TWI731717B - Ｘ射線產生管、ｘ射線產生裝置及ｘ射線攝像裝置 - Google Patents
Ｘ射線產生管、ｘ射線產生裝置及ｘ射線攝像裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI731717B TWI731717B TW109120001A TW109120001A TWI731717B TW I731717 B TWI731717 B TW I731717B TW 109120001 A TW109120001 A TW 109120001A TW 109120001 A TW109120001 A TW 109120001A TW I731717 B TWI731717 B TW I731717B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- ray generating
- space
- anode
- ray
- generating tube
- Prior art date
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 15
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/14—Arrangements for concentrating, focusing, or directing the cathode ray
- H01J35/147—Spot size control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/14—Arrangements for concentrating, focusing, or directing the cathode ray
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/06—Cathodes
- H01J35/064—Details of the emitter, e.g. material or structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/30—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from X-rays
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
- H05G1/08—Electrical details
- H05G1/10—Power supply arrangements for feeding the X-ray tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/20—Arrangements for controlling gases within the X-ray tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/16—Vessels; Containers; Shields associated therewith
- H01J35/18—Windows
- H01J35/186—Windows used as targets or X-ray converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
X射線產生裝置具備電子槍和陽極，前述陽極具有因來自前述電子槍的電子進行衝撞而產生X射線的靶材。前述電子槍包含具有電子放出部的陰極、引出從前述電子放出部放出的電子的引出電極、和將由前述引出電極引出的電子予以聚焦的聚焦電極。前述聚焦電極包含具有管形狀的第1部分、和配置於前述第1部分的內側的第2部分。前述第1部分具有與前述陽極面對的前端部，前述第2部分具有與前述陽極相向的相向面，前述相向面具有使來自前述電子放出部的電子通過的電子通過孔。前述前端部與前述陽極的距離比前述相向面與前述陽極的距離小。前述前端部的熱導率比前述第2部分的熱導率小。
Description
本發明涉及X射線產生管、X射線產生裝置及X射線攝像裝置。
X射線產生裝置例如利用於透過X射線對被檢物進行攝像的X射線攝像裝置。於專利文獻1，記載產生X射線的X射線產生管。記載於專利文獻1的X射線產生管包含陰極、靶材、配置於陰極與靶材之間的第1控制柵、和配置於第1控制柵與靶材之間的第2控制柵。第2控制柵具有抑制電子束的擴散的開口限制元件。透過設置開口限制元件使得可使電子束尺寸縮小。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-265917號公報
然而，在X射線產生管設置如上述的開口限制元件而使X射線焦點尺寸微小化的結果，產生X射線焦點尺寸不穩定如此的新的問題。
本發明的第1方案涉及一種X射線產生管，其具備電子槍和陽極，前述陽極具有因來自前述電子槍的電子進行衝撞而產生X射線的靶材，前述電子槍包含具有電子放出部的陰極、引出從前述電子放出部放出的電子的引出電極、和將由前述引出電極引出的電子予以聚焦的聚焦電極，前述聚焦電極包含具有管形狀的第1部分、和配置於前述第1部分的內側的第2部分，前述第1部分具有與前述陽極面對的前端部，前述第2部分具有與前述陽極相向的相向面，前述相向面具有使來自前述電子放出部的電子通過的電子通過孔，前述前端部與前述陽極的距離比前述相向面與前述陽極的距離小，前述前端部的熱導率比前述第2部分的熱導率小。
本發明的第2方案涉及X射線產生裝置，前述X射線產生裝置包含前述第1方案的X射線產生管、和驅動前述X射線產生管的驅動電路。
本發明的第3方案具備前述第2方案的X射線產生裝置、和對從前述X射線產生裝置放射並穿透物體的X射線進行檢測的X射線檢測裝置。
以下，參照圖式詳細說明實施方式。另外，以下的實施方式非限定申請專利範圍的發明者。於實施方式雖記載複數個特徵，惟不限於此等複數個特徵的全部為發明必須者，此外複數個特徵亦可任意進行組合。再者，圖式中，對相同或同樣的構成標注相同的參考符號，重複之說明省略。
於圖1，示出本發明的一實施方式的X射線產生管1的構成。X射線產生管1可具備電子槍EG、具有由於來自電子槍EG的電子進行衝撞因而產生X射線的靶材933的陽極93、和絕緣管92。X射線產生管1能以將絕緣管92的2個開口端中的其中一方閉塞的方式配置陽極93，以將絕緣管92的2個開口端的另一方閉塞的方式配置包含電子槍EG的閉塞構件91。
陽極93可包含靶材933、將靶材933進行保持的靶材保持板932、和將靶材保持板932進行保持的電極931。電極931與靶材933電連接而對靶材933提供電位。靶材933因來自電子槍EG的電子衝撞於靶材933而產生X射線。產生的X射線穿透靶材保持板932而朝X射線產生管1的外部放射。陽極93例如可維持為接地電位，惟亦可維持為其他電位。靶材933能以熔點高、X射線的產生效率高的材料如鎢、鉭或鉬等構成。靶材保持板932例如能以容易使X射線透射的材料如鈹、鑽石等構成。
於圖2，示意性示出本發明的第1實施方式的X射線產生管1的構成。在圖2，雖示為電子槍EG與陽極93接近，惟電子槍EG與陽極93可配置為較隔離。電子槍EG可具備具有放出電子的電子放出部的陰極10、引出從該電子放出部放出的電子的引出電極30、和將透過引出電極30引出的電子予以聚焦的聚焦電極40。陰極10作為電子放出部可具有例如氧化物陰極、浸漬式陰極、或熱絲等。將陰極10加熱使得可放出電子。引出電極30具有使電子通過的通過孔32。電子槍EG亦可在陰極10與引出電極30之間具備閘電極20。閘電極20具有使電子通過的通過孔22。
聚焦電極40可包含具有管形狀的第1部分41、和從第1部分41朝管徑方向內側延伸而具有選擇性使電子束之中心附近的電子通過的電子通過孔422的第2部分42。第1部分41及第2部分42可彼此電連接而被提供相同電位。或者，第1部分41及第2部分42亦可彼此絕緣而被提供不同的電位。第2部分42可具有位於陰極10之側的內側面(LW1)、和為與該內側面相反之側的面而與陽極93相向的相向面UP1。第1部分41可具有面對陽極93的前端部E2。第2部分42包含板部421，相向面UP1可設於板部421。板部421或相向面UP1可具有抑制來自陰極10的電子放出部的電子束的擴散的電子通過孔422。第1部分41的前端部E2與陽極93的距離比第2部分42的相向面UP1與陽極93的距離小。前端部E2的熱導率比第2部分42(板部421)的熱導率小。
作成前端部E2的熱導率比第2部分42(板部421)的熱導率小的構成，使得在X射線產生管1的製造時或初期調整時，對第1部分41與陽極93之間施加比在X射線產生管1的驅動時施加的X射線產生用電子加速電壓高的電壓，從而可易於透過熱而損壞存在於前端部E2的表面的微小的凸部。其結果，可抑制在X射線產生管1的使用時(X射線的產生時)從前端部E2放出電子。藉此，可抑制從前端部E2放出的電子衝撞於如電極931的構件，亦即可抑制衝撞於非靶材933之處致使從該處放射X射線。此外，作成前端部E2的熱導率比第2部分42(板部421)的熱導率小的構成(亦即，第2部分42的熱導率比前端部E2的熱導率大的構成)，使得在X射線產生管1的使用時(X射線的產生時)，可迅速使因往第2部分42的電子的衝撞而在第2部分42產生的熱擴散。藉此，可減低第2部分42因熱而變形所致的電子通過孔422的形狀的變化，亦可使予以微小化的X射線焦點尺寸穩定化。
於一例中，第1部分41以不鏽鋼構成，第2部分42以鉬或鉬合金構成。構成第1部分41的不鏽鋼例如可為SUS304、SUS304L、SUS316、SUS316L等。此等不鏽鋼的熱導率在100℃下可為13.8～27.2(W／(m・℃))。鉬的熱導率在300K下為128(W／(m・℃))。
於他例中，第1部分41能以不鏽鋼構成，第2部分42能以鎢、鎢合金、銅、銅合金、鉭、鉭合金、鈮、或鈮合金等構成。於再其他例中，第1部分41能以不鏽鋼構成，第2部分42能以碳化矽構成。
第1部分41與第2部分42可電連接。第1部分41與引出電極30可電連接。在陰極10與引出電極30之間，可配置具有使電子通過的通過孔22的閘電極20。對閘電極20，可提供比對陰極10提供的電位低的電位。
第2部分42可界定柱狀的第1空間SP1的至少一部分。在示於圖2之例，由第2部分42界定柱狀的第1空間SP1的一部分，由第1部分41的內側面IS1界定柱狀的第1空間SP1的其他一部分，由引出電極30界定形成柱狀的第1空間SP1的再其他一部分。第1空間SP1例如可具有圓柱形狀。第2部分42的相向面UP1與第1部分41的內側面IS1可界定第2空間SP2的至少一部分。
於圖3，示意性示出本發明的第2實施方式的X射線產生管1的構成。於圖4，例示圖3中的B-B’剖面。於圖5，例示圖3中的A-A’剖面的第1例。在圖3，雖示為電子槍EG與陽極93接近，惟電子槍EG與陽極93可配置為較隔離。第2實施方式中未言及的事項可遵照第1實施方式。
電子槍EG可具備具有放出電子的電子放出部的陰極10、引出從該電子放出部放出的電子的引出電極30、和將透過引出電極30引出的電子予以聚焦的聚焦電極40。陰極10作為電子放出部例如被以配置於附近的加熱器加熱從而可放出電子。引出電極30具有使電子通過的通過孔32。電子槍EG亦可在陰極10與引出電極30之間具備閘電極20。閘電極20具有使電子通過的通過孔22。
聚焦電極40可包含具有管形狀的第1部分41、和配置於第1部分41的內側的第2部分42。第2部分42可具有位於陰極10之側的陰極側面(陰極側的面)、和與該陰極側面相反之側的陽極側面(陽極側的面)。第2部分42的該陰極側面可具有第1面LW1和與第1面LW1具有角度的第2面LW2。第2部分42的該陽極側面可具有第1面LW1的相反側的第3面UP1(相向面)、和為第2面LW2的相反側而與第3面(相向面)UP1具有角度的第4面UP2(外側面)。
由第2部分42的第1面LW1及第2面LW2可界定第1空間SP1的至少一部分。其他觀點方面，第2部分42(的第1面LW1及第2面LW2)在第2部分42的內側可界定柱狀(例如，圓柱狀)的第1空間SP1的至少一部分。
此外，由第2部分42的第3面(相向面)UP1與第1部分41的內側面IS1，可界定第2空間SP2。此外，由第2部分42的第4面UP2(外側面)與第1部分41的內側面IS1，可界定第3空間SP3的一部分。第2部分42可具有使電子通過的電子通過孔422、和將第1空間SP1與第3空間SP3予以連通的連通部431。其他觀點方面，連通部431將第2部分42的內側空間(第1空間SP1)、和由第2部分42的外側面UP1、UP2與第1部分41的內側面IS1形成的外側空間(第2空間SP2及第3空間SP3)予以連通。
第2部分42可含有具有電子通過孔422的板部421、和具有管形狀的管形狀部43。其他觀點方面，管形狀部43的一端可連接於板部421。聚焦電極40可進一步包含將管形狀部43的另一端與第1部分41連接的連接部44。連接部44能以導電構件構成，亦能以絕緣體構成。第2部分42的連通部431可經由第3空間SP3將第1空間SP1與第2空間SP2予以連通。連通部431可設於管形狀部43。
第1部分41及第2部分42可被構成為相對於軸AX具有同軸構造。第1部分41可包含以軸AX為中心軸之圓筒部。第2部分42可包含以軸AX為中心軸之圓筒部。第1部分41可配置為將第2部分42之側方遍及全周而包圍。或者，第1部分41可配置為在以切斷第2部分42的方式與軸AX正交的剖面中的任一者方面皆將第2部分42遍及全周而包圍。其他觀點方面，第1部分41可配置為包圍第2部分42的連通部431。或者，第1部分41可配置為在以將第2部分42的連通部431切斷的方式與軸AX正交的剖面中的任一者方面皆包圍第2部分42的連通部431。如以上的構成在為了抑制聚焦電極40的第2部分42、和在可被配置於聚焦電極40的外側的未圖示的構件之間的放電方面具有效果。此在第2部分42具有如可感應放電的曲率半徑小的部分(曲率大的部分)的情況下特別有利地產生作用。
於一例中，第1空間SP1除第2部分42以外可由引出電極30界定。第1空間SP1非密閉空間，經由電子通過孔422及連通部431連通於第2空間SP2。此外，第1空間SP1經由通過孔32而與陰極10之側的空間連通。
第1部分41及第2部分42可彼此電連接，被提供相同電位。或者，第1部分41、第2部分42及連接部44可彼此電連接，被提供相同電位。引出電極30可電連接於第2部分42，亦可相對於第2部分42被電絕緣，被提供與對第2部分42提供的電位不同的電位。於一例中，引出電極30固定於聚焦電極40。
設於聚焦電極40的第2部分42的板部421限制到達於第2空間SP2之電子束的徑長。構成僅通過設於板部421的電子通過孔422的電子到達於第2空間SP2的電子束。其他電子衝撞於板部421，被板部421吸收。將具有電子通過孔422的板部421設於第2部分42，使得可將從電子槍EG放射的電子束予以聚焦於更小的區域。
來自陰極10的電子衝撞於板部421的第1面LW1使得氣體從第1面LW1放出，氣體在第1空間SP1跨長時間滯留時，來自陰極10的電子與氣體衝撞的機率變高。電子與氣體的衝撞使得氣體會被離子化。如此般產生的離子會被朝陰極10加速，衝撞於陰極10。據此陰極10會劣化。
所以，在第2實施方式的電子槍EG方面，在第2部分42設置將第1空間SP1與第2空間SP2予以連通的連通部431。連通部431可被配置於電子對其不會入射的位置、或電子對其入射的可能性低的位置。其他觀點方面，連通部431可配置於不使電子通過的位置。連通部431促成在第1空間SP1產生的氣體迅速從第1空間SP1排出至第2空間SP2，此作用為抑制陰極10的劣化。
聚焦電極40亦可被構成為，在板部421之中電子會衝撞的區域與第1部分41的內側面IS1之間存在經由連通部431之直線路徑。或者，聚焦電極40亦可被構成為，在設於板部421的電子通過孔422與第1部分41的內側面IS1之間存在經由連通部431的直線路徑。如此的構成促成因對於板部421之電子的衝撞而可產生的氣體迅速排出至第2空間SP2(或第3空間SP3)。
第1部分41具有陰極10的電子放出部之側的前端部(第1端部)E2、和與前端部E2相反之側的後端部(第2端部)E1，後端部E1可被構成為不具有角部。如此之構成在為了抑制在第1部分41與可被配置於其外側的構件之間的放電方面具有效果。
於圖6，示出本發明的一實施方式的X射線產生裝置100的構成。X射線產生裝置100可具備上述的X射線產生管1和將X射線產生管1驅動的驅動電路3。X射線產生裝置100可進一步具備對驅動電路3供應被升壓的電壓的升壓電路2。X射線產生裝置100可進一步具備收納X射線產生管1、驅動電路3及升壓電路2的收納容器4。在收納容器4之中可填充絕緣油。
於圖7，示出本發明的一實施方式的X射線攝像裝置200的構成。X射線攝像裝置200可具備X射線產生裝置100、和對從X射線產生裝置100放射的穿透物體106的X射線104進行檢測的X射線檢測裝置110。X射線攝像裝置200亦可進一步具備控制裝置120及顯示裝置130。X射線檢測裝置110可包含X射線檢測器112和信號處理部114。控制裝置120可控制X射線產生裝置100及X射線檢測裝置110。X射線檢測器112對從X射線產生裝置100放射並穿透物體106的X射線104進行檢測或攝像。信號處理部114可對從X射線檢測器112輸出的信號進行處理，將被處理的信號對控制裝置120供應。控制裝置120根據從信號處理部114供應的信號，使圖像顯示於顯示裝置130。
發明不限於上述實施方式，在不從發明的精神及範圍脫離之下，可進行各種的變更及變形。因此，撰寫申請專利範圍以公開發明的範圍。
1:X射線產生管
2:升壓電路
3:驅動電路
4:收納容器
10:陰極
20:閘電極
22:通過孔
30:引出電極
32:通過孔
40:聚焦電極
41:第1部分
42:第2部分
43:管形狀部
44:連接部
91:閉塞構件
92:絕緣管
93:陽極
100:X射線產生裝置
104:X射線
106:物體
110:X射線檢測裝置
112:X射線檢測器
114:信號處理部
120:控制裝置
130:顯示裝置
200:X射線攝像裝置
421:板部
422:電子通過孔
431:連通部
931:電極
932:靶材保持板
933:靶材
AX:軸
E1:後端部
E2:前端部
EG:電子槍
IS1:內側面
LW1:第1面
LW2:第2面
SP1:第1空間
SP2:第2空間
SP3:第3空間
UP1:第3面
UP2:第4面
[圖1]示意性就本發明的一實施方式的X射線產生裝置的構成進行繪示的圖。
[圖2]示意性就本發明的第1實施方式的電子槍的構成進行繪示的剖面圖。
[圖3]示意性就本發明的第2實施方式的電子槍的構成進行繪示的剖面圖。
[圖4]就圖3中的B-B’剖面進行例示的圖。
[圖5]就圖3中的A-A’剖面進行例示的圖。
[圖6]示意性就本發明的一實施方式的X射線產生裝置的構成進行繪示的剖面圖。
[圖7]就本發明的一實施方式的X射線攝像裝置的構成進行繪示的圖。
1:X射線產生管
10:陰極
20:閘電極
22:通過孔
30:引出電極
32:通過孔
40:聚焦電極
41:第1部分
42:第2部分
93:陽極
421:板部
422:電子通過孔
931:電極
932:靶材保持板
933:靶材
AX:軸
E1:後端部
E2:前端部
EG:電子槍
IS1:內側面
LW1:第1面
SP1:第1空間
SP2:第2空間
UP1:第3面
Claims (13)
- 一種X射線產生管，其具備電子槍和陽極，前述陽極具有因來自前述電子槍的電子進行衝撞而產生X射線的靶材，前述電子槍包含具有電子放出部的陰極、引出從前述電子放出部放出的電子的引出電極、和將由前述引出電極引出的電子予以聚焦的聚焦電極，前述聚焦電極包含具有管形狀的第1部分和配置於前述第1部分的內側的第2部分，前述第1部分具有與前述陽極面對的前端部，前述第2部分具有與前述陽極相向的相向面，前述相向面具有使來自前述電子放出部的電子通過的電子通過孔，前述前端部與前述陽極的距離比前述相向面與前述陽極的距離小，前述前端部的熱導率比前述第2部分的熱導率小。
- 如請求項1的X射線產生管，其中，前述第1部分含有包含前述前端部的圓筒形狀部，前述第2部分含有具有前述電子通過孔的板部。
- 如請求項1的X射線產生管，其中，前述第1部分與前述第2部分電連接。
- 如請求項1的X射線產生管，其中，前述第1部分與前述引出電極電連接。
- 如請求項1的X射線產生管，其進一步具備配置於前述陰極與前述引出電極之間的閘電極。
- 如請求項5的X射線產生管，其中，對前述閘電極提供比對前述陰極提供的電位低的電位。
- 如請求項1的X射線產生管，其中，前述第1部分以不銹鋼構成，前述第2部分以鉬構成。
- 如請求項1的X射線產生管，其中，前述第2部分界定柱狀的第1空間的至少一部分，前述第1部分的內側面及前述第2部分的前述相向面界定第2空間的至少一部分，前述第2部分具有將前述第1空間與前述第2空間予以連通的連通部。
- 如請求項8的X射線產生管，其中，前述第1部分包圍前述連通部。
- 如請求項8的X射線產生管，其中，前述第2部分含有具有前述電子通過孔的板部和具有管形狀的管形狀部，前述管形狀部的一端連接於前述板部，前述連通部設於前述管形狀部。
- 如請求項10的X射線產生管，其中，在前述管形狀部的外側面與前述第1部分的前述內側面之間界定第3空間，前述第2部分的前述連通部經由前述第3空間將前述第1空間與前述第2空間予以連通。
- 一種X射線產生裝置，其包含：如請求項1至11中任一項之X射線產生管、和驅動前述X射線產生管的驅動電路。
- 一種X射線攝像裝置，其具備：如請求項12的X射線產生裝置、和對從前述X射線產生裝置放射並穿透物體的X射線進行檢測的X射線檢測裝置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2019/024986 WO2020261339A1 (ja) | 2019-06-24 | 2019-06-24 | Ｘ線発生管、ｘ線発生装置およびｘ線撮像装置 |
| WOPCT/JP2019/024986 | 2019-06-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202107504A TW202107504A (zh) | 2021-02-16 |
| TWI731717B true TWI731717B (zh) | 2021-06-21 |
Family
ID=68836043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109120001A TWI731717B (zh) | 2019-06-24 | 2020-06-15 | Ｘ射線產生管、ｘ射線產生裝置及ｘ射線攝像裝置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10841515B1 (zh) |
| EP (1) | EP3971937B1 (zh) |
| JP (1) | JP6619916B1 (zh) |
| KR (1) | KR102414965B1 (zh) |
| CN (1) | CN114008733B (zh) |
| TW (1) | TWI731717B (zh) |
| WO (1) | WO2020261339A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10845491B2 (en) | 2018-06-04 | 2020-11-24 | Sigray, Inc. | Energy-resolving x-ray detection system |
| GB2591630B (en) | 2018-07-26 | 2023-05-24 | Sigray Inc | High brightness x-ray reflection source |
| US11056308B2 (en) | 2018-09-07 | 2021-07-06 | Sigray, Inc. | System and method for depth-selectable x-ray analysis |
| WO2021011209A1 (en) | 2019-07-15 | 2021-01-21 | Sigray, Inc. | X-ray source with rotating anode at atmospheric pressure |
| JP7278464B1 (ja) | 2022-06-28 | 2023-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | Ｘ線管 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000030641A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Hamamatsu Photonics Kk | Ｘ線管 |
| CN102598197A (zh) * | 2009-10-30 | 2012-07-18 | 东芝电子管器件株式会社 | X射线管 |
| US20120307974A1 (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray tube and radiation imaging apparatus |
| US20140126704A1 (en) * | 2012-11-08 | 2014-05-08 | General Electric Company | Systems and methods for monitoring and controlling an electron beam |
| JP2014160547A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Canon Inc | 放射線発生管及びそれを用いた放射線撮影システム |
| CN105612596A (zh) * | 2013-10-08 | 2016-05-25 | 莫克斯泰克公司 | 模块化x射线源 |
| TW201817285A (zh) * | 2016-10-28 | 2018-05-01 | 日商佳能股份有限公司 | Ｘ射線產生設備 |
| TW202044302A (zh) * | 2019-04-15 | 2020-12-01 | 日商佳能安內華股份有限公司 | Ｘ射線產生裝置及ｘ射線攝影裝置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5619855A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-24 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | X-ray generator |
| US5428658A (en) * | 1994-01-21 | 1995-06-27 | Photoelectron Corporation | X-ray source with flexible probe |
| DE69940637D1 (de) * | 1998-07-09 | 2009-05-07 | Hamamatsu Photonics Kk | Röntgenröhre |
| JP2007265917A (ja) | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | Ｘ線管及びその制御方法 |
| JP2010021011A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | 回転陽極型ｘ線管装置 |
| JP5214361B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | Ｘ線管およびｘ線分析装置 |
| KR101868009B1 (ko) | 2012-06-18 | 2018-06-18 | 한국전자통신연구원 | 전계 방출 엑스선원 및 이를 이용한 전자 빔 집속 방법 |
| JP6821304B2 (ja) | 2016-01-29 | 2021-01-27 | キヤノン株式会社 | 電子銃、ｘ線発生管、ｘ線発生装置およびｘ線撮影システム |
| KR102361378B1 (ko) * | 2018-12-28 | 2022-02-09 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 전자총, x선 발생 장치 및 x선 촬상 장치 |
-
2019
- 2019-06-24 CN CN201980097775.6A patent/CN114008733B/zh active Active
- 2019-06-24 WO PCT/JP2019/024986 patent/WO2020261339A1/ja active Application Filing
- 2019-06-24 JP JP2019554005A patent/JP6619916B1/ja active Active
- 2019-06-24 KR KR1020217041439A patent/KR102414965B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-24 EP EP19934767.5A patent/EP3971937B1/en active Active
-
2020
- 2020-05-01 US US16/864,199 patent/US10841515B1/en active Active
- 2020-06-15 TW TW109120001A patent/TWI731717B/zh active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000030641A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Hamamatsu Photonics Kk | Ｘ線管 |
| CN102598197A (zh) * | 2009-10-30 | 2012-07-18 | 东芝电子管器件株式会社 | X射线管 |
| US20120307974A1 (en) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray tube and radiation imaging apparatus |
| US20140126704A1 (en) * | 2012-11-08 | 2014-05-08 | General Electric Company | Systems and methods for monitoring and controlling an electron beam |
| JP2014160547A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Canon Inc | 放射線発生管及びそれを用いた放射線撮影システム |
| CN105612596A (zh) * | 2013-10-08 | 2016-05-25 | 莫克斯泰克公司 | 模块化x射线源 |
| TW201817285A (zh) * | 2016-10-28 | 2018-05-01 | 日商佳能股份有限公司 | Ｘ射線產生設備 |
| TW202044302A (zh) * | 2019-04-15 | 2020-12-01 | 日商佳能安內華股份有限公司 | Ｘ射線產生裝置及ｘ射線攝影裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202107504A (zh) | 2021-02-16 |
| EP3971937C0 (en) | 2024-04-03 |
| EP3971937A1 (en) | 2022-03-23 |
| EP3971937A4 (en) | 2022-06-01 |
| JPWO2020261339A1 (ja) | 2021-09-13 |
| WO2020261339A1 (ja) | 2020-12-30 |
| CN114008733A (zh) | 2022-02-01 |
| US10841515B1 (en) | 2020-11-17 |
| KR102414965B1 (ko) | 2022-07-01 |
| JP6619916B1 (ja) | 2019-12-11 |
| EP3971937B1 (en) | 2024-04-03 |
| KR20220002683A (ko) | 2022-01-06 |
| CN114008733B (zh) | 2022-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI731717B (zh) | Ｘ射線產生管、ｘ射線產生裝置及ｘ射線攝像裝置 | |
| US10741353B2 (en) | Electron emitting construct configured with ion bombardment resistant | |
| US20120307974A1 (en) | X-ray tube and radiation imaging apparatus | |
| JP5200103B2 (ja) | 熱イオン電子エミッタ及びそれを含むｘ線源 | |
| US20100195799A1 (en) | X-ray tube apparatus | |
| JP2021022428A (ja) | Ｘ線管 | |
| US10872741B2 (en) | X-ray tube | |
| KR102095268B1 (ko) | 전계 방출 엑스선 소스 장치 | |
| US11114268B2 (en) | X-ray generating tube, X-ray generating apparatus, and radiography system | |
| TWI730553B (zh) | 電子槍、ｘ射線產生裝置及ｘ射線攝像裝置 | |
| JP2019003863A (ja) | 電子ビーム装置、ならびに、これを備えるｘ線発生装置および走査電子顕微鏡 | |
| JP2007287501A (ja) | 透過型ｘ線管 | |
| JP4091217B2 (ja) | Ｘ線管 | |
| CN217444331U (zh) | 冷阴极x射线管及x射线发生装置 | |
| CN114551192A (zh) | 冷阴极x射线管及x射线发生装置 | |
| KR20150075081A (ko) | X-레이 방사선을 생성하기 위한 장치 | |
| CN111383876A (zh) | X射线管 | |
| KR20160031289A (ko) | 나노물질을 이용한 x선 소스 |