TWI730847B - 具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置，用以建立與電子裝置間的電磁輻射屏蔽，包含：電感性元件以及第一屏蔽結構。第一屏蔽結構具有封閉形狀，鄰設於電感性元件之一側，並位於電感性元件以及電子裝置間。

Description

具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置及其製造方法
本發明是關於電磁輻射屏蔽技術，尤其是關於一種具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置及其製造方法。
電感性的元件，例如電感以及變壓器，在射頻積體電路中是重要的元件，其可實現訊號轉換、耦合與阻抗匹配。在系統單晶片成為積體電路的主流後，整合在積體電路上的電感與變壓器逐漸取代傳統獨立的元件，並廣為應用在射頻積體電路上。然而，積體電路上的電感與變壓器經常受到外部電磁輻射，亦或自身產生電磁輻射影響其他元件。
因此，如何使積體電路上的電感與變壓器具有電磁輻射屏蔽機制，來達到避免電磁輻射干擾的目的，成為重要的議題。
鑑於先前技術的問題，本發明之一目的在於提供一種具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置及其製造方法，以改善先前技術。
本發明包含一種具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置（inductive device），用以建立與電子裝置間的電磁輻射屏蔽，包含：電感性元件以及至少一第一屏蔽結構。第一屏蔽結構具有封閉形狀，鄰設於電感性元件之一側，並位於電感性元件以及電子裝置間。
本發明另包含一種電感性裝置製造方法，用以製造具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置，並建立與電子裝置間的電磁輻射屏蔽，電感性裝置製造方法包含：形成電感性元件；對電感性元件進行電磁輻射測試；以及當與電感性元件以及電子裝置間相關之電磁輻射量超過幅射臨界值時，形成具有封閉形狀之至少一第一屏蔽結構，其中第一屏蔽結構鄰設於電感性元件之一側，並位於電感性元件以及電子裝置間。
有關本發明的特徵、實作與功效，茲配合圖式作較佳實施例詳細說明如下。
本發明之一目的在於提供一種具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置及其製造方法，可藉由具有封閉形狀的第一屏蔽結構，設置於會互相造成影響的電感性元件以及電子裝置間，在提供電磁屏蔽的功效的同時，不對電感性元件的運作效能造成影響，並維持較小的電路面積。
請參照圖1。圖1顯示本發明之一實施例中，一種具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置100的俯視圖。
電感性裝置100用以建立與電子裝置150間的電磁輻射屏蔽。其中，電子裝置150可為例如，但不限於具有兩端點160以及165的電感。其中，端點160及165其中之一可做為訊號輸入端，另一者可做為訊號輸出端。電感性裝置100可在不影響自身運作，例如品質因數的大小的情形下建立電磁輻射屏蔽，避免電感性裝置100以及電子裝置150對彼此造成電磁輻射的干擾。
電感性裝置100包含：電感性元件110以及第一屏蔽結構120。
電感性元件110包含例如，但不限於積體電路電感或是積體電路變壓器的元件。於一實施例中，電感性元件110可運作為例如，但不限於電壓控制振盪器（voltage control oscillator；VCO）或是功率放大器。然而，本發明不限於此。
電感性元件110可產生內部電磁輻射，以使附近的外部電路元件，例如電子裝置150受到電磁輻射的影響。反之，外部電路元件，例如電子裝置150亦可產生外部電磁輻射，影響電感性元件110的運作。
如圖1所示，第一屏蔽結構120具有封閉形狀，鄰設於電感性元件110之一側，並位於電感性元件110以及電子裝置150間。於一實施例中，第一屏蔽結構120的材質為金屬。第一屏蔽結構120的形狀可為例如，但不限於環狀、矩形或其他可形成一封閉區域125的形狀。在圖1中，第一屏蔽結構120的形狀是以矩形為範例進行繪示，然而本發明不為此限。更進一步地，第一屏蔽結構120可為電性隔離（亦即未連接至任何電壓源或是接地）或是接地。
當第一屏蔽結構120附近有電磁輻射產生，不論是由電感性元件110或電子裝置150產生時，具有封閉形狀的第一屏蔽結構120將產生感應電流，進而產生對抗電磁輻射的磁場。
因此，第一屏蔽結構120可避免電感性元件110被電子裝置150的外部電磁輻射所影響，或是避免電子裝置150被電感性元件110漏出的電磁輻射所影響。
於一實施例中，如圖1所示，第一屏蔽結構120具有沿一方向的延伸長度LE1，電感性元件對應此方向具有側邊長度LE2，其中延伸長度LE1大於側邊長度LE2，以達到較佳的屏蔽效果。
在圖1中，是以電感性元件110旁設置一個第一屏蔽結構120為範例進行繪示。於其他實施例中，電感性元件110旁可設置多個第一屏蔽結構120。於一實施例中，多個第一屏蔽結構120的設置不僅提供電磁輻射屏蔽的功效，亦可同時作用為冗餘金屬區塊。
在圖1中，為使圖面清楚，是將第一屏蔽結構120與電感性元件110之間以較遠的間隔距離DI繪製。實作上，在彼此未接觸的情形下，第一屏蔽結構120與電感性元件110間的距離DI愈近，提供的屏蔽效果愈佳，且不會對電感性元件110造成過大的影響。於一實施例中，第一屏蔽結構120與電感性元件110間的距離DI較佳地為2微米（μm）。
在積體電路中，電感性的電路元件容易彼此耦合造成影響。特別是當電感性元件為電壓控制振盪器或是功率放大器時，容易產生影響其他電路運作的電磁輻射。在部分技術中，是使用具有封閉形狀的屏蔽結構圍繞整個電感性元件。這樣的方式雖然提供電磁屏蔽的功效，在屏蔽結構與電感性元件的間距較小時，卻會對電感性元件的品質因數造成影響，使電感性元件的運作效能下降。然而，如果將間距拉大，又將造成電路面積過大。
因此，本發明的電感性裝置100可藉由具有封閉形狀的第一屏蔽結構120，設置於會互相造成影響的電感性元件110以及電子裝置150間，在提供電磁屏蔽的功效的同時，維持電感性元件110的品質因數，而不對電感性元件的運作效能造成影響。並且，第一屏蔽結構120可以較小的距離鄰設於電感性元件110旁，維持較小的電路面積。
於一實施例中，電感性元件110是如圖1所示為8字形電感或8字形變壓器。在這樣的狀況下，由於8字形電感同時包含順時針以及逆時針的繞線方向，在第一屏蔽結構120中產生的感應電流將互相抵消。因此，電感性裝置100僅需在電感性元件110的一側設置第一屏蔽結構120，即可達到提供電磁屏蔽的功效，且不會影響電感性元件110的品質因數。
類似地，當電子裝置150產生電磁輻射，使第一屏蔽結構120產生對應的感應電流，且此感應電流的電磁輻射亦耦合到8字形電感時，8字形電感亦可因為上述的繞線方式而不受影響。
於另一實施例中，電感性元件110可為其他同樣具有對稱結構的電感性元件，例如但不限於對偶（twins）電感。
請參照圖2。圖2顯示本發明之一實施例中，一種具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置200的俯視圖。類似於圖1中的電感性裝置100，圖2的電感性裝置200包含電感性元件110以及第一屏蔽結構120。然而於本實施例中，電感性裝置200更包含第二屏蔽結構130。其中，第二屏蔽結構130亦具有封閉形狀。
於一實施例中，電感性元件110為非8字形電感。在這樣的狀況下，如果僅設置第一屏蔽結構120，依其結構的不同可能會對品質因數的影響具有0~20%的下降量。因此，除了設置第一屏蔽結構120外，較佳的方式是將第二屏蔽結構130鄰設於電感性元件110相對第一屏蔽結構120的另一側，以維持電感性元件110的對稱性。較佳地，第二屏蔽結構130與電感性元件110間的距離，和第一屏蔽結構120與電感性元件110間的距離相同，以維持對稱性。
於一實施例中，電感性元件110亦可為金屬導線，其在進行傳遞時，將產生磁場而同樣具有電感性。藉由第一屏蔽結構120的設置，亦可達到對電感性元件110進行電磁輻射屏蔽的功效。
於不同的實施例中，上述第一屏蔽結構120可設置於相對電感性元件110的不同位置。
舉例而言，於一實施例中，電感性元件110設置在一個電路層中。第一屏蔽結構120可選擇性地設置於與電感性元件110相同電路層中的同一平面或不同平面。於另一實施例中，第一屏蔽結構120與電感性元件110形成於不同電路層。於又一實施例中，第一屏蔽結構120可包含形成於不同電路層的不同單元。
請參照圖3。圖3顯示本發明之一實施例中，圖1的電感性裝置100沿A 方向的側視圖。
於一實施例中，電感性裝置100是設置於電路層300中，且電路層300上具有鄰接的另一電路層310。於一實施例中，電路層300以及電路層310分別為重佈層（redistribution layer；RDL）以及超厚金屬層（ultra thick metal layer；UTM）。
於一實施例中，第一屏蔽結構120實際上包含分別具有封閉形狀的第一屏蔽單元320以及第二屏蔽單元330，第一屏蔽單元320以及第二屏蔽單元330分別與電感性元件110形成於相同以及不同的電路層。更詳細地說，第一屏蔽單元320設置於電路層300，第二屏蔽單元330設置於電路層310。
因此，本案的電感性裝置可視需求配置於不同的位置，達到最佳的電磁輻射屏蔽效果。
請參照圖4。圖4顯示本發明一實施例中，在電子裝置150運作於不同操作頻率下，電感性裝置100中的電感性元件110的一端點所量測到電子裝置150產生的電磁輻射耦合量的示意圖。其中，圖4的橫軸表示單位為吉赫（GHz）的頻率，縱軸表示單位為分貝（dB）的耦合量。
圖4繪示出四個不同的線段LA1~LA4。其中，以粗實線繪製的線段LA1表示設置第一屏蔽結構120於電感性元件110的一側的情形下，電感性元件110量測到電子裝置150分別以端點160以及165做為訊號輸入端以及訊號輸出端來運作時產生的電磁輻射耦合量。
以粗虛線繪製的線段LA2表示未設置第一屏蔽結構120於電感性元件110的一側的情形下，電感性元件110量測到電子裝置150分別以端點160以及165做為訊號饋入端以及訊號輸出端來運作時產生的電磁輻射耦合量。
兩者相較下，在頻率為5吉赫時，電磁輻射耦合量在設置第一屏蔽結構120的情形比未設置第一屏蔽結構120的情形降低了7dB。
進一步地，以細實線繪製的線段LA3表示設置第一屏蔽結構120於電感性元件110的一側的情形下，電感性元件110量測到電子裝置150分別以端點165以及160做為訊號饋入端以及訊號輸出端來運作時產生的電磁輻射耦合量。
以細虛線繪製的線段LA4表示未設置第一屏蔽結構120於電感性元件110的一側的情形下，電感性元件110量測到電子裝置150分別以端點165以及160做為訊號饋入端以及訊號輸出端來運作時產生的電磁輻射耦合量。
兩者相較下，在頻率為5吉赫時，電磁輻射耦合量在設置第一屏蔽結構120的情形比未設置第一屏蔽結構120的情形降低了3dB。
請參照圖5。圖5顯示本發明一實施例中，電感性元件110分別在不同屏蔽結構的設置下，所量測到電子裝置150產生的電磁輻射耦合量的示意圖。其中，圖5的橫軸表示單位為吉赫的頻率，縱軸表示單位為分貝的耦合量。
圖5繪示出三個不同的線段LB1~LB3。其中，以細實線繪製的線段LB1表示電感性元件110未設置任何屏蔽結構的情形。以粗虛線繪製的線段LB2表示電感性元件110旁設置有僅位於單一電路層的第一屏蔽結構120的情形。以粗實線繪製的線段LB3表示電感性元件110旁設置有包含分別位於不同電路層（例如圖3中的電路層300及310）的屏蔽單元（例如圖3中的第一屏蔽單元320以及第二屏蔽單元330）的第一屏蔽結構120的情形。
如圖5所示，在設置有愈多屏蔽單元的情形下，電感性元件110所受到電子裝置150產生的電磁輻射耦合量愈少。
綜上所述，第一屏蔽結構120可對電子裝置150產生的電磁輻射達到約2dB至7dB的屏蔽量。
請參照圖6。圖6顯示本發明一實施例中，一種電感性裝置製造方法600的流程圖。
除前述裝置外，本發明另揭露一種電感性裝置製造方法600，應用以製造例如，但不限於圖1的電感性裝置100。電感性裝置製造方法600之一實施例如圖6所示，包含下列步驟：
於步驟S610：形成電感性元件110。
於步驟S620：對電感性元件110進行電磁輻射測試。
於步驟S630：判斷與電感性元件110以及電子裝置150間相關之電磁輻射量是否超過幅射臨界值。
於步驟S640：當與電感性元件110以及電子裝置150間相關之電磁輻射量超過幅射臨界值時，形成具有封閉形狀之第一屏蔽結構120，其中第一屏蔽結構120鄰設於電感性元件110之一側，並位於電感性元件110以及電子裝置150間，以使電感性元件110的品質因數之下降量不大於第一預設值，且電磁輻射屏蔽量不小於第二預設值。
於步驟S650：當與電感性元件110以及電子裝置150間相關之電磁輻射量並未超過幅射臨界值時，不形成第一屏蔽結構120。
需注意的是，上述的實施方式僅為一範例。於其他實施例中，本領域的通常知識者當可在不違背本發明的精神下進行更動。
綜合上述，本發明中具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置及其製造方法可藉由具有封閉形狀的第一屏蔽結構，設置於會互相造成影響的電感性元件以及電子裝置間，在提供電磁屏蔽的功效的同時，不對電感性元件的運作效能造成影響，並維持較小的電路面積。
雖然本發明之實施例如上所述，然而該些實施例並非用來限定本發明，本技術領域具有通常知識者可依據本發明之明示或隱含之內容對本發明之技術特徵施以變化，凡此種種變化均可能屬於本發明所尋求之專利保護範疇，換言之，本發明之專利保護範圍須視本說明書之申請專利範圍所界定者為準。
100:電感性裝置 110:電感性元件 120:第一屏蔽結構 125:封閉區域 130:第二屏蔽結構 150:電子裝置 160、165:端點 200:電感性裝置 300、310:電路層 320:第一屏蔽單元 330:第二屏蔽單元 600:電感性裝置製造方法 S610~S650:步驟 A:方向 DI:距離 LA1~LA4:線段 LB1~LB3:線段 LE1:延伸長度 LE2:側邊長度
［圖1］顯示本發明之一實施例中，一種具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置的俯視圖； ［圖2］顯示本發明之一實施例中，一種具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置的俯視圖； ［圖3］顯示本發明之一實施例中，圖1的電感性裝置沿A 方向的側視圖；以及 ［圖4］顯示本發明一實施例中，在電子裝置運作於不同操作頻率下，電感性裝置中的電感性元件的一端點所量測到電子裝置產生的電磁輻射耦合量的示意圖； ［圖5］顯示本發明一實施例中，電感性元件分別在不同屏蔽結構的設置下，所量測到電子裝置產生的電磁輻射耦合量的示意圖；以及 ［圖6］顯示本發明一實施例中，一種電感性裝置製造方法的流程圖。
100:電感性裝置
110:電感性元件
120:第一屏蔽結構
125:封閉區域
150:電子裝置
160、165:端點
A:方向
DI:距離
LE1:側邊長度
LE2:延伸長度

Claims (10)

  1. 一種具有電磁輻射屏蔽機制的電感性裝置（inductive device），用以建立與一電子裝置間的電磁輻射屏蔽，該電感性裝置包含： 一電感性元件；以及 至少一第一屏蔽結構，具有一封閉形狀，鄰設於該電感性元件之一側，並位於該電感性元件以及該電子裝置間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電感性裝置，其中該電感性元件為一8字形電感、一非8字形電感或一金屬導線。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電感性裝置，其中該電感性裝置更包含至少一第二屏蔽結構，具有該封閉形狀，鄰設於該電感性元件相對該第一屏蔽結構的另一側。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電感性裝置，其中該第一屏蔽結構與該電感性元件間的一距離為2微米。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電感性裝置，其中該第一屏蔽結構具有沿一方向的延伸長度，該電感性元件對應該方向具有一側邊長度，其中該延伸長度大於該側邊長度。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電感性裝置，其中該第一屏蔽結構與該電感性元件形成於同一電路層的同一平面或不同平面，或是形成於不同電路層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電感性裝置，其中該第一屏蔽結構同時作用為一冗餘金屬區塊。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之電感性裝置，其中該第一屏蔽結構包含分別具有該封閉形狀的一第一屏蔽單元以及一第二屏蔽單元，該第一屏蔽單元以及該第二屏蔽單元分別與該電感性元件形成於相同以及不同的電路層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電感性裝置，其中該第一屏蔽結構為電性隔離或是接地。
  10. 一種電感性裝置製造方法，用以製造具有電磁輻射屏蔽機制的一電感性裝置，並建立與一電子裝置間的電磁輻射屏蔽，該電感性裝置製造方法包含： 形成一電感性元件； 對該電感性元件進行一電磁輻射測試；以及 當與該電感性元件以及該電子裝置間相關之一電磁輻射量超過一幅射臨界值時，形成具有一封閉形狀之至少一第一屏蔽結構，其中該第一屏蔽結構鄰設於該電感性元件之一側，並位於該電感性元件以及該電子裝置間。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11239025B2 (en) * 2015-10-23 2022-02-01 Realtek Semiconductor Corporation Inductive device having electromagnetic radiation shielding mechanism and manufacturing method of the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4541800B2 (ja) * 2004-08-20 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 インダクタを備えた半導体装置
EP2273613A1 (en) * 2009-07-07 2011-01-12 Nxp B.V. Magnetic shield layout, semiconductor device and application
WO2011140031A1 (en) * 2010-05-05 2011-11-10 Marvell World Trade Ltd Magnetically shielded inductor structure
US8860180B2 (en) * 2012-10-26 2014-10-14 Xilinx, Inc. Inductor structure with a current return encompassing a coil
TWI619234B (zh) * 2015-10-30 2018-03-21 瑞昱半導體股份有限公司 積體電路
US11428755B2 (en) * 2017-05-26 2022-08-30 Allegro Microsystems, Llc Coil actuated sensor with sensitivity detection
DE102020118743A1 (de) * 2019-07-15 2021-01-21 Maxim Integrated Products, Inc. Elektrische baugruppen, die koppler zum auslöschen eines magnetischen flusses beinhalten

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