TWI716428B - 用於反向脈衝的系統及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明描述用於反向脈衝的系統及方法。其中一種方法包括接收具有第一狀態及第二狀態的數位信號。此方法更包括產生變壓器耦合電漿（TCP）射頻（RF）脈衝信號，當數位信號處於第一狀態時，TCP RF脈衝信號具有高狀態，且當數位信號處於第二狀態時，TCP RF脈衝信號具有低狀態。此方法包括：將TCP RF脈衝信號提供至電漿腔室的一或更多線圈；產生偏壓RF脈衝信號，當數位信號處於第一狀態時，偏壓RF脈衝信號具有低狀態，且當數位信號處於第二狀態時，偏壓RF脈衝信號具有高狀態；以及將偏壓RF脈衝信號提供至電漿腔室的夾具。

Description

用於反向脈衝的系統及方法
本文實施方式涉及產生射頻信號之反向脈衝的系統及方法。
電漿系統係用以執行晶圓上的各種操作。將射頻（RF，radio frequency）信號提供至一電漿腔室，晶圓係設置在此電漿腔室之中。此外，將一或更多氣體供應至電漿腔室，並在接收RF信號後，於電漿腔室內產生電漿。其中之一操作係利用電漿蝕刻晶圓。
本揭露內容所述之實施方式正是在此背景下產生。
本揭露內容之實施方式提供了用於偏壓與來源射頻（RF）信號間之反向同步的設備、方法及電腦程式。應瞭解到本文實施方式可以許多方式實現，例如：製程、或設備、或系統、或硬體的一部份、或方法、或電腦可讀媒體。以下將敘述數個實施方式。
提供至變壓器耦合電漿（TCP，transformer coupled plasma）RF線圈的來源RF信號及提供至夾具的偏壓RF信號皆為脈衝式，且其脈衝時序為反向同步，以降低微負載（micro-loading）/ARDE（深寬比相依性蝕刻，aspect ratio dependent etching）的效應、改善選擇性、及/或符合基於RF電漿之半導體製造的其他潛在製程優勢。例如，當偏壓RF信號處於狀態S0（電力OFF或較低電力）時，則來源RF脈衝信號處於狀態S1，且當偏壓RF信號處於狀態S1（電力ON或較高電力）時，則來源RF脈衝信號處於狀態S0。反向多位準脈衝亦提供一些製程調整手段，其可有利於選擇性、蝕刻速率、蝕刻與沉積間之均勻輪廓調整等等。
在一實施方式中，敘述了一種用於反向脈衝的方法，且此方法係用以執行導體蝕刻。導體C蝕刻係利用一腔室而執行，該腔室的頂部窗蓋件上方具有一TCP線圈。在操作時，一方法包括接收具有第一狀態及第二狀態的數位信號。此方法更包括產生一TCP RF脈衝信號，當數位信號處於第一狀態時，TCP RF脈衝信號具有高狀態，且當數位信號處於第二狀態時，TCP RF脈衝信號具有低狀態。此方法包括：將TCP RF脈衝信號提供至電漿腔室的一或更多線圈；產生一偏壓RF脈衝信號，當數位信號處於第一狀態時，偏壓RF脈衝信號具有低狀態，且當數位信號處於第二狀態時，偏壓RF脈衝信號具有高狀態；以及將偏壓RF脈衝信號提供至電漿腔室的夾具。
在一實施方式中，敘述了用於反向脈衝的系統。此系統包括用以產生一或更多偏壓RF脈衝信號的一或更多偏壓RF產生器（具有不同頻率）。此系統更包括耦合至一或更多偏壓RF產生器的偏壓匹配部，其係用以由一或更多偏壓RF脈衝信號而產生一修正之偏壓RF信號。此系統包括一電漿腔室。該電漿腔室包括耦合至偏壓匹配部的夾具，其主要用以在接收修正之偏壓RF信號時控制朝向晶圓的離子能量。此系統更包括一或更多來源RF產生器及來源匹配部，該一或更多來源RF產生器係用以產生一或更多來源RF脈衝信號，且該來源匹配部係耦合至該一或更多來源RF產生器，以在接收一或更多來源RF脈衝信號時產生修正之電漿。當偏壓RF脈衝信號之其中第一者係處於低狀態（例如：低電力位準、零電力位準等等）時，則來源RF脈衝信號之其中第一者係處於高狀態（例如：高電力位準等等），且當偏壓RF脈衝信號之其中第一者係處於高狀態時，則來源脈衝RF信號之其中第一者係處於低狀態。
為降低微負載效應、改善選擇性、及/或符合其他潛在製程需求，故敘述了TCP與偏壓間之反向脈衝方法。具有各種多位準組合的反向脈衝利用了不同脈衝週期的ON、OFF、高電力、低電力、及TCP RF電力與偏壓RF電力間之組合的電漿特性調整之動態性質。
由於脈衝式電漿中之OFF週期期間的電子溫度衰減與離子密度下降之間的不同時間幅度，故在偏壓RF電力ON週期（其與TCP電力OFF週期相同）期間使用反向脈衝進行蝕刻，當離子密度仍維持相對高時，而電子溫度為低。這降低了微負載效應的負面影響並潛在地提供了其他的製程優勢，例如提高蝕刻速率、改善選擇性、更高的深寬比等等。
在一些實施方式中，反向多位準脈衝亦提供一些製程調整手段，其有利於選擇性、蝕刻速率、蝕刻與沉積間之均勻輪廓調整等等。
由以下的詳細描述配合附圖，則其他實施態樣將變得顯而易知。
以下實施方式描述了用於反向脈衝的系統及方法。顯而易見地，本文實施方式可在不具這些具體細節的部份或全部之情況下實施。在其他情況下，為了不非必要地混淆本文實施方式，故不再詳細敘述熟知的製程操作。
本發明提出用於電漿處理之變壓器耦合電漿（TCP）與偏壓之間的反向脈衝，其具有各種多位準（multi-level）組合（如以下參考圖4A、4B、4C、及4D所述），以利用TCP RF電力與偏壓RF電力之間的不同ON、OFF、高電力、低電力、及其組合之脈衝週期期間之電漿特性調整的動態性質。雖然圖4A顯示ON/OFF反向脈衝的一實例，但多位準反向脈衝提供甚至更多的製程調整手段。反向脈衝方法降低了微負載/ARDE（aspect ratio dependent etching，深寬比相依性蝕刻）的效應、改善選擇性、並幫助達到其他潛在的製程需求。
圖1係顯示引起微負載效應之離子106的方向之示意圖。當電漿腔室之中產生電漿以蝕刻基板堆疊100（例如：晶圓、基板頂部上具有氧化物層的半導體基板、基板頂部上具有單體或聚合物的半導體基板、半導體基板等等）時，電漿的離子106會被引導朝向形成在基板堆疊100內之特徵部104的底部102。當這些離子被引導朝向特徵部104的側壁108A及108B時（例如相對於垂直方向110呈一角度θ），微負載效應發生且特徵部的底部處之蝕刻速率降低。藉由應用如本文所述之反向脈衝，離子朝垂直方向行進至溝渠底部的機率會增高，進而降低ARDE或微負載的效應。
圖2係使微負載效應可能性降低之系統200之實施方式的示意圖。系統200包括：TCP RF電源供應器212、匹配電路215、複數TCP RF線圈204A及204B、電漿腔室206、偏壓RF電源供應器214、及匹配電路216。介電窗219將TCP RF線圈204A及204B與電漿腔室206的內部隔開。用來製作介電窗216的材料範例包括石英或陶瓷等等。
電漿腔室206包括靜電夾具（ESC，electrostatic chuck）202，基板堆疊100係設置在ESC 202上以進行處理（例如：蝕刻、或沉積、或濺鍍、或清理等等）。
偏壓RF電源供應器214係經由RF纜線220而耦合至匹配電路216。偏壓RF電源供應器214產生偏壓脈衝RF信號230，並經由RF纜線220將偏壓脈衝RF信號230供應至匹配電路216。匹配電路216接收偏壓脈衝RF信號230，並匹配負載（例如形成在電漿腔室206內之電漿）的阻抗。
TCP RF產生器之TCP RF電源供應器212係經由RF纜線224而連接至匹配電路215。TCP RF電源供應器212產生來源脈衝RF信號232，並將此來源脈衝RF信號供應至匹配電路215。匹配電路215接收來源脈衝RF信號232，並匹配負載（例如TCP RF線圈204A及204B、和RF纜線226A及226B等等）的阻抗。
來源RF脈衝信號232的脈衝與偏壓RF脈衝信號230的脈衝為反向。舉例而言，當來源RF脈衝信號232的狀態為高時，則偏壓RF脈衝信號230的狀態為低，而且當來源RF脈衝信號232的狀態為低時，則偏壓RF脈衝信號230的狀態為高。高狀態之一範例係處於高電力位準的狀態，且低狀態之一範例係處於低電力位準的狀態。RF脈衝信號232的狀態S0期間之來源RF脈衝信號232的零位準幫助降低OFF週期期間的電子溫度Te。溫度及電位的降低改善了離子106的熱速度（thermal velocity）。舉例而言，溫度及電位的降低使離子106被引導至垂直方向110（而非橫向方向236）或被引導更靠近垂直方向110（相較於橫向方向236）的可能性增高，進而減輕微負載效應。
在一實施方式中，將多數偏壓RF產生器（代替一偏壓RF產生器）耦合至匹配電路216。各偏壓RF產生器具有不同的頻率。舉例而言，偏壓RF產生器其中一者具有13.56百萬赫茲（MHz）的操作頻率，偏壓RF產生器其中另一者具有1 MHz的操作頻率，且偏壓RF產生器其中又另一者具有60 MHz的操作頻率。偏壓RF產生器之每一者係經由個別的RF纜線而耦合至匹配電路216。
在一實施方式中，將多數TCP RF產生器（代替一TCP RF產生器）耦合至匹配電路215。各TCP RF產生器具有不同的頻率。TCP RF產生器之每一者係經由個別的RF纜線而耦合至匹配電路215。在一實施方式中，TCP RF線圈204A及204B係共平面。在一實施方式中，TCP RF線圈204A係設置在一平面，而該平面與TCP RF線圈204B所設置之平面不同。在一實施方式中，將任何其他數目（例如：一、三等等）的線圈（代替二TCP RF線圈204A及204B）設置在電漿腔室206的頂部上。
圖3係系統300之實施方式的示意圖，其顯示來源RF脈衝信號232及偏壓RF脈衝信號230中之反向脈衝的同步（synchronization）。系統300包括主機系統306，例如：電腦、筆記型電腦電腦、平板電腦、行動電話等等。主機系統306係耦合至來源RF產生器302，其包括TCP RF電源供應器212（圖2）。此外，主機系統306係耦合至偏壓RF產生器304，其包括偏壓RF電源供應器214（圖2）。主機系統306產生數位脈衝信號310，例如：時脈信號（Clk）等等。舉例而言，主機系統306的處理器產生數位脈衝信號310。如另一範例，主機系統306內的時脈振盪器產生數位脈衝信號310。如又另一範例，耦合至鎖相迴路之時脈振盪器產生數位脈衝信號310。如另一範例，指令或指令集係從主機系統306傳送到來源RF產生器302及偏壓RF產生器304，以告知這些產生器如何產生脈衝。
數位脈衝信號310具有一狀態S1（例如：高狀態、狀態1、位元1等等）及一狀態S0（例如：低狀態、狀態0、位元0等等）。數位脈衝信號在狀態S1與狀態S0之間週期性地產生脈衝。舉例而言，數位脈衝信號處於狀態S0達一時間週期，然後從狀態S0轉變到狀態S1，保持在狀態S1達該時間週期，並接著從狀態S1轉變到狀態S0。
來源RF產生器302經由纜線312及另一纜線314A接收數位脈衝信號310，且偏壓RF產生器304經由纜線312及纜線314B接收數位脈衝信號310。來源RF產生器302的來源RF電源供應器212（圖2）產生與數位脈衝信號310同步的來源RF脈衝信號232，且偏壓RF產生器304的偏壓RF電源供應器214（圖2）產生與數位脈衝信號310同步的偏壓RF脈衝信號230。舉例而言，來源RF產生器302的處理器在某一時間接收數位脈衝信號310、確認數位脈衝信號310在該時間的狀態、並傳送控制信號至來源RF電源供應器212，以產生具有數位脈衝信號310的狀態之來源RF脈衝信號232。如另一範例，偏壓RF產生器304的處理器在某一時間接收數位脈衝信號310、確認數位脈衝信號310在該時間的狀態、並傳送控制信號至偏壓RF電源供應器214，以產生具有與數位脈衝信號310相反的狀態之偏壓RF脈衝信號230。
在此範例中，來源RF產生器302的處理器在某一時間接收數位脈衝信號310、確認數位脈衝信號310的狀態在該時間從低狀態轉變到高狀態、並傳送控制信號至來源RF電源供應器212，以使來源RF脈衝信號232在該時間從低狀態轉變到高狀態。在此範例中，偏壓RF產生器304的處理器在某一時間接收數位脈衝信號310、確認數位脈衝信號310的狀態在該時間從低狀態轉變到高狀態、並傳送控制信號至偏壓RF電源供應器214，以使偏壓RF脈衝信號230在該時間從高狀態轉變到低狀態。在此範例中，來源RF產生器302的處理器在某一時間接收數位脈衝信號310、確認數位脈衝信號310的狀態在該時間從高狀態轉變到低狀態、並傳送控制信號至來源RF電源供應器212，以使來源RF脈衝信號232在該時間從高狀態轉變到低狀態。在此範例中，偏壓RF產生器304的處理器在某一時間接收數位脈衝信號310、確認數位脈衝信號310的狀態在該時間從高狀態轉變到低狀態、並傳送控制信號至偏壓RF電源供應器214，以使偏壓RF脈衝信號230在該時間從低狀態轉變到高狀態。
在一實施方式中，數位脈衝信號310係由偏壓RF產生器304產生，而非由主機系統306產生。舉例而言，偏壓RF產生器304包括設置在偏壓RF產生器304內的時脈來源，例如：時脈振盪器、耦合至鎖相迴路的時脈振盪器等等。如另一範例，偏壓RF產生器304包括產生數位脈衝信號310之處理器。如於此所述般，將數位脈衝信號310從偏壓RF產生器304供應到來源RF產生器302，以使來源RF脈衝信號232與偏壓RF脈衝信號230的產生同步。
圖4A顯示圖式406、408、410、412、及414，其繪示TCP RF脈衝信號402及偏壓RF脈衝信號404的相反狀態。TCP RF脈衝信號402係來源RF脈衝信號232（圖2）之一例子，且偏壓RF脈衝信號404係偏壓RF脈衝信號230（圖2）之一例子。
圖式406繪示偏壓RF脈衝信號404對時間t的電壓波形。此外，圖式408繪示TCP RF脈衝信號402對時間t的電壓波形，且圖式410繪示電子溫度Te對時間。圖式412繪示離子106（圖1）的離子密度對時間t，且圖式414繪示數位脈衝信號310對時間t。
當數位脈衝信號310處於狀態S1時，來源RF產生器302產生TCP RF脈衝信號402的高狀態S1（例如：電力ON或較高電力等等），並且當數位脈衝信號310處於狀態S0時，來源RF產生器302產生TCP RF脈衝信號402的低狀態S0（例如：零電力或較低電力等等）。舉例而言，在數位脈衝信號310處於狀態S1之時間週期t1A期間，產生TCP RF脈衝信號402的高狀態S1，並且在數位脈衝信號310處於狀態S0之時間週期t1B期間，產生TCP RF脈衝信號402的低狀態S0。此外，在數位脈衝信號310處於狀態S1的時間週期t1C期間，產生TCP RF脈衝信號402的高狀態S1，並且在數位脈衝信號310處於狀態S0的時間週期t1D期間，產生TCP RF脈衝信號402的低狀態S0。各個時間週期t1A、t1B、t1C、及t1D皆相同。
此外，自數位脈衝信號310從狀態S0到狀態S1的轉變TR1之時間ty的一預定時間量之內（例如：在時間週期t1B的一部份、或時間週期t1C的一部份、或相位落後時間、或相位超前時間等等之內），TCP RF脈衝信號402從低狀態S0轉變到高狀態S1。在一實施方式中，於數位脈衝信號310從狀態S0到狀態S1的轉變TR1之時間ty，TCP RF脈衝信號402從低狀態S0轉變到高狀態S1。
此外，自數位脈衝信號310從狀態S1到狀態S0的轉變TR2之時間tx的一預定時間量之內（例如：在時間週期t1A的一部份、或時間週期t1B的一部份、或相位落後時間、或相位超前時間等等之內），TCP RF脈衝信號402從高狀態S1轉變到低狀態S0。在一實施方式中，於數位脈衝信號310從狀態S1到狀態S0的轉變TR2之時間tx，TCP RF脈衝信號402從高狀態S1轉變到低狀態S0。
再者，當數位脈衝信號310處於狀態S1時，偏壓RF產生器304產生偏壓RF脈衝信號404的低狀態S0（例如：零電力或較低電力等等），並且當數位脈衝信號310處於狀態S0時，偏壓RF產生器304產生偏壓RF脈衝信號404的高狀態S1（例如：電力ON或較高電力等等）。舉例而言，在數位脈衝信號310處於狀態S1之時間週期t1A期間，產生偏壓RF脈衝信號404的低狀態S0，並且在數位脈衝信號310處於狀態S0之時間週期t1B期間，產生偏壓RF脈衝信號404的高狀態S1。
此外，自數位脈衝信號310從狀態S0到狀態S1的轉變TR1之時間ty的一預定時間量之內（例如：在時間週期t1B的一部份、或時間週期t1C的一部份、或相位落後時間、或相位超前時間等等之內），偏壓RF脈衝信號404從高狀態S1轉變到低狀態S0。在一實施方式中，於數位脈衝信號310從狀態S0到狀態S1的轉變TR1之時間ty，偏壓RF脈衝信號404從高狀態S1轉變到低狀態S0。
再者，自數位脈衝信號310從狀態S1到狀態S0的轉變TR2之時間tx的一預定時間量之內（例如：在時間週期t1A的一部份、或時間週期t1B的一部份、或相位落後時間、或相位超前時間等等之內），偏壓RF脈衝信號404從低狀態S0轉變到高狀態S1。在一實施方式中，於數位脈衝信號310從狀態S1到狀態S0的轉變TR2之時間tx，偏壓RF脈衝信號404從低狀態S0轉變到高狀態S1。
應注意到，TCP RF脈衝信號402與偏壓RF脈衝信號404為反向同步。舉例而言，當偏壓RF脈衝信號404的狀態為S0時，則TCP RF脈衝信號402的狀態為S1，而當偏壓RF脈衝信號404的狀態為S1時，則TCP RF脈衝信號402的狀態為S0。如另一範例，當偏壓RF脈衝信號404從狀態S1轉變到狀態S0時，則TCP RF脈衝信號402從狀態S0轉變到狀態S1，而當偏壓RF脈衝信號404從狀態S0轉變到狀態S1時，則TCP RF脈衝信號402從狀態S1轉變到狀態S0。
TCP RF脈衝信號402於低狀態S0期間具有零電力，並且於高狀態S1期間具有正數量電力（例如：A2等等）。偏壓RF脈衝信號404於低狀態S0期間具有零電力，並且於高狀態S1期間具有正數量電力（例如：A1等等）。
在一實施方式中，數量A1與數量A2相同。在一實施方式中，數量A1與數量A2不同。在一實施方式中，偏壓RF脈衝信號404於狀態S0期間具有除了零以外之電力。此外，在一實施方式中，TCP RF脈衝信號402於狀態S0期間具有除了零以外之電力。在一實施方式中，偏壓RF脈衝信號404為連續（例如：在所有時間皆具有狀態S1等等），以代替具有二狀態S1及S0。偏壓RF脈衝信號404並未在二狀態S1與S0之間進行切換。
應注意到，當TCP RF脈衝信號402處於狀態S0且偏壓RF脈衝信號404處於狀態S1時，電子溫度Te降低。此溫度降低使得電漿電壓下降，並且使基板堆疊100（圖1）之蝕刻期間的微負載效應減低。
圖4B顯示了圖式406、420、及414。圖式420繪示TCP RF脈衝信號422的電力（例如：峰對峰（peak-to-peak）電力等等）對時間t。TCP RF脈衝信號422係TCP RF脈衝信號232（圖2）之一範例。TCP RF脈衝信號422於高狀態S1期間具有高位準A2的電力，並且於低狀態S0期間具有低位準A3的電力。低位準A3大於零電力且小於高位準A2。應注意如圖式406及420所示般，偏壓RF信號404係由偏壓RF產生器304（圖3）產生，同時TCP RF信號422係由來源RF產生器302（圖3）產生。
圖4C顯示圖式432、408、及414。圖式432繪示偏壓RF脈衝信號430的電力（例如：峰對峰電力等等）對時間t。偏壓RF脈衝信號430係偏壓RF脈衝信號230（圖2）之一範例。偏壓RF脈衝信號430於高狀態S1期間具有高位準A1的電力，並且於低狀態S0期間具有低位準A4的電力。高位準A1大於低位準A4，且低位準A4大於零電力位準。應注意如圖式408及432所示般，偏壓RF信號430係由偏壓RF產生器304（圖3）產生，同時TCP RF信號402係由來源RF產生器302（圖3）產生。
在一實施方式中，偏壓RF脈衝信號430為連續（例如：在所有時間皆具有狀態S1或狀態S0等等），以代替具有二狀態S1及S0。偏壓RF脈衝信號430並未在二狀態S1與S0之間進行切換，但偏壓RF脈衝信號430在所有時間皆具有狀態S1。
圖4D顯示圖式432、420、及414。應注意如圖式420及432所示般，偏壓RF信號430係由偏壓RF產生器304（圖3）產生，同時TCP RF信號422係由來源RF產生器302（圖3）產生。
圖5A係系統500之實施方式的示意圖，其繪示多數來源RF產生器516及518和多數偏壓RF產生器520及522的使用。主機系統306將數位脈衝信號310經由纜線502和纜線504A供應至來源RF產生器516、經由纜線502和纜線504B供應至來源RF產生器518、經由纜線502和纜線504C供應至偏壓RF產生器520、以及經由纜線502和纜線504D供應至偏壓RF產生器522。
來源RF產生器516產生具有頻率f1的來源RF脈衝信號524，且來源RF脈衝信號524與數位脈衝信號310同步。此外，來源RF產生器518產生具有頻率f2的來源RF脈衝信號526，且來源RF脈衝信號526與數位脈衝信號310同步。頻率f2與頻率f1不同。例如，頻率f2係在與具有頻率f1之頻率範圍不同的頻率範圍內。來源RF產生器516及518係經由對應的RF纜線532A及532B而耦合至匹配電路215，且偏壓RF產生器520及522係經由對應的RF纜線534A及534B而耦合至匹配電路216。
匹配電路215使耦合至匹配電路215的負載之阻抗與耦合至匹配電路215的來源（例如：來源RF產生器516及518和RF纜線532A及532B等等）之阻抗匹配，以產生一修正之來源RF脈衝信號。修正之來源RF脈衝信號係從匹配電路215傳送到TCP RF線圈204A及204B（圖2）以修正（例如改善等等）離子106（圖1）的熱速度，進而改善蝕刻速率。舉例而言，當離子106被控制在垂直方向110上或更靠近垂直方向110（圖1）行進時（相較於橫向方向236，圖2），則離子106的熱速度受到修正。
此外，偏壓RF產生器520產生具有頻率f3的偏壓RF脈衝信號528，且偏壓RF脈衝信號528與數位脈衝信號310同步。再者，偏壓RF產生器522產生具有頻率f4的偏壓RF脈衝信號530，且偏壓RF脈衝信號530與數位脈衝信號310同步。頻率f4與頻率f3不同。例如，頻率f4係在與具有頻率f3之頻率範圍不同的頻率範圍內。
此外，匹配電路216使耦合至匹配電路216的負載之阻抗與來源（例如：偏壓RF產生器520及522和RF纜線534A及534B等等）之阻抗匹配，以產生一修正之偏壓RF脈衝信號。修正之偏壓RF脈衝信號係從匹配電路216傳送到ESC 202（圖2）以產生或維持電漿腔室206（圖2）內之電漿。
圖5B顯示圖式540、542、544、546、556、558、及414，其繪示將多數來源RF脈衝信號548及550結合以產生一來源RF脈衝信號560，並將多數偏壓RF脈衝信號552及554結合以產生一偏壓RF脈衝信號562。圖式540繪示來源RF脈衝信號548的電力（例如：峰對峰電力等等）對時間t。此外，圖式542繪示來源RF脈衝信號550的電力（例如：峰對峰電力等等）對時間t。此外，圖式556繪示來源RF脈衝信號560的電力（例如：峰對峰電力等等）對時間t。舉例而言，來源RF脈衝信號560係輸出自匹配電路215（圖5A）的修正來源RF脈衝信號之一範例。
來源RF脈衝信號548於狀態S1期間具有正數量A2的電力，並且於狀態S0期間具有零電力。此外，來源RF脈衝信號550於狀態S1期間具有正數量A3的電力，並且於狀態S0期間具有零電力。來源RF脈衝信號548係由來源RF產生器516（圖5A）產生，且來源RF脈衝信號550係由來源RF產生器518（圖5A）產生。
此外，圖式544繪示偏壓RF脈衝信號552的電力（例如：峰對峰電力等等）對時間t。圖式546繪示偏壓RF脈衝信號554的電力（例如：峰對峰電力等等）對時間t。圖式558繪示偏壓RF脈衝信號562的電力（例如：峰對峰電力等等）對時間t。舉例而言，偏壓RF脈衝信號562係輸出自匹配電路216（圖5A）的修正偏壓RF脈衝信號之一範例。偏壓RF脈衝信號552於狀態S1期間具有正數量A1的電力，並且於狀態S0期間具有零電力。再者，偏壓RF脈衝信號554於狀態S1期間具有正數量A4的電力，並且於狀態S0期間具有零電力。偏壓RF脈衝信號552係由偏壓RF產生器520（圖5A）產生，且偏壓RF脈衝信號554係由偏壓RF產生器522（圖5A）產生。
在匹配電路215（圖5A）之中將來源RF脈衝信號548及550結合（如加成等等），以產生來源RF脈衝信號560作為匹配電路215的輸出。應注意到，來源RF信號560於狀態S1期間具有正數量A2的電力，並且於狀態S0期間具有正數量的電力A3。舉例而言，當來源RF脈衝信號548於狀態S1期間具有正數量A2的電力時，則來源RF脈衝信號550於狀態S0期間具有零數量的電力，並且將此正數量A2與零數量結合以產生來源RF脈衝信號560的狀態S1。如另一範例，當來源RF脈衝信號548於狀態S0期間具有零數量電力時，則來源RF脈衝信號550於狀態S1期間具有正數量A3的電力，並且將此正數量A3與零數量結合以產生來源RF脈衝信號560的狀態S0。應注意到，正數量A3小於數量A2。
同樣地，在匹配電路216（圖5A）之中將偏壓RF脈衝信號552及554結合（如加成等等），以產生偏壓RF脈衝信號562作為匹配電路216的輸出。應注意到，偏壓RF信號562於狀態S1期間具有正數量A1的電力，並且於狀態S0期間具有正數量的電力A4。舉例而言，當偏壓RF脈衝信號552於狀態S0期間具有零數量的電力時，則偏壓RF脈衝信號554於狀態S1期間具有正數量A4的電力，並且將此正數量A4與零數量結合以產生偏壓RF脈衝信號562的狀態S0。如另一範例，當偏壓RF脈衝信號552於狀態S1期間具有正數量A1的電力時，則偏壓RF脈衝信號554於狀態S0期間具有零數量的電力，並且將此正數量A1與零數量結合以產生偏壓RF脈衝信號562的狀態S1。應注意到，正數量A4小於數量A1。
在一實施方式中，於此所述之由一處理器所執行之功能係藉由多數處理器來執行，例如分散在多數處理器之間。應注意在一實施方式中，同時產生並提供具有狀態S0的TCP RF脈衝信號402（圖4A）及具有狀態S1的偏壓RF脈衝信號404（圖4A）使得電子溫度Te降低，且溫度Te的降低使得偏壓RF脈衝信號404的電力之影響增大。此影響的增大使離子106朝向ESC 202（圖2）的垂直方向性增強，藉此執行基板堆疊100（圖1）之高深寬比特徵部（例如50：1的比例、100：1的比例等等）的蝕刻操作。在一實施方式中，相較於橫向方向236（圖2），當離子106更被導向在垂直方向110（圖1）上時，則離子106的垂直方向性增強。舉例而言，若離子106以相對於橫向方向236呈大於45度的方向朝ESC 202（圖2）行進，則相較於橫向方向236，離子106更被導向垂直方向110。
可用各種電腦系統配置來實施於此所述之實施方式，包括：手持式硬體單元、微處理器系統、基於微處理器或可編程的消費性電子裝置、小型電腦、主機電腦、及類似者。亦可在分散式計算環境中實施於此所述之實施方式，其中藉由透過電腦網路所連結之遠端處理硬體單元來執行各種工作。
在一些實施方式中，控制器（如主機系統等等）係系統的一部份，其可為上述範例的一部份。此系統包括半導體處理設備，其包括一或多數處理工具、一或多數腔室、一或多數處理平台、及/或特定處理構件（晶圓基座、氣體流量系統等等）。此系統係與用以控制其處理半導體晶圓或基板之前、期間、及之後的操作之電子裝置結合。此電子裝置稱為「控制器」，其可控制系統的各個構件或子部份。依處理需求及/或系統類型，將控制器進行編程以控制於此所揭露之任何處理，包括：處理氣體遞送、溫度設定（例如加熱及/或冷卻）、壓力設定、真空設定、電力設定、RF產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體遞送設定、位置及操作設定、將晶圓傳入（及傳出）與此系統連接或接合之工具及其他傳遞工具及/或裝載鎖室。
概括而言，在各種實施方式中，控制器係定義為具有各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體之電子裝置，其接收指令、發佈指令、控制操作、啟動清理操作、啟動終點量測、及類似者。這些積體電路包括：儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位信號處理器（DSP，digital signal processor）、定義為特定應用積體電路（ASIC，application specific integrated circuit）之晶片、可編程邏輯裝置（PLD，programmable logic device）、一或更多微處理器、或執行程式指令（例如軟體）之微控制器。程式指令係傳送至控制器之各種獨立設定（或程式檔案）之形式的指令，其定義用以執行半導體晶圓之製程的操作參數。在一些實施方式中，操作參數係配方的一部份，而配方係由製程工程師所定義以在晶圓之一或更多的層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶粒的製作期間完成一或更多處理步驟。
在一些實施方式中，控制器係電腦的一部份或耦合至一電腦，此電腦係與系統結合、耦合至系統、或與系統透過網路連結、或其組合。例如，控制器係位於「雲端」（cloud）或係晶圓廠主機電腦系統的全部或部份，其允許遠端使用晶圓處理。控制器允許遠端使用系統，以監控製造操作的目前進度、檢查過去製造操作的歷程、從多數製造操作來檢查趨向或性能指標、改變目前處理的參數、設定處理步驟以跟隨目前處理、或開始新製程。
在一些實施方式中，遠端電腦（如伺服器）在電腦網路（包括區域網路或網際網路）上提供製程配方給系統。遠端電腦包括使用者介面，其允許登錄或程式化參數及/或設定，然後自遠端電腦將其傳送到系統。在一些範例中，控制器接收用於處理晶圓之設定形式的指令。應瞭解到，這些設定係欲在晶圓上所執行之製程類型所特定，且係與控制器接合或由控制器所控制之工具類型所特定。故如以上所述，控制器係分散式，例如包括透過網路連結在一起並朝共同目標運作（例如完成於此所述之製程）之一或更多離散控制器。用於上述目的之分散式控制器之一範例包括：腔室上之一或更多積體電路，其與遠端設置（如位於平台等級或作為遠端電腦的一部份）而結合以控制腔室中之製程的一或更多積體電路連通。
在非限制的情況下，於各種實施方式中，此系統包括：電漿蝕刻腔室、沉積腔室、旋轉清洗腔室、金屬電鍍腔室、清理腔室、斜邊蝕刻腔室、物理氣相沉積（PVD，physical vapor deposition）腔室、化學氣相沉積（CVD，chemical vapor deposition）腔室、原子層沉積（ALD，atomic layer deposition）腔室、原子層蝕刻（ALE，atomic layer etch）腔室、離子植入腔室、徑跡腔室、及半導體晶圓製作及/或製造中相關或使用之任何其他半導體處理腔室。
應更注意到，雖然上述操作係參考變壓器耦合電漿（TCP）反應器而進行描述，但在一些實施方式中，上述操作可應用在其他類型的電漿腔室，例如導體工具等等。
如以上所述，根據工具欲執行之製程操作，控制器與下列其中之一或多者進行通信：其他工具電路或模組、其他工具構件、群集工具、其他工具介面、鄰接工具、附近工具、位於工廠各處之工具、主電腦、另一控制器、或用於材料運送之工具（其在半導體製造廠中的工具位置及/或裝載埠之間往返運送晶圓容器）。
有了以上實施方式的概念後，應瞭解到部份實施方式採用涉及電腦系統中所儲存資料的各種電腦執行之操作。這些電腦執行之操作係處理物理量之操作。
部份實施方式亦涉及執行這些操作的硬體單元或設備。該設備係特別建構為特殊用途電腦。當定義為特殊用途電腦時，該電腦執行非此特殊用途部份的其他處理、程式執行、或例行工作，而同時仍能操作於此特殊用途。
在一些實施方式中，於此所述之操作係藉由一選擇性啟動的電腦來執行、或係藉由儲存在電腦記憶體的一或更多電腦程式來配置、或係在電腦網路上取得。當資料是在電腦網路上取得時，該資料可由電腦網路上的其他電腦（例如雲端計算資源）加以處理。
於此所述之一或更多實施方式亦可製作為非暫態電腦可讀媒體上之電腦可讀碼。非暫態電腦可讀媒體係能儲存以後可由電腦系統讀取之資料的任何資料儲存硬體單元，如記憶體裝置等等。非暫態電腦可讀媒體的例子包括：硬碟、網路附接儲存器（NAS，network attached storage）、ROM、RAM、光碟（CD-ROM，compact disc-ROM）、可記錄式光碟（CD-R，CD-recordable）、可複寫式光碟（CD-RW，CD-rewritable）、磁帶、以及其他光學式與非光學式資料儲存硬體單元。在一些實施方式中，非暫態電腦可讀媒體包括分散在網路耦合之電腦系統上的電腦可讀實體媒體，使得電腦可讀碼以分散的方式儲存及執行。
雖然以上所述之部份方法操作係以特定順序敘述，惟應瞭解到在不同實施方式中，這些方法操作之間可執行其他內務管理操作、或將這些方法操作調整成出現在稍微不同的時間、或將這些方法操作分散在允許其出現在各個期間的系統中、或以不同於上述之順序執行這些方法操作。
應更注意到，在不離開本揭露內容所述各種實施方式之範圍的情況下，在一實施方式中，上述任何實施方式的一或更多特徵可與任何其他實施方式的一或更多特徵組合。
雖然為清楚瞭解之目的已就一些細節敘述以上實施方式，但顯而易見的，在隨附的專利申請範圍內仍可實施一些變化及修改。因此，本文實施方式應視為示例性而非限制性，且這些實施方式並不限於本文所指定之細節，而在隨附的專利申請範圍內及其均等範圍內仍可進行修改。
100‧‧‧基板堆疊102‧‧‧底部104‧‧‧特徵部106‧‧‧離子108A‧‧‧側壁108B‧‧‧側壁110‧‧‧垂直方向200‧‧‧系統202‧‧‧靜電夾具204A‧‧‧TCP RF線圈204B‧‧‧TCP RF線圈206‧‧‧電漿腔室212‧‧‧TCP RF電源供應器214‧‧‧偏壓RF電源供應器215‧‧‧匹配電路216‧‧‧匹配電路219‧‧‧介電窗220‧‧‧RF纜線224‧‧‧RF纜線226A‧‧‧RF纜線226B‧‧‧RF纜線230‧‧‧偏壓RF脈衝信號232‧‧‧來源RF脈衝信號236‧‧‧橫向方向300‧‧‧系統302‧‧‧來源RF產生器304‧‧‧偏壓RF產生器306‧‧‧主機系統310‧‧‧數位脈衝信號312‧‧‧纜線314A‧‧‧纜線314B‧‧‧纜線402‧‧‧TCP RF脈衝信號404‧‧‧偏壓RF脈衝信號406‧‧‧圖式408‧‧‧圖式410‧‧‧圖式412‧‧‧圖式414‧‧‧圖式420‧‧‧圖式422‧‧‧TCP RF脈衝信號430‧‧‧偏壓RF脈衝信號432‧‧‧圖式500‧‧‧系統502‧‧‧纜線504A‧‧‧纜線504B‧‧‧纜線504C‧‧‧纜線504D‧‧‧纜線516‧‧‧來源RF產生器518‧‧‧來源RF產生器520‧‧‧偏壓RF產生器522‧‧‧偏壓RF產生器524‧‧‧來源RF脈衝信號526‧‧‧來源RF脈衝信號528‧‧‧偏壓RF脈衝信號530‧‧‧偏壓RF脈衝信號532A‧‧‧RF纜線532B‧‧‧RF纜線534A‧‧‧RF纜線534B‧‧‧RF纜線540‧‧‧圖式542‧‧‧圖式544‧‧‧圖式546‧‧‧圖式548‧‧‧來源RF脈衝信號550‧‧‧來源RF脈衝信號552‧‧‧偏壓RF脈衝信號554‧‧‧偏壓RF脈衝信號556‧‧‧圖式558‧‧‧圖式560‧‧‧來源RF脈衝信號562‧‧‧偏壓RF脈衝信號
藉由參考以下敘述配合附圖而瞭解這些實施方式。
圖1係依據本揭露內容中所述之實施方式的示意圖，其繪示造成微負載效應之離子橫向方向行進。
圖2係一系統之實施方式的示意圖，其降低微負載效應的可能性。
圖3係一系統之實施方式的示意圖，其顯示來源射頻（RF）脈衝信號及偏壓RF脈衝信號中之反向脈衝的同步。
圖4A顯示變壓器耦合電漿（TCP）RF脈衝信號及偏壓RF脈衝信號之相反狀態的圖式。
圖4B顯示狀態S0期間的來源RF脈衝信號之電力大於零的圖式。
圖4C顯示狀態S0期間的偏壓RF脈衝信號之電力大於零的圖式。
圖4D顯示狀態S0期間的偏壓RF脈衝信號之電力與狀態S0期間的來源RF脈衝信號之電力皆大於零的圖式。
圖5A係一系統之實施方式的示意圖，其顯示使用多數來源RF產生器代替單一來源RF產生器與使用多數偏壓RF產生器代替單一偏壓RF產生器。
圖5B顯示將多數來源RF脈衝信號組合以產生一來源RF脈衝信號與將多數偏壓RF脈衝信號組合以產生一偏壓RF脈衝信號的圖式。
100‧‧‧基板堆疊
106‧‧‧離子
110‧‧‧垂直方向
200‧‧‧系統
202‧‧‧靜電夾具
204A‧‧‧TCPRF線圈
204B‧‧‧TCPRF線圈
206‧‧‧電漿腔室
212‧‧‧TCP RF電源供應器
214‧‧‧偏壓RF電源供應器
215‧‧‧匹配電路
216‧‧‧匹配電路
219‧‧‧介電窗
220‧‧‧RF纜線
224‧‧‧RF纜線
226A‧‧‧RF纜線
226B‧‧‧RF纜線
230‧‧‧偏壓RF脈衝信號
232‧‧‧來源RF脈衝信號
236‧‧‧橫向方向

Claims (20)

  1. 一種用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，該方法包含：數位信號的接收步驟，該數位信號具有第一狀態及第二狀態；變壓器耦合電漿(TCP，transformer coupled plasma)射頻(RF，radio frequency)脈衝信號的產生步驟，當該數位信號處於該第一狀態時，該TCP RF脈衝信號具有高狀態，且當該數位信號處於該第二狀態時，該TCP RF脈衝信號具有低狀態，其中該TCP RF脈衝信號的高狀態具有比該TCP RF脈衝信號的低狀態的電力數量更高的電力數量；該TCP RF脈衝信號的提供步驟，將該TCP RF脈衝信號提供至該電漿腔室的一或更多線圈；偏壓RF脈衝信號的產生步驟，當該數位信號處於該第一狀態時，該偏壓RF脈衝信號具有低狀態，且當該數位信號處於該第二狀態時，該偏壓RF脈衝信號具有高狀態，其中該偏壓RF脈衝信號的高狀態具有比該偏壓RF脈衝信號的低狀態的電力數量更高的電力數量，其中該偏壓RF脈衝信號的產生步驟包含：於該TCP RF脈衝信號從低狀態轉變到高狀態的時間，使該偏壓RF脈衝信號從高狀態轉變到低狀態；及於該TCP RF脈衝信號從高狀態轉變到低狀態的時間，使該偏壓RF脈衝信號從低狀態轉變到高狀態；及該偏壓RF脈衝信號的提供步驟，將該偏壓RF脈衝信號提供至該電漿腔室的夾具，其中該TCP RF脈衝信號的提供步驟發生在該偏壓RF脈衝信號的提供步驟時，其中於該TCP RF脈衝信號從高狀態轉變到低狀態的時間使該偏壓RF脈衝信號從低狀態轉變到高狀態的步驟係執行以使產生在該電漿腔室中之離子朝向該夾具的垂直方向性增強，以處理高深寬比特徵部的蝕刻操作。
  2. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，其中在該第二狀態期間使該偏壓RF脈衝信號具有高狀態並使該TCP RF脈衝信號具有低狀態係用以降低該電漿腔室中之電子的溫度，而該溫度的降低幫助增強離子的方向性。
  3. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，其中該TCP RF脈衝信號的產生步驟包含：自該數位信號從該第二狀態轉變到該第一狀態的預定時間量之內，使該TCP RF脈衝信號從低狀態轉變到高狀態；及自該數位信號從該第一狀態轉變到該第二狀態的預定時間量之內，使該TCP RF脈衝信號從高狀態轉變到低狀態。
  4. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，其中該偏壓RF脈衝信號的產生步驟包含：自該數位信號從該第二狀態轉變到該第一狀態的預定時間量之內，使該偏壓RF脈衝信號從高狀態轉變到低狀態；及自該數位信號從該第一狀態轉變到該第二狀態的預定時間量之內，使該偏壓RF脈衝信號從低狀態轉變到高狀態。
  5. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，其中該TCP RF脈衝信號的產生步驟包含：於該數位信號從該第二狀態轉變到該第一狀態的時間，使該TCP RF脈衝信號從低狀態轉變到高狀態；及於該數位信號從該第一狀態轉變到該第二狀態的時間，使該TCP RF脈衝信號從高狀態轉變到低狀態。
  6. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，其中該偏壓RF脈衝信號的產生步驟包含： 於該數位信號從該第二狀態轉變到該第一狀態的時間，使該偏壓RF脈衝信號從高狀態轉變到低狀態；及於該數位信號從該第一狀態轉變到該第二狀態的時間，使該偏壓RF脈衝信號從低狀態轉變到高狀態。
  7. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，其中該TCP RF脈衝信號於低狀態期間具有零電力，並於高狀態期間具有正數量的電力。
  8. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，其中該偏壓RF脈衝信號於低狀態期間具有零電力，並於高狀態期間具有正數量的電力。
  9. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，其中該TCP RF脈衝信號於高狀態期間具有高位準的電力，並於低狀態期間具有低位準的電力，其中該高位準大於該低位準，且其中該低位準大於零。
  10. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，其中該偏壓RF脈衝信號於高狀態期間具有高位準的電力，並於低狀態期間具有低位準的電力，其中該高位準大於該低位準，且其中該低位準大於零。
  11. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，其中該數位信號係由時脈來源產生，其中該時脈來源係設置在RF產生器之內，且其中該偏壓RF脈衝信號的產生步驟係藉由該RF產生器而執行。
  12. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，其中該數位信號係由時脈來源產生，其中該時脈來源係設置在耦合至RF產生器的主機系統之內，且其中該偏壓RF脈衝信號的產生步驟係藉由該RF產生器而執行。
  13. 如申請專利範圍第1項之用以在電漿處理期間操作電漿腔室的方法，其中該數位信號係一時脈信號。
  14. 一種用以執行電漿處理的系統，該系統包含：一或更多偏壓射頻(RF，radio frequency)產生器，用以產生一或更多偏壓RF脈衝信號；偏壓匹配部，耦合至該一或更多偏壓RF產生器，用以由該一或更多偏壓RF脈衝信號產生修正之偏壓RF信號；及電漿腔室，包括耦合至該偏壓匹配部的夾具，用以在接收該修正之偏壓RF信號時產生或維持該電漿腔室內之電漿；一或更多來源RF產生器，用以產生一或更多來源RF脈衝信號；來源匹配部，耦合至該一或更多來源RF產生器，用以在接收該一或更多來源RF脈衝信號時產生修正之來源RF信號；及一或更多變壓器耦合電漿(TCP，transformer coupled plasma)RF線圈，耦合至該來源匹配部，用以接收該修正之來源RF信號以修正該電漿腔室內之離子的熱速度，其中當該一或更多偏壓RF脈衝信號其中之第一者處於低狀態時，該一或更多來源RF脈衝信號其中之第一者處於高狀態，且當該一或更多偏壓RF脈衝信號其中之第一者處於高狀態時，該一或更多來源RF脈衝信號其中之第一者處於低狀態，其中當該等偏壓RF脈衝信號其中之第一者從高狀態轉變到低狀態時，該等來源RF脈衝信號其中之第一者從低狀態轉變到高狀態，且當該等偏壓RF脈衝信號其中之第一者從低狀態轉變到高狀態時，該等來源RF脈衝信號其中之第一者從高狀態轉變到低狀態。
  15. 如申請專利範圍第14項之用以執行電漿處理的系統，其中該等來源RF脈衝信號其中之第一者的頻率不同於該等來源RF脈衝信號其中之第二者的頻率。
  16. 如申請專利範圍第14項之用以執行電漿處理的系統，其中該等偏壓RF脈衝信號其中之第一者的頻率不同於該等偏壓RF脈衝信號其中之第二者的頻率。
  17. 一種用以在處理期間操作電漿腔室的方法，該方法包含：數位信號的接收步驟，該數位信號係週期性地在第一狀態與第二狀態之間轉變；及變壓器耦合電漿(TCP，transformer coupled plasma)射頻(RF，radio frequency)脈衝信號及偏壓RF脈衝信號的提供步驟，將該TCP RF脈衝信號提供至該電漿腔室的一或更多TCP線圈，並將該偏壓RF脈衝信號提供至該電漿腔室的夾具，其中該TCP RF脈衝信號的提供步驟包括基於該數位信號的同步步驟，該同步步驟係將該TCP RF脈衝信號的高狀態與該偏壓RF脈衝信號的低狀態同步，並將該TCP RF脈衝信號的低狀態與該偏壓RF脈衝信號的高狀態同步，其中該TCP RF脈衝信號的高狀態具有比該TCP RF脈衝信號的低狀態的電力數量更高的電力數量，其中該偏壓RF脈衝信號的高狀態具有比該偏壓RF脈衝信號的低狀態的電力數量更高的電力數量，其中該TCP RF脈衝信號及該偏壓RF脈衝信號的提供步驟包含：於該TCP RF脈衝信號從低狀態轉變到高狀態的時間，使該偏壓RF脈衝信號從高狀態轉變到低狀態；及於該TCP RF脈衝信號從高狀態轉變到低狀態的時間，使該偏壓RF脈衝信號從低狀態轉變到高狀態， 其中於該TCP RF脈衝信號從高狀態轉變到低狀態的時間使該偏壓RF脈衝信號從低狀態轉變到高狀態的步驟係執行以使產生在該電漿腔室中之離子受到影響而具有朝向該夾具的增強垂直方向性，以處理高深寬比特徵部的蝕刻操作。
  18. 如申請專利範圍第17項之用以在處理期間操作電漿腔室的方法，其中基於該數位信號的該同步步驟包含：當該數位信號從該第一狀態轉變到該第二狀態時，使該TCP RF脈衝信號從高狀態轉變到低狀態；當該數位信號從該第二狀態轉變到該第一狀態時，使該TCP RF脈衝信號從低狀態轉變到高狀態；當該數位信號從該第二狀態轉變到該第一狀態時，使該偏壓RF脈衝信號從高狀態轉變到低狀態；及當該數位信號從該第一狀態轉變到該第二狀態時，使該偏壓RF脈衝信號從低狀態轉變到高狀態。
  19. 如申請專利範圍第17項之用以在處理期間操作電漿腔室的方法，其中當該偏壓RF脈衝信號處於低狀態時，該TCP RF脈衝信號處於高狀態，且當該偏壓RF脈衝信號處於高狀態時，該TCP RF脈衝信號處於低狀態。
  20. 如申請專利範圍第17項之用以在處理期間操作電漿腔室的方法，其中該數位信號係一時脈信號。
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