上部頂板161a中以軸線A作為中心同心圓狀地，以大致均等之間隔形成有複數個氣體流通口164a。各個氣體流通口164a連通於氣體流通口163a。於頂板支持部160a設有用於向氣體擴散室162a導入處理氣體之氣體導入口165a。配管15b之一端連接於閥V，另一端分支為複數個，其中一個連接於氣體導入口165a。自氣體供給源15所供給之處理氣體經由配管15b及氣體導入口165a供給至氣體擴散室162a，經由氣體流通口163a及164a擴散成噴淋狀地供給至腔室1內。
各個上部電極16b經由絕緣性構件45支持於腔室1之上部。上部電極16b具有頂板支持部160b及上部頂板161b。頂板支持部160b藉由例如表面經陽極氧化處理之鋁等形成，於其下部裝卸自如地支持上部頂板161b。上部頂板161b藉由例如Si、SiC、石英等含矽物質形成。
各個頂板支持部160b經由相對於一個上部電極16b所設之一個可變阻抗電路166b接地。於頂板支持部160b之內部設有氣體擴散室162b。氣體擴散室162b形成有複數個氣體流通口163b。複數個氣體流通口163b以軸線A作為中心之同心圓之圓周狀地，以大致均等之間隔形成於氣體擴散室162b之下部。
於各個上部頂板161b中，以軸線A作為中心之同心圓之圓周狀地，以大致均等之間隔形成有複數個氣體流通口164b。各個氣體流通口164b連通於氣體流通口163b。於各個頂板支持部160b設有用於向氣體擴散室162b導入處理氣體之氣體導入口165b。配管15b之一端連接於閥V，另一端分支為複數個，其中一個連接於氣體導入口165b。自氣體供給源15所 供給之處理氣體經由配管15b及氣體導入口165b供給至氣體擴散室162b，經由氣體流通口163b及164b擴散成噴淋狀地供給至腔室1內。
於實施例4中，藉由高頻電源7a所產生之電漿產生用之高頻電力經由整合器8a施加於下部電極2a。於實施例4中，下部電極2a作為施加有電漿產生用之高頻電力之陰極發揮功能。另一方面，相對於電漿產生用之高頻電力，上部電極16a及各個複數個上部電極16b-1~16b-12作為相對於下部電極2a之對向電極即陽極發揮功能。於此情形時，下部電極2a為第1電極之一例，上部電極16a及複數個上部電極16b-1~16b-12為第2電極之一例。又，上部電極16a為第2電極中之中心部之一例，複數個上部電極16b-1~16b-12為配置於上部電極16之周圍之周邊部的一例。又，各個複數個上部電極16b-1~16b-12為分割電極之一例。
於本實施例中，亦藉由獨立地控制連接於複數個上部電極16b-1~16b-12各者之可變阻抗電路166b之阻抗，能夠控制經由上部電極16b之電漿與接地之間之阻抗。藉此，於周向及徑向上能夠同時控制電漿之分佈，能夠提高電漿處理裝置10內所產生之電漿之均一性。
再者，於上述電漿處理裝置10中，於上部電極16a之周圍以軸線A作為中心軸之圓周狀地配置有1行之複數個上部電極16b-1~16b-12，然而例如如圖22所示，亦可配置2行以上。圖22係表示實施例4中之電漿處理裝置10之上表面之其他例的圖。於圖22之例中，以軸線A作為中心軸之圓周狀地配置有1行之複數個上部電極16b-1~16b-12，進而於其內側，以軸線A作為中心軸之圓周狀地配置有1行之複數個上部電極16c-1~16c-12。
再者，各個上部電極16b及上部電極16c例如如圖22所示，較佳為相鄰之兩個上部電極16b之間之間隙與相鄰之兩個上部電極16c之間之間隙 以於以軸線A作為中心軸之圓周之徑向不重疊之方式配置。藉此，能夠降低相鄰於周向之上部電極16b之間之間隙及相鄰於周向之上部電極16c之間之間隙對於處理空間S內所產生之電漿之影響。
[實施例5]
於實施例5中，測定各分佈調整部100之電壓及電流，基於測定結果使各分佈調整部100之分割電極101移動。再者，於實施例5中，測定電壓及電流之兩者，基於測定結果使各分佈調整部100之分割電極101移動，然而作為其他例，亦可測定電壓及電流中之任一者，基於測定結果使各分佈調整部100之分割電極101移動。圖23係表示實施例5中之分佈調整部100之一例之放大剖視圖。各個分佈調整部100具有分割電極101、致動器104、電阻110、電壓計111及電流計112。再者，除了以下進行說明之方面以外，於圖23中，附有與圖3相同符號之構成由於具有與圖3中之構成相同或同樣之功能，故省略說明。
支持棒102經由電阻110及電流計112接地。電流計112測定流經分割電極101之電流，將測定結果向控制部60輸出。電壓計111測定分割電極101之電壓，將測定結果向控制部60輸出。控制部60以於腔室1內電漿產生之狀態，對於各個分佈調整部100基於藉由電壓計111所測定之電壓值及藉由電流計112所測定之電流值，決定分割電極101之阻抗之調整量。控制部60例如對於各個分佈調整部100算出用於使所測定之電壓值、電流值或其等兩者滿足特定關係之阻抗之控制量。
控制部60例如對於各個分佈調整部100算出用於使電漿與接地之阻抗變得相同之阻抗之控制量。控制部60例如對於各個分佈調整部100算出用於使所測定之電壓值、電流值、或其等兩者變為相同之值之阻抗之控制 量。並且，控制部60對於各個分佈調整部100算出用於實現算出之阻抗之控制量之分割電極101之移動量。並且，控制部60將算出之移動量指示至各個分佈調整部100之致動器104。藉此，於複數個分佈調整部100之間，能夠減小電漿與接地之間之阻抗之偏差。藉此，能夠提高電漿處理裝置10內所產生之電漿之均一性。
[控制部60之處理]
圖24係表示實施例5中之控制部60處理之一例之流程圖。
首先，控制部60以將各個分佈調整部100之分割電極101設定為初始位置之方式指示至各個分佈調整部100之致動器104。各個分佈調整部100之致動器104根據來自控制部60之指示使分割電極101移動至初始位置(S100)。初始位置係例如為分割電極101之完全插入量之一半左右的插入量之位置。
繼而，控制部60藉由對腔室1內進行真空排氣，向腔室1內供給處理氣體，向上部電極16及下部電極2a施加高頻電力而於腔室1內產生處理氣體之電漿(S101)。
繼而，控制部60對於各個分佈調整部100，使電壓計111測定分割電極101之電壓，使電流計112測定分割電極101之電流(S102)。並且，控制部60對於各個分佈調整部100，藉由電壓計111取得所測定之電壓值，藉由電流計112取得所測定之電流值。並且，控制部60基於取得之電壓值及電流值算出分割電極101之阻抗之調整量。
並且，控制部60對於各個分佈調整部100算出用於實現算出之阻抗之調整量之分割電極101之移動量(S103)。並且，控制部60將算出之移動量指示至各個分佈調整部100之致動器104。各個分佈調整部100之致動器 104根據來自控制部60之指示，控制分割電極101之位置(S104)。並且，控制部60結束本流程圖所示之處理。再者，步驟S102~S104之處理亦可反覆進行複數次。
根據本實施例之電漿處理裝置10，於複數個分佈調整部100之間，能夠減小電漿與接地之間之阻抗之偏差。藉此，能夠提高電漿處理裝置10內所產生之電漿之均一性。
<其他>
再者，本發明並不限定於上述實施例，能夠於其主旨之範圍內進行各種變化。
例如，亦可組合上述實施例1~2與實施例3，使各個分割電極101之上下方向之位置變化，並且使分割電極101與接地之間之阻抗變化。又，亦可組合實施例1~4與實施例5，基於各個分割電極101之電壓及電流中之至少一者之測定結果，使各個分割電極101之上下方向之位置或分割電極101與接地之間之阻抗變化。
又，於上述實施例中，作為電漿處理裝置10，以電容耦合型平行板電漿蝕刻裝置為例進行了說明，然而揭示之技術並不限於此。只要為使用電漿對半導體晶圓W進行特定之處理之裝置，則於使用ICP(Inductively Coupled Plasma，感應耦合電漿)等其他方式之蝕刻裝置中亦能夠應用揭示之技術。又，只要為使用氣體對半導體晶圓W進行特定之處理之裝置，則除了蝕刻裝置以外，於進行成膜或改質等處理之裝置中亦能夠應用揭示之技術。
1‧‧‧腔室
2‧‧‧載置台
2a‧‧‧下部電極
2b‧‧‧冷媒室
2c‧‧‧配管
2d‧‧‧配管
3‧‧‧絕緣板
3a‧‧‧內壁構件
4‧‧‧基材
5‧‧‧聚焦環
6‧‧‧靜電吸盤
6a‧‧‧電極
6b‧‧‧絕緣層
7a‧‧‧高頻電源
7b‧‧‧高頻電源
8a‧‧‧整合器
8b‧‧‧整合器
10‧‧‧電漿處理裝置
12‧‧‧直流電源
13‧‧‧配管
15‧‧‧氣體供給源
15a‧‧‧質量流量控制器
15b‧‧‧配管
16‧‧‧上部電極
45‧‧‧絕緣性構件
60‧‧‧控制部
61‧‧‧處理器
62‧‧‧使用者介面
63‧‧‧記憶部
71‧‧‧排氣通路
72‧‧‧排氣口
73‧‧‧排氣裝置
74‧‧‧開口部
75‧‧‧擋板
76‧‧‧沈積防護罩
77‧‧‧沈積防護罩
100‧‧‧分佈調整部
160‧‧‧頂板支持部
161‧‧‧上部頂板
162‧‧‧氣體擴散室
163‧‧‧氣體流通口
164‧‧‧氣體流通口
165‧‧‧氣體導入口
A‧‧‧軸線
G‧‧‧閘閥
S‧‧‧處理空間
V‧‧‧閥
W‧‧‧半導體晶圓

Claims (10)

  1. 一種電漿處理裝置，其特徵在於具備：第1電極，其經施加高頻電力；第2電極，其相對於上述第1電極作為對向電極發揮功能；及控制部，其控制上述第1電極與上述第2電極之間所產生之電漿之分佈；且上述第2電極具有：中心部、及配置於上述中心部之周圍之周邊部；上述周邊部包含沿周向分割之複數個分割電極；上述控制部係對上述複數個分割電極之各者，控制經由該分割電極之上述電漿與接地之間之阻抗；且上述電漿處理裝置具備測定部，該測定部連接於各個上述分割電極，測定該分割電極與接地之間之電壓、及流經該分割電極之電流中之至少任一者，上述控制部係以各個上述分割電極之上述電壓及上述電流中之至少任一者於上述複數個分割電極間滿足特定之關係之方式，控制經由各個上述分割電極之上述電漿與接地之間之阻抗。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中各個上述分割電極為接地之導體，上述控制部係對各個上述分割電極，控制相對於與上述第2電極對向之上述第1電極之電極面垂直的方向上之位置、相對於於上述電極面平行之方向上之位置、或上述兩者之位置，藉此控制經由各個上述分割電極之上述電漿與接地之間之阻抗。
  3. 如請求項1之電漿處理裝置，其中各個上述分割電極為經由第1可變阻抗電路而接地之導體，上述控制部係藉由控制連接於各個上述分割電極之上述第1可變阻抗電路之阻抗，而控制經由各個上述分割電極之上述電漿與接地之間之阻抗。
  4. 如請求項3之電漿處理裝置，其中上述第1可變阻抗電路係控制上述分割電極與接地之間之導通及非導通之開關。
  5. 如請求項3之電漿處理裝置，其中上述第1可變阻抗電路包含可變電阻、可變電容器、及可變電感器中之至少任一者。
  6. 如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中上述分割電極為板狀導體，且以上述分割電極之厚度方向為徑向之方式配置於上述中心部之周圍。
  7. 如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中上述分割電極為棒狀導體，且以上述分割電極之長度方向為相對於與上述第2電極對向之上述第1電極之電極面垂直的方向之朝向，配置於上述中心部之周圍。
  8. 如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中上述第2電極之上述中心部接地。
  9. 如請求項1至5中任一項之電漿處理裝置，其中上述第2電極之上述中心部經由第2可變阻抗電路接地。
  10. 一種電漿處理裝置之控制方法，該電漿處理裝置具備：第1電極，其經施加高頻電力；第2電極，其相對於上述第1電極作為對向電極發揮功能；及控制部，其控制上述第1電極與上述第2電極之間所產生之電漿之分佈；且上述第2電極具有：中心部、及配置於上述中心部之周圍之周邊部；上述周邊部包含沿周向分割之複數個分割電極；且上述控制方法之特徵在於使上述控制部執行以下步驟：測定各個上述分割電極與接地之間之電壓、及流經該分割電極之電流中之任一者；以各個上述分割電極之上述電壓及上述電流中之至少任一者於上述複數個分割電極間滿足特定之關係之方式，決定經由各個上述分割電極之上述電漿與接地之間之阻抗；及以成為經決定之阻抗之方式，對各個分割電極控制經由該分割電極之電漿與接地之間之阻抗。
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