TWI734057B - 化學品輸送系統及操作該化學品輸送系統之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種化學品輸送系統，其包含一散裝容器、一運行/再填充腔室、一第一導管及一第二導管。該散裝容器儲存一前驅體。該運行/再填充腔室包含具有複數個表面之複數個間隔管，其用於依蒸氣形式接收該前驅體並依固體形式儲存該前驅體。該第一導管將該散裝容器連接至該運行/再填充腔室，用於依蒸氣形式將該前驅體自該散裝容器運送至該運行/再填充腔室。該第二導管將該運行/再填充腔室連接至一沈積腔室，用於依蒸氣形式將該前驅體自該運行/再填充腔室運送至該沈積腔室。

Description

化學品輸送系統及操作該化學品輸送系統之方法
本發明大體上係關於一種化學品輸送系統，特別言之，一種用於一化學氣相沈積程序之一化學品輸送系統。
化學氣相沈積(CVD)係用於在一基板上沈積材料薄膜之一化學程序。通常，舉例而言，在半導體工業中，將一膜沈積在一矽晶圓上。在該程序期間，將晶圓暴露於一或多種前驅體，該一或多種前驅體反應或分解並因此在一沈積腔室中沈積在晶圓上。一更特定CVD子類係原子層沈積(ALD)。在ALD中，通常使用兩種前驅體並依一交替方式使其等沈積在晶圓上。該前驅體決不會同時都存在於沈積腔室中。用於一CVD程序之一前驅體可依氣體、液體或固體形式被儲存。在昇華且隨後將前驅體蒸氣運送至基板方面，使用固體一前驅體尤其有挑戰性。在設計一CVD系統時之其他更一般關注包含希望最小化系統之停機時間及在施加前驅體之程序工具附近可用之有限空間。因此，希望提供一種解決此等挑戰之化學品輸送系統。具體而言，希望提供一種化學品輸送系統，其在一CVD程序中高效地、有效地且一致地輸送一固體前驅體，同時最小化CVD系統之停機時間及在程序工具附近佔據之空間量。
本發明大體上係關於一種操作用於在一CVD程序期間輸送前驅體之一化學品輸送系統之方法。該系統包括至少一個散裝容器、至少一個運行/再填充腔室及至少一個沈積腔室。在一些實施例中，該系統包括一第一導管及一第二導管。該散裝容器經構形以儲存一前驅體，較佳地依固體形式。可交替地使用該運行/再填充腔室。在一實施例中，該運行/再填充腔室包含具有複數個表面之複數個間隔管，其經構形以依蒸氣形式接收該前驅體並依固體形式儲存該前驅體。該第一導管將該散裝容器連接至該運行/再填充腔室，用於依蒸氣形式將該前驅體自該散裝容器運送至該運行/再填充腔室。該第二導管用於依蒸氣形式將該前驅體自該運行/再填充容器運送至一沈積腔室。
該散裝容器經構形以依固體形式儲存該前驅體。該散裝容器具有高表面積，並且較佳地按尺度以監測在操作期間剩餘之前驅體之量。該散裝容器較佳地位於一子製造區域中，在該子製造區域中便於更換該容器。
該化學品輸送系統經構形以加熱該散裝容器以使該前驅體昇華，因此將該前驅體轉化成蒸氣形式。該化學品輸送系統亦經構形以加熱該第一導管以將該前驅體維持為蒸氣形式。
在一個實施例中，該運行/再填充腔室位於通常被稱為「製造部(fab)」之一製造地板區域上，並且該散裝容器位於該製造部外部。舉例而言，該散裝容器可位於一子製造區域中。
在一繪示性實施例中，該複數個間隔管之各者具有一圓形或矩形橫截面。在其他實施例中，該複數個間隔管之各者具有星形橫截面。較佳地，該複數個間隔管之各者填充有一發泡體。在一些實施例中，該複數個間隔管由一腔室環繞，該腔室經構形以接收一傳熱流體。
該運行/再填充腔室可經構形以保持足以用於單一沈積循環之量之該前驅體。替代地，該運行/再填充腔室可經構形以保持足以用於複數個沈積循環之量之該前驅體。
提供前述發明內容係為了促進理解本發明特有之一些創新特徵，並且不希望作為完整描述。藉由將整個說明書、申請專利範圍、隨附圖式及摘要作為整體來獲得對本發明之一全面瞭解。
如在本說明書及隨附申請專利範圍中所使用，單數形式「一」及「該」包括複數指示物，除非內容另有明確指示。如在本說明書及隨附申請專利範圍中所使用，術語「或」通常以包含「及/或」之含義採用，除非內容另有明確指示。
應參考圖式閱讀以下詳細描述，在圖式中，不同圖式中之類似元件編號相同。詳細描述及不一定按比例繪製之附圖描繪繪示性實施例，並且不希望限制本發明之範疇。所描繪之繪示性實施例僅希望為例示性的。除非明確地相反闡述，否則任何繪示性實施例之選定特徵可併入一額外實施例中。
首先參考圖1，展示根據本發明構造之一CVD系統100。系統100之一個部分位於一子製造區域101中，子製造區域101在下文中被稱為一子製造部，而另一部分位於一製造區域或地板102中，製造區域或地板102被展示為由一虛線包圍，在下文中被稱為一製造部。此等部分藉由一加熱蒸氣供應線(或第一導管) 105連接。一散裝櫃110較佳地位於子製造部中，但可位於一更偏遠位置。散裝櫃110容納一第一散裝容器115及一第二散裝容器116。較佳地，散裝容器115及116以及其內部支撐結構由電拋光之316L不銹鋼製成。針對各特定化學品，例如鎳、氧化鋁等等，316L不銹鋼較佳地塗覆有一更耐用材料之一薄膜。替代地，可採用一金屬合金材料。鉻鎳鐵合金(Inconel)、哈司特鎳合金(Hastelloy) C276、C22、合金20等等係此等合金之實例。此外，可採用不同材料。舉例而言，散裝容器可由316L不銹鋼製成，且內部支撐結構可由一更耐用合金製成或塗覆有一更耐用合金。
一前驅體120依固體形式儲存在散裝容器115內，並且一前驅體121依固體形式儲存在散裝容器116內。儘管使用不同的元件符號，但前驅體120及121通常係相同材料。舉例而言，在使用中，使用散裝容器115直至前驅體120耗盡。然後，當更換或再填充散裝容器115時，使用散裝容器116。在前驅體121耗盡之後，當更換或再填充散裝容器116時，使用散裝容器115。因此，該程序之此部分沒有停機時間。一第一稱重單元125及一第二稱重單元126經構形以對散裝容器115及116稱重，來提供關於散裝容器115內剩餘之前驅體120之量及散裝容器116內剩餘之前驅體121之量之資訊。連接線127及128容許前驅體蒸氣離開散裝容器115及116。散裝容器115及116亦可採用額外監測特徵來監測複數個溫度區、真空位準、至第一導管105之質量通量率、內部/外部過濾、內部/外部提純、雜質位準等等。一可程式化邏輯控制器130控制一歧管135以調節前驅體120及121自散裝容器115及116至製造部之運送。具體而言，前驅體120及121在散裝容器115及116中被加熱以引起昇華，並且所得蒸氣經由蒸氣供應線105運送至製造部102，選用地使用由一載氣供應設備140供應之一載氣。較佳地，前驅體之溫度範圍為80至250攝氏度。供應線105較佳地亦被加熱為處於或高於散裝容器115或116中之前驅體溫度，並且經監測以量測前驅體輸送速率。前驅體120及121通常不同時藉由蒸氣供應線105運送。代替地，前驅體120及121較佳地依一交替方式運送，如上文所論述。由一吹掃氣體供應設備145供應之一吹掃氣體用於吹掃前驅體120及121通過之導管(例如，蒸氣供應線105)。較佳地藉由一自動化循環進行吹掃，以隨著潛在之化學材料透過未單獨標記之連接器離開散裝容器115及116而自線105移除該化學材料。透過一線147將廢棄物自歧管135移除至一真空處置單元148。亦可加熱線147以限制廢棄物產物之冷凝。作為一替代輸送方法，可與適當之歧管裝置串行或並行地使用散裝容器115及116。歧管裝置將仍然容許一單一容器向運行/再填充腔室提供蒸氣，同時更換另一散裝容器。串行或並行輸送之選項將容許更完全地消耗前驅體，同時不影響可用於運行/再填充腔室之蒸氣之量。此替代方案將減少散裝容器中殘餘前驅體之量並且將改良拥有成本。
一程序系統150位於製造部102中。程序系統150包含複數個運行/再填充腔室155至157，其自蒸氣供應線105接收前驅體120及121。特定言之，前驅體120及121作為一蒸氣進入運行/再填充腔室155至157，且接著藉由冷卻運行/再填充腔室155至157作為一固體在運行/再填充腔室155至157內沈積。出於本發明之目的，術語「沈積」及其變體係指化學氣相沈積(CVD)程序，借此將一前驅體氣體化學轉化為一固體膜，而非將一物體放在特定位置之更一般之動作。前驅體120及121依固體形式儲存在運行/再填充腔室155至157內。當需要時，藉由加熱對應運行/再填充腔室155至157，使前驅體120、121在運行/再填充腔室155至157之一者內昇華。運行再填充腔室155至157較佳地在至腔室之一運行模式與至一冷凝固體之再填充模式之間被快速加熱及冷卻。加熱及冷卻較佳地使用包含電阻加熱、熱油再循環及輻射加熱之若干技術之一者來達成。冷卻可藉由冷水、乙二醇、傳熱流體、帕爾貼(Peltier)冷卻裝置、焦爾-湯普森(Joule-Thompson)冷卻等等來完成。然後將前驅體120、121運送至一沈積腔室160，沈積腔室160較佳地緊靠運行/再填充腔室155至157並包含一壓力表161。替代地，前驅體120、121被運送至一第二運行/再填充腔室155至157。一導管165將腔室155至157連接至一真空。在第一種情況下，前驅體120及121之選擇一者用於在位於沈積腔室160內之一基板(未展示)上沈積一膜。額外共反應物及惰性氣體通常係一CVD或ALD程序之部分。此等未展示，但使用包含質量流量控制器(MFC)及壓力控制器(PC)之習知硬體來輸送。在一原子層沈積(ALD)程序中，共反應物氣體之輸送在時間上與前驅體蒸氣之輸送分離。一選用載氣供應設備170可用於在程序系統150內運送前驅體120及121，而一可程式化邏輯控制器175控制程序系統150。更具體而言，控制器175透過控制線176及177連接至儀表161及控制閥197，並且能夠藉由打開閥197量測及控制腔室160中之壓力，閥197通往真空198。由一吹掃氣體供應設備180供應之一吹掃氣體用於吹掃運行/再填充腔室155至157。
在一實施例中，運行/再填充腔室155至157之各者經定大小以保持足以用於一個沈積循環而不係兩個沈積循環之量之前驅體120或121。在其他實施例中，運行/再填充腔室155至157之各者經定大小以保持足以用於複數個沈積循環之量之前驅體120或121。出於本發明之目的，術語「沈積循環」係指用於將一單層前驅體沈積在一基板上之步驟。儘管運行/再填充腔室155至157係用不同元件符號標記，但運行/再填充腔室155至157可彼此相同。
出於本發明之目的，術語「運行/再填充」意指「運行及/或再填充」。當一腔室(例如，腔室155)處於其較低溫度設定時，該腔室經再填充，並且蒸氣經由蒸氣供應線105進入並冷凝在高表面積內部上。然後，當腔室處於其較高溫度設定時，該腔室運行，並且在循環之再填充部分期間已經冷凝之固體被蒸發，並且蒸氣經由一線(未標記)被輸送至沈積腔室。換言之，術語「運行/再填充腔室」指示該腔室充當運行腔室及再填充腔室兩者。運行/再填充腔室可納入過濾、提純、壓力/真空監測及輸送速率或固體膜感測。運行/再填充腔室較佳地經設計以針對各晶圓而循環，或者運行/再填充腔室之一個「再填充」經設計以在再次進行「再填充」之前針對兩個或更多個晶圓提供蒸氣。
現在參考圖2，展示根據本發明構造之一CVD系統200。除CVD系統200每沈積腔室具有一個運行/再填充腔室之外，CVD系統200通常以與CVD系統100相同之方式起作用。具體而言，一程序系統250包含複數個運行/再填充腔室255至257，其自蒸氣供應線105接收前驅體120及121。前驅體120及121作為一蒸氣進入運行/再填充腔室255至257，且接著藉由冷卻運行/再填充腔室255至257作為一固體沈積在運行/再填充腔室255至257內。當需要時，藉由加熱運行/再填充腔室255至257之一者，使前驅體120或121在該運行/再填充腔室255至257內昇華。然後將前驅體120或121運送至複數個沈積腔室260至262之一對應一者。前驅體120或121用於在位於對應沈積腔室260至262內之一基板(未展示)上沈積一膜。一選用之載氣供應設備270可用於在程序系統250內運送前驅體120及121，而一控制器275控制程序系統250。更具體而言，控制器275透過控制線276連接至儀表263至265。控制器275亦透過線277連接至控制閥295至297，並且能夠藉由打開閥295至297量測及控制腔室260至262中之壓力，閥295至297通往真空298。由一吹掃氣體供應設備280供應之一吹掃氣體用於吹掃運行/再填充腔室255至257。
圖3展示根據本發明構造之一CVD系統300。除CVD系統300包括複數個程序系統350至352之外，CVD系統300通常依與CVD系統100及200相同之方式起作用。各程序系統350至352包含一運行/再填充腔室355至357，其自蒸氣供應線105接收前驅體120及121。前驅體120及121作為蒸氣進入運行/再填充腔室355至357，且接著藉由冷卻運行/再填充腔室355至357作為一固體在運行/再填充腔室355至357內沈積。當需要時，藉由加熱運行/再填充腔室355至357之一者，使前驅體120或121在該運行/再填充腔室355至357內昇華。然後將前驅體120或121運送至一對應沈積腔室360至362。前驅體120或121用於在位於該沈積腔室360至362內之一基板(未展示)上沈積一膜。選用載氣供應設備370至372可用於在程序系統350至352內運送前驅體120及121，而控制器375至377控制程序系統350至352。更具體而言，控制器375至377藉由控制線連接至儀表363至365，其中線378至383被標記。控制器375至377亦連接至控制閥395至397，並且能夠藉由打開閥395至397量測及控制腔室360至362中之壓力，閥395至397通往398至400處之真空。由吹掃氣體供應設備380至382供應之一吹掃氣體用於吹掃運行/再填充腔室355至357。
轉至圖4，提供根據本發明構造之一運行/再填充腔室400之一橫截面。運行/再填充腔室400包含歧管405及406。一前驅體(未展示)作為一蒸氣透過入口410進入運行/再填充腔室400，入口410連接至歧管405。入口410亦將連接至一蒸氣供應線，諸如蒸氣供應線105 (未展示)。前驅體作為蒸氣透過一出口411離開運行/再填充腔室400，出口411連接至歧管406。出口411亦將經由一第二導管(例如，如圖1中所展示)連接至一沈積腔室，諸如沈積腔室160。吹掃氣體及載氣可透過歧管405進入運行/再填充腔室400，但入口不可見。運行/再填充腔室400亦包含其中儲存前驅體之複數個管420至425。具體而言，前驅體作為一蒸氣藉由入口410及歧管405，並作為一固體冷凝在管420至425內。為了達成此相變，使用一傳熱流體430冷卻管420至425，傳熱流體430位於環繞管420至425之腔室435中。傳熱流體430可為一液體或一氣體。腔室435至少部分地由運行/再填充腔室400之側壁440及441界定。傳熱流體430透過一入口445進入腔室435並透過一出口446離開腔室435。當需要使前驅體昇華時，使用另一傳熱流體(未展示)加熱管420至425，該另一傳熱流體透過一入口450進入腔室435並透過一出口451離開腔室435。諸如氮氣(N2 )或清潔乾燥空氣(CDA)之置換氣體可用於分離傳熱流體之兩個溫度。置換氣體透過一入口415進入腔室435並透過一出口416離開腔室435。較佳地，管420至425填充有一發泡體455，發泡體455與所使用之前驅體化學相容。舉例而言，發泡體455可為一鎳發泡體、一鋁發泡體或一石墨發泡體。發泡體455亦具有一高表面積及一高傳熱速率，此有助於前驅體之沈積及昇華。
雖然運行/再填充腔室400被描述為使用傳熱流體來加熱及冷卻，但根據本發明構造之運行/再填充腔室可藉由其他途徑來加熱及冷卻。舉例而言，可使用電阻加熱元件及帕爾貼裝置。此外，可代替發泡體455而使用增加表面積之其他介質，諸如珠子或拉西環。
現在參考圖5，提供根據本發明構造之一運行/再填充腔室500之一橫截面。運行/再填充腔室500包含歧管505及506。一前驅體(未展示)透過一入口510進入運行/再填充腔室500，入口510連接至歧管505。入口510亦將連接至一蒸氣供應線，諸如蒸氣供應線105 (未展示)。前驅體透過一出口511離開運行/再填充腔室500，出口511連接至歧管506。出口511亦將經由導管(未展示)連接至沈積腔室，例如沈積腔室160。吹掃氣體及載氣可藉由歧管505進入運行/再填充腔室500，但入口不可見。運行/再填充腔室500亦包含其中儲存前驅體之複數個管520至525。具體而言，前驅體作為一蒸氣行進穿過入口510及歧管505，並作為一固體沈積在管520至525內。較佳地，管520至525填充有一發泡體555，發泡體555與所使用之前驅體化學相容。舉例而言，發泡體555可為一鎳發泡體、一鋁發泡體或一石墨發泡體。發泡體555亦具有一高表面積及一高傳熱速率，此有助於前驅體之沈積及昇華。置換氣體透過一入口515進入腔室535並透過一出口516離開腔室535。
運行/再填充腔室500通常依與運行/再填充腔室400相同之方式起作用，但沿著管520至525之長度提供溫差或梯度以防止前驅體過度累積在最接近入口510之管520至525之端部除外。特定言之，此係藉由以下方式來達成：用絕緣體560環繞管520至525之中央部分，同時藉由在兩個不同溫度下使用一傳熱流體530而在管520至525之入口端部與出口端部之間建立一溫度差。具體而言，在循環之再填充或冷凝部分期間，管520至525朝向入口510之端部相比於管520至525朝向出口511之端部維持在一更高之溫度。絕緣體560位於一第一腔室535中，第一腔室535至少部分地由運行/再填充腔室500之側壁540及541界定。傳熱流體530位於一第二腔室536及一第三腔室537中，第二腔室536環繞最接近入口510之管520至525之端部，第三腔室537環繞最接近出口511之管520至525之端部。腔室536及537亦至少部分地由側壁540及541界定。傳熱流體530透過一入口545進入第二腔室536並透過一出口546離開第二腔室536。類似地，傳熱流體530透過一入口565進入第三腔室537並透過一出口566離開第三腔室537。當需要使前驅體昇華時，使用另一傳熱流體(未展示)加熱管520至525，該另一傳熱流體透過一入口550進入第二腔室536並透過一出口551離開第二腔室536。此另一傳熱流體亦透過一入口570進入第三腔室537並藉由一出口571離開第三腔室537。
較佳地，傳送至第二腔室536之傳熱流體之部分與傳送至第三腔室537之傳熱流體部分之溫度不同。舉例而言，此可藉由對傳熱流體之一個部分提供額外加熱或冷卻來達成。替代地，並非將相同傳熱流體傳送至第二腔室536及第三腔室537兩者，而係可將不同之傳熱流體傳送至第二腔室536及第三腔室537。在任一情況下，結果係獨立溫度控制，此容許沿著管520至525之長度進行更均勻冷凝及昇華。舉例而言，在沈積期間，第二腔室536中之傳熱流體相比於第三腔室537中之傳熱流體可相對更冷。在昇華期間，第二腔室536中之傳熱流體相比於第三腔室537中之傳熱流體可相對更熱。
轉至圖6，提供運行/再填充腔室400之另一橫截面。此視圖突出了管420至425及腔室435之形狀。具體而言，管420至425之各者具有一圓形橫截面。然而，在根據本發明構造之運行/再填充腔室中可使用其他配置。舉例而言，圖7展示包含各自具有一星形橫截面之複數個管720至725之運行/再填充腔室700。使用一星形橫截面而而非一圓形橫截面會為冷凝及昇華以及傳熱提供更多表面積。為完整起見，圖7中亦標記了一傳熱流體730、一腔室735以及側壁740及741。
圖8展示根據本發明構造之用於一運行/再填充腔室之另一管配置。特定言之，一運行/再填充腔室800包含管820至824，其具有矩形橫截面。管820至824之各者相對薄以提供更多之表面積。與其他實施例一樣，管820至824使用一傳熱流體830控制其溫度，傳熱流體830位元於至少部分地由側壁840及841界定之一腔室835中。
雖然已經描述某些例示性管配置，但應認識到，存在多種不同方式來增加運行/再填充腔室之管內之可用表面積。舉例而言，管可包括翅片。
除上文所提供之詳細描述之外，亦可使用以下一般實例理解本發明之一運行/再填充腔室之操作。在運行/再填充腔室處於一溫度T1之情況下，將一蒸氣/載氣混合物自一加熱蒸氣供應線輸送至運行/再填充腔室入口中。隨著混合氣體流過運行/再填充腔室之管，固體前驅體冷凝至管之內表面上。此內表面可為管本身或發泡體填料表面。將載氣藉由運行/再填充腔室出口拉至真空。此步驟經定時以在運行/再填充腔室之內部上提供所需負載之固體前驅體。選用地，可關閉入口流，同時將殘餘載氣泵送至真空。接下來，將運行/再填充腔室加熱至溫度T2。載氣流入運行/再填充腔室之入口，固體前驅體昇華，且蒸氣被載送至一沈積腔室。在循環結束時，使運行/再填充腔室之出口與沈積腔室隔離，並且將運行/再填充腔室冷卻至溫度T1。根據需要重複該循環。針對各晶圓沈積，針對ALD沈積之各脈衝或者針對一特定製造情況良好工作之任何時段，可重複此等型之操作循環。
在另一實例中，在溫度T1下將運行/再填充腔室抽空。接下來，自加熱蒸氣供應線輸送蒸氣，且使固體前驅體冷凝在運行/再填充腔室中。此步驟經定時以在運行/再填充腔室之內部上提供所需負載之固體前驅體。接下來，關閉至運行/再填充腔室之供應，並將腔室加熱至溫度T2。載氣流入運行/再填充腔室之入口，固體前驅體昇華，且蒸氣被載送至沈積腔室。在循環結束時，使運行/再填充腔室之出口與沈積腔室隔離，並且將腔室冷卻至溫度T1。根據需要重複該循環。
可使用以下一般實例理解本發明之一運行/再填充腔室之溫度控制。在運行/再填充腔室之起始狀態處於一溫度T2之情況下，在溫度T2下之傳熱流體流入一T2供應，並且離開一T2返回而到達將傳熱流體保持在溫度T2之儲存器。當需要將溫度快速改變至一溫度T1時，關閉T2供應，並且置換氣體將在溫度T2下之傳熱流體推至T2返回。當移除了在溫度T2下之大部分或足夠之傳熱流體時，亦關閉T2返回，開啟一T1供應，並且容許置換氣體自由地流回。當腔室填充有在一溫度T1下之一傳熱流體時，關閉置換氣體返回，並且一T1返回容許在溫度T1下之傳熱流體返回至將傳熱流體保持在溫度T1之一儲存器。在溫度T1下之傳熱流體繼續流過運行/再填充腔室，用於操作循環之沈積部分。當運行/再填充腔室之溫度需要再次升高至溫度T2時，執行一類似序列。關閉T1供應，並且置換氣體將在溫度T1下之傳熱流體推至T1返回。當移除了在溫度T1下之大部分或足夠之傳熱流體時，亦關閉T1返回，開啟T2供應，並且容許置換氣體自由地流回。當腔室填充有在溫度T2下之傳熱流體時，關閉置換氣體返回，並且T2返回容許在溫度T2下之傳熱流體返回至將傳熱流體保持在溫度T2之儲存器。在溫度T2下之傳熱流體繼續流過運行/再填充腔室，用於操作循環之昇華部分。
已經如此描述本發明之若干繪示性實施例，熟習此項技術者將容易瞭解，可在隨附申請專利範圍之範疇內製造及使用其他實施例。在先前描述中已經闡述本文件所涵蓋之本發明之諸多優點。具體而言，本發明提供一種化學品輸送系統，其在一CVD程序中高效地、有效地且一致地輸送一固體前驅體，同時最小化CVD系統之停機時間及在一程序工具附近佔據之空間量。然而，應理解，在諸多方面，本發明僅係繪示性的。在不超出本發明之範疇之情況下，可對細節進行改變，特別是在部件形狀、大小及配置方面。舉例而言，散裝容器可含有一低蒸氣壓力液體或在散裝容器中熔化之一固體，以最佳化散裝容器之蒸氣輸送或再填充。當然，本發明之範疇係依表達隨附申請專利範圍之語言來定義的。
100‧‧‧CVD系統 101‧‧‧子製造區域 102‧‧‧製造區域或地板/製造部 105‧‧‧蒸氣供應線 110‧‧‧散裝櫃 115‧‧‧第一散裝容器 116‧‧‧第二散裝容器 120‧‧‧前驅體 121‧‧‧前驅體 125‧‧‧第一稱重單元 126‧‧‧第二稱重單元 127‧‧‧連接線 128‧‧‧連接線 130‧‧‧可程式化邏輯控制器 135‧‧‧歧管 140‧‧‧載氣供應設備 145‧‧‧吹掃氣體供應設備 147‧‧‧線 148‧‧‧散裝真空/廢棄物 150‧‧‧程序系統 155‧‧‧運行/再填充腔室 156‧‧‧運行/再填充腔室 157‧‧‧運行/再填充腔室 160‧‧‧沈積腔室 161‧‧‧壓力表 165‧‧‧導管 170‧‧‧載氣供應設備 175‧‧‧可程式化邏輯控制器 176‧‧‧線 177‧‧‧線 180‧‧‧吹掃氣體供應設備 197‧‧‧閥 198‧‧‧真空 200‧‧‧CVD系統 250‧‧‧程序系統 255‧‧‧運行/再填充腔室 256‧‧‧運行/再填充腔室 257‧‧‧運行/再填充腔室 260‧‧‧沈積腔室 261‧‧‧沈積腔室 262‧‧‧沈積腔室 263‧‧‧儀表 264‧‧‧儀表 265‧‧‧儀表 270‧‧‧載氣供應設備 275‧‧‧控制器 276‧‧‧控制線 277‧‧‧線 280‧‧‧吹掃氣體供應設備 295‧‧‧閥 296‧‧‧閥 297‧‧‧閥 298‧‧‧真空 350‧‧‧程序系統 351‧‧‧程序系統 352‧‧‧程序系統 355‧‧‧運行/再填充腔室 356‧‧‧運行/再填充腔室 357‧‧‧運行/再填充腔室 360‧‧‧沈積腔室 361‧‧‧沈積腔室 362‧‧‧沈積腔室 363‧‧‧儀表 364‧‧‧儀表 365‧‧‧儀表 370‧‧‧載氣供應設備 371‧‧‧載氣供應設備 372‧‧‧載氣供應設備 375‧‧‧控制器 376‧‧‧控制器 377‧‧‧控制器 378‧‧‧線 379‧‧‧線 380‧‧‧線 381‧‧‧線 382‧‧‧線 383‧‧‧線 395‧‧‧閥 396‧‧‧閥 397‧‧‧閥 398‧‧‧真空 399‧‧‧真空 400‧‧‧真空 405‧‧‧歧管 406‧‧‧歧管 410‧‧‧入口 411‧‧‧出口 415‧‧‧入口 416‧‧‧出口 420‧‧‧管 421‧‧‧管 422‧‧‧管 423‧‧‧管 424‧‧‧管 425‧‧‧管 430‧‧‧傳熱流體 435‧‧‧腔室 440‧‧‧側壁 441‧‧‧側壁 445‧‧‧入口 446‧‧‧出口 450‧‧‧入口 451‧‧‧出口 455‧‧‧發泡體 500‧‧‧運行/再填充腔室 505‧‧‧歧管 506‧‧‧歧管 510‧‧‧入口 511‧‧‧出口 515‧‧‧入口 516‧‧‧出口 520‧‧‧管 521‧‧‧管 522‧‧‧管 523‧‧‧管 524‧‧‧管 525‧‧‧管 530‧‧‧傳熱流體 530‧‧‧傳熱流體 535‧‧‧第一腔室 536‧‧‧第二腔室 537‧‧‧第三腔室 540‧‧‧側壁 541‧‧‧側壁 545‧‧‧入口 546‧‧‧出口 550‧‧‧入口 551‧‧‧出口 555‧‧‧發泡體 560‧‧‧絕緣體 565‧‧‧入口 566‧‧‧出口 570‧‧‧入口 571‧‧‧出口 700‧‧‧運行/再填充腔室 720‧‧‧管 721‧‧‧管 722‧‧‧管 723‧‧‧管 724‧‧‧管 725‧‧‧管 730‧‧‧傳熱流體 735‧‧‧腔室 740‧‧‧側壁 741‧‧‧側壁 800‧‧‧運行/再填充腔室 820‧‧‧管 821‧‧‧管 822‧‧‧管 823‧‧‧管 824‧‧‧管 830‧‧‧傳熱流體 835‧‧‧腔室 840‧‧‧側壁 841‧‧‧側壁
考慮到結合隨附圖式之各種繪示性實施例之以下描述，可更完整地理解本發明，在隨附圖式中：
圖1係根據本發明構造之一第一CVD系統之一示意圖；
圖2係根據本發明構造之一第二CVD系統之一示意圖；
圖3係根據本發明構造之一第三CVD系統之一示意圖；
圖4係根據本發明構造之一第一運行/再填充腔室之一側橫截面。
圖5係根據本發明構造之一第二運行/再填充腔室之一側橫截面。
圖6係第一運行/再填充腔室之一頂部橫截面；
圖7係根據本發明構造之一第三運行/再填充腔室之一頂部橫截面；及
圖8係根據本發明構造之一第四運行/再填充腔室之一頂部橫截面。
儘管本發明容許各種修改及替代形式，但其細節已經藉由實例在附圖中被展示並且將被詳細描述。然而，應理解，不希望將本發明之方面限制於所描述之特定繪示性實施例。相反，希望涵蓋在本發明之精神及範疇內之所有修改、等效物及替代物。
100‧‧‧CVD系統
101‧‧‧子製造區域
102‧‧‧製造區域或地板/製造部
105‧‧‧蒸氣供應線
110‧‧‧散裝櫃
115‧‧‧第一散裝容器
116‧‧‧第二散裝容器
120‧‧‧前驅體
121‧‧‧前驅體
125‧‧‧第一稱重單元
126‧‧‧第二稱重單元
127‧‧‧連接線
128‧‧‧連接線
130‧‧‧可程式化邏輯控制器
135‧‧‧歧管
140‧‧‧載氣供應設備
145‧‧‧吹掃氣體供應設備
147‧‧‧線
148‧‧‧散裝真空/廢棄物
150‧‧‧程序系統
155‧‧‧運行/再填充腔室
156‧‧‧運行/再填充腔室
157‧‧‧運行/再填充腔室
160‧‧‧沈積腔室
161‧‧‧壓力表
165‧‧‧導管
170‧‧‧載氣供應設備
175‧‧‧可程式化邏輯控制器
176‧‧‧線
177‧‧‧線
180‧‧‧吹掃氣體供應設備
197‧‧‧閥
198‧‧‧真空

Claims (10)

  1. 一種操作化學品輸送系統之方法，該化學品輸送系統包括至少一個散裝容器、至少一個運行/再填充腔室及至少一個沈積腔室，該方法包括：將前驅體儲存至該等散裝容器之至少一者中；依蒸氣形式將該前驅體自該散裝容器運送至第一運行/再填充腔室；依蒸氣形式於該第一運行/再填充腔室中接收該前驅體，其中該等運行/再填充腔室之至少一者包含具有表面之複數個間隔管，其經構形以接收蒸氣形式之該前驅體並以固體形式儲存該前驅體；藉由使用傳熱流體環繞該等管而冷卻該第一運行/再填充腔室，以冷凝該前驅體並依固體形式將該前驅體儲存於該第一運行/再填充腔室中；藉由使用另一傳熱流體環繞該等管而加熱該第一運行/再填充腔室，以於該第一運行/再填充腔室內引起該固體前驅體之昇華；及依蒸氣形式將該昇華前驅體自該第一運行/再填充腔室運送至第一沈積腔室。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包括：依蒸氣形式將該前驅體自該散裝容器運送至第二運行/再填充腔室；依蒸氣形式於該第二運行/再填充腔室中接收該前驅體；及冷凝該前驅體並依固體形式將該前驅體儲存於該第二運行/再填充腔室中。
  3. 如請求項2之方法，其中依蒸氣形式於該第二運行/再填充腔室中接收該前驅體，同時於該第一運行/再填充腔室內昇華該固體前驅體。
  4. 如請求項2之方法，其進一步包括：引起該第二運行/再填充腔室內之該固體前驅體之昇華；及依蒸氣形式將該昇華前驅體自該第二運行/再填充腔室運送至該第一沈積腔室。
  5. 如請求項4之方法，其中該固體前驅體於該第二運行/再填充腔室內昇華，同時依蒸氣形式於該第一運行/再填充腔室中接收該前驅體。
  6. 如請求項1之方法，其中該複數個間隔管之各者具有圓形橫截面、矩形橫截面或星形橫截面。
  7. 如請求項1之方法，其中依蒸氣形式將該前驅體自該散裝容器運送至該第一運行/再填充腔室包括加熱該散裝容器並於第一加熱導管中運送該蒸氣；冷凝該前驅體並依固體形式將該前驅體儲存於該第一運行/再填充腔室中包括冷卻該第一運行/再填充腔室；及依蒸氣形式將該昇華前驅體自該第一運行/再填充腔室運送至第一沈積腔室包括加熱該第一運行/再填充腔室並於第二加熱導管中運送該蒸氣。
  8. 一種化學品輸送系統，其包括：至少一個散裝容器，其經構形以儲存前驅體；至少一個運行/再填充腔室，其包含複數個間隔管，其經構形以接收蒸氣形式之該前驅體並以固體形式儲存該前驅體，該複數個間隔管經構形為經傳熱流體環繞；至少一個沈積腔室，其經構形以自該等運行/再填充腔室接收昇華前驅體；第一導管，其將該散裝容器連接至該運行/再填充腔室，用於依蒸氣形式將該前驅體自該散裝容器運送至該等運行/再填充腔室；及第二導管，其用於依蒸氣形式將昇華前驅體自該運行/再填充腔室運送至該沈積腔室。
  9. 如請求項8之化學品輸送系統，其中該複數個間隔管之各者具有圓形橫截面、矩形橫截面或星形橫截面。
  10. 如請求項9之化學品輸送系統，其中該複數個間隔管之各者填充有發泡體。
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