TWI720129B - 計量裝置及計量方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種用於檢測一基板、尤其為一基板堆疊(14)之計量裝置，該計量裝置具有下列特徵： - 聲音施加構件，其等用於將音波(19)施加至該基板、尤其為該基板堆疊(14)之一第一基板堆疊表面， - 一光學系統，其具有 a) 一源，其用於輸出電磁輻射，該電磁輻射被分離成至少一個第一光束路徑及一個第二光束路徑， b) 構件，其用於向該基板、尤其為該基板堆疊(14)之一基板堆疊量測表面(14m)載入該第一光束路徑， c) 干涉構件，其用於形成由該第一光束路徑及該第二光束路徑組成之一干涉輻射及 d) 一偵測器(5)，其用於偵測該干涉輻射， - 分析構件，其用於分析該偵測器(5)處偵測之該干涉輻射。 此外，本發明係關於一種用於檢測一經接合基板、尤其為一基板堆疊(14)之計量方法，該計量方法具有下列步驟、尤其為下列程序： - 將音波施加至該基板、尤其為該基板堆疊(14)之一第一基板堆疊表面， - 將從一源輸出之電磁輻射之一第一光束路徑施加至施加有音波之該基板、尤其為該基板堆疊(14)之一基板堆疊量測表面(14m)， - 形成由該電磁輻射之該第一光束路徑及一第二光束路徑組成之干涉輻射， - 在一偵測器(5)處偵測該干涉輻射， - 分析該偵測器處偵測之該干涉輻射。

Description

計量裝置及計量方法
本發明係關於一種根據專利技術方案1之計量裝置及一種根據專利技術方案6之對應計量方法。
先前技術中主要使用純聲學量測方法，藉助於此等方法，可在一經接合基板堆疊之結構及/或故障方面研究該經接合基板堆疊。對於多數情況，將整個基板堆疊放置於一液體(尤其為水)中以耦合一聲音信號。 另外，亦存在電磁量測方法及設備，藉助於此等電磁量測方法及設備，可量測一基板堆疊。在此情況中，將電磁光束引入該基板堆疊中且量測電磁光束之反射。在W02012062343A1中揭示一種此方法。 使用液體潤濕該基板堆疊構成最大問題。此類型之潤濕出於若干原因係非所欲的。 首先，該基板堆疊亦必須在從設備移除之後乾燥，且其次，液體可穿透至基板之間的邊界表面中。 電磁量測方法具有缺點：資訊受限於電磁光束之有限穿透深度。該等光束僅穿透至該基板堆疊之一相對短之深度，其係特定言之歸因於具有高吸收性之金屬組件。此外，所反射之量測信號在離開基板堆疊之後被嚴重減弱。此外，對於多數情況，使用掃描方法，即，其中該基板堆疊完成相對於正掃描該基板堆疊之一精準聚焦之光束之一相對移動。此相對移動極其費時且因此具有較高成本。 因此，本發明之目的係指定一種計量裝置及一計量方法，使用其等基板堆疊之研究以一快速、乾燥、高精度、可靠且便宜之方式發生。
憑藉專利技術方案1及6之特徵達成此目的。在附屬技術方案中指定本發明之有利開發。在描述、技術方案及/或圖中指定之至少兩個特徵之所有組合亦落於本發明之範疇內。當指定值範圍時，位於所提及之限度內之值亦應被揭示為極限值且可以任何所欲組合主張。 在此情況中，本發明之基本理念為執行(尤其為同時)從一基板堆疊之(尤其)不同側(較佳地相對側)向該基板堆疊載入音波及電磁波之一第一光束路徑。該基板堆疊之一量測/分析(特定言之關於空隙)藉由電磁波之一第二光束路徑及與該第一光束路徑之干涉資訊實現，該第二光束路徑並非經引導至該基板堆疊且特定言之與該第一光束路徑同時從一源傳輸。 換言之，本發明特定言之教示一種設備及一種方法，以便藉由(超)音波激發及干涉量測產生一基板堆疊之一三維影像。 本發明適用於量測未經連接至一基板堆疊之個別基板。基板堆疊之量測係較佳實施例。在參考基板堆疊或描述基板堆疊的範圍內，該描述亦應適用於(尤其個別)基板。 若干基板/基板堆疊可具有任何所欲形狀，但較佳地係圓形的。特定言之，基板之直徑經產業標準化。對於晶圓，產業標準直徑為1吋、2吋、3吋、4吋、5吋、6吋、8吋、12吋及18吋。進一步特定實施例係矩形基板，所謂之面板。然而，根據本發明之實施例可基本上處理任何基板，而不管其直徑。由該等基板建構之基板堆疊具有對應平均直徑。 特定言之，一基板之平均厚度位於5000 μm與50 μm之間，較佳地位於2500 μm與100 μm之間，更佳地位於1500 μm與200 μm之間，最佳地位於1000 μm與500 μm之間，更最佳約為750 μm。 本發明尤其係關於用於量測一基板堆疊(尤其用於空隙偵測)之一設備及一方法。在本發明中，此較佳地為一聲光方法。在聲光方法中，一音波耦合於該基板堆疊之一第一基板堆疊表面(基板堆疊固定表面)上(尤其遍及整個表面)。所產生之音波傳播通過基板堆疊直至與第一基板堆疊表面相對之第二基板堆疊表面(基板堆疊量測表面)。局部不同的(特定言之可個別地控制的)音波較佳地沿著基板堆疊表面產生。 藉由一先前產生且經加寬之光束(第一光束路徑)之複數個部分光束偵測由音波引發之基板堆疊量測表面之一局部改變(尤其為變形及/或振動)。藉由較佳地使用一干涉儀，可引發一主光束(第二光束路徑)(尤其藉由平行化)疊加經反射之次級光束(第一光束路徑)。藉由光束之寬度產生一二維干涉型樣，該干涉型樣可藉由一偵測器(尤其為一CCD偵測器)偵測且記錄。 可藉由數學演算法轉換為經量測基板堆疊之一三維影像之多個干涉影像藉由(尤其局部變化之)超音波激發依序產生。特定言之，可藉由三維影像偵測空隙。 根據本發明，可較佳地省略一液浴。至多發生該基板堆疊之一平坦側之一空間定界潤濕。 該基板堆疊之點狀掃描係不必要的，此係歸因於至少實質上在一個步驟中(即，在不掃描基板堆疊的情況下)及/或遍及整個表面執行之一偵測。 本發明描述用於一物件(尤其為一基板堆疊)之(尤其為)空隙之無損量測之一設備及一方法。在公開文件之剩餘部分中，將僅談及一基板堆疊。 本發明由在下文中描述之複數個元件構成，其等本身可被視為且揭示為一獨立發明：聲音 載入構件 ( 尤其為聲音樣本保持器 ) 聲音載入構件(尤其亦經構造為一聲音樣本保持器)用於產生音波且向基板堆疊載入所產生之音波。根據本發明，音波較佳地係超音波。根據本發明，產生兆音(mega-sound)波或次音(infrasound)波亦係可設想的。先前提及之音波之頻率範圍之過渡係流暢的。 針對次音波之根據本發明之較佳頻率範圍位於0.001 Hz與16 Hz之間，較佳地在0.01 Hz與16 Hz之間，更佳地在1 Hz與16 Hz之間，最佳地在5 Hz與16 Hz之間。 針對兆音波之根據本發明之較佳頻率範圍位於400 kHz與2 MHz之間，較佳地在600 kHz與2 MHz之間，更佳地在1 MHz與2 MHz之間，最佳地在1.5 MHz與2 MHz之間。 針對超音波之根據本發明之較佳頻率範圍位於16 kHz與1 GHz之間，較佳地在100 kHz與1 GHz之間，更佳地在1 MHz與1 GHz之間，最佳地在500 MHz與1 GHz之間。 在一一般實施例中，聲音樣本保持器產生在0.0001 Hz與1 GHz之間的一振動。 為產生基板堆疊之3D結構之一影像，特定言之使用超過一個頻率，較佳地一整個頻帶。 聲音載入構件較佳地經構造使得其可以一空間解析之方式產生音波、尤其藉由提供多個聲源，該多個聲源較佳地經配置成一陣列，更佳地配置成一相控陣列(phased array)。個別聲源較佳地係點狀的。此類型之點狀聲源可藉由一對應電路互連及/或聚焦以形成線聲源、表面聲源或型樣聲源。特定言之，藉由直接啟動聲源而使定目標產生一特定音波波前係可行的。 聲音載入構件(尤其為聲音樣本保持器)較佳地由一基體(base body)及複數個(尤其對稱配置之)聲源構成。聲源較佳地以一網格形狀方式配置。 聲源可具有任何所欲形狀。聲源之橫截面特定言之為 •  矩形、較佳地為正方形或 •  三角形或 •  六邊形或 •  圓形。 聲源特定言之為 •  電聲音產生器、尤其為壓電式元件及/或 •  液壓聲音產生器及/或 •  氣動聲音產生器及/或 •  磁性聲音產生器及/或 •  電容式啟動薄膜。 根據本發明較佳地使用壓電式元件。 聲源經構造為可根據本發明之一有利實施例個別地控制。特定言之，此產生產生所發射之音波及/或各種音波形狀之序列之間的相位關係之可能性。 在根據本發明之一尤其較佳之實施例中，聲源經安裝於一凸起樣本保持器之凸塊上或凸塊中。一凸起樣本保持器係一特殊類型之樣本保持器，其中基板(尤其為該基板堆疊)非擱置於整個表面上，而係在複數個(尤其對稱分佈之)凸出部(凸塊)上。 例如在公開文件W02015113641A1中揭示此類型之一樣本保持器，在此態樣中參考該文件。 聲音載入構件(尤其為聲音樣本保持器)較佳地具有耦合介質通道，一耦合介質可經由該等耦合介質通道被引入聲源與基板堆疊之間。耦合介質通道可定位於聲音樣本保持器上之任何所欲位置處，但較佳地定位於邊緣或周邊與聲源之間，以便不損及以一網格形狀方式配置之聲源之配置。耦合介質通道較佳地經對稱配置。 根據一有利實施例，聲音載入構件具有用於容納耦合介質之一空間，該空間可藉由基板堆疊閉合。該空間藉由與基板堆疊相對之聲音產生器且藉由該側處之一周邊腹板定界。 根據本發明之一進一步實施例，聲音樣本保持器具有固定構件，使用該等固定構件將基板堆疊固定於聲音樣本保持器上或可將基板堆疊固定於聲音樣本保持器上。較佳地，首先將基板堆疊固定至固定構件且此後引入耦合介質。因此，確保基板堆疊一方面被固定，而另一方面最佳地經由耦合介質連接至聲源。一先前引入之耦合介質將經分佈遍及整個固定表面且使得難以或甚至防止藉由固定構件之固定。固定構件可定位於聲音樣本保持器上之任何所欲位置處，但較佳地定位於邊緣處(尤其在基板堆疊下方)，以便不損及以一網格形狀方式配置之聲源之配置。 固定構件較佳地經對稱配置。 特定言之固定構件可為下列元件： •  真空固定件及/或 •  黏性表面固定件(尤其可切換黏性表面固定件)及/或 •  靜電固定件及/或 •  磁性固定件及/或 •  機械固定件(尤其為夾具)。 聲音樣本保持器較佳地具有裝載銷釘，可使用該等裝載銷釘將基板堆疊裝載在聲音樣本保持器上且卸載。裝載銷釘可定位於聲音樣本保持器上之任何所欲位置處，但較佳地定位於邊緣處，以便不損及以一網格形狀方式配置之聲源之配置。裝載銷釘較佳地經對稱配置。 聲音樣本保持器較佳地經設計為一平移載台或可固定於一平移載台上。根據本發明可在聲音樣本保持器與光學系統之間執行一相對移動，此在下文中詳細描述(特定言之，構造為一上部結構)。相對速度特定言之大於1 μm/s、尤其大於1 mm/s，更佳地大於1 cm/s。可藉由聲音樣本保持器與光學系統之間的一相對移動達成解析度之一增大，更精確言之為量測部分光束場。掃描量測歸因於一相對移動之可能性係可能的。在此情況中，所收集之強度資訊在偵測器處連接至聲音樣本保持器之一x-y位置。例如，將設想使用一空間上聚焦之主光束PB"，該主光束PB"未經加寬至基板堆疊之整個尺寸。因此，僅從基板堆疊之一小部分區接收資訊。然而，可藉由一相對移動量測整個基板堆疊。此類型之2D掃描方法可帶來解析度增大之優勢，但自然比整個基板堆疊之瞬時/直接量測緩慢。 若希望完全省略相對移動且若不使用基板堆疊之全表面輻照，則亦可使用一空間上定界之光束掃描基板堆疊表面。為此，整個光學系統較佳地經設計用於掃描。 聲音載入構件(尤其為聲音樣本保持器)可使用連續操作或使用脈衝操作操作。連續操作被理解為意謂在無干涉或具有可忽略之小干涉的情況下在時間上持續使用聲源。脈衝操作被理解為意謂聲源之一次性(尤其為短期)使用，接著係不使用聲源之一時間間隔。根據本發明，脈衝操作係較佳的。 聲音載入構件(尤其為聲音樣本保持器，較佳地為個別聲源)特定言之使用脈衝操作尤其在1 Hz與0.1 MHz之間、較佳地在10 Hz與10,000 Hz之間、更佳地在25 Hz與5000 Hz之間、最佳地在50 Hz與2500 Hz之間、更最佳在100 Hz與1000 Hz之間的一頻率範圍操作。耦合介質 ( 可選 ) 由一耦合介質組成之一耦合介質層特定言之在聲音載入期間定位於聲源與第一基板堆疊表面之間。耦合介質較佳地藉由耦合介質通道引入。耦合介質至少主要(較佳地完全)覆蓋聲源及將載入之基板堆疊表面。耦合介質特定言之可係下列介質之一或多者： •  固體，及/或 •  流體、尤其為 。       氣體、較佳地為 •    純氣體，或 •    氣體混合物，較佳地空氣 。       液體、尤其為 •    純液體或 •    液體混合物 。       氣膠及/或 。       懸浮液 水(尤其為蒸餾水)較佳地用作耦合介質。 根據本發明，耦合介質層之厚度小於5 mm，較佳地小於1 mm，更佳地小於1 μm，最佳地小於1 nm。 根據本發明，耦合介質層之厚度特定言之至少與基板堆疊固定表面及聲音樣本固持器表面(尤其為聲源表面)之粗糙度之總和一樣大，該基板堆疊固定表面及該聲音樣本固持器表面應彼此耦合。粗糙度經指定為平均粗糙度、均方根粗糙度或指定為平均粗糙度深度。平均粗糙度、均方根粗糙度及平均粗糙度深度之判定值一般針對相同之量測距離或量測面積係不同的，但位於相同數量級上。因此，耦合介質層之厚度至少與基板堆疊固定表面及聲音樣本固持器表面(尤其為聲源表面)之粗糙度之總和一樣大、尤其至少為該總和之2倍大，更佳地至少為該總和之3倍大，更佳地至少為該總和之5倍大，最佳地至少為該總和之10倍大。 或者，特定言之，耦合介質層之厚度經選擇使得至少主要地(較佳地完全)防止觸碰基板堆疊固定表面及聲音樣本固持器表面。 在一尤其較佳之實施例中，可完全省略使用一耦合介質層。較佳地，此係在來自聲源及第一基板堆疊表面之音波之傳輸在無任何明顯限制(尤其無強度或散射損失)的情況下發生之情況。特定言之，基板或基板堆疊之固定將係良好的，使得聲源與第一基板堆疊表面之間的接觸被最大化。此特定言之係針對真空固定件及具有極小粗糙度之平滑表面之情況。光學系統 根據本發明，光學系統由一(尤其為分開之)電磁輻射源、用於載入基板堆疊之一基板堆疊量測表面之構件、用於從第一光束路徑及第二光束路徑形成干涉輻射之干涉構件及用於偵測干涉輻射之一偵測器構成。 一主光束離開電磁輻射源作為一源光束。藉由基板堆疊量測表面反射(尤其藉由基板堆疊之根據本發明之振動修改)之光束稱為次級光束。特定言之，主光束藉由一分束器分成一第一光束路徑及一第二光束路徑。或者，兩個光束路徑可尤其藉由兩個(較佳地同步切換之)源分開輸出。第一光束路徑作為量測光束被偏轉/引導至基板堆疊量測表面且在反射之後作為次級光束至偵測器。在照射於偵測器上之前，次級光束與第二光束路徑/參考光束結合。在此情況中，較佳地發生主光束及次級光束之干涉。 光學系統可藉由任何所欲其他光學元件擴展，該等光學元件可用於影響(尤其偏轉、分離、平行化)主光束及/或次級光束或第一及/或第二光束路徑。此等主要包含一或多個以下光學元件之一或多者或一組合： •  相移遮罩， •  微鏡陣列(DMD)， •  稜鏡， •  透鏡，尤其為 。       折射透鏡 •      幾何透鏡，尤其為 •          凸透鏡 •          凹透鏡， •          凸凹透鏡， 。       繞射透鏡，尤其為菲涅爾(Fresnel)透鏡 •  鏡，尤其為 。       冷光鏡， 。       拋物面鏡， 。       橢圓鏡， •  準直器。 •  分束器 根據本發明較佳地使用以下光學元件： •  透鏡 •  分束器鏡 特定言之，使用透鏡以便加寬主光束之直徑。在於主光束反射之後使用相同透鏡來減小次級光束之直徑的情況下係尤其有利的。 根據本發明，折射及/或菲涅爾透鏡尤其用於光束加寬及/或光束壓縮。 鏡較佳地用作干涉儀之部分，以便造成更長或更短路徑內之光束之干涉。特定言之可使用冷面鏡以便過濾紅外線輻射，使得紅外線輻射未不必要地加熱基板堆疊。 準直器較佳地直接安裝於源之下游以便確保光束之平行化。源 源係一電磁源。電磁輻射可係完全不同調或時間上及/或空間上同調。同調長度特定言之大於1 μm，較佳地大於100 μm，更佳地大於1 mm，更最佳大於100 mm。 源較佳地在脈衝模式中操作。在脈衝模式中，並不持續而實際上以一脈衝方式輸出光子。脈衝時間特定言之短於1 s，較佳地短於1 ms，更佳地短於1 μs，更最佳短於1 ns。 源之功率特定言之大於1 mW，較佳地大於100 mW，更佳地大於1 W，最佳地大於100 W，更最佳大於1000 W。 藉由源發射之電磁輻射較佳地具有在10 nm與2000 nm之間、較佳地在10 nm與1500 nm之間、更佳地在10 nm與1000 nm之間、更最佳在10 nm與500 nm之間、更最佳在10 nm與400 nm之間的範圍中之一波長。尤其較佳之波長為635 nm及532 nm。尤其較佳地使用發射一整個頻帶長度之電磁輻射之白光光源。接著，所使用之所有光學元件及/或偵測器必須經設計用於白光光源。偵測器 偵測器特定言之構造為一平板偵測器。平板偵測器較佳地係一CCD偵測器。偵測器尤其具有在1 Hz與1 MHz之間、較佳地在10 Hz與100000 Hz之間、更佳地在20 Hz與10,000 Hz之間、最佳地在30 Hz與1000 Hz之間、更最佳在40與100 Hz之間之一讀取頻率。此處，理解讀取頻率意謂偵測器每秒可讀取之全干涉影像之數目。 偵測器之水平像素解析度特定言之大於10個像素/cm，較佳地大於100個像素/cm，更佳地大於1000個像素/cm，最佳地大於10000個像素/cm，更最佳大於100000個像素/cm。 偵測器之垂直像素解析度特定言之大於10個像素/cm，較佳地大於100個像素/cm，更佳地大於1000個像素/cm，最佳地大於10000個像素/cm，更最佳大於100000個像素/cm。 兩個像素之間的距離特定言之位於0.1 μm與100 μm之間，較佳地位於0.5 μm與50 μm之間，更佳地位於1 μm與25 μm之間，最佳地位於2.5 μm與10 μm之間，更最佳為5 μm。較佳實施例 在根據本發明之所有實施例中，特定言之，存在執行光學系統與聲音載入構件及/或聲音樣本保持器之間的一相對移動的可能性。由於光學系統由複數個部分或光學元件構成，故聲音樣本保持器之一主動移動係較佳的。 聲音樣本保持器較佳地在一固體板(尤其為一花岡岩板)上移動。固體板用於振動阻尼。光學系統特定言之相對地固定至相同固體板或其上。在根據本發明之又一更佳實施例中，以最大可能程度相對於一第二固體板固定光學系統，該第二固體板與第一固體板(尤其為完全地)解除耦合。因此，最佳地屏蔽由聲音樣本保持器在第一固體板上移動造成之振動。 在根據本發明之一第一實施例中，根據本發明之設備至少由一(特定言之同調)電磁源、一參考、一分束器、一偵測器、用於加寬且分離光束之光學元件及根據本發明之一聲音樣本保持器構成。 在根據本發明之此第一實施例中，聲音樣本保持器係固定的。一尤其剛性之實施例藉由固定(在無可能藉由聲音樣本保持器之移動造成之振動的情況下)係可能的。 在根據本發明之一第二實施例中，根據本發明之設備至少由一(特定言之同調)電磁源、一參考、一分束器、一偵測器、用於加寬且分離光束之光學元件及一可移動聲音樣本保持器構成。 在根據本發明之第二實施例中，聲音樣本保持器可執行相對於光學系統之一相對移動。歸因於在一(特定言之固體)板上方移動聲音樣本保持器之選項，實現藉由透鏡場產生之部分光束之間的部分區之掃描。程序 在根據本發明之程序之一第一實施例中，如下般發生基板堆疊之偵測/量測，其中個別程序步驟經揭示為本發明之獨立步驟。 在一第一程序步驟中，將一基板堆疊裝載於聲音樣本保持器上。裝載較佳地使用一機器人全自動地或半自動地或手動地發生。若聲音樣本保持器具有較佳存在之裝載銷釘，則將基板堆疊放置於裝載銷釘上且藉由降低裝載銷釘而將基板堆疊降低至基體之固定表面上。若聲音樣本保持器不具有任何裝載銷釘，則將基板堆疊直接放置於固定表面上。 在一可選第二程序步驟中，基板堆疊之固定藉由固定構件發生。真空入口較佳地用於固定，其等尤其一體地併入聲音樣本保持器中。特定言之在基板堆疊下側上執行之一相對簡單固定藉由真空入口發生。在此情況中，固定特定言之以一點狀方式發生，使得一耦合介質仍可經引入聲音樣本保持器與基板堆疊之間。在一尤其較佳之實施例中，基板堆疊固定表面及聲音樣本保持器之固定表面係平坦的，使得可完全省略用於有效聲音傳輸之一耦合介質。 在一進一步可選第三程序步驟中，將耦合介質引入基板堆疊與聲源之間、尤其至藉由聲音樣本保持器之形狀形成之一空間中。較佳地穿過特定言之一體地構造於聲音樣本保持器中之耦合介質通道引入耦合介質。經由一分開、外部饋送構件(諸如，例如一軟管、一注射器或一噴嘴)之耦合介質之引入亦係可設想的。 第二及第三程序步驟之序列可至少在一些程度上交換或同時執行。特定言之，視需要及/或必要，首先將耦合介質施加至固定表面上，接著放置基板堆疊且僅在此之後執行固定可係有利的。 在一第四程序步驟中、尤其透過耦合介質將藉由聲源產生之一聲源型樣或不同聲源型樣之一序列耦合至基板堆疊中。聲源型樣或聲源型樣之序列較佳地在一軟體及/或硬體及/或韌體中預程式化。在根據本發明之一尤其較佳之實施例中，提供軟體，其容許聲源及因此一或多個聲源型樣之任何所欲程式化。軟體應係使用者友好的，具有一適當圖形使用者介面且容許尤其藉由圖形元素之聲音樣本保持器之程式化，其儘可能係簡單的。特定言之，各聲源應可個別地指定其輸出一聲音信號之時間及此聲音信號輸出之功率。在一較佳實施例中，可產生且儲存各種聲源型樣。軟體在一或複數個經定義觸發時間啟動聲音樣本保持器之個別聲源且因此產生複數個聲音信號。因此產生之聲音信號彼此結合/疊加以形成一(尤其非均勻)聲音波前。 在一第五程序步驟中，聲音波前尤其經由耦合介質耦合至基板堆疊中，且傳播通過該堆疊。由於聲音在各種材料中之速度不同且聲音波前通過至少稍微係非均勻(尤其在空隙處)之一基板堆疊，故音波波前在至基板堆疊量測表面之途中(尤其為局部)改變/變形。音波波前之變形之含義與以下陳述相同：音波波前之不同部分在不同時間到達基板堆疊量測表面。一旦音波波前之一部分撞擊於基板堆疊量測表面上，其便激發環境以形成一振動。此振動繼而在第一光束路徑之電磁光束照射於基板量測表面上時影響該第一光束路徑之該等電磁光束。 在一第六程序步驟中，在(特定言之)產生音波波前或將音波波前耦合至基板堆疊中的同時產生或傳輸電磁輻射。電磁輻射經加寬、藉由一分束器分裂且在一定程度上反射至一參考(第二光束路徑)上。未反射至參考(第一光束路徑)上之光束在其至基板堆疊量測表面之途中被加寬且藉由一透鏡場分裂成部分光束。 歸因於基板堆疊量測表面之各自局部振動狀態，個別部分光束經局部不同地反射回(尤其以一時間上偏移之方式)至分束器。此處，存在分離光束之疊加/(再)結合。在偵測器處記錄因此產生之干涉型樣。 較佳地，在針對各經(尤其為依序地)引發的聲音信號之一預定義時間間隔內記錄複數個干涉影像。針對不同聲音信號重複根據本發明之程序步驟四至六尤其至少一次，較佳地至少兩次，更佳地至少四次。在一旦經耦合至基板堆疊中之一聲音信號之衰弱期間記錄複數個干涉影像亦係可設想的。 在一最後/第七程序步驟中，可分析所儲存之干涉影像以便識別可能的空隙。 基板堆疊之卸載發生在根據本發明之一最後、第八程序步驟中。 不同濾光器可安裝於所有光學路徑中。在一較佳實施例中，使用半影濾光器及/或偏光濾光器。此外，可安裝用於完全中斷光學路徑之濾光器，以便獲得待藉由依序開啟且關閉個別光束路徑而分析之干涉影像之一更簡單之劃界。熟習此項技術者已知之滿足適宜性質之所有其他濾光器亦係可設想的。 本發明可用作一獨立模組或一叢集中之一模組。若本發明用作一獨立模組，則特定言之，可執行一方面產生或處理基板堆疊及另一方面量測基板堆疊之一分離。因此，變得可建置跨複數個國家的一程序鏈，其中該基板堆疊在一個國家中生產且在一不同國家中量測。若根據本發明之實施例係一叢集之部分，則可在同一位置處執行基板堆疊之產生及其量測。因此，特定言之，變得可適時偵測基板堆疊之生產中之潛在故障，以便將該基板堆疊供應至一校正程序。 特定言之，此類型之一叢集可具有一或複數個以下模組： •  根據本發明之實施例之一計量設備 •  接合器 •  剝離器，尤其為 。       分離一預接合物之一設備，尤其為 •  W02013091714A1塗佈設備，尤其為 。       旋塗設備 。       噴塗設備 。       PVD設備 。       CVD設備 •  顯影劑 •  清洗設備 •  電漿設備 •  濺鍍設備 •  對準設備 •  印刷設備。 在根據本發明之特徵暗示或描述方法特徵的範圍內，此等應被視為根據該方法揭示，且反之亦然。 圖1a展示一聲音樣本保持器7 (聲音載入構件)之根據本發明之一第一實施例之一示意性俯視圖，該聲音樣本保持器7由特定言之以一網格狀方式配置之複數個個別聲源9構成。聲音樣本保持器7之一基體8具有一完全平坦(即，平坦直至側邊緣)之基體表面8o。在基體8中，較佳地存在特定言之穿透基體8之複數個耦合介質通道10及/或固定構件11及/或裝載銷釘12。 耦合介質通道10及/或固定構件11及/或裝載銷釘12遍及基體表面8o之任何所欲分佈亦將係可設想的，即，甚至分佈在聲源9之間。然而，較佳地，在周邊附接耦合介質通道10及/或固定構件11及/或裝載銷釘12，以便獲得聲源9之一無縫/連續場。 圖1b展示聲源9之聲源表面9o較佳地經配置為與基體表面8o齊平(尤其併入基體表面8o中且與基體表面8o一體地構造)。 圖2a展示一聲音樣本保持器7'之根據本發明之一第二較佳實施例之一示意性俯視圖，該聲音樣本保持器7'由特定言之以一網格狀方式配置之複數個個別聲源9構成。一基體8'具有一基體表面8o'，該基體表面8o'具有一基底8b及在側處(尤其為完全在周邊)包圍基底8b之一腹板15。因此，基體8'尤其形成用於容納一耦合介質13之一空間。耦合介質13可經由耦合介質通道10供應、尤其受控於控制裝置。 在基體8'中，較佳地存在複數個耦合介質通道10及/或固定構件11及/或裝載銷釘12。耦合介質通道10及/或固定構件11及/或裝載銷釘12遍及基體表面8o'之任何所欲分佈亦將係可設想的，即，甚至分佈在聲源9之間。然而，較佳地，在周邊附接耦合介質通道10及/或固定構件11及/或裝載銷釘12，以便獲得聲源9之一無縫場。較佳地，耦合介質通道10及/或固定構件11及/或裝載銷釘12經配置在腹板15與聲源9之間。 腹板15之任務由保持一(特定言之液體)耦合介質構成，該介質經由耦合介質通道10引入基體表面8o'上。 圖2b展示聲源9之聲源表面9o較佳地經配置為與基體表面8o'齊平及/或與基底8b齊平(尤其併入基體表面8o'中且與之一體地構造)。 圖3展示根據本發明之一設備21 (裝置)之一實施例。設備具有一(尤其為同調)源1。源1經構造用於輸出一電磁輻射，其中該輸出受控於一控制裝置(未繪示)控制。設備21經構造使得電磁輻射經部分偏轉至基板堆疊14之一基板堆疊量測表面14m上。為此，特定言之，基板堆疊14經配置且固定於與基板堆疊量測表面14m相對之一基板堆疊固定表面14o上之聲音樣本保持器7上。 電磁輻射應作為主光束PB被引導至(特定言之半透明)分束器3以用於將主光束PB分離為一第一光束路徑及一第二光束路徑。為此，若主光束PB經最佳化用於分離，則係有利的。平行化及/或加寬源1之主光束PB (放大其直徑)之複數個光學元件較佳地定位於源1與分束器3之間。此等尤其包含準直器(未繪示)及/或透鏡2、2'。 主光束PB (其儘可能經平行化)接著照射於分束器3上，該分束器3將主光束分裂/分離成兩個部分光束，即，一經反射且偏轉(達特定言之90°)參考光束PB' (第二光束路徑)及一經透射量測光束PB'' (第一光束路徑)。 設備21具有至少一個參考4。參考4較佳地係一平面鏡。參考4之任務由將(平行)參考光束PB' (尤其為至少主要，較佳地完全)反射回至分束器3上構成。經反射回之參考光束PB'再次照射於分束器3上，其中此繼而分離成一經透射部分光束及一經偏轉部分光束。在根據本發明之一特定實施例中，參考4可定位於量測光束PB''之光束路徑中。此類型之干涉儀被稱為「遠端整合式干涉儀」。 透射通過分束器3之量測光束PB''較佳地再次藉由複數個光學元件加寬、尤其加寬至待量測之基板堆疊14之大小。一透鏡場6較佳地定位於用於此之光學元件(尤其為透鏡2''')與基板堆疊14之間。透鏡場6將量測光束PB''之部分聚焦於面向透鏡場且特定言之經配置為平行於透鏡場6之基板堆疊量測表面14m上。因此，透鏡場6之各透鏡產生部分光束16，該部分光束16偵測基板堆疊量測表面14m上之一量測點。 藉由基板堆疊量測表面14m反射之輻射作為在性質(尤其為形狀)上改變且受聲音樣本保持器之音波影響之次級光束SB返回至分束器3。在分束器處，對參考光束PB'及次級光束SB造成干涉。因此，設備21經構造使得第一光束路徑及第二光束路徑之行進時間匹配，使得其等同時返回至分束器3。 一偵測器5記錄一可分析(尤其為經數位化)形式之干涉影像。較佳地，偵測器5經構造為一平板偵測器，更佳地構造為一CCD平板偵測器。 圖3展示基板堆疊固定表面14o與聲源表面9o之間的交叉點之一放大，其等尤其齊平地延伸或形成一聲源平面。聲源表面9o對應於固定表面8o (或若使用根據圖2之聲音樣本保持器7'，則為固定表面8o')。 粗糙度R14o 及R9o 之總和必須小於距離d1，使得耦合介質可最佳地且尤其是完全將基板堆疊固定表面14o與聲源表面9o耦合。距離d1係聲源表面9o之最深位置與基板堆疊固定表面14o之最深位置之間的路徑。 或者，特定言之，耦合介質層之厚度經選擇使得至少主要地(較佳地完全)防止觸碰基板堆疊固定表面及聲音樣本固持器表面。 圖4展示在一時間t1於偵測器5處記錄之一示意性干涉影像。可見最大值17及最小值18。在時間t1，基板堆疊量測表面14m上之點p1當前正穿過最大值17，而點p8同時正穿過最小值18。點Pn正穿過零交叉。最小值與零交叉之間的對比度難以繪示且無法輕易可見。 在一時間間隔Δt內針對各所引發聲音信號記錄複數個此等干涉影像。每一個時間間隔Δt之所記錄干涉影像之數目被稱為取樣速率。取樣速率特定言之等於1，較佳地大於5，更佳地大於10，最佳地大於20，更最佳大於100。 圖5展示具有四個不同曲線之一圖表。橫座標按時間刻度。時間尺度之尺度較佳地位於毫秒範圍中，較佳地在微秒範圍中，最佳地在奈秒範圍中。第一曲線係觸發曲線。觸發曲線由一觸發信號20構成，該觸發信號20指定時間t0，在時間t0，聲音樣本保持器經由耦合介質13將聲源9之音波19耦合至基板堆疊14中。時間間隔Δt之開始亦係同時的。 三個其他曲線表示在基板堆疊量測表面14m之三個點p1、p8及pn處之經量測振幅曲線。可見，在一時間t1之個別點之振幅可在數量及正負號上不同。因此，振動於點至點間在振幅及相位上不同。 圖6a至圖6d展示藉由在振幅最大值、振幅零交叉及振幅最小值之三個狀態中振動基板堆疊量測表面14m之點p1之實例之時間進程。音波19在圖6a中示意性繪示，其使音波19成為至基板堆疊量測表面14m之音波波前之部分。 在圖6b至圖6c中，接著可見一完整振動反覆之兩個進一步狀態。在圖6d中繪示圖6a至圖6c之振幅曲線。 圖6a展示將在處於一狀態中之基板堆疊量測表面14m上量測之一點之一示意性、放大圖，在該狀態中，從基板堆疊固定表面14o到達之音波19造成基板堆疊量測表面14m之一局部凸形變形/膨脹。歸因於此膨脹，部分光束16之光子比根據下文提及之圖6b及圖6c之情況中更快到達基板堆疊量測表面14m。歸因於提前之反向散射，此等光子更早到達分束器3且相應地干涉經反射參考光束PB' (第二光束路徑)。 圖6b展示將在處於一狀態中之基板堆疊量測表面14m上量測之一點之一示意性、放大圖，在該狀態中，局部基板堆疊量測表面14m尚未膨脹。 圖6c展示將在處於一狀態中之基板堆疊量測表面14m上量測之一點之一示意性、放大圖，在該狀態中，從基板堆疊固定表面14o到達之音波19造成基板堆疊量測表面14m之一局部凹形變形/膨脹。歸因於此膨脹，部分光束16之光子比根據圖6a及圖6b之已陳述情況中更晚到達基板堆疊量測表面14m。歸因於延遲之反向散射，此等光子更晚到達分束器3且相應地干涉經反射參考光束PB' (第二光束路徑)。 圖6d展示基板堆疊量測表面14m之點p1處之一完整振幅振動。 圖7展示根據本發明之一程序之一流程圖。在根據本發明之一第一程序步驟101中，將基板堆疊14裝載至聲音樣本保持器7、7'上。若存在裝載銷釘12，則該裝載較佳地藉由將基板堆疊14放置於延長之裝載銷釘12上而發生。基板堆疊14可手動或自動(尤其藉由一機器人)裝載。 在根據本發明之一可選、第二程序步驟102中，將基板堆疊14固定於聲音樣本保持器7、7'上。固定使用被提供用於固定的固定構件11而發生。 在根據本發明之一進一步、第三程序步驟103中，尤其藉由耦合介質通道10將耦合介質13應用至基體8、8'之固定表面8o、8o'。在此情況中，耦合介質13穿透至基板堆疊固定表面14o與固定表面8o、8o'之間的邊界表面中且因此產生一邊界層，該邊界層用作聲音樣本保持器7、7'與基板堆疊14之間的聲學接觸件。 在根據本發明之一第四程序步驟104中，在根據本發明之聲音樣本保持器7、7'中產生一聲源型樣。特定言之，該產生藉由個別啟動聲源9而發生。聲源9受控於一硬體及/或軟體及/或韌體且按一經定義振幅及相位發射個別聲源。藉由疊加個別聲源信號，產生根據本發明之一音波波前，該音波波前穿透至基板堆疊14中。 在根據本發明之一第五程序步驟105中，音波波前通過基板堆疊14且藉由基板堆疊14中出現的非均勻性在程序中改變。聲音之速度主要取決於聲音所通過之材料。音波波前在其至基板堆疊量測表面14m之途中被各種材料(尤其亦藉由空隙)改變(若適當)多次。一旦音波波前到達基板堆疊量測表面14m，則音波波前激發基板堆疊量測表面14m振動。歸因於非均勻之音波波前，振動在局部係不同的。特定言之，可藉由根據本發明之設計來量測不透射電磁輻射之基板堆疊。較佳地使用紅外線輻射，以便對矽基板進行射線照相，但其並不穿透金屬。藉由使用音波，可輕易輻照所有類型之材料，尤其為金屬、陶瓷、聚合物、玻璃、半導體等。 在根據本發明之一第六程序步驟106中，基板堆疊量測表面14m之量測藉由干涉而發生。特定言之，電磁輻射之發射可使用聲源9之啟動觸發。由於光傳播比聲音快許多倍，故確保在於基板堆疊固定表面14o處進入之音波到達基板堆疊量測表面14m之前，輻射處於基板堆疊量測表面14m處。因此，與第四程序步驟同時控制第五程序步驟或相對於第四程序步驟僅略有時間延遲地控制第五程序步驟。 在源1中產生電磁輻射。複數個光學元件(尤其為兩個光學器件2及2')產生一經加寬主光束PB。經加寬主光束PB照射至一分束器3上且分裂成一經反射參考光束PB' (第二光束路徑)及一經透射量測光束PB'' (第一光束路徑)。經反射參考光束PB'繼而藉由參考4 (尤其為一鏡)反射回至分束器3，其中其干涉次級光束SB。 經透射量測光束PB''藉由進一步光學元件(尤其為兩個光學器件2''及2''')再次加寬、尤其加寬至待量測之基板之大小。在重新加寬之後，經透射量測光束PB''藉由一透鏡場6分裂成聚焦於基板堆疊量測表面14m上之部分光束16。取決於基板堆疊量測表面14m之構形，部分光束16在不同時間被反射且因此依不同時間差返回至分束器3。 在反射後，因此發生載送振動資訊之次級光束SB返回至分束器3。此處，次級光束SB干涉藉由參考4反射之參考光束PB'以形成干涉光束IB。藉由偵測器5偵測干涉光束IB。在偵測器5處產生一干涉型樣。在偵測器5處記錄之干涉型樣表示特定言之經編碼為一經定義時間t處之一相位圖之基板堆疊量測表面14m之構形。 在一有限時間間隔Δt之後，經阻尼振動進入其中振幅過低使得可稱之為振動結束之一狀態。根據本發明，針對各所引發聲音型樣之一預定時間間隔Δt量測所有干涉型樣。 藉由根據本發明之此量測程序，基板堆疊量測表面14m之構形之振動之資訊(其可使用一所引發聲音型樣產生)係可得的。 尤其使用不同聲音型樣來重複根據本發明之程序步驟104至106若干次。在一時間間隔Δt內之經量測干涉型樣之序列經唯一地指派給產生其之聲音型樣。 在根據本發明之一第七程序步驟107中，使用聲音型樣及干涉影像以便計算基板堆疊14之結構。 基板堆疊14之卸載發生在根據本發明之一第八程序步驟108中。 程序步驟107及108亦可並行或彼此交換地發生。
1‧‧‧源2、2'、2''、2'''‧‧‧透鏡3‧‧‧分束器4‧‧‧參考5‧‧‧偵測器6‧‧‧透鏡場7、7'‧‧‧聲音樣本保持器8、8'‧‧‧基體8o、8o'‧‧‧基體表面9‧‧‧聲源9o‧‧‧聲源表面10‧‧‧耦合介質通道11‧‧‧固定構件12‧‧‧裝載銷釘13‧‧‧耦合介質14‧‧‧基板堆疊14o‧‧‧基板堆疊固定表面14m‧‧‧基板堆疊量測表面15‧‧‧腹板16‧‧‧部分光束17‧‧‧振幅或相位最大值18‧‧‧振幅或相位最小值19‧‧‧音波20‧‧‧觸發信號21‧‧‧設備dl‧‧‧耦合介質層厚度IB‧‧‧干涉光束P1‧‧‧點P8‧‧‧點Pn‧‧‧點PB、PB'、PB"‧‧‧主光束R9o‧‧‧聲源表面粗糙度R14o‧‧‧基板堆疊表面粗糙度SB‧‧‧次級光束
本發明之進一步優勢、特徵及實施例由圖及專利發明申請專利範圍及相關聯圖之下文描述產生。在圖中： 圖1a展示根據本發明之一聲音樣本保持器之一第一實施例之一示意性俯視圖， 圖1b展示第一實施例之一示意性橫截面圖， 圖2a展示根據本發明之聲音樣本保持器之一第二實施例之一示意性俯視圖， 圖2b展示第二實施例之一示意性橫截面圖， 圖3展示具有一放大細節之根據本發明之一設備/裝置之一實施例之一示意性側視圖， 圖4係一時間t1之一干涉型樣之一示意圖， 圖5展示表面上之三個不同點之振幅之時間改變之一示意性繪示， 圖6a展示表面上之一振動點在其振動最大值處之一示意性、放大繪示， 圖6b展示表面上之振動點在其振動零點交叉處之一示意性、放大繪示， 圖6c展示表面上之振動點在其振動最小值處之一示意性、放大繪示， 圖6d展示表面上之點之振幅改變之一示意性繪示，及 圖7展示根據本發明之一程序之一流程圖。 在圖中，使用相同元件符號標記相同組件或具有相同功能之組件。
1‧‧‧源
2‧‧‧透鏡
2'‧‧‧透鏡
2"‧‧‧透鏡
2'''‧‧‧透鏡
3‧‧‧分束器
4‧‧‧參考
5‧‧‧偵測器
6‧‧‧透鏡場
7‧‧‧聲音樣本保持器
8‧‧‧基體
9o‧‧‧聲源表面
13‧‧‧耦合介質
14‧‧‧基板堆疊
14o‧‧‧基板堆疊固定表面
16‧‧‧部分光束
21‧‧‧設備
d1‧‧‧厚度
IB‧‧‧干涉光束
p1‧‧‧點
p8‧‧‧點
pn‧‧‧點
PB‧‧‧主光束
PB'‧‧‧主光束
PB"‧‧‧主光束
R9o‧‧‧粗糙度
R14o‧‧‧粗糙度
SB‧‧‧次級光束

Claims (11)

  1. 一種用於檢測一基板堆疊之計量(metrology)裝置，該計量裝置包括：聲音施加構件，其等用於將音波(sound waves)施加至該基板堆疊之一第一基板堆疊表面；一光學系統，其具有：一源，其用於輸出電磁輻射，該電磁輻射被分離成至少一個第一光束路徑及一個第二光束路徑；將該第一光束路徑施加於該基板堆疊之一基板堆疊量測表面之構件；干涉構件，其用於形成由該電磁輻射之該第一光束路徑及該第二光束路徑組成之一干涉輻射；及一偵測器，其用於偵測該干涉輻射，其中該等聲音施加構件及該光學系統位於該基板堆疊之相對側。
  2. 如請求項1之裝置，其中該干涉構件包括一分束器，該分束器用於將該電磁輻射分離成該第一光束路徑及該第二光束路徑並形成由該電磁輻射之該第一光束路徑及該第二光束路徑組成之該干涉輻射。
  3. 如請求項1之裝置，其中該等聲音施加構件包含聲音載入構件，其具有用於產生音波之一或多個可單獨操控之聲源。
  4. 如請求項3之裝置，其中該等聲音載入構件進一步包括用於沿著該等聲源之一聲源表面固定該基板堆疊之固定構件。
  5. 如請求項3之裝置，其中將一耦合介質(coupling medium)被引入(introduced)於該等聲音載入構件與該第一基板堆疊表面之間。
  6. 一種用於檢測一基板堆疊之計量方法，該方法包括：利用聲音施加構件將音波施加至該基板堆疊之一第一基板堆疊表面；從一源輸出電磁輻射；將該電磁輻射分離成至少一個第一光束路徑及一個第二光束路徑；將該第一光束路徑施加至該基板堆疊之一基板堆疊量測表面；形成由該電磁輻射之該第一光束路徑及該第二光束路徑組成之干涉輻射；及在一偵測器處偵測該干涉輻射，其中該等聲音施加構件及該源位於該基板堆疊之相對側。
  7. 如請求項6之方法，其中該第一光束路徑經設定使得完全藉由該第一光束路徑捕獲該基板堆疊量測表面。
  8. 如請求項6之方法，其中由一分束器執行該第一光束路徑及該第二光束路徑之分離，以同時產生該第一光束路徑及該第二光束路徑。
  9. 如請求項6之方法，其中分離之後，在一參考上反射該第二光束路徑，及其中該干涉輻射之形成，包括在經施加之該第一光束路徑於該基板堆疊量測表面處反射之後，且在分離後的該第二光束路徑於該參考上反射之後，將該第一光束路徑及該第二光束路徑結合。
  10. 如請求項6之方法，其中利用一或多個可單獨操控之聲源產生之音波載入該基板堆疊以施加該等音波。
  11. 如請求項6之方法，其中該等音波之施加包括將由不同聲音型樣(sound patterns)之一序列產生之一聲源型樣(sound source pattern)耦合至該基板堆疊，及其中針對該等聲音型樣之各者偵測該干涉輻射。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11476144B2 (en) * 2018-12-03 2022-10-18 Kla Corporation Single cell in-die metrology targets and measurement methods
DE102021105946A1 (de) 2021-03-11 2022-09-15 Asml Netherlands B.V. Messvorrichtung und Verfahren zur Rauheits- und/oder Defektmessung an einer Oberfläche

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020167676A1 (en) * 2001-04-24 2002-11-14 Alain Blouin Method and apparatus for probing objects in motion
TW201105969A (en) * 2009-07-07 2011-02-16 Sony Corp Microfluidic device
US20150369251A1 (en) * 2013-02-08 2015-12-24 Borgwarner Inc. Exhaust-gas turbocharger and method for producing a flow housing of an exhaust-gas turbocharger
TW201605569A (zh) * 2014-07-14 2016-02-16 康寧公司 用於使用可調整雷射束焦線來處理透明材料的系統及方法
US20160103026A1 (en) * 2013-06-05 2016-04-14 Ev Group E. Thallner Gmbh Measuring device and method for ascertaining a pressure map

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4139302A (en) * 1977-02-17 1979-02-13 Dr. Ralph M. Grant Engineering Consultants, Inc. Method and apparatus for interferometric deformation analysis
DE2709686C2 (de) * 1977-03-05 1982-09-09 Krautkrämer, GmbH, 5000 Köln Optisches interferometrisches Verfahren zur berührungslosen Messung der durch Ultraschallwellen verursachten Oberflächenauslenkung eines Prüflings
JPH071254B2 (ja) 1990-07-24 1995-01-11 浜松ホトニクス株式会社 超音波検出装置
US20010015809A1 (en) * 1997-12-22 2001-08-23 Marvin B. Klein Homodyne interferometer using photorefractive polymer composite and method of sensing material
US6219145B1 (en) * 1998-02-17 2001-04-17 California Institute Of Technology Interferometric system for precision imaging of vibrating structures
US6008887A (en) * 1998-03-20 1999-12-28 Lasson Technologies, Inc. Single beam laser surface velocity and displacement measurement apparatus
US6795198B1 (en) * 1998-05-28 2004-09-21 Martin Fuchs Method and device for measuring thin films and semiconductor substrates using reflection mode geometry
US7770454B2 (en) 2003-09-26 2010-08-10 Lsp Technologies, Inc. Laser system and method for non-destructive bond detection and evaluation
CN100491968C (zh) 2005-07-28 2009-05-27 上海交通大学 测试金刚石涂层刀具附着强度及使用寿命的测量装置
BRPI0720394A2 (pt) 2007-02-21 2014-01-14 Lockheed Corp Robô articulado para inspeção ultrasônica a laser
WO2009008010A2 (en) * 2007-07-12 2009-01-15 Defence Research And Development Organisation Method and apparatus for the simultaneous generation and detection of optical diffraction interference pattern on a detector
JP5134888B2 (ja) * 2007-08-23 2013-01-30 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 生体観測装置
JP5192846B2 (ja) * 2008-02-25 2013-05-08 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 生体観測装置及び生体観測装置の作動方法
WO2011093108A1 (ja) * 2010-02-01 2011-08-04 パナソニック株式会社 超音波プローブおよびそれを用いた超音波検査装置
CN101871894B (zh) * 2010-06-23 2012-05-23 南京大学 利用闪频检测实现材料内部缺陷的动态加载成像表征方法
JP2012047607A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Hitachi Ltd 内部欠陥検査方法及びその装置
KR20160021301A (ko) 2010-11-12 2016-02-24 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 웨이퍼 스택에 있는 결함 및 층 두께를 측정하기 위한 측정 장치 및 측정 방법
JP5715234B2 (ja) * 2011-02-28 2015-05-07 東芝三菱電機産業システム株式会社 金属材の特性測定装置
EP2795669B1 (de) 2011-12-22 2020-06-17 EV Group E. Thallner GmbH Biegsame substrathalterung, vorrichtung und verfahren zum lösen eines ersten substrats
JP2014161484A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Canon Inc 音響波取得装置およびその制御方法
SG11201606136UA (en) 2014-02-03 2016-09-29 Ev Group E Thallner Gmbh Method and device for bonding substrates
JP2015166751A (ja) 2015-07-03 2015-09-24 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー ウェーハスタック内の層厚さ及び欠陥を測定する測定デバイス及び方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020167676A1 (en) * 2001-04-24 2002-11-14 Alain Blouin Method and apparatus for probing objects in motion
TW201105969A (en) * 2009-07-07 2011-02-16 Sony Corp Microfluidic device
US20150369251A1 (en) * 2013-02-08 2015-12-24 Borgwarner Inc. Exhaust-gas turbocharger and method for producing a flow housing of an exhaust-gas turbocharger
US20160103026A1 (en) * 2013-06-05 2016-04-14 Ev Group E. Thallner Gmbh Measuring device and method for ascertaining a pressure map
TW201605569A (zh) * 2014-07-14 2016-02-16 康寧公司 用於使用可調整雷射束焦線來處理透明材料的系統及方法

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