TWI722985B - 用於管理晶片和晶片載具環之靜電充電與放電的設計 - Google Patents

用於管理晶片和晶片載具環之靜電充電與放電的設計 Download PDF

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Abstract

本發明的實施例包括用於從載具環組件移除電荷的方法與設備。實施例包括利用端效器從第一位置拾取載具環組件。藉由形成於端效器上的一或更多個電荷調節表面來從載具環組件移除電荷。根據一實施例，電荷調節表面可為形成於端效器葉片的頂表面之上的墊片。實施例包括覆蓋端效器葉片的整個表面之電荷調節表面。實施例包括從端效器組件的載具環移除電荷，並且從支撐於由該載具環圍繞的導電黏著襯背膠帶上的基板移除電荷。在一實施例中，然後利用端效器將載具環組件轉移至第二位置。

Description

用於管理晶片和晶片載具環之靜電充電與放電的設計
本發明的實施例係關於半導體處理的領域，且具體地，係關於用於控制載具環的放電之方法與設備。
基板在處理期間會獲得靜電。例如，當矽晶圓由電漿蝕刻腔室處理時，矽晶圓會獲得靜電。在隨後的基板傳輸或處理期間，若沒有從基板移除靜電，則會產生問題。例如，當矽晶圓發展出靜電時，矽晶圓對於在後續處理中有基板放置在其上的端效器或夾盤會有強的吸引力。該吸引力可能強到足以將基板結合至表面，且移除基板將需要足夠大的力，甚至可能使基板斷裂。
因此，需要從基板散去電荷。移除電荷的一個此種處理包括使用導電探針來接觸基板，以提供移除電荷的路徑。但是，若電荷以太快的速率排除，則電弧可能會形成並且損壞基板上形成的電路。例如，將帶電基板接觸於具有高導電性的材料(例如，金屬材料)將在數微秒內散去電流，並且將導致材料之間產生電弧。
本發明的實施例包括用於控制帶電的載具環組件的放電之系統與方法。
根據一實施例，用於從載具環組件移除電荷的一種方法包括下述步驟：拾取已經獲得電荷的載具環組件。例如，電荷可能在處理操作期間獲得，例如電漿處理。該方法進一步包括下述步驟：利用端效器將載具環組件轉移至第二位置，端效器包括電荷調節表面。在一實施例中，電荷調節表面為形成於端效器的頂表面之上的墊片。
在一實施例中，從第一位置拾取載具環組件包括下述步驟：將載具環所圍繞之導電黏著襯背膠帶的一部分接觸於電荷調節表面。在此種實施例中，電荷從載具環以及從支撐於導電黏著襯背膠帶上的基板移除。進一步的實施例包括基板，該基板包括在載具環組件於第一位置處被拾取之前切割的複數個晶粒，且其中電荷係從每一晶粒移除。
本發明的實施例進一步包括端效器，用於從載具環組件移除電荷。在一實施例中，端效器係耦接至端效器腕部。在一實施例中，一或更多個電荷調節表面形成於端效器上。在本發明的實施例中，電荷調節表面包括複數個墊片。例如，墊片可支撐載具環組件的底表面。在一實施例中，絕緣層形成於端效器的曝露表面之上。額外的實施例包括定位成接觸於 載具環組件的載具環之電荷調節表面，以及載具環組件的導電黏著襯背膠帶。實施例也包括由電荷調節材料製成的端效器。電荷調節表面也可為塗覆於核心材料之上的表面塗層。本發明的實施例包括的電荷調節表面包括碳摻雜的聚醚醚酮(PEEK,polyether ether ketone)、鈦摻雜的氧化鋁、氮化鈦、氧化鈦、與類似金剛石的塗層之一或更多者。
122‧‧‧基板
130‧‧‧載具環組件
132‧‧‧載具環
134‧‧‧襯背膠帶
140‧‧‧中心
142‧‧‧平坦邊緣
144‧‧‧彎曲邊緣
200‧‧‧處理工具
202‧‧‧工廠介面
204‧‧‧裝載埠
206‧‧‧叢集工具
207‧‧‧裝載閘
208‧‧‧雷射劃線設備
209‧‧‧腔室
237‧‧‧電漿蝕刻腔室
238‧‧‧濕式/乾式製程站
239‧‧‧沉積腔室
302‧‧‧遮罩
304‧‧‧半導體晶圓或基板
306‧‧‧積體電路
307‧‧‧切割道
308‧‧‧圖案化遮罩
310‧‧‧間隙
312‧‧‧溝槽
327‧‧‧晶粒
328‧‧‧間隙
330‧‧‧載具環組件
334‧‧‧襯背膠帶
517‧‧‧端效器腕部
518‧‧‧機器臂
519‧‧‧端效器
522‧‧‧基板
523‧‧‧墊片
524‧‧‧絕緣層
530‧‧‧載具環組件
532‧‧‧載具環
534‧‧‧襯背膠帶
618‧‧‧機器臂
619‧‧‧端效器
623‧‧‧墊片
630‧‧‧載具環組件
632‧‧‧載具環
634‧‧‧襯背膠帶
718‧‧‧機器臂
719‧‧‧端效器
723‧‧‧墊片
730‧‧‧載具環組件
814‧‧‧端效器核心
817‧‧‧端效器腕部
818‧‧‧機器臂
819‧‧‧端效器
822‧‧‧基板
826‧‧‧表面塗層
830‧‧‧載具環組件
832‧‧‧載具環
907‧‧‧裝載閘腔室
919‧‧‧端效器
920‧‧‧狹長孔
930‧‧‧載具環組件
937‧‧‧電漿處理腔室
955‧‧‧開口槽
956‧‧‧基座
957‧‧‧夾盤
980‧‧‧流程圖
982、984、986‧‧‧操作
990‧‧‧端效器機器人
991‧‧‧機器人驅動器
992‧‧‧機器人軸
994‧‧‧第一臂
996‧‧‧第二臂
1000‧‧‧電腦系統
1002‧‧‧處理器
1004‧‧‧主要記憶體
1006‧‧‧靜態記憶體
1008‧‧‧網路介面裝置
1010‧‧‧視訊顯示單元
1012‧‧‧文字數位的輸入裝置
1014‧‧‧游標控制裝置
1016‧‧‧信號產生裝置
1018‧‧‧輔助記憶體
1020‧‧‧網路
1022‧‧‧軟體
1026‧‧‧處理邏輯
1030‧‧‧匯流排
1031‧‧‧機器可存取儲存媒介
L、LP‧‧‧長度
R‧‧‧半徑
WF‧‧‧寬度
第1圖根據一實施例，為載具環組件的例示，載具環組件包括載具環、導電黏著襯背、與基板。
第2圖根據本發明的一實施例，為處理工具的方塊圖的例示。
第3A圖至第3C圖根據本發明的一實施例，例示在切割半導體晶圓的方法期間的半導體晶圓的橫剖面視圖，半導體晶圓包括複數個積體電路。
第3D圖根據本發明的一實施例，為載具環組件的例示，載具環組件包括已經切割成個別晶粒的基板。
第4圖根據本發明的一實施例，為範例性電荷調節材料的散去時間的圖例。
第5A圖根據本發明的一實施例，為端效器的例示。
第5B圖根據本發明的一實施例，為支撐載具環組件的端效器的例示。
第5C圖與第5D圖根據本發明的一實施例，為支撐載具環組件的端效器的橫剖面例示。
第6A圖根據本發明的一實施例，為端效器的例示。
第6B圖根據本發明的一實施例，為支撐載具環組件的端效器的例示。
第7A圖根據本發明的一實施例，為端效器的例示。
第7B圖根據本發明的一實施例，為支撐載具環組件的端效器的例示。
第7C圖與第7D圖根據本發明的一實施例，為支撐載具環組件的端效器的橫剖面例示。
第8A圖根據本發明的一實施例，為端效器的例示。
第8B圖根據本發明的一實施例，為支撐載具環組件的端效器的例示。
第8C圖與第8D圖根據本發明的一實施例，為支撐載具環組件的端效器的橫剖面例示。
第9A圖根據本發明的一實施例，為流程圖的例示，流程圖表示在用於從第一位置轉移載具環組件至第二位置並且從載具環組件移除電荷的方法中的操作。
第9B圖與第9C圖根據本發明的一實施例，為機器人的示意例示，機器人將載具環組件從第一位置轉移至第二位置。
第10圖根據本發明的一實施例，例示範例性電腦系統的方塊圖。
根據各種實施例，敘述用於從載具環組件移除靜電的方法與設備。在下面的敘述中，提出許多具體細節，例如由基板載具環支撐的基板、端效器、以及半導體處理工具，以提供本發明的實施例的徹底理解。本領域中熟習技藝者將明顯得知，沒有這些具體細節也可實施本發明的實施例。在其他實例中，熟知的態樣並未詳細敘述，以避免模糊本發明的實施例。此外，將理解到，圖式中所示的各種實施例為例示性表示，且不需要按比例繪製。
本發明的實施例包括用於從載具環組件移除靜電的方法與設備。載具環組件的結構對於多餘電荷的移除提供了獨特的挑戰。例如，載具環組件包括載具環與基板，載具環與基板藉由非導電的襯背膠帶而彼此絕緣。載具環與基板兩者在各種處理操作期間也可能獲得靜電。因此，基板與載具環兩者必須個別地被接觸，以從載具環組件完全移除靜電。此外，載具環僅可接觸於其背側，因為基板直接由非導電的 襯背膠帶支撐。因此，從載具環組件的背側直接接觸兩個元件是不可能的。
現在參見第1圖，根據一實施例繪示載具環組件130。在一實施例中，載具環組件130包括載具環132、黏著襯背膠帶134與基板122。黏著襯背膠帶134的層由載具環132圍繞。基板122由襯背膠帶134支撐。根據本發明的一實施例，襯背膠帶134為導電材料。例如，襯背膠帶134可包括摻雜有導電粒子的聚合物材料。在一實施例中，導電顆粒可包括奈米大小的粒子，例如銅、碳、或鈦。根據本發明的額外實施例，襯背膠帶134可包括導電網格。導電襯背膠帶134允許基板122上建立的電荷散去。取代電性絕緣於載具環132，基板122可藉由導電襯背膠帶134而電性耦接至載具環132。因此，基板上的電荷可通過導電襯背膠帶134而散至載具環134中。此外，基板122所獲得的電荷可通過導電襯背膠帶134而散去並且進入支撐載具環組件130且接觸於導電襯背膠帶134的物體。因此，根據本發明的實施例，不再需要基板122與電荷移除表面之間的直接接觸。因此，此種實施例允許載具環132與基板122中的多餘電荷經由接觸於載具環組件130的背側而放電。
在一實施例中，載具環132為金屬材料。例如，載具環132為不銹鋼。實施例包括由磁性 材料形成的載具環132。在額外的實施例中，載具環132為非金屬材料，例如塑膠或樹脂型材料。當從載具環組件132移除電荷時，塑膠的載具環132提供了額外的挑戰，因為基板122所獲得的電荷無法通過導電襯背膠帶134散去並且進入載具環132。因此，下面更詳細地敘述之本發明的實施例藉由將襯背膠帶134接觸於端效器的電荷調節表面而包括一路徑，以從基板122散去電荷。
在一實施例中，基板122為商業上可取得的矽晶圓，例如300mm的矽晶圓。額外的實施例包括尺寸經設計來承載較大或較小的基板之載具環組件130，例如200mm或450mm的基板。基板122可具有複數個個別的裝置晶粒(未圖示)，每一晶粒都包括形成在其上的積體電路。
雖然本文係具體參照包括為晶圓的基板122之載具環組件130，實施例並不限於此。實質上，類似於本文所述的那些方法與設備之方法與設備都可用於移除載具環組件130所獲得的電荷，載具環組件130除了支撐單一矽晶圓之外也可支撐多個基板。例如，根據本發明的實施例，可使用用於承載多個基板的載具環組件130。例如，根據本發明的實施例，可移除用於處理複數個藍寶石基板上所形成的發光二極體(LED)之載具環組件130所獲得的靜電。
在一實施例中，載具環132具有一或更多個平坦邊緣142。如同第1圖所示，載具環132包括四個平坦邊緣142。在一實施例中，相對的平坦邊緣之間的載具環132的寬度WF為大約380mm，但是實施例並不限於此種配置。例如，用於承載較大基板122的載具環132可具有大於380mm的寬度WF。實施例包括具有彎曲邊緣144的載具環132，彎曲邊緣144形成於平坦邊緣142之間。在一實施例中，彎曲邊緣144為圓弧，其原點在載具環組件130的中心140處。在一實施例中，圓形邊緣144的半徑R可為大約200mm，但是實施例並不限於此種配置。例如，用於承載較大基板122的載具環132可具有圓形邊緣144係具有大於200mm的半徑R。因此，載具環132的寬度為可變的，取決於相對於中心點140的角度取向。例如，沿著圓形邊緣144的載具環132的相對側上的兩個點之間的寬度(亦即，2R)大於兩個平坦邊緣142之間的寬度WF。
根據本發明的實施例，載具環組件130可在處理操作期間支撐基板122。例如，載具環組件130可在處理工具中處理，例如類似於第2圖所示的處理工具200。在一實施例中，處理工具200包括一或更多個裝載埠204與工廠介面202。處理工具200可包括叢集工具206，叢集工具206藉由裝載閘207而耦接至工廠介面202。叢集工具206包括腔室 209，其中機器人(例如具有端效器的機器人，端效器具有一或更多個電荷調節表面(更詳細敘述於下))轉移載具環組件130於裝載閘207與處理腔室之間，或者真空環境209中的不同處理腔室之間。在一實施例中，叢集工具206也包括一或更多個電漿蝕刻腔室237。在一實施例中，處理工具200包括雷射劃線設備208。處理工具200可配置來執行基板122(例如，載具環132所支撐的矽晶圓)上所形成的個別裝置晶粒的混合式雷射與蝕刻單分處理。
在一實施例中，雷射劃線設備208容納毫微微秒型雷射。毫微微秒型雷射可適於執行基板122(例如，載具環132所支撐的矽晶圓)上所形成的個別裝置晶粒的混合式雷射與蝕刻單分處理的雷射燒蝕部分。在一實施例中，可移動台也包括於雷射劃線設備208中，可移動台係配置來相對於毫微微秒型雷射移動載具環132所支撐的基板122。在另一實施例中，毫微微秒型雷射也可移動。
在一實施例中，叢集工具206中的一或更多個電漿蝕刻腔室237可適於執行基板122(例如，載具環132所支撐的矽晶圓)上所形成的個別裝置晶粒的混合式雷射與蝕刻單分處理的蝕刻部分。蝕刻腔室可配置來通過圖案化遮罩中的間隙來蝕刻載具環132所支撐的基板122。在一個此種實施例中，叢集工具206中的一或更多個電漿蝕刻腔室237係 配置來執行深層矽蝕刻處理。在一具體實施例中，一或更多個電漿蝕刻腔室為可從美國加州的桑尼維爾(Sunnyvale)的應用材料公司取得的Applied Centura® SilviaTM Etch系統。蝕刻腔室可特別設計來用於深層矽蝕刻，深層矽蝕刻用於單晶矽基板或晶圓中或上容納的單分積體電路。在一實施例中，高密度電漿源係包括於電漿蝕刻腔室中，以促進高的矽蝕刻速率。
在一實施例中，工廠介面202可為合適的大氣埠口，以介接於裝載埠204、雷射劃線工具208、與裝載閘207。工廠介面202可包括一或更多個機器人，機器人具有手臂與一或更多個端效器，用於從對接於裝載埠204的前開孔統一槽(FOUP,front opening unified pods)轉移載具環組件130至裝載閘207或雷射劃線設備208、或兩者中。
叢集工具206可包括其他腔室，適於執行單分方法中的功能。例如，在一實施例中，取代額外的蝕刻腔室，係包括有沉積腔室239。沉積腔室239可配置來在雷射劃線晶圓或基板之前，遮罩沉積於晶圓或基板的裝置層上或之上。在一個此種實施例中，沉積腔室239適於沉積水溶性遮罩層。在另一實施例中，取代額外的蝕刻腔室，係包括有濕式/乾式製程站238。在晶圓或基板的雷射劃線與電漿蝕刻單分處理之後，濕式/乾式製程站238可適於清潔殘留 物與碎片，或者適於移除水溶性遮罩。在一實施例中，也包括量測站，作為處理工具200的元件。
根據一實施例，混合式雷射與蝕刻單分處理可包括例如第3A圖至第3C圖中所示的處理。參見第3A圖，遮罩302形成於半導體晶圓或基板304之上。遮罩302包括一層來覆蓋與保護形成於半導體晶圓304的表面上的積體電路306。遮罩302也覆蓋形成於每一積體電路306之間的插入的切割道307。
參見第3B圖，遮罩302係利用雷射劃線處理來圖案化，以提供具有間隙310的圖案化遮罩308，曝露積體電路306之間的半導體晶圓或基板304的區域。因此，雷射劃線處理係用於移除原本形成於積體電路306之間的切割道307的材料。根據本發明的實施例，利用雷射劃線處理來圖案化該遮罩302進一步包括：形成溝槽312部分進入積體電路306之間的半導體晶圓304的區域中，如同第3B圖繪示的。
參見第3C圖，半導體晶圓304係蝕刻通過圖案化遮罩308中的間隙310，以單分該等積體電路306。根據本發明的實施例，蝕刻半導體晶圓304包括藉由蝕刻最初利用雷射劃線處理所形成的溝槽312，而最終蝕刻完全通過半導體晶圓304，如同第3C圖所示。在一實施例中，圖案化遮罩308在電漿蝕刻之後移除，也如同第3C圖所示。
因此，再次參見第3A圖至第3C圖，藉由最初的燒蝕(使用雷射劃線處理來燒蝕通過遮罩層、通過晶圓切割道(包括金屬化)、以及可能部分進入基板或晶圓)，可執行晶圓切割。藉由後續通過基板的電漿蝕刻(例如，直通矽的深電漿蝕刻)，之後可完成晶粒單分。例如，第3D圖例示已經經歷了混合式雷射與蝕刻單分處理的載具環組件330。基板322已經單分成由垂直與水平的間隙328分離的個別晶粒327。在混合式雷射與蝕刻單分處理期間，每一晶粒327會獲得靜電。因此，本發明的實施例包括用於以受控制的方式將每一晶粒327放電的設備與方法，以防止產生火花。
取代必須接觸每一個別晶粒327來移除電荷，本發明的實施例包括電荷調節表面，電荷調節表面可接觸導電襯背膠帶334，以允許利用單一接觸點來從所有晶粒327散去電荷。此外，本發明的實施例包括端效器上的電荷調節表面，所以散去電荷可發生在當載具環組件從處理工具轉移至第二位置時，例如匣或後續的處理腔室。因此，本發明的實施例允許減少將晶粒327放電所需的時間，並且降低放電操作的複雜度，因為不需要接觸每一個別晶粒327。
根據本發明的實施例，載具環組件130上建立的電荷係以受控制的方式來散去。控制散去的速率可防止載具環組件與用於散去電荷的表面之間 產生電弧。例如，若已經獲得電荷的載具環組件接觸於高導電性材料(例如，金屬材料)，則電荷會在數微秒或更短的時間內完全散去，並且可能導致兩材料之間產生電弧。電弧有可能損壞形成在基板上或晶粒上的積體電路，且因此是非所欲的。
本發明的實施例包括藉由將帶電的載具環組件130接觸於電荷調節表面，而以較慢的速率從載具環組件130移除電荷。例如，電荷調節表面可包括具有電阻率高於金屬材料的材料。在一實施例中，電荷調節表面的電阻率可為104歐姆-公分與1011歐姆-公分之間。較高的電阻率可降低電荷散去的速率，並且防止產生電弧。例如，第4圖根據本發明的實施例，為繪示鈦摻雜的氧化鋁的電荷散去的圖，鈦摻雜的氧化鋁為可使用作為電荷調節表面的數種材料之一者。如同所示，電荷幾乎完全在0.25秒內散去，其中剩餘的電荷則實質上在大約1.25秒內移除。此範例性散去速率證明：載具環組件上的電荷可用數量級較大於會產生電弧的速率(例如，當靜電以數微秒或更短的時間散去時)之速率來移除。根據本發明的額外實施例，電荷調節表面可包括其他材料，例如(但不限於)氧化鈦、氮化鈦、碳摻雜的聚醚醚酮(PEEK,polyether ether ketone)、或類似金剛石的塗層。
除了選擇電荷調節表面的材料之外，接觸於載具環組件130之電荷調節表面的表面積也影響電荷從載具環組件130散去的速率。較大的表面積相較於相同材料的較小表面積將較快散去電荷。第5A圖至第8D圖根據本發明的實施例，例示數個端效器，具有電荷調節表面的不同配置。
現在參見第5A圖，根據本發明的實施例例示機器臂518的俯視圖。機器臂518包括端效器腕部517。端效器腕部517可耦接至端效器519。機器臂518也可耦接至晶圓傳送系統機器人(未圖示)。例如，晶圓傳送系統機器人可為選擇性的選擇順應性鉸接式機器手臂(SCARA,selective compliance articulated robot arm)或本領域中已知的任何其他晶圓傳送系統機器人。端效器519從端效器腕部517向外延伸。如同所示，端效器519包括兩個向外延伸的叉狀物，用於支撐載具環組件530。額外的實施例包括了包括並未形成為單一元件之兩個或更多個叉狀物的端效器，每一叉狀物耦接至端效器腕部517。在一實施例中，端效器519向外延伸長度L，長度L足以支撐載具環組件530。例如，長度L可大於載具環組件的寬度WF。根據額外的實施例，長度L可小於載具環組件的寬度WF。本發明的實施例也可包括夾持機構(未圖示)，以在轉移載具環組件於多個位置之間的期間將載具環組件固定至端 效器519。例如，夾持機構可為機械夾具、電磁夾具、或真空夾具。額外的實施例不包括夾持機構。例如，載具環組件530與端效器519之間的摩擦可提供足夠的力來在轉移載具環組件於第一位置至第二位置的期間將載具環組件530固定至端效器519。
根據一實施例，端效器519可實質上由金屬材料形成。因此，實施例包括形成於端效器519的表面之上的複數個電荷調節表面，以防止載具環組件530與金屬端效器519之間產生電弧。根據一實施例，電荷調節表面包括複數個墊片523，如同第5A圖所示。墊片將載具環組件中儲存的電荷散去，並且將電荷轉移至金屬葉片。電流可接著轉移至端效器腕部517，並且最終藉由耦接至端效器腕部517的機器人而到地。根據在第5A圖中例示的實施例，端效器519包括四個墊片523。但是，可理解到，本發明的實施例並不限於此種配置。例如，端效器519也可包括三個或更多個墊片523。
在一實施例中，墊片523可藉由螺釘(未圖示)或本領域中已知的其他緊固件而耦接至端效器519。為了防止產生電弧，緊固件可為絕緣材料，例如塑膠。在一實施例中，墊片523的尺寸係設計成提供足夠的支撐給載具環組件530，並且足夠大來充分散去載具環組件130所獲得的電荷。根據一實施例，墊片可為15mm乘15mm的正方形。額外的實施例包 括尺寸較大或較小以及形成為正方形以外的形狀之墊片。例如，墊片523可具有長度在5mm與20mm之間的邊緣。
現在參見第5B圖，根據本發明的實施例例示端效器519，端效器519支撐載具環組件530。如同所示，端效器519跨越載具環組件530的整個寬度WF。根據一實施例，墊片523接觸於載具環532。因此，電荷可通過墊片523從載具環532散去。在額外的實施例中，額外的墊片523也可選擇性地形成於沿著端效器519將提供與導電襯背膠帶534的接觸之位置處。在此種實施例中，額外的墊片523提供額外的路徑來將導電襯背膠帶534所支撐的基板522放電。但是，本發明的實施例沒有墊片523接觸於襯背膠帶534仍可將基板522放電，因為來自基板的電荷可通過導電襯背膠帶534並且進入載具環532中。
如同第5C圖的機器臂518的橫剖面圖所示，墊片523在端效器519之上向上延伸。在一實施例中，墊片523足夠厚，以在端效器519之上隔開載具環組件一距離，以防止載具環組件530與端效器519之間產生電弧。藉由範例的方式，墊片523可具有1mm與5mm之間的高度。額外的實施例可包括具有高度在2mm與3mm之間的墊片523。第5D圖所示的額外實施例包括絕緣層524，絕緣層524形成於端效器519的曝露部分之上。在此種實施例中，絕緣層 524可防止葉片與載具環組件之間產生電弧。藉由範例的方式，絕緣層可為聚合物材料。
在本發明的實施例中，絕緣層524可凹陷於墊片523之下，或者絕緣層524可實質上與墊片523的厚度相同。在具有實質上與墊片523的厚度相同之絕緣層524的實施例中，絕緣層524可進一步用於增加載具環組件530與端效器519之間的摩擦。在一實施例中，絕緣層524可為柔性材料。根據本發明的實施例，絕緣層524可為50與100硬度之間的材料。本發明的實施例可包括55與70硬度之間的絕緣層524。柔性材料的使用可增加載具環組件530與端效器519之間的接觸面積。例如，由剛性材料形成的端效器519無法允許載具環532的整個表面接觸於端效器519，因為載具環532的厚度有所變化，該變化可為0.1mm或更大。相反地，柔性絕緣層524可順應載具環532的厚度的變化，並且提供兩個表面之間的改良接觸。
現在參見第6A圖，例示根據本發明的額外實施例的機器臂618。根據一實施例，機器臂618實質上類似於相關於第5A圖至第5D圖所上述的機器臂518，除了端效器619上的墊片623的配置之外。如同所示，墊片623可延伸實質上端效器619的整個長度。例如，每一墊片623可具有長度LP，長度LP實質上沿著端效器的長度L延伸。如同第6B圖所 示，墊片623的延伸長度允許墊片623接觸於載具環632與導電襯背膠帶634兩者。因此，載具環632與由導電襯背膠帶634支撐的基板622可放電。此外，接觸於載具環組件630之墊片623的增加的表面積可增加多餘電荷從載具環組件630散去的速率。本領域中熟習技藝者將承認，電荷散去之增加的速率的數量級仍然較慢於若載具環組件直接接觸於金屬表面時，且因此元件之間將不會有電弧發生。
現在參見第7A圖，例示根據額外的實施例的端效器。機器臂718實質上類似於第5A圖所示的機器臂518，除了端效器719可由電荷調節材料而非金屬材料製成之外。如同第7B圖所示，載具環組件730以實質上相同於相關於第5B圖所述的方式支撐在墊片723上。雖然整個端效器719係由電荷調節材料形成，僅較小區域的電荷調節材料(亦即，墊片723)接觸於載具環組件730。類似於上述，藉由增加墊片723的面積，可增加移除電荷的速率。此外，因為整個端效器719係由電荷調節材料形成，端效器719的電阻值相對於包括金屬材料的端效器來說也可增加。實施例也可包括調整端效器719的橫截面面積，以允許較多或較少的電流流經端效器719，藉此提供可用於控制從載具環組件730移除電荷的速率之額外的參數。
在實施例中，墊片723與端效器719係形成自單一元件，如同第7C圖中所示的橫剖面視圖例示的。額外的實施例包括形成端效器719與墊片723作為分離的元件，藉由緊固件耦接在一起，例如藉由塑膠螺釘。根據一實施例，端效器719可形成自第一電荷調節材料，且墊片723可形成自第二電荷調節材料，如同第7D圖所示。不同材料的組合可針對獲得所欲的電荷移除速率提供額外的設計彈性。例如，用於端效器719的第一電荷調節材料可具有較低的電阻率，相較於用於墊片723的第二電荷調節材料來說。因此，電荷移除速率可減小，因為較高電阻率的材料接觸於載具環組件730。或者，實施例可包括具有較低電阻率之用於端效器719的第一電荷調節材料，相較於用於墊片723的第二電荷調節材料來說。此外，端效器719可形成自比墊片723更輕且更硬的電荷調節材料，以減少端效器下垂的量。
現在參見第8A圖，例示根據額外的實施例的機器臂818。機器臂818實質上類似於機器臂718，除了端效器719上沒有墊片723之外。在此種實施例中，載具環組件830可直接接觸於利用電荷調節材料所形成的端效器819。因此，根據本發明的實施例，端效器819的整個表面可為電荷調節表面。如同第8B圖所示，載具環組件830可沿著載具環832 的背側以及導電襯背膠帶834接觸，藉此提供路徑來將載具環832與基板822放電。
在一實施例中，省略墊片會減小載具環組件830與端效器819的結合厚度T，如同第8C圖所示。減小厚度允許端效器配裝至間距較緊的匣中。例如，載具環組件830可具有大約1.5mm或更大的厚度，而商業上可取得的矽晶圓可具有大約750μm或更小的厚度。因此，當在設計來用於較薄的基板(例如，300mm的矽晶圓基板)之處理工具中轉移較厚的載具環832時，載具環組件830的厚度成為阻礙。因此，減小端效器819的厚度在間距較緊的儲藏匣或狹窄的開口中提供額外的間隙，並且改良處理工具的可靠度。
根據一實施例，電荷調節材料可為塗覆於端效器核心814之上的表面塗層826，如同第8D圖的橫剖面視圖所示。例如，端效器核心814可為金屬材料。因此，放電路徑從載具環組件進入電荷調節表面塗層，且然後進入金屬核心。用於端效器核心814的材料也可選擇，以提供所需的剛性給端效器819。例如，可使用剛性材料，例如不導電的陶瓷或金屬材料。根據一實施例，端效器核心814不需要是導電的，因為表面塗層826可提供載具環組件830與端效器腕部817之間所需的導電路徑。
根據實施例，利用端效器將載具環組件從第一位置轉移至第二位置，端效器在轉移處理期間從載具環組件移除電荷。第9圖根據一實施例，包括流程圖980，流程圖980表示在用於轉移載具環組件與從載具環組件移除電荷之處理中的操作。第9B圖至第9C圖根據一實施例，例示端效器機器人990的橫剖面視圖，端效器機器人990在用於轉移載具環組件930與從載具環組件930移除電荷之處理的執行期間(對應於流程圖980的操作)包括端效器919。
現在參見流程圖980的操作982以及對應的第9B圖，端效器919從第一位置拾取載具環組件930。根據一實施例，端效器919耦接於機器人990。在一實施例中，機器人990包括機器人驅動器991。機器人軸992可延伸出機器人驅動器991的頂表面，以促成機器人升高或降低端效器919的位準。在一實施例中，機器人軸992由活塞或導引螺桿來驅動。根據一實施例，機器臂可為選擇順應性鉸接式機器手臂(SCARA)。例如，第一臂994係可旋轉地耦接於機器人軸992。第二臂996可旋轉地耦接於第一臂994的自由端。端效器919可旋轉地耦接於第二臂996的自由端。
根據一實施例，第一位置為電漿處理腔室937中的夾盤957。夾盤957可由基座956支撐。如同所示，端效器918通過開口槽955而進入處理腔 室937。雖然第一位置係例示為處理腔室，本領域中熟習技藝者將承認，第一位置可為可取用機器人990的任何位置。例如，第一位置也可為裝載閘腔室907中的狹長孔920。
現在參見流程圖980的操作984，利用端效器919上的電荷調節表面，將電荷從載具環組件移除。根據本發明的實施例，端效器上的電荷調節表面可包括本文所述的任何配置。因此，電荷以受控制的速率從載具環組件移除，以防止載具環組件930與端效器919之間產生電弧。根據本發明的實施例，在將載具環組件930從第一位置轉移至第二位置的處理期間，移除電荷。
現在參見流程圖980的操作986以及對應的第9C圖，載具環組件係轉移至第二位置。例如，第二位置可包括裝載閘腔室907中的狹長孔920。根據額外的實施例，第二位置可為可取用機器人990的任何位置。例如，第二位置可包括額外的處理腔室，例如濕式/乾式製程站或雷射劃線站。
現在參照本發明的實施例，本發明的實施例可提供作為電腦程式產品或軟體，電腦程式產品或軟體可包括機器可讀取媒介，機器可讀取媒介上儲存有指令，指令可用於編程電腦系統(或其他電子裝置)，以執行根據本發明的實施例之處理。在一實施例中，電腦系統耦接於相關於第2圖所述的處理工具 200或相關於第9B圖所述的機器人990。機器可讀取媒介包括用於以機器(例如，電腦)可讀取的形式儲存或傳送資訊的任何機構。例如，機器可讀取(例如，電腦可讀取)媒介包括機器(例如，電腦)可讀取儲存媒介(例如，唯讀記憶體(「ROM」)、隨機存取記憶體(「RAM」)、磁碟儲存媒介、光學儲存媒介、快閃記憶體裝置等)、機器(例如，電腦)可讀取傳輸媒介(電性、光學、聲學或其他形式的傳輸信號(例如，紅外線信號、數位信號等))等。
第10圖例示以電腦系統1000的範例形式之機器的概略圖示，電腦系統1000內可執行指令集，以導致機器執行本文所述的任何一或更多個方法。在替代的實施例中，機器可連接(例如，網接)至區域網路(LAN)、內部網路、外部網路、或網際網路中的其他機器。該機器可操作有客戶端-伺服器網路環境中的伺服器或客戶端機器的性能，或者作為點對點(或分散式)網路環境中的點機器。該機器可為個人電腦(PC)、平板PC、機上盒(STB)、個人數位助理(PDA)、手機、網頁瀏覽器、伺服器、網路路由器、交換器或橋接器、或可以執行指令集(連續的或其他)的任何機器，指令集指定該機器要採取的動作。另外，雖然僅例示單一機器，用語「機器」也應視為包括任何機器(例如，電腦)的集合，機器 的集合個別或聯合地執行指令集(或多個指令集)，以執行本文所述的任何一或更多個方法。
範例性電腦系統1000包括處理器1002、主要記憶體1004(例如，唯讀記憶體(ROM)、快閃記憶體、動態隨機存取記憶體(DRAM)、例如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等)、靜態記憶體1006(例如，快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體(SRAM)等)、與輔助記憶體1018(例如，資料儲存裝置)，這些元件經由匯流排1030而彼此通訊。
處理器1002代表一或更多個通用目的處理裝置，例如微處理器、中央處理單元、或類似者。更具體地，處理器1002可為複雜指令集運算(CISC,complex instruction set computing)微處理器、精簡指令集運算(RISC,reduced instruction set computing)微處理器、超長指令字(VLIW,very long instruction word)微處理器、實行其他指令集的處理器、或實行指令集的組合的處理器。處理器1002也可為一或更多個專用目的處理裝置，例如特殊應用積體電路(ASIC)、現場可編程閘陣列(FPGA)、數位信號處理器(DSP)、網路處理器、或類似者。處理器1002係配置來執行處理邏輯1026，處理邏輯1026用於執行本文所述的操作。
電腦系統1000可另外包括網路介面裝置1008。電腦系統1000也可包括視訊顯示單元1010(例如，液晶顯示器(LCD)、發光二極體顯示器(LED)、或陰極射線管(CRT))、文字數位的輸入裝置1012(例如，鍵盤)、游標控制裝置1014(例如，滑鼠)、與信號產生裝置1016(例如，揚聲器)。
輔助記憶體1018可包括機器可存取儲存媒介(或更具體地，電腦可讀取儲存媒介)1031，機器可存取儲存媒介上儲存有一或更多個指令集(例如，軟體1022)，該一或更多個指令集實行本文所述的任何一或更多個方法或功能。軟體1022也可在它由電腦系統1000執行的期間暫存(全部或至少部分)在主要記憶體1004及/或處理器1002內，主要記憶體1004與處理器1002也構成機器可讀取儲存媒介。軟體1022可另外經由網路介面裝置1008在網路1020上傳送或接收。
雖然機器可存取儲存媒介1031在範例實施例中係繪示為單一媒介，用語「機器可讀取儲存媒介」應視為包括儲存一或更多個指令集的單一媒介或多個媒介(例如，集中式或分散式資料庫，及/或相關的快取與伺服器)。用語「機器可讀取儲存媒介」也應視為包括：可以儲存或編碼指令集來由機器執行並且導致該機器執行本發明的任何一或更多個方法 之任何媒介。用語「機器可讀取儲存媒介」因此應視為包括(但不限於)：固態記憶體、以及光學與磁性媒介。
根據本發明的實施例，機器可存取儲存媒介具有指令儲存於其上，指令導致資料處理系統執行一種方法，該方法利用具有電荷調節表面的端效器，從第一位置拾取載具環組件。該方法可另外包括：利用電荷調節表面來從載具環組件移除電荷。該方法可另外包括：轉移載具環組件至第二位置。
517‧‧‧端效器腕部
518‧‧‧機器臂
519‧‧‧端效器
522‧‧‧基板
523‧‧‧墊片
530‧‧‧載具環組件
532‧‧‧載具環
534‧‧‧襯背膠帶

Claims (18)

  1. 一種從一載具環組件移除電荷的方法，該方法包括下述步驟：利用一端效器從一第一位置拾取一載具環組件，其中該載具環組件包括一載具環、由該載具環所圍繞的一導電黏著襯背膠帶及由該導電黏著襯背膠帶所支撐的基板，及其中該載具環組件已經獲得一電荷；及利用一或更多個電荷調節表面來以防止產生電弧的一速率移除該電荷，該一或更多個電荷調節表面形成於一端效器上；及利用該端效器將該載具環組件轉移至一第二位置。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該等電荷調節表面為形成於該端效器的一頂表面上的墊片。
  3. 如請求項2所述之方法，其中該等墊片接觸於該端效器的一金屬層。
  4. 如請求項3所述之方法，其中未接觸於該等墊片之該金屬層的該頂表面係由一絕緣材料覆蓋。
  5. 如請求項2所述之方法，其中該端效器係形成自與該等墊片相同的材料。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該電荷調節表面為該端效器的整個表面。
  7. 如請求項6所述之方法，其中該電荷調節表面為塗覆於該端效器之上的一表面塗層。
  8. 如請求項1所述之方法，其中從該第一位置拾取該載具環組件的步驟包括下述步驟：將該導電黏著襯背膠帶的一部分接觸於該等電荷調節表面。
  9. 如請求項8所述之方法，其中從該載具環組件移除該電荷的步驟包括下述步驟：從支撐於該導電黏著襯背膠帶上的該基板移除電荷。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該基板為在該載具環組件於第一位置處被拾取之前切割的複數個晶粒，且其中電荷係從每一晶粒移除。
  11. 如請求項1所述之方法，其中該等電荷調節表面具有104歐姆-公分與1011歐姆-公分之間的一電阻率。
  12. 如請求項1所述之方法，其中該等電荷調節表面包括碳摻雜的聚醚醚酮(PEEK)、鈦摻雜的氧化鋁、氮化鈦、氧化鈦與類似金剛石的塗層之一或更多者。
  13. 一種機器臂，包括：一端效器腕部；一端效器，該端效器從該端效器腕部延伸出來； 一或更多個電荷調節表面，該一或更多個電荷調節表面形成於該端效器上；及一絕緣層，該絕緣層覆蓋該端效器的一曝露頂表面，其中該絕緣層的一頂表面與該等電荷調節表面的一頂表面實質共面，其中該等電荷調節表面係定位成接觸於一載具環以及由該載具環圍繞的一導電黏著襯背膠帶。
  14. 如請求項13所述之機器臂，其中該等電荷調節表面為從該端效器的一頂表面向上延伸的墊片。
  15. 如請求項14所述之機器臂，其中該等電荷調節表面實質上沿著該端效器的長度延伸。
  16. 如請求項13所述之機器臂，其中該等電荷調節表面覆蓋該端效器的該表面。
  17. 如請求項13所述之機器臂，其中該等電荷調節表面包括碳摻雜的聚醚醚酮(PEEK)、鈦摻雜的氧化鋁、氮化鈦、氧化鈦、與類似金剛石的塗層之一或更多者。
  18. 一種從一載具環組件移除電荷的方法，該方法包括下述步驟：利用一端效器從一第一位置拾取一載具環組件，其中該載具環組件已經獲得一電荷；利用一或更多個電荷調節表面來以防止產生電弧 的一速率移除該電荷，該一或更多個電荷調節表面形成於一端效器上，其中該等電荷調節表面具有104歐姆-公分與1011歐姆-公分之間的一電阻率，且其中該等電荷調節表面接觸於一載具環的一部分以及該載具環利用該等電荷調節表面所圍繞的一導電黏著襯背膠帶的一部分；及利用該端效器將該載具環組件轉移至一第二位置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110660840B (zh) * 2014-09-08 2023-09-01 住友电气工业株式会社 碳化硅单晶衬底及用于制造所述碳化硅单晶衬底的方法
US20170040205A1 (en) * 2015-08-05 2017-02-09 Lam Research Corporation High-hardness-material-powder infused elastomer for high friction and compliance for silicon wafer transfer
US20180374736A1 (en) * 2017-06-22 2018-12-27 Applied Materials, Inc. Electrostatic carrier for die bonding applications
US11540432B2 (en) * 2019-09-26 2022-12-27 Applied Materials, Inc. Ultrathin conformal coatings for electrostatic dissipation in semiconductor process tools
CN110740556A (zh) * 2019-10-25 2020-01-31 上海华力微电子有限公司 一种静电消除装置和方法以及电子扫描显微镜
KR20220147869A (ko) * 2021-04-28 2022-11-04 삼성전자주식회사 이송 유닛을 갖는 반도체 제조 장치 및 반도체 소자 형성 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6709218B1 (en) * 1997-02-14 2004-03-23 Applied Materials, Inc. Robot blade for semiconductor processing equipment
US20120322239A1 (en) * 2011-06-15 2012-12-20 Saravjeet Singh Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier
JP2014063810A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Panasonic Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0513550A (ja) * 1991-07-03 1993-01-22 Tokyo Electron Sagami Ltd 基板移載用フオーク
US8802545B2 (en) * 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
SG194239A1 (en) * 2012-04-09 2013-11-29 Semiconductor Tech & Instr Inc End handler

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6709218B1 (en) * 1997-02-14 2004-03-23 Applied Materials, Inc. Robot blade for semiconductor processing equipment
US20120322239A1 (en) * 2011-06-15 2012-12-20 Saravjeet Singh Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier
JP2014063810A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Panasonic Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

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