TWI705241B - 光學薄膜缺陷檢測裝置及方法 - Google Patents

光學薄膜缺陷檢測裝置及方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種光學薄膜缺陷檢測裝置及方法。本發明的光學薄膜缺陷檢測裝置包含：接收部，從至少1個檢查裝置，接收光學薄膜輥(roll)的缺陷資訊；缺陷位置決定部，根據前述缺陷資訊，決定與前述光學薄膜輥相對應的二維平面上的缺陷位置；搜索部，根據前述缺陷位置，搜索前述平面上，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域；及缺陷檢測部，根據前述搜索過的區域所含的缺陷的密集度，檢測密集性缺陷。

Description

光學薄膜缺陷檢測裝置及方法
本發明係關於一種技術，其用以檢測光學薄膜的製程過程中發生的缺陷。
一般而言，於光學薄膜輥(roll)的製程過程中，在一定區域發生許多缺陷時，將該區域視為特別管理區域，由品檢人員進一步進行檢查。
此時，品檢人員觀察缺陷檢測分布圖(二維圖)，判斷是否為密集性缺陷。然而，品檢人員間的熟練度不同，且不易察覺由於缺陷檢測圖之X/Y軸的縮尺(scale)變化所造成的缺陷間的密集基準的差異，因此難以對於數目眾多的輥，進行正確且具一貫性的密集性缺陷的確認及管理。進而言之，由品檢人員進行檢查時，發生檢查作業需要許多費用及時間的問題點。
先行技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]韓國特開2009-0009314號公報
本發明之目的在提供一種缺陷檢測裝置及方法，用以檢測光學薄膜的製程過程中發生的密集性缺陷。
1.一種光學薄膜缺陷檢測裝置，包含：接收部，從至少1個檢查裝置，接收光學薄膜輥(roll)的缺陷資訊；缺陷位置決定部，根據前述缺陷資訊，決定與前述光學薄膜輥相對應的二維平面上的缺陷位置；搜索部，根據前述缺陷位置，搜索前述二維平面上，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域；及缺陷檢測部，根據前述搜索過的區域所含的缺陷的密集度，檢測密集性缺陷。
2.如前述項目1之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述搜索部
對於各個缺陷位置，設定包含前述各個缺陷位置的一定大小的搜索區域，以前述各個缺陷位置為中心，依序變更前述搜索區域的位置，搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
3.如前述項目1之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述搜索部
設定以各個缺陷位置為中心座標之一定大小的複數個搜索區域，搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
4.如前述項目1之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述搜索部
將前述二維平面，分割為一定大小的複數個搜索區域，搜索分割的各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
5.如前述項目1之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述搜索部
於前述二維平面，設定一定大小的搜索區域，恰以一定距離，依序變更前述搜索區域的位置，搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
6.如前述項目1之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述缺陷檢測部包含：記憶體部，儲存前述搜索過的區域的位置；候補區域決定部，根據前述搜索過的區域的位置，決定缺陷候補區域；及缺陷判斷部，算出前述缺陷候補區域所含的缺陷的密集度，根據前述算出的密集度，判斷前述缺陷候補區域內有無前述密集性缺陷的存在。
7.如前述項目6之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述候補區域決定部
將前述搜索過的區域，決定為前述缺陷候補區域。
8.如前述項目7之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述候補區域決定部
於搜索過的區域中，存在有重疊或連續的區域時，統合前述重疊或連續的區域，將經統合的區域決定為前述缺陷候補區域。
9.如前述項目8之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述候補區域決定部
對於搜索過的區域或前述經統合的區域的各個，將包含各區域所含的全部缺陷的最小區域，決定為前述缺陷候補區域。
10.如前述項目6之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述記憶體部
利用二維陣列，儲存前述搜索過的區域的位置資訊。
11.如前述項目6之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述密集度包含：前述缺陷候補區域每單位面積的缺陷數，及前述缺陷候補區域內，各個缺陷所佔面積的合計中之至少一者。
12.如前述項目9之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述密集度包含前述最小區域的面積。
13.如前述項目6之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述缺陷判斷部
於前述密集度為已設定之值以上時，判斷為前述密集性缺陷。
14.如前述項目1之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述缺陷檢測部包含：缺陷檢測資訊生成部，其於檢測到前述密集性缺陷時，生成缺陷檢測資訊，而前述缺陷檢測資訊包含有關光學薄膜的製程線之前述密集性缺陷的發生位置的資訊。
15.如前述項目14之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述缺陷檢測資訊生成部
將前述缺陷檢測資訊，傳送至製程管理系統的管理者的終端裝置、前述光學薄膜的製程線的作業人員的終端裝置、及製程線上的警報裝置中之至少一者。
16.一種光學薄膜缺陷檢測方法，包含如下階段：從至少1個檢查裝置，接收光學薄膜輥(roll)的缺陷資訊的階段；根據前述缺陷資訊，決定與前述光學薄膜輥相對應的二維平面上的缺陷位置的階段；根據前述缺陷位置，搜索前述二維平面上，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域的階段；及 根據前述搜索過的區域所含的缺陷的密集度，檢測密集性缺陷的階段。
17.如前述項目16之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述搜索階段
係對於前述二維平面的各個缺陷位置，設定包含前述各個缺陷位置的一定大小的搜索區域，以前述各個缺陷位置為中心，依序變更前述搜索區域的位置，搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
18.如前述項目16之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述搜索階段
設定以各個缺陷位置為中心座標之一定大小的複數個搜索區域，搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
19.如前述項目16之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述搜索階段
將前述二維平面，分割為一定大小的複數個搜索區域，搜索分割的各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
20.如前述項目16之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述搜索階段
於前述平面，設定一定大小的搜索區域，依序變更前述搜索區域的位置，搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
21.如前述項目16之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述檢測階段包含如下階段：儲存前述搜索過的區域的位置的階段；根據前述搜索過的區域的位置，決定缺陷候補區域的階段；算出前述缺陷候補區域所含的缺陷的密集度的階段；及根據前述算出的密集度，判斷前述缺陷候補區域內有無前述密集性缺陷的存在的階段。
22.如前述項目21之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述決定缺陷候 補區域的階段，將前述搜索過的區域，決定為前述缺陷候補區域。
23.如前述項目22之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述決定缺陷候補區域的階段，於前述搜索過的區域中，存在有重疊或連續的區域時，統合前述重疊或連續的區域，將經統合的區域決定為前述缺陷候補區域。
24.如前述項目23之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述決定缺陷候補區域的階段，對於前述搜索過的區域或前述經統合的區域的各個，將包含各區域所含的全部缺陷的最小區域，決定為前述缺陷候補區域。
25.如前述項目21之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述儲存階段
利用二維陣列，儲存前述搜索過的區域的位置資訊。
26.如前述項目21之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述密集度包含：前述缺陷候補區域每單位面積的缺陷數，及前述缺陷候補區域內，各個缺陷所佔面積的合計中之至少一者。
27.如前述項目24之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述密集度包含：前述最小區域的面積。
28.如前述項目21之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述判斷階段
於前述密集度為已設定之值以上時，判斷為前述密集性缺陷。
29.如前述項目16之光學薄膜缺陷檢測方法，其中進一步包含： 於檢測到前述密集性缺陷時，生成缺陷檢測資訊的階段，而前述缺陷檢測資訊包含有關光學薄膜的製程線之前述密集性缺陷的發生位置的資訊。
30.如前述項目29之光學薄膜缺陷檢測方法，其中進一步包含：將前述缺陷檢測資訊，傳送至製程管理系統的管理者的終端裝置、前述光學薄膜的製程線的作業人員的終端裝置、及製程線上的警報裝置中之至少一者的階段。
31.一種電腦程式，其與硬體結合，且儲存於記錄媒體，用以執行如下階段：從至少1個檢查裝置，接收光學薄膜輥(roll)的缺陷資訊的階段；根據前述缺陷資訊，決定與前述光學薄膜輥相對應的二維平面上的缺陷位置的階段；根據前述缺陷位置，搜索前述二維平面上，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域的階段；及根據前述搜索過的區域所含的缺陷的密集度，檢測密集性缺陷的階段。
若依據本發明，藉由自動判斷光學薄膜所含的密集性缺陷有無發生，無論光學薄膜的生產量多寡，均可藉由一貫的基準來管理光學薄膜的品質，並且可藉由縮短密集性缺陷的檢測時間，來提升生產性。
又，若依據本發明，藉由可迅速掌握並通知光學薄膜的密集性缺陷有無發生，可對於密集性缺陷的發生，迅速採取處置，減低光學薄膜的生產損失(Loss)。
100:光學薄膜缺陷檢測裝置
110:接收部
120:缺陷位置決定部
130:搜索部
140:缺陷檢測部
141:記憶體部
142:候補區域決定部
143:缺陷判斷部
144:缺陷檢測資訊生成部
第1圖為本發明一實施形態的光學薄膜缺陷檢測裝置的構成圖。
第2圖為本發明一實施形態的缺陷檢測部的詳細構成圖。
第3圖係用以說明搜索存在有缺陷的區域的過程的例示圖。
第4圖係用以說明搜索存在有缺陷的區域的過程的例示圖。
第5圖係用以說明搜索存在有缺陷的區域的過程的例示圖。
第6圖係用以說明搜索存在有缺陷的區域的過程的例示圖。
第7圖係用以說明缺陷候補區域的設定的例示圖。
第8圖係用以說明缺陷候補區域的設定的例示圖。
第9圖係用以說明缺陷候補區域的設定的例示圖。
第10圖係用以說明缺陷候補區域的設定的例示圖。
第11圖係用以說明缺陷候補區域的設定的例示圖。
第12圖為本發明一實施形態的光學薄膜缺陷檢測方法的流程圖。
第13圖係表示本發明一實施形態的密集性缺陷的檢測過程的流程圖。
用以實施發明之形態
以下參考圖式，說明本發明的具體實施形態。以下的詳細說明是為了有助於有關本說明書所記述的方法、裝置、及/或系統的包括性理解而提供。但該等說明僅是例示，本發明不受該等說明所限制。
說明本發明的實施形態時，在判斷對於相關連的習知技術的具體說明，有使本發明的要旨變得不明確之虞時，得省略其詳細說明。又，後述的 用語係考慮本發明的功能而定義的用語，可依使用者、運用者的意圖或慣例等而不同。因此，其定義應基於本說明書整體的內容來進行。詳細說明中所使用的用語，僅用以記述本發明的實施形態，絕非限制性用語。只要不是明確就不同含意而使用，單數形式的表現均包含複數形式的含意。於本說明，諸如「包含」或「備有」的表現，係用以指稱任何特性、數字、階段、動作、要素、該等的一部分或組合，除所記述者以外，不得排除其以外的其他特性、數字、階段、動作、要素、該等的一部分或組合的存在或可能性而解釋。
第1圖為本發明一實施形態的光學薄膜缺陷檢測裝置的構成圖。
參考第1圖，本發明一實施形態的光學薄膜缺陷檢測裝置100包含接收部110、缺陷位置決定部120、搜索部130及缺陷檢測部140。
接收部110從至少1個檢查裝置，接收光學薄膜輥(roll)的缺陷資訊。此時，各檢查裝置意味配置於光學薄膜的製程線上的不同位置，用以檢測光學薄膜的製程過程中發生的缺陷，生成有關檢測的缺陷的缺陷資訊的裝置。
例如檢查裝置可構成如：包含於光學薄膜的製程線，配置於光學薄膜上面的攝影機模組，使用該攝影機模組拍攝光學薄膜，從拍攝的圖像檢測缺陷。又，因此。以光學薄膜為基準，可於攝影機模組所在面的相反面備有光源，攝影機模組亦可構成如：拍攝從光源放出並穿過光學薄膜的光。此時，由於當光學薄膜存在有缺陷時，該部分的光穿透度降低，因此可容易檢測缺陷。
再者，由檢查裝置生成的缺陷資訊可包含檢測的缺陷的位置、大小、亮度、拍攝到檢測的缺陷的圖像、檢查開始時刻及結束時刻等。
缺陷位置決定部120根據從檢查裝置接收的缺陷資訊，決定與光學薄膜輥相對應的二維平面上的缺陷位置。
例如缺陷位置決定部120可構成與光學薄膜輥的長度及寬度相對應的二維平面，統合從各檢查裝置接收的缺陷資訊，決定該二維平面的缺陷位置。此時，二維平面的缺陷位置可根據從各檢查裝置接收的缺陷資訊所含的缺陷位置來決定。又，光學薄膜輥的長度及寬度可採用預先設定之值。
搜索部130根據由缺陷位置決定部120決定的缺陷位置，搜索於二維平面上，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
例如搜索部130設定一定大小的搜索區域，一面於二維平面上，巡視設定的搜索區域，一面計算搜索區域內所含的缺陷數，藉此可搜索有已設定的數目以上的缺陷存在的區域。關於此，參考第3圖至第6圖來具體說明。
於第3圖至第6圖，以虛線所示區域表示探索區域，以圓圈所示部分表示缺陷位置。再者，於第3圖至第6圖，將搜索區域表示為四角形的形狀，但不限定於此。例如搜索形狀為圓形，或依據使用者的選擇變形為適當的形狀均可。又，搜索形狀的尺寸例如可考慮計算負荷、計算的正確性等，由使用者來設定。
依據本發明一實施形態，搜索部130可對於二維平面所含的各個缺陷位置，設定包含各個缺陷位置的一定大小的搜索區域。然後，搜索部130能以各個缺陷位置為中心，變更搜索區域的位置，搜索各搜索區域中，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
具體而言，參考第3圖，搜索部130可設定二維平面300上所含的複數個缺陷中，包含特定缺陷310的搜索區域321。然後，搜索部130可計算設定的搜索區域321內的缺陷數，判斷缺陷數是否為已設定的數目以上。
接著，搜索部130可以缺陷310的位置為中心，將搜索區域321恰 以一定距離往X軸方向移動，於移動後的位置，計算搜索區域322內的缺陷數，判斷缺陷數是否為已設定的數目以上。
接著，搜索部130可以缺陷310的位置為中心，將搜索區域322恰以一定距離進一步往X軸方向移動，於移動後的位置，計算搜索區域323內的缺陷數，判斷缺陷數是否為已設定的數目以上。
接著，搜索部130可以缺陷310的位置為中心，將搜索區域323恰以一定距離往Y軸方向移動，於移動後的位置，計算搜索區域324內的缺陷數，判斷缺陷數是否為已設定的數目以上。
如此，搜索部130可以特定缺陷310為中心，將搜索區域恰以一定距離，依序往X軸及Y軸方向移動，於各個位置，計算搜索區域內的缺陷數，搜索包含已設定的數目以上的缺陷的區域。
再者，於圖示的例中，搜索區域的移動距離可由使用者預先設定。
又，搜索部130可對於二維平面300所含的各個缺陷，以同樣方式設定搜索區域，一面移動於設定的搜索區域，一面於各個位置，判斷搜索區域內所含的缺陷數，是否為已設定的數目以上。
另，依據本發明的其他實施形態，搜索部130可於二維平面，設定以各個缺陷位置為中心座標的一定大小的搜索區域，搜索各搜索區域中，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
作為具體例，參考第4圖，搜索部130對於二維平面400上所含的各個缺陷，可設定以各缺陷為中心座標的一定大小的搜索區域410、420、430、440、450。然後，搜索部130可對於各個搜索區域410、420、430、440、450，計算缺陷數，搜索包含已設定的數目以上的缺陷的區域。
另，依據本發明進一步其他的實施形態，搜索部130可將二維平面，分割為一定大小的複數個搜索區域，搜索分割的各搜索區域中，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
作為具體例，參考第5圖，搜索部130可將二維平面500，分割為一定大小的搜索區域510、520、530、540。然後，搜索部130可計算各個搜索區域510、520、530、540所含的缺陷數，判斷是否包含已設定的數目以上的缺陷。
另，依據本發明進一步其他的實施形態，搜索部130可於二維平面，設定一定大小的搜索區域，於二維平面內，依序變更搜索區域的位置，搜索各搜索區域中，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
作為具體例，參考第6圖，搜索部130可將二維平面600上的特定位置，設定一定大小的搜索區域610。然後，搜索部130可於設定的搜索區域610計算缺陷數，判斷缺陷數是否為已設定的數目以上。
接著，搜索部130可使搜索區域610，恰以一定距離依序往Y軸方向移動，於各個位置，計算搜索區域620、630、640、650內的缺陷數，判斷缺陷數是否為已設定的數目以上。
再者，不能使搜索區域再往Y軸方向移動時，搜索部130可使搜索區域，恰以一定距離往X軸方向移動後，計算搜索區域660內的缺陷數，判斷缺陷數是否為已設定的數目以上。
接著，搜索部130可使搜索區域660，恰以一定距離再次依序往X軸方向移動，於各個位置，計算搜索區域內的缺陷數，判斷缺陷數是否為已設定的數目以上。
藉由該類方式，搜索部130可一面於搜索區域內，巡視二維平面 600全區域，一面於各個位置計算搜索區域內的缺陷數，搜索有已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
再者，於第6圖圖示的例中，搜索區域的移動方向及移動距離可由使用者預先設定。
缺陷檢測部140可根據由搜索部130搜索到的區域所含的缺陷的密集度，檢測密集性缺陷。在此，密集性不良意味複數個缺陷密集於一定區域內。
具體而言，缺陷檢測部140可根據由搜索部130搜索的區域，設定1個以上的缺陷候補區域。又，缺陷檢測部140可算出設定的各缺陷候補區域所含的缺陷的密集度，檢測密集性缺陷。
第2圖為本發明一實施形態的缺陷檢測部140的詳細構成圖。
參考第2圖，本發明一實施形態的缺陷檢測部140包含記憶體部141、候補區域決定部142、缺陷判斷部143及缺陷檢測資訊生成部144。
記憶體部141可儲存由搜索部130搜索過、有已設定的數目以上的缺陷存在的區域的位置。具體而言，記憶體部141可儲存由搜索部130搜索過的區域的二維平面上的位置。依據本發明一實施形態，記憶體部141可採用以對應於二維平面的二維陣列所構成的影像緩衝器的形態來實現，利用二維陣列，儲存由搜索部130搜索過的區域的位置。
候補區域決定部142可根據儲存於記憶體部141之搜索過的區域的位置，決定1個以上的缺陷候補區域。
例如候補區域決定部142可將儲存於記憶體部141的各個搜索過的區域，決定為缺陷候補區域。
此時，依據本發明一實施形態，候補區域決定部142係於儲存於記憶體部141的搜索過的區域中，存在有重疊或連續的區域時，統合重疊或連續的區域，將經統合的區域決定為缺陷候補區域。此時，為了統合重疊或連續的區域，亦可利用諸如Blob Labeling(連結體標示)運算法等標示(Labeling)運算法。
作為具體例，參考第7圖，在與光學薄膜輥相對應的二維平面710上，由搜索部130搜索過的區域711、712、713，可分別儲存於由二維陣列構成的記憶體部141的儲存區域720的對應位置721、722、723。
此時，候補區域決定部142可將由搜索部130搜索過的區域，即721、722、723的區域，分別決定為缺陷候補區域。
作為其他例，於第7圖，由於721的區域與722的區域為連續的區域，因此候補區域決定部142可將721的區域與722的區域，如第8圖所示例，統合為1個區域724，將經統合的區域724、及723的區域，分別決定為缺陷候補區域。
作為其他例，參考第9圖，在與光學薄膜輥相對應的二維平面910上，由搜索部120搜索過的區域911、912、913，可分別儲存於由二維陣列構成的記憶體部141的儲存區域920的對應位置921、922、923。
此時，候補區域決定部142可將由搜索部130搜索過的區域，即921、922、923的區域，分別決定為缺陷候補區域。
作為其他例，由於儲存於記憶體部141之搜索過的區域中，921的區域與922的區域為重疊的區域，因此候補區域決定部142可將921的區域與922的區域，如第10圖所示例，統合為1個區域924，將經統合的區域924、及923的區域，分別決定為缺陷候補區域。
另，依據本發明一實施形態，候補區域決定部142可對於由搜索部130搜索過的區域或經統合的區域的各個區域，將包含各區域所含的全部缺陷的最小區域，決定為缺陷候補區域。
作為具體例，參考第10圖及第11圖，候補區域決定部142可對於經統合的區域924及未被統合的區域923的各個區域，設定包含各區域所含的全部缺陷的最小區域925、926，將設定的最小區域925、926分別決定為缺陷候補區域。
再者，於第11圖所示例中，表示最小區域為四角形形狀，但不限定於此，最小區域的形狀亦可為例如圓形等各種形狀。
缺陷判斷部143可根據各個缺陷候補區域所含的缺陷的密集度，檢測密集性缺陷。
例如缺陷判斷部143算出缺陷候補區域所含的缺陷的密集度，算出的密集度為已設定之值以上時，可判斷為密集性缺陷。此時，密集度例如可作為缺陷候補區域內，各個缺陷所佔面積的合計來計算。
作為其他例，缺陷候補區域決定為第11圖所示的最小區域925、926時，密集度可計算為該最小區域的面積。
進而言之，作為其他例，密集度亦可計算為缺陷候補區域每單位面積的缺陷數。此時，每單位面積的缺陷數可計算為，缺陷候補區域所含的缺陷數，除以缺陷候補區域的面積之值。
缺陷檢測資訊生成部144可於檢測到密集性缺陷時，生成有關檢測的密集性缺陷的缺陷檢測資訊。此時，缺陷檢測資訊可包含例如有關光學薄膜的製程線之密集性缺陷的發生位置的資訊，光學薄膜的製程線之密集性缺陷 的發生位置可根據光學薄膜上檢測到的密集性缺陷的發生位置來算出。例如缺陷檢測資訊生成部144可以光學薄膜的製程線之光學薄膜的搬運方向為基準，根據從光學薄膜的開始位置，到於光學薄膜檢測到的密集性缺陷的發生位置為止的距離，判斷光學薄膜的製程線之密集性缺陷的發生位置。
另，依據本發明一實施形態，缺陷檢測資訊生成部144可將生成的缺陷檢測資訊，傳送至例如製程管理系統的管理者的終端裝置、製程線的作業人員的終端裝置、或者製程線上的警報裝置，藉此對於密集性缺陷的發生，進行迅速的處置。
第12圖為本發明一實施形態的光學薄膜的缺陷檢測方法的流程圖。
參考第12圖，光學薄膜缺陷檢測裝置100從至少1個檢查裝置，接收光學薄膜輥(roll)的缺陷資訊(1210)。
其後，光學薄膜缺陷檢測裝置100根據接收的缺陷資訊，決定與光學薄膜輥相對應的二維平面上的缺陷位置(1220)。
其後，光學薄膜缺陷檢測裝置100根據決定的缺陷位置，搜索二維平面上，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域(1230)。
例如光學薄膜缺陷檢測裝置100可對於二維平面的各個缺陷位置，設定包含各個缺陷位置的一定大小的搜索區域，以各個缺陷位置為中心，依序變更搜索區域的位置，搜索各搜索區域中，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
作為其他例，光學薄膜缺陷檢測裝置100可設定二維平面所含的各個缺陷位置為中心座標之一定大小的複數個搜索區域，搜索各搜索區域中， 有已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
作為進一步其他例，光學薄膜缺陷檢測裝置100可將二維平面，分割為一定大小的複數個搜索區域，搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
作為進一步其他例，光學薄膜缺陷檢測裝置100可於二維平面，設定一定大小的搜索區域，恰以一定距離，依序變更前述搜索區域的位置，搜索各搜索區域中，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
其後，光學薄膜缺陷檢測裝置100根據搜索過的區域所含的缺陷的密集度，檢測密集性缺陷(1240)。
其後，光學薄膜缺陷檢測裝置100生成有關檢測到的密集性缺陷的缺陷檢測資訊(1250)。此時，缺陷檢測資訊可包含例如有關光學薄膜的製程線之密集性缺陷的發生位置的資訊。
其後，光學薄膜缺陷檢測裝置100將生成的缺陷檢測資訊，傳送至例如製程管理系統的管理者的終端裝置、製程線的作業人員的終端裝置、或者製程線上的警報裝置(1260)。
第13圖係表示本發明一實施形態的密集性缺陷的檢測過程的流程圖。
參考第13圖，光學薄膜缺陷檢測裝置100儲存第12圖的搜索階段(1230)搜索過的區域的位置(1310)。此時，光學薄膜缺陷檢測裝置100可利用二維陣列，儲存搜索過的區域的位置資訊。
其後，光學薄膜缺陷檢測裝置100根據搜索過的區域的位置，決定缺陷候補區域(1320)。
例如光學薄膜缺陷檢測裝置100可將搜索過的區域的各個，決定為缺陷候補區域。
作為其他例，光學薄膜缺陷檢測裝置100可於搜索過的區域中，存在有重疊或連續的區域時，統合重疊或連續的區域，將經統合的區域決定為缺陷候補區域。
作為進一步其他例，光學薄膜缺陷檢測裝置100可對於搜索過的區域或經統合的區域的各個，將包含各區域所含的全部缺陷的最小區域，決定為缺陷候補區域。
其後，光學薄膜缺陷檢測裝置100算出缺陷候補區域所含的缺陷的密集度(1330)。
在此，密集度可作為例如於缺陷候補區域內，各個缺陷所佔的面積的合計，或缺陷候補區域每單位面積的缺陷數而計算。
作為其他例，缺陷候補區域決定為第11圖所示的最小區域925、926時，密集度可計算為該最小區域的面積。
其後，光學薄膜缺陷檢測裝置100根據算出的密集度，判斷缺陷候補區域內的密集性缺陷有無存在(1340)。
例如光學薄膜缺陷檢測裝置100可於算出的密集度為已設定之值以上時，判斷為密集性缺陷。
於第12圖及第13圖的流程圖，分為複數個階段來表示前述方法，但至少一部分的階段可改變順序執行、與其他階段組合執行、省略、細分階段執行、或附加未圖示的1個以上的階段而執行均可。
另，本發明的實施形態可包含電腦可讀取的記憶媒體，該記憶媒 體包含為了以電腦執行本說明書記述的方法的程式。前述電腦可讀取的記憶媒體可單獨或組合包含程式指令、區域資料檔、區域資料構造等。前述媒體為特別設計為本發明用而構成，或於電腦軟體領域一般會使用的媒體均可。電腦可讀取的記憶媒體的範例包含：硬碟、軟磁碟及磁帶等磁性媒體；CD-ROM、DVD等光學記錄媒體；軟磁碟等磁性-光學媒體；及ROM、RAM、快閃記憶體等特別構成為儲存程式指令而執行的硬體裝置。程式指令的範例不僅包含如由編譯器寫成的機械語碼，還可包含利用直譯器，可由電腦執行的高階語言碼。
以上說明了本發明的數個實施形態，但該等實施形態是例示作為範例，並未意圖限定發明的範圍。該等新實施形態得以其他各種形態來實施，可於不脫離發明要旨的範圍，進行各種省略、置換、變更。該等實施形態或其變形包含於發明的範圍或要旨，並且包含於申請專利範圍所記載的發明、及其同等的範圍內。
100:光學薄膜缺陷檢測裝置
110:接收部
120:缺陷位置決定部
130:搜索部
140:缺陷檢測部

Claims (31)

  1. 一種光學薄膜缺陷檢測裝置，包含：接收部，從至少1個檢查裝置，接收光學薄膜輥(roll)的缺陷資訊；缺陷位置決定部，根據前述缺陷資訊，決定與前述光學薄膜輥相對應的二維平面上的缺陷位置；搜索部，設定一定大小的搜索區域，根據前述缺陷位置，變更前述搜索區域的位置，搜索前述二維平面上，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域；及缺陷檢測部，根據前述搜索過的區域所含的缺陷的密集度，檢測密集性缺陷。
  2. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述搜索部係對於各個缺陷位置，設定包含前述各個缺陷位置，前述搜索部包含以前述各個缺陷位置為中心，依序變更前述搜索區域的位置，搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
  3. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述搜索區域包含以各個缺陷位置為中心座標之一定大小的複數個搜索區域，前述搜索部係搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
  4. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述搜索區域包含將前述二維平面，分割為一定大小的複數個搜索區域，前述搜索部包含搜索分割的各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
  5. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述搜索部恰以一定距離，依序變更前述搜索區域的位置，搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
  6. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述缺陷檢測部包含：記憶體部，儲存前述搜索過的區域的位置；候補區域決定部，根據前述搜索過的區域的位置，決定缺陷候補區域；及缺陷判斷部，算出前述缺陷候補區域所含的缺陷的密集度，根據前述算出的密集度，判斷前述缺陷候補區域內有無前述密集性缺陷的存在。
  7. 如申請專利範圍第6項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述候補區域決定部將前述搜索過的區域，決定為前述缺陷候補區域。
  8. 如申請專利範圍第7項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述候補區域決定部係於搜索過的區域中，存在有重疊或連續的區域時，統合前述重疊或連續的區域，將經統合的區域決定為前述缺陷候補區域。
  9. 如申請專利範圍第8項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述候補區域決定部係對於搜索過的區域或前述經統合的區域的各個，將包含各區域所含的全部缺陷的最小區域，決定為前述缺陷候補區域。
  10. 如申請專利範圍第6項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述記憶體部利用二維陣列，儲存前述搜索過的區域的位置資訊。
  11. 如申請專利範圍第6項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述密集度包含前述缺陷候補區域每單位面積的缺陷數，及前述缺陷候補區域內，各個缺陷所佔面積的合計中之至少一者。
  12. 如申請專利範圍第9項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述密集度包含前述最小區域的面積。
  13. 如申請專利範圍第6項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述缺陷判斷部係於前述密集度為已設定之值以上時，判斷為前述密集性缺陷。
  14. 如申請專利範圍第1項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述缺陷檢測部包含缺陷檢測資訊生成部，其於檢測到前述密集性缺陷時，生成缺陷檢測資訊，而前述缺陷檢測資訊包含有關光學薄膜的製程線之前述密集性缺陷的發生位置的資訊。
  15. 如申請專利範圍第14項之光學薄膜缺陷檢測裝置，其中前述缺陷檢測資訊生成部將前述缺陷檢測資訊，傳送至製程管理系統的管理者的終端裝置、前述光學薄膜的製程線的作業人員的終端裝置、及製程線上的警報裝置中之至少一者。
  16. 一種光學薄膜缺陷檢測方法，包含如下階段：從至少1個檢查裝置，接收光學薄膜輥(roll)的缺陷資訊的階段；根據前述缺陷資訊，決定與前述光學薄膜輥相對應的二維平面上的缺陷位置的階段；設定一定大小的搜索區域，根據前述缺陷位置，變更前述搜索區域的位置，搜索前述二維平面上，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域的階段；及根據前述搜索過的區域所含的缺陷的密集度，檢測密集性缺陷的階段。
  17. 如申請專利範圍第16項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述搜索區域係對於前述二維平面的各個缺陷位置，設定包含前述各個缺陷位置，前述搜索階段包含以前述各個缺陷位置為中心，依序變更前述搜索區域的位置，搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
  18. 如申請專利範圍第16項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述搜索區域包含以各個缺陷位置為中心座標之一定大小的複數個搜索區域，前述搜索階段包含搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
  19. 如申請專利範圍第16項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述搜索區域包含將前述二維平面，分割為一定大小的複數個搜索區域，前述搜索階段包含搜索分割的各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
  20. 如申請專利範圍第16項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述搜索區域包含於前述平面，分割為一定大小的複數個搜索區域，前述搜索階段包含依序變更前述搜索區域的位置，搜索各搜索區域中，有前述已設定的數目以上的缺陷存在的區域。
  21. 如申請專利範圍第16項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述檢測階段包含如下階段：儲存前述搜索過的區域的位置的階段；根據前述搜索過的區域的位置，決定缺陷候補區域的階段；算出前述缺陷候補區域所含的缺陷的密集度的階段；及根據前述算出的密集度，判斷前述缺陷候補區域內有無前述密集性缺陷的存在的階段。
  22. 如申請專利範圍第21項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述決定缺陷候補區域的階段，係將前述搜索過的區域，決定為前述缺陷候補區域。
  23. 如申請專利範圍第22項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述決定缺陷候補區域的階段，係於前述搜索過的區域中，存在有重疊或連續的區域時，統合前述重疊或連續的區域，將經統合的區域決定為前述缺陷候補區域。
  24. 如申請專利範圍第23項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述決定缺陷候補區域的階段，係對於前述搜索過的區域或前述經統合的區域的各個，將包含各區域所含的全部缺陷的最小區域，決定為前述缺陷候補區域。
  25. 如申請專利範圍第21項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述儲存階段利用二維陣列，儲存前述搜索過的區域的位置資訊。
  26. 如申請專利範圍第21項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述密集度包含前述缺陷候補區域每單位面積的缺陷數，及前述缺陷候補區域內，各個缺陷所佔面積的合計中之至少一者。
  27. 如申請專利範圍第24項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述密集度包含前述最小區域的面積。
  28. 如申請專利範圍第21項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中前述判斷階段係於前述密集度為已設定之值以上時，判斷為前述密集性缺陷。
  29. 如申請專利範圍第16項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中進一步包含於檢測到前述密集性缺陷時，生成缺陷檢測資訊的階段，而前述缺陷檢測資訊包含有關光學薄膜的製程線之前述密集性缺陷的發生位置的資訊。
  30. 如申請專利範圍第29項之光學薄膜缺陷檢測方法，其中進一步包含將前述缺陷檢測資訊，傳送至製程管理系統的管理者的終端裝置、前述光學薄膜的製程線的作業人員的終端裝置、及製程線上的警報裝置中之至少一者的階段。
  31. 一種電腦程式，其與硬體結合，且儲存於記錄媒體，用以執行如下階段：從至少1個檢查裝置，接收光學薄膜輥(roll)的缺陷資訊的階段；根據前述缺陷資訊，決定與前述光學薄膜輥相對應的二維平面上的缺陷位置的階段；設定一定大小的搜索區域，根據前述缺陷位置，變更前述搜索區域的位置，搜索前述二維平面上，有已設定的數目以上的缺陷存在的區域的階段；及根據前述搜索過的區域所含的缺陷的密集度，檢測密集性缺陷的階段。
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