TWI717163B - 具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構 - Google Patents

Abstract

本發明係為一種具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構及其製作方法，藉由在氮化物電晶體結構中插入一層石墨烯中間層，此石墨烯中間層可作為後續氮化物磊晶層之碳摻雜來源以製作半絕緣氮化物磊晶層，並可作為氮化物電晶體之導熱層，來達到提升氮化物電晶體性能之功效。

Description

具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構

本發明係關於一種電晶體結構，特別是關於一種具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構。

氮化鎵功率射頻元件在微波無線通訊的發展上日益重要，為配合高速與高容量傳輸的需求，無論在訊號接受端亦或是發射端都需要搭載高頻高功率元件以達到此一需求目的，尤其是發射端的基地台建置有必要使用體積小、功率大且可耐高壓、高溫操作之功率放大器元件，更凸顯出氮化鎵功率射頻元件在未來應用的重要性；一般熟知之氮化鎵射頻元件結構以高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor，HEMT)為主，其磊晶層結構由上至下為第一層氮化鋁鎵(AlGaN)層、第二層氮化鎵(GaN)層、第三層成核層(Nucleation Layer)與第四層基板(Substrate)，其中第一層氮化鋁鎵層亦可稱為阻障層(Barrier Layer)，第二層氮化鎵層亦可稱為通道層(Channel Layer)，又其中第二層氮化鎵層可為無摻雜氮化鎵層或半絕緣(Semi-insulating)氮化鎵層或為兩者之組合；並且由於氮化物材料獨特的極化效應(Polarization Effect)，包括自發極化(Spontaneous Polarization)與壓電極化 (Piezoelectric Polarization)，在沒有摻雜任何雜質的情況下，極化效應可以使氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構在氮化鎵層靠近界面處自動感應形成二維電子氣(Two Dimensional Electron Gas，2DEG)，在2DEG中的電子有較高之移動速度且其電子濃度大小與極化強弱有關。若要此磊晶結構具有元件操作功能，則必須在其上製作源極(Source)、汲極(Drain)與閘極(Gate)金屬電極，其中閘極電極介於源極與汲極電極之間，並且源極與汲極電極與半導體之間為歐姆接觸(Ohmic Contact)，閘極電極與半導體之間為蕭特基接觸(Schottky Contact)；元件操作方式為由源極提供一電流，該電流經由2DEG形成之通道由汲極電極輸出，並由閘極電極提供一電壓，藉由調節該電壓大小來控制通道電流開關特性與電流大小。

以上述之氮化物電晶體結構製作之元件一般為空乏型(Depletion Mode)元件，或稱為常通型(Normally On)元件，亦即在閘極電極施加電壓為0V時，2DEG通道間仍有電流產生，使源極與汲極之間為導通狀態；然而在高能電子應用上，尤其是高功率開關切換應用，增強型(Enchancement Mode)元件，或稱為常閉型(Normally Off)元件可提高元件與電路的安全性，增強型元件亦即在閘極電極施加電壓為0V時，2DEG通道間並無電流產生，必須在閘極電極施加正向偏壓才可使源極與汲極之間導通；有諸多方式可達成此一增強型氮化物電晶體元件，例如可參照美國專利第US 7,728,356 B2號與US 7,851,825 B2號，藉由改變氮化物電晶體磊晶層結構與元件製程來達成。

上述之氮化物電晶體磊晶結構其通道層可為無摻雜氮化鎵層或半絕緣氮化鎵層或為兩者之組合，其中半絕緣氮化鎵層另一說法為高阻值氮化鎵層，係指其氮化鎵層之電阻值大於10⁵ohm-cm，該半絕緣氮化鎵層(亦或稱為高阻值氮化鎵層，以下統稱為半絕緣氮化鎵層)具有降低電晶體元件漏電流(Leakage Current)與提高電晶體元件崩潰電壓(Breakdown Voltage)之功效；有諸多方式可達成此一半絕緣氮化鎵層，例如可參照美國專利第US 9,245,992 B2號，使用碳氫化合物(C_xH_y)氣態前驅物(Hydrocarbon Gas Precursor)在氮化物磊晶過程中作為摻雜源進行碳(C)摻雜，藉由調變碳摻雜濃度使氮化物磊晶層具有半絕緣特性，但碳氫化合物之摻雜效率遠低於氮化物磊晶常用之其他摻雜源，例如n型摻雜使用之矽烷(Silane)摻雜源；另請參照論文研究[W.Lundin et al,J.Cryst.Growth,449,pp.108-113(2016)]，探討使用C₃H₈作為氮化鎵磊晶之碳摻雜源，其碳摻雜濃度與氮化鎵磊晶條件有強烈之相依性，為獲得高碳摻雜濃度則須相對應地改變氮化鎵磊晶條件；再另請參照論文研究[J.Chen et al,Appl.Phys.Lett.,102,pp.193506(2013)]，利用降低氮化鎵層之磊晶溫度，來提高氮化鎵層內殘留之碳濃度使其具有半絕緣特性，然而若氮化鎵層之磊晶溫度小於1000℃，雖可提高碳濃度至10¹⁸ cm^-3等級，但將導致氮化鎵層之晶體品質降低。

鑒於上述習知技術之缺點，而本發明提供一種具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構及其製作方法，藉由在氮化物電晶體結構中插入一層石墨烯中間層，此石墨烯中間層可作為後續氮化物磊晶層之碳摻雜來源以製作半絕緣氮化物磊晶層，同時並可作為氮化物電晶體之導熱層，來達到提升氮化物電晶體性能之功效。

為了達到上述目的，根據本發明所提出之一方案，提供一種具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其包含：一基板；一中間層，該中間層可位於基板之上，該中間層可為石墨烯材料組成之一石墨烯層；一成核層，該成核層可位於中間層之上；一通道層，該通道層可位於成核層之上；一阻障層，該阻障層可位於通道層之上；一金屬電極模組，可包含一源極、一汲極與一閘極，該金屬電極模組可設置於該阻障層之上，該閘極設置於該源極與該汲極之間，該源極與該汲極之金屬電極為歐姆接觸，該閘極之金屬電極為蕭特基接觸。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構更具有一緩衝層，該緩衝層可位於成核層之上，該通道層可位於緩衝層之上，該緩衝層之材料可選自由氮化鎵、氮化鋁、氮 化銦、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化銦鎵及氮化鋁銦鎵之群組。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該中間層厚度需小於10nm。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該成核層之材料可選自氮化鋁、氮化鋁鎵、氮化鋁銦及氮化鋁銦鎵之群組。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該基板係為選自由藍寶石、碳化矽、矽、矽晶絕緣體(SOI)、氮化鎵、氮化鋁及其他適合做為石墨烯與氮化物成長之基板材料之群組。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該成核層可為含鋁氮化物材料，該成核層可有效覆蓋該石墨烯層。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該成核層之製程生長溫度可小於850℃。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該通道層之材料可選自由氮化鎵、氮化鋁、氮化銦、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化銦鎵及氮化鋁銦鎵所組成之群組。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該通道層之碳摻雜濃度可大於10¹⁷cm^-3，電阻值可大於10⁵Ω-cm。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該阻障層可選自由氮化鎵、氮化鋁、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化銦鎵及氮化鋁銦鎵所組成之群組。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該阻障層與通道層之間可具有二維電子氣。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該通道層之製程生長方式可為磊晶成長方式。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該中間層之石墨烯層，其材料結構型態可為非晶型態、多晶型態、單晶型態與磊晶型態。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該通道層之碳摻雜濃度分布可為固定式、漸進式、階梯式或上述之組合。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該電晶體結構可為增強型或空乏型元件。

本發明所提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該含鋁氮化物電晶體結構之磊晶成長方式可為化學氣相磊晶法(Chemical Vapor Deposition，CVD)、有機金屬化學氣相磊晶法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)、分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy，MBE)、氫化物氣相磊晶(Hydride Vapor Phase Epitaxy，HVPE)或離子增強化學氣相磊晶法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)或其他適合成長氮化物材料之磊晶方法。

以上之概述與接下來的詳細說明及附圖，皆是為了能進一步說明本創作達到預定目的所採取的方式、手段及功效。而有關本創作的其他目的及優點，將在後續的說明及圖式中加以闡述。

100‧‧‧基板

101‧‧‧中間層

102‧‧‧成核層

103‧‧‧通道層

104‧‧‧阻障層

105‧‧‧源極

106‧‧‧汲極

107‧‧‧閘極

111‧‧‧緩衝層

112‧‧‧二維電子氣

200‧‧‧基板

201‧‧‧中間層

202‧‧‧成核層

203‧‧‧通道層

204‧‧‧阻障層

205‧‧‧源極

206‧‧‧汲極

207‧‧‧閘極

212‧‧‧二維電子氣

第一圖係為本發明提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體實施例一之結構示意圖；

第二圖係為石墨烯中間層以拉曼光譜量測結果；

第三圖係為本發明提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構實施例一之穿透式電子顯微鏡剖面圖；

第四圖係為藍寶石基板與氮化鋁層介面之高解析度穿透式電子顯微鏡剖面圖；

第五圖係為不同氮化鋁成核層之成長溫度與氮化鎵通道層之碳摻雜濃度比較圖；

第六圖係為本發明提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構之實施例二之結構示意圖。

以下係藉由特定的具體實例說明本創作之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本創作之優點及功效。

本發明之主要目的在於提出一種以石墨烯中間層來提高氮化物磊晶層之碳摻雜濃度，並同時可將石墨烯中間層作為氮化物電晶體之導熱層之氮化物電晶體結構。

為達到上述目的，本發明提出利用一層石墨烯中間層，其位置介於基板與成核層之間，可藉由控制成核層製程溫度來調整通道層之碳摻雜濃度；對於通道層而言，位於其下方之石墨烯中間層為一外來之固態碳來源，並且石墨烯為單一碳元素組成，並非碳化合物，因此不需改變通道層之製程條件來犧牲磊晶品質以獲得高濃度之碳摻雜濃度，此舉可同時確保通道層之磊晶晶體品質與其半絕緣特性；對於氮化物電晶體元件而言，位於成核層與基板之間的石墨烯中間層，其位置正好位於整個氮化物電晶體結構之正下方，因此在元件操作時，可利用石墨烯之極佳導熱特性，加速元件散熱效率，提高元件性能，使元件可操作在更高功率的條件下。

請參閱第一至五圖，係為本發明具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構之實施例一，第一圖係為本發明之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構示意圖，如該圖所示，其結構係包括一基板100，本實施例使用藍寶石作為磊晶基板，但 本發明不限於此，該磊晶基板亦可使用碳化矽、矽、矽晶絕緣體(Silicon-On-Insulator,SOI)、氮化鎵、氮化鋁或其他適合做為石墨烯與氮化物成長之基板材料；該基板100之上以低壓化學氣相沉積(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)方式成長一中間層101，本實施例使用石墨烯作為該中間層101，該石墨烯層成長溫度為1000℃，使用甲烷(CH₄)與氫氣(H₂)作為前驅物，以此條件成長之石墨烯層為單晶結構。

請參閱第二圖，該圖係為該石墨烯層以拉曼光譜(Raman Spectroscopy)量測結果，由該圖中可看出三個明顯的石墨烯特徵峰，分別為D-band(1350cm^-1)、G-band(1597cm^-1)與2D-band(2695cm^-1)，其中G-band與2D-band的峰值強度比(I_G/I_2D)為2.3，顯示出該石墨烯層的厚度約為4~5個單層(Monolayer)，尖銳且對稱的2D-band則顯示出該石墨烯層為單晶結構，D-band為石墨烯的缺陷峰，其與G-band的強度比(I_D/I_G)僅為0.15，顯示出該石墨烯層為高品質石墨烯層；本實施例製備之石墨烯層為單晶結構型態，但依基板的選擇不同與石墨烯層製備方式的不同，該石墨烯層亦可為非晶型態、多晶型態與磊晶型態，不應以本實施例侷限本發明之內容範圍。

其後於該中間層101之上成長一成核層102，本實施例以射頻濺鍍(RF Sputter Deposition/Coating)方式成長 該成核層102，濺鍍之另一說法為濺射(Sputtering)，係指同一種薄膜製程方式，該成核層102材料為氮化鋁，並以調變該成核層102之生長溫度來控制一通道層103的碳摻雜濃度，本實施例以氮化鋁作為該成核層102材料，係因鋁原子具有較高之黏滯係數，對於該中間層101之石墨烯層有較佳之覆蓋性，可作為保護層，同時亦可作為後續緩衝層111磊晶成長之成核起始位置；本實施例以射頻濺鍍方式成長氮化鋁層作為成核層102，但依電晶體結構或功用設計之不同，可選擇以有機金屬化學氣相磊晶法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)、分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy，MBE)等不同方式成長該成核層102，亦或選擇兩種以上不同之製備方式分段成長該成核層102，該成核層102亦可選用氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化鋁銦鎵等含鋁氮化物材料作為該成核層102之材料，不應以本實施例侷限成核層102之成長方式與材料種類之發明內容範圍，其後於該成核層102之上成長緩衝層111，本實施例以氮化鋁作為該緩衝層111材料，但亦可使用氮化鎵、氮化銦、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化銦鎵、氮化鋁銦鎵或上述材料之組合；其後於該緩衝層111之上成長一通道層103，本實施例使用氮化鎵作為該通道層103，但亦可使用氮化鋁、氮化銦、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化銦鎵、氮化鋁銦鎵或上述材料之組合；其後於該通道層103之上成長一阻障層104，本實施例使用氮化鋁鎵作為該阻障層104， 但亦可使用氮化鎵、氮化鋁、氮化鋁銦、氮化銦鎵、氮化鋁銦鎵或上述材料之組合，並且該阻障層104與該通道層103之間必須形成一二維電子氣112，其後於該阻障層104之上製作三個金屬電極，即為金屬電極模組，該金屬電極分別為一源極105、一汲極106與一閘極107以完成電晶體元件製作，其中該閘極107位置處於該源極105與該汲極106之間，該源極105與該汲極106之金屬電極為歐姆接觸，該閘極107之金屬電極為蕭特基接觸；並可由閘極電極提供一電壓，藉由調節該電壓大小來控制通道電流開關特性與電流大小；其中該電晶體結構可為增強型或空乏型元件。

請參閱第三圖，該圖係為本發明提出之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構之穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope，TEM)剖面圖，由該圖中可看出三層結構，藍寶石基板、氮化鋁層(包含成核層與緩衝層)與氮化鎵層(通道層)，其中氮化鎵層的缺陷大多集中於該氮化鎵層之下方，顯示出優良的氮化鎵磊晶品質，經計算該氮化鎵層的缺陷密度為2.3x10⁹cm^-2，與一般認知於藍寶石基板上成長氮化鎵之缺陷密度範圍(10⁹~10¹⁰cm^-2)相符，顯示出石墨烯中間層並不影響電晶體結構之磊晶品質。

請參閱第四圖，該圖係為藍寶石基板與氮化鋁層(包含成核層與緩衝層)介面之高解析度TEM剖面圖，由該圖中可清楚看出該石墨烯中間層介於藍寶石基板與氮化鋁層(包 含成核層與緩衝層)之間，其中該石墨烯中間層的晶格結構亦可清楚辨識，顯示出該石墨烯中間層為單晶結構型態，厚度約為2nm，該結果與拉曼光譜量測結果一致。

請參閱第五圖，該圖係為比較不同氮化鋁成核層之成長溫度與氮化鎵通道層之碳摻雜濃度比較圖，其中氮化鋁成核層之成長溫度分別為25℃、300℃、500℃與550℃；由該圖中可發現，隨著氮化鋁成核層之成長溫度的增加，氮化鎵通道層之碳摻雜濃度有下降的趨勢，當氮化鋁成核層之成長溫度由室溫提高至550℃時，氮化鎵通道層之碳摻雜濃度由4.6x10¹⁹cm^-3降低至2.2x10¹⁸cm^-3；一般而言，為使氮化鎵層具有高阻值半絕緣之特性，其碳摻雜濃度需大於10¹⁷cm^-3，由第五圖之實驗結果來看，氮化鋁成核層之成長溫度需小於850℃才可確保氮化鎵通道層之碳摻雜濃度可大於10¹⁷cm^-3，其相對之電阻值才可大於10⁵Ω-cm。

本發明之具有石墨烯結構之氮化物電晶體，其中，該中間層厚度可小於10nm，以確保該中間層可被該成核層有效覆蓋；該成核層厚度可大於10nm，以確保該成核層可有效覆蓋該中間層；該緩衝層厚度可大於20nm，其作用在於調節該通道層與該成核層因材料特性差異所造成之影響，例如晶格大小差異；該通道層厚度可大於500nm，其作用在於形成半絕緣特性與抑制缺磊晶陷延伸至2DEG結構，避免增加電晶體元件之漏電流途徑與增加元件之崩潰電壓；或因電晶體 元件結構設計需求，可於該成核層之上直接成長該通道層；該阻障層厚度可大於10nm，其作用在於可與該通道層形成2DEG結構並且不影響位於其上之閘極電極控制通道電流能力為主。

請參閱第六圖，該圖係為本發明之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構之實施例二結構示意圖，如該圖所示，其結構係包括一基板200，本實施例使用藍寶石作為磊晶基板，但亦可使用碳化矽、矽、矽晶絕緣體(SOI)、氮化鎵、氮化鋁或其他適合做為石墨烯與氮化物成長之基板材料；其後於該基板200之上以低壓化學氣相沉積方式成長中間層201，本實施例使用石墨烯作為該中間層201，本實施例製備之石墨烯層為單晶結構型態，但本發明不限於此，依基板的選擇不同與石墨烯層製備方式的不同，該石墨烯層亦可為非晶型態、多晶型態與磊晶型態，其後於該中間層201之上成長一成核層202，本實施例以射頻濺鍍方式成長該成核層202，該成核層202材料為氮化鋁，並以調變成核層202之生長溫度來控制通道層203的碳摻雜濃度，本實施例以氮化鋁作為該成核層202材料，該成核層202可作為保護層，同時亦適合作為成核層生長後續之通道層203；本實施例以射頻濺鍍方式成長氮化鋁層作為成核層202，但依電晶體結構或功用設計之不同，可選擇以有機金屬化學氣相磊晶法、分子束磊晶等不同方式成長該成核層202，亦或選擇兩種以上不同之製備方式分段成長該 成核層202，該成核層202亦可選用氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化鋁銦鎵等含鋁氮化物材料作為該成核層202之材料，不應以本實施例侷限成核層202之成長方式與材料種類之發明內容範圍。其後於該成核層202之上成長通道層203，本實施例使用氮化鎵作為該通道層203，但亦可使用氮化鋁、氮化銦、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化銦鎵、氮化鋁銦鎵或上述材料之組合；其後於該通道層203之上成長阻障層204，本實施例使用氮化鋁鎵作為該阻障層204，但亦可使用氫化鎵、氮化鋁、氮化鋁銦、氮化銦鎵、氮化鋁銦鎵或上述材料之組合，並且該阻障層204與該通道層203之間必須形成二維電子氣212。其後於該阻障層204之上製作三個金屬電極，源極205、汲極206與閘極207完成電晶體元件製作，其中閘極207位置處於源極205與汲極206之間，源極與汲極之金屬電極為歐姆接觸，閘極金屬電極為蕭特基接觸；並可由閘極電極提供一電壓，藉由調節該電壓大小來控制通道電流開關特性與電流大小；其中該電晶體結構可為增強型或空乏型元件。

上述之實施例僅為例示性說明本創作之特點及功效，非用以限制本創作之實質技術內容的範圍。任何熟悉此技藝之人士均可在不違背創作之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與變化，因此，本創作之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。

100‧‧‧基板

101‧‧‧中間層

102‧‧‧成核層

103‧‧‧通道層

104‧‧‧阻障層

105‧‧‧源極

106‧‧‧汲極

107‧‧‧閘極

111‧‧‧緩衝層

112‧‧‧二維電子氣

Claims (9)

1. 一種具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其包含：一基板；一中間層，該中間層係位於基板之上，該中間層係為石墨烯材料組成之一石墨烯層；一成核層，該成核層係位於中間層之上；一通道層，該通道層係位於成核層之上；一阻障層，該阻障層係位於通道層之上；一金屬電極模組，係包含一源極、一汲極與一閘極，該金屬電極模組係設置於該阻障層之上，該閘極設置於該源極與該汲極之間，該源極與該汲極之金屬電極為歐姆接觸，該閘極之金屬電極為蕭特基接觸，其中，該通道層之碳摻雜濃度係大於1x10¹⁷cm^-3，電阻值係大於1x10⁵Ω-cm。
2. 如請求項第1項所述之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構更具有一緩衝層，該緩衝層係位於成核層之上，該通道層係位於緩衝層之上，該緩衝層之材料係選自由氮化鎵、氮化鋁、氮化銦、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化銦鎵及氮化鋁銦鎵之群組。
3. 如請求項第1或2項所述之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該中間層厚度需小於10nm。
4. 如請求項第1或2項所述之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該成核層之材料係選自氮化鋁、氮化鋁鎵、氮化鋁銦及氮化鋁銦鎵之群組。
5. 如請求項第1或2項所述之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該成核層係為含鋁氮化物材料，該成核層係有效覆蓋該石墨烯層。
6. 如請求項第1或2項所述之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該成核層之製程生長溫度係小於850℃。
7. 如請求項第1或2項所述之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該通道層之材料係選自由氮化鎵、氮化鋁、氮化銦、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化銦鎵及氮化鋁銦鎵所組成之群組。
8. 如請求項第1或2項所述之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該阻障層係選自由氮化鎵、氮化鋁、氮化鋁鎵、氮化鋁銦、氮化銦鎵及氮化鋁銦鎵所組成之群組。
9. 如請求項第1或2項所述之具有石墨烯結構之氮化物電晶體結構，其中，該阻障層與該通道層之間係具有二維電子氣。

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