TWI709287B - 具陶瓷絕緣層導線的剝線方法 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種具陶瓷絕緣層導線的剝線方法，該陶瓷絕緣層導線包括一導線及包覆於該導線之一陶瓷層，該陶瓷層包括一緻密底層及一多孔結構層，該緻密底層位在該導線及該多孔結構層之間。該剝線方法包含對該陶瓷絕緣層導線的一剝除處給予一剪應力。該陶瓷層受該剪應力作用而產生破裂至該陶瓷層的該緻密底層，使該陶瓷層的一部分自該導線脫落，並使一部分未脫落的該陶瓷層與該導線之間有一間隙。藉由剪應力將該陶瓷層的該多孔結構層產生破裂後延伸至該緻密底層，將該陶瓷層剝除。

Description

具陶瓷絕緣層導線的剝線方法
本發明係有關於一種具陶瓷絕緣層導線的剝線方法，藉由給予剪應力將陶瓷層剝除。
漆包線為一條導體經由處理將一層或多層高分子覆被在導體表面上，經烘乾成形，由於高分子有絕緣的功能，且依高分子膜厚度，而各有不同之特性和用途。主要用途為電機、電子產品、零組件線圈用。而因高分子層本身無法耐高溫，因此後續市面上有販售具陶瓷絕緣層之漆包線，藉由此陶瓷絕緣層可提高漆包線耐熱溫度，提高電機、電子產品、零組件線圈用壽命及效率。
而具陶瓷絕緣層之漆包線，在前案大陸專利公告號CN101728011A「一種具有絕緣層的銅導線及其製造方法」，其揭露一種具有絕緣層的銅導線及其製造方法，所述的銅導線由銅芯、純鋁層和氧化鋁層組成，所述的純鋁層通過金屬複合技術複合到銅芯的外表面，在純鋁層的外表面有一層經過硬質陽極氧化處理而取得的氧化鋁層。所述的方法是通過擠壓一拉拔法金屬複合技術將純鋁層複合到銅芯的外表面，作為製備氧化鋁層而加入的輔助層，並對純鋁層的外表面進行硬質陽極氧化處理，形成氧化鋁層。由於採用此案所述方法製造的銅導線，其外表面有一層氧化鋁層，它本身屬於陶瓷材料，具有耐高溫和絕緣的特點。
上述此案在製程上會因金屬層氧化不完全或未氧化而使陶瓷絕緣層產生破損，或者使用時陶瓷絕緣層產生破損，這些無法修補需或廢棄的陶瓷絕緣層需將其剝除，而因表面為陶瓷絕緣層不易破壞去除。
爰此，有鑑於目前製程上產生的問題，本發明一種具陶瓷絕緣層導線的剝線方法具有解決上述之缺點。
故本發明關於一種具陶瓷絕緣層導線的剝線方法，該陶瓷絕緣層導線包括一導線及包覆於該導線之一陶瓷層，該陶瓷層包括一緻密底層及一多孔結構層，該緻密底層位在該導線及該多孔結構層之間。該剝線方法包含對該陶瓷絕緣層導線的一剝除處給予一剪應力。該陶瓷層受該剪應力作用而產生破裂至該陶瓷層的該緻密底層，使該陶瓷層的一部分自該導線脫落。
進一步，該陶瓷層另一部分未脫落的該陶瓷層與該導線之間有一間隙。
進一步，該剪應力垂直於該陶瓷絕緣層導線方向。
進一步，該剪應力傾斜於該陶瓷絕緣層導線方向一角度，該角度介於0.1至80度。
更進一步，施予一外力將未脫落的該陶瓷層的一部分自該導線剝除。
進一步，在該陶瓷絕緣層導線上給予該剪應力之前，預先在該陶瓷層的該剝除處上施予一預破壞。
進一步，該預破壞係在該陶瓷層上形成一刮痕，當在該陶瓷絕緣層導線上給予該剪應力後，該刮痕使該陶瓷層沿著該刮痕破裂。
進一步，在該剝除處預先施予一壓應力，使該陶瓷層破裂，再給予該剪應力。
上述技術特徵具有下列之優點：
1.本發明藉由剪應力將陶瓷層的多孔結構層產生脆性破壞後，延伸至該陶瓷層的該緻密底層，但裂痕會受延性金屬線材阻擋而轉向陶瓷與金屬導線接合處，沿此方向破壞，將陶瓷層剝除。
2.本發明預先施予一上下擠壓式壓應力在該剝除處，使該陶瓷層部分對應產生張應力而破裂，然後再給予該剪應力，例如作用在陶瓷與金屬導線接合處，而使該陶瓷層剝落。
3.本發明藉由剪應力垂直於該陶瓷絕緣層導線方向或傾斜於該陶瓷絕緣層導線之一角度，將陶瓷層剝除。
4.本發明在陶瓷絕緣層導線上給予該剪應力之前，預先在該陶瓷層上施予一預破壞而形成一刮痕，當在該陶瓷絕緣層導線上給予該剪應力後，該刮痕使該陶瓷層沿著該刮痕破裂。
5.本發明在陶瓷層剝離後，裸露的導線可方便直接進行電性連接，例如絞線和壓線帽接線。
(1):陶瓷絕緣層導線
(11):導線
(12):陶瓷層
(121):緻密底層
(122):多孔結構層
(2):刮痕
(3):間隙
(1a):陶瓷絕緣層導線
(11a):導線
(12a):陶瓷層
(2a):刮痕
(F1)(F5):壓應力
(F2)(F4):剪應力
(F3):外力
(F4')(F4"):分力
[第一圖]係為本發明第一實施立體圖。
[第二圖]係為本發明第一實施例剪應力垂直於該陶瓷絕緣層導線方向作動圖。
[第三圖]係為本發明第一實施例剪應力方向示意圖。
[第四圖]係為本發明第一實施例施予一外力剝除未脫落的該陶瓷層示意圖。
[第五圖]係為本發明第一實施導線表面陶瓷層未剝落形成的間隙示意圖。
[第六圖]係為本發明第二實施例剪應力傾斜於該陶瓷絕緣層導線而夾一角度作動圖。
[第七圖]係為本發明第二實施例剪應力與分力示意圖。
請參閱第一圖所示，本發明一種具陶瓷絕緣層導線的剝線方法，該陶瓷絕緣層導線(1)包括一導線(11)及包覆於該導線(11)之一陶瓷層(12)，該陶瓷層包括一緻密底層(121)及一多孔結構層(122)。預先在該陶瓷層(12)上的一剝除處施予一預破壞，該預破壞係在該陶瓷層上形成一刮痕(2)。
上述該導線(11)係為金、銀、銅、鋁、鉑或鈀任一金屬線，而該導線(11)表面有一鋁層氧化成該陶瓷層(12)，該陶瓷層(12)為氧化鋁(Al2O3)，而該陶瓷層(12)主要為陽極處理產生的，因此在該陶瓷層(12)有該緻密底層(121)及該多孔結構層(122)，該導線(11)在最內層外面包覆層為該緻密底層(121)，而該多孔結構層(122)包覆層該緻密底層(121)在最外層。
本發明第一實施例請參閱第二圖及第三圖所示，先將該陶瓷絕緣層導線(1)固定，然後在該陶瓷絕緣層導線(1)的該剝除處施予一壓應力(F2)，使該多孔結構層(122)產生破裂，而在該陶瓷絕緣層導線(1)的該剝除處施予一剪應力(F1)，該剪應力(F1)垂直於該陶瓷絕緣層導線(1)方向，破裂的該多孔結構層(122)受該剪應力(F1)作用而將破裂後延伸至該緻密底層(121)，而破裂的該陶瓷層(12)有一部分會因該剪應力(F1)自行由該導線(1)脫落，請參閱第五圖所示，有一部分未脫落的該陶瓷層(12)與該導線(11)之間有一間隙(3)，而未脫落的該陶瓷層(12)大部分為該緻密底層(121)，請參閱第四圖所示，因為該間隙(3)使未剝落附著在該導線(11)上，在未脫落的該陶瓷層(12)施予一外力(F3)，將未脫落的該陶瓷層(12)從該導線(11)上剝除。
本發明第二實施例請參閱第六圖及第七圖所示，先將該陶瓷絕緣層導線(1a)固定，然後在該陶瓷絕緣層導線(1a)的該剝除處施予一壓應力(F5)，使該陶瓷層(12a)的該多孔結構層產生破裂，而在該陶瓷絕緣層導線(1a)的該剝除處施予一剪應力(F4)，該剪應力(F4)傾斜於該陶瓷絕緣層導線(1a)一角度，該角度介於0.1至80度，該剪應力(F4)在垂直導線方向時，在施予一向後拉扯的力量， 將其定義為傾斜的剪應力，藉由該角度，使該剪應力(F4)有一分力(F4')(F4")，該分力(F4')(F4")可使該陶瓷層(12a)更容易脫離該導線(1a)，使破裂的該多孔結構層受該壓應力(F5)作用而將破裂後延伸至該陶瓷層(12a)的該緻密底層，而破裂的該陶瓷層(12a)有一部分會因該剪應力(F4)自行由該導線(11a)脫落，並使一部分未掉落的該陶瓷層與該導線之間有一間隙，因為該間隙使未剝落附著在該導線(11a)上，在未脫落的該陶瓷層(12a)施予一外力，將未脫落的該陶瓷層(12a)從該導線(11a)上剝除。
而上述兩實施例可在給予該剪應力之前在該陶瓷絕緣層導線(1)(1a)上預先在該陶瓷層(12)(12a)的該剝除處上施予一預破壞，該預破壞係在該陶瓷層(12)(12a)上形成一刮痕(2)(2a)，當在該陶瓷絕緣層導線(1)(1a)上給予該剪應力(F2)(F4)後，該刮痕(2)(2a)使該陶瓷層(12)(12a)沿著該刮痕(2)(2a)破裂。或在該陶瓷絕緣層導線(1)(1a)上預先在該陶瓷層(12)(12a)的該剝除處上施予一壓應力(F1)(F5)，該剝除處係在該陶瓷層(12)(12a)上形成破裂，當在該陶瓷絕緣層導線(1)(1a)上給予該剪應力(F2)(F4)後，該陶瓷層(12)(12a)一部分會破裂然後剝落。
綜合上述實施例之說明，當可充分瞭解本發明之操作、使用及本發明產生之功效，惟以上所述實施例僅係為本發明之較佳實施例，當不能以此限定本發明實施之範圍，即依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作簡單的等效變化與修飾，皆屬本發明涵蓋之範圍內。
(1):陶瓷絕緣層導線
(11):導線
(12):陶瓷層
(2):刮痕
(F1):壓應力
(F2):剪應力

Claims (8)

  1. 一種具陶瓷絕緣層導線的剝線方法，該陶瓷絕緣層導線包括一導線及包覆於該導線之一陶瓷層，該陶瓷層包括一緻密底層及一多孔結構層，該緻密底層位在該導線及該多孔結構層之間，該剝線方法包含：對該陶瓷絕緣層導線的一剝除處給予一剪應力；該陶瓷層受該剪應力作用而產生破裂至該陶瓷層的該緻密底層，使該陶瓷層的一部分自該導線脫落。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之具陶瓷絕緣層導線的剝線方法，其中，該陶瓷層另一部分未脫落的該陶瓷層與該導線之間有一間隙。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之具陶瓷絕緣層導線的剝線方法，其中，該剪應力垂直於該陶瓷絕緣層導線方向。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之具陶瓷絕緣層導線的剝線方法，其中，該剪應力傾斜於該陶瓷絕緣層導線方向一角度，該角度介於0.1至80度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之具陶瓷絕緣層導線的剝線方法，其中，更進一步施予一外力將未脫落的該陶瓷層的一部分自該剝除處剝除。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之具陶瓷絕緣層導線的剝線方法，其中，在該陶瓷絕緣層導線上給予該剪應力之前，預先在該陶瓷層的該剝除處上施予一預破壞。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之具陶瓷絕緣層導線的剝線方法，其中，該預破壞係在該陶瓷層上形成一刮痕，當在該陶瓷絕緣層導線上給予該剪應力後，使該陶瓷層沿著該刮痕破裂。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之具陶瓷絕緣層導線的剝線方法，其中，在該剝除處預先施予一壓應力，使該陶瓷層破裂，再給予該剪應力。
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