TWI729605B - 晶圓級超聲波裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種晶圓級超聲波裝置，包括複合層、第一導電層、第二導電層、底座、第一電性連接區及第二電性連接區。複合層包含超聲波元件及保護層，超聲波元件包含第一電極及第二電極，保護層覆蓋超聲波元件，並具有第一連通道及第二連通道，分別對應於第一電極及第二電極。第一導電層及第二導電層分別位於第一連通道及第二連通道連接第一電極及第二電極。底座包含開口，開口與保護層形成密閉空腔。第一電性連接區及第二電性連接區中分別填入金屬材料電性連接第一導電層及第二導電層。

Description

晶圓級超聲波裝置及其製造方法
一種超聲波傳遞的技術，特別是指一種晶圓級超聲波裝置及其製造方法。
隨著智慧型手機的發展，配合應用程式的發展，對於個人生活所覆蓋的範圍越來越大。例如，現今的智慧型手機已經大量應用在行動支付、電子鑰匙等，許多個人重要的資訊都儲存於智慧型手機之中。因此，一旦智慧型手機遺失，很有可能被盜用，而造成重大的損失。
因此，除了一般密碼的設定外，現今許多的功能，例如臉部辨識、虹膜辨識、指紋辨識等以個人特徵來補助加密的方式均已發展出，然而，現今以指紋辨識最常使用，但仍有辨識的準確度仍不精確的問題。
目前的指紋辨識技術，係透過將手指接觸超聲波模組的上蓋或是智慧型電子裝置的螢幕保護層，利用超聲波模組發送超聲波訊號至手指並且接收被指紋的波峰波谷反射回來的超聲波訊號的強弱而能夠辨識指紋。然而，超聲波模組的超聲波訊號可以藉由介質而傳遞至非與手指接觸的區域，如此將使得超聲波模組所接收的反射超聲波訊號不一定是被手指反射，故較不易辨識指紋。
應當理解的是，當元件被稱為「連接到」另一元件時，其可以表示元件直接連接另一元件，或者可以也存中間元件。
此外，應當理解，術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。
除此之外，「上」、「下」、「頂」與「底」等術語是用於描述一個元件與另一元件的相對關係。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。
為了解決前述的問題，在此提出一種晶圓級超聲波裝置，其包括複合層、第一導電層、第二導電層、底座、第一電性連接區及第二電性連接區。複合層包含超聲波元件及保護層，超聲波元件包含第一電極及第二電極，第一電極及第二電極不連接。保護層覆蓋超聲波元件，並具有第一連通道及第二連通道，第一連通道的一端對應於第一電極、第二連通道的一端對應於第二電極。第一導電層位於第一連通道中並電性連接第一電極，且部分的第一導電層曝露於該保護層。第二導電層位於第二連通道中，並電性連接第二電極，且部分的第二導電層曝露於保護層。底座與保護層連接，底座包含開口，開口與保護層形成密閉空腔。第一電性連接區中填入金屬材料電性連接第一導電層。第二電性連接區中填入金屬材料電性連接第二導電層。
在一些實施例中，超聲波元件包括第一壓電層、第一電極、第二壓電層、以及第二電極。第一電極位於第一壓電層上，第二壓電層位於第一電極上、第二電極位於第二壓電層上，且第二壓電層及第二電極未完全覆蓋出第一電極。
更詳細地，在一些實施例中，保護層包含第一保護層及第二保護層。第一保護層覆蓋超聲波元件，並曝露出部分的第一電極的及部分的第二電極。第一導電層及第二導電層位於第一保護層上，分別連接第一電極及第二電極。第二保護層覆蓋第一導電層、第二導電層及第一保護層，並曝露出部分的第一導電層及部分的第二導電層。
在一些實施例中，超聲波元件包括第一超聲波單元及第二超聲波單元。第一超聲波單元包括第一壓電層及第一電極，第一壓電層包覆第一電極，且第一壓電層具有一接觸孔，以暴露出部分的第一電極。第二超聲波單元於垂直基板方向未與第一超聲波單元重疊，第二超聲波單元包含第二壓電層、第二電路層及第二電極，第二壓電層與第一壓電層為同層且彼此分離，第二電路層被包覆於第二壓電層內，第二電路層與第一電極為同層且彼此分離，第二電極位於第二壓電層上。
進一步地，在一些實施例中，保護層包含第一保護層及第二保護層。第一保護層覆蓋第一超聲波單元及第二超聲波單元，第一保護層具有第一連通孔及第二連通孔，第一連通孔連通接觸孔，第二連通孔曝露出第二電極的一部分。第一導電層填入接觸孔及第一連通孔中並連接第一電極，第二導電層填入第二連通孔的一部分中並連接第二電極，第二保護層覆蓋第一導電層、第二導電層、第一保護層及第二電極，並曝露出部分 的第一導電層及部分的第二導電層。
更詳細地，在一些實施例中，第一壓電層包含第一底壓電層及第一頂壓電層，第一電極位於第一底壓電層上，並被第一頂壓電層包覆。第一頂壓電層包含接觸孔以曝露出部分的第一電極，第二壓電層包含第二底壓電層及第二頂壓電層，第二電路層位於第二底壓電層上，並被第二頂壓電層包覆，第二電極位於第二頂壓電層上。
更詳細地，在一些實施例中，第一電性連接區及第二電性連接區係貫穿底座的穿孔。進一步地，晶圓級超聲波裝置更包含二焊墊。焊墊分別位於底座遠離保護層的一側，分別連接位於第一電性連接區及第二電性連接區中的金屬材料。
在另一些實施例中，第一電性連接區及第二電性連接區係位於底座的側邊。
在一些實施例中，底座之材料為玻璃。
在此，更提出一種晶圓級超聲波裝置的製造方法，該方法包含：形成超聲波元件於基板上，其中超聲波元件包括第一電極及未與第一電極連接的第二電極；形成第一保護層於超聲波元件及基板上，並形成曝露出部分的第一電極及部分的第二電極之第一穿孔及第二穿孔；形成第一導電層及第二導電層於第一保護層上，第一導電層的一部分位於第一穿孔中與第一電極連接，第二導電層的一部分位於第二穿孔中與第二電極連接；形成第二保護層於超聲波元件及第一保護層、第一導電層及第二導電層上；提供一底座，並在真空環境下連接底座與第二保護層，底座具有開口，開口與保護層形成密閉空腔；移除基板；在底座上形成第一電性連接 區及第二電性連接區，並在第二保護層形成曝露出部分的第一導電層及部分的第二導電層之第一缺槽及第二缺槽，第一電性連接區及第二電性連接區分別連通第一缺槽及第二缺槽；以及在第一電性連接區及第二電性連接區、第一缺槽及第二缺槽中填入金屬材料，使得金屬材料與第一導電層及第二導電層連接。
在一些實施例中，形成超聲波元件的步驟包含：依序形成第一壓電材料層、第一電極材料層、第二壓電材料層、第二電極材料層；以及去除部分的第一壓電材料層、第一電極材料層、第二壓電材料層及第二電極材料層，以形成第一壓電層、第一電極、第二壓電層及第二電極，其中第二壓電層及第二電極暴露出部分的第一電極。
在另一些實施例中，形成超聲波元件的步驟包含：依序形成第一壓電材料層及第一電極材料層於基板上；移除部分的第一壓電材料層及第一電極材料層，而形成彼此分離的第一底壓電層與第二底壓電層、以及第一電極及第二電路層；依序形成第二壓電材料層及第二電極材料層，第二壓電材料層包覆第一底壓電層、第二底壓電層、第一電極及第二電路層；移除部分的第二壓電材料層及第二電極材料層，以形成彼此分離的第一頂壓電層、第二頂壓電層、及第二電極，第一頂壓電層包覆第一底壓電層及第一電極，第二頂壓電層包覆第二底壓電層及第二電路層、第二電極位於第二頂壓電層上，而形成第一超聲波單元及第二超聲波單元。
在一些實施例中，形成第一電性連接區及第二電性連接區的步驟，係貫穿底座而形成二穿孔作為第一電性連接區及第二電性連接區，且移除該保護層的一部分形成第一缺槽及第二缺槽。更進一步地，更包含 形成二焊墊於底座遠離保護層的一側，二焊墊分別連接位於第一電性連接區及第二電性連接區中的金屬材料。
在一些實施例中，形成第一電性連接區及第二電性連接區的步驟，係移除底座及保護層的邊緣形成第一電性連接區及第二電性連接區。
綜上所述，透過底座中與保護層間的密閉空腔，透過超聲波傳遞的速度，穿過真空與一般介質有明顯的變化，從而能夠清楚的分辨信號的傳遞方向。進一步地，由於透過超聲波的信號，且其傳播方向可以達到清晰的辨識，更可以擴展以提供手勢感測等功能，而能應用於大尺寸的平板、電視上進行應用。
1:晶圓級超聲波裝置
10:超聲波元件
10A:第一超聲波單元
10B:第二超聲波單元
11A:第一壓電材料層
11B:第二壓電材料層
12A:第一電極材料層
12B:第二電極材料層
111:第一壓電層
113:第二壓電層
121:第一電極
123:第二電極
13:第一壓電層
13A:第一壓電材料層
13B:第二壓電材料層
131:第一底壓電層
133:第一頂壓電層
14A:第一電極材料層
14B:第二電極材料層
141:第一電極
143:第二電路層
145:第二電極
15:複合層
17:第二壓電層
171:第二底壓電層
173:第二頂壓電層
20:保護層
21:第一保護層
211:第一連通道
213:第二連通道
215:第一穿孔
217:第二穿孔
23:第二保護層
231:第一缺槽
233:第二缺槽
31:第一導電層
33:第二導電層
40:底座
45:開口
51:第一電性連接區
53:第二電性連接區
55A:第一電性連接區
55B:第二電性連接區
571:接觸孔
573:第一連通孔
575:第二連通孔
61:金屬材料
63:金屬材料
65A:金屬材料
65B:金屬材料
70:焊墊
600:基板
H:密閉空腔
圖1為晶圓級超聲波裝置第一實施例的剖面示意圖。
圖2為晶圓級超聲波裝置第二實施例的剖面示意圖。
圖3為晶圓級超聲波裝置第三實施例的剖面示意圖。
圖4為晶圓級超聲波裝置第四實施例的剖面示意圖。
圖5A至圖5I為第一實施例晶圓級超聲波裝置的製造方法的逐步剖面示意圖。
圖6H至圖6I為第二實施例晶圓級超聲波裝置的製造方法的逐步剖面示意圖。
圖7A至圖7K為第三實施例晶圓級超聲波裝置的製造方法的逐步剖面示意圖。
圖8J至圖8K為第四實施例晶圓級超聲波裝置的製造方法的逐步剖面示意圖。
圖1為晶圓級超聲波裝置第一實施例的剖面示意圖。如圖1所示，第一實施例的晶圓級超聲波裝置1包含複合層15、第一導電層31、第二導電層33、底座40、第一電性連接區51及第二電性連接區53。複合層15包含超聲波元件10及保護層20，超聲波元件10包含第一電極121及第二電極123，第一電極121及第二電極123不連接。保護層20覆蓋超聲波元件10，並具有第一連通道211及第二連通道213，第一連通道211的一端對應於第一電極121、第二連通道213的一端對應於第二電極123。第一導電層31位於第一連通道211中並電性連接第一電極121。第二導電層33位於第二連通道213中並電性連接第二電極123。部分的第一導電層31及第二導電層33曝露於保護層20。底座40與保護層20連接，底座40包含開口45，在底座40與保護層20連接後，開口45與保護層20形成密閉空腔H。第一電性連接區51中填入金屬材料61電性連接第一導電層31。第二電性連接區53中填入金屬材料63電性連接第二導電層33。
更詳細地，在第一實施例中，超聲波元件10包括第一壓電層111、第一電極121、第二壓電層113、以及第二電極123。第一電極121位於第一壓電層111上，第二壓電層113位於第一電極121上、第二電極123位於第二壓電層113上，且第二壓電層113及第二電極123未完全覆蓋出第一電極121。在此，「上」所表述為各元件堆疊的關係，並非表示絕對的方位關係。
保護層20包含第一保護層21及第二保護層23。第一保護層21覆蓋超聲波元件10，並曝露出部分的第一電極121的及部分的第二電極123。第一導電層31及第二導電層33位於第一保護層21上，分別連接第一電極121及第二電極123。第二保護層23覆蓋第一導電層31、第二導電層33及第一保護層21，並曝露出部分的第一導電層31及部分的第二導電層33。換言之，第一連通道211及第二連通道213分別為第一保護層21與第二保護層23之間，提供容設第一導電層31及第二導電層33以分別連接第一電極121的及第二電極123的空間。
在第一實施例中，第一電性連接區51及第二電性連接區53係貫穿底座40的穿孔，且分別對應第一導電層31及第二導電層33。金屬材料61、63透過第一電性連接區51及第二電性連接區53連接第一導電層31及第二導電層33。在此，圖式中的第一電性連接區51及第二電性連接區53為斜向，但實際上並不限於此。此外，晶圓級超聲波裝置1更包含二焊墊70。焊墊70分別位於底座40遠離保護層20的一側，分別連接位於第一電性連接區51及第二電性連接區53中的金屬材料61、63。焊墊70可以具有較大的尺寸用以連接電路板(圖中為繪出)。
在此，底座40可以為玻璃。但這僅為示例，而非用以限制，其他例如矽晶圓、石英也是可以應用的材料。
圖2為晶圓級超聲波裝置第二實施例的剖面示意圖。如圖2所示，同時參考圖1，第二實施例與第一實施例的主要的差異在於底座40的結構，第二實施例的底座40呈碗狀，第一電性連接區55A及第二電性連接區55B係位於底座40及保護層20的側邊，而直接以塊狀填入金屬材料 65A、65B以與第一導電層31及第二導電層33連接。
圖3為晶圓級超聲波裝置第三實施例的剖面示意圖。如圖3所示，同時參考圖1，第三實施例與第一實施例的主要差異在於複合層15的結構。如圖3所示，第三實施例的超聲波元件10包括第一超聲波單元10A及第二超聲波單元10B。第一超聲波單元10A包括第一壓電層13及第一電極141，第一壓電層13包覆第一電極141，且第一壓電層13具有一接觸孔571，以暴露出部分的第一電極141。第二超聲波單元10B於垂直基板方向未與第一超聲波單元10A重疊，第二超聲波單元10B包含第二壓電層17、第二電路層143及第二電極145，第二壓電層17與第一壓電層13為同層且彼此分離，第二電路層143被包覆於第二壓電層17內，第二電路層143與第一電極141為同層且彼此分離，第二電極145位於第二壓電層17上。
更詳細地，在第三實施例如同第一實施例與第二實施例，保護層20包含第一保護層21及第二保護層23。第一保護層21覆蓋第一超聲波單元10A及第二超聲波單元10B，第一保護層21具有第一連通孔573及第二連通孔575，第一連通孔573連通接觸孔571。第二連通孔575曝露出第二電極145的一部分。第一導電層31填入接觸孔571及第一連通孔573中並連接第一電極141，第二導電層33填入第二連通孔575的一部分中並連接第二電極145。第二保護層23覆蓋第一導電層31、第二導電層33、第一保護層21及第二電極145，並曝露出部分的第一導電層31及部分的第二導電層33，以與底座40中的第一電性連接區51、第二電性連接區53中填入的金屬材料61、63而達到電性導通。
再次參閱圖3，第一壓電層13包含第一底壓電層131及第一 頂壓電層133，第一電極141位於第一底壓電層131上，並被第一頂壓電層133包覆。第一頂壓電層133包含接觸孔571以曝露出部分的第一電極141，第二壓電層17包含第二底壓電層171及第二頂壓電層173，第二電路層143位於第二底壓電層171上，並被第二頂壓電層173包覆，第二電極145位於第二頂壓電層173上。同樣地，在此「頂」與「底」是表示堆疊的相互關係，而非表示絕對的方位關係。
圖4為晶圓級超聲波裝置第四實施例的剖面示意圖。如圖4所示，第四實施例可以為第二實施例下方的底座40結構與第三實施例上半部的結構之組合，在此不再贅述。
圖5A至圖5I為第一實施例晶圓級超聲波裝置的製造方法的逐步剖面示意圖。如圖5A圖所示，第一實施例晶圓級超聲波裝置的製造方法首先依序在基板600上形成第一壓電材料層11A、第一電極材料層12A、第二壓電材料層11B、第二電極材料層12B，接著如圖5B所示，去除部分的第一壓電材料層11A、第一電極材料層12A、第二壓電材料層11B及第二電極材料層12B，以形成第一壓電層111、第一電極121、第二壓電層113、及第二電極123，第一電極121未與第二電極123連接。第二壓電層113及第二電極123的長度較第一壓電層111及第一電極121短，從而暴露出部分的第一電極121，而完成超聲波元件10的製造。
如圖5C圖所示，形成第一保護層21於超聲波元件10及基板600上，第一保護層21具有曝露出部分的第一電極121及部分的第二電極123之第一穿孔215及第二穿孔217。在此，第一保護層21可以透過微影方式製造，亦可以透過塗佈後，以雷射穿孔的方式來製造出第一保護層21。 然而，以上僅為示例，而非用以限制。
接著，如圖5D所示，形成第一導電層31及第二導電層33於第一保護層21上，第一導電層31的一部分位於第一穿孔215中與第一電極121連接，第二導電層33的一部分位於第二穿孔217中與第二電極123連接。同樣地，第一導電層31及第二導電層33也可以透過微影方式製造。
如圖5E所示，形成第二保護層23於超聲波元件10、第一保護層21、第一導電層31及第二導電層33上。
接著，如圖5F所示，將原有的結構倒轉，並提供底座40，並在真空環境下連接底座40與第二保護層20。底座40具有開口45，開口45與保護層20形成密閉空腔H。再如圖5G所示，將基板600移除。
如圖5H所示，在底座40上形成第一電性連接區51及第二電性連接區53，且在第二保護層23形成曝露出部分的第一導電層31及部分的第二導電層33之第一缺槽231及第二缺槽233。第一電性連接區51及第二電性連接區53分別連通第一缺槽231及該第二缺槽233。在第一實施例的狀態，是透過貫孔技術，第一電性連接區51及第一缺槽231實質上是由同一貫孔程序完成，而第二電性連接區53及第二缺槽233實質上是由同一貫孔程序完成。
最後如圖5I所示，第一電性連接區51、第二電性連接區53、第一缺槽231及第二缺槽233中填入金屬材料61、63，使得金屬材料61、63與第一導電層31及第二導電層33連接。進一步地，更包含形成二焊墊70。焊墊70位於底座40遠離保護層20的一側，二焊墊70分別連接位於第一電性連接區51及第二電性連接區53中的金屬材料61、63。
圖6H至圖6I為第二實施例晶圓級超聲波裝置的製造方法的逐步剖面示意圖。在第二實施例的製造方法中，與第一實施例的圖5A至圖5G大致相同，在此不再贅述。圖6H是直接對移除沿底座40及保護層20的邊緣的一部分形成第一電性連接區55A及第二電性連接區55B，此時，保護層20被移除曝露出第一導電層31及第二導電層33的區域，可以當作第一缺槽及第二缺槽(在圖中未標示)。最後如圖6I所示，在第一電性連接區55A及第二電性連接區53填入金屬材料65A、65B，而完成第二實施例的晶圓級超聲波裝置1。
圖7A至圖7K為第三實施例晶圓級超聲波裝置的製造方法的逐步剖面示意圖。如圖7A圖所示，首先依地序形成第一壓電材料層13A及第一電極材料層14A於基板600上。接著，如圖7B所示，移除部分的第一壓電材料層13A及第一電極材料層14A，而形成彼此分離的第一底壓電層131與第二底壓電層171、以及第一電極141及第二電路層143。如圖7C所示，依序形成第二壓電材料層13B及第二電極材料層14B，第二壓電材料層13B包覆該第一底壓電層131、第二底壓電層171、第一電極141及該第二電路層143。
如圖7D所示，移除部分的第二壓電材料層13B及該第二電極材料層14B，以形成彼此分離的第一頂壓電層133、第二頂壓電層173、及第二電極145。第一頂壓電層133包覆第一底壓電層131及第一電極141，第二頂壓電層173包覆第二底壓電層171及第二電路層143。第二電極145位於第二頂壓電層173上，而形成第一超聲波單元10A及第二超聲波單元10B。接著如圖7E所示，在第一超聲波單元10A及第二超聲波單元10B上 形成第一保護層21，並透過開口技術在第一保護層21與第一頂壓電層133形成第一穿孔(即，接觸孔571與第一連通孔573)，及第二穿孔(即，第二連通孔575)。
接著如圖7F所示，在第一保護層21上形成金屬材料，並移除部分而形成第一導電層31及第二導電層33。第一導電層31的一部分填入接觸孔571與第一連通孔573中並第一電極141連接，第二導電層33的一部分位於第二連通孔575中與第二電極145連接。再如圖7G所示，形成一第二保護層23於超聲波元件10及第一保護層21、第一導電層31及第二導電層33上。
如圖7H、7I、7J、7K所示，同時參考圖5F至5I，以相同的方式阻接底座40形成密閉空腔H、移除基板600、以貫孔方式形成第一電性連接區51及第二電性連接區53，再填入金屬材料61、63及形成焊墊70。
圖8J至圖8K為第四實施例晶圓級超聲波裝置的製造方法的逐步剖面示意圖。第四實施例之晶圓級超聲波裝置的製造方法與第三實施例在圖7A至7G部分大致相同，在此不再贅述。如圖8J至圖8K，同時參考圖6H至圖6I，同樣以直接對移除沿底座40及保護層20的邊緣的一部分形成第一電性連接區55A及第二電性連接區55B，再於第一電性連接區55A及第二電性連接區55B填入金屬材料65A、65B，而完成第四實施例的晶圓級超聲波裝置1。
綜上所述，晶圓級超聲波裝置透過底座40中與保護層20間的密閉空腔H，透過超聲波傳遞的速度，穿過真空與一般介質有明顯的變化，從而能夠清楚的分辨信號的傳遞方向，可以達到清晰的辨識，除了指 紋辨識外，透過其高分辨度，更可以提供手勢感測等功能。此外，製程簡單，可以大幅減少致造成本。
雖然本發明的技術內容已經以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神所作些許之更動與潤飾，皆應涵蓋於本發明的範疇內，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1:晶圓級超聲波裝置
10:超聲波元件
111:第一壓電層
113:第二壓電層
121:第一電極
123:第二電極
15:複合層
20:保護層
21:第一保護層
211:第一連通道
213:第二連通道
23:第二保護層
31:第一導電層
33:第二導電層
40:底座
45:開口
51:第一電性連接區
53:第二電性連接區
61:金屬材料
63:金屬材料
70:焊墊
H:密閉空腔

Claims (11)

  1. 一種晶圓級超聲波裝置，包括：一複合層，包含一超聲波元件及一保護層，該超聲波元件包含一第一壓電層、一第一電極、一第二壓電層及一第二電極，該第一電極及該第二電極不連接，該第一電極位於該第一壓電層上，該第二壓電層位於該第一電極上、該第二電極位於該第二壓電層上，且該第二壓電層及該第二電極未完全覆蓋出該第一電極，該保護層包含一第一保護層及一第二保護層，該第一保護層覆蓋該超聲波元件，並曝露出部分的該第一電極、部分的該第二電極、以及該第一壓電層，該第二保護層覆蓋該第一保護層，該第一保護層與該第二保護層之間具有一第一連通道及一第二連通道，該第一連通道的一端對應於該第一電極、該第二連通道的一端對應於該第二電極；一第一導電層，位於該第一保護層上，且被該第二保護層所覆蓋，該第一導電層位於該第一連通道中，電性連接該第一電極，且部分的該第一導電層曝露於該第二保護層；一第二導電層，位於該第一保護層上，且被該第二保護層所覆蓋，該第二導電層位於該第二連通道中，電性連接該第二電極，且部分的該第二導電層曝露於該第二保護層；一底座，與該第二保護層連接，該底座包含一開口，該開口與該保護層形成一密閉空腔；一第一電性連接區，為貫穿該底座的穿孔，該第一電性連接區中填入一金屬材料電性連接該第一導電層；以及一第二電性連接區，為貫穿該底座的穿孔，該第二電性連接區中填入 該金屬材料電性連接該第二導電層。
  2. 一種晶圓級超聲波裝置，包括：一複合層，包含一超聲波元件及一保護層，該超聲波元件包含一第一超聲波單元及一第二超聲波單元，該第一超聲波單元包括一第一壓電層及一第一電極，該第一壓電層包覆該第一電極，且該第一壓電層具有一接觸孔，以暴露出部分的該第一電極，該第二超聲波單元於垂直一基板方向未與該第一超聲波單元重疊，該第二超聲波單元包含一第二壓電層、一第二電路層及一第二電極，該第二壓電層與該第一壓電層為同層且彼此分離，該第二電路層被包覆於該第二壓電層內，該第二電路層與該第一電極為同層且彼此分離，該第二電極位於該第二壓電層上，該保護層包含一第一保護層及一第二保護層，該第一保護層覆蓋該第一超聲波單元、該第二超聲波單元，且曝露出部分的該第一壓電層及該第二壓電層，該第一保護層具有一第一連通孔及一第二連通孔，該第一連通孔連通該接觸孔，該第二連通孔曝露出該第二電極的一部分，該第一保護層及該第二保護層之間具有一第一連通道及一第二連通道，該第一連通道的一端對應於該第一電極、該第二連通道的一端對應於該第二電極；一第一導電層，位於該第一保護層上，且被該第二保護層所覆蓋，該第一導電層位於該第一連通道中，電性連接該第一電極，且部分的該第一導電層曝露於該第二保護層；一第二導電層，位於該第一保護層上，且被該第二保護層所覆蓋，該第二導電層位於該第二連通道中，電性連接該第二電極，且部分的該第二導電層曝露於該第二保護層； 一底座，與該第二保護層連接，該底座包含一開口，該開口與該保護層形成一密閉空腔；一第一電性連接區，為貫穿該底座的穿孔，該第一電性連接區中填入一金屬材料電性連接該第一導電層；以及一第二電性連接區，為貫穿該底座的穿孔，該第二電性連接區中填入該金屬材料電性連接該第二導電層。
  3. 如請求項2所述之晶圓級超聲波裝置，其中該第一壓電層包含一第一底壓電層及一第一頂壓電層，該第一電極位於該第一底壓電層上，並被該第一頂壓電層包覆，該第一頂壓電層包含該接觸孔以曝露出部分的該第一電極，該第二壓電層包含一第二底壓電層及一第二頂壓電層，該第二電路層位於該第二底壓電層上，並被該第二頂壓電層包覆，該第二電極位於該第二頂壓電層上。
  4. 如請求項1或請求項2所述之晶圓級超聲波裝置，更包含二焊墊，分別位於該底座遠離該保護層的一側，分別連接位於該第一電性連接區及該第二電性連接區中的該金屬材料。
  5. 如請求項1或請求項2所述之晶圓級超聲波裝置，其中該底座之材料為玻璃。
  6. 一種晶圓級超聲波裝置的製造方法，包含：形成一超聲波元件於一基板上，其中該超聲波元件包括一第一電極及未與該第一電極連接的一第二電極；形成一第一保護層於該超聲波元件及該基板上，並形成曝露出部分的該第一電極及部分的該第二電極之一第一穿孔及一第二穿孔； 形成一第一導電層及一第二導電層於該第一保護層上，該第一導電層的一部分位於該第一穿孔中與該第一電極連接，該第二導電層的一部分位於該第二穿孔中與該第二電極連接；形成一第二保護層於該超聲波元件及該第一保護層、該第一導電層及該第二導電層上；提供一底座，並在一真空環境下連接該底座與該第二保護層，該底座具有一開口，該開口與該保護層形成一密閉空腔；移除該基板；在該底座上形成一第一電性連接區及一第二電性連接區，且在該第二保護層形成曝露出部分的該第一導電層及部分的該第二導電層之一第一缺槽及一第二缺槽，該第一電性連接區及該第二電性連接區分別連通該第一缺槽及該第二缺槽；以及在該第一電性連接區、該第二電性連接區、該第一缺槽及該第二缺槽中填入一金屬材料，使得該金屬材料與該第一導電層及該第二導電層連接。
  7. 如請求項6所述之晶圓級超聲波裝置的製造方法，其中形成該超聲波元件的步驟包含：依序形成一第一壓電材料層、一第一電極材料層、一第二壓電材料層、一第二電極材料層；以及去除部分的該第一壓電材料層、該第一電極材料層、該第二壓電材料層及該第二電極材料層，以形成一第一壓電層、該第一電極、一第二壓電層及該第二電極，其中該第二壓電層及該第二電極暴露出部分的該第一電 極。
  8. 如請求項6所述之晶圓級超聲波裝置的製造方法，其中形成該超聲波元件的步驟包含：依序形成一第一壓電材料層及一第一電極材料層於該基板上；移除部分的該第一壓電材料層及該第一電極材料層，而形成彼此分離的一第一底壓電層與一第二底壓電層、以及一第一電極及一第二電路層；依序形成一第二壓電材料層及一第二電極材料層，該第二壓電材料層包覆該第一底壓電層、該第二底壓電層、該第一電極及該第二電路層；以及移除部分的該第二壓電材料層及該第二電極材料層，以形成彼此分離的該第一頂壓電層、該第二頂壓電層、及一第二電極，該第一頂壓電層包覆該第一底壓電層及該第一電極，該第二頂壓電層包覆該第二底壓電層及該第二電路層、該第二電極位於該第二頂壓電層上，而形成一第一超聲波單元及一第二超聲波單元。
  9. 如請求項6所述之晶圓級超聲波裝置的製造方法，其中該形成該第一電性連接區及該第二電性連接區的步驟，係貫穿該底座而形成二穿孔作為該第一電性連接區及該第二電性連接區，且移除該保護層的一部分形成該第一缺槽及該第二缺槽。
  10. 如請求項9所述之晶圓級超聲波裝置的製造方法，更包含形成二焊墊於該底座遠離該保護層的一側，該二焊墊分別連接位於該第一電性連接區及該第二電性連接區中的該金屬材料。
  11. 如請求項6所述之晶圓級超聲波裝置的製造方法，其中 該形成該第一電性連接區及該第二電性連接區的步驟，係移除該底座及該保護層的邊緣形成該第一電性連接區及該第二電性連接區。
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