TWI705618B - 半導體記憶裝置 - Google Patents

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TWI705618B TW108103981A TW108103981A TWI705618B TW I705618 B TWI705618 B TW I705618B TW 108103981 A TW108103981 A TW 108103981A TW 108103981 A TW108103981 A TW 108103981A TW I705618 B TWI705618 B TW I705618B
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Abstract

實施形態提供能夠擴大通信範圍的半導體記憶裝置。 一實施形態的半導體記憶裝置具備:第1環形天線、第2環形天線、控制器。前述第1環形天線基於第1磁場造成的電磁感應使第2磁場產生。前述第2環形天線基於前述第2磁場造成的電磁感應使感應電動勢產生。前述控制器能基於在前述第2環形天線產生的感應電動勢而動作,通過前述第2環形天線,進行與使前述第1磁場產生的第1外部裝置間的通信。

Description

半導體記憶裝置
本發明的實施形態係有關於半導體記憶裝置。
已知具備環形天線,利用基於外部裝置產生的磁場在該環形天線產生的電磁感應,進行與外部裝置間的無線通信的裝置。 因為相對於外部裝置的環形天線的配置,磁力線難以通過環形天線的內部,無線通信有變困難的情形。
實施形態提供能夠擴大通信範圍的半導體記憶裝置。 一實施形態的半導體記憶裝置具備:第1環形天線、第2環形天線、控制器。前述第1環形天線基於第1磁場造成的電磁感應使第2磁場產生。前述第2環形天線基於前述第2磁場造成的電磁感應使感應電動勢產生。前述控制器能基於在前述第2環形天線產生的感應電動勢而動作,通過前述第2環形天線,進行與使前述第1磁場產生的第1外部裝置間的通信。
(第1實施形態) 以下,參照圖1至圖4說明關於第1實施形態。此外,在本說明書中,關於實施形態的構成要素及該要素的說明,有記載複數表現的情形。有複數表現的構成要素及說明,是未記載的其他表現也可以。再來,未有複數表現的構成要素及說明,是未記載的其他表現也可以。 圖1為概略表示第1實施形態的記憶卡11的例示平面圖。記憶卡11為半導體記憶裝置的一例。在本實施形態中,記憶卡11為microSD卡。此外,半導體記憶裝置,例如,是SD卡、多媒體卡、或USB快閃記憶體那種其他的裝置也可以。半導體記憶裝置包含具有半導體晶片的裝置或系統。 如各圖所示,在說明書中定義X軸、Y軸及Z軸。X軸、Y軸、Z軸相互垂直。X軸沿著記憶卡11的寬度制定。Y軸沿著記憶卡11的長度制定。Z軸沿著記憶卡11的厚度制定。 本實施形態的記憶卡11適用無線通信技術。例如,使用13.56MHz頻率的近距離無線通信(Near Field Communication:NFC)適用於記憶卡11。其他的無線通信技術適用於記憶卡11也可以。 適用NFC的記憶卡11藉由電磁感應以無線天線來感應電流。因此,如以下的說明,記憶卡11,例如,具有形成以能稱為線圈狀、螺旋狀、或渦卷狀的形狀的無線天線。 圖2為概略表示包含第1實施形態的記憶卡11的系統的構成的一例的例示區塊圖。如圖2所示,記憶卡11電連接至主機裝置12。主機裝置12為第2外部裝置的一例。再來,記憶卡11與無線通信主機裝置13進行無線通信。無線通信主機裝置13為第1外部裝置的一例。主機裝置12及無線通信主機裝置13分別例如是個人電腦、可攜電腦、智慧手機、行動電話、伺服器、智慧卡、讀取器/寫入器、或其他裝置。 記憶卡11具有:複數介面(I/F)端子22、無線天線23、控制器24、快閃記憶體25。I/F端子22為端子的一例。無線天線23為第2環形天線的一例,例如,也可稱為線圈、或二次線圈。 控制器24包含:無線通信控制器26、記憶體控制器27、橋接控制器28。在本實施形態中,無線通信控制器26、記憶體控制器27、及橋接控制器28分別為個別的電子部件。不過,無線通信控制器26、記憶體控制器27、及橋接控制器28包含於作為一個電子部件的控制器24也可以。又,例如,複數電子部件及配線與程式構成無線通信控制器26、記憶體控制器27、及橋接控制器28的各者也可以。亦即,無線通信控制器26、記憶體控制器27、及橋接控制器28分別藉由一個電子要素、複數電子要素、或一個或者複數電子要素及程式構成也可以。 無線通信控制器26控制記憶卡11與無線通信主機裝置13之間的通信。無線通信控制器26具有記憶部26a。記憶體控制器27控制向快閃記憶體25的資料寫入及讀出。 橋接控制器28控制無線通信控制器26及記憶體控制器27。再來,橋接控制器28控制記憶卡11與主機裝置12間的通信。 記憶卡11若電連接至主機裝置12,記憶卡11會藉由從該主機裝置12供應的電力動作。例如,記憶卡11藉由主機裝置12寫入資料、或藉由主機裝置12讀出資料。 記憶卡11能夠以未連接至主機裝置12那種其他的裝置,且未從該其他裝置供應電力的狀態,與無線通信主機裝置13進行資料的收發。例如,記憶卡11基於電磁感應使無線天線23產生感應電動勢,藉此能夠與無線通信主機裝置13進行資料收發。記憶卡11,例如,以約13.56MHz的頻率進行以NFC規格為準據的通信,在與無線通信主機裝置13之間進行資料的收發。如此,記憶卡11未受到來自主機裝置12的電力供應也能夠動作。 本實施形態的記憶卡11依SD介面而在與主機裝置12之間進行資料收發。記憶卡11利用其他介面在與主機裝置12之間進行資料收發也可以。記憶卡11沿NFC介面在與無線通信主機裝置13之間進行資料收發。記憶卡11利用其他無線通信介面在與無線通信主機裝置13之間進行資料收發也可以。此外,主機裝置12與無線通信主機裝置13是相同裝置也可以。 圖3為概略表示第1實施形態的記憶卡11沿著圖1的F3-F3線的例示剖面圖。如圖3所示,記憶卡11更具有:基板31、中間天線32、保護殼33。中間天線32為第1環形天線的一例,例如,也可稱為線圈、或增壓線圈。 基板31例如為印刷電路板(PCB)。在本實施形態中,基板31例如具有複數層。此外,基板31並不限於此例。基板31具有:第1面31a、第2面31b。 第1面31a為向Z軸的負方向(Z軸的箭頭的相反方向)的略平坦的面。第2面31b位於第1面31a的相反側,為向Z軸的正方向(Z軸的箭頭所示的方向)的略平坦的面。 如圖1所示,記憶卡11及基板31分別形成在Y軸方向延伸的略矩形狀。基板31更具有:第1緣31c、第2緣31d、第3緣31e、第4緣31f。 第1緣31c及第2緣31d分別在X軸方向延伸。第1緣31c相對於第2緣31d在Y軸的正方向(Y軸的箭頭所示的方向)離間。第3緣31e在Y軸方向延伸。第4緣31f大致在Y軸方向延伸。第4緣31f形成缼陷或突起。 第1緣31c及第2緣31d分別比第3緣31e及第4緣31f還短。因此,第1緣31c及第2緣31d形成略矩形的基板31的短邊。第3緣31e及第4緣31f形成略矩形的基板31的長邊。 在基板31設置複數I/F端子22及中間天線32。複數I/F端子22設於第1面31a,鄰接於第1緣31c,沿著第1緣31c排列。本實施形態的I/F端子22為SD介面端子,確保對主機裝置12的電連接。換句話說,I/F端子22能與主機裝置12電連接。 在基板31實裝無線天線23、控制器24、及快閃記憶體25。快閃記憶體25配置於第2面31b之上。無線通信控制器26、記憶體控制器27、及橋接控制器28配置於快閃記憶體25之上,例如藉由引線接合電連接至第2面31b的墊片。此外,無線通信控制器26、記憶體控制器27、及橋接控制器28的實裝不限於此例。 保護殼33,例如,為藉由非磁性體且絕緣體即合成樹脂製作的所謂的模樹脂。保護殼33由其他材料製作也可以。保護殼33覆蓋基板31的第1面31a及第2面31b、無線天線23、控制器24、及外閃記憶體25,形成記憶卡11的外面。 如圖3所示,保護殼33也與記憶卡11及基板31相同,形成在Y軸方向延伸的略矩形狀。保護殼33具有:第1外面33a、第2外面33b、第1緣33c、第2緣33d。第1外面33a為外面的一例。第1外面33a及第2外面33b分別露出記憶卡11的外部,為記憶卡11的外面的一部分。 第1外面33a為向Z軸的負方向的略平坦的面。第2外面33b位於第1外面33a的相反側,為向Z軸的正方向的略平坦的面。第1緣33c及第2緣33d形成略矩形的保護殼33的短邊,向X軸方向延伸。第1緣33c相對於第2緣33d在Y軸的正方向離間。保護殼33的第1緣33c及第2緣33d與基板31的第1緣31c及第2緣31d重疊。此外,第1緣33c及第2緣33d並不限於此例。 複數I/F端子22未被保護殼33覆蓋,在第1外面33a露出。複數I/F端子22鄰接於保護殼33的第1緣33c,沿著第1緣33c排列。又,在第2外面33b,印刷表示例如記憶卡11的容量的影像。 在本實施形態,無線天線23為具有被卷成螺旋狀在X軸方向延伸的線圈的環形天線。無線天線23卷繞在磁性體41周圍。磁性體41形成在X軸方向延伸的略長方體狀。此外,磁性體41形成圓柱狀那種其他形狀也可以。又,省略磁性體41也可以。 螺旋狀的無線天線23的中心Ax1在X軸方向延伸。X軸方向的無線天線23的長度,比Y軸方向的無線天線23的長度還長,且也比Z軸方向的無線天線23的長度還長。此外,無線天線23的尺寸並不限於此例。又,無線天線23的中心Ax1延伸的方向局部地變化也可以。 無線天線23為所謂的晶片天線,在基板31的第2面31b藉由表面實裝而安裝。如圖1所示,無線天線23,鄰接於基板31的第2緣31d及保護殼33的第2緣33d,沿著第2緣31d、33d延伸。因此,無線天線23從複數I/F端子22在Y軸的負方向(Y軸的箭頭的相反方向)離間。 如圖2所示,無線天線23電連接至無線通信控制器26。基於磁力線通過無線天線23的內部造成的電磁感應,無線天線23將感應電動勢供應至無線通信控制器26。藉此,無線天線23基於電磁感應進行與外部裝置間的通信。 如圖1所示,在本實施形態中,中間天線32藉由設於基板31的一個層的導體圖案45形成。導體圖案45藉由銅這種導體作成,在基板31中,例如,形成墊片、配線、孔、及接地線板。此外,中間天線32藉由引線那種其他材料作成也可以。 中間天線32為藉由渦卷狀的導體圖案45形成的環形天線。中間天線32形成略四角形的環狀。此外,中間天線32形成圓環狀那種其他形成也可以。 如圖3所示,中間天線32設於基板31的中間的層,位於第1面31a與第2面31b之間。因此,中間天線32位於無線天線23、與第1外面33a之間。中間天線32,例如,隔介著基板31的絕緣層,從無線天線23離間。 如圖1所示,中間天線32,鄰接於第2緣31d及第3緣31e。中間天線32的一部分與無線天線23的一部分在Z軸方向重疊。此外,中間天線32與無線天線23的位置並不限於此例。 渦卷狀的中間天線32的中心Ax2在Z軸方向延伸。因此,無線天線23的中心Ax1延伸的方向(X軸方向)與中間天線32的中心Ax2延伸的方向(Z軸方向)交叉。無線天線23的中心Ax1延伸的方向與中間天線32的中心Ax2延伸的方向,在本實施形態中雖為垂直,但以比90°還小的角度交叉也可以。 與中心Ax2延伸的方向(Z軸方向)垂直的中間天線32的內側的剖面,比與中心Ax1延伸的方向(X軸方向)垂直的無線天線23的內側的剖面還大。換言之,X-Y平面的中間天線32的內側的剖面,比Y-Z平面的無線天線23的內側的剖面還大。中間天線32的內側的剖面為被渦卷狀的導體圖案45包圍的區域。無線天線23的內側的剖面為被螺旋狀的無線天線23包圍的區域。 如同圖1,在Z軸方向觀察的俯視中,無線天線23與中間天線32交叉。又,在Z軸方向觀察的俯視中,X軸方向的無線天線23的一端部23a位於中間天線32的外緣32a的內側。端部23a為第1端部的一例。外緣32a藉由卷成渦卷狀的無線天線23的最外側的線形成。 X軸方向的無線天線23的另一端部23a位於中間天線32的外緣32a的外側。端部23b為第2端部的一例,位於端部23a的相反側。此外,無線天線23的兩個端部23a、23b都位於中間天線32的外緣32a的外側也可以。 無線天線23的一端部23a比基板31的第4緣31f還更靠近第3緣31e。無線天線23的另一端部23b比第3緣31e還更靠近第4緣31f。在X軸方向,無線天線23的一端部23a與第3緣31e之間的距離,比另一端部23b與第4緣31f之間的距離還長。 如圖2所示,中間天線32從包含I/F端子22、無線天線23、控制器24、及快閃記憶體25的電路C1電性分離。換句話說,中間天線32從無線天線23電性獨立。 中間天線32的端子連接至電容49。藉此,中間天線32形成從電路C1獨立的共振電路C2。此外,中間天線32並不限於此例。例如,形成中間天線32、或連接至中間天線32的導體圖案45,藉由設於基板31的複數層,在複數層的導體圖案45之間形成電容也可以。不限於電容49,由這種導體圖案45形成的電容、或其他電容可以與中間天線32一同形成共振電路C2。 藉由讓磁力線通過中間天線32的內部,在中間天線32產生電磁感應,在中間天線32使電流流動。藉由讓電流在中間天線32流動,中間天線32使通過該中間天線32的內部的磁力線產生。 在適用NFC的本實施形態的記憶卡11中,中間天線32的共振頻率設定成10MHz以上且20MHz以下。例如,中間天線32的共振頻率設定成約13.56MHz。中間天線32的共振頻率,例如,藉由電容49調整。 在以上說明的記憶卡11中,圖2的無線天線23接收到從無線通信主機裝置13發送的電波後,基於電磁感應使電流或電壓產生。無線天線23將產生的電力供應至無線通信控制器26。 本實施形態的無線天線23對應NFC對應的預定頻率或頻帶設定。例如,無線天線23的共振頻率設定成約13.56MHz。 無線天線23將從無線通信主機裝置13接收到的資料送至無線通信控制器26。再來,無線天線23將從無線通信控制器26接收到的資料送至無線通信主機裝置13。 無線通信控制器26能通過無線天線23與無線通信主機裝置13通信。無線通信控制器26控制使用相對於無線通信主機裝置13的無線天線23的NFC。 無線通信控制器26能藉由基於上述電磁感應在無線天線23產生的電力動作。無線通信控制器26接收以基於來自無線通信主機裝置13的電波在無線天線23產生的電流或電壓所表示的信號或資料,因應該信號或資料動作。例如,無線通信控制器26在動作時,從無線通信主機裝置13通過無線天線23以對應NFC的預定頻率接收資料,將資料寫入記憶部26a。又,無線通信控制器26在動作時,將寫入記憶部26a的資料讀出,通過無線天線23將該資料送至無線通信主機裝置13。更具體來說,無線通信控制器26通過無線天線23接收到對應NFC的預定頻率的信號後,能夠進行NFC的通信。 橋接控制器28能通過I/F端子22與主機裝置12通信。對快閃記憶體25寫入時,橋接控制器28將從主機裝置12通過I/F端子22接收到的資料,送至記憶體控制器27。對快閃記憶體25讀出時,橋接控制器28將從記憶體控制器27接收到的資料,通過I/F端子22送至主機裝置12。 例如記憶卡11電連接至主機裝置12時,對無線通信控制器26供應充足的電力。此時,無線通信控制器26將從無線通信主機裝置13通過無線天線23藉由NFC接收到的資料,通過橋接控制器28及記憶體控制器27,寫入快閃記憶體25也可以。 對無線通信控制器26供應充足的電力時,無線通信控制器26將寫入快閃記憶體25的資料,通過橋接控制器28及記憶體控制器27讀出,生成資料,將該資料寫入記憶部26a也可以。 對無線通信控制器26供應充足的電力時,無線通信控制器26將寫入快閃記憶體25的資料的一部分或全部,通過橋接控制器28及記憶體控制器27讀出,將讀出的資料通過無線天線23發送至無線通信主機裝置13也可以。 記憶部26a為能藉由在無線天線23產生的電力動作的低電力消耗記憶體。對記憶部26a的資料的寫入及讀出的消耗電力,比對快閃記憶體25的資料的寫入及讀出的消耗電力還少。 記憶部26a例如為非揮發性記憶體。記憶部26a基於無線通信控制器26的控制記憶資料。此外,記憶部26a是將資料暫時記憶的記憶體也可以。記憶部26a例如為EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read‐Only Memory)。記憶部26a是其他的記憶體也可以。 如同上述,無線通信控制器26及記憶部26a能藉由因來自無線通信主機裝置13的電波在無線天線23感應的電力動作。不過,無線通信控制器26及記憶部26a,在記憶卡11從主機裝置12供應電力時,藉由從主機裝置12供應的電力動作也可以。 快閃記憶體25例如為NAND型快閃記憶體。此外,記憶卡11,取代快閃記憶體25,具有NOR型快閃記憶體、磁阻記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory:MRAM)、相變化記憶體(Phase change Random Access Memory:PRAM)、電阻變化型記憶體(Resistive Random Access Memory:ReRAM)、或強介電體記憶體(Ferroelectric Random Access Memory:FeRAM)這些其他的非揮發性記憶體也可以。 記憶體控制器27控制向快閃記憶體25的資料寫入及讀出。更具體來說,記憶體控制器27從主機裝置12通過I/F端子22及橋接控制器28接收到寫入命令及資料時,將該資料寫入快閃記憶體25。記憶體控制器27從主機裝置12通過I/F端子22及橋接控制器28接收到讀出命令時,從快閃記憶體25將資料讀出,將該資料通過橋接控制器28及I/F端子22送至主機裝置12。 例如記憶卡11電連接至主機裝置12時,對記憶體控制器27供應充足的電力。此時,記憶體控制器27將從無線通信主機裝置13通過無線天線23、無線通信控制器26、及橋接控制器28接收到的資料,寫入快閃記憶體25也可以。對記憶體控制器27供應充足的電力時,記憶體控制器27將從快閃記憶體25讀出的資料,通過橋接控制器28、無線通信控制器26、及無線天線23,向無線通信主機裝置13發送也可以。 快閃記憶體25及記憶體控制器27藉由從主機裝置12供應的電力動作。 上述資料,例如,為依照NFC介面在無線通信主機裝置13與記憶卡11之間發送及接收的資料也可以、寫入快閃記憶體25的資料的特徵資料也可以、從無線通信主機裝置13通過無線天線23而被無線通信控制器26接收的特徵資料也可以、關於快閃記憶體25的特徵資料也可以、關於記憶卡11的特徵資料也可以。更具體地說明,資料,例如,為寫入快閃記憶體25的影像資料之中的一部分(例如最初或最後)的資料、縮圖資料、寫入快閃記憶體25的資料的管理資訊、快閃記憶體25的記憶體容量、快閃記憶體25的剩下容量、寫入快閃記憶體25的檔案的名稱、資料的生成時間、資料為影像資料時寫入攝影時間資料、快閃記憶體25的檔案數也可以。 在本實施形態中,來自主機裝置12的寫入指示及資料,首先,被橋接控制器28接收,之後,被記憶體控制器27接收。這是因為,首先,橋接控制器28判斷寫入指示及資料是從主機裝置12接收、或是從無線通信主機裝置13接收,因為該判斷結果切換動作。 在本實施形態中,例如,記憶卡11與無線通信主機裝置13,收發關於對快閃記憶體25的資料的寫入及讀入的許可或禁止的資料(以下,稱為鎖定功能的資料)。記憶部26a記憶鎖定機能的資料。此外,記憶卡11及記憶部26a不以此例為限。 無線通信控制器26基於從無線通信主機裝置13接收到的資料,將鎖定功能的資料寫入記憶部26a。橋接控制器28從主機裝置12接收到資料時,參照記憶於記憶部26a的鎖定功能的資料。橋接控制器28在被禁止對快閃記憶體25的資料的寫入及讀入禁止時,不進行與記憶體控制器27之間的資料收發。橋接控制器28在被禁止對快閃記憶體25的資料的寫入及讀入禁止時,不進行與記憶體控制器27之間的資料收發。 以下,詳細說明關於無線天線23的電磁感應。圖4為概略表示第1實施形態的記憶卡11及無線通信主機裝置13的例示斜視圖。如圖4所示,無線通信主機裝置13具有天線13a。天線13a,例如,也能稱為一次線圈。 天線13a,例如,為渦卷狀的環形天線。天線13a形成大致四角形的環狀。此外,天線13a形成圓環狀那種其他形狀也可以。天線13a的內側的剖面比中間天線32的內側的剖面還大。此外,天線13a的大小並不限於此例。 天線13a,例如,藉由發送電波,使具有約13.56MHz的頻率的第1磁場M1產生。此外,無線通信主機裝置13的天線13a僅使第1磁場M1產生也可以。圖4及圖3示意地將第1磁場M1的磁力線以箭頭表示。通常,第1磁場M1的磁力線通過天線13a的內部,從天線13a擴大成略放射狀。 與無線通信主機裝置13進行無線通信時,記憶卡11,以天線13a的中心延伸的方向與中間天線32的中心Ax2延伸的方向成為略平行的方式,配置於天線13a的上方。例如,記憶卡11相對於天線13a配置於圖4的第1位置P1或第2位置P2。 從Z軸方向俯視時,第1位置P1的記憶卡11的無線天線23與天線13a交叉。此時,第1磁場M1的磁力線能夠通過無線天線23的內部。 基於第1磁場M1的磁力線通過無線天線23的內部造成的電磁感應,無線天線23使感應電動勢產生。無線通信控制器26基於在無線天線23產生的感應電動勢動作,通過無線天線23進行與無線通信主機裝置13間的通信。 另一方面,從Z軸方向俯視時,第2位置P2的記憶卡11的無線天線23與天線13a平行延伸。此時,無線天線23的中心Ax1與第1磁場M1的磁力線垂直,第1磁場M1的磁力線難以通過無線天線23的內部。即便藉由第1磁場M1的磁力線在無線天線23產生電磁感應,為了無線通信控制器26的動作感應電動勢仍有不充分的情形。 無線天線23在X軸方向長長地卷曲。因此,無線天線23例如指向性比中間天線32還強,第1磁場M1的磁力線難以通過內部。又,無線天線23在基板31之上的専有面積小。 如圖3所示,第1磁場M1的磁力線能夠通過中間天線32的內部。再來,中間天線32藉由共振能夠集中第1磁場M1的磁力線。藉由通過中間天線32內部的第1磁場M1的磁力線,在中間天線32產生電磁感應。 基於電磁感應在中間天線32流動電流的話,中間天線32使第2磁場M2產生。圖3示意地將第2磁場M2的磁力線以箭頭表示。第2磁場M2的磁力線通過中間天線32的內部,從中間天線32擴大成略放射狀。 從Z軸方向俯視時,無線天線23與中間天線32交叉。因此,第2磁場M2的磁力線能夠通過無線天線23的內部。基於第2磁場M2的磁力線通過無線天線23的內部造成的電磁感應,無線天線23使感應電動勢產生。亦即,在中間天線32產生電磁感應後,在無線天線23連鎖地產生電磁感應。無線通信控制器26基於在無線天線23產生的感應電動勢動作,通過無線天線23進行與無線通信主機裝置13間的通信。 再來,第1磁場M1的磁力線,因為共振,通過中間天線32的內部,以從中間天線32擴大成放射狀的方式變更方向。變更方向的第1磁場M1的磁力線能夠通過無線天線23的內部。因此,無線天線23內部的磁力線密度增大,無線天線23中的感應電動勢能增大。 如同以上,無線天線23能夠在與無線通信主機裝置13的天線13a之間直接收發電波及磁場,同時也能夠在與天線13a之間通過中間天線32間接收發電波及磁場。亦即,記憶卡11除了在以無線天線23產生電磁感應的位置以外,在以中間天線32產生電磁感應的位置,也能夠在與無線通信主機裝置13之間進行通信。 記憶卡11,例如,也有以收容在主機裝置12的連接器的狀態,在與其他無線通信主機裝置13之間進行通信的情形。此時,因為中間天線32被主機裝置12及連接器的金屬框體覆蓋,第1磁場M1的磁力線難以通過中間天線32的內部。但是,無線天線23位於連接器的開口端附近。因此,第1磁場M1的磁力線能夠通過無線天線23的內部,記憶卡11能夠在與無線通信主機裝置13之間進行通信。 例如記憶卡11電連接至主機裝置12,對無線通信控制器26供應充足的電力時,無線通信控制器26作為讀取器/寫入器作用也可以。此時,無線通信控制器26將表示信號或資料的電流或電壓供應至無線天線23。藉此,無線天線23例如藉由發送電波,使第3磁場M3產生。 中間天線32基於第3磁場M3造成的電磁感應,使第2磁場M2產生。藉由第2磁場M2在天線13a產生電磁感應後,無線通信主機裝置13接收在天線13a產生的以電流或電壓表示的信號或資料,因應該信號或資料動作。 在以上說明的第1實施形態的記憶卡11中,中間天線32基於第1磁場M1造成的電磁感應使第2磁場M2產生。無線天線23基於第2磁場M2造成的電磁感應使感應電動勢產生。控制器24的無線通信控制器26能基於在無線天線23產生的感應電動勢動作,通過無線天線23進行與無線通信主機裝置13間的通信。亦即,中間天線32將第1磁場M1,變換成適合無線天線23的電磁感應的第2磁場M2。在本實施形態中,中間天線32進行方向不同的第1磁場M1與第2磁場M2之間的變換。藉此,與缺少中間天線32的情形相比,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 第2環形天線能基於第1磁場M1造成的電磁感應使感應電動勢產生。亦即,無線通信控制器26,在第1磁場M1的磁力線直接通過無線天線23的內部時、以及因為第1磁場M1的磁力線通過中間天線32內部而該中間天線32使第2磁場M2產生,該第2磁場M2的磁力線通過無線天線23內部時的兩種情形中,能進行與無線通信主機裝置13的通信。藉此,與缺少中間天線32的情形相比,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 如同第1位置P1,無線天線23的中心Ax1延伸的方向與天線13a之線平行延伸,無線天線23的中心Ax1延伸的方向與第1磁場M1的磁力線的方向垂直時,磁力線難以通過無線天線23內部,在無線天線23難以產生電磁感應。在本實施形態中,中間天線32的中心Ax2延伸的方向與無線天線23的中心Ax1延伸的方向交叉。藉此,能夠在中間天線32與無線天線23之中的至少一者的內部讓第1磁場M1的磁力線通過,在中間天線32與無線天線23之中至少一者產生電磁感應。藉此,控制器24能更確實地進行與無線通信主機裝置13間的通信,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 在中間天線32的中心Ax2延伸的方向觀察的俯視中,無線天線23的一端部23a位於中間天線32的外緣32a的內側。藉此,通過中間天線32的內部的第2磁場M2的磁力線,容易從無線天線23的一端部23a進入該無線天線23的內部,容易在無線天線23產生電磁感應。又,藉由無線天線23產生的第3磁場M3的磁力線,容易進入中間天線32的內部。藉此,控制器24能更確實地進行與無線通信主機裝置13間的通信,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 與中間天線32的中心Ax2延伸的方向垂直的該中間天線32的內側的剖面,比與無線天線23的中心Ax1延伸的方向垂直的該無線天線23的內側的剖面還大。藉此,第1磁場M1的磁力線容易通過中間天線32內部,在中間天線32容易產生電磁感應。藉此,控制器24能更確實地進行與無線通信主機裝置13間的通信,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 中間天線32從無線天線23相互電性分離。藉此,例如,即便中間天線32被導電體覆蓋,第1磁場M1的磁力線若通過無線天線23的內部,則控制器24能與無線通信主機裝置13進行通信。因此,抑制了記憶卡11的通信範圍的減少。 中間天線32位於無線天線23與複數I/F端子22露出的第1外面33a之間。microSD卡即記憶卡11一般以朝向設置I/F端子22的第1外面33a從下方向的使用者遠離的方向被採用。因此,使用者以第1外面33a朝向無線通信主機裝置13的方式採用記憶卡11。藉由這樣的採用,中間天線32配置於無線天線23與無線通信主機裝置13之間。藉由無線通信主機裝置13產生的第1磁場M1的磁力線,例如藉由共振,通過中間天線32的內部,以從中間天線32擴大成放射狀的方式變更方向。因為變更方向的第1磁場M1的磁力線、與中間天線32產生的第2磁場M2的磁力線通過無線天線23的內部,在無線天線23產生電磁感應,控制器24能與無線通信主機裝置13進行通信。因此,因為中間天線32變更第1磁場M1的磁力線的方向,無線天線23內部的磁力線密度增大,無線天線23能夠確實地產生電磁感應。藉此,控制器24能更確實地進行與無線通信主機裝置13間的通信,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 設於基板31的導體圖案45形成中間天線32。藉此,能夠不增加部件的件數而設置中間天線32,抑制了記憶卡11的成本增加。 無線天線23實裝於基板31。藉此,例如,容易將無線天線23以該無線天線23的中心Ax1延伸的方向與中間天線32的中心Ax2延伸的方向相互交叉的方式配置。 中間天線32的共振頻率為10MHz以上且20MHz以下。以NFC規格為準據的磁場的頻率為13.56MHz。因此,中間天線32因為在具有以NFC規格為準據的頻率(13.56MHz)的第1磁場M1共振,容易使該第1磁場M1的磁力線集中。藉此,因為第1磁場M1中間天線32容易產生第2磁場M2,控制器24能更確實地進行與無線通信主機裝置13間的通信,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 在Z軸方向觀察的俯視中,在中間天線32的內側,存在接合墊片那種導體也可以。即便存在導體,因為第1磁場M1的磁力線通過中間天線32內部,在中間天線32產生電磁感應。 (第2實施形態) 以下,有關第2實施形態參照圖5作說明。此外,在以下複數實施形態的說明中,具有與已說明的構成要素同樣的機能的構成要素,有與該既述的構成要素附加相同符號,並省略說明情形。又,附加相同符號的複數構成要素,不限於全部的機能及性質共通,具有因應各實施形態的不同機能及性質也可以。 圖5為概略表示第2實施形態的記憶卡11的例示斜視圖。如圖5所示,在第2實施形態中,記憶卡11更具有薄膜51。薄膜51,例如,也能稱為密封體。 薄膜51例如可藉由合成樹脂製作,但也可以由紙那種其他材料製作。在第2實施形態中,中間天線32設於薄膜51。再來,圖2的電容49也設於薄膜51,連接至中間天線32的端子。 薄膜51,例如,藉由塗佈於該薄膜51的黏接劑,貼附於保護殼33的第1外面33a。此外,薄膜51藉由兩面賿帶那種其他的手段貼附於第1外面33a也可以。 在以上說明的第2實施形態的記憶卡11中,設置中間天線32的薄膜51貼附於露出I/F端子22的第1外面33a。藉此,能夠容易設置中間天線32。再來,能夠容易在中間天線32與無線天線23之間設置適切的距離,中間天線32產生的第2磁場M2的磁力線容易通過無線天線23的內部。藉此,控制器24能更確實地進行與無線通信主機裝置13間的通信,能夠擴大半導體記憶裝置的通信範圍。 (第3實施形態) 以下,有關第3實施形態參照圖6作說明。圖6為意示地表示第3實施形態的中間天線32的例示斜視圖。如圖6所示,中間天線32具有:複數第1部分61、複數第2部分62、複數第3部分63。 第1部分61藉由設於基板31的第1層65的導體圖案45形成。第2部分62藉由設於基板31的第2層66的導體圖案45形成。第3部分63藉由設於基板31的第3層67的導體圖案45形成。 第2層66位於第1層65與第3層67之間。此外,在第1層65與第2層66之間、或第2層66與第3層67之間介在有其他層也可以。複數第2部分62分別與第1部分61及第3部分63藉由孔68電連接。 藉由孔68相互連接的複數第1部分61、複數第2部分62、及複數第3部分63形成串聯連接的複數線圈69。換句話說,中間天線32包含複數線圈69。複數線圈69在X-Y平面上配置成矩陣狀。此外,複數線圈69的配置並不限於此例。 複數線圈69藉由第1部分61、第2部分62、及第3部分63形成。藉由將第1部分61、第2部分62、及第3部分63設於基板31的第1層65、第2層66、及第3層67,線圈69形成螺旋狀。此外,複數線圈69形成渦卷狀也可以。 第1磁場M1的磁力線通過複數線圈69的任一者的內部後,在包含複數線圈69的中間天線32產生電磁感應。藉此,複數線圈69使第2磁場M2產生。 在以上說明的第3實施形態的記憶卡11中,無線天線23包含串聯連接的複數線圈69。藉此,與由大的一個線圈形成的無線天線23設於基板31的中間層的情形相比,無線天線23的內部空間較小。因此,能在無線天線23的內部,抑制在基板31的氣泡產生,抑制了記憶卡11的良率降低。 (第4實施形態) 以下,有關第4實施形態參照圖7作說明。圖7為概略表示第4實施形態的記憶卡11的例示平面圖。如圖7所示,第4實施形態的記憶卡11具有二個中間天線32。二個中間天線32相互電性分離。二個中間天線32分別形成個別的共振電路C2。 在Z軸方向觀察的俯視中,無線天線23的一端部23a位於一中間天線32的外緣32a的內側。無線天線23的另一端部23b位於另一中間天線32的外緣32a的內側。 以上說明的第4實施形態的記憶卡11具有相互電性分離的二個中間天線32。在Z軸方向觀察的俯視中,無線天線23的一端部23a位於一中間天線32的外緣32a的內側,另一端部23b位於另一中間天線32的外緣32a的內側。藉此,二個中間天線32之中一者的內部有第1磁場M1的磁力線通過的話,能在無線天線23的內部產生電磁感應。藉此,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 (第5實施形態) 以下,有關第5實施形態參照圖8作說明。圖8為概略表示設置第5實施形態的基板31的中間天線32的層的例示平面圖。在圖8中,無線天線23以二點鏈線表示。 圖8所示,第5實施形態的中間天線32設計成比第1實施形態的中間天線32還大。例如,X軸方向的中間天線32的長度,比X軸方向的無線天線23的長度還長。藉由將中間天線32設計成更大,中間天線32的內側剖面會變更大,中間天線32電感會增大。藉此,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 中間天線32具有由導體圖案45形成的導線71。導線71具有:第1延部71a、第2延部71b、第3延部71c、第4延部71d。第1延部71a為導線的一部分的一例。 第1延部71a鄰接於基板31的第2緣31d及保護殼33的第2緣33d,沿著第2緣31d、33d在X軸方向延伸。第2延部71b從第1延部71a在Y軸的正方向離間,在X軸方向延伸。 第3延部71c及第4延部71d在第1延部71a與第2延部71b之間,在Y軸方向延伸。第3延部71c鄰接於基板31的第3緣31e,沿著第3緣31e延伸。第4延部71d從第3延部71c在X軸的正方向(X軸的箭頭表示的方向)離間。藉由第1至第4延部71a、71b、71c、71d,中間天線32形成略四角形的環狀。此外,中間天線32的形狀並不限於此例。 無線天線23位於第1延部71a的附近。在本實施形態中,無線天線23沿著第1延部71a延伸,並且在中間天線32的中心Ax2延伸的方向觀察的俯視中,重疊於第1延部71a的一部分。此外,無線天線23在中間天線32的中心Ax2延伸的方向觀察的俯視中,從第1延部71a離間也可以。 在中間天線32的中心Ax2延伸的方向觀察的俯視中,無線天線23的一端部23a位於中間天線32的外緣32a的內側。此外,端部23a的一部分位於外緣32a的內側,端部23a的另一部分位於外緣32a的外側也可以。再來,在中間天線32的中心Ax2延伸的方向觀察的俯視中,無線天線23的另一端部23b位於中間天線32的外緣32a的內側。 無線天線23的一端部23a與導線71之間的距離,比另一端部23b與導線71之間的距離還短。例如,端部23a與第3延部71c之間的距離L1,比端部23b與第4延部71d之間的距離L2還短。此外,距離L1、L2並不限於此例。 中間天線32的中心Ax2延伸的方向觀察的俯視中,重疊於第1延部71a的無線天線23的長度L3,比無線天線23的端部23b與導線71之間的距離L2還短。此外,距離L2及長度L3並不限於此例。 導線71包含:複數第1導線75、複數第2導線76。第2導線76比第1導線75還粗。第1導線75與第2導線76交互連接,形成渦卷狀的中間天線32。 導線71的第1延部71a藉由第1導線75形成。第2延部71b藉由第2導線76形成。第3延部71c及第4延部71d分別藉由第1導線75及第2導線76形成。 導體圖案45除了中間天線32以外,還形成複數假圖案81。假圖案81在中間天線32的內側,隔著相互的間隔配置成格子狀(矩陣狀)。 複數假圖案81相互電性分離,從圖2的電路C1及共振電路C2電性分離。此外,假圖案81,例如,電連接至其他假圖案81那種其他導體也可以。 假圖案81例如形成略圓形。此外,假圖案81是其他形狀也可以。相鄰的假圖案81之間的距離比假圖案81的直徑還長。因此,中間天線32的內側的假圖案81的密度,比中間天線32的內側的非磁性體的密度還低。中間天線32的內側的假圖案81的密度,例如,因應中間天線32的通信性能設定。 藉由設置假圖案81,抑制了在基板31形成氣泡。再來,藉由設置假圖案81,提升了基板31的強度,並且基板31的第1面31a及第2面31b能更平坦地形成。 在以上說明的第5實施形態的記憶卡11中,無線天線23位於中間天線32的導線71的附近。亦即,無線天線23配置於中間天線32產生的第2磁場M2的磁力線密度高的位置。藉此,因為無線天線23產生的感應電動勢增大,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 無線天線23沿著導線71的第1延部71a延伸,並且在中間天線32的中心Ax2延伸的方向觀察的俯視中,重疊於第1延部71a。亦即,無線天線23配置於中間天線32產生的第2磁場M2的磁力線密度更高的位置。藉此,因為無線天線23產生的感應電動勢增大,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 在導線71的附近產生的第2磁場M2的磁力線,從無線天線23的卷線的間隙進入無線天線23的內部。再來,藉由磁性體41,第2磁場M2的磁力線,容易進入無線天線23的內部。因此,在第1延部71a的附近產生的第2磁場M2的磁力線,在無線天線23使基於電磁感應的感應電動勢產生。因為越接近導線71則第2磁場M2的磁力線密度越高,配置於導線71的附近的無線天線23的卷線的間隙,能有更多的第2磁場M2的磁力線進入。因此,重疊於第1延部71a的本實施形態的無線天線23,能使更大的感應電動勢產生。 在中間天線32的中心Ax2延伸的方向觀察的俯視中,無線天線23的端部23a的至少一部分位於中間天線32的外緣32a的內側,端部23b位於中間天線32的外緣32a的外側。藉此,進入端部23a的第2磁場M2的磁力線變得更多,且進入端部23b的第2磁場M2的磁力線變得更少。因此,能夠抑制在無線天線23,從端部23a進入的磁力線造成的感應電動勢、與從端部23b進入的磁力線造成的感應電動勢相互抵消。因為被抵消的感應電動勢降低,在無線天線23產生同時使控制器24動作的感應電動勢增大,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 端部23a與導線71之間的距離L1,比端部23b與導線71之間的距離L2還短。藉此,進入端部23a的第2磁場M2的磁力線變得更多,且進入端部23b的第2磁場M2的磁力線變得更少。因此,能夠抑制在無線天線23,從端部23a進入的磁力線造成的感應電動勢、與從端部23b進入的磁力線造成的感應電動勢相互抵消。因為被抵消的感應電動勢降低,在無線天線23產生同時使控制器24動作的感應電動勢增大,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 中間天線32的中心Ax2延伸的方向觀察的俯視中,重疊於第1延部71a的無線天線23的長度L3,比端部23b與導線71之間的距離L2還長。藉此,無線天線23的更多的部分,配置於第2磁場M2的磁力線密度更高的位置。藉此,因為無線天線23產生的感應電動勢增大,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 導線71包含:第1導線75、比該第1導線75還粗的第2導線76。藉此,降低了第2導線76的電阻,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。再來,能夠藉由第1導線75使中間天線32的內側剖面及電感增大,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 (第6實施形態) 以下,有關第6實施形態參照圖9作說明。圖9為概略表示設置第6實施形態的基板31的中間天線32的層的例示平面圖。如圖9所示,第6實施形態的導線71具有凹部71e。 凹部71e為向中間天線32的內側凹陷的導線71的一部分。凹部71e設於第1延部71a與第4延部71d的角。因此,藉由在導線71設置凹部71e,第1延部71a及第4延部71d各者的長度,比第5實施形態中的第1延部71a及第4延部71d各者的長度還短。 在中間天線32的中心Ax2延伸的方向觀察的俯視中,無線天線23的至少一部分與凹部71e交叉。在別的表現中,在中間天線32的中心Ax2延伸的方向觀察的俯視中,無線天線23橫斷凹部71e而延伸。 藉由凹部71e形成區域R。區域R為在基板31於中間天線32的外緣32a的外側,被凹部71e包圍的區域。圖9將區域R以二點鏈線假想地表示。 無線天線23的端部23b位於區域R。藉此,端部23b與導線71之間的距離L2,能比第5實施形態的距離L2還長。此外,藉由無線天線23通過區域R而端部23b位於區域R之外,使距離L2又更長也可以。 本實施形態的X軸方向的無線天線23的長度及中間天線32的長度,與第5實施形態的X軸方向的無線天線23的長度及中間天線32的長度相同。不過,因為導線71具有凹部71e,距離L2被設定成更長。 在以上說明的第6實施形態的記憶卡11中,導線71具有向中間天線32的內側凹陷的凹部71e。在中間天線32的中心Ax2延伸的方向觀察的俯視中,無線天線23的至少一部分與凹部71e交叉。因此,端部23b能配置於由凹部71e形成的區域R、或無線天線23能配置於通過該區域R而端部23b從導線71離間的位置。因此,即便例如在記憶卡11中配線及實裝有面積上的限制時,也能夠將端部23b配置於中間天線32的外緣32a的外側。又,凹部71e雖使中間天線32的內側剖面縮小,但導線71的其他部分能配置成比中間天線32的內側剖面更大。因此,中間天線32的內側剖面及電感增大,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 在第1、2、4、5、6實施形態中,中間天線32設成一層。但是,中間天線32設成複數層也可以。因此,即便例如在記憶卡11中配線及實裝有面積上的限制時,也能夠增加中間天線32的卷數,並且抑制中間天線32的內側剖面縮小。藉此,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 在以上說明的複數實施形態中,無線天線23為晶片天線,中間天線32藉由基板31的導體圖案45形成。不過,無線天線23與中間天線32一樣藉由設於基板31的導體圖案45形成也可以。又,中間天線32與無線天線23一樣是實裝於基板31的晶片天線也可以。在此情形中也一樣,無線通信控制器26,在第1磁場M1的磁力線直接通過無線天線23的內部時、以及因為第1磁場M1的磁力線通過中間天線32內部而該中間天線32使第2磁場M2產生,該第2磁場M2的磁力線通過無線天線23內部時的兩種情形中,能進行與無線通信主機裝置13的通信。藉此,與缺少中間天線32的情形相比,能夠擴大記憶卡11的通信範圍。 根據以上說明的至少一個實施形態,第1環形天線基於第1磁場造成的電磁感應使第2磁場產生。第2環形天線基於第2磁場造成的電磁感應使感應電動勢產生。控制器能基於在第2環形天線產生的感應電動勢而動作,進行與通過第2環形天線的第1外部裝置間的通信。亦即,第1環形天線將第1磁場,變換成適合第2環形天線的電磁感應的第2磁場。藉此,與缺少第1環形天線的情形相比,能夠擴大半導體記憶裝置的通信範圍。 雖已說明了本發明的幾個實施形態,但該等實施形態僅作為例示,並沒有要限定本發明的範圍。該等新穎的實施形態,也可以利用於其他各種形態來實施,在不脫離發明要旨的範圍內,可以進行各種省略、置換、變更。該等實施形態及其變形,在包含於發明的範圍及要旨中的同時,也包含申請專利範圍中所記載之發明的均等範圍。
11‧‧‧記憶卡 12‧‧‧主機裝置 13‧‧‧無線通信主機裝置 22‧‧‧I/F端子 23‧‧‧無線天線 23a‧‧‧端部 24‧‧‧控制器 31‧‧‧基板 32‧‧‧中間天線 32a‧‧‧外緣 33‧‧‧保護殼 33a‧‧‧第1外面 33c‧‧‧第1緣 33d‧‧‧第2緣 45‧‧‧導體圖案 51‧‧‧薄膜 69‧‧‧線圈 71‧‧‧導線 71a‧‧‧第1延部 71e‧‧‧凹部 75‧‧‧第1導線 76‧‧‧第2導線 Ax1、Ax2‧‧‧中心 M1‧‧‧第1磁場 M2‧‧‧第2磁場 L1、L2‧‧‧距離 L3‧‧‧長度
圖1為概略表示第1實施形態的記憶卡的例示平面圖。 圖2為概略表示包含第1實施形態的記憶卡系統的構成的一例的例示區塊圖。 圖3為概略表示第1實施形態的記憶卡沿著圖1的F3-F3線的例示剖面圖。 圖4為概略表示第1實施形態的記憶卡及無線通信主機裝置的例示斜視圖。 圖5為概略表示第2實施形態的記憶卡的例示斜視圖。 圖6為意示地表示第3實施形態的中間天線的例示斜視圖。 圖7為概略表示第4實施形態的記憶卡的例示平面圖。 圖8為概略表示設置第5實施形態的基板的中間天線的層的例示平面圖。 圖9為概略表示設置第6實施形態的基板的中間天線的層的例示平面圖。
11‧‧‧記憶卡
22‧‧‧I/F端子
23‧‧‧無線天線
23a‧‧‧端部
23b‧‧‧端部
24‧‧‧控制器
25‧‧‧快閃記憶體
26‧‧‧無線通信控制器
27‧‧‧記憶體控制器
28‧‧‧橋接控制器
31‧‧‧基板
31b‧‧‧第2面
31c‧‧‧第1緣
31d‧‧‧第2緣
31e‧‧‧第3緣
31f‧‧‧第4緣
32‧‧‧中間天線
32a‧‧‧外緣
33‧‧‧保護殼
33b‧‧‧第2外面
33c‧‧‧第1緣
33d‧‧‧第2緣
41‧‧‧磁性體
45‧‧‧導體圖案
Ax1、Ax2‧‧‧中心

Claims (19)

  1. 一種半導體記憶裝置,具備:基於第1磁場造成的電磁感應使第2磁場產生的第1環形天線;基於前述第2磁場造成的電磁感應使感應電動勢產生的第2環形天線;能基於在前述第2環形天線產生的感應電動勢而動作,通過前述第2環形天線,進行與使前述第1磁場產生的第1外部裝置間的通信的控制器前述第1環形天線的中心延伸的方向,與前述第2環形天線的中心延伸的方向交叉。
  2. 如請求項1的半導體記憶裝置,其中,前述第2環形天線能夠基於前述第1磁場造成的電磁感應使感應電動勢產生。
  3. 如請求項1的半導體記憶裝置,其中,在前述第1環形天線的中心延伸的方向觀察的俯視中,前述第2環形天線的一端部位於前述第1環形天線的外緣的內側。
  4. 如請求項1或請求項2的半導體記憶裝置,其中,與前述第1環形天線的中心延伸的方向垂直的該第1環形天線的內側的剖面,比與前述第2環形天線的中心延伸的方向垂直的該第2環形天線的內側的剖面還大。
  5. 如請求項1或請求項2的半導體記憶裝置,其中,前述第1環形天線與前述第2環形天線相互電性分離。
  6. 如請求項1或請求項2的半導體記憶裝置,更具備:具有外面,且覆蓋前述控制器的保護殼;在前述外面露出的複數端子;其中,前述控制器通過前述端子進行與第2外部裝置間的通信;前述第1環形天線位於前述第2環形天線與前述外面之間。
  7. 如請求項1或請求項2的半導體記憶裝置,更具備:設有導體圖案的基板;前述控制器,實裝於前述基板;前述導體圖案形成前述第1環形天線。
  8. 如請求項7的半導體記憶裝置,其中,前述第1環形天線包含串聯連接的複數線圈。
  9. 如請求項7的半導體記憶裝置,其中,前述第2環形天線實裝於前述基板。
  10. 如請求項1或請求項2的半導體記憶裝置,更具備:具有外面,且覆蓋前述控制器的保護殼;在前述外面露出的複數端子;設有前述第1環形天線的薄膜;其中,前述控制器通過前述端子進行與第2外部裝置間的通信;前述薄膜貼附於前述外面。
  11. 如請求項1或請求項2的半導體記憶裝置,其中,前述第1環形天線的共振頻率為10MHz以上且20MHz以下。
  12. 如請求項1的半導體記憶裝置,其中,前述第2環形天線位於前述第1環形天線的導線的附近。
  13. 如請求項12的半導體記憶裝置,其中,在前述第2環形天線沿著前述導線的一部分延伸,並在前述第1環形天線的中心延伸的方向觀察的俯視中,與該導線的一部分重疊。
  14. 如請求項13的半導體記憶裝置,其中,前述第2環形天線具有:第1端部、位於前述第1端部的相反側的第2端部;在前述第1環形天線的中心延伸的方向觀察的俯視 中,前述第1端部的至少一部分位於前述第1環形天線的外緣的內側,前述第2端部位於前述第1環形天線的外緣的外側。
  15. 如請求項14的半導體記憶裝置,其中,前述第1端部與前述導線之間的距離,比前述第2端部與前述導線之間的距離還短。
  16. 如請求項14的半導體記憶裝置,其中,在前述第1環形天線的中心延伸的方向觀察的俯視中與前述導線的一部分重疊的前述第2環形天線的長度,比前述第2端部與前述導線之間的距離還長。
  17. 如請求項14的半導體記憶裝置,其中,前述導線具有向前述第1環形天線的內側凹陷的凹部;在前述第1環形天線的中心延伸的方向觀察的俯視中,前述第2環形天線的至少一部分與前述凹部交叉。
  18. 如請求項12的半導體記憶裝置,其中,前述導線包含:第1導線、以及比前述第1導線還粗的第2導線。
  19. 一種半導體記憶裝置,具備:具有外面、第1緣、及位於前述第1緣的相反側的第2緣的保護殼;在前述外面露出,沿著前述第1緣排列的複數端子; 第1環形天線;沿著前述第2緣延伸的第2環形天線;被前述保護殼覆蓋,通過前述第2環形天線進行與第1外部裝置間的通信,且通過前述端子進行與第2外部裝置間的通信的控制器;其中,前述第1環形天線的中心延伸的方向,與前述第2環形天線的中心延伸的方向交叉;前述第1環形天線位於前述第2環形天線與前述外面之間;在前述第1環形天線的中心延伸的方向觀察的俯視中,前述第2環形天線的一端部位於前述第1環形天線的外緣的內側。
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