TWI724594B - 三維形貌測量裝置 - Google Patents

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TWI724594B TW108139137A TW108139137A TWI724594B TW I724594 B TWI724594 B TW I724594B TW 108139137 A TW108139137 A TW 108139137A TW 108139137 A TW108139137 A TW 108139137A TW I724594 B TWI724594 B TW I724594B
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Abstract

一種三維形貌測量裝置，包含：一投射裝置、一取像裝置、以及一影像處理裝置。投射裝置投射複數結構光於一場景上，每一個結構光的投射時間彼此錯開，結構光依序在一第一投射期間及一第二投射期間投射，結構光分別具有一頻率及一平均位準，其中，第一投射期間的結構光的平均位準和第二投射期間的結構光的平均位準相同，第一投射期間的結構光的頻率和第二投射期間的結構光的頻率不同；取像裝置在每一個結構光的投射時間內擷取場景而獲得一影像；以及影像處理裝置根據影像獲得場景內的待測物之三維形貌。

Description

三維形貌測量裝置
本發明係有關一種量測技術，尤其是有關一種三維形貌測量裝置。
非接觸光學檢測應用範圍越來越廣泛，尤其是三維量測的需求，非接觸式三維檢測已發展出多種技術，其中，相移法是精度與速度相對較佳的三維檢測技術。
然而，傳統的三維量測相移法需要取像多張影像來完成三維建模，取像張數將對量測速度造成直接影響。
且當量測物的深度變化較大而無法僅用單一頻率來涵蓋時，將需要用多個頻率來完成三維檢測，但當訊號頻率越高時，受系統內熱效應的影響越大，加上受限於鏡頭的調制轉換函數(MTF)特性，真正擷取到的影像的振幅隨頻率高低而不相同，並且難以透過原始影像加以補償。
鑒於上述問題本案提供一種三維形貌測量裝置，包含：一投射裝置、一取像裝置、以及一影像處理裝置。投射裝置投射複數結構光於一場景上，每一個結構光的投射時間彼此錯開，結構光依序在一第一投射期間及一第二投射期間投射，結構光分別具有一頻率及一平均位準，其中，第一投射期間的結構光的平均位準和第二投射期間的結構光的平均位準相同，第一投射期間的結構光的頻率和第二投射期間的結構光的頻率不同；做動特定時間後，系統逐漸達熱平衡，進入穩態，對高頻訊號的影響較小；取像裝置在每一個結構光的投射時間內擷取場景而獲得一影像；以及影像處理裝置根據影像獲得場景內的待測物之三維形貌。
因此，在一些實施例中，本案三維形貌測量裝置使用不同頻率之結構光經由影像處理裝置獲得待測物之三維形貌，透過不同頻率的結構光具備相同的平均位準減少取像張數。光學系統具備能量輸入/出的步驟，需要克服熱衍生之問題，因此，透過先投射較不受熱影響的低頻訊號，並等系統逐漸達到熱平衡進入穩態後投射高頻或平均位準相關之訊號，減少高頻訊號受系統熱衍生的影響，且藉由多頻率來提升可量測範圍、解析度及精準率，降低單一頻率時所產生的多值問題。更甚者，直接投射一具有均一光強度之平均位準影像，再搭配多個不同頻率之結構光。
依據一些實施例，三維形貌測量裝置可以使用任何適合的投射裝置投射結構光到場景上，且場景內可包含一個或多個的待測物。可以使用任何適合的取像裝置擷取場景反射的結構光為影像，並儲存於取像裝置內。投射裝置投射之結構光可以為任何適合的結構光，例如但不限於正弦週期之結構光。依據一些實施例，可以選用夠高頻率的結構光來使儲存之影像可以保有恆定的全域照明及散焦效果。然後可透過投射裝置投射之結構光物點與對應之取像裝置儲存影像之物點並利用三角幾何關係來計算場景內待測物表面的物點位置，以完成三維形貌測量。
參照圖1，圖1是本案之三維形貌測量裝置100之一實施例之示意圖。三維形貌測量裝置100包含：一投射裝置101、一取像裝置102、一個或多個輸入裝置104、一個或多個輸出裝置105、以及一影像處理裝置103。影像處理裝置103連接投射裝置101及取像裝置102，輸入裝置104及輸出裝置105連接影像處理裝置103。
影像處理裝置103可以使投射裝置101將任何數量的結構光以錯開的時間投射到場景130上，場景130內可包含一個或多個任何的待測物131。同時，取像裝置102可以擷取場景130反射的結構光儲存成影像後提供給影像處理裝置103，影像處理裝置103之後根據後續說明之處理方法以及場景130內待測物131的相關數據來獲得待測物131之三維形貌。
依據一些實施例，影像處理裝置103用於控制投射裝置101和取像裝置102的操作、用於執行如本文後續所述之運算、用於生成任何合適的輸出、和用於在一些實施例中執行任何其他合適的功能，後續會有進一步的說明。影像處理裝置103可以是任何適合的處理裝置例如但不限於：電腦、或其他具運算、儲存、接收、輸出及控制等功能之裝置等等。
依據一些實施例，投射裝置101可以是用來投射結構光的任何適合裝置，例如但不限於投影系統、光柵投射器、或其他結構光源等等。
依據一些實施例，取像裝置102可以是任何用來擷取並儲存成影像之裝置，例如但不限於照相機，光傳感器，圖像傳感器、數位相機、三線感光耦合式相機等等。
依據一些實施例，輸入裝置104可以是用來控制影像處理裝置103的一個或多個輸入設備，例如但不限於觸碰螢幕、滑鼠、一個或多個按鈕、鍵盤、語音辨識電路等等。
依據一些實施例，輸出裝置105可以是用於從影像處理裝置103提供訊號輸出之設備，例如但不限於顯示器、儲存裝置等等。
依據一些實施例，任何其他合適的裝置可以加入到三維形貌測量裝置100中。在一些實施例中，可以組合或省略圖1所示之三維形貌測量裝置100內的元件。
參照圖2，圖2是本案之結構光302之一實施例之示意圖。依據一些實施例，投射裝置101投射結構光302於場景130上。依據一些實施例，結構光302根據正弦週期函式304具有明暗相間變化之光強度。依據一些實施例，結構光302之週期306可由像素量測。依據一些實施例，頻率為週期306的倒數。
依據一些實施例，每一結構光302具有一頻率例如但不限於0cycle/mm、1000cycles/mm等等、以及一平均位準308。依據一些實施例，平均位準308為一週期函式之平均光強度偏移量。依據一些實施例，每一結構光302都具有相同的平均位準308即具有相同的平均光強度偏移量。
參照圖3，圖3是本案之三維形貌測量步驟400之第一實施例之流程圖。依據一些實施例，把執行步驟400所需之多個不同頻率而形成的一頻率組輸入影像處理裝置103，而後影像處理裝置103可以根據選取之頻率，使投射裝置101將結構光302以錯開的時間投射到場景130上。在一些實施例中，該頻率組可以包含多個相同的頻率及多個不同的頻率。投射裝置101在第一投射期間中，執行第一投射程序410，第一投射程序410包含步驟412~416。在步驟412中，影像處理裝置103從輸入之頻率組中選取結構光302的頻率，在步驟414中，投射裝置101依據選取頻率依序投射多個不同相位角的結構光302於場景130上，之後在步驟416中，取像裝置102依序在結構光302的第一投射時間內擷取場景130之影像。之後執行步驟417判斷頻率組中相同之頻率是否使用完，如果是，則執行第二投射程序420，如果否，回去執行步驟412選取相同的頻率並重複後續步驟。
接著，投射裝置101在第二投射期間中，執行第二投射程序420，第二投射程序420包含步驟422~426。在步驟422中，影像處理裝置103從輸入之頻率組中選取未使用的結構光302頻率，在步驟424中，投射裝置101依據選取頻率依序投射多個不同相位角的結構光302於場景130上，之後在步驟426中，取像裝置102依序在結構光302的第二投射時間內擷取場景130之影像。接著執行步驟428判斷頻率組之頻率是否都使用完，如果否，回去執行步驟422選取不同頻率並重複後續步驟，如果是，執行步驟430來獲得影像的相位。這些判斷可以在任何合適的基礎上以任何合適的方式進行，例如為了提升量測範圍、提高解析度、及改善單一頻率發生多值的問題採用多個不同頻率之結構光302。
依據一些實施例，多個同一頻率的不同相移角之結構光302形成一結構光組，以讓後續對影像使用相移法求得相位，且運用多個不同頻率的結構光組，來解決單一頻率多值的問題。
依據一些實施例，第一投射期間內的結構光302與第二投射期間內的結構光302，平均位準308相同，但頻率不同。依據一些實施例，第一投射期間的多個結構光302區分為一個或多個結構光組（或稱「第一結構光組」），且每個第一結構光組的頻率都相同。依據一些實施例，第二投射期間的多個結構光302區分為一個或多個結構光組（或稱「第二結構光組」），且每個第二結構光組的頻率都不相同。依據一些實施例，該些第一結構光組的頻率不同於任一第二結構光組的頻率。
依據一些實施例，第一結構光組的每一結構光302的相移角是成等差數列，例如分別是0、
Figure 02_image001
、
Figure 02_image003
、及
Figure 02_image005
。第二結構光組的每一結構光302的相移角是成等差數列，例如分別是0、
Figure 02_image001
。然本案並不以上述例示為限，結構光302的相移角可為其他角度。
參照圖4，圖4是本案之三維形貌測量步驟400之第二實施例之流程圖。依據一些實施例，投射裝置101在第一投射期間中，執行第一投射程序410，第一投射程序410包含步驟418、419。在步驟418中，投射裝置101投射一個對應於平均位準308的均一光強度的結構光302於場景130上。之後在步驟419中，取像裝置102在結構光302的第一投射時間內擷取場景130之影像，並接續執行前述第二投射期間中，第二投射程序420及後續步驟。
依據一些實施例，在步驟416、426、419中及在步驟414、424、418中，取像裝置102與投射裝置101近似同步運作，例如但不限於，投射裝置101投射開始時間略早於取像裝置102取像時間，且投射裝置101投射結束時間略晚於取像裝置102取像時間或是取像裝置102取像時間略早於投射裝置101投射開始時間，且取像裝置102取像結束時間略晚於投射裝置101結束時間。
依據一些實施例，第二投射程序420及步驟428可以與第一投射程序410及步驟417對調順序，且此時步驟428為判斷頻率組中第二投射時間所需之頻率是否使用完。例如，先執行第二投射程序420，在步驟422中，影像處理裝置103從輸入之頻率組中選取未使用的結構光302頻率，之後接續執行前述之步驟424及步驟426，當取像裝置102依序在結構光302的第二投射時間內擷取場景130之影像後執行步驟428判斷頻率組中第二投射時間所需之頻率是否使用完，如果否，回去執行步驟422選取不同頻率並重複後續步驟，如果是，則接續執行第一投射程序410，在步驟412中，影像處理裝置103選取頻率組中剩餘之頻率，之後接續執行前述之步驟414及步驟416，當取像裝置102依序在結構光302的第一投射時間內擷取場景130之影像後，執行步驟430來獲得影像的相位。由於光學系統具備能量輸入/出的步驟，需執行特定時間後才會逐漸進入穩態，所有裝置在剛開始運作時都是較不穩定的，因第一投射程序410所擷取之影像，為步驟430之計算基準，透過第一投射程序410及第二投射程序420之順序對調，可以增加運算之穩定性。在一些實施例中，執行完步驟416後接續執行步驟417，判斷第一投射程序所需之頻率是否使用完，如果是，執行步驟430來獲得影像相位，如果否，回去執行步驟412選取剩餘的頻率並重複後續的步驟。
在步驟430中，透過影像處理裝置103處理取像裝置102在第一投射期間中所獲得之影像來計算平均位準值。依據一些實施例，影像處理裝置103利用在第一投射期間中所獲得之影像，除了計算平均位準值外，也會計算相位。在此，利用第一結構光組的影像來計算平均位準值的方式，是以四步相移來取得為例說明。但本案不限於此，例如可使用三步相移。每個影像中每個物點的光強度可表示為式1，而四步相移之求解需要四張影像，四張影像分別對應的物點光強度如式2~式5，其中
Figure 02_image007
代表物點的位置，
Figure 02_image009
代表平均位準值，
Figure 02_image011
代表影像振幅，
Figure 02_image013
代表影像相位。整理上述表示式後，可得式6。平均位準值可由例如但不限於式7~式9求得。
Figure 02_image015
(式1)
Figure 02_image017
(式2)
Figure 02_image019
(式3)
Figure 02_image021
(式4)
Figure 02_image023
(式5)
Figure 02_image025
(式6)
Figure 02_image027
(式7)
Figure 02_image009
=
Figure 02_image029
(式8)
Figure 02_image009
=
Figure 02_image031
(式9)
在步驟430中，透過影像處理裝置103處理第一投射期間獲得之平均位準值及在第二投射期間中所獲得之影像來計算相位。由於已根據第一投射期間獲得之影像求得平均位準值，減少需求解的參數數量，因此計算相位需要的結構光302的數量只需要至少兩個，亦即只需擷取至少兩個影像即可，更甚於依據一些實施例，每一第二結構光組的結構光302數量為兩個，以此減少取像張數，提升量測速率。在此相位的計算方式以例如但不限於兩步相移來取得，以擷取一第二結構光組的影像為例，每個影像中每個物點的光強度可表示為式10，兩步相移之求解需要兩張影像，兩張影像分別對應的物點光強度如式11~式12，其中
Figure 02_image007
代表物點的位置，
Figure 02_image009
代表平均位準值，
Figure 02_image011
代表影像振幅，
Figure 02_image033
代表影像相位。整理上述表示式後，可得式13。
Figure 02_image015
(式10)
Figure 02_image035
(式11)
Figure 02_image037
(式12)
Figure 02_image039
(式13)
依據一些實施例，使用二個以上頻率量測大範圍之待測物131，例如使用多個第二結構光組，但由於受限於鏡頭的調制轉換函數(MTF)特性，投射與擷取到的影像，其振幅均隨頻率高低而不相同，再加上不同待測物131的表面特性不相同，取像裝置102對應第一投射期間中獲得的影像的振幅將不同於對應第二投射期間中獲得的影像的振幅，取像裝置102對應不同的第二結構光組之間對應的影像的振幅也不同。
在步驟440中，由於透過步驟430獲得之相位為一反正切函數，其相位值被包裹在[
Figure 02_image041
]間，稱為
Figure 02_image003
模數。可以使用例如但不限於式14之展開法獲得連續之相位，其中，
Figure 02_image007
代表物點的位置，
Figure 02_image043
代表步驟430獲得之包裹相位，
Figure 02_image045
代表步驟440展開之相位，
Figure 02_image047
是常數。
Figure 02_image049
(式14)
依據一些實施例，由於第一結構光組及多個第二結構光組具有不同的頻率，因此透過步驟430及步驟440後，可獲得多個不同頻率的連續相位，特別需要說明的是，因為週期函數的週期循環特性，單一頻率求得的相位不一定是正確的相位，例如sin60º與sin(2
Figure 02_image051
+60º)具有相同的值，必須透過多組不同頻率交叉確認以求得精準之相位，提升三維量測之解析度及精準率。
在步驟450中，經由步驟440獲得之連續相位，然後可透過投射裝置101投射之結構光302物點相位與對應之取像裝置102儲存影像之物點相位並利用三角幾何關係來計算場景130內待測物131表面的物點位置，以完成三維形貌測量。
綜上所述，依據一些實施例，本案三維形貌測量裝置使用不同頻率之結構光經由影像處理裝置獲得待測物之三維形貌，透過不同頻率的結構光具備相同的平均位準減少取像張數。光學系統具備能量輸入/出的步驟，需要克服熱衍生之問題，因此，透過先投射較不受熱影響的低頻訊號，並等系統逐漸達到熱平衡進入穩態後投射高頻或平均位準相關之訊號，減少高頻訊號受系統熱衍生的影響，且藉由多頻率來提升可量測範圍、解析度及精準率，降低單一頻率時所產生的多值問題。
100:三維形貌測量裝置
101:投射裝置
102:取像裝置
103:影像處理裝置
104:輸入裝置
105:輸出裝置
130:場景
131:待測物
302:結構光
304:正弦週期函式
306:週期
308:平均位準
400、430、440、450:步驟
410、412、414、416、417:步驟
420、422、424、426、428:步驟
418、419:步驟
[圖1] 是本案之三維形貌測量裝置之一實施例之示意圖。 [圖2] 是本案之結構光之一實施例之示意圖。 [圖3] 是本案之三維形貌測量步驟之第一實施例之流程圖。 [圖4] 是本案之三維形貌測量步驟之第二實施例之流程圖。
400、430、440、450:步驟
410、412、414、416、417:步驟
420、422、424、426、428:步驟

Claims (9)

  1. 一種三維形貌測量裝置，包含：一投射裝置，投射複數結構光於一場景上，各該結構光的投射時間彼此錯開，該些結構光依序在一第一投射期間及一第二投射期間投射，該些結構光分別具有一頻率及一平均位準，其中，該第一投射期間的該結構光的該平均位準和該第二投射期間的該結構光的該平均位準相同，該第一投射期間的該結構光的該頻率和該第二投射期間的該結構光的該頻率不同；一取像裝置，在各該結構光的投射時間內擷取該場景而獲得一影像；以及一影像處理裝置，根據該第一投射期間擷取獲得之該影像獲得一平均位準值，根據該平均位準值及該第二投射期間擷取獲得之該影像獲得至少一相位，以及根據該相位獲得該場景內的一待測物之三維形貌。
  2. 如請求項1所述之三維形貌測量裝置，其中，該第二投射期間中的該結構光區分為複數個第二結構光組，該些第二結構光組分別具有不同的該頻率，該取像裝置對應不同的該第二結構光組獲得的該些影像具有不同的振幅。
  3. 如請求項1所述之三維形貌測量裝置，其中，該取像裝置對應該第一投射期間中的該結構光獲得的該影像的振幅不同於對應該第二投射期間中的該結構光獲得的該影像的振幅。
  4. 如請求項1所述之三維形貌測量裝置，其中，該第一投射期間中的該結構光區分為至少一第一結構光組，該第二投射期間中的該結構光區分為至少一第二結構光組，該些第一結構光組互相具有相同的該頻率，該些第一結構光組與各該至少一第二結構光組分別具有不同的該頻率。
  5. 如請求項1所述之三維形貌測量裝置，其中，該第一投射期間中的該結構光為一個，該結構光為對應於該平均位準的均一光強度，該第二投射期間中的該結構光區分為至少一第二結構光組，每一該第二結構光組中的該些結構光的數量為二個且具有週期變化的圖案，每一該第二結構光組分別具有不同的該頻率。
  6. 如請求項1所述之三維形貌測量裝置，其中，該第二投射期間中的該結構光區分為至少一第二結構光組，每一該第二結構光組中的該些結構光的數量為二個。
  7. 如請求項1所述之三維形貌測量裝置，其中，該第一投射期間中的該結構光區分為至少一第一結構光組，在同一該第一結構光組中的該些結構光具有不同的相移角。
  8. 如請求項1所述之三維形貌測量裝置，其中，該第二投射期間中的該結構光區分為至少一第二結構光組，在同一該第二結構光組中的該些結構光具有不同的相移角。
  9. 如請求項7或8所述之三維形貌測量裝置，其中，該些相移角成等差數列。
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