TWI722354B - 用於製程之改良匹配的匹配製程控制器、電腦實施的方法、系統、和非暫時性機器可讀儲存媒體 - Google Patents

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Abstract

本文中描述的是在製造設施中用於腔室匹配的方法和系統。一種方法可以包括接收用於第一腔室的第一腔室製作方法建議及用於第二腔室的第二腔室製作方法建議。該腔室製作方法建議描述用於製程的可調輸入組和輸出組。該方法可以進一步包括調整該第一腔室輸入參數組或該第二腔室輸入參數組中之至少一者及該第一腔室輸出參數組或該第二腔室輸出參數組中之至少一者，以大致上匹配該第一和第二腔室製作方法建議。

Description

用於製程之改良匹配的匹配製程控制器、電腦實施的方 法、系統、和非暫時性機器可讀儲存媒體
本申請案係關於製程控制的領域，特別是關於腔室匹配。
在面臨奈米製造的特徵尺寸不斷縮小中，實現高產率和產量水平的需求要求的是製程腔室的改良匹配。將一整套工具維持在匹配狀態(即腔室匹配)可以減少產率損失和產率變化、允許晶圓廠中有更大的選路靈活性、識別和控制製程的無效率、以及減少問題根源分析的時間。腔室匹配常常使用製程控制(例如運轉與運轉間的控制(R2R控制))來實現，以彼此獨立地調整各個腔室來提供相同的製程輸出，例如目標的膜厚和均勻度。遺憾的是，只有匹配不同腔室的製程輸出並不一定意味著腔室的操作狀態也被匹配了。匹配操作狀態除了匹配製程輸出之外還要求的是應匹配製程條件，例 如製程輸入和製程變數。只匹配製程輸出的實例如下：爐室1使用100度的溫度設定和1分鐘的時間設定可以產生1000埃的膜厚，而腔室2使用110度的較高溫度和50秒的較短時間產生相同的1000埃厚度。結果是，從處理的觀點來看腔室並沒有被真正地匹配，而且最終這種未匹配的製程會明顯降低產率和產量。
一種電腦實施的方法，包含以下步驟：接收第一腔室製作方法建議，用於複數個腔室之第一腔室，該第一腔室製作方法建議描述用於製程的可調輸入組和輸出組，其中該第一腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的第一腔室輸入參數組及用於該輸出組的第一腔室輸出參數組；接收第二腔室製作方法建議，用於該複數個腔室之第二腔室，該第二腔室製作方法建議描述用於該製程的該可調輸入組和該輸出組，其中該第二腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的第二腔室輸入參數組及用於該輸出組的第二腔室輸出參數組；以及調整該第一腔室輸入參數組或該第二腔室輸入參數組中之至少一者及該第一腔室輸出參數組或該第二腔室輸出參數組中之至少一者，以大致上匹配該第一腔室製作方法建議與該第二腔室製作方法建議。
一種系統，包含：記憶體；以及與該記憶體耦接的處理裝置，該處理裝置被配置為：接收第一腔室 製作方法建議，用於複數個腔室之第一腔室，該第一腔室製作方法建議描述用於製程的可調輸入組和輸出組，其中該第一腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的第一腔室輸入參數組及用於該輸出組的第一腔室輸出參數組；接收第二腔室製作方法建議，用於該複數個腔室之第二腔室，該第二腔室製作方法建議描述用於該製程的該可調輸入組和該輸出組，其中該第二腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的第二腔室輸入參數組及用於該輸出組的第二腔室輸出參數組；及調整該第一腔室輸入參數組或該第二腔室輸入參數組中之至少一者及該第一腔室輸出參數組或該第二腔室輸出參數組中之至少一者，以大致上匹配該第一腔室製作方法建議與該第二腔室製作方法建議。
一種儲存指令的非暫時性機器可讀儲存媒體，當被執行時，該儲存媒體使處理裝置進行包含以下步驟的操作：接收第一腔室製作方法建議，用於複數個腔室之第一腔室，該第一腔室製作方法建議描述用於製程的可調輸入組和輸出組，其中該第一腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的第一腔室輸入參數組及用於該輸出組的第一腔室輸出參數組；接收第二腔室製作方法建議，用於該複數個腔室之第二腔室，該第二腔室製作方法建議描述用於該製程的該可調輸入組和該輸出組，其中該第二腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的第二腔室輸入參數組及用於該輸出組的第二 腔室輸出參數組；以及調整該第一腔室輸入參數組或該第二腔室輸入參數組中之至少一者及該第一腔室輸出參數組或該第二腔室輸出參數組中之至少一者，以大致上匹配該第一腔室製作方法建議與該第二腔室製作方法建議。
本文中描述的是一種用於實施解析度提高的腔室匹配的機制，該腔室匹配在腔室匹配努力中匹配了橫跨製造工廠中的腔室的製程之輸入製作方法和輸出值兩者。
術語「腔室匹配」有許多定義。一種定義是產生相同輸出(如藉由測量法量測的)的兩個腔室被匹配。也就是說，匹配腔室的輸出，而不需考慮匹配腔室的輸入。該等腔室可以以非常不同的方式產生相同的測量值。例如，爐1使用高溫和短時間，而爐2使用低溫和長時間來產生相同的輸出(例如兩者皆產生相同的膜厚，如藉由測量法量測的)，但是具有非常不同的輸入。
本揭示內容的各個態樣提供了解析度提高的腔室匹配。在解析度提高的腔室匹配中，若腔室的操作狀態被匹配了，則腔室被匹配了。匹配腔室的操作狀態除了匹配製程的輸出之外還要求諸如製程輸入和製程變數等製程條件也被匹配。諸如輸出和輸入等製程條件無法被準確地匹配，因為腔室中通常有無法避免的細微差別，例如自上次維護的時間及各種元件的年齡。這種解析度提高的腔室匹配較佳地對齊了處理環境，並在應用中、在各個腔室之間得到更一致的產品品質。此外，解析度提高的腔室匹配可以提高一個製程在整個設備間控制輸入和輸出參數的能力。此外，藉由匹配一個製程間的輸入，則量測的和未量測的輸出皆可以提高一致性和 相似度，最終有助於提高產率。在下文中，術語腔室匹配係指解析度提高的腔室匹配。
典型的運轉與運轉間(R2R)控制器是一種基於模型的控制器。例如，該模型可以採取以下的形式：Y=Ax+c，其中：Y=系統輸出的向量，通常使用測量法量測，可以是製程目標，例如厚度和均勻度，x=系統可調輸入向量(例如製作方法的一部分)，A=方程式的斜率參數矩陣，c=線性模型的常數項向量。該模型可以被寫成一組方程式：y1=a11 x1+a12 x2+...a1m xm+c1…yn=an1 x 1+an2 x2+...anm xm+cn
傳統上，R2R控制器經常基於預測的「y」(即輸出)和實際的「y」之間的差而在R2R基礎上(例如在每次運轉之後)更新模型的項。利用諸如指數加權移動平均(EWMA)等方法來平滑化並將歷史資料結合於更新的製程中。例如，每一個「c」可以在運轉「t」時藉由：ct=α(yt-Axt)+(1-α)ct-1來更新，其中α為遺忘因子(0
Figure 107146927-A0305-02-0008-1
α
Figure 107146927-A0305-02-0008-2
1)。
取決於被控制的輸出之數量和可調的輸入之數量，製程匹配的問題會被低測(underdetermined)、準確測出(exactly determined)或超測(overdetermined)。在實作中，製程匹配的問題幾乎總是被低測。假使解決方案被低測，則存在無限數量的解決方案(即產生所需輸出的輸入組，也被稱為「建議」)。前述通常只在足夠數量的輸入未被「限制」(即被迫停留在限制值，因此不是可調的R2R)時為真。技術上來說，假使解決方案被超測，則會產生數個解決方案，該等解決方案產生「接近」目標的相同輸出。
傳統上，當面對無限的解決方案空間時，R2R控制器會選擇「最接近」先前建議的「建議」。換句話說，下一個解決方案的選擇是憑藉對先前解決方案的接近度。選擇最接近先前建議的建議可以使用諸如強制的最小平方等技術來決定。變數可以被相對於彼此加權，以調整對於特定應用的「接近度」定義。
本揭示的各個態樣提供不僅滿足腔室匹配的最窄定義而且還滿足腔室匹配的改良定義(下文稱為腔室匹配努力)的解決方案。亦即本揭示的各個態樣可以在腔室匹配努力中匹配製程條件，例如輸入製作方法以及輸出(例如測量)值。例如，示例的製程包括可調的輸入(例如壓力和溫度)和輸出(例如厚度)。可調的輸入類型和輸出類型可以是橫跨各個腔室皆相同的。亦即可以在每個腔室控制壓力和溫度。然而，輸入的值(例如參數)可以被調整，以獲得輸出目標值。應當注意的是，輸出參數也可以被稱為輸出目標值。在腔室匹配努 力中，輸入值(例如輸入參數)和輸出值(例如輸出參數或目標值)皆可以被調整而相互接近。例如，為了維持恆定的輸出值(例如10微米的厚度)，在腔室匹配努力中可以將遍及所有腔室的壓力和溫度值分別調整到約10巴和250℃。本揭示的各個態樣將腔室匹配中接近度的概念調整為包含橫跨腔室的製作方法建議，所以輸出以及輸入在一組腔室間可被盡可能地匹配。本揭示的各個態樣利用了R2R控制器可以選擇製作方法建議(即產生所需輸出的一組輸入)的事實，該選擇通常是無限的，而該製作方法建議可以提供R2R控制作用。
本揭示的各個態樣可以決定多腔室的複合平均製作方法建議(例如目標製作方法、複合腔室製作方法建議)。複合腔室製作方法建議可以是用於特定製程的所有腔室製作方法之平均。該複合製作方法建議可以包括可調輸入和輸出、以及複合輸入參數組和輸出參數組，以分別調整該可調輸入和輸出。例如，可調輸入可以是溫度和壓力，並且可以分別具有100℃和20巴的參數。輸出可以是厚度並具有10微米的參數或目標。複合腔室製作方法建議可被用於腔室匹配努力中，其中每個腔室的製作方法建議被調整到接近該複合腔室製作方法建議。例如，特定腔室製作方法建議的輸入參數和輸出參數可以被調整來更緊密接近該複合腔室製作方法建議的輸入參數和輸出參數。在另一個實例中，在每個腔室的製程運轉之前，相關的R2R控制器可以發送R2R建議 請求，以確保腔室製作方法建議為最接近該複合製作方法建議者。所有的R2R控制器可以針對該複合製作方法建議相互追蹤(即彼此保持非常接近)，同時仍提供R2R控制。
本揭示的各個態樣描述複合製作方法建議的持續更新。在腔室的相關R2R控制器發送出R2R建議請求並且在回應中該腔室製作方法建議已被更新以接近該複合製作方法建議之後，該複合製作方法建議可以藉由將最新更新的腔室製作方法建議併入更新的複合製作方法建議而被進一步更新。
本揭示的一些態樣描述為了匹配而用以偏好或優先特定參數(例如輸入和輸出參數)的加權方法。本揭示的各個態樣還描述了加權方法如何與增強的R2R控制性能(例如虛擬測量法增強的R2R控制)一起運作。本揭示的各個態樣不限於製造，而是可以被應用於任何製程，例如一般的工業控制和製造。
依據本揭示的一些態樣，腔室匹配可以被以數學方式描述。一組將被匹配的「k」個腔室被界定出。用於每個腔室的R2R控制器可以使用下面的方程式來描述輸出和輸入：y1=a11 x1+a12 x2+...a1m xm+c1…yn=an1 x1+an2 x2+...anm xm+cn 對於所有的腔室(1到k)而言，有關每個yi(1
Figure 107146927-A0305-02-0012-3
i
Figure 107146927-A0305-02-0012-4
n)和xj(1
Figure 107146927-A0305-02-0012-5
j
Figure 107146927-A0305-02-0012-6
m)的物理參數是相同的。應注意的是，對於每個腔室來說，「a」和「c」的值不需要是相同的。
依據本揭示的一些態樣，決定跨腔室的複合腔室製作方法建議是藉由平均橫跨腔室的每個輸入參數來進行。在一些實施例中，決定跨腔室的複合腔室製作方法建議包括橫跨一組腔室中的每個腔室平均模型，以及倒轉複合模型來決定平均製作方法。平均製作方法建議是一種類型的複合製作方法建議，Xc。
依據本揭示的一些態樣，每次在任何腔室有R2R控制模型調整時，腔室匹配方法可以決定滿足控制標準的製作方法建議，該控制標準為最接近複合建議Xc者。例如，給出新的製作方法建議X後，最小化||X-Xc||2並更新Xc。在另一個實施例中，將匹配群組中每個腔室的製作方法建議聯結到另一個腔室。
依據本揭示的一些態樣，將參數(例如可調輸入和輸出)加權，以貢獻較多或較少於平均及移向平均。例如，在示例性的製作方法建議中，功率設定的加權可以多於時間設定。輸入參數(例如可調輸入)或輸出(例如輸出)的加權可以允許腔室的輸入被匹配於對客戶來說最重要的參數。例如，對壓力的加權可以比功率更重，使得在產生相同輸出時腔室也可以使用相同或類似的壓力輸入。或者，輸入到輸出參數的加權可以在犧牲輸出參數匹配之下允許輸入參數的匹配。換句話 說，在某些情況下，控制輸入可能比控制輸出更重要。個別腔室的加權可以決定每個腔室對匹配的貢獻程度或每個腔室從匹配衍生建議的程度。例如，特定的製程腔室可能是接近理想的(例如「黃金」腔室)，而且在計算複合製作方法建議時可以被給予比其它較不理想的腔室更重的權重。
依據本揭示的一些態樣，腔室匹配可以與增強的R2R控制技術一起使用，該增強的R2R控制技術例如虛擬測量輔助的R2R控制。
在下面的描述中闡述了許多的細節。然而，對於本技術領域中具有通常知識者而言，顯而易見的是可以在沒有這些具體細節的情況下實施本發明。在一些實例中，眾所周知的結構和裝置是以方塊圖的形式圖示而不詳細圖示，以避免模糊了本發明。
第1A圖圖示製造環境的示例性架構100，在架構100中可以操作本發明的實施例。該製造環境可以是半導體製造環境、汽車製造環境等。在一個實施例中，架構100包括經由網路125連接的一個或更多個供應鏈資料庫120、一個或更多個客戶資料庫115、製造執行系統(MES)110及製造資訊和控制系統(MICS)105。
網路125可以是公共網路(例如網際網路)、私有網路(例如乙太網路或區域網路(LAN))、或上述網路之組合。網路125可以包括多個私有網路，該等私有網路可以經由公共網路直接連接或連接。例如，供 應鏈資料庫120可以被連接到由製造環境的供應商控制的第一私有網路，客戶資料庫115可以被連接到由製造環境的客戶控制的第二私有網路，而且MICS 105和MES 110可以被連接到第三私有網路。這些私有網路中的每一個皆可經由公共網路連接。
供應鏈資料庫120包括供應商或經銷商可得的及/或提供的資訊。這樣的資訊可以包括例如供應商的訂單(例如零件和貨物的訂單)、供應商的庫存(例如目前庫存、預計庫存等)、預計交貨日期等。當材料接收自多個經銷商或供應商時，架構100可以包括多個供應鏈資料庫120。例如，第一供應鏈資料庫可以包括關於原始貨物的資訊，並且第二供應鏈資料庫可以包括關於製造設備的資訊。
客戶資料庫115包括客戶可得的及/或提供的資訊。這樣的資訊可以包括例如客戶對於製造指定物件的需求、客戶庫存等。架構100可以包括用於多個客戶的單一客戶資料庫115或其中每一個提供有關不同客戶資訊的多個客戶資料庫115。
製造執行系統(MES)110是可用於在製造環境中量測和控制生產活動的系統。MES 110可以控制一組生產設備(例如半導體製造設施中的所有光微影設備)、製造工廠(例如汽車生產工廠)、整個公司等的一些生產活動(例如關鍵的生產活動)或所有生產活動。MES 110可以包括手動和電腦化的離線及/或線上執行 處理系統。這樣的系統可以包括可以執行諸如處理、設備追蹤、調度(例如決定什麼材料進到什麼製程)、產品系譜、勞力追蹤(例如人員排程)、庫存管理、成本計算、電子簽名採集、缺陷和清晰度監控、關鍵績效指標監控和警示、維修排程等功能的製造機器、測量裝置、客戶計算裝置、伺服器計算裝置、資料庫等。在一個實施例中，MES 110與一個或更多個MES數據儲存器130連接。MES數據儲存器130可以是非揮發性記憶體(例如硬碟驅動裝置、磁帶驅動裝置、光學驅動裝置等)、揮發性記憶體(例如隨機存取記憶體(RAM))、或上述記憶體之組合上的數據之資料庫、檔案系統、或其他配置。每個MES數據儲存器130可以儲存例如製造製作方法建議的歷史製程資訊(例如溫度、壓力、使用的化學品、製程時間等)、設備維護歷史、庫存等。
製造資訊和控制系統(MICS)105組合來自多個不同來源(例如數據儲存器)的不同資訊，並在單一介面中呈現此資訊。MICS 105可以用來獲得對製造環境的瞭解，而且可以使使用者能夠決定製造環境的效率及/或如何改良全部的製造環境或製造環境的元件。MICS 105可被使用來在製造環境中控制腔室匹配努力。MICS 105還可以從組合的資訊作出推論、得出報告、及/或採取行動。例如，MICS 105可以採取行動來決定不同的腔室製作方法建議、調整不同的腔室製作方法建議、產生複合腔室製作方法建議、提供瓶頸分析、 提供資產管理(例如減少未排程的設備停機時間)、改良精實作法等。在一個實施例中，MICS 105包括數據合併器140、決策支援邏輯元件155、執行邏輯元件160、預測器150、實時監控器165、以及腔室匹配子系統145。
數據合併器140合併接收自多個不同來源(例如數據儲存器)的製造設備(例如腔室)之數據。接收自數據來源的數據被合併的方式可以取決於接收到的數據之間的關係。這樣的關係可以是使用者定義的。此外，被合併的數據之來源、以及數據被合併的方式可以是使用者可設定的。因此，當加入新的數據儲存器及/或移除舊的數據儲存器時，數據合併器140可適於適應變化。
在一個實施例中，數據合併器140合併來自多個MES數據儲存器130(例如庫存數據儲存器、維護數據儲存器、測量數據儲存器、製程數據儲存器等)的數據。在進一步的實施例中，數據合併器140合併來自供應鏈資料庫120及/或客戶資料庫115的數據。在又進一步的實施例中，數據合併器140在實時監控器165收集數據(例如來自製造機器(腔室)及測量機器)時合併實時數據。在具有預測模型的仍進一步實施例中，數據合併器140合併已經由預測器150產生的虛擬數據。數據合併器140還可以合併手動輸入的數據(例如由裝置操作者、維護人員等輸入的數據)。在另一個實施例 中，數據合併器140為數量k的腔室或製造設備合併過去和現在的製作方法建議。
在一個實施例中，數據合併器140在MICS數據儲存器135中儲存合併的接收(實際)數據。或者，數據合併器140可以在MICS數據儲存器135中儲存所有合併的接收數據之子集。例如，數據合併器140可以儲存在MICS數據儲存器135中產生複合腔室製作方法所需的合併數據。
實時監控器165收集實時數據，該實時數據包括一個或更多個設備參數(例如輸入和輸出參數)的目前值。這樣的實時數據可以從感測器和系統收集，MICS 105經由網路125連接至該等感測器和系統。實時監控器165可以例如在數據被產生時收集來自製造設備(例如腔室)和測量設備(例如腔室)的數據。在一個實施例中，實時監控器165提供實時數據到數據合併器140。
決策支援邏輯元件155可以基於歷史的和目前的操作狀態(例如過去和目前的腔室製作方法建議的接收數據)來提供腔室匹配的建議和決定。決策支援邏輯元件155還可以基於未來的操作狀態(例如所需的輸出值及/或虛擬數據)來提供腔室匹配的建議和決定。決策支援邏輯元件155可以基於將一組值與結果相匹配的業務邏輯來提供這樣的建議和決定。該結果可以是例如使維修人員被通知待處理機器故障、使製程工程師被通 知異常的量測結果等。該結果還可以建議應採取的行動。例如，該結果可以建議某一機器應進行特別的維護。
執行邏輯元件160可以基於決策支援邏輯元件155的輸出而負責在業務系統上採取行動。這些行動是處於智能業務規則的形式，並且可以經由實時系統事件、預測的事件、或安排的活動來展開。例如，執行邏輯元件160可以在檢測到某些值的時候自動安排機器的維護、自動關閉機器等。
MICS 105還可以包括腔室匹配子系統(CMS)145。CMS 145使用在MICS數據儲存器135中的數據來執行製造環境中的各種工具和腔室之腔室匹配努力。腔室匹配可以藉由MES 110的元件來執行，MES 110的元件可以將相關的製程數據轉發到MICS 105。替代地或外加地，腔室匹配可以由MICS 105基於接收自MES 110及/或製造環境中的其它來源的設備參數(例如可調輸入、輸出、輸入參數、輸出參數)來執行。腔室匹配可以使用特定的腔室方法(例如狀態空間控制、EWMA等)來進行，該等腔室方法可以是靜態的或隨時間改變的。CMS 145還可以對儲存在MICS數據儲存器135中的設備數據進行分析，以定義複合製作方法建議。
在一個實施例中，CMS 145提供GUI，該GUI允許使用者選擇特定的工具、呈現輸出和選擇的工具可用的可調輸入、及允許使用者選擇和調整呈現的輸 出和可調輸入中之一者或更多者。CMS 145可以允許使用者藉由調整輸入和輸出參數來調整可調輸入組和輸出組。
在一些實施例中，CMS 145控制一組待匹配的「k」個腔室。腔室的數量「k」可以由使用者或MICS 105的製程管理員界定。CMS 145可以以方程式的形式為每個腔室定義R2R控制器，例如由數個可調輸入和腔室常數定義的數個輸出。CMS 145可以藉由使用輸出參數來調整輸出，而且可以藉由使用輸入參數來調整輸入。例如，在半導體製程中，晶圓的厚度可以是輸出，而時間和溫度可以是可控制的輸入。繼續此實例，CMS 145可以藉由調諧時間和溫度參數來進行腔室匹配，使得輸出(例如界定的厚度)和輸入(例如時間和溫度的值)皆橫跨該「k」個腔室而收斂。
在一些實施例中，CMS 145決定橫跨「k」個腔室的複合製作方法建議。例如，CMS 145可以簡單地平均橫跨該「k」個腔室的每個輸入係數來決定複合製作方法建議。在另一個實例中，CMS 145可以橫跨「k」個腔室來平均製作方法建議，以決定複合製作方法建議。在又另一個實例中，使用者可以定義計算複合製作方法建議的替代方法，以讓CMS 145執行。CMS可以與MES 110通訊，以控制製造設備，使得該「k」個腔室的輸入和輸出由於複合製作方法建議的結果而收斂。
在一個實施例中，當決定複合製作方法建議時，CMS 145可以橫跨「k」個腔室更多或更少地加權某些可調輸入及/或輸出。此外，當決定複合製作方法建議時，CMS 145可以更多或更少地加權特定腔室。在一個實施例中，CMS 145可以自動地決定不同的權重。例如，假使輸入的「時間」已被使用者加權，則CMS可以自動調整輸入和輸出的權重，以確保「時間」的附加權重已被適當地計入。在替代的實施例中，使用者可以定義不同的權重並將這些權重輸入MICS 105及/或CMS 145。
在一些實施例中，任何時間在任何腔室作了R2R控制模型調整，CMS 145即更新複合製作方法建議。CMS 145可以從MES數據儲存器130擷取R2R數據並將資訊儲存在MICS數據儲存器135中。
在另一個實施例中，CMS 145可以使用增強的技術延伸它的腔室匹配努力，該增強的技術例如虛擬輔助的R2R控制。在一個具有預測模型的實施例中，數據合併器140合併已經由預測器150產生的虛擬數據。數據合併器140可以儲存在MICS數據儲存器135中產生虛擬數據所需的合併後數據。用以產生虛擬數據的方法、模型及/或演算法可以取決於被預測的參數。例如，第一模擬模型可以用於預測第一參數的未來值，並且第二模擬模型可用於預測第二參數的未來值。在一個實施例中，CMS 145可以使用虛擬數據和實際數據來產生複合製作方法建議。在另一個實施例中，CMS 145可以在腔室匹配努力中使用虛擬數據來控制輸入和輸出參數。
雖然上述的示例性架構100是屬於製造環境的，但本發明的實施例還可以在其它的環境中操作，例如投資環境（例如用於買賣股票、債券、貨幣等）、研究環境等。在這樣的替代環境中，可以不存在製造執行系統，並且製造資訊和控制系統可以替代地為研究資訊和控制系統、投資資訊和控制系統等。
第1B圖依據本揭示的一些態樣圖示腔室匹配的多維度解決方案。第1B圖圖示腔室匹配努力的一些維度，包括硬體配置171、軟體配置172、工具感測器173、製程174、測量175、維護176及產線終點電性177。如上所述，將一整套工具維持在匹配狀態可以減少產率損失和產率變化、允許晶圓廠中有更大的選路靈活性、識別和控制製程的無效率、以及減少產率問題根源分析的時間。腔室匹配的全面解決方案包括橫跨許多維度的匹配，如第1B圖所示。理想情況下，匹配的製程在每一個可用的維度提供匹配，從配置（例如硬體配置171和軟體配置172）通過製程設定和執行、以及產率分析，如第1B圖所示。在匹配製程中的第一步驟是要執行硬體和軟體查核。在許多情況下，「黃金工具」被識別為客戶和經營者之間的合作努力之一部分。該黃金工具的軟體和硬體參數可以成為基線。可以作出關於哪些參數對於匹配製程是重要的以及需要獲得什麼水平的匹配的決定。
當硬體配置171和軟體配置172被匹配時，努力可以轉為匹配工具感測器173和數據收集。數據收集和分析配置可以被匹配，而且使用諸如「腔室變化報告」的分析能力來決定腔室匹配的水平以及調查任何不匹配的來源。常用的補救措施牽涉到識別表現不佳的腔室及將輸入和輸出參數與「黃金」腔室匹配。例如在多晶蝕刻匹配製程中，驅動電流（離子）匹配可以從7 %的差改良為0 %。晶圓內的驅動電流標準差可以減少30 %。該匹配可以藉由匹配氣體流量、設備限制、RF參數、以及製作方法最佳化來實現。
以上識別的性能有助於腔室匹配製程，並產出許多的效益。然而，它們通常被離線應用並且在生產過程中可能無法解決腔室匹配，例如在製程174、測量175及維護176中。如上所述，在生產過程中腔室匹配的一種定義是藉由製程後測量來匹配輸出。當只有匹配整套的輸出時，腔室可以非常不同地操作。用在本揭示中的改良腔室匹配定義是 – 假使腔室的操作狀態被匹配了，則該腔室即被匹配了。這要求的是，除了匹配製程輸出之外，諸如製程輸入和製程變數等製程條件也被匹配了。以下描述改良的腔室匹配（下文稱為腔室匹配）之進一步細節。
第 2 圖 提供了依據本揭示的一些態樣進行的腔室匹配之圖形說明。在下面的圖中，為了便於說明圖示具有兩個輸入和一個輸出的實例（例如Y=2X1 +10X2 +5）。應當指出的是，使用兩個輸入和一個輸出是用來便於說明，而且如本文所述的腔室匹配可以被應用於多個輸出和多個輸入。此外，可以為超過2個腔室進行腔室匹配。腔室匹配可以在複數個任意數量的腔室上進行。
第 2 圖 圖示依據本發明的一個實施例使用模型解空間的腔室匹配。模型解空間是指可以實現指定輸出值的製作方法建議之輸入值（例如參數）範圍。在下面的實例中，模型解空間輸出（即厚度）被保持恆定。然而，在其它的實例中，模型解空間的輸出和輸入值都可以是可變的。在圖形說明200中，模型解空間被表示為直線（例如模型解空間201、202及203）。模型解空間201（例如原始的模型解空間）是腔室1的第一製程運轉（例如運轉#1）之模型解空間。可調輸入是壓力（例如X2 ）和功率（例如X1 ），而輸出是厚度（例如Y）。在模型解空間201中，在操作點207看到運轉#1的決定解，在操作點207輸入參數大致如下：壓力=2.5，功率=40。
模型解空間202（例如目前的模型解空間，腔室#2）是腔室2的第一製程運轉（例如運轉#1）之模型解空間。在模型解空間202中，在操作點209看到運轉#1的決定解，在操作點209輸入參數大致如下：壓力=5.5，功率=60。
傳統上，R2R控制器選擇最接近先前建議的製作方法建議，而沒有考慮到進行相同製程的其它腔室。例如，典型上腔室不會產生與製作方法建議處方完全相同的輸出。在第2圖中，操作點207可以代表腔室1在運轉1之後的輸出（例如厚度）。然而，輸出可能並非恰好是所要的。所要的輸出可以由操作點205表示。在傳統的腔室匹配方法中，R2R控制系統可以藉由最低限度地調整可調輸入（例如壓力和功率）來試圖將腔室1的操作點207（例如輸出）移動到更接近操作點205。傳統腔室匹配方法的最低限度調整由箭頭206表示。R2R系統可以選擇任意的輸入組合來實現期望的輸出，如由模型解空間203表示的。然而，在傳統的腔室匹配方法下，R2R控制器可以藉由進行可能的最少調整來調整腔室1的製作方法建議，同時仍接近期望的操作點205。
圖形說明200圖示依據本揭示之各個態樣的腔室匹配之簡化實例，其中腔室1和腔室2的建議都被調整，以實現共同的輸出值和共同的輸入值。如圖所示，兩個腔室的輸入和輸出值都被匹配。例如，在運轉1之後將腔室1的操作點207調整到操作點210，如箭頭204所示。在運轉1之後也將腔室2的操作點209調整到相同的操作點—操作點210，如箭頭208所示。如圖所示，腔室1和2的操作點皆被調整到操作點210，並且兩個腔室的輸入皆已被調整到接近相同的值（例如大約壓力 = 5和功率 = 40）。在一個實施例中，匹配群組中每個腔室的製作方法建議被聯結到其它的腔室而改良整體腔室的匹配水平。在另一個實施例中，腔室朝向複合製作方法XC 移動。在另一個實施例中，參數的加權和定界被應到腔室匹配努力中。
第 3 圖 圖示依據本發明的一個實施例施加於腔室匹配的狀態空間之圖形表示。狀態空間是指在系統設計和設計最佳化中反饋控制的狀態空間方法。系統動力學的狀態空間描述可以在一組習知為狀態變數的內部變數中與一組將狀態變數結合為物理輸出變數的代數方程式一起將動力學提供為一組耦合的一階微分方程式。換句話說，動態系統狀態的概念是指充分描述系統及該系統對於任何給定輸入組的回應的最少組變數，習知為狀態變數。藉由應用狀態空間控制，附加的變數可以在腔室匹配努力中受到控制。例如，如先前所討論的，可以延伸EWMA模型來考慮諸如特定工具的歷史、時間相關的工具參數雜訊、以及隨時間變化的測量法量測雜訊等因素。應用於腔室匹配的狀態空間控制可以由第3圖以圖形方式表示，其中空間301表示整個解的空間（例如所有可能的輸入參數）。空間302僅圖示滿足限制條件的可能解。空間303圖示給予目標函數最小值的最佳解。在這種情況下，目標函數將包括如先前所述的腔室匹配目標（例如匹配加權的輸入和輸出）。在加權的目標函數中可將該目標與其它的控制目標結合。
應用於腔室匹配的狀態空間延伸也可以以數學形式描述如下： 𝑦𝑡 =𝐴.𝑥𝑡 +𝑣𝑡 𝑥𝑡 +1=𝑥𝑡 +𝑤𝑡 其中，𝑦𝑡 =在時間𝑡的測量法量測，𝑥𝑡 =在時間𝑡的可調輸入，𝐴=輸出矩陣，𝑤𝑡 =可調輸入雜訊，𝑣𝑡 = 𝑆𝑃𝐶量測雜訊；
Figure 02_image001
其中，𝑦𝑇𝑎𝑟𝑔𝑒𝑡 =測量法量測目標，𝑄=偏離測量法量測目標的成本矩陣，𝑅=從目前輸入偏移的處罰矩陣，Δ𝑥𝑚𝑎𝑥 =輸入的最大變化。
Figure 02_image003
在一個實施例中，矩陣A是製作方法相關且工具不相關的，並且可以從實驗中獲得。在一個實施例中，若已知雜訊分佈，則可以提前輸入雜訊參數。在另一個實施例中，若未知雜訊分佈，則可以估計雜訊參數。當應用於腔室匹配時，可以解上述方程式來找到最佳的輸入。
第 4 圖 為腔室匹配的方法之一個實施例的流程圖。方法400可以由處理邏輯執行，該處理邏輯包含硬體（例如電路、專用邏輯、可程式化邏輯、微碼等）、軟體（例如在處理裝置上運轉以執行硬體模擬的指令）、或上述之組合。
為了便於說明，將本揭示的方法繪示並描述為一系列的動作。然而，依據本揭示的動作可以以各種順序及/或同時發生，並與本文中未呈現和描述的其他動作一起發生。此外，並非所有圖示出的動作都是實施依照所揭示標的物的方法所必須的。此外，本技術領域中具有通常知識者將瞭解和明白的是，方法可以替代地由狀態圖或事件表示為一系列相互關聯的狀態。此外，應當理解的是，本說明書中揭示的方法能夠被儲存在製造的物件上，以便於運輸和傳送這種方法到計算裝置。本文中使用的術語「製造的物件」意在涵蓋可從任何電腦可讀裝置或儲存媒體取得的電腦程式。在一個實施方式中，方法400可以藉由如第1A圖圖示的腔室匹配子系統145來進行。
參照第4圖，方法400開始於方塊402，其中處理邏輯接收用於複數個腔室之第一腔室的第一腔室製作方法建議。該第一腔室製作方法建議可以描述用於製程的可調輸入組（例如溫度和壓力）及輸出組（例如厚度）。另外，該第一腔室製作方法建議包括用以調整該可調輸入組的第一腔室輸入參數組（例如溫度和壓力值）及用於該輸出組的第一腔室輸出參數組（例如厚度值）。
在方法400的方塊404，處理邏輯接收用於第二腔室的第二腔室製作方法建議。該第二腔室製作方法建議描述用於該製程的該可調輸入組（例如溫度和壓力）和該輸出組（例如厚度）。該第二腔室製作方法建議包括用以調整該可調輸入組的第二腔室輸入參數組（例如與腔室1不同的溫度和壓力值）及用於該輸出組的第二腔室輸出參數組（例如與腔室1不同的厚度值）。
在方法400的方塊406，處理邏輯調整該第一腔室輸入參數組（例如溫度和壓力值）或該第二腔室輸入參數組中之至少一者及該第一腔室輸出參數組（例如厚度值）或該第二腔室輸出參數組中之至少一者，以匹配該第一或第二腔室製作方法建議中之另一者。在簡單的二腔室實例中，第一腔室的輸出參數和輸入參數可以被調整到接近第二腔室的輸出和輸入參數。在另一個實施例中，處理邏輯可以將腔室的輸入和輸出參數調整到接近複合腔室製作方法的輸入和輸出參數，下文中有更詳細的描述。
在一個實施例中，處理邏輯橫跨腔室匹配所有的輸入參數和輸出參數。在另一個實施例中，處理邏輯橫跨腔室匹配一些但不是全部的輸入參數及一些或全部的輸出參數。
在方法400的方塊408，處理邏輯基於該第一和第二腔室製作方法建議而產生複合腔室製作方法建議。複合腔室製作方法建議可以是用於特定製程的所有腔室製作方法之平均。該複合製作方法建議可以包括可調輸入和輸出、以及複合輸入參數組和輸出參數組來分別調整該可調輸入和輸出。注意到的是，該可調輸入和輸出可以是橫跨腔室和複合腔室製作方法建議皆相同的。然而，典型上輸入和輸出參數可以橫跨腔室及在每個腔室和該複合腔室製作方法建議之間改變。複合腔室製作方法建議可被用於腔室匹配努力中，其中每個腔室的製作方法建議被調整到接近該複合腔室製作方法建議。例如，特定的腔室製作方法建議之輸入參數和輸出參數可以被調整到更緊密接近該複合腔室製作方法建議之輸入參數和輸出參數。
在方法400的方塊410，處理邏輯加權該可調輸入組中之至少一輸入及/或該輸出組中之至少一輸出。腔室之該可調輸入及/或輸出可被加權，使得腔室的特定加權輸入或輸出貢獻更多或更少到該複合腔室製作方法建議。應當注意的是，對於如關於第3圖所討論的狀態空間而言，輸入權重對應於矩陣R且輸出權重對應於矩陣Q。另外，腔室的可調輸入及/或輸出可以被加權，使得特定腔室的加權輸入及/或輸出更多或更少地移向該複合腔室製作方法建議。在一個實施例中，可調輸入或輸出的加權將允許腔室被匹配於最重要的參數。例如，假使客戶的最重要參數是循環時間，則循環時間的可調輸入可比其他可調輸入被加權更多。
在方法400的方塊412，處理邏輯加權一個或更多個腔室的腔室製作方法建議，以調整各個腔室對該複合製作方法建議的貢獻。在另一個實施例中，個別腔室的加權可以決定特定腔室對該複合製作方法建議的貢獻程度或特定腔室自該複合製作方法建議衍生建議的程度。例如，特定腔室可以被視為「黃金腔室」並因此被選擇來更重地加權，使得該特定腔室可以比其它腔室貢獻更多來產生複合腔室製作方法建議。
在方法400的方塊414，處理邏輯調整腔室輸入參數組和腔室輸出參數組來匹配該複合腔室製作方法建議。在一個實施例中，腔室匹配努力中的處理邏輯調整每個腔室的製作方法建議來接近該複合腔室製作方法建議。例如，處理邏輯可以調整腔室的輸入和輸出參數，使得那些參數接近該複合腔室製作方法建議的輸入和輸出參數。
在方法400的方塊416，處理邏輯基於經調整的第一或第二腔室製作方法建議中之至少一者來更新該複合腔室製作方法建議。在一個實施例中，每次處理邏輯對任何腔室作了R2R製作方法建議調整時，則更新該複合製作方法建議以反映特定腔室的調整。換句話說，每次腔室的製作方法建議被更新來接近該複合腔室製作方法建議時，則可以更新該複合腔室製作方法建議來包括更新的腔室製作方法建議。更新該複合腔室建議和該腔室製作方法建議的程序可以是反覆的。
在另一個實施例中，腔室匹配可以基於如第3圖所述的狀態空間控制。亦即可以使用狀態空間控制方法來進行腔室匹配，其中可調輸入、輸出、以及該可調輸入、輸出的相關參數係藉由狀態空間表示來描述。
第5圖圖示示例性形式的電腦系統500中的機器之圖形表示，電腦系統500內可以執行一組用於使該機器執行本文所討論的任一個或更多個方法之指令。在替代的實施例中，可以在區域網路（LAN）、內部網路、外部網路或網際網路中將該機器連接（例如網路化）到其他的機器。該機器可以以伺服器效能操作，或在客戶-伺服器網路環境中以客戶端機器操作，或在點對點（或分散式）的網路環境中作為對等機器操作。該機器可以是個人電腦（PC）、平板電腦、機上盒（STB）、個人數位助理（PDA）、蜂巢式電話、網站設備、伺服器、網路路由器、交換機或橋接器或任何能夠執行一組指定要由該機器採取行動的指令（依序或以其他方式）之機器。此外，雖然僅圖示單一台機器，術語「機器」也應被視為包括任何個別或共同執行一組（或多組）指令的機器之集合，以執行本文中所討論的任一或多個方法。
示例性電腦系統500包括處理裝置（處理器）502、主記憶體504（例如唯讀記憶體（ROM）、快閃記憶體、動態隨機存取記憶體（DRAM），例如同步DRAM（SDRAM）或Rambus DRAM（RDRAM）等）、靜態記憶體506（例如快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體（SRAM）等）以及數據儲存裝置518，上述裝置係經由匯流排508互相溝通。
處理器502表示一或多個通用處理裝置，例如微處理器、中央處理單元或類似者。更特別地，處理器502可以是複雜指令集計算（CISC）微處理器、精簡指令集計算（RISC）微處理器、極長指令（VLIW）微處理器或執行其他指令集的處理器或執行指令集組合的多個處理器。處理器502也可以是一或更多個專用處理設備，例如專用整合電路（ASIC）、場可程式化閘陣列（FPGA）、數位訊號處理器（DSP）、網路處理器或類似者。處理器502被配置為執行用於進行本文所討論的操作和步驟之指令526。
電腦系統500可以進一步包括網路介面裝置522。電腦系統500還可以包括影像顯示單元510（例如液晶顯示器（LCD）或陰極射線管（CRT））、字母數字輸入裝置512（例如鍵盤）、游標控制裝置514（例如滑鼠）以及訊號產生裝置520（例如揚聲器）。
數據儲存裝置518可以包括電腦可讀儲存媒體524，電腦可讀儲存媒體524上儲存一或更多組指令526（例如軟體），指令526體現任一個或更多個本文所述的方法或功能。在由電腦系統500執行指令526的製程中，指令526也可以完全或至少部分地存在於主記憶體504及/或處理器502內，主記憶體504和處理器502也構成電腦可讀儲存媒體。指令526可以進一步經由網路介面裝置522在網路574上被發送或接收。
在一個實施例中，指令526包括用於實施腔室匹配子系統145的指令。雖然在示例性實施例中將電腦可讀儲存媒體524圖示為單一的媒體，但應將術語「電腦可讀儲存媒體」視為包括儲存該一個或更多個指令集的單一媒體或多個媒體（例如集中式或分散式資料庫，及/或相關的快取記憶體和伺服器）。也應將術語「電腦可讀儲存媒體」視為包括任何能夠儲存、編碼或攜帶一組指令的媒體，該指令被該機器執行並使該機器進行本發明之任一個或更多個方法。因此，術語「電腦可讀儲存媒體」應被視為包括但不限於固態記憶體、光學媒體以及磁性媒體。
在前面的描述中提出多個細節闡述。然而，對於本技術領域中具有通常知識且受益於本揭示之人士而言，顯而易見的是沒有這些具體細節也可以實施本發明。在某些情況下，眾所周知的結構和裝置係以方塊圖的形式圖示，而不詳細地圖示，以避免模糊本發明。
將以下實施方式的某些部分以操作的演算法和符號表示呈現於電腦記憶體內的數據位元。這些演算法描述和表示是在數據處理技術領域中具有通常知識者所使用的手段，以便最有效地將工作實質內容傳遞給該技術領域中具有通常知識之他者。通常將這裡的演算法設想為導致所需結果的自相一致步驟順序。這些步驟是那些需要實體操作物理量者。通常（雖然不是必須的）這些量採用能夠被儲存、傳輸、組合、比較以及以其他方式操縱的電或磁訊號形式。已經證明原則上有時為了共同使用的緣故，將這些訊號指稱為位元、值、元件、符號、字元、術語、數字或類似者是方便的。
然而，應該銘記在心的是，所有這些和類似的術語係被與適當的物理量相關聯，並且僅是應用於這些量的方便標記。除非另有具體指明，否則從以下的討論中，顯而易見的是可以理解到在整個說明書中，使用術語例如「調整」、「產生」、「接收」、「加權」、「更新」或類似者的討論係指電腦系統或類似的電子運算裝置的動作和進程，該電腦系統或類似的電子運算裝置將在電腦系統的暫存器和記憶體內表示為物理（例如電子）量的數據操縱和變換成其他在電腦系統記憶體或暫存器或其他這種資訊儲存、傳輸或顯示裝置內類似地表示為物理量的數據。
本發明也關於一種用於進行本文中的操作之設備。此設備可被專門建構用於要求的目的，或者該設備可以包含由儲存在電腦中的電腦程式選擇性啟動或重新配置的通用電腦。這種電腦程式可以被儲存於電腦可讀儲存媒體中，該電腦可讀儲存媒體例如但不限於任何類型的磁盤，包括軟碟、光碟、唯讀光碟記憶體（CD-ROM）及磁性光碟、唯讀記憶體（ROM）、隨機存取記憶體（RAM）、可抹除可程式化唯讀記憶體（EPROM）、電子可抹除可程式化唯讀記憶體（EEPROM）、磁性卡或光學卡或任何適用於儲存電子指令的媒體類型。
100‧‧‧架構 105‧‧‧製造資訊和控制系統（MICS） 110‧‧‧製造執行系統（MES） 115‧‧‧客戶資料庫 120‧‧‧供應鏈資料庫 125‧‧‧網路 130‧‧‧MES數據儲存器 135‧‧‧MICS數據儲存器 140‧‧‧數據合併器 145‧‧‧腔室匹配子系統 150‧‧‧預測器 155‧‧‧決策支援邏輯元件 160‧‧‧執行邏輯元件 165‧‧‧實時監控器 171‧‧‧硬體配置 172‧‧‧軟體配置 173‧‧‧工具感測器 174‧‧‧製程 175‧‧‧測量 176‧‧‧維護 177‧‧‧產線終點電性 200‧‧‧圖形說明 201‧‧‧模型解空間 202‧‧‧模型解空間 203‧‧‧模型解空間 204‧‧‧箭頭 205‧‧‧操作點 206‧‧‧箭頭 207‧‧‧操作點 208‧‧‧箭頭 209‧‧‧操作點 210‧‧‧操作點 301‧‧‧空間 302‧‧‧空間 303‧‧‧空間 400‧‧‧方法 402‧‧‧方塊 404‧‧‧方塊 406‧‧‧方塊 408‧‧‧方塊 410‧‧‧方塊 412‧‧‧方塊 414‧‧‧方塊 416‧‧‧方塊 500‧‧‧電腦系統 502‧‧‧處理裝置（處理器） 504‧‧‧主記憶體 506‧‧‧靜態記憶體 508‧‧‧匯流排 510‧‧‧顯示單元 512‧‧‧字母數字輸入裝置 514‧‧‧游標控制裝置 516‧‧‧數據儲存裝置 520‧‧‧訊號產生裝置 522‧‧‧網路介面裝置 524‧‧‧電腦可讀儲存媒體 526‧‧‧指令
從以下呈現的、並結合附圖考量的示例性實施例之詳細描述將可更加容易地瞭解本揭示，其中：第1A圖圖示製造環境的示例性架構，在該架構中可以操作本發明的實施例；第1B圖依據本揭示的一些態樣圖示腔室匹配的多維度解決方案。
第2圖提供了依據本揭示的一些態樣進行的腔室匹配之圖形說明；第3圖圖示依據本發明之一個實施例施加於腔室匹配的狀態空間之圖形表示；第4圖為腔室匹配的方法之一個實施例的流程圖；以及第5圖圖示依據本發明之一個實施例的示例性電腦系統之方塊圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
400:方法
402:方塊
404:方塊
406:方塊
408:方塊
410:方塊
412:方塊
414:方塊
416:方塊

Claims (20)

  1. 一種電腦實施的方法，包含以下步驟：接收第一腔室製作方法建議，用於複數個腔室中的一第一腔室，該第一腔室製作方法建議描述用於一製程的一可調輸入組和一輸出組，其中該第一腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的一第一腔室輸入參數組和用於該輸出組的一第一腔室輸出參數組；接收第二腔室製作方法建議，用於該複數個腔室中的一第二腔室，該第二腔室製作方法建議描述用於該製程的該可調輸入組和該輸出組，其中該第二腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的一第二腔室輸入參數組和用於該輸出組的一第二腔室輸出參數組；及藉由一處理裝置，基於該第一腔室製作方法建議和該第二腔室製作方法建議來產生複合腔室製作方法建議，該複合腔室製作方法建議描述用於該製程的該可調輸入組和該輸出組，其中該複合腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的一複合輸入參數組和用於該輸出組的一複合輸出參數組。
  2. 如請求項1所述之電腦實施的方法，進一步包含以下步驟：調整該第一腔室輸入參數組和該第二腔室輸入參數組以接近該第二腔室製作方法建議；或 調整該第二腔室輸入參數組和該第二腔室輸出參數組以接近該第一腔室製作方法建議。
  3. 如請求項1所述之電腦實施的方法，進一步包含以下步驟：加權該可調輸入組的一輸入或該輸出組的一輸出中的至少一者。
  4. 如請求項1所述之電腦實施的方法，進一步包含以下步驟：加權該第一腔室製作方法建議或該第二腔室製作方法建議中的至少一者。
  5. 如請求項1所述之電腦實施的方法，其中該第一腔室輸入參數組、該第二腔室輸入參數組、該第一腔室輸出參數組、和該第二腔室輸出參數組是藉由狀態空間表示來描述的。
  6. 如請求項1所述之電腦實施的方法，進一步包含以下步驟中的至少一者：藉由調整該第一腔室輸入參數組和該第一腔室輸出參數組，來調整該第一腔室製作方法建議，以接近該複合腔室製作方法建議；或藉由調整該第二腔室輸入參數組和該第二腔室輸出參數組，來調整該第二腔室製作方法建議，以接近該複合腔室製作方法建議。
  7. 如請求項6所述之電腦實施的方法，進一步包含以下步驟： 基於經調整的該第一腔室製作方法建議或經調整的該第二腔室製作方法建議中的至少一者，來更新該複合腔室製作方法建議。
  8. 如請求項1所述之電腦實施的方法，其中該產生該複合腔室製作方法建議的步驟包含以下步驟：藉由平均該第一腔室製作方法建議和該第二腔室製作方法建議的輸入參數，來產生該複合輸入參數組。
  9. 如請求項1所述之電腦實施的方法，其中該產生該複合腔室製作方法建議的步驟包含以下步驟：平均該第一腔室製作方法建議和該第二腔室製作方法建議。
  10. 如請求項1所述之電腦實施的方法，其中該產生該複合腔室製作方法建議的步驟進一步基於該第一腔室和該第二腔室的製程條件，且其中該第一腔室和該第二腔室的該等製程條件被調整為接近產生的該複合腔室製作方法建議。
  11. 一種用於製程控制的系統，該系統包含：一記憶體；及一處理裝置，耦接到該記憶體，該處理裝置用來：接收第一腔室製作方法建議，用於複數個腔室中的一第一腔室，該第一腔室製作方法建議描述用於一製程的一可調輸入組和一輸出組，其中該第一腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的一第一 腔室輸入參數組和用於該輸出組的一第一腔室輸出參數組；接收第二腔室製作方法建議，用於該複數個腔室中的一第二腔室，該第二腔室製作方法建議描述用於該製程的該可調輸入組和該輸出組，其中該第二腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的一第二腔室輸入參數組和用於該輸出組的一第二腔室輸出參數組；及基於該第一腔室製作方法建議和該第二腔室製作方法建議來產生複合腔室製作方法建議，該複合腔室製作方法建議描述用於該製程的該可調輸入組和該輸出組，其中該複合腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的一複合輸入參數組和用於該輸出組的一複合輸出參數組。
  12. 如請求項11所述之系統，其中該處理裝置進一步用來：調整該第一腔室輸入參數組和該第一腔室輸出參數組以接近該第二腔室製作方法建議；或調整該第二腔室輸入參數組和該第二腔室輸出參數組以接近該第一腔室製作方法建議。
  13. 如請求項11所述之系統，其中該處理裝置進一步用來：加權該可調輸入組的一輸入或該輸出組的一輸出中的至少一者。
  14. 如請求項11所述之系統，其中該處理裝置進一步用來：加權該第一腔室製作方法建議或該第二腔室製作方法建議中的至少一者。
  15. 如請求項11所述之系統，其中該第一腔室輸入參數組、該第二腔室輸入參數組、該第一腔室輸出參數組、和該第二腔室輸出參數組是藉由狀態空間表示來描述的。
  16. 如請求項11所述之系統，其中該處理裝置進一步用來：藉由調整該第一腔室輸入參數組和該第一腔室輸出參數組，來調整該第一腔室製作方法建議，以接近該複合腔室製作方法建議；或藉由調整該第二腔室輸入參數組和該第二腔室輸出參數組，來調整該第二腔室製作方法建議，以接近該複合腔室製作方法建議。
  17. 如請求項16所述之系統，其中該處理裝置進一步用來：基於經調整的該第一腔室製作方法建議或經調整的該第二腔室製作方法建議中的至少一者，來更新該複合腔室製作方法建議。
  18. 如請求項11所述之系統，其中為了產生該複合腔室製作方法建議，該處理裝置藉由平均該第一 腔室製作方法建議和該第二腔室製作方法建議的輸入參數，來產生該複合輸入參數組。
  19. 一種儲存指令的非暫時性機器可讀儲存媒體，該等指令在被一處理裝置執行時，使得該處理裝置執行包含以下步驟的操作：接收第一腔室製作方法建議，用於複數個腔室中的一第一腔室，該第一腔室製作方法建議描述用於一製程的一可調輸入組和一輸出組，其中該第一腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的一第一腔室輸入參數組和用於該輸出組的一第一腔室輸出參數組；接收第二腔室製作方法建議，用於該複數個腔室中的一第二腔室，該第二腔室製作方法建議描述用於該製程的該可調輸入組和該輸出組，其中該第二腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的一第二腔室輸入參數組和用於該輸出組的一第二腔室輸出參數組；及基於該第一腔室製作方法建議和該第二腔室製作方法建議來產生複合腔室製作方法建議，該複合腔室製作方法建議描述用於該製程的該可調輸入組和該輸出組，其中該複合腔室製作方法建議包含用以調整該可調輸入組的一複合輸入參數組和用於該輸出組的一複合輸出參數組。
  20. 如請求項19所述之非暫時性機器可讀儲存媒體，進一步包含：在該產生該複合腔室製作方法建議的步驟之前調整該第一腔室輸入參數組和該第一腔室輸出參數組以接近該第二腔室製作方法建議，及藉由調整該第一腔室輸入參數組和該第一腔室輸出參數組，來調整該第一腔室製作方法建議，以接近該複合腔室製作方法建議；或在該產生該複合腔室製作方法建議的步驟之前調整該第二腔室輸入參數組和該第二腔室輸出參數組以接近該第一腔室製作方法建議，及藉由調整該第二腔室輸入參數組和該第二腔室輸出參數組來調整該第二腔室製作方法建議以接近該複合腔室製作方法建議。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9606519B2 (en) * 2013-10-14 2017-03-28 Applied Materials, Inc. Matching process controllers for improved matching of process
TWI614699B (zh) 2016-12-30 2018-02-11 國立成功大學 大量客製化產品的品質預測方法
JP6999410B2 (ja) * 2017-12-25 2022-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
DE102018105322A1 (de) 2018-03-08 2019-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betreiben einer industriellen Maschine
TWI698728B (zh) * 2018-03-13 2020-07-11 日商住友重機械工業股份有限公司 用以支援製程控制之顯示裝置及顯示方法
CN110416111B (zh) * 2018-04-28 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 实现多个腔室匹配的方法和实现多个腔室匹配的装置
TWI762824B (zh) * 2019-10-17 2022-05-01 財團法人工業技術研究院 通訊任務解析方法、裝置及電腦可讀取記錄媒體
CN110783236B (zh) * 2019-11-12 2023-06-16 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室离线控制方法及系统
TWI775592B (zh) * 2019-12-31 2022-08-21 鍾國誠 用於控制照明裝置的控制裝置及方法
TWI742502B (zh) * 2019-12-31 2021-10-11 鍾國誠 用於控制可變物理參數的控制裝置及方法
TWI734334B (zh) * 2019-12-31 2021-07-21 鍾國誠 控制目標裝置及用於控制可變物理參數的方法
TWI734335B (zh) * 2019-12-31 2021-07-21 鍾國誠 用於控制可變物理參數的控制裝置及方法
TWI741471B (zh) * 2019-12-31 2021-10-01 鍾國誠 控制目標裝置及用於控制可變物理參數的方法
TWI820656B (zh) * 2021-04-16 2023-11-01 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 多個製程腔室壓力的控制方法及半導體製程設備
TWI801921B (zh) * 2021-07-05 2023-05-11 力晶積成電子製造股份有限公司 良率導向之線上機台匹配管理方法
CN116913815B (zh) * 2023-07-26 2024-02-23 数语技术(广州)有限公司 一种高温cvd生产制程的控制方法、装置及存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW422954B (en) * 1998-08-27 2001-02-21 Fujitsu Ltd Production estimate management system
US20060155410A1 (en) * 2005-01-10 2006-07-13 Applied Materials Inc. Spilt-phase chamber modeling for chamber matching and fault detection
TW201009625A (en) * 2008-08-06 2010-03-01 Tokyo Electron Ltd Using multi-layer/multi-input/multi-output (MLMIMO) models for metal-gate structures
TWM481918U (zh) * 2014-03-07 2014-07-11 guang-zhe Lin 可升降的伸展台結構

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5926690A (en) * 1997-05-28 1999-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Run-to-run control process for controlling critical dimensions
US6197604B1 (en) * 1998-10-01 2001-03-06 Advanced Micro Devices, Inc. Method for providing cooperative run-to-run control for multi-product and multi-process semiconductor fabrication
US6368975B1 (en) * 1999-07-07 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring a process by employing principal component analysis
US6684122B1 (en) * 2000-01-03 2004-01-27 Advanced Micro Devices, Inc. Control mechanism for matching process parameters in a multi-chamber process tool
US6559052B2 (en) * 2000-07-07 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Deposition of amorphous silicon films by high density plasma HDP-CVD at low temperatures
DE60104705T2 (de) * 2000-09-15 2005-09-15 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verbesserte regelung mit adaptives abtastverfahren zur halbleiterherstellung
US6588007B1 (en) * 2001-01-03 2003-07-01 Advanced Micro Devices, Inc. Use of endpoint system to match individual processing stations within a tool
US7082345B2 (en) * 2001-06-19 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Method, system and medium for process control for the matching of tools, chambers and/or other semiconductor-related entities
JP3708031B2 (ja) * 2001-06-29 2005-10-19 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置および処理方法
US6643596B2 (en) * 2001-12-13 2003-11-04 Yield Dynamics, Inc. System and method for controlling critical dimension in a semiconductor manufacturing process
US6968245B2 (en) * 2002-08-13 2005-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Flexible recipe modeling and recipe cluster management system
US6912435B2 (en) * 2002-08-28 2005-06-28 Inficon Lt Inc. Methods and systems for controlling reticle-induced errors
US7877161B2 (en) * 2003-03-17 2011-01-25 Tokyo Electron Limited Method and system for performing a chemical oxide removal process
US7354332B2 (en) * 2003-08-04 2008-04-08 Applied Materials, Inc. Technique for process-qualifying a semiconductor manufacturing tool using metrology data
US7127358B2 (en) * 2004-03-30 2006-10-24 Tokyo Electron Limited Method and system for run-to-run control
US7292906B2 (en) * 2004-07-14 2007-11-06 Tokyo Electron Limited Formula-based run-to-run control
TWI367429B (en) * 2004-09-01 2012-07-01 Lam Res Corp A plasma chamber utilizing an enhanced process and profile simulator algorithms and a method for operating the same
US7340320B2 (en) * 2005-04-13 2008-03-04 Asm Japan K.K. Method of recipe control operation
US20070239305A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-11 Haoren Zhuang Process control systems and methods
US7619229B2 (en) * 2006-10-16 2009-11-17 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for matching performance of ion implantation devices using an in-situ mask
TWI424645B (zh) * 2007-04-13 2014-01-21 Cymer Inc 用以穩定及調諧雷射光帶寬之方法與裝置
US8271103B2 (en) * 2007-05-02 2012-09-18 Mks Instruments, Inc. Automated model building and model updating
US8396582B2 (en) * 2008-03-08 2013-03-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for self-learning and self-improving a semiconductor manufacturing tool
US8170704B2 (en) * 2008-03-31 2012-05-01 Globalfoundries Inc. Method and system for automatic generation of throughput models for semiconductor tools
US8135560B2 (en) * 2009-01-30 2012-03-13 Applied Materials, Inc. Sensor system for semiconductor manufacturing apparatus
US9611544B2 (en) * 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US8634949B2 (en) * 2010-05-20 2014-01-21 International Business Machines Corporation Manufacturing management using tool operating data
US8489218B2 (en) * 2010-10-15 2013-07-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chamber match using important variables filtered by dynamic multivariate analysis
WO2013043330A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9558220B2 (en) * 2013-03-04 2017-01-31 Fisher-Rosemount Systems, Inc. Big data in process control systems
US9606519B2 (en) * 2013-10-14 2017-03-28 Applied Materials, Inc. Matching process controllers for improved matching of process
JP6630369B2 (ja) * 2015-06-17 2020-01-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 相互レシピ整合性に基づくレシピ選択
US10192763B2 (en) * 2015-10-05 2019-01-29 Applied Materials, Inc. Methodology for chamber performance matching for semiconductor equipment
US11592812B2 (en) * 2019-02-19 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Sensor metrology data integration
EP3979023A4 (en) * 2019-05-29 2023-06-07 Sintokogio, Ltd. INFORMATION PROCESSING DEVICE AND INFORMATION PROCESSING METHOD
US11869754B2 (en) * 2019-09-06 2024-01-09 Applied Materials, Inc. Dynamic pressure control for processing chambers implementing real-time learning
EP3901710B1 (en) * 2020-04-24 2023-05-03 The Automation Partnership (Cambridge) Limited Optimisation of processes for the production of chemical, pharmaceutical and/or biotechnological products
US11829873B2 (en) * 2020-05-21 2023-11-28 Applied Materials, Inc. Predictive modeling of a manufacturing process using a set of trained inverted models
EP4105963A1 (en) * 2021-06-17 2022-12-21 Impedans Ltd A controller for a matching unit of a plasma processing system
US20230417682A1 (en) * 2022-06-23 2023-12-28 Onto Innovation Inc. Metrology solutions for complex structures of interest

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW422954B (en) * 1998-08-27 2001-02-21 Fujitsu Ltd Production estimate management system
US20060155410A1 (en) * 2005-01-10 2006-07-13 Applied Materials Inc. Spilt-phase chamber modeling for chamber matching and fault detection
TW201009625A (en) * 2008-08-06 2010-03-01 Tokyo Electron Ltd Using multi-layer/multi-input/multi-output (MLMIMO) models for metal-gate structures
TWM481918U (zh) * 2014-03-07 2014-07-11 guang-zhe Lin 可升降的伸展台結構

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