TWI705545B - 包含切換器及濾波器之封裝 - Google Patents

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錫棍 古
左誠杰
史蒂夫 法奈里
胡思努 阿麥特 馬莎拉喬格魯
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美商高通公司
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Abstract

一種封裝包括一重佈部分、一第一部分及一第二部分。該第一部分耦接至該重佈部分。該第一部分包括：包含複數個切換器互連件的一第一切換器及至少部分囊封該第一切換器的一第一囊封層。該第二部分耦接至該第一部分。該第二部分包括第一複數個濾波器。每一濾波器包括複數個濾波器互連件。該第二部分亦包括至少部分囊封該第一複數個濾波器的一第二囊封層。該第一部分包括安置於該第一切換器旁邊的一第二切換器，其中該第一囊封層至少部分囊封該第二切換器。該第二部分包括安置於該第一複數個濾波器旁邊的第二複數個濾波器，其中該第二囊封層至少部分囊封該第二複數個濾波器。

Description

包含切換器及濾波器之封裝
各種特徵大體上係關於一種封裝，且更具體言之，係關於一種包括切換器及濾波器之封裝。
圖1說明一種封裝，其包括基板102、功率放大器(PA)120、切換器122、濾波器124及天線切換器126。功率放大器(PA)120、切換器122、濾波器124及天線切換器126安裝於基板126上。功率放大器(PA)120、切換器122、濾波器124及天線切換器126在基板102上彼此皆為共平面的。功率放大器(PA)120、切換器122、濾波器124及天線切換器126可利用表面安裝程序安裝於基板102上。基板102安裝於印刷電路板(PCB)100上。雙工器110亦安裝於PCB 100上。
功率放大器(PA)120、切換器122、濾波器124及天線切換器126彼此共平面的一個缺點為組態在基板102上佔用大量面積。如圖1中所示，功率放大器(PA)120、切換器122、濾波器124及天線切換器126分散於基板102上，導致封裝具有大的表面積。
圖1之組態的另一個缺點為用於將功率放大器(PA)120、切換器122、濾波器124及天線切換器126耦接至基板102的表面安裝程序需要組件之間有相對較大的間距，此進一步加大包括基板102之封裝的總表面 積。
需要減小器件及封裝的大小、高度及/或間距，使得此等器件及封裝可置於更小的器件中。理想地，此器件或封裝將有較好的形狀因數，製造更便宜，同時符合行動器件、物聯網(IoT)器件及/或穿戴式器件的需求及/或要求。
各種特徵大體上係關於一種封裝，且更具體言之，係關於一種包括切換器及濾波器之封裝。
一個實例提供包括重佈部分、第一部分及第二部分的封裝。第一部分耦接至重佈部分。第一部分包括：包含複數個切換器互連件的第一切換器及至少部分囊封第一切換器的第一囊封層。第二部分耦接至第一部分。第二部分包括第一複數個濾波器，每一濾波器包含複數個濾波器互連件。第二部分亦包括至少部分囊封第一複數個濾波器的第二囊封層。
一個實例提供包括重佈部分、第一部分及第二部分的裝置。第一部分耦接至重佈部分。第一部分包括：包含複數個切換器互連件的第一切換構件及至少部分囊封第一切換構件的第一囊封層。第二部分耦接至第一部分。第二部分包括第一複數個濾波構件，每一濾波構件包含複數個濾波器互連件。第二部分亦包括至少部分囊封第一複數個濾波構件的第二囊封層。
另一實例提供用於製造封裝的方法。該方法形成重佈部分。該方法形成第一部分且將第一部分耦接至重佈部分。形成第一部分包括：提供包括複數個切換器互連件的第一切換器及形成至少部分囊封第一切換器的第一囊封層。該方法形成第二部分且將第二部分耦接至第一部分。形成第二 部分包括提供第一複數個濾波器，每一濾波器包括複數個濾波器互連件。該方法形成至少部分囊封第一複數個濾波器的第二囊封層。
100:印刷電路板
102:基板
110:雙工器
120:功率放大器
122:切換器
124:濾波器
126:天線切換器
200:封裝
202:重佈部分
204:第一部分
206:第二部分
208:黏著劑層
210:焊料互連件
220:介電層
223:第一重佈互連件
225:第二重佈互連件
227:第三重佈互連件
240:第一囊封層
241:第一切換器
243:第二切換器
245:第一切換器互連件
247:第二切換器互連件
249:直通囊封互連件
260:第二囊封層
261:第一濾波器
262:鈍化層
263:第二濾波器
265:第一濾波器互連件
267:第二濾波器互連件
269:互連件
300:封裝
302:重佈部分
323:第一重佈互連件
325:第二重佈互連件
327:UBM層
400:載體
420:空腔
520:介電層
522:介電層
700:積體器件
702:行動電話器件
704:膝上型電腦器件
706:固定位置終端器件
708:穿戴式器件
當結合圖式時，各種特徵、本質及優勢可自下述詳細描述變得顯而易見，在整個圖式中，相同參考符號以對應方式標識。
圖1說明包括耦接至印刷電路板(PCB)之濾波器及切換器之封裝的剖面圖。
圖2說明包括若干濾波器及若干切換器之封裝的剖面圖，其中濾波器安置於切換器上方。
圖3說明包括若干濾波器及若干切換器之另一封裝的剖面圖，其中濾波器安置於切換器上方。
圖4(包括圖4A至圖4C)說明用於製造包括若干濾波器及若干切換器之封裝之序列的實例，其中濾波器安置於切換器上方。
圖5(包括圖5A至圖5C)說明用於製造包括若干濾波器及若干切換器之封裝之序列的實例，其中濾波器安置於切換器上方。
圖6說明用於製造包括若干濾波器及若干切換器之封裝之例示性方法的流程圖，其中濾波器安置於切換器上方。
圖7說明可包括本文所描述之各種積體器件、積體器件封裝、半導體器件、晶粒、積體電路及/或封裝的各種電子器件。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2016年8月12日在美國專利商標局申請的非臨時申請案第15/235,790號的優先權及權益。
在以下描述中，給出特定細節以提供對本發明之各種態樣的透徹理解。然而，一般熟習此項技術者應瞭解可在無此等特定細節的情況下實踐態樣。舉例而言，可以方塊圖展示電路以便避免以不必要的細節混淆態樣。在其他情況下，可以不詳細展示熟知電路、結構及技術以便不混淆本發明之態樣。
一些特徵係關於包括重佈部分、第一部分及第二部分的封裝。第一部分耦接至重佈部分。第一部分包括：包含複數個切換器互連件的第一切換器及至少部分囊封第一切換器的第一囊封層。第二部分耦接至第一部分。第二部分包括第一複數個濾波器，每一濾波器包含複數個濾波器互連件。第二部分亦包括至少部分囊封第一複數個濾波器的第二囊封層。在一些實施中，第一部分進一步包括安置於第一切換器旁邊的第二切換器，其中第一囊封層至少部分囊封第二切換器。在一些實施中，其中第二部分進一步包括安置於第一複數個濾波器旁邊的第二複數個濾波器，其中第二囊封層至少部分囊封第二複數個濾波器。在一些實施中，其中第一部分進一步包括貫通第一部分的直通囊封互連件。直通囊封互連件經組態以提供位於複數個濾波器與重佈部分之間的電路徑。
在一些實施中，封裝的高度可沿封裝的Z方向得以確定，該Z方向展示於本發明的圖中。在一些實施中，封裝的Z方向可沿封裝之頂部部分與底部部分之間的軸線確定。術語頂部及底部可任意指派，但是作為一實例，封裝的頂部部分可為包含囊封層的部分，而封裝的底部部分可為包含重佈部分或複數個焊球的部分。在一些實施中，封裝的頂部部分可為封裝的背側，且封裝的底部部分可為封裝的前側。封裝的前側可為封裝的作用側。頂部部分可為相對於較低部分的較高部分。底部部分可為相對於較高 部分的較低部分。下文將進一步描述頂部部分及底部部分之另外的實例。封裝的X-Y方向可指封裝的側向方向及/或佔據面積。X-Y方向的實例展示於本發明的圖中及/或在下文進一步描述。在本發明的許多圖中，封裝及其各別組件展示於X-Z橫截面或X-Z平面上。然而，在一些實施中，封裝及其代表性組件可表示於Y-Z橫截面或Y-Z平面上。
在一些實施中，互連件為允許或有助於兩個點、元件及/或組件之間電連接之器件或封裝的元件或組件。在一些實施中，互連件可包括跡線、通孔、襯墊、支柱、重佈金屬層及/或凸塊下金屬化(UBM)層。在一些實施中，互連件為可經組態以為信號(例如，資料信號、接地信號、電力信號)提供電路徑的導電材料。互連件可為電路的部分。互連件可包括超過一個元件或組件。
包含切換器及濾波器的例示性封裝
圖2說明經由複數個焊料互連件210而耦接至印刷電路板(PCB)100的封裝200。如下文將進一步描述，封裝200包括複數個切換器(例如，用於切換的構件、切換構件)及複數個濾波器(例如，用於濾波的構件、濾波構件)。此等切換器及濾波器可共平面及/或位於彼此上方而安置，以此最小化封裝200的總大小。至少一些相鄰的切換器及/或相鄰的濾波器之間的間距可約為100微米(μm)或更少。在一些實施中，至少一些相鄰的切換器及/或相鄰的濾波器之間的間距可約為50微米(μm)或更少。雖然未圖示，封裝200可電耦接至其他組件及/或器件，諸如積體器件(例如，晶片、晶粒)。封裝200可經組態以提供射頻(RF)濾波器及切換器。
封裝200包括重佈部分202、第一部分204及第二部分206。重佈部分202包括至少一介電層220、複數個第一重佈互連件223、複數個第二重佈 互連件225及複數個第三重佈互連件227。複數個第一重佈互連件223可包括跡線及/或襯墊。複數個第二重佈互連件225可包括通孔。複數個第三重佈互連件227可包括襯墊。複數個第一重佈互連件223耦接至複數個第二重佈互連件225。複數個第二重佈互連件225耦接至複數個第三重佈互連件227。複數個第三重佈互連件227耦接至複數個焊料互連件210。
圖2說明第一部分204耦接至重佈部分202。第一部分204可為切換部分。第一部分204包括第一囊封層240、第一切換器241(例如，用於第一切換的構件、第一切換構件)、第二切換器243(例如，用於第二切換的構件、第二切換構件)、複數個第一切換器互連件245、複數個第二切換器互連件247及複數個直通囊封互連件249。第一囊封層240至少部分囊封第一切換器241、第二切換器243、複數個第一切換器互連件245、複數個第二切換器互連件247及複數個直通囊封互連件249。複數個第一切換器互連件245及複數個直通囊封互連件249耦接至複數個第一重佈互連件223。複數個第一切換器互連件245及複數個第二切換器互連件247經由複數個第一重佈互連件223而耦接至複數個直通囊封互連件249。複數個直通囊封互連件249完全貫通第一囊封層240。複數個直通囊封互連件249可包括互連柱(例如，銅(Cu)柱)。
在第一部分204中第一切換器241及第二切換器243為實質上共平面的。然而，在一些實施中，第一切換器241及第二切換器243在第一部分204中可以不同的方式安置。
圖2說明第二部分206耦接至第一部分204。第二部分206可為濾波部分。第二部分206包括第二囊封層260、複數個第一濾波器261、複數個第二濾波器263、複數個第一濾波器互連件265、複數個第二濾波器互連件 267、鈍化層262及複數個互連件269。
第二囊封層260至少部分囊封複數個第一濾波器261(例如，用於第一濾波的構件、第一濾波構件)、複數個第二濾波器263(例如，用於第二濾波的構件、第二濾波構件)、複數個第一濾波器互連件265及複數個第二濾波器互連件267。複數個第一濾波器261經由複數個第一濾波器互連件265而耦接至複數個互連件269。複數個第二濾波器263經由複數個第二濾波器互連件267耦接至複數個互連件269。複數個互連件269耦接至複數個直通囊封互連件249。鈍化層262至少部分覆蓋複數個互連件269。複數個第一濾波器261實質上安置於第一切換器241上方。複數個第二濾波器263實質上安置於第二切換器243上方。
如圖2中所示，來自複數個第一濾波器261之至少一些第一濾波器安置於第二部分206中，使得第一濾波器彼此為實質上共平面的。在一些實施中，來自複數個第一濾波器261之至少一些相鄰的第一濾波器具有約為100微米(μm)或更少的間距。在一些實施中，至少一些相鄰的第一濾波器之間的間距可約為50微米(μm)或更少。
來自複數個第二濾波器263之至少一些第二濾波器安置於第二部分206中，使得第二濾波器彼此為實質上共平面的。在一些實施中，來自複數個第二濾波器263之至少一些相鄰的第二濾波器具有約為100微米(μm)或更少的間距。在一些實施中，至少一些相鄰的第一濾波器之間的間距可約為50微米(μm)或更少。
在一些實施中，經由製造程序實現小間距，該製造程序允許濾波器(例如，用於濾波的構件、濾波構件)靠近彼此置放同時仍能夠使互連件之對準處於控制下並處於容限內。小間距進一步實現包括小形狀因數的封裝 200。
使切換器及濾波器在封裝中靠近彼此置放的另一優勢為在一些實施中可能不需要阻抗匹配(此係由於其靠近彼此)。在可能需要阻抗匹配的情況下，切換器與濾波器之間的一些互連件可經組態以用於阻抗匹配，而不是用單獨器件或組件來提供切換器與濾波器之間的阻抗匹配。舉例而言，複數個直通囊封互連件249、複數個第一重佈互連件223及/或複數個第二重佈互連件225中之一些可經組態以提供濾波器(例如，第一濾波器)與切換器(例如，第一切換器241)之間的阻抗匹配，從而避開對單獨阻抗匹配器件或組件的需要。
在一些實施中，來自複數個直通囊封互連件249、複數個第一重佈互連件223及/或複數個第二重佈互連件225的一些互連件可經組態以提供複數個第一濾波器261與第一切換器241之間的一或多個第一阻抗匹配(例如，用於第一阻抗匹配的構件)，及/或來自複數個直通囊封互連件249、複數個第一重佈互連件223及/或複數個第二重佈互連件225的一些互連件可經組態以提供複數個第二濾波器263與第二切換器243之間的一或多個第二阻抗匹配(例如，用於第二阻抗匹配的構件)。
在一些實施中，封裝200可包括黏著劑層208，其為視情況選用的。黏著劑層208耦接至第二囊封層260。黏著劑層208可覆蓋複數個第一濾波器261及複數個第二濾波器263。在一些實施中，黏著劑層208為製造封裝200之製造程序的結果。
注意不同的實施可包括不同數量的切換器及濾波器(例如，一個切換器及若干濾波器)。因此，圖2之封裝200僅為例示性的，且不同的實施可具有切換器及濾波器的其他組態及/或組合。
包含切換器及濾波器的例示性封裝
圖3說明包括切換器及濾波器之封裝的另一組態。更具體言之，圖3說明包括切換器及濾波器的封裝300。封裝300與圖2的封裝200類似。封裝300包括與封裝200之組件類似的組件。封裝300經由複數個焊料互連件210耦接至PCB 100。雖然未圖示，封裝300可電耦接至其他組件及/或器件，諸如積體器件(例如，晶片、晶粒)。封裝300可經組態以提供射頻(RF)濾波器及切換器。
封裝300包括重佈部分302、第一部分204及第二部分206。封裝200亦包括第一切換器241、第二切換器243、複數個第一濾波器261及複數個第二濾波器263。重佈部分302耦接至第一部分204。第一部分204耦接至第二部分206。重佈部分302包括至少一介電層220、複數個第一重佈互連件323、複數個第二重佈互連件325及複數個凸塊下金屬化(UBM)層327。複數個第一重佈互連件323、複數個第二重佈互連件325及複數個凸塊下金屬化(UBM)層327可包括呈U形及/或V形的部分。
複數個第一重佈互連件323耦接至複數個第二重佈互連件325。複數個第二重佈互連件325耦接至複數個凸塊下金屬化(UBM)層327。複數個UBM層327耦接至複數個焊料互連件210。
複數個第一重佈互連件323耦接至複數個第一切換器互連件245及複數個第二切換器互連件247。複數個第一重佈互連件323耦接至複數個直通囊封互連件249。
圖3說明來自複數個第一濾波器261的至少一些第一濾波器安置於第二部分206中，使得第一濾波器彼此為實質上共平面的。在一些實施中，來自複數個第一濾波器261之至少一些相鄰的第一濾波器具有約為100微 米(μm)或更少的間距。在一些實施中，至少一些相鄰的第一濾波器之間的間距可約為50微米(μm)或更少。
圖3亦說明來自複數個第二濾波器263的至少一些第二濾波器安置於第二部分206中，使得第二濾波器彼此為實質上共平面的。在一些實施中，來自複數個第二濾波器263之至少一些相鄰的第二濾波器具有約為100微米(μm)或更少的間距。在一些實施中，至少一些相鄰的第一濾波器之間的間距可約為50微米(μm)或更少。
在一些實施中，經由製造程序實現小間距，該製造程序允許濾波器(例如，用於濾波的構件、濾波構件)靠近彼此置放同時仍能夠使互連件之對準處於控制下並處於容限內。小間距進一步實現包括小形狀因數的封裝300。
如上所述，使切換器及濾波器在封裝中靠近彼此安置的另一優勢為在一些實施中可能不需要阻抗匹配(此係由於其靠近彼此)。在可能需要阻抗匹配的情況下，切換器與濾波器之間的一些互連件可經組態以用於阻抗匹配，而不是用單獨器件或組件來提供切換器與濾波器之間的阻抗匹配。舉例而言，複數個直通囊封互連件249、複數個第一重佈互連件323及/或複數個第二重佈互連件325中之一些可經組態以提供濾波器(例如，第一濾波器)與切換器(例如，第一切換器241)之間的阻抗匹配，從而避開對單獨阻抗匹配器件或組件的需要。
在一些實施中，來自複數個直通囊封互連件249、複數個第一重佈互連件323及/或複數個第二重佈互連件325的一些互連件可經組態以提供複數個第一濾波器261與第一切換器241之間的一或多個第一阻抗匹配(例如，用於第一阻抗匹配的構件)，及/或來自複數個直通囊封互連件249、 複數個第一重佈互連件323及/或複數個第二重佈互連件325的一些互連件可經組態以提供複數個第二濾波器263與第二切換器243之間的一或多個第二阻抗匹配(例如，用於第二阻抗匹配的構件)。
注意不同的實施可包括不同數量的切換器及濾波器(例如，一個切換器及若干濾波器)。因此，圖3之封裝300僅為例示性的，且不同的實施可具有切換器及濾波器的其他組態及/或組合。
包括切換器及濾波器之封裝的各種實例已得到描述，現將描述用於製造包括切換器及濾波器之封裝的各種程序及方法。
用於製造包含切換器及濾波器之封裝的例示性序列
在一些實施中，提供/製造包括切換器及濾波器的封裝包括若干程序。圖4(包括圖4A至圖4C)說明用於提供/製造包括切換器及濾波器之封裝的例示性序列。在一些實施中，圖4A至圖4C的序列可用於製造包括圖2之切換器及濾波器的封裝及/或本發明中描述的其他封裝。然而，出於簡化的目的，圖4A至圖4C將描述於製造圖2之封裝的上下文中。詳言之，圖4A至圖4C將描述於製造圖2之封裝200的上下文中。
應注意圖4A至圖4C的序列可合併一或多個階段，以便簡化及/或澄清用於提供封裝的序列。在一些實施中，可改變或修改程序的次序。
階段1，如圖4A中所示，說明提供載體400及黏著劑層208之後的狀態。黏著劑層208形成於載體400上方。不同的實施可使用不同材料用於載體400。在一些實施中，載體400包括玻璃及/或矽。
階段2說明利用抓放程序將複數個第一濾波器261及複數個第二濾波器263置於黏著劑層208上方之後的狀態。在一些實施中，濾波器經置放以使得至少一些相鄰的濾波器(來自複數個第一濾波器261、複數個第二濾 波器263)具有約為100微米(μm)或更少的間距。在一些實施中，至少一些相鄰的濾波器之間的間距可約為50微米(μm)或更少。
階段3說明第二囊封層260形成於黏著劑層208、複數個第一濾波器261、複數個第二濾波器263、複數個第一濾波器互連件265及複數個第二濾波器互連件267上方之後的狀態。第二囊封層260可包括模製化合物及/或環氧樹脂填充物。在一些實施中，第二囊封層260可經形成以便至少部分囊封複數個第一濾波器261、複數個第二濾波器263、複數個第一濾波器互連件265及複數個第二濾波器互連件267。在一些實施中，第二囊封層260形成於複數個第一濾波器261、複數個第二濾波器263、複數個第一濾波器互連件265及複數個第二濾波器互連件267上方，且移除(例如，研磨)第二囊封層260的部分。
階段4說明複數個互連件269形成於第二囊封層260上方之後的狀態。複數個互連件269經形成以便耦接至複數個第一濾波器互連件265及複數個第二濾波器互連件267。在一些實施中，利用電鍍程序(例如，鑲嵌、半加成法(SAP))形成複數個互連件269。
階段5說明鈍化層242形成於第二囊封層260及複數個互連件269上方之後的狀態。在一些實施中，階段5說明封裝200的第二部分206。
階段6說明複數個直通囊封互連件249形成於複數個互連件269上方之後的狀態。在一些實施中，藉由移除鈍化層262的部分及利用電鍍程序形成複數個直通囊封互連件249而形成複數個直通囊封互連件249。複數個直通囊封互連件249可包括銅(Cu)柱。
階段7，如圖4B中所示，說明第一切換器241及第二切換器243置於鈍化層262上方之後的狀態。
階段8說明第一囊封層240形成於鈍化層262、第一切換器241、第二切換器243、複數個第一切換器互連件245、複數個第二切換器互連件247及複數個直通囊封互連件249上方之後的狀態。第一囊封層240可包括模製化合物及/或環氧樹脂填充物。在一些實施中，第一囊封層240可經形成以便至少部分囊封第一切換器241、第二切換器243、複數個第一切換器互連件245及複數個第二切換器互連件247。在一些實施中，第一囊封層240形成於第一切換器241、第二切換器243、複數個第一切換器互連件245及複數個第二切換器互連件247上方，且移除(例如，研磨)第一囊封層240的部分。
階段9說明複數個第一重佈互連件223形成於第一囊封層240上方之後的狀態。複數個第一重佈互連件223經形成以便耦接至複數個直通囊封互連件249、複數個第一切換器互連件245及複數個第二切換器互連件247。電鍍程序可用於形成複數個第一重佈互連件223。
階段10說明至少一介電層220形成於第一囊封層240及複數個第一重佈互連件223上方之後的狀態。
階段11，如圖4C中所示，說明複數個空腔420形成於至少一介電層220中之後的狀態。
階段12說明複數個第二重佈互連件225形成於複數個空腔420中之後的狀態，且複數個第三重佈互連件227形成於至少一介電層220上方。電鍍程序可用於形成複數個第二重佈互連件225及複數個第三重佈互連件227。
階段13說明複數個焊料互連件210設置於複數個第三重佈互連件227上方之後的狀態。
階段14說明自封裝200移除(例如，研磨)載體400之後的狀態。在一些實施中，亦自封裝200移除(例如，研磨)黏著劑層208。
在一些實施中，在晶圓上同時製造若干第一封裝，且執行單體化程序以將晶圓切割為獨立封裝。
用於製造包含切換器及濾波器之封裝的例示性序列
在一些實施中，提供/製造包括切換器及濾波器的封裝包括若干程序。圖5(包括圖5A至圖5C)說明用於提供/製造包括切換器及濾波器之封裝的例示性序列。在一些實施中，圖5A至圖5C的序列可用於製造包括圖3之切換器及濾波器的封裝及/或本發明中描述的其他封裝。然而，出於簡化的目的，圖5A至圖5C將描述於製造圖3之封裝的上下文中。詳言之，圖5A至圖5C將描述於製造圖3之封裝300的上下文中。
應注意圖5A至圖5C的序列可合併一或多個階段，以便簡化及/或澄清用於提供封裝的序列。在一些實施中，可改變或修改程序的次序。
階段1，如圖5A中所示，說明提供載體400及黏著劑層208之後的狀態。黏著劑層208形成於載體400上方。不同的實施可使用不同材料用於載體400。在一些實施中，載體400包括玻璃及/或矽。
階段2說明利用抓放程序將複數個第一濾波器261及複數個第二濾波器263置於黏著劑層208上方之後的狀態。在一些實施中，濾波器經置放以使得至少一些相鄰的濾波器(來自複數個第一濾波器261、複數個第二濾波器263)具有約為100微米(μm)或更少的間距。在一些實施中，至少一些相鄰的濾波器之間的間距可約為50微米(μm)或更少。
階段3說明第二囊封層260形成於黏著劑層208、複數個第一濾波器261、複數個第二濾波器263、複數個第一濾波器互連件265及複數個第二 濾波器互連件267上方之後的狀態。第二囊封層260可包括模製化合物及/或環氧樹脂填充物。在一些實施中，第二囊封層260可經形成以便至少部分囊封複數個第一濾波器261、複數個第二濾波器263、複數個第一濾波器互連件265及複數個第二濾波器互連件267。在一些實施中，第二囊封層260形成於複數個第一濾波器261、複數個第二濾波器263、複數個第一濾波器互連件265及複數個第二濾波器互連件267上方，且移除(例如，研磨)第二囊封層260的部分。
階段4說明複數個互連件269形成於第二囊封層260上方之後的狀態。複數個互連件269經形成以便耦接至複數個第一濾波器互連件265及複數個第二濾波器互連件267。在一些實施中，利用電鍍程序(例如，鑲嵌、半加成法(SAP))形成複數個互連件269。
階段5說明鈍化層242形成於第二囊封層260及複數個互連件269上方之後的狀態。在一些實施中，階段5說明封裝200的第二部分206。
階段6說明複數個直通囊封互連件249形成於複數個互連件269上方之後的狀態。在一些實施中，藉由移除鈍化層262的部分及利用電鍍程序形成複數個直通囊封互連件249而形成複數個直通囊封互連件249。複數個直通囊封互連件249可包括銅(Cu)柱。
階段7，如圖5B中所示，說明將第一切換器241及第二切換器243置於鈍化層262上方之後的狀態。
階段8說明第一囊封層240形成於鈍化層262、第一切換器241、第二切換器243、複數個第一切換器互連件245、複數個第二切換器互連件247及複數個直通囊封互連件249上方之後的狀態。第一囊封層240可包括模製化合物及/或環氧樹脂填充物。在一些實施中，第一囊封層240可經形成 以便至少部分囊封第一切換器241、第二切換器243、複數個第一切換器互連件245及複數個第二切換器互連件247。在一些實施中，第一囊封層240形成於第一切換器241、第二切換器243、複數個第一切換器互連件245及複數個第二切換器互連件247上方，且移除(例如，研磨)第一囊封層240的部分。
階段9說明介電層520及複數個第一重佈互連件323形成於第一囊封層240上方之後的狀態。複數個第一重佈互連件323經形成以便耦接至複數個直通囊封互連件249、複數個第一切換器互連件245及複數個第二切換器互連件247。電鍍程序可用於形成複數個第一重佈互連件323。
階段10說明介電層522形成於介電層522及複數個第一重佈互連件323上方之後的狀態。在一些實施中，介電層520及介電層522可表示至少一介電層220。
階段11，如圖5C中所示，說明複數個第二重佈互連件325形成於介電層522及複數個第一重佈互連件323上方之後的狀態。電鍍程序可用於形成複數個第二重佈互連件325。
階段12說明複數個UBM層327形成於複數個第二重佈互連件325上方之後的狀態。電鍍程序可用於形成複數個UBM層327。
階段13說明複數個焊料互連件210設置於複數個UBM層327上方之後的狀態。
階段14說明自封裝300移除(例如，研磨)載體400之後的狀態。在一些實施中，亦自封裝300移除(例如，研磨)黏著劑層208。
在一些實施中，在晶圓上同時製造若干第一封裝，且執行單體化程序以將晶圓切割為獨立封裝。
用於製造包含切換器及濾波器之封裝的例示性方法
在一些實施中，提供/製造包括切換器及濾波器的封裝包括若干程序。圖6說明用於製造包括切換器及濾波器之封裝之方法的例示性流程圖。在一些實施中，圖6的方法可用於製造圖2至圖3的封裝及/或本發明中描述的其他封裝。然而，出於簡化的目的，圖6將描述於製造圖2之封裝的上下文中。
應注意圖6的流程圖可合併一或多個程序，以便簡化及/或澄清用於提供封裝的方法。在一些實施中，可改變或修改程序的次序。
該方法(在605)提供載體(例如，載體400)。載體亦可包括黏著劑層(例如，黏著劑層208)。在一些實施中，黏著劑層形成於載體上方。不同的實施可使用不同材料用於載體。在一些實施中，載體可包括玻璃及/或矽。
該方法(在610)將複數個濾波器(例如，261、263)耦接至載體(例如，400)。在一些實施中，抓放程序用於將濾波器耦接至載體，該載體可包括黏著劑層。在一些實施中，濾波器經置放以使得至少一些相鄰的濾波器(來自複數個第一濾波器261、複數個第二濾波器263)具有約為100微米(μm)或更少的間距。在一些實施中，至少一些相鄰的濾波器之間的間距可約為50微米(μm)或更少。
該方法(在615)在黏著劑層、濾波器(例如，複數個第一濾波器261、複數個第二濾波器263)及濾波器互連件(例如，複數個第一濾波器互連件265及複數個第二濾波器互連件267)上方形成第二囊封層(例如，第二囊封層260)。第二囊封層可包括模製化合物及/或環氧樹脂填充物。
該方法(在620)在第二囊封層260中及上方形成複數個互連件。複數 個互連件可包括複數個互連件269及複數個直通囊封互連件249。複數個直通囊封互連件249可包括銅(Cu)柱。
該方法(在625)在第二囊封層上方提供切換器(例如，第一切換器241、第二切換器243)。在一些實施中，提供切換器包括在位於第二囊封層260之鈍化層(例如，鈍化層262)上方提供切換器。
該方法(在630)形成第一囊封層(例如，第一囊封層240)、鈍化層、切換器(例如，第一切換器241、第二切換器243)、切換器互連件(例如，複數個第一切換器互連件245、複數個第二切換器互連件247)及複數個直通囊封互連件249。第一囊封層可包括模製化合物及/或環氧樹脂填充物。
該方法(在625)在第一囊封層上方形成重佈部分。不同的實施可以不同方式形成重佈部分。在一些實施中，形成重佈部分包括形成至少一介電層及形成至少一重佈互連件。圖4B至圖4C之階段9至13及圖5B至圖5C之階段9至13中說明及描述形成重佈部分的實例。
該方法(在640)向重佈部分提供複數個焊料互連件(例如，焊球、焊料互連件210)，且(在640)解耦載體。在一些實施中，亦解耦黏著劑層。
例示性電子器件
圖7說明可與前述之封裝、積體器件、半導體器件、積體電路、晶粒、插入件、封裝或疊層封裝(PoP)中之任一者整合的各種電子器件。舉例而言，行動電話器件702、膝上型電腦器件704、固定位置終端器件706、穿戴式器件708可包括如本文所描述的積體器件700。積體器件700可為(例如)本文所描述之積體電路、晶粒、積體器件、積體器件封裝、積體電路器件、器件封裝、積體電路(IC)封裝、疊層封裝器件中之任一者。圖7中說明的器件702、704、706、708僅為例示性的。其他電子器件亦可 以積體器件700為特徵，其包括(但不限於)器件(例如，電子器件)的群組，該群組包括行動器件、手持式個人通信系統(PCS)單元、諸如個人數位助理之攜帶型資料單元、具備全球定位系統(GPS)功能之器件、導航器件、機上盒、音樂播放機、視訊播放機、娛樂單元、諸如儀錶讀取設備之固定位置資料單元、通信器件、智慧型電話、平板電腦、電腦、穿戴式器件(例如，錶、眼鏡)、物聯網(IoT)器件、伺服器、路由器、實施於汽車車輛(例如，自動駕駛車輛)中的電子器件或任何其他儲存或擷取資料或電腦指令的器件，或其任何組合。
圖2、圖3、圖4A至圖4C、圖5A至圖5C、圖6及/或圖7中說明的組件、程序、特徵及/或功能中之一或多者可加以重新配置及/或合併為單一組件、程序、特徵或功能，或在若干組件、程序或功能中體現。在不背離本發明的情況下，亦可添加額外的元件、組件、程序及/或功能。亦應注意本發明中的圖2、圖3、圖4A至圖4C、圖5A至圖5C、圖6及/或圖7及其對應的描述不限於晶粒及/或IC。在一些實施中，圖2、圖3、圖4A至圖4C、圖5A至圖5C、圖6及/或圖7及其對應的描述可用於製造、建立、提供及/或生產積體器件。在一些實施中，器件可包括晶粒、積體器件、晶粒封裝、積體電路(IC)、器件封裝、積體電路(IC)封裝、晶圓、半導體器件、疊層封裝(PoP)器件及/或插入件。
字組「例示性」在本文中用以意謂「充當實例、例子或說明」。在本文中描述為「例示性」之任何實施或態樣未必被視為相比於本發明之其他態樣較佳或有利。同樣，術語「態樣」不要求本發明之所有態樣皆包括所論述之特徵、優勢或操作模式。術語「耦接」在本文中用以指兩個物件之間的直接耦接或間接耦接。舉例而言，若物件A實體地觸摸物件B，且物件B觸 摸物件C，則物件A及物件C仍可被視為耦接至彼此，即使其不直接相互實體地觸摸亦如此。
此外，注意本文所含有之各種揭示內容可描述為一程序，該程序被描繪為流程圖、流圖、結構圖或方塊圖。儘管流程圖可以將操作描述為順序處理程序，但許多操作可並行地或同時執行。另外，可重新配置操作的次序。當程序之操作完成時，程序終止。
在不背離本發明之情況下，本文所描述之本發明的各種特徵可實施於不同系統中。應注意本發明之前述態樣僅為實例且不會被視為限制本發明。本發明之態樣之描述意欲為說明性的，且不會限制申請專利範圍之範疇。因而，本發明之教示可容易應用於其他類型之裝置，且許多替代例、修改及變化對於熟習此項技術者而言將顯而易見。
100‧‧‧印刷電路板
204‧‧‧第一部分
206‧‧‧第二部分
208‧‧‧黏著劑層
210‧‧‧焊料互連件
220‧‧‧介電層
240‧‧‧第一囊封層
241‧‧‧第一切換器
243‧‧‧第二切換器
245‧‧‧第一切換器互連件
247‧‧‧第二切換器互連件
249‧‧‧直通囊封互連件
260‧‧‧第二囊封層
261‧‧‧第一濾波器
262‧‧‧鈍化層
263‧‧‧第二濾波器
265‧‧‧第一濾波器互連件
267‧‧‧第二濾波器互連件
269‧‧‧互連件
300‧‧‧封裝
302‧‧‧重佈部分
323‧‧‧第一重佈互連件
325‧‧‧第二重佈互連件
327‧‧‧UBM層

Claims (19)

  1. 一種封裝，其包含：一重佈部分，其包括：至少一介電層；及至少一重佈互連件；耦接至該重佈部分的一第一部分，該第一部分包括：包含複數個切換器互連件的該第一切換器晶粒，其中該第一切換器晶粒經組態以操作為一切換器；及至少部分囊封該第一切換器晶粒的一第一囊封層，其中該第一囊封層接觸該重佈部分之該至少一介電層；耦接至該第一部分的一第二部分，該第二部分包括：該複數個第一濾波器晶粒，每一第一濾波器晶粒包含複數個第一濾波器互連件，其中每一第一濾波器晶粒經組態以操作為一濾波器；至少部分囊封該複數個第一濾波器晶粒的一第二囊封層；及耦接至該第二囊封層、該第一囊封層及該第一切換器晶粒的一鈍化層，其中該鈍化層係安置於該第一囊封層及該第二囊封層之間；一黏著劑層，其安置於該第二囊封層及該複數個第一濾波器晶粒上方；及複數個互連件，其安置於該鈍化層中，其中該複數個互連件係安置於該複數個第一濾波器晶粒及該第一切換器晶粒之間。
  2. 如請求項1之封裝，其中該第一部分進一步包含安置於該第一切換器晶粒旁邊的一第二切換器晶粒，其中該第一囊封層至少部分囊封該第二切換器晶粒。
  3. 如請求項1之封裝，其中該第二部分進一步包含安置於該複數個第一濾波器晶粒旁邊的複數個第二濾波器晶粒，其中該第二囊封層至少部分囊封該複數個第二濾波器晶粒。
  4. 如請求項1之封裝，其中來自該複數個第一濾波器晶粒之兩個相鄰的濾波器晶粒具有約為100微米(μm)或更少的一間距。
  5. 如請求項1之封裝，其中該第一部分進一步包含貫通該第一部分的一直通囊封互連件，該直通囊封互連件經組態以提供位於該複數個第一濾波器晶粒與該重佈部分之間的一電路徑。
  6. 如請求項5之封裝，其中該複數個第一濾波器晶粒及該第一切換器晶粒經由包括該複數個第一切換器互連件、該重佈部分、該直通囊封互連件及該複數個第一濾波器互連件的至少一電路徑而電耦接至彼此。
  7. 如請求項1之封裝，其中該第一切換器晶粒位於該重佈部分與該複數個第一濾波器晶粒之間。
  8. 如請求項1之封裝，其中該封裝併入選自由以下組成之群組的一器件 中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航器件、一通信器件、一行動器件、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一穿戴式器件、一物聯網(IoT)器件、一膝上型電腦、一伺服器及一汽車車輛中的一器件。
  9. 如請求項1之封裝，其中該黏著劑層及該第二部分形成該封裝之一背側，及該重佈部分形成該封裝之一前側。
  10. 一種封裝裝置，其包含：一重佈部分，其包括：至少一介電層；及至少一重佈互連件；耦接至該重佈部分的一第一部分，該第一部分包括：包含複數個切換器互連件的該第一切換構件，其中該第一切換構件經組態以操作為一切換器；及至少部分囊封該第一切換構件的一第一囊封層，其中該第一囊封層接觸該重佈部分之該至少一介電層；耦接至該第一部分的一第二部分，該第二部分包括：該複數個第一濾波構件，每一第一濾波構件包含複數個濾波器互連件，其中每一第一濾波構件經組態以操作為一濾波器；至少部分囊封該複數個第一濾波構件的一第二囊封層；及耦接至該第二囊封層、該第一囊封層及該第一切換構件的一鈍化層，其中該鈍化層係位於該第一囊封層及該第二囊封層之間； 一黏著劑層，其安置於該第二囊封層及該複數個第一濾波器構件上方；及複數個互連件，其安置於該鈍化層中，其中該複數個互連件係安置於該複數個第一濾波器構件及該第一切換器構件之間。
  11. 如請求項10之封裝裝置，其中該第一部分進一步包含安置於該第一切換構件旁邊的一第二切換構件，該第二切換構件經組態以操作為一切換器，其中該第一囊封層至少部分囊封該第二切換構件。
  12. 如請求項10之封裝裝置，其中該第二部分進一步包含安置於該複數個第一濾波構件旁邊的複數個第二濾波構件，每一第二濾波構件經組態以操作為一濾波器，其中該第二囊封層至少部分囊封該複數個第二濾波構件。
  13. 如請求項10之封裝裝置，其中來自該複數個第一濾波構件之兩個相鄰的濾波構件具有約為100微米(μm)或更少的一間距。
  14. 如請求項10之封裝裝置，其中該第一部分進一步包含貫通該第一部分的一直通囊封互連件，該直通囊封互連件經組態以提供位於該複數個第一濾波構件與該重佈部分之間的一電路徑。
  15. 如請求項10之封裝裝置，其中該裝置併入選自由以下組成之群組的一器件中：一音樂播放機、一視訊播放機、一娛樂單元、一導航器件、一 通信器件、一行動器件、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一穿戴式器件、一物聯網(IoT)器件、一膝上型電腦、一伺服器及一汽車車輛中之一器件。
  16. 一種用於製造一封裝之方法，其包含：形成一第二部分，其包括：提供複數個第一濾波器晶粒，每一第一濾波器晶粒包括複數個濾波器互連件，其中每一第一濾波器晶粒經組態以操作為一濾波器；形成至少部分囊封該複數個第一濾波器晶粒的一第二囊封層，及在該第二囊封層上方形成一鈍化層；在該第二部分上方形成一第一部分，其中形成該第一部分包括：在該鈍化層上方提供一第一切換器晶粒，該第一切換器晶粒包含複數個切換器互連件，其中該第一切換器晶粒經組態以操作為一切換器；及形成至少部分囊封該第一切換器晶粒的一第一囊封層；及在該第一部分上方形成一重佈部分，其中形成該重佈部分包括：在該第一囊封層上方形成至少一介電層；及形成至少一重佈互連件，其中一黏著劑層係安置於該第二囊封層及該複數個第一濾波器晶粒上方；及其中複數個互連件係安置於該鈍化層中，且該複數個互連件係安置於該複數個第一濾波器晶粒及該第一切換器晶粒之間。
  17. 如請求項16之方法，其中該形成第一部分進一步包含提供在該第一切換器晶粒旁邊的一第二切換器晶粒，其中該第一囊封層至少部分囊封該第二切換器晶粒。
  18. 如請求項16之方法，其中形成該第二部分進一步包含提供在該複數個第一濾波器晶粒旁邊的複數個第二濾波器晶粒，其中該第二囊封層至少部分囊封該複數個第二濾波器晶粒。
  19. 如請求項16之方法，其中形成該第一部分進一步包含一提供貫通該第一部分的一直通囊封互連件，該直通囊封互連件經組態以提供位於該複數個第一濾波器晶粒與該重佈部分之間的一電路徑。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10050013B2 (en) * 2015-12-29 2018-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Packaged semiconductor devices and packaging methods
DE102018102144A1 (de) * 2018-01-31 2019-08-01 Tdk Electronics Ag Elektronisches Bauelement
CN109087909A (zh) * 2018-08-10 2018-12-25 付伟 具有金属柱的多腔室封装结构及其制作方法
CN108766955A (zh) * 2018-08-10 2018-11-06 付伟 Rf开关芯片电极外设的多腔室封装结构及其制作方法
KR20200025543A (ko) * 2018-08-30 2020-03-10 삼성전자주식회사 패키지 볼을 갖는 반도체 패키지를 포함하는 전자 소자
KR102513085B1 (ko) * 2018-11-20 2023-03-23 삼성전자주식회사 팬-아웃 반도체 패키지
WO2020196752A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 株式会社村田製作所 モジュール
CN114830434B (zh) * 2019-12-19 2023-04-18 华为技术有限公司 一种封装天线装置和无线通信装置
JP2021158556A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2021158554A (ja) * 2020-03-27 2021-10-07 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
EP4068341A4 (en) * 2020-08-31 2023-06-14 Huawei Technologies Co., Ltd. SWITCH POWER SUPPLY MODULE AND COMMUNICATION DEVICE
JP2023133675A (ja) * 2022-03-14 2023-09-27 住友電気工業株式会社 高周波装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050288392A1 (en) * 2002-07-03 2005-12-29 Akihiko Okubora Modular board device and high frequency module and method for producing them
US20110248389A1 (en) * 2010-03-18 2011-10-13 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6815739B2 (en) 2001-05-18 2004-11-09 Corporation For National Research Initiatives Radio frequency microelectromechanical systems (MEMS) devices on low-temperature co-fired ceramic (LTCC) substrates
US6873529B2 (en) 2002-02-26 2005-03-29 Kyocera Corporation High frequency module
US7566960B1 (en) * 2003-10-31 2009-07-28 Xilinx, Inc. Interposing structure
US7307331B2 (en) 2004-03-31 2007-12-11 Intel Corporation Integrated radio front-end module with embedded circuit elements
US8456856B2 (en) * 2009-03-30 2013-06-04 Megica Corporation Integrated circuit chip using top post-passivation technology and bottom structure technology
JP5569354B2 (ja) * 2010-11-17 2014-08-13 富士通セミコンダクター株式会社 キャパシタおよび半導体装置
US8736065B2 (en) * 2010-12-22 2014-05-27 Intel Corporation Multi-chip package having a substrate with a plurality of vertically embedded die and a process of forming the same
US8604597B2 (en) * 2011-04-28 2013-12-10 Monolithic Power Systems, Inc. Multi-die packages incorporating flip chip dies and associated packaging methods
US8611843B2 (en) 2011-05-09 2013-12-17 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Communications filter package for narrowband and wideband signal waveforms
EP2727146B1 (en) * 2011-06-30 2020-04-01 Murata Electronics Oy A system-in-package device
US20130043961A1 (en) * 2011-08-15 2013-02-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte.Ltd Duplexer with shielding bondwires between filters
JP5241909B2 (ja) 2011-12-22 2013-07-17 太陽誘電株式会社 回路基板
US9111896B2 (en) 2012-08-24 2015-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package-on-package semiconductor device
US8669140B1 (en) * 2013-04-04 2014-03-11 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming stacked die package using redistributed chip packaging
US10475732B2 (en) * 2013-07-12 2019-11-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 3DIC package integration for high-frequency RF system
KR101601388B1 (ko) 2014-01-13 2016-03-08 하나 마이크론(주) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR102403105B1 (ko) * 2014-08-08 2022-05-27 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 간헐적 방출들 및/또는 공존 사양들에 대한 프론트 엔드 아키텍처
US9595496B2 (en) * 2014-11-07 2017-03-14 Qualcomm Incorporated Integrated device package comprising silicon bridge in an encapsulation layer
US20160274316A1 (en) * 2015-03-17 2016-09-22 Samtec, Inc. Active-optical ic-package socket
CN105514094A (zh) * 2016-01-29 2016-04-20 宜确半导体（苏州）有限公司 一种射频天线开关芯片

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050288392A1 (en) * 2002-07-03 2005-12-29 Akihiko Okubora Modular board device and high frequency module and method for producing them
US20110248389A1 (en) * 2010-03-18 2011-10-13 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof

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