TWI722493B - 用於晶圓檢測之系統、缺陷再檢測工具及相關聯控制器 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種晶圓檢測系統，其包括與一電子束檢測工具通信之一控制器。該控制器包括用以進行以下操作之電路：經由一光學成像工具獲取一樣本上之缺陷之座標；將該電子束檢測工具之一視場(FoV)設定為一第一大小以定位該等缺陷之一子集；在該樣本之一掃描期間基於由該電子束檢測工具產生的檢測資料而判定該等缺陷之該子集中之每一缺陷之一位置；基於該等缺陷之該子集的經判定位置而調整該等缺陷之該等座標；及基於經調整座標而將該電子束檢測工具之該FoV設定為一第二大小以定位額外缺陷。

Description

用於晶圓檢測之系統、缺陷再檢測工具及相關聯控制器
本發明大體上係關於半導體晶圓度量領域，且更特定言之，係關於用於使用帶電粒子(例如電子)掃描工具動態地檢測裸或未圖案化晶圓之系統及方法。
在積體電路(IC)之製造製程中，需要檢測未完成或已完成的電路組件以確保其係根據設計而製造且無缺陷。此外，在用於製造IC之前，亦需要檢測裸或未圖案化晶圓以確保其無缺陷或符合所需規格。因而，裸晶圓檢測製程已整合至製造製程中。
裸晶圓上之較大缺陷在光學顯微鏡下係可見的。然而，隨著晶圓處理條件變得愈來愈嚴格，所關注之缺陷之大小小於光學顯微鏡的繞射極限。舉例而言，當技術節點降低至10nm時，光學工具可產生大量有礙缺陷(亦即，錯誤肯定)。在一些光學檢測系統中，90%之經識別缺陷可能會成為有礙缺陷。因此，重要的係再檢測經識別缺陷並確認其是否為真實缺陷。
本發明之實施例係關於用於檢測裸晶圓之系統及方法。在一些實施例中，提供一種缺陷再檢測工具。該工具包括與電子束檢測工具 通信之控制器。控制器包括用以進行以下操作之電路：經由光學成像工具獲取樣本上之缺陷之座標；將電子束檢測工具之視場(FoV)設定為第一大小以定位缺陷之子集；在樣本之掃描期間基於由電子束檢測工具產生的檢測資料而判定缺陷之子集中之每一缺陷的位置；基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標；及基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小以定位額外缺陷。
在一些實施例中，提供一種晶圓檢測系統。該系統包括一光學成像工具，其經組態以利用雷射光束照明樣本並偵測自樣本散射之光。系統亦包括一電子束檢測工具，其經組態以利用原電子束掃描樣本以產生檢測資料。系統進一步包括與光學成像工具及電子束檢測工具通信之控制器。控制器包括用以進行以下操作之電路：接收由光學成像工具產生之光散射資料；基於光散射資料而判定樣本上之缺陷之座標；將電子束檢測工具的視場(FoV)設定為第一大小以定位缺陷之子集；在樣本之掃描期間基於由電子束檢測工具產生的檢測資料而判定缺陷之子集中之每一缺陷的位置；基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標；及基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小以定位額外缺陷。
在一些實施例中，提供一種控制器。該控制器與電子束檢測工具耦接，該電子束檢測工具利用原電子束掃描樣本以產生檢測資料。控制器包括儲存指令之記憶體。控制器亦包括處理器，其經組態以執行指令以使得控制器進行以下操作：經由光學成像工具獲取樣本上之缺陷之座標；將電子束檢測工具之視場(FoV)設定為第一大小以定位缺陷的子集；在樣本之掃描期間基於由電子束檢測工具產生之檢測資料而判定缺陷之子集中之每一缺陷之位置；基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座 標；及基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小以定位額外缺陷。
在一些實施例中，提供一種電腦實施晶圓檢測方法。方法包括經由光學成像工具獲取樣本上之缺陷之座標。方法亦包括將電子束檢測工具之視場(FoV)設定為第一大小以定位缺陷之子集。方法亦包括在樣本之掃描期間基於由電子束檢測工具產生之檢測資料而判定缺陷之子集中之每一缺陷之位置。方法亦包括基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標。方法進一步包括基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小以定位額外缺陷。
在一些實施例中，提供一種非暫時性電腦可讀媒體。該媒體儲存一指令集，該等指令可由裝置之處理器執行以使得該裝置執行一方法，該方法包括：經由光學成像工具獲取樣本上之缺陷之座標；將電子束檢測工具之視場(FoV)設定為第一大小以定位缺陷的子集；在樣本之掃描期間基於由電子束檢測工具產生之檢測資料而判定缺陷之子集中之每一者之位置；基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標；及基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小以定位額外缺陷。
在以下描述中將部分闡述所揭示實施例之額外目標及優點，且該等額外目標及優點將部分自該描述顯而易見，或可藉由對該等實施例之實踐習得。所揭示實施例之該等目標及優點可藉由在申請專利範圍中所闡述之要素及組合來實現及獲得。
應理解，前文一般描述與以下實施方式均僅為例示性及解釋性的，且未限制所主張之所揭露實施例。
30:電子束檢測系統
31:主腔室
32:裝載/鎖腔室
34:樣本傳遞腔室
36:前端模組
36a:第一裝載埠
36b:第二裝載埠
38:控制器
40:方法
51:校準階段
52:再檢測階段
100:電子束工具
101:陰極
102:陽極
103:槍孔徑
104:光束限制孔徑
105:聚光透鏡
106:散光校正器
107:光束消隱模組
108:物鏡孔徑
109:電子偵測器
109a:感測器表面
109b:感測器表面
110:偏轉器
111:二次電子束
112:偏轉器
114:交叉電磁對準單元
116:複合物鏡
116a:上部極片
116b:共用極片
116c:下部極片
116d:激磁線圈
116e:激磁線圈
120:晶圓
121:缺陷
122:凹口
123:探測光點
125:原電子束
126:載物台
126a:X-Y載物台
126b:Z載物台
140:控制器
142:記憶體
144:影像獲取器
146:處理器
200:光學成像工具
210:雷射
211:入射雷射光束
220:光偵測器
221:散射光
232:切向方向
234:徑向方向
402:步驟
404:步驟
406:步驟
408:步驟
410:步驟
412:步驟
414:步驟
416:步驟
圖1為說明符合本發明之實施例之用於檢測晶圓之例示性電子束檢測工具的示意圖。
圖2為說明符合本發明之實施例之用於檢測晶圓之例示性光學成像工具的示意圖。
圖3為符合本發明之實施例之用於檢測裸晶圓之缺陷檢測工具的方塊圖。
圖4為符合本發明之實施例之裸晶圓檢測方法的流程圖。
圖5為說明符合本發明之實施例之圖4之方法的實施的示意圖。
現將詳細參考例示性實施例，在隨附圖式中說明該等例示性實施例之實例。以下描述參考附圖，其中除非另外表示，否則不同圖式中之相同編號表示相同或類似元件。闡述於例示性實施例之以下描述中之實施並不表示符合本發明的所有實施。實情為，該等實施僅為符合關於如所附申請專利範圍中所列舉之本發明之態樣之裝置及方法的實例。
在用於IC製造之前，需要檢測裸晶圓(或「未圖案化」晶圓、「空白」晶圓)以確保其無缺陷。舉例而言，需要針對污染(例如粒子、金屬污染物)及表面品質(例如凹點、刮擦、晶體缺陷)檢測裸晶圓，該污染及表面品質可不利地影響晶圓良率(亦即，可由晶圓製造之良好品質電路單元之量)或經製造電路之性能(例如短路、不良接觸等，其可損害電路之正常功能)。此外，裸晶圓檢測之結果係製造或度量衡設備之清潔度的良好指示。若裸晶圓具有高缺陷密度，則需要在製造製程開始之前清潔製造或度量衡設備。
當前，通常由光學顯微鏡執行裸晶圓檢測。然而，如上文所描述，當半導體工業正努力製作較小電路時，可能影響電路製造及功能之缺陷大小(且因此需要偵測)亦變小(例如降至約10nm，其小於典型光學波長)。因此，藉由光學顯微鏡報告之檢測結果可含有大量不準確，例如錯誤肯定。
諸如掃描電子顯微鏡(SEM)之帶電粒子(例如電子)束顯微鏡可用於再檢測藉由光學顯微鏡識別之缺陷，因為當與光子束比較時，電子束具有更短波長且因此可提供優良空間解析度。在實踐中，裸晶圓可首先置放在光學顯微鏡下方以識別潛在缺陷位置。裸晶圓接著轉移至SEM，且潛在缺陷位置可藉由SEM進一步檢測以判定其是否對應於真實缺陷。因此，光學顯微鏡需要將潛在缺陷之位置傳達至SEM，或SEM需要「知道」如藉由光學顯微鏡識別之潛在缺陷之位置。
因為裸晶圓不含圖案，所以不能藉由參考其自身晶圓指定缺陷之位置，而是必須以對於由光學顯微鏡及SEM產生之影像上之數學座標表達。然而，因為光學顯微鏡及SEM上之晶圓之對準不一致，所以相同缺陷可在光學影像及SEM影像(在下文中分別稱為「光學映射座標」及「電子映射座標」)上具有不同座標。亦即，在SEM之視場(FoV)中，缺陷可並非精確地在其光學映射座標處。因此，為定位缺陷，SEM必須檢索缺陷之光學映射座標附近直至發現該缺陷為止。此係費時的，尤其因為SEM之掃描速度較低。
本發明提供用於改良用於檢測裸晶圓之產出量的系統及方法。裸晶圓可首先藉由光學成像工具成像以識別潛在缺陷，且接著藉由SEM掃描以驗證該等潛在缺陷是否為真實缺陷。SEM在兩個階段：(1)校 準階段及(2)再檢測階段中執行裸晶圓檢測。在校準階段中，SEM校準缺陷之光學映射座標與電子映射座標之間的差異。具體言之，選擇潛在缺陷之子集。對於所選擇潛在缺陷中之每一者，SEM使用足夠大以覆蓋晶圓對準誤差之FoV在對應於缺陷之光學映射座標之位置附近檢索。以此方式，若對應於潛在缺陷的光學映射座標之位置屬於SEM之視場，則潛在缺陷自身亦屬於SEM之視場，以使得SEM可能藉由僅掃描當前視場(亦即，在單個影像中)來發現潛在缺陷且判定缺陷之電子映射座標。在SEM定位所有所選擇潛在缺陷且判定其電子映射座標之後，基於所選擇潛在缺陷之光學映射座標及電子映射座標而判定光學成像工具之座標系統與SEM之座標系統之間的轉換關係(例如轉換矩陣)。
在判定轉換關係之後，SEM使用較小FoV在再檢測階段中定位且再檢測其餘潛在缺陷。具體言之，可基於其餘潛在缺陷之光學映射座標及轉換關係而判定其電子映射座標。SEM接著在圍繞其經判定電子映射座標附近檢索其餘潛在缺陷。SEM之視場中之經判定電子映射座標與其餘潛在缺陷的真實位置之間的誤差通常足夠小以藉由較小FoV覆蓋。以此方式，即使減小FoV大小，只要對應於潛在缺陷之經判定電子映射座標之位置屬於SEM的視場，則該SEM可藉由僅掃描當前視場(亦即，在單個影像中)來發現潛在缺陷。
如上文所描述，所揭示方法控制SEM以在校準階段中使用大FoV，而在再檢測階段中使用小FoV。在校準階段中，大FoV使得SEM能夠在無需於多個影像中檢索的情況下在當前視場中定位潛在缺陷。因此，即使光學映射座標與電子映射座標之間的轉換關係為未知的，但可減少針對潛在缺陷檢索而使用的時間量。在再檢測階段中，使用在校準階段 期間建立之轉換關係，使用小FoV針對經識別缺陷進行掃描所花費的時間較少，因此進一步加快缺陷定位過程。藉由SEM自大FoV至小FoV之動態切換可見，所揭示方法使得SEM能夠快速及準確地定位潛在缺陷。因此，用於檢測裸晶圓之系統產出量大幅度提高。
在貫穿本發明使用時，除非另外特定陳述，否則術語「或」涵蓋除不可行以外之所有可能組合。舉例而言，若規定裝置可包括A或B，則除非另外特定陳述或不可行，否則裝置可包括A或B，或A及B。作為第二實例，若規定裝置可包括A、B或C，則除非另外特定陳述或不可行，否則裝置可包括A或B或C，或A及B，或A及C，或B及C，或A及B以及C。
圖1為說明符合所揭示實施例之例示性電子束(電子光束)工具100的示意圖。如圖1中所示，原電子束125藉由在陽極102與陰極101之間施加電壓來自陰極101發射。原電子束125穿過槍孔徑103及光束限制孔徑104，該兩者可判定進入存在於光束限制孔徑104下方之聚光透鏡105的電子束流。聚光透鏡105在光束進入物鏡孔徑108之前聚焦原電子束125，以在電子束進入複合物鏡116之前設定電子束流。在一些實施例中，電子光束工具100亦可包括散光校正器106或光束消隱模組107，以用於調整原電子束125之光束輪廓。
複合物鏡116經組態以形成磁場及靜電場，以用於使原電子束125聚焦至晶圓120上且在晶圓120之表面上形成探測光點123。複合物鏡116可包括上部極片116a、共用極片116b以及下部極片116c。上部極片116a及共用極片116b構成圓錐形磁透鏡，該圓錐形磁透鏡具有激磁線圈116d。共用極片116b及下部極片116c構成浸入式磁透鏡，該浸入式磁 透鏡具有激磁線圈116e。圓錐形磁透鏡及浸入式磁透鏡共用相同共用極片116b。
當電流分別施加於激磁線圈116d及116e上時，在晶圓表面區域上產生軸向對稱磁場。藉由原電子束125掃描之晶圓120之一部分可浸入於磁場中。不同電壓施加於晶圓120、上部極片116a以及共用極片116b上以在晶圓表面附近產生軸向對稱延遲電場。電場在原電子束125與晶圓120碰撞之前減少晶圓之表面附近之衝擊原電子束125的能量。共用極片116b在晶圓上控制軸向對稱電場以防止晶圓之微弧放電且以確保恰當光束與軸向對稱磁場一起聚焦在晶圓表面處。
電子束工具100亦包括X-Y載物台126a及Z載物台126b，其用於將晶圓120移動至原電子束125之軸向區域且調整晶圓120的高度至原電子束125之聚焦成像平面。
透鏡前偏轉器110(例如複合物鏡上游之偏轉器)及透鏡中偏轉器112(例如複合物鏡中之偏轉器)偏轉原電子束125以掃描晶圓120上之探測光點123。舉例而言，在掃描過程中，可控制偏轉器110、112以在不同時間點使原電子束125依次偏轉至晶圓120之頂部表面之不同位置上，從而為晶圓120的不同部分之影像重建構提供資料。此外，亦可控制偏轉器110、112以在特定位置處在不同之時間點使原電子束125偏轉至晶圓120之不同側面上，從而在彼位置處為晶圓結構之立體影像重建構提供資料。此外，在一些實施例中，陽極102及陰極101可經組態以產生多個原電子束125，且電子光束工具100可包括偏轉器110、112之多個集合以同時投射多個原電子束125至晶圓120之不同部分/側面。
在接收到原電子束125後，可自晶圓120之部分發射二次電 子束111。交叉電磁(ExB)對準單元114使二次電子束111之光軸與原電子束125之光軸對準。可藉由電子偵測器109之感測器表面109a及109b接收之二次電子束111。電子偵測器109可產生表示二次電子束111之強度之信號(例如電壓、電流等)，且將信號提供至處理系統(圖1中未展示)。二次電子束111之強度可根據晶圓120之外部及/或內部結構而變化。此外，如上文所論述，原電子束125可投射至晶圓120之頂部表面之不同位置上，或在特定位置處的晶圓120之不同側面，從而產生具有不同強度之二次電子束111。因此，藉由以晶圓120之位置映射二次電子束111之強度，處理系統可重建構反映晶圓120之內部及/或外部結構的影像。
符合所揭示實施例，可藉由改變結構組態或控制複合物鏡116之操作來調整電子光束工具100之FoV及解析度。具體言之，可控制由複合物鏡116形成之磁場及靜電場以改變原電子束125之著陸能量或掃描探測光點123之大小。
舉例而言，自共用極片116b之底部表面至晶圓表面120之距離可為自1.0至8.0mm範圍內之距離。共用極片116b之孔大小可為自1.0至30.0mm範圍內之尺寸。此兩個尺寸可用於提供晶圓表面處之適合靜電及磁場強度及適合探測大小。為獲得大FoV(且因此相對較低解析度)，共用極片116b至晶圓表面120之間的相對較長距離以及更大孔大小為較佳的。根據此組態，由上部極片116a及共用極片116b形成之圓錐形磁透鏡如初級聚焦物鏡起作用。因此，可達成高著陸能量光束及大掃描FoV(及低解析度)。相比而言，為達成小FoV(且因此相對較高解析度)，使用共用極片116b至晶圓表面120之間的更短距離以及小孔大小。根據此組態，由共用極片116b及下部極片116c形成之浸入式磁透鏡如初級聚焦物鏡起 作用。因此，可達成低著陸能量光束及小掃描FoV(及高解析度)。
另外地或可替代地，亦可藉由控制圓錐形磁透鏡或浸入式磁透鏡之強度來調整原電子束125之著陸能量或掃描探測光點123之大小。如上文所描述，不同電壓可施加至晶圓120、上部極片116a以及共用極片116b上以調整晶圓120附近之電場的強度。當由圓錐形磁透鏡(亦即，上部極片116a及共用極片116b)產生之電場更強時，該圓錐形磁透鏡如初級聚焦物鏡起作用，因此達成大掃描FoV及低解析度。當由浸入式磁透鏡(亦即，共用極片116b及晶圓120)產生之電場更強時，該浸入式磁透鏡如初級聚焦物鏡起作用，因此達成更小掃描FoV及更高解析度。在所揭示實施例中，為施加各種電壓至共用極片116b，共用極片116b與上部極片116a電絕緣。
儘管圖1示出如單光束檢測工具之電子光束工具100，但預期電子光束工具100亦可為使用多個原電子束之多光束檢測工具。如上文描述，電子光束工具100可經組態以產生用於同步探測晶圓120之多個區域之多個原電子束125。相對應地，電子光束工具100亦可包括用於分別聚焦多個原電子束125之複合物鏡116之多個集合(亦即，圓錐形磁透鏡及浸入式磁透鏡之多個集合)。可共同地或單獨地控制複合物鏡116之多個集合以共同地或單獨地調整多個原電子束125之FoV尺寸。如自下列描述顯而易見，於本發明中揭示之原理可應用於單光束及多光束檢測工具兩者。
符合所揭示實施例，電子光束工具100亦包括控制器140，其包括記憶體142、影像獲取器144以及處理器146。處理器146可包括電腦、伺服器、大型主機、終端、個人電腦、任何種類之行動計算裝置、基於微處理器的系統、微控制器、嵌入系統(例如固件)，或任何其他合適的 控制電路或系統。處理器146可專門經硬體或軟體模組組態以用於控制電子光束工具100之操作。舉例而言，處理器146可改變施加至共用極片116b之電壓，以便調整電子光束工具100之FoV大小。
影像獲取器144可為類似於處理器146之電腦系統。影像獲取器144可經由諸如以下各者之媒體與偵測器109連接：電導體、光纖纜線、攜帶型儲存媒體、IR、藍芽、網際網路、無線網路、無線電或其組合。影像獲取器144可自偵測器109接收信號且可建構晶圓120之影像。影像獲取器144亦可執行各種後處理功能，諸如產生輪廓、疊加指示符於所獲取影像上，及其類似者。影像獲取器144可經組態以執行對所獲取影像之亮度及對比度等之調整。
記憶體142可為儲存媒體，諸如隨機存取記憶體(RAM)、硬碟、雲端儲存器、其他類型之電腦可讀記憶體等。記憶體142可與影像獲取器144及處理器146耦接。記憶體142儲存電腦指令或程式，該等電腦指令或程式可由影像獲取器144或處理器146存取及執行以用於執行與本發明一致之功能。記憶體142亦可用於將經掃描原始影像資料保存為原始影像及後處理影像。
如上文所描述，光學顯微鏡可用以在裸晶圓上偵測潛在缺陷位置。圖2為說明符合本發明之實施例之用於檢測晶圓之例示性光學成像工具200的示意圖。參考圖2，光學成像工具200包括用於投射入射雷射光束211至晶圓120的雷射210。雷射光將藉由晶圓120散射，且散射光221藉由光偵測器220偵測。當入射雷射光束211在晶圓120上射中缺陷121時，散射光221之強度將改變。因此，藉由分析散射光221之強度改變，可偵測潛在缺陷。
光學成像工具200亦可包括樣本載物台(未展示)，其經組態沿切向方向232旋轉晶圓120且在徑向方向234上移動晶圓120。以此方式，入射雷射光束211可能輻射晶圓120之整個表面以偵測潛在缺陷。基於雷射光束之晶圓旋轉角度及半徑位置，計算及記錄粒子/缺陷之位置座標。
圖3為說明符合本發明之實施例之用於偵測裸晶圓上之缺陷之例示性電子束檢測(EBI)系統30的示意圖。如圖3中所示，EBI系統30包括主腔室31、裝載/鎖定腔室32、光學成像工具200、電子光束工具100以及設備前端模組(EFEM)36。光學成像工具200及電子光束工具100定位於主腔室31內且藉由樣本傳遞腔室34連接。
EFEM 36包括第一裝載埠36a及第二裝載埠36b。EFEM 36可包括額外裝載埠。第一裝載埠36a及第二裝載埠36b可能接收晶圓前開式單元匣(FOUP)，該晶圓前開式單元匣含有裸晶圓(例如半導體晶圓或由其他材料製成之晶圓)。EFEM 36中之一或多個機械臂(未展示)可將裸晶圓傳遞至裝載/鎖定腔室32。舉例而言，機械臂可包括用於驅動傳動帶以將裸晶圓傳遞至裝載/鎖定腔室32之致動器。機械臂亦可包括經組態以將控制信號傳送至致動器之電路。
裝載/鎖定腔室32連接至裝載/鎖真空泵系統(未展示)，其移除裝載/鎖腔室32中之氣體分子以達至低於大氣壓力之第一壓力。在達至第一壓力之後，一或多個機械臂(未展示)可將裸晶圓自裝載/鎖定腔室32傳遞至主腔室31。主腔室31連接至主腔室真空泵系統(未展示)，其移除主腔室31中之氣體分子以達至低於第一壓力之第二壓力。在達至第二壓力之後，裸晶圓經受藉由光學成像工具200進行之檢測以偵測潛在缺陷位 置。在光學成像工具200完成掃描裸晶圓之後，樣本傳遞腔室34中之一或多個機械臂(未展示)可將裸晶圓傳遞至電子光束工具100以用於驗證潛在缺陷是否為真實缺陷。電子束工具100可為單光束工具或多光束工具。
EBI系統30亦可包括電腦系統(例如控制器38)，其經組態以執行EBI系統30之各種控制。符合所揭示實施例，控制器38可電連接至電子光束工具100或光學成像工具200。舉例而言，控制器38可包括電路及記憶體(例如諸如圖1之控制器140之電路及記憶體)，該電路及記憶體經組態以控制電子光束工具100或光學成像工具200以：掃描裸晶圓；自電子光束工具100或光學成像工具200接收影像資料；以及分析影像資料以檢測裸晶圓上的缺陷。作為另一實例，控制器38亦可包括經組態以在掃描裸晶圓的同時控制電子光束工具100在不同FoV大小之間切換的電路。雖然控制器38展示於包括主腔室31、裝載/鎖定腔室32以及EFEM 36之結構外部，但應理解，控制器38可整合於結構內。
圖4為符合本發明之實施例之裸晶圓檢測方法40的流程圖。舉例而言，方法40可由EBI系統30執行。參考圖4，方法40可包括以下步驟402至416。
步驟402中，裸晶圓(例如晶圓120)經裝載至電子光束工具(例如電子光束工具100)。在一些實施例中，在藉由電子光束工具檢測之前，裸晶圓藉由光學成像工具(例如光學成像工具200)首先經檢測以偵測潛在缺陷位置。如上文所描述，因為光學成像工具之低解析度，所以潛在缺陷可包括錯誤肯定且可需要藉由電子光束工具檢查。因此，在藉由光學成像工具檢測之後，裸晶圓經轉移至及裝載在電子光束工具之樣本載物台(例如載物台126)上。
步驟404中，電子光束工具根據裸晶圓上之凹口使裸晶圓對準。如上文所描述，裸晶圓具有非印刷圖案，該印刷圖案可充當用於判定其定向之參考標記。在一些實施例中，裸晶圓之邊緣可具有凹口(例如圖5中之凹口122)以標記其方向。光學成像工具及電子光束工具兩者可基於凹口而使裸晶圓對準。以此方式，可限制晶圓對準誤差。
步驟406中，電子光束工具(例如控制器140)選擇藉由光學影像工具識別之至少兩個潛在缺陷。符合所揭示實施例，電子光束工具可隨機選擇至少兩個潛在缺陷且獲得其光學映射座標(亦即，在光學成像工具之座標系統中之座標)。
步驟408中，電子光束工具藉由使用大掃描FoV螺旋檢索所選擇缺陷來定位所選擇潛在缺陷。在所揭示實施例中，儘管可基於晶圓凹口來在光學成像工具及電子光束工具上對準晶圓，但此僅為大致對準且可能存在大誤差。此外，光學成像工具及電子光束工具中使用之樣本載物台及安裝結構並不一致。因此，光學成像工具及電子光束工具可具有不同座標系統(亦即，裸晶圓上之相同缺陷具有不同光學映射座標及電子映射座標)。因此，此兩種座標系統之間之轉換關係需要校準。此外，每當在光學成像工具或電子光束工具上重新安裝裸晶圓或當檢測不同裸晶圓時，此轉換關係將改變。因此，可不斷地執行校準。
因為潛在缺陷之光學映射座標並未指示其在電子光束工具之視場中的真實位置，所以電子光束工具可在光學映射座標附近檢索潛在缺陷，直至發現潛在缺陷為止。如結合圖1所描述，電子光束工具可在大及小FoV中操作。為定位所選擇潛在缺陷，電子光束工具可切換至足夠大以覆蓋晶圓對準誤差之FoV，但具有對檢測缺陷靈敏之像素大小。藉由控 制樣本載物台以在其徑向及切向方向上移動裸晶圓，電子光束工具可使用大FoV執行所選擇潛在缺陷之螺旋檢索。在一些實施例中，除螺旋檢索外之檢索圖案用於檢索所選擇潛在缺陷。檢索圖案可為可能夠定位所選擇潛在缺陷之任何檢索圖案。
返回參考圖4，在步驟410中，在定位所選擇潛在缺陷之後，電子光束工具在電子光束工具之視場中判定所選擇潛在缺陷的電子映射座標。可基於所選擇潛在缺陷之光學映射座標及電子映射座標，可判定轉換矩陣。
在步驟412中，電子光束工具基於轉換矩陣而定位額外潛在缺陷。具體言之，轉換矩陣應用於額外潛在缺陷之光學映射座標以獲得經轉換座標。此後，電子光束工具可使用大FoV在經轉換座標附近檢索額外潛在缺陷。
在步驟414中，檢驗經轉換缺陷座標之精確性。符合所揭示實施例，若轉換矩陣為精確的，則經轉換座標應接近於電子光束工具之視場中之額外潛在缺陷的真實位置(例如額外潛在缺陷的電子映射座標)。在一些實施例中，比較經轉換座標與相應缺陷之真實位置之間的差異(例如距離)。若差異超出預定臨限值，則此指示轉換矩陣並不精確且可能需要更新。因此，方法40可返回至步驟410，在該步驟處基於額外潛在缺陷之光學映射座標及電子映射座標而更新轉換矩陣。符合所揭示實施例，步驟410至414可重複直至判定轉換矩陣為精確的為止。
在步驟416中，在判定轉換矩陣為精確的之後，電子光束工具可切換至小FoV且基於其經轉換座標而定位其餘潛在缺陷。具體言之，轉換矩陣可應用於其餘潛在缺陷之光學映射座標以獲得經轉換座標。 電子光束工具接著使用小FoV在其經轉換座標附近檢索其餘潛在缺陷。因為轉換矩陣為精確的，所以經轉換座標與相應缺陷之真實電子映射座標之間的誤差較小且可藉由小FoV覆蓋。此外，因為小FoV具有高解析度，因此電子光束工具可精確地判定潛在缺陷是否為真實缺陷。
藉由電子光束工具自大FoV至小FoV之動態切換，改良用於檢測裸晶圓之系統產出量。圖5為說明符合本發明之實施例之方法40之實施的示意圖。如圖5中所展示，在校準階段51中，基於所選擇潛在缺陷之集合之光學映射座標與電子映射座標之間的差異而校準晶圓對準誤差。具體言之，電子光束工具使用大FoV首先對裸晶圓執行所選擇潛在缺陷之螺旋檢索。電子光束工具可在螺旋檢索期間產生多個影像。因為大FoV足以覆蓋晶圓對準誤差，所以可藉由相同影像覆蓋所選擇潛在缺陷及對應於缺陷之光學映射座標之位置。因此，電子光束工具可藉由僅檢查包括對應於缺陷之光學映射座標之位置的單個影像來定位所選擇潛在缺陷，因此不需檢索多個影像上之缺陷。以此方式，所選擇潛在缺陷可經快速定位且用以判定光學成像工具之座標系統與電子光束工具之座標系統之間的轉換關係。
完成校準之後，電子光束工具可在再檢測階段52中使用小FoV檢測裸晶圓上的其餘潛在缺陷。具體言之，基於其餘潛在缺陷的光學映射座標，校準轉換關係可用於估計該等其餘潛在缺陷的電子映射座標。SEM可在其餘潛在缺陷之估計座標附近檢索該等其餘潛在缺陷。小FoV足以覆蓋估計座標與其餘潛在缺陷的真實位置之間的誤差。因為掃描小FoV所花費的時間較少，所以用於定位及檢測其餘潛在缺陷之速度增大。因此，藉由針對校準階段及再檢測階段分別使電子光束工具自大FoV動態切 換地至小FoV，改良系統產出量。
符合所揭示實施例，在大及小FoV兩者中，電子光束工具之解析度及其影像聚焦之均一性經組態以足夠高以用於檢測缺陷。以此方式，所揭示方法可快速及精確地在裸晶圓上檢測缺陷。
應瞭解，EBI系統30之控制器可使用軟體來控制上文所描述之一些功能性。舉例而言，控制器可產生用於控制電子光束工具在大FoV與小FoV之間切換的指令。作為另一實例，控制器可接收自電子光束工具100至光學成像工具200之影像資料，且識別並定位來自該影像之缺陷。舉例而言，另一實例，控制器可計算電子光束工具及光學成像工具之座標系統之轉換矩陣。可將軟體儲存於非暫時性電腦可讀媒體上。常見形式之非暫時性媒體包括例如：軟碟、可撓性磁碟、硬碟、固態磁碟機、磁帶或任何其他磁性資料儲存媒體；CD-ROM；任何其他光學資料儲存媒體；具有孔圖案之任何實體媒體；RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM或任何其他快閃記憶體；NVRAM；快取記憶體；暫存器；任何其他記憶體晶片或匣；及其網路化版本。
可使用以下條項來進一步描述實施例：
1.一種缺陷再檢測工具，其包含：控制器，其與電子束檢測工具通信，該控制器具有用以進行以下操作之電路：經由光學成像工具獲取樣本上之缺陷之座標；將電子束檢測工具之視場(FoV)設定為第一大小以定位缺陷之子集；在樣本之掃描期間基於由電子束檢測工具產生之檢測資料而判定缺陷之子集中之每一缺陷之位置； 基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標；及基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小以定位額外缺陷。
2.如條項1之缺陷再檢測工具，其中第一大小大於第二大小。
3.如條項1及2中任一項之缺陷再檢測工具，其中樣本為未圖案化晶圓。
4.如條項1至3中任一項之缺陷再檢測工具，其中具有用以基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標之電路的控制器包括具有用以進行以下操作之電路的控制器：基於缺陷之子集的經判定位置而判定缺陷之座標的轉換關係；基於轉換關係而將經由光學成像工具獲取之座標映射至新座標集合；及將新座標集合設定為經調整座標。
5.如條項1至3中任一項之缺陷再檢測工具，其中具有用以基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標之電路的控制器包括具有用以進行以下操作之電路的控制器：選擇數個缺陷；控制電子束檢測工具以定位所選擇缺陷；基於檢測資料而判定所選擇缺陷之位置；基於所選擇缺陷之經判定位置而判定缺陷之座標的轉換關係；及基於轉換關係而調整缺陷之座標。
6.如條項5之缺陷再檢測工具，其中控制器具有用以選擇至少兩個缺陷作為缺陷之子集的電路。
7.如條項5之缺陷再檢測工具，其中具有用以將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小之電路的控制器包括具有用以進行以下操作之電路的控制器：控制電子束檢測工具以定位第一缺陷，該第一缺陷與所選擇缺陷不同；基於檢測資料而判定第一缺陷之位置；判定第一缺陷之經判定位置與第一缺陷之經調整座標之間的差異；及當差異等於或低於預定臨限值時，基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV改變為第二大小以定位額外缺陷。
8.如條項7之缺陷再檢測工具，其中控制器具有用以進行以下操作之電路：當差異超出預定臨限值時，基於第一缺陷之經判定位置而更新轉換關係；及基於經更新轉換關係而進一步調整缺陷之座標。
9.如條項1至8中任一項之缺陷再檢測工具，其中光學成像工具為雷射散射缺陷檢測工具，其具有用以利用雷射光束照明樣本且用以偵測自該樣本散射之光的電路。
10.如條項9之缺陷再檢測工具，其中控制器具有用以進行以下操作之電路：自光學成像工具接收光散射資料；及基於光散射資料而判定缺陷之座標。
11.如條項1至10中任一項之缺陷再檢測工具，其中電子檢測工具包 含：電子源，其經組態以產生原電子束；至少一個聚光透鏡，其用於聚光原電子束；複合物鏡，其用於在載物台系統上聚焦原電子束至樣本，該複合物鏡包含：第一磁透鏡；第二磁透鏡，其中共用極片經組態以用於第一磁透鏡及第二磁透鏡兩者；以及靜電透鏡；及偵測系統，其用於偵測帶電粒子或自樣本發出之X射線。
12.如條項11之缺陷再檢測工具，其中第一磁透鏡包含上部極片及第一激磁線圈。
13.如條項12之缺陷再檢測工具，其中第二磁透鏡包含下部極片及第二激磁線圈。
14.如條項13之缺陷再檢測工具，其中共用極片與上部極片分離。
15.如條項14之缺陷再檢測工具，其中共用極片與下部極片分離。
16.如條項15之缺陷再檢測工具，其中靜電透鏡包含上部極片、共用極片以及樣本。
17.如條項16之缺陷再檢測工具，其中第一磁透鏡為圓錐形。
18.如條項17之缺陷再檢測工具，其中第二磁透鏡為浸入式透鏡。
19.如條項13之缺陷再檢測工具，其中下部極片與第二磁透鏡分離。
20.如條項15之缺陷再檢測工具，其中下部極片與第二磁透鏡分離。
21.如條項11之缺陷再檢測工具，其中共用極片與第一磁透鏡及第二 磁透鏡電隔離。
22.一種系統，其包含：光學成像工具，其包括用以利用雷射光束照明樣本且偵測自該樣本散射之光的電路；電子束檢測工具，其包括用以利用原電子束掃描樣本以產生檢測資料的電路；及控制器，其與光學成像工具及電子束檢測工具通信，該控制器包括用以進行以下操作之電路：接收由光學成像工具產生之光散射資料；基於光散射資料而判定樣本上之缺陷之座標；將電子束檢測工具之視場(FoV)設定為第一大小以定位缺陷之子集；在樣本之掃描期間基於由電子束檢測工具產生之檢測資料而判定缺陷之子集中之每一缺陷之位置；基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標；及基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小以定位額外缺陷。
23.如條項22之系統，其中包括用以利用原電子束掃描樣本之電路的電子束檢測工具包括含有用以利用多個電子束掃描樣本之電路的電子束檢測工具。
24.如條項22及23中任一項之系統，其進一步包含：傳遞裝置，其包括用以將樣本自光學成像工具傳遞至電子束檢測工具之電路及致動器。
25.如條項22至24中任一項之系統，其中第一大小大於第二大小。
26.如條項22至25中任一項之系統，其中樣本為未圖案化晶圓。
27.如條項22至26中任一項之系統，其中包括用以基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標之電路的控制器包括含有用以進行以下操作之電路的控制器：基於缺陷之子集的經判定位置而判定缺陷之座標的轉換關係；基於轉換關係而將經由光學成像工具獲取之座標映射至新座標集合；及將新座標集合設定為經調整座標。
28.如條項22至26中任一項之系統，其中包括用以基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標之電路的控制器包括含有用以進行以下操作之電路的控制器：選擇數個缺陷；控制電子束檢測工具以定位所選擇缺陷；基於檢測資料而判定所選擇缺陷之位置；基於所選擇缺陷之經判定位置而判定缺陷之座標的轉換關係；及基於轉換關係而調整缺陷之座標。
29.如條項28之系統，其中控制器具有用以選擇至少兩個缺陷作為缺陷之子集的電路。
30.如條項28之系統，其中包括用以將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小之電路的控制器包括含有用以進行以下操作之電路的控制器：控制電子束檢測工具以定位第一缺陷，該第一缺陷與所選擇缺陷不同；基於檢測資料而判定第一缺陷之位置； 判定第一缺陷之經判定位置與第一缺陷之經調整座標之間的差異；及當差異等於或低於預定臨限值時，基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV改變為第二大小以定位額外缺陷。
31.如條項30之系統，其中控制器包括用以進行以下操作之電路：當差異超出預定臨限值時，基於第一缺陷之經判定位置而更新轉換關係；及基於經更新轉換關係而進一步調整缺陷之座標。
32.一種控制器，其與電子束檢測工具耦接，該電子束檢測工具經組態以利用原電子束掃描樣本以產生檢測資料，該控制器包含：記憶體，其儲存指令；及處理器，其經組態以執行該等指令以使得該控制器進行以下操作：經由光學成像工具獲取樣本上之缺陷之座標；將電子束檢測工具之視場(FoV)設定為第一大小以定位缺陷之子集；在樣本之掃描期間基於由電子束檢測工具產生之檢測資料而判定缺陷之子集中之每一缺陷之位置；基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標；及基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小以定位額外缺陷。
33.如條項32之控制器，其中經組態以利用原電子束掃描樣本以產生檢測資料之電子束檢測工具包括經組態以利用複數個電子束掃描樣本以產生檢測資料之電子束檢測工具。
34.如條項32至33中任一項之控制器，其中第一大小大於第二大小。
35.如條項32至34中任一項之控制器，其中樣本為未圖案化晶圓。
36.如條項中32至35任一項之控制器，其中經組態以執行指令以使得控制器基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標的處理器包括經進一步組態以執行指令以使得控制器進行以下操作的處理器：基於缺陷之子集的經判定位置而判定缺陷之座標的轉換關係；基於轉換關係而將經由光學成像工具獲取之座標映射至新座標集合；及將新座標集合設定為經調整座標。
37.如條項中32至35任一項之控制器，其中經組態以執行指令以使得控制器基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標的處理器包括經進一步組態以執行指令以使得控制器進行以下操作的處理器：選擇數個缺陷；控制電子束檢測工具以定位所選擇缺陷；基於檢測資料而判定所選擇缺陷之位置；基於所選擇缺陷之經判定位置而判定缺陷之座標的轉換關係；及基於轉換關係而調整缺陷之座標。
38.如條項37之控制器，其中處理器經進一步組態以執行指令，以使得控制器選擇至少兩個缺陷作為缺陷之子集。
39.如條項37之控制器，其中經組態以執行指令以使得控制器將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小的處理器包括經進一步組態以執行指令以使得控制器進行以下操作的處理器：控制電子束檢測工具以定位第一缺陷，該第一缺陷與所選擇缺陷不同； 基於檢測資料而判定第一缺陷之位置；判定第一缺陷之經判定位置與第一缺陷之經調整座標之間的差異；及當差異等於或低於預定臨限值時，基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV改變為第二大小以定位額外缺陷。
40.如條項39之控制器，其中處理器經進一步組態以執行指令以使控制器進行以下操作：當差異超出預定臨限值時，基於第一缺陷之經判定位置而更新轉換關係；及基於經更新轉換關係而進一步調整缺陷之座標。
41.一種電腦實施方法，其包含：經由光學成像工具獲取樣本上之缺陷之座標；將電子束檢測工具之視場(FoV)設定為第一大小以定位缺陷之子集；在樣本之掃描期間基於由電子束檢測工具產生之檢測資料而判定缺陷之子集中之每一缺陷之位置；基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標；及基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小以定位額外缺陷。
42.如條項41之電腦實施方法，其中第一大小大於第二大小。
43.如條項41及42中任一項之電腦實施方法，其中樣本為未圖案化晶圓。
44.如條項41至43中任一項之電腦實施方法，其中將電子束檢測工具之FoV設定為第一大小以定位缺陷之子集包括： 選擇數個缺陷；及控制電子束檢測工具以定位所選擇缺陷；
45.如條項44之電腦實施方法，其中基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標包括：基於所選擇缺陷之經判定位置而判定缺陷之座標的轉換關係；基於轉換關係而將經由光學成像工具獲取之座標映射至新座標集合；及將新座標集合設定為經調整缺陷。
46.如條項44之電腦實施方法，其中所選擇缺陷之數目為二或大於二。
47.如條項44之電腦實施方法，其中基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標進一步包括：控制電子束檢測工具以定位第一缺陷，該第一缺陷與所選擇缺陷不同；基於檢測資料而判定第一缺陷之位置；判定第一缺陷之經判定位置與第一缺陷之經調整座標之間的差異；及當差異等於或低於預定臨限值時，基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV改變為第二大小且控制電子束檢測工具以定位額外缺陷。
48.如條項47之電腦實施方法，其中基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標包括：當差異超出預定臨限值時，基於第一缺陷之經判定位置而更新轉換關係；及 基於經更新轉換關係而進一步調整缺陷之座標。
49.一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存一指令集，該等指令可由裝置之處理器執行以使得該裝置執行一方法，該方法包含：經由光學成像工具獲取樣本上之缺陷之座標；將電子束檢測工具之視場(FoV)設定為第一大小以定位缺陷之子集；在樣本之掃描期間基於由電子束檢測工具產生之檢測資料而判定缺陷之子集中之每一缺陷之位置；基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標；及基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV設定為第二大小以定位額外缺陷。
50.如條項49之非暫時性電腦可讀媒體，其中第一大小大於第二大小。
51.如條項49及50中任一項之非暫時性電腦可讀媒體，其中樣本為未圖案化晶圓。
52.如條項49至51中任一項之非暫時性電腦可讀媒體，其中將電子束檢測工具之FoV設定為第一大小且控制電子束檢測工具以定位缺陷之子集包括：選擇數個缺陷；及控制電子束檢測工具以定位所選擇缺陷。
53.如條項52之非暫時性電腦可讀媒體，其中基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標包括：基於所選擇缺陷之經判定位置而判定缺陷之座標的轉換關係；基於轉換關係而將經由光學成像工具獲取之座標映射至新座標集 合；及將新座標集合設定為經調整座標。
54.如條項52之非暫時性電腦可讀媒體，其中所選擇缺陷之數目為二或大於二。
55.如條項52之非暫時性電腦可讀媒體，其中基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標進一步包括：控制電子束檢測工具以定位第一缺陷，該第一缺陷與所選擇缺陷不同；基於檢測資料而判定第一缺陷之位置；判定第一缺陷之經判定位置與第一缺陷之經調整座標之間的差異；及當差異等於或低於預定臨限值時，基於經調整座標而將電子束檢測工具之FoV改變為第二大小以定位額外缺陷。
56.如條項55之非暫時性電腦可讀媒體，其中基於缺陷之子集的經判定位置而調整缺陷之座標進一步包括：當差異超出預定臨限值時，基於第一缺陷之經判定位置而更新轉換關係；及基於經更新轉換關係而進一步調整缺陷之座標。
57.如條項1之缺陷再檢測工具，其中樣本為裸晶圓。
58.如條項57之缺陷再檢測工具，其中裸晶圓為未圖案化晶圓。
應瞭解，本發明不限於上文所描述及在附圖中所說明之確切建構，且可在不背離本發明之範疇的情況下作出各種修改及改變。希望本發明之範疇應僅由隨附申請專利範圍限制。
51:校準階段
52:再檢測階段
120:晶圓
122:凹口

Claims (15)

  1. 一種缺陷再檢測(defect review)工具，其包含：一控制器，其與一電子束檢測工具通信，該控制器具有用以進行以下操作之電路：經由一光學成像工具獲取一裸晶圓(bare wafer)上之缺陷之座標；將該電子束檢測工具之一視場(Field of View，FoV)設定為一第一大小(size)以在該裸晶圓上定位(locate)該等缺陷之一子集；在該裸晶圓之一掃描期間基於由該電子束檢測工具產生之檢測資料而判定該等缺陷之該子集中之每一缺陷在該裸晶圓上之一位置；基於該等缺陷之該子集的經判定位置而調整該等缺陷之該等座標；及基於經調整座標而將該電子束檢測工具之該FoV設定為一第二大小以定位額外(additional)缺陷。
  2. 如請求項1之缺陷再檢測工具，其中該第一大小大於該第二大小。
  3. 如請求項1之缺陷再檢測工具，其中該裸晶圓為一未圖案化晶圓。
  4. 如請求項1之缺陷再檢測工具，其中具有用以基於該等缺陷之該子集的該等經判定位置而調整該等缺陷之該等座標之電路的該控制器包括具有用以進行以下操作之電路的該控制器：基於該等缺陷之該子集的該等經判定位置而判定該等缺陷之該等座 標的一轉換關係；基於該轉換關係而將經由該光學成像工具獲取之該等座標映射至一新座標集合；及將該新座標集合設定為該等經調整座標。
  5. 如請求項1之缺陷再檢測工具，其中具有用以基於該等缺陷之該子集的該等經判定位置而調整該等缺陷之該等座標之電路的該控制器包括具有用以進行以下操作之電路的該控制器：選擇數個缺陷；控制該電子束檢測工具以定位所選擇缺陷；基於該檢測資料而判定該等所選擇缺陷之位置；基於該等所選擇缺陷之經判定位置而判定該等缺陷之該等座標的一轉換關係；及基於該轉換關係而調整該等缺陷之該等座標。
  6. 如請求項5之缺陷再檢測工具，其中該控制器具有用以選擇至少兩個缺陷作為該等缺陷之該子集的電路。
  7. 如請求項5之缺陷再檢測工具，其中具有用以將該電子束檢測工具之該FoV設定為該第二大小之電路的該控制器包括具有用以進行以下操作之電路的該控制器：控制該電子束檢測工具以定位一第一缺陷，該第一缺陷與該等所選擇缺陷不同； 基於該檢測資料而判定該第一缺陷之一位置；判定該第一缺陷之經判定位置與該第一缺陷之一經調整座標之間的一差異；及當該差異等於或低於一預定臨限值時，基於該等經調整座標而將該電子束檢測工具之該FoV改變為該第二大小以定位額外缺陷。
  8. 如請求項7之缺陷再檢測工具，其中該控制器具有用以進行以下操作之電路：當該差異超出該預定臨限值時，基於該第一缺陷之該經判定位置而更新該轉換關係；及基於經更新轉換關係而進一步調整該等缺陷之該等座標。
  9. 如請求項1之缺陷再檢測工具，其中該光學成像工具為一雷射散射缺陷檢測工具，其具有用以利用一雷射光束照明該裸晶圓且用以偵測自該裸晶圓散射之光的電路。
  10. 如請求項9之缺陷再檢測工具，其中該控制器具有用以進行以下操作之電路：自該光學成像工具接收光散射資料；及基於該光散射資料而判定該等缺陷之該等座標。
  11. 如請求項1之缺陷再檢測工具，其中該電子檢測工具包含：一電子源，其經組態以產生一原電子束； 至少一個聚光透鏡，其用於聚光該原電子束；一複合物鏡，其用於在一載物台系統上聚焦該原電子束至該裸晶圓，該複合物鏡包含：一第一磁透鏡；一第二磁透鏡，其中一共用極片經組態以用於該第一磁透鏡及該第二磁透鏡兩者；以及一靜電透鏡；及一偵測系統，其用於偵測帶電粒子或自該裸晶圓發出之X射線。
  12. 如請求項11之缺陷再檢測工具，其中該第一磁透鏡包含一上部極片及一第一激磁線圈。
  13. 如請求項12之缺陷再檢測工具，其中該第二磁透鏡包含一下部極片及一第二激磁線圈。
  14. 一種晶圓檢測系統，其包含：一光學成像工具，其包括用以利用一雷射光束照明一樣本且偵測自該樣本散射之光的電路；一電子束檢測工具，其包括用以利用一原電子束(primary electron beam)掃描該樣本以產生檢測資料的電路；及一控制器，其與該光學成像工具及該電子束檢測工具通信，該控制器包括用以進行以下操作之電路：接收由該光學成像工具產生之光散射(light-scattering)資料； 基於該光散射資料而判定該樣本上之缺陷之座標；將該電子束檢測工具之一視場(FoV)設定為一第一大小以定位該等缺陷之一子集；在該樣本之一掃描期間基於由該電子束檢測工具產生之檢測資料而判定該等缺陷之該子集中之每一缺陷之一位置；基於該等缺陷之該子集的經判定位置而調整該等缺陷之該等座標；及基於經調整座標而將該電子束檢測工具之該FoV設定為一第二大小以定位額外缺陷。
  15. 一種與一電子束檢測工具耦接之控制器，該電子束檢測工具經組態以利用一原電子束掃描一樣本以產生檢測資料，該控制器包含：一記憶體，其儲存指令；及一處理器，其經組態以執行該等指令以使得該控制器進行以下操作：經由一光學成像工具獲取該樣本上之缺陷之座標；將該電子束檢測工具之一視場(FoV)設定為一第一大小以定位該等缺陷之一子集；在該樣本之一掃描期間基於由該電子束檢測工具產生之檢測資料而判定該等缺陷之該子集中之每一缺陷之一位置；基於該等缺陷之該子集的經判定位置而調整該等缺陷之該等座標；及基於經調整座標而將該電子束檢測工具之該FoV設定為一第二大小以定位額外缺陷。
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