TWI703123B - 銀離子之羧酸根一級烷基胺錯合物 - Google Patents
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- -1 Silver ion carboxylate Chemical class 0.000 title claims abstract description 179
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 title claims abstract description 70
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 377
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 328
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 328
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 90
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 58
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 268
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 141
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 121
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 96
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims description 69
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 62
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 62
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 53
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 49
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 37
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 33
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 claims description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 28
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 24
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 17
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 15
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 13
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 13
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 12
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 10
- BMFVGAAISNGQNM-UHFFFAOYSA-N isopentylamine Chemical compound CC(C)CCN BMFVGAAISNGQNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- JOZZAIIGWFLONA-UHFFFAOYSA-N 3-methylbutan-2-amine Chemical compound CC(C)C(C)N JOZZAIIGWFLONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 9
- YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N tert-butylamine Chemical compound CC(C)(C)N YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 8
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- KIPSRYDSZQRPEA-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethanamine Chemical compound NCC(F)(F)F KIPSRYDSZQRPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LXVSANCQXSSLPA-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-2-hydroxy-butyric acid Chemical compound CCC(O)(CC)C(O)=O LXVSANCQXSSLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MBIQENSCDNJOIY-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methylbutyric acid Chemical compound CCC(C)(O)C(O)=O MBIQENSCDNJOIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NGEWQZIDQIYUNV-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-methylbutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)C(O)=O NGEWQZIDQIYUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyisobutyric acid Chemical compound CC(C)(O)C(O)=O BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- DPQNQLKPUVWGHE-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropan-1-amine Chemical compound NCC(F)(F)C(F)(F)F DPQNQLKPUVWGHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NGZVNONVXYLYQW-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-trifluoropropan-1-amine Chemical compound NCCC(F)(F)F NGZVNONVXYLYQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- DXSUORGKJZADET-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbutan-2-amine Chemical compound CC(N)C(C)(C)C DXSUORGKJZADET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000006114 decarboxylation reaction Methods 0.000 claims description 5
- WGBBUURBHXLGFM-UHFFFAOYSA-N hexan-2-amine Chemical compound CCCCC(C)N WGBBUURBHXLGFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N Pyruvic acid Chemical compound CC(=O)C(O)=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000013112 stability test Methods 0.000 claims description 4
- AFENDNXGAFYKQO-VKHMYHEASA-N (S)-2-hydroxybutyric acid Chemical compound CC[C@H](O)C(O)=O AFENDNXGAFYKQO-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 3
- JJABOWZNFOCHMN-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxycyclopentane-1-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(O)CCCC1 JJABOWZNFOCHMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CPLWWXZZFYHPJY-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxy-2,3-dimethylbutanedioic acid Chemical compound OC(=O)C(O)(C)C(C)(O)C(O)=O CPLWWXZZFYHPJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FTYYNMDIDUYIRP-UHFFFAOYSA-N 2,4-dihydroxy-2,4-dimethylpentanedioic acid Chemical compound OC(=O)C(O)(C)CC(C)(O)C(O)=O FTYYNMDIDUYIRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WLDPATWZWMAFDF-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-methoxybutanoic acid Chemical compound CCC(CC)(OC)C(O)=O WLDPATWZWMAFDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JRQZJRDOZAJRTN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2,3-dimethylbutanoic acid Chemical compound CC(C)C(C)(O)C(O)=O JRQZJRDOZAJRTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FWVNWTNCNWRCOU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3,3-dimethylbutanoic acid Chemical compound CC(C)(C)C(O)C(O)=O FWVNWTNCNWRCOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BKBZFJRHYSCZQA-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-2-methylpropanoic acid Chemical compound COC(C)(C)C(O)=O BKBZFJRHYSCZQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TYEYBOSBBBHJIV-UHFFFAOYSA-N 2-oxobutanoic acid Chemical compound CCC(=O)C(O)=O TYEYBOSBBBHJIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IAWVHZJZHDSEOC-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethyl-2-oxobutanoic acid Chemical compound CC(C)(C)C(=O)C(O)=O IAWVHZJZHDSEOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VOOLHWPXPFEYAH-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethyl-2-oxopentanoic acid Chemical compound CCC(C)(C)C(=O)C(O)=O VOOLHWPXPFEYAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QHKABHOOEWYVLI-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-2-oxobutanoic acid Chemical compound CC(C)C(=O)C(O)=O QHKABHOOEWYVLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N Pentanenitrile Chemical compound CCCCC#N RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QHDRKFYEGYYIIK-UHFFFAOYSA-N isovaleronitrile Chemical compound CC(C)CC#N QHDRKFYEGYYIIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M Lactate Chemical compound CC(O)C([O-])=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims description 2
- 229940107700 pyruvic acid Drugs 0.000 claims description 2
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 229940100684 pentylamine Drugs 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 36
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 31
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 31
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 23
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 23
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 8
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 8
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 8
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 7
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 7
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 7
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 7
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- GELMWIVBBPAMIO-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-amine Chemical compound CCC(C)(C)N GELMWIVBBPAMIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007774 anilox coating Methods 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- ITJPNIIOKYGMHQ-UHFFFAOYSA-M silver 2-hydroxypropanoate 2-methylpropan-2-amine Chemical compound [Ag+].CC(C)(C)N.CC(O)C([O-])=O ITJPNIIOKYGMHQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 4
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 4
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQUGEJYMXHMMFA-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)N.[Ag] Chemical compound C(C)(C)(C)N.[Ag] GQUGEJYMXHMMFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000013505 freshwater Substances 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 150000005837 radical ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- VINHFDHNCKQONX-UHFFFAOYSA-M silver 2-hydroxy-2-methylpropanoate 2-methylbutan-2-amine Chemical compound [Ag+].CCC(C)(C)N.CC(C)(O)C([O-])=O VINHFDHNCKQONX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- LMEWRZSPCQHBOB-UHFFFAOYSA-M silver;2-hydroxypropanoate Chemical compound [Ag+].CC(O)C([O-])=O LMEWRZSPCQHBOB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 102000001708 Protein Isoforms Human genes 0.000 description 2
- 108010029485 Protein Isoforms Proteins 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000845 anti-microbial effect Effects 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 238000010504 bond cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000011111 cardboard Substances 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L dimercury dichloride Chemical class Cl[Hg][Hg]Cl ZOMNIUBKTOKEHS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000003473 flash photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- YJMNOKOLADGBKA-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-carbonitrile Chemical compound C1=CC=C2C(C#N)=CC=CC2=C1 YJMNOKOLADGBKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 2
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000007540 photo-reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 2
- 150000005839 radical cations Chemical class 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- SSJMNLKSTYJJRV-UHFFFAOYSA-M silver 2-hydroxypropanoate propan-1-amine Chemical compound [Ag+].CCCN.CC(O)C([O-])=O SSJMNLKSTYJJRV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 description 2
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQTLITHFNNXWNM-UHFFFAOYSA-M silver;2-hydroxybutanoate Chemical compound [Ag+].CCC(O)C([O-])=O ZQTLITHFNNXWNM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000007944 thiolates Chemical class 0.000 description 2
- 238000004832 voltammetry Methods 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOJUJUVQIVIZAV-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4,6-dichloropyrimidine-5-carbaldehyde Chemical group NC1=NC(Cl)=C(C=O)C(Cl)=N1 GOJUJUVQIVIZAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyisobutyrate Chemical compound CC(C)(O)C([O-])=O BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CDSULTPOCMWJCM-UHFFFAOYSA-N 4h-chromene-2,3-dione Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C(=O)CC2=C1 CDSULTPOCMWJCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 238000001016 Ostwald ripening Methods 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-M Pyruvate Chemical compound CC(=O)C([O-])=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical class N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004224 UV/Vis absorption spectrophotometry Methods 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- QSDSNNSKORVORL-UHFFFAOYSA-N acetic acid;silver Chemical compound [Ag].CC(O)=O QSDSNNSKORVORL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLSHOVBRUATWKO-UHFFFAOYSA-N acetonitrile;benzonitrile Chemical compound CC#N.N#CC1=CC=CC=C1 NLSHOVBRUATWKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-O acridine;hydron Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3[NH+]=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N ammonium bromide Chemical compound [NH4+].[Br-] SWLVFNYSXGMGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVCZEBOGSOYJJT-UHFFFAOYSA-N ammonium carbamate Chemical class [NH4+].NC([O-])=O BVCZEBOGSOYJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRKQVKDSMLBJBJ-UHFFFAOYSA-N ammonium carbonate Chemical class N.N.OC(O)=O PRKQVKDSMLBJBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- IYYACUGXZLFMGN-UHFFFAOYSA-N anthracene-2,6,9,10-tetracarbonitrile Chemical compound C1=C(C#N)C=CC2=C(C#N)C3=CC(C#N)=CC=C3C(C#N)=C21 IYYACUGXZLFMGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGWSCBKUFCAADX-UHFFFAOYSA-N anthracene-2,9,10-tricarbonitrile Chemical compound C1=CC=CC2=C(C#N)C3=CC(C#N)=CC=C3C(C#N)=C21 JGWSCBKUFCAADX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIOPPFDHKHWJIA-UHFFFAOYSA-N anthracene-9,10-dinitrile Chemical compound C1=CC=C2C(C#N)=C(C=CC=C3)C3=C(C#N)C2=C1 BIOPPFDHKHWJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000001601 aromatic carbocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920006378 biaxially oriented polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011127 biaxially oriented polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 150000003842 bromide salts Chemical class 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000012018 catalyst precursor Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000000109 continuous material Substances 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- BLNNXYDKWOJQGK-UHFFFAOYSA-N dioxosuccinic acid Chemical compound OC(=O)C(=O)C(=O)C(O)=O BLNNXYDKWOJQGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000010017 direct printing Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 1
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012458 free base Substances 0.000 description 1
- 238000007755 gap coating Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical class C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- BENSWQOUPJQWMU-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dicarbonitrile Chemical compound C1=CC=C2C(C#N)=CC=C(C#N)C2=C1 BENSWQOUPJQWMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000847 optical profilometry Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 239000011087 paperboard Substances 0.000 description 1
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXMCIQXYGMZFMH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4-dicarboxylic anhydride Chemical compound C=12C3=CC=CC2=CC=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 SXMCIQXYGMZFMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 238000010672 photosynthesis Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006338 pulse radiolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 229940076788 pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDCYHMMTMCIDTO-UHFFFAOYSA-M silver 2-ethyl-2-hydroxybutanoate Chemical compound [Ag+].CCC(O)(CC)C([O-])=O GDCYHMMTMCIDTO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AVXBJCTZLLUIEP-UHFFFAOYSA-M silver 2-hydroxypropanoate 2,2,2-trifluoroethanamine Chemical compound [Ag+].CC(O)C([O-])=O.NCC(F)(F)F AVXBJCTZLLUIEP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M silver acetate Chemical compound [Ag+].CC([O-])=O CQLFBEKRDQMJLZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940071536 silver acetate Drugs 0.000 description 1
- 229940096017 silver fluoride Drugs 0.000 description 1
- REYHXKZHIMGNSE-UHFFFAOYSA-M silver monofluoride Chemical compound [F-].[Ag+] REYHXKZHIMGNSE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGFYIDCVDSATDC-UHFFFAOYSA-N silver silver Chemical compound [Ag].[Ag] OGFYIDCVDSATDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPNVIBVEFVRZPJ-UHFFFAOYSA-L silver sulfate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[O-]S([O-])(=O)=O YPNVIBVEFVRZPJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000367 silver sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- WYCFMBAHFPUBDS-UHFFFAOYSA-L silver sulfite Chemical compound [Ag+].[Ag+].[O-]S([O-])=O WYCFMBAHFPUBDS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SUBDVAVHQMAIST-UHFFFAOYSA-M silver;2-hydroxy-2-methylpropanoate Chemical compound [Ag+].CC(C)(O)C([O-])=O SUBDVAVHQMAIST-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GYEMIEGAEOIJQR-UHFFFAOYSA-M silver;2-methylpropanoate Chemical compound [Ag+].CC(C)C([O-])=O GYEMIEGAEOIJQR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NGBNXJUWQPLNGM-UHFFFAOYSA-N silver;azane Chemical compound N.[Ag+] NGBNXJUWQPLNGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 1
- 239000012453 solvate Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N sulfurothioic S-acid Chemical compound OS(O)(=O)=S DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000004083 survival effect Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000341 volatile oil Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
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Abstract
本發明提供一種非羥基溶劑可溶銀錯合物，其具有與α-氧基羧酸根及一級烷基胺錯合之可還原銀離子。此非羥基溶劑可溶銀錯合物可由下式(I)表示： (Ag+
) a
(L) b
(P) c
(I) 其中L表示α-氧基羧酸根；P表示一級烷基胺；a
為1或2；b
為1或2；且c
為1、2、3或4，其限制條件為：當a
為1時，b
為1，且當a
為2時，b
為2。此類錯合物可併入隨後用於提供各種前體製品及產品製品中之感光性薄膜或感光性薄膜圖案的感光性組合物中。在各種方法中，曝露於UV可見光輻射後，該等可還原銀離子可快速及有效地還原成導電銀金屬。
Description
本發明係關於非羥基溶劑可溶銀錯合物，其可併入含可還原銀離子的感光性組合物中，該等含可還原銀離子的感光性組合物可用於在輻照後提供各種製品中之銀金屬以用於各種用途。此等錯合物中之每一者包括與α-氧基羧酸根及一級烷基胺兩者錯合之可還原銀離子。
熟知作為貴金屬之銀具有所要電導率及熱導率、催化特性及抗微生物特性。由此，銀及含銀化合物已廣泛用於合金、金屬電鍍製程、電子器件、成像科學、藥品、服裝或其他纖維材料及利用銀的有益特性之其他商業及工業製品及製程。 舉例而言，已將銀化合物或銀金屬描述為用作金屬佈線圖案、印刷電路板(PCB)、可撓性印刷電路板(FPC)、用於射頻識別(RFID)旗標之天線、電漿顯示器面板(PDP)、液晶顯示器(LCD)、有機發光二極體(OLED)、可撓性顯示器及有機薄膜電晶體(OTFT)以及此項技術中已知的其他電子器件中之金屬圖案或電極。 製造及使用用於各種通信、財務及歸檔目的之各種電子器件亦快速發展。 銀為電導率比當今常用於許多器件中之氧化銦錫大50至100倍的理想導體。舉例而言，此項技術已描述藉由在「感光(photographic)」鹵化銀乳液中精油適當光罩形成及顯影(還原)鹵化銀影像來形成具有銀線之導電柵格網路而製備導電薄膜，該等銀線具有小於10 µm之平均尺寸(寬度及高度)且具有適當長度。已獲得設計鹵化銀乳液及處理條件來使導電柵格設計最佳化的各種成果。 雖然銀作為電導體在印刷電子器件領域具有多種多樣的潛在用途，但是藉由光微影及無電技術之導電徑跡(柵格、線或圖案)的微製造耗時且昂貴，且存在對用以簡化製程且降低製造成本之直接數位印刷的工業需要。 此外，期望藉由基於溶液之印刷製程將含銀電子器件製造至聚合或類似溫度敏感基板上。應在足夠低之溫度下實現低電阻金屬導電線或柵格以使該等金屬導電線或柵格與聚合基板上之有機電子器件相容。製造導電銀柵格或圖案之各種已知方法當中，含銀墨水之直接印刷為產生此類導電圖案提供有吸引力的前景。 適用於此目的之常用銀導電墨水當前係基於或依賴於銀奈米粒子(NP)溶液或分散液之存在，該等溶液或分散液皆具有相關缺陷。為解決基於銀奈米粒子之墨水中之普遍聚集及絮凝問題，可使用各種硫醇鹽囊封界面活性劑或分散劑。Volkman等人[Chem . Mater
.23
, 4634-4640 (2011)]觀測到，硫醇鹽囊封界面活性劑可用於處理含銀墨水中之3 nm銀粒子以獲得在高於175℃之溫度下在空氣中燒結之薄膜。燒結對獲得電子應用所需之電傳導率而言是必需的。Niittynen等人[Sci . Rep . 5
, 文章編號: 8832 (2015)]探究燒結對於噴墨印刷之銅奈米粒子墨水之電氣效能及微觀結構的影響。此等工作人員使用雷射及密集脈衝式光(intense pulsed light；IPL)燒結以便獲得電導率比塊狀銅之電導率大20%的製品。 然而，燒結技術具有重大缺點。在多數情況下，燒結步驟需要不與通常在許多消費型電子製品中採用的諸如聚對苯二甲酸伸乙酯或聚碳酸酯之聚合物基板相容的高溫。此外，用於此等製程之含金屬墨水具有不同黏度及合成參數。基於粒子之墨水通常含有單獨合成且隨後併入墨水調配物中之導電金屬粒子。應在隨後將各所得的基於粒子之墨水最佳化以用於特定印刷製程。 Grouchko等人[ACS Nano 5
(4) 3354-3359 (2011)]最近藉由採用室溫「內置」燒結機制解決了此等問題中之一些，該機制成功地產生展現的電導率高達塊狀銀電導率之41%的銀金屬製品。為獲得此等電導率值，採用氯化物鹽(諸如NaCl)或HCl蒸汽而自直徑約15 nm之銀奈米粒子原料剝離聚合(聚丙烯酸鈉鹽)電位阻穩定塗層。此燒結機制由自發聚結及奧斯華熟化(Ostwald ripening)組成、由極小銀奈米粒子之表面體積比能量驅動。由此，所有此等基於奈米粒子的製程本身涉及燒結製程，無論其經化學(例如使用諸如氫氯酸之強酸)活化、熱活化、雷射活化或UV活化。 亦已提出用於提供銀或含銀化合物之圖案的噴墨印刷及柔性凸版印刷，其需要使用所要表面張力、黏度、穩定性及此類塗覆製程所需的其他物理特性謹慎製造含銀糊狀物或「墨水」。高電導率一般需要高銀含量，且增加印刷銀墨水之電導率另外需要煅燒或燒結。 上文所描述的方法之替代為採用化學墨水調配物，其中銀源為隨後經化學反應(或經還原)以產生銀金屬之分子前驅體或陽離子(諸如銀鹽)。近年來，呈化學溶液形式而非作為金屬粒子之懸浮液或分散液的導電墨水已獲得關注[參見(例如) Walker及Lewis的J . Am . Chem . Soc . 134
, 1419 (2012); 及Jahn等人的Chem . Mater . 22
, 3067-3071 (2010)]。此類型之一種導電墨水被稱為有機金屬分解(MOD)變種墨，例如，由使用含水過渡金屬錯合物含[AgO2
C(CH2
OCH2
)3
H] MOD墨水來研究銀印刷之Jahn等人[Chem . Mater . 22
, 3067-3071 (2010)]所描述。其報告具有高達2.7 × 107
S m- 1
之電導率的金屬銀特徵之形成，其對應於為塊狀銀之電導率之43%的電導率，但需要250℃之燒結溫度。雖然MOD墨水由此解決與含奈米粒子的墨水之使用相關聯的一些問題，例如噴嘴堵塞，但一般需要大量印刷遍次來獲得適當薄層電阻。若自分散奈米粒子中間物開始生長製程，則還需要處理後燒結製程來使導電製品完全固結，該處理後燒結製程在MOD墨水製程中為普遍的。 美國專利申請公開案2015-0004325 (Walker等人)描述一種化學反應性銀墨水組合物，其包含羧酸銀鹽及烷基胺之錯合物，其中該錯合物用於在120℃或更低溫度下形成導電銀結構。令人遺憾的是，甚至此等溫度致使墨水與可撓性電子及生物醫學器件中使用的許多聚合及紙質基板不相容。此外，由於已知烷基胺在室溫下還原銀，故此類組合物之長期穩定性是不確定的。錯合物應保持於氣密式冷藏儲存倉中以獲得延長之保存穩定性(公開案之第I欄第0054段)。此外，公開案教示需要較長加熱時間來獲得所得製品之低電阻率。 形成有機銀錯合物之共同配位離子為羧酸[Prog . Inorg . Chem .
,10
, 233 (1968)]。然而，銀羧酸根錯合物一般不溶於有機溶劑[參見(例如)Whitcomb之美國專利5,491,059及Hill等人之美國專利5,534,312]，且具有高分解溫度。為解決此問題，已在(例如)Ang . Chem ., Int . Ed . Engl .
, 31, 第770頁(1992),Chem . Vapor Deposition
, 7, 111 (2001),Chem . Mater .
, 16, 2021 (2004)及美國專利5,705,661 (Iwakura等人)中提出若干方法。在此類方法中，彼等方法使用具有長烷基鏈或包括胺化合物或膦化合物之羧酸銀。然而，迄今已知的銀錯合物不具有充分穩定性或可溶性，且對於圖案形成而言需要高分解溫度且分解緩慢。 據稱，為解決此等問題中之一些，美國專利8,226,755 (Chung等人)描述藉由使銀化合物(諸如銀鹽)與胺甲酸銨化合物或碳酸銨化合物反應形成之銀錯合物。此外，美國專利申請公開案2010/0021704 (Yoon等人)描述在低溫下與胺錯合且在混雜物中與氧化銀錯合以自氧化銀形成銀金屬的脂肪酸銀鹽之製備及用途。 美國專利8,163,073 (Chan等人)描述銀銨錯合物離子、銀胺錯合物離子、銀-胺基酸錯合物離子、鹵化銀錯合物離子、亞硫酸銀錯合物離子或硫代硫酸銀錯合物離子用於銀電鍍製程以形成用於各種器件的銀線的用途。 美國專利7,682,774 (Kim等人)描述包含作為催化劑前驅體之氟化銀有機錯合物前驅體之其他感光性組合物以及源自具有羧基的單體及可提供用於無電極電鍍之所得「晶種」銀催化劑粒子之聚合穩定性及可顯影性的可共聚合單體的聚合物之用途。 美國專利8,419,822 (Li)描述一種用於藉由加熱銀鹽、羧酸及三級胺之混合物來產生羧酸穩定化銀奈米粒子的製程。然而，已觀察到，此類含銀錯合物為熱或光不穩定的。可還原銀離子在環境光條件下易於還原，且銀粒子之所得電導率極小。 製備導電薄膜或元件之其他工業方法涉及調配含有諸如銀金屬粒子之金屬粒子之分散液的光可固化組合物及將該等光可固化組合物塗覆至基板，隨後固化光可固化組合物中之光可固化組份。經固化組合物中之所塗覆銀粒子由此充當經無電極電鍍之導電金屬的催化(晶種)粒子。舉例而言，在美國專利9,188,861 (Shukla等人)及9,207,533 (Shukla等人)中且在美國專利申請公開案2014/0071356 (Petcavich)及2015/0125596 (Ramakrishnan等人)中描述以此方式製備之適用導電柵格。使用此等方法，可在合適透明基板上印刷及固化含有催化銀粒子之光可固化組合物，該透明基板例如透明聚酯之連續捲筒，且隨後可對催化銀粒子執行無電極電鍍。然而，此等方法需要大量銀粒子以均一方式分散於光可固化組合物內以使得塗層或經印刷圖案具有足夠高密集度的催化部位。在未有效分散的情況下，銀粒子易於聚集，導致催化金屬圖案及無電極電鍍之低效及不均一塗覆。 不管提供上文所描述的各種消費型及工業製品中之導電銀的所有各種方法及成果如何，仍需要可在室溫下快速產生金屬銀的產生感光性銀之組合物及製程。理想地，此類感光性組合物應具有若干特性：延長時段的在室溫下之穩定性(銀離子之受限自還原)；無論均一地或逐圖案地，能夠使用多種多樣的塗覆製程沈積；在室溫下適用；及可控制之化學活性。
本發明提供一種非羥基溶劑可溶銀錯合物，其包含與α-氧基羧酸根及一級烷基胺錯合的可還原銀離子。 該非羥基溶劑可溶銀錯合物由下式(I)表示： (Ag+
) a
(L) b
(P) c
(I) 其中L表示α-氧基羧酸根；P表示一級烷基胺；a
為1或2；b
為1或2；且c
為1、2、3或4，其限制條件為：當a
為1時，b
為1，且當a
為2時，b
為2。 本發明亦提供含可還原銀離子的感光性組合物，其包含： a) 如本文所描述之非羥基溶劑可溶銀錯合物； c) 包含至少一種非羥基溶劑的溶劑介質；及 b) 視情況存在之可還原該可還原銀離子或氧化該α-氧基羧酸根之光敏劑。 此外，本發明提供一種用於提供銀金屬之方法，其包含： 在基板上提供感光性薄膜或感光性薄膜圖案，感光性薄膜或感光性薄膜圖案包含： a) 如本文所描述之非羥基溶劑可溶銀錯合物；及 b) 視情況存在之可還原該可還原銀離子或氧化該α-氧基羧酸根之光敏劑；及 藉由使用波長在至少150 nm及至多且包括700 nm之範圍內的電磁輻射來輻照感光性薄膜或感光性薄膜圖案，以光化學方式將感光性薄膜或感光性薄膜圖案中之可還原銀離子轉化成導電銀金屬，以在基板上提供含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案。 在一些實施例中，該方法亦包括，其中 在以光化學方式將可還原銀離子轉化成導電銀金屬之後，使含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與水或者含水或無水鹽溶液接觸，及 視情況地，對含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案進行乾燥。 替代地，所提及之方法可經限定，其中 在以光化學方式將可還原銀離子轉化成導電銀金屬之後，使含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與水或者含水或無水非鹽溶液接觸，及 視情況地，對含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案進行乾燥。 又再次，該方法可經限定為，其中 在以光化學方式將可還原銀離子轉化成導電銀金屬之後，使含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與水或者含水或無水鹽溶液接觸， 使含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與含水或無水非鹽溶液接觸，及 視情況地，對含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案進行乾燥。 在一些實施例中，一種用於提供兩個或多於兩個導電圖案之方法包含： 提供具有第一支撐側及第二相對支撐側的連續基板， 在連續基板之第一支撐側上之兩個或多於兩個各別部分上提供兩個或多於兩個感光性薄膜圖案，該兩個或多於兩個感光性薄膜圖案中之每一者包含： a) 非羥基溶劑可溶銀錯合物，其包含與α-氧基羧酸根及一級烷基胺錯合之可還原銀離子， 該非羥基溶劑可溶銀錯合物由下式(I)表示： (Ag+
) a
(L) b
(P) c
(I) 其中L表示α-氧基羧酸根；P表示一級烷基胺；a
為1或2；b
為1或2；且c
為1、2、3或4，其限制條件為：當a
為1時，b
為1，且當a
為2時，b
為2；及 b) 可還原該可還原銀離子或氧化該α-氧基羧酸根的光敏劑； 以光化學方式轉化連續基板之第一支撐側上的兩個或多於兩個感光性薄膜圖案中之每一者中的可還原銀離子，以對應地提供兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案； 使兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與水或者含水或無水鹽溶液接觸； 視情況地，使兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與含水或無水非鹽溶液接觸；及 視情況地，對連續基板之第一支撐側上的兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者進行乾燥。 另外，此方法可進一步包含： 在連續基板之第二相對支撐側上的兩個或多於兩個各別部分上提供兩個或多於兩個相對感光性薄膜圖案，該兩個或多於兩個相對感光性薄膜圖案中之每一者包含： a) 非羥基溶劑可溶銀錯合物；及 b) 光敏劑； 以光化學方式轉化兩個或多於兩個相對感光性薄膜圖案中之每一者中的可還原銀離子以提供兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案； 使兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案中之每一者與水或者含水或無水鹽溶液接觸； 視情況地，使兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案中之每一者與含水或無水非鹽溶液接觸；及 視情況地，對連續基板之第二相對支撐側上的兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案中之每一者進行乾燥。 另外，本發明提供一種前體製品，其包含具有第一支撐側及第二相對支撐側之基板，且在至少第一支撐側上具有： 感光性薄膜或一或多個感光性薄膜圖案，該感光性薄膜或該一或多個感光性薄膜圖案中之每一者包含： a) 如本文所定義之非羥基溶劑可溶銀錯合物；及 b) 可還原該可還原銀離子或氧化該α-氧基羧酸根的光敏劑。 在一些特別適用之實施例中，本發明之前體製品包含基板之第二相對支撐側上之一或多個感光性薄膜圖案，該一或多個感光性薄膜圖案中之每一者安置於基板之相對支撐側上，該一或多個感光性薄膜圖案中之每一者包含： a) 非羥基溶劑可溶銀錯合物；及 b) 光敏劑。 本發明亦提供一種可自本發明之一些方法獲得的產品製品，該產品製品包含具有第一支撐側及第二相對支撐側之基板，且在至少第一支撐側上具有： 含導電銀金屬的薄膜或一或多個含導電銀金屬的薄膜圖案，其包含： 銀金屬； α-氧基羧酸根； 一級烷基胺；及 可還原可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根的光敏劑。 本發明涉及新穎非羥基溶劑可溶銀錯合物且涉及此類錯合物在感光性組合物及製品中之用途及用於產生及使用該等錯合物的方法，各錯合物包含與一或多種α-氧基羧酸根化合物及一或多種一級烷基胺錯合之銀離子。舉例而言，此類新穎錯合物可併入至銀「墨水」或可包括光敏劑及包含一或多種非羥基溶劑之溶劑介質的含可還原銀離子的感光性組合物中。當存在時，光敏劑在吸收光化輻射後分解非羥基溶劑可溶銀錯合物，以快速的方式在室溫下形成導電金屬銀。可還原銀離子可以光化學方式轉化成銀金屬而不需光敏劑存在，但此反應通常以明顯更慢速率發生。 本文中所描述之此類新穎錯合物及含有該等錯合物之感光性組合物可用於各種方法中，該等方法包含在基板上作為均一感光性薄膜或作為感光性薄膜圖案的銀「墨水」，且在室溫下將所塗覆材料曝露至合適光化輻射來產生導電銀金屬(均一層或圖案)。 本發明提供優於已知技術的若干重要優點。 首先，在適當光敏劑的存在下，在吸收光化輻射後，本文中根據本發明之非羥基溶劑可溶銀錯合物在室溫下快速產生導電銀金屬。由此，金屬銀產生有可能以高速、連續製造操作(諸如，卷軸式操作)進行。 另外，當保持在黑暗中或在黃色安全燈條件下時，本文中所描述之錯合物及根據本發明該等錯合物所併入至之感光性組合物在室溫下為穩定的，以使得極少存在銀離子之過早還原。由此，此類錯合物及感光性組合物中之根據本發明之化學反應為高度可控的，以使得其不過早地退化且可用於廣泛多種操作。 由於在曝露於光化輻射後，在室溫下產生金屬銀，故根據本發明之感光性組合物在所使用基板的選擇方面提供較大靈活性，該基板包括塑膠(聚合物)、金屬、玻璃及可用於各種最終產品或電子器件之其他材料。 此外，因為根據本發明之感光性組合物一般呈澄清液體形式，所以當產生各種製品及用途時，大量沈積技術可供選擇，該等沈積技術包括(但不限於)柔性凸版印刷、噴墨印刷、網板印刷、凹版印刷、卷塗、噴塗及對熟習此項技術者將顯而易見之其他技術。 使用本文中所描述之新穎非羥基溶劑可溶銀錯合物達成本文中所描述的優點。各錯合物包含與α-氧基羧酸根及一級烷基胺錯合之至少一個可還原銀離子。在下文中更詳細地描述此等非羥基溶劑可溶銀錯合物。 可視存在之光敏劑之類型而以兩個不同光化學製程中之一者自根據本發明之錯合物提供銀金屬。在一些實施例中，光敏劑為吸電子的，且在用自電磁輻射所捕獲的光子激發後，其與α-氧基羧酸根離子反應，但在其他實施例中，光敏劑為推電子的，且在用自電磁輻射所捕獲的光子激發後，其與可還原銀離子反應。 對熟習此項技術者，鑒於本文中所提供之教示，本發明之其他優點將顯而易見。
以下論述涉及本發明之各種實施例，且如在下文中所主張，雖然一些實施例可預期用於特定用途，但是所揭示之實施例不應解釋為或以其他方式視為限制本發明的範疇。另外，熟習此項技術者將理解，以下揭示內容具有比對任何實施例之論述中所明確描述之應用更廣的應用。定義
如本文所使用以定義含可還原銀離子的感光性組合物、感光性薄膜、感光性薄膜圖案或用於本發明之實施之其他材料之各種組份，除非另有指示，否則單數形式「一(a/an)」及「該」意欲包括組份中之一或多者(亦即，包括複數參照物)。 在本申請案中未明確定義之各術語應被理解為具有熟習此項技術者通常所接受之含義。若術語之句法關係將使其在其上下文中無意義或基本上無意義，則術語應被解釋成具有標準詞典含義。 除非另外明確指示，否則本文中所指定之各種範圍中之數值之使用被視為近似值，如同在所述範圍內之最小值及最大值的前面皆加上詞語「約」。以此方式，高於或低於所述範圍之輕微變化可用於實質上達成與該等範圍內之數值相同的結果。另外，此等範圍之揭示意欲作為包括最小值與最大值之間的每一值以及範圍之端點的連續範圍。 除非另有指示，否則術語「重量%」係指按含可還原銀離子的感光性組合物、調配物、溶液之總量計的組份或材料之量。在其他實施例中，「重量%」可指乾燥層、塗層、薄膜、銀線或銀圖案之固體(或乾燥重量)%。 除非本文中另有指示，否則術語「非羥基溶劑可溶銀錯合物」、「含銀離子錯合物」及「錯合物」係指根據本發明之實施例。 除非本文中另有指示，否則術語「感光性組合物」及「含可還原銀離子的感光性組合物」係指根據本發明之實施例。 除非本文中另有指示，否則「感光性」係指在用至少150 nm及至多且包括750 nm或尤其至少190 nm及至多且包括450 nm之波長範圍內的紫外(UV)或可見光輻射輻照時錯合物或感光性組合物中銀離子還原成銀金屬之能力。由此，感光性係指錯合物直接地吸收輻射且進行光化學反應，或係指感光性組合物中之光敏劑吸收光化輻射且經由電子轉移將能量轉移至錯合物以引發所要反應。 除非另有指示，否則如應用於含可還原銀離子的感光性組合物或溶液之術語「無水」意謂用於形成此類組合物或溶液的溶劑介質在本質上主要是有機的，且水並非有意添加，而是以小於溶劑介質中所有溶劑之總重量的10重量%或尤其是小於該總重量的5重量%或甚至小於該總重量的1重量%之量存在。 本文中所描述之感光性薄膜及含銀金屬薄膜之平均乾燥厚度可為(例如)使用電子顯微術、光學顯微術或輪廓量測術所獲得的至少2個單獨量測值之平均值。 類似地，銀金屬(包括銀)線、柵格線或本文中所描述之其他含銀金屬薄膜圖案特徵的平均乾燥厚度或寬度可為(例如)使用電子顯微術、光學顯微術或輪廓量測術所獲得之至少2個單獨量測值之平均值。 「乾燥」涉及厚度及寬度之使用係指其中已移除至少50重量%的原始存在之溶劑的實施例。 除非另有指示，否則術語「基團」(尤其在用於定義取代基或部分時)自身可藉由使用諸如氟原子之合適取代基(在下文中所提及)置換一或多個氫原子來經取代或未經取代(例如，「烷基」係指經取代或未經取代之烷基)。一般而言，除非另外具體陳述，否則在本文中所提及的任何「基團」上或其中某物經陳述可能經取代之取代基包括任何基團之可能性，無論經取代抑或未經取代，該取代基不破壞組份或無水金屬催化組合物之效用所需的特性。亦將理解對於本發明及申請專利範圍而言，提及特定通式結構之化合物或錯合物包括屬於通式結構定義之其他更具體化學式之彼等化合物。在所提及基團中之任一者上之取代基的實例可包括已知取代基，諸如：鹵素(例如，氯基及氟基)；烷氧基，特定言之具有1至5個碳原子之彼等烷氧基(例如，甲氧基及乙氧基)；經取代或未經取代之烷基，特定言之低碳烷基(例如，甲基及三氟甲基)，特定言之具有1至6個碳原子之彼等低碳烷基中之任一者(例如，甲基、乙基及第三丁基)；及此項技術中將顯而易見的其他取代基。 除非另有指示，否則相對於SCE (飽和甘汞電極)量測本文中所描述之所有電壓。 如用於定義用於本發明之實施的有機溶劑之術語「非羥基」係指完全不存在羥基(-OH)之有機溶劑。此類非羥基溶劑不包括水。 質子溶劑為具有鍵結至氧原子(如在羥基中)或鍵結至氮原子(如在胺基中)之氫原子的溶劑。用途
符合電導率之功能電極、像素板及導電跡線、線及徑跡之沈積或圖案化、處理及實際應用之成本需求已成為巨大挑戰。銀金屬在用於電子器件之導電元件中特別引人關注，此係因為銀與金相比成本更低，且其與銅相比環境穩定性好得多。 本發明之發明性組合物可用於(例如)在膜觸控開關(MTS)、電池測試器、生物醫學電致發光燈、射頻識別(RFID)天線、諸如電漿顯示面板(PDP)及有機發光二極體(OLED)顯示器之平板顯示器、印刷電晶體以及薄膜光伏打中形成導電金屬銀圖案及電極，且藉此減少此類器件中圖案形成的步驟數目。 本文中所描述之非羥基溶劑可溶銀錯合物在各種技術及行業中具有眾多實際及潛在用途。最特定而言，其可用於提供銀金屬以用於各種目的，包括(但不限於)導電柵格或細線或其他幾何形式之圖案的形成、用於使用其他導電金屬進行無電極電鍍之銀晶種粒子的形成及用於抗微生物活性之各種材料中之銀的形成。 更特定而言，本文中所描述之非羥基溶劑可溶銀錯合物特別適用於作為含可還原銀離子的感光性組合物之部分，可使用所選波長之UV或可見光輻射輻照該等含可還原銀離子的感光性組合物來提供作為導電金屬圖案之部分的銀金屬。此等導電金屬圖案可併入至包括(但不限於)觸控式螢幕或其他透明顯示器件的各種器件中，且可併入諸如太陽能電池電極、有機薄膜電晶體(OTFT)中之電極、可撓性顯示器、射頻識別標記、光天線及熟習此項技術者自本文中之教示將顯而易見之其他器件的現代電子器件中。 雖然並非根據本發明之用途達成非凡優點所需，但根據本發明所形成之銀金屬亦可用作使用銀或其他金屬進行電化學電鍍之催化部位以改良所得金屬薄膜或圖案之電導率。非羥基溶劑可溶銀錯合物
將本發明非羥基溶劑可溶銀錯合物設計成僅具有三個必要組份：與(2)一或兩個α-氧基羧酸根分子及(3)一、二、三或四個一級烷基胺分子兩者錯合的(1)一或兩個可還原銀離子，其全部組份皆在下文進行描述。 一般而言，各適用非羥基溶劑可溶銀錯合物可由下式(I)表示： (Ag+
) a
(L) b
(P) c
(I) 其中L表示α-氧基羧酸根；P表示一級烷基胺；a
為1或2；b
為1或2；且c
為1、2、3或4，其限制條件為：當a
為1時，b
為1，且當a
為2時，b
為2。 在一些實施例中： (i)a
及b
均為1，且c
為1或2； (ii)a
及b
均為2，且c
為2；或 (iii)a
及b
均為2，且c
為4。 另外，在大氣壓及環境溫度(15℃至25℃)下，根據本發明之各非羥基溶劑可溶銀錯合物在非羥基溶劑中具有最小可溶性(如下文所定義)或至少5克/公升之可溶性。尤其要求此可溶性特徵在為更適用非羥基溶劑中之一種的乙腈中成立。 一般而言，可使用單獨地經判定用於組份部分之氧化電位定義式(I)之各非羥基溶劑可溶銀錯合物，以使得為一級烷基胺的「P」組份具有大於1.0 V之氧化電位。在許多實施例中，該氧化電位相對於SCE大於1.2 V；「L」組份(亦即，α-氧基羧酸根)具有相對於SCE至少1.0 V的第一氧化電位；且在α-氧基羧酸根之去羧後，產生具有相對於SCE小於1.0 V之氧化電位的第二自由基。 此類特性之其他細節提供於下文中。 極重要的是，根據本發明之非羥基溶劑可溶銀錯合物隨時間推移具有顯著穩定性，原因在於各錯合物符合銀離子穩定性測試，以使得當將非羥基溶劑可溶銀錯合物在環境溫度(15至25℃)及黃色安全燈下保持24小時時，錯合物中小於0.1莫耳%之原始銀離子含量還原成銀金屬(如由化學分析及UV-Vis吸收光譜法所測試)。銀 ( Ag ) 離子 ：
根據本發明之非羥基溶劑可溶銀錯合物中之每一者包含作為第一必要組份的一或兩個可還原銀離子，亦即，一或兩個Ag+
或Ag+ 1
離子。各可還原銀離子與一或兩種α-氧基羧酸根化合物錯合。與α-氧基羧酸根化合物之錯合可經由自α-氧基羧酸根化合物之相同分子提供的兩個氧原子或自相同或不同α-氧基羧酸根化合物之兩個分子提供之氧原子進行。 一般而言，可使用還原電位定義上文中所展示之式(I)之各非羥基溶劑可溶銀錯合物，以使得錯合物之Ag+ 1
離子可具有相對於SCE小於1.0 V之還原電位；或錯合物的Ag+ 1
離子可具有相對於SCE小於0.5 V之還原電位；或錯合物之Ag+ 1
離子可具有相對於SCE小於0 V的還原電位。 可使用任何合適銀鹽提供銀離子，且如下文所描述，該等銀離子可作為羧酸銀鹽之部分而提供，其中羧酸根為根據本發明之α-氧基羧酸根[式(I)中之L組份]。α - 氧基羧酸根 ：
根據本發明之非羥基溶劑可溶錯合物之第二必要組份包括一或多個α-氧基羧酸根基團(部分或組份)，其中直接地連接至羧基[-C(=O)O-]之α-碳原子具有羥基、氧基或氧基烷基取代基。由此，α-氧基羧酸根可為α-羥基羧酸根、α-烷氧基羧酸根或α-氧基羧酸根。在α-羥基羧酸根及α-烷氧基羧酸根之情況下，如下文更詳細地描述，彼α-碳原子的剩餘價數可由氫或分支鏈或直鏈烷基(經取代或未經取代)填充。可供應α-氧基羧酸根以將錯合物製備為對應游離羧酸或製備為對應鹼金屬或銨鹽。 另外，α-氧基羧酸根(L)一般具有250或更小、或150或更小之分子量，且其很可能具有至少75及至多且包括150之分子量。 值得注意的是，適用於本發明的羧酸根基團並非在α位缺少羥基、烷氧基或氧基之普通烷基及芳基羧酸根。 在上文所展示之式(I)中，b
為1或2，且在b
為2之實施例中，單一錯合物分子內的兩種α-氧基羧酸根化合物可為相同或不同化合物。舉例而言，兩種α-氧基羧酸根化合物可作為由如下文所描述之式(II)或(III)所表示的相同分子中之兩個來提供。替代地，可由藉由式(II)所表示之兩個不同分子、藉由式(III)所表示之兩個不同分子或藉由式(II)所表示的一個分子及藉由式(III)所表示之一個分子提供兩種α-氧基羧酸根化合物。 在本發明之一些實施例中，上文所描述之式(I)的L可由下式(II)表示：
(II) 其中R1
、R2
及R3
獨立地為氫或分支鏈或直鏈烷基。在大部分實施例中，R1
至R3
中之至少一者為具有1至8個碳原子之分支鏈或直鏈烷基，且此類分支鏈或直鏈烷基中之氫原子中的任一者可經諸如氟原子取代基之雜原子置換。 在式(II)之特別適用之實施例中，R1
為氫或具有1至3個碳原子之分支鏈或直鏈烷基(亦即，經取代或未經取代的甲基、乙基、正丙基及異丙基)，且R2
及R3
獨立地為具有1至8個碳原子之分支鏈或直鏈烷基(包括具有3至8個碳原子之異烷基及第三烷基)。在一些實施例中，R2
及R3
為如上文所定義之不同分支鏈或直鏈烷基。另外，R1
、R2
及R3
分支鏈或直鏈烷基中之任一者中的氫原子中之任一者可視情況經氟原子置換；例如，分支鏈或線性烷基之末端碳原子可具有1至3個氟原子。 可形成式(II)之α-氧基羧酸根(L)之一些特別適用之共軛酸可選自由以下組成之群：乳酸、2-羥基丁酸、2-羥基-3-甲基丁酸、2-羥基-3,3-二甲基丁酸、2-羥基-異丁酸、2-羥基-2-甲基丁酸、2-乙基-2-羥基丁酸、2-羥基-2,3-二甲基丁酸、2-乙基-2-甲氧基丁酸、2-甲氧基-2-甲基丙酸、1-羥基環戊烷-1-甲酸、2,3-二羥基-2,3-二甲基丁二酸及2,4-二羥基-2,4-二甲基戊二酸。如上文所提及，此等材料之混合物可視需要用於特定錯合物。 在本發明之其他實施例中，L在式(I)中由下式(III)表示：
(III) 其中，R4
為具有1至8個碳原子之分支鏈或直鏈烷基，包括具有3至8個碳原子之分支鏈異烷基及分支鏈第三烷基。另外，分支鏈或直鏈烷基中之任一者中的氫原子中之任一者可視情況經氟原子置換；例如，R4
分支鏈或直鏈烷基之末端碳原子可具有1至3個氟原子。 可形成式(III)表示之α-氧基羧酸根(L)之一些適用共軛酸可選自由以下組成之群：丙酮酸、3-甲基丙酮酸、3,3-二甲基丙酮酸、3,3-二甲基-2-側氧基丁酸、3,3-二甲基-2-側氧基戊酸及2,3-二側氧基丁二酸。 為了理解非羥基溶劑可溶銀錯合物之此必要組份的範疇，式(I)中之L基團之電化學特性的一些有幫助的理解如下。 在氧化後，對式(II)中所識別之α-氧基羧酸根進行去羧來產生可進行如以下等式(1)中所展示之進一步氧化的自由基K●
：
(等式1) 如本文中所提及，根據本發明之非羥基溶劑可溶銀錯合物的特徵為具有與銀離子錯合之兩個組份之一或多個分子：該兩個組份亦即α-氧基羧酸根化合物及如下文所定義之含氮P化合物。P、R1
、R2
及R3
中之全部之化學結構性特徵判定L之氧化電位(Eoxl
)，而R1
、R2
及R3
判定自由基K●
之氧化電位(Eox2
)。 根據本發明，錯合物之α-氧基羧酸根化合物能夠將兩個電子轉移至可還原銀離子。第一電子來自α-氧基羧酸根之氧化以產生進行鍵斷裂反應(去羧)之α-氧基羧基自由基L●
而放出CO2
，且產生亦可合乎需要地將第二電子轉移至可還原銀離子之第二自由基K●
。 由此，L可為可碎裂α-氧基羧酸根，其中： (1) L具有至少1 V及至多且包括2 V (或例如，至少1.2 V及至多且包括2 V)之第一氧化電位； (2) L之經氧化形式經歷鍵斷裂反應以提供第二自由基K●
及CO2
；及 (3)第二自由基K●
具有≤ +1 V (亦即，等於+1 V或比+1 V更負)，及甚至小於或等於0.5 V的氧化電位。 滿足以上準則(1)及(2)但不滿足準則(3)之α-氧基羧酸根能夠向可還原銀離子供予一個電子，且在本文中被稱為「可碎裂單電子予體」。然而，符合全部三個準則之α-氧基羧酸根能夠供予兩個電子，且在本文中被稱為「可碎裂雙電子予體」，且此類組份特別適用於本發明之實施以提供銀離子之更快還原。 L之經氧化形式(亦即α-氧基羧基自由基L●
)之碎裂為根據本發明的產生銀金屬之方法中之重要特徵。碎裂反應之動力學可由雷射閃光光解量測，該雷射閃光光解為用以研究瞬變物種之特性的熟知技術，如例如「Absorption Spectroscopy of Transient Species」 (W. G. Herkstroeter及I. R. Gould, Physical Methods of Chemistry Series (第2版), 第8卷, 225-319, 由B. Rossiter及R. Baetzold、John Wiley & Sons編輯, New York, 1993)中所描述。α-氧基羧酸根自由基之碎裂速率常數宜比約109
每秒更快(亦即，自由基陽離子α-氧基羧酸根自由基之生存期應為10- 9
秒或更短)。碎裂速率常數可顯著高於此，即在102
至1013
s- 1
範圍內。詳言之，碎裂速率常數宜大於109
s- 1
至1013
s- 1
(且包括1013
s- 1
)或自1010
s- 1
至1013
s- 1
(且包括1013
s- 1
)。一些羧酸根自由基的碎裂速率常數在文獻[例如，參見，T. Michael Bockman、Stephan M. Hubig及Jay K. Kochi, J. Org. Chem. 1997, 62, 2210-2221; James W. Hilborn及James A. Pincock, J. Am. Chem. Soc. 1991, 113, 2683-2686; Daniel E. Falvey及Gary B. Schuster, J. Am. Chem. Soc. 1986, 108, 1420-1422]中已知。亦已使用雷射閃光光解來量測一些α-羥基羧基自由基之碎裂速率常數，且發現該速率極快，亦即8×1011
s- 1
(參見，T. Michael Bockman、Stephan M. Hubig及Jay K. Kochi, J. Org. Chem. 1997, 62, 2210-2221)。由於普通烷基及芳基羧基自由基之碎裂速率通常較小(約108
至109
s- 1
)，故此類普通烷基及芳基羧酸根不適用於本發明之實施。 上文所描述之第二自由基K●
還原銀離子之能力指示K●
之氧化電位幾乎等於錯合物中之銀離子的還原電位或比該還原電位更負。在本發明之一些適用實施例中，產生於去羧反應的第二自由基K●
具有等於-0.1 V或比‑0.1 V更負或甚至比-0.5 V更負之氧化電位。舉例而言，此氧化電位可為-0.1 V至-2 V (且包括-2 V)、或甚至-0.5 V至-2 V (且包括-2 V)、或更可能地-0.1 V至-1.0 V (且包括-1.0 V)。根據本發明，提供具有比-0.1 V更負之氧化電位之第二自由基K●
的α-氧基羧酸根離子尤其有利。所有氧化電位是相對於SCE的。 許多此類第二自由基之氧化電位已由瞬態電化學及脈衝輻射分解技術來量測，如由Wayner, D. D.、McPhee, D. J.及Griller, D.在J Am . Chem . Soc .
1988,110
, 132中Rao, P. S.及Hayon, E.在J . Am . Chem . Soc .
1974,96
, 1287中以及Rao, P. S及Hayon, E.在J . Am . Chem . Soc .
1974,96
, 1295中所報告。所報告資料表明第三自由基之氧化電位比對應第二自由基之氧化電位更負(亦即，第三自由基為較強還原劑)，第二自由基之氧化電位又比對應第一自由基之氧化電位更負。一級烷基胺：
如上文所提及，在非羥基溶劑可溶錯合物之一些實施例中，P為在大氣壓下具有小於或等於175℃之沸點、或具有小於或等於125℃或甚至至少75℃及至多且包括125℃之沸點的一級烷基胺。由此將一般具有小於500之分子量的適用一級烷基胺視為如由分子量及沸點所限定之「非聚合」。 術語「一級烷基胺」在本文中係指為非芳族且在結構方面不為環狀之化合物。其一般具有一或多個氮原子，只要符合本文中所描述之所有其他特徵(分子量、pKa、沸點及氧化電位)即可。在此等化合物中，氮原子中之每一者具有由氫原子填充之二價，且各氮原子之剩餘價以經取代或未經取代之烷基(不包括諸如苯甲基之烷芳基)填充，或以經取代或未經取代之伸烷基填充以用於本文中定義為可由下式(IV)說明之「一級烷基二胺」的化合物： H2
N-R5
-NH2
(IV) 其中R5
表示具有1至5個碳原子之經取代或未經取代分支鏈或直鏈二價伸烷基；且視情況選用之取代基包括(但不限於)用於伸烷基中之氫原子中任一者之氟原子。 在大部分適用之實施例中，一級烷基胺包含單一氮原子及具有至少3個碳原子且一般3至6個碳原子之單一經取代或未經取代分支鏈或直鏈烷基，其中烷基之氫原子中的任一者可經氟原子置換。 一般而言，此類一級烷基胺中之每一者具有相對於SCE大於1.0 V或相對於SCE至少1.2 V之氧化電位。 此外，適用之一級烷基胺中之每一者具有如在乙腈中所量測的至少1及至多且包括30或更可能地如在乙腈中所量測的至少10及至多且包括25的pKa。 在一些實施例中，一級烷基胺具有如在乙腈中所量測的至少10及至多且包括25之pKa及相對於SCE至少2.0 V之氧化電位。 適用之一級烷基胺可選自由以下組成之群：丙胺、正丁胺、第三丁胺、異丙胺、2,2,2-三氟乙胺、2,2,3,3,3-五氟丙胺、3,3,3-三氟丙胺、1,2-二甲基丙胺、第三戊胺及異戊胺。熟習此項技術者將顯而易見其他適用之一級烷基胺。在一些實施例中，一級胺在烷基鏈上具有不對稱碳中心。此類胺之一些實例包括(但不限於)：2-胺基-3-甲基丁烷、3,3-二甲基-2-丁胺、2-胺己烷、第二丁胺及熟習此項技術者將自前述描述顯而易見之其他胺。此類一級烷基胺可經熟習此項技術者將顯而易見之其他基團取代。 在式(I)中，當c
為2、3或4時，一級烷基胺可為相同或不同分子。 可易於自各種世界範圍的商業化學製品來源獲得適用之一級烷基胺。產生錯合物之方法
一般而言，根據本發明之非羥基溶劑可溶銀錯合物可藉由以下來製備：以至少0.1 mol/l及至多且包括30 mol/l之一般濃度產生一或多種α-氧基羧酸銀於包含一或多種非羥基溶劑(下文所描述)之合適溶劑介質中之漿液；及在室溫下，逐漸添加一或多種一級烷基胺以獲得所得反應溶液中之澄清溶液。此等合成方法之特定細節在下文提供於實例中。 一經製備，非羥基溶劑可溶銀錯合物即可以固體形式儲存(在藉由蒸發方法移除溶劑介質之後)，或在對長期穩定性最佳之條件(亦即，銀離子至銀金屬之幾乎不會過早的無光化還原)下，保留於反應溶液中。 根據本發明所製備之一些特別適用之非羥基溶劑可溶銀錯合物由式(I)表示： (Ag+
) a
( L) b
(P) c
(I) 其中：a
、b
及c
如上所定義； L具有250或更小之分子量，且由下式(II)或(III)中之任一者表示：
(II)
(III) 其中R1
為氫或具有1或2個碳原子之烷基；R2
及R3
獨立地為具有1至8個碳原子的分支鏈或直鏈烷基，其中該等烷基中之氫原子中之任一者可視情況經氟原子置換，且R4
為具有1至8個碳原子的烷基； P為選自由以下組成之群的一級烷基胺：丙胺、正丁胺、第三丁胺、異丙胺、2,2,2-三氟乙胺、2,2,3,3,3-五氟丙胺、3,3,3-三氟丙胺、1,2-二甲基丙胺、第三戊胺、異戊胺、2-胺基-3-甲基丁烷、3,3-二甲基-2-丁胺、2-胺基己烷、第二丁胺。含可還原銀離子的感光性組合物
本發明之重要特徵為確保其在電磁光譜之UV至可見光部分中的總體吸收及使用。理想地，輻照能量應具有在UV至可見光區域中之波長(例如350 nm至450 nm)以允許在多種發色團之存在下選擇性激發光敏劑。 出於以快速方式在光輻照期間提供銀金屬之目的，根據本發明之含可還原銀離子的感光性組合物僅含有兩個必要組份：(a)根據本發明之一或多種非羥基溶劑可溶銀錯合物；及(b)包含如下文所描述之一或多種非羥基溶劑的溶劑介質。然而，第三組份(如下文所描述之(c)一或多種光敏劑)之存在在許多實施例中十分有利，亦可被視為對於確保在室溫或其他低溫下快速光還原銀離子是必要的。未有意將其他組份添加至根據本發明之含可還原銀離子的感光性組合物，以使得本發明提供展現用於各種方法及結果之快速銀金屬形成的簡化組合物。除三個組份(a)至(c)以外之材料之併入很可能阻礙金屬銀之產生。 一般而言，可視需要藉由在「安全燈」(黃光)條件下混合(a)、(b)及(c)組份來將其合併在一起。此混合可發生在包含(b)溶劑中之一或多種之合適溶劑介質(如下文中所描述)中。可在25℃下以具有至少1厘泊及至多且包括1,000厘泊之黏度的液體形式提供所得之含可還原銀離子的感光性組合物。 一或多種非羥基溶劑可溶銀錯合物可按含可還原銀離子的感光性組合物之總重量計以至少5重量%及至多且包括90重量%之量存在。 由此，在一些實施例中，含可還原銀離子的感光性組合物可包含兩種或多於兩種不同非羥基溶劑可溶銀錯合物。此等實施例亦可包括如下文所描述之兩種或多於兩種不同光敏劑。 如請求項1之含可還原銀離子的感光性組合物具有如由銀穩定性測試所表明之優越的長期穩定性，以使得當含可還原銀離子的感光性組合物在環境溫度(20℃至25℃)下及在黃色安全燈下保持24小時時，其原始銀離子含量之小於0.1莫耳%還原成銀金屬。溶劑介質 ：
必要的非羥基溶劑可溶銀錯合物(及光敏劑(若存在))一般溶解於合適溶劑介質中，該溶劑介質主要為非羥基有機溶劑，該等非羥基有機溶劑包括(但不限於)：乙腈、苯甲腈、丙酮、甲基乙基酮、丁腈、碳酸伸丙酯、丙腈、異戊腈、戊腈及其兩者或多於兩者之混合物。亦期望非羥基溶劑不參與任何氧化還原反應。亦即，此類非羥基溶劑在一般製備、儲存及使用條件下應該不能藉由轉移電子來還原銀離子或藉由接受電子來氧化α-氧基羧酸根。非羥基溶劑的此類反應將負面地影響根據本發明之感光性組合物之熱穩定性。 不有意添加水至溶劑介質，且若存在水，則其應按溶劑介質(不包括非羥基溶劑可溶銀錯合物及光敏劑)之總重量計以不大於5重量%存在。光敏劑：
適用於本發明之光敏劑引發非羥基溶劑可溶銀錯合物之電化學轉換。在光敏劑已在具有至少150 nm及至多且包括700 nm之波長的電磁輻射下吸收光(亦即，經光誘導電子轉移)之後，光敏劑應能夠還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根。由此，根據本發明之感光性組合物一般對UV或可見電磁輻射或兩者敏感，足以將非羥基含可還原銀錯合物中之可還原銀離子轉化成銀金屬。雖然含有可還原銀離子之此類錯合物本身在一定程度上感光，但如本文所描述之一或多種光敏劑的存在增強感光性以用於將可還原銀離子有效得多及快得多地還原成銀金屬。使用增強對具有至少190 nm及至多且包括450 nm，或甚至至少250 nm及至多且包括450 nm之波長的電磁輻射之敏感性的光敏劑是特別適用的。 用於含可還原銀離子的感光性組合物之光敏劑之量大部分取決於其在用以對銀離子還原敏感之輻射波長下的光密度及消光係數。可以相對較高含量利用具有低消光係數之光敏劑，且反之亦然。光敏劑之可溶性亦可為用量之因子。一般而言，本文中所描述之一或多種光敏劑可以最少0.5重量%及至多且包括4重量%，或至少1重量%及至多且包括3重量%之量存在於含可還原銀離子的感光性組合物中，所有量按含可還原銀離子的感光性組合物中之一或多種非羥基溶劑可溶銀錯合物的總重量計。由此，在一些實施例中，可一起使用兩種或多於兩種不同光敏劑。 存在可用於本發明之兩種不同類別的光敏劑。 在一些實施例中，光敏劑為吸電子光敏劑，該等光敏劑在吸收入射輻射後能夠氧化α-氧基羧酸根以引發銀離子還原反應。 為判定光敏劑是否能夠在光敏劑已吸收合適輻射之後將非羥基溶劑可溶錯合物中之羧酸根離子氧化成自由基，可使用反應能量學。在此等反應能量學中存在四個控制參數：(1)吸電子光敏劑之激發能量(ES *
)；(2)吸電子光敏劑(S)之還原電位(ES red
)；(3)非羥基溶劑可溶錯合物中之銀離子之還原電位(EAg + red
)；及(4)錯合物中之α-氧基羧酸根(C)之氧化電位(EC ox
)，該α-氧基羧酸根為電子予體。為使此等反應在能量上可行，激發態之能量應比儲存於初始電子轉移之初級產物(自由基離子對)中之能量(EIP
)高或僅比該能量略低C●
S+●
。 若反應自單重激發態進行，則吸電子光敏劑(S)之激發能量可方便地根據化合物之正規化吸收及發射光譜之中點判定。然而，若反應經由三重態進行，則吸電子光敏劑之三重態能量可用作激發能量。 自由基離子對之能量(EIP
)由下文之等式(2)給定，其中Δ為視介質極性而定之能量增量且範圍為高極性介質中之接近零至最小極性介質中之約0.3 eV。在諸如乙腈或二氯甲烷之極性溶劑中進行電化學量測。 EIP
= EC ox
- ES red
+Δ 等式(2)。 根據本發明之感光性薄膜預期介電常數較低，且因此將不會很大程度地地使自由基離子對溶劑化。由此，上文提及之等式1中之能量增量Δ預期接近0.2 eV至0.3 eV範圍內之最大值。 因此，具有等於或大於錯合物中之α-氧基羧酸根(C)的氧化電位與吸電子光敏劑之還原電位之間的差(EC ox
-ES red
)的激發能量的吸電子光敏劑將滿足根據以下等式(3)的光引發反應之能量需求： E S*
≥ EC ox
- ES red
+Δ 等式(3)。 由於預期當前系統中之Δ值在0.2 eV至0.3 eV之範圍內，故就在以下等式(4)中所重新佈置的形式而言相對於予體而言表達吸電子光敏劑之能量需求更方便： E S*
+ ES red
≥ EC ox
等式(4)。 根據等式(4)，為使反應在能量上可行，吸電子光敏劑之激發能量及其還原電位之代數和應約等於或大於非羥基溶劑可溶銀錯合物中之α-氧基羧酸根離子(C)的氧化電位。 一般而言，許多不同化合物可用作根據本發明之吸電子光敏劑，其限制條件為符合上文所論述之能量需求。代表性吸電子光敏劑包括(但不限於)：經氰基取代芳族碳環化合物(諸如，1-氰基萘、1,4-二氰基萘、9,10-二氰基蒽、2,9,10-三氰基蒽及2,6,9,10-四氰基蒽)；芳族酐及醯亞胺(諸如，1,8-伸萘基二羧酸酐或醯亞胺、1,4,6,8-萘四羧酸酐或醯亞胺、3,4-苝二羧酸酐或醯亞胺及3,4,9,10-苝四羧酸酐或醯亞胺)；及經縮合吡啶鎓鹽(諸如，喹啉鎓鹽、異喹啉鎓鹽、菲啶鎓鹽；及哌喃鎓鹽)。涉及三重激發態之代表性吸電子光敏劑包括(但不限於)羰基化合物(諸如醌類，諸如具有諸如氯基及氰基之拉電子取代基之苯并醌、萘并醌及蒽并醌)。具有諸如吡啶鎓基之強拉電子部分之香豆素酮(ketocoumarin)亦適用作吸電子光敏劑。 對於具有相對於SCE~1.4 V的峰值氧化電位之α-氧基羧酸根之特定實例而言，可使用符合上文等式(3)之要求的大量吸電子光敏劑。舉例而言，適用於本發明之吸電子光敏劑包括(但不限於)以下表I中的PS-1至PS-8。 表I 
在本發明之其他實施例中，在吸收所提及之電磁輻射後，推電子光敏劑(S)將電子轉移至非羥基溶劑可溶銀錯合物中之可還原銀離子以形成光敏劑自由基陽離子(S+●
)，如下文等式(5)中所展示，該光敏劑自由基陽離子轉而氧化α-氧基羧酸根(L)來產生自由基K●
(參見下文等式(6))。為使光敏劑自由基陽離子(S+●
)能夠氧化α-氧基羧酸根(L)，推電子光敏劑(S)之氧化電位必須大於α-氧基羧酸根之氧化電位。
(等式5)
(等式6) 為判定推電子光敏劑是否能夠在其已吸收電磁輻射之後還原可還原銀離子，可使用上文在等式(2)及(3)中所描述之反應能量學。由此，為使反應在能量上可行，推電子光敏劑激發能量與其氧化電位之差應約等於或大於錯合物中之銀離子的還原電位(E Ag + red
)[參見下文等式(7)]。 E S*
- ES ox
≥ - EAg+ red
等式(7) 對於具有相對於SCE-0.1 V之峰值還原電位的可還原銀離子之還原之特定實例而言，可使用符合等式(7)之要求的大量推電子光敏劑。 若反應自單重激發態進行，則推電子光敏劑(S)之激發能量方便地根據其正規化吸收及發射光譜之中點判定。然而，若反應經由三重態進行，則推電子光敏劑之三重態能量將用作激發能量。 在大部分實施例中，推電子光敏劑可經選擇以使得其氧化電位大於α-氧基羧酸根之氧化電位。此類推電子光敏劑之一些代表性實例(亦即激發能量與氧化電位之差相對於SCE等於或超過-0.1 V的彼等推電子光敏劑)包括(但不限於)如下表II中所展示之化合物PS-9至PS-18。 表II 
NA意謂「無效」。 已知許多吸電子及推電子光敏劑的氧化電位，且該等電位可在(例如)元素之電化學百科全書 (Encyclopedia of Electrochemistry of the Elements)
，有機部分，第XI至XV卷，A. Bard及H. Lund (編者) Marcel Dekkar Inc., NY (1984)中找到。若不可在文獻中獲得，則適用吸電子及推電子光敏劑之氧化電位可使用已知設備及程序藉由循環伏安法量測。 由此，在本發明之一些實施例中，存在光敏劑，且當光敏劑為推電子光敏劑時，其由上文提及之等式(7)定義，且當光敏劑為吸電子光敏劑時，其由上文提及之等式(4)定義： 其中： ES ox
為推電子光敏劑之氧化電位； ES *
為吸電子光敏劑之激發能量； ES red
為吸電子光敏劑之還原電位； EAg + red
為非羥基溶劑可溶銀錯合物中之銀離子之還原電位；及 EC ox
為α-氧基羧酸根的氧化電位。前體製品
根據本發明之非羥基溶劑可溶銀錯合物及含可還原銀離子的感光性組合物可用於提供「前體」製品，該等「前體」製品隨後可用於各種操作中以在如下文所描述之「產品製品」中提供用於各種用途的含導電銀金屬的薄膜層或含導電銀金屬的薄膜圖案。 術語「前體製品」係指經設計以具有基板之製品(或元件)，該基板上具有包含如上文所提及之含可還原銀離子的感光性組合物以及一或多種光敏劑的感光性薄膜或感光性薄膜圖案，且因此該「前體製品」為其中不發生任何可感知程度之銀還原的製品。 術語「產品製品」則係指其中如下文所描述在所選操作期間在至少某種程度上且希望在顯著程度上發生銀離子還原之製品(或元件)。此類產品製品包含其上具有含銀金屬薄膜或含銀金屬薄膜圖案之基板。 前體製品及產品製品兩者具有至少一個共同特徵，亦即一般具有兩個平面表面之合適基板：該等平面表面為第一支撐側(或表面)及第二相對支撐側(或表面)。此類基板可具有任何合適形式，諸如任何所要尺寸及形狀之薄片、細長纖維或編織纖維(諸如紡織品中)或其他多孔材料、具有規則或不規則表面組態(諸如彎曲或非平面表面)之聚合珠粒，及可供應為、用作或儲存為捲筒的各種材料之尤其連續之幅材。 更特定而言，均一感光性薄膜或一或多個感光性薄膜圖案以合適方式經提供於合適基板之一或多個支撐(平面)側上以提供根據本發明之前體製品。通常，在塗覆至基板期間及緊接在塗覆至基板之後，感光性薄膜或感光性薄膜圖案最初為「濕潤的」，但可如下文所描述移除溶劑介質以提供所要感光性薄膜或感光性薄膜圖案。 根據本發明之含可還原銀離子的感光性組合物可使用用於塗覆之任何手段以均一或逐圖案方式塗覆至任何合適基板，該手段諸如浸塗、滾塗、漏斗塗佈(hopper coating)、網板印刷、噴塗、旋塗、噴墨印刷、光微影壓印、使用包括柔性凸版印刷部件(諸如柔性凸版印刷板及柔性凸版印刷套筒)之印刷元件的柔性凸版印刷、使用微影印刷板之微影印刷、及使用適當印刷部件之凹版或凹紋印刷。噴墨印刷及柔性凸版印刷對於在基板之一個或兩個支撐側上提供感光性薄膜圖案而言特別適用。 合適基板(亦被稱為「接收器元件」)可由任何合適材料形成，只要其不抑制本發明的在均一薄膜或薄膜圖案內形成銀金屬之目的。舉例而言，基板可由以下材料形成，該等材料包括(但不限於)：聚合膜、金屬、玻璃(例如未經處理或使用四碳氟化合物電漿、疏水性氟或矽氧烷防水材料處理)、諸如陶瓷晶圓之矽或陶瓷材料、織物、紙張及其組合(諸如各種薄膜之層壓板或紙張及薄膜之層壓板)，其限制條件為均一薄膜或薄膜圖案可以合適方式形成於其上且隨後在其至少一個支撐側上執行輻照。基板可為透明或不透明以及剛性或可撓性的。在根據本發明塗覆含可還原銀離子的感光性組合物之前，該基板可包括其他材料之一或多個輔助聚合或非聚合層或一或多個圖案。 用於形成根據本發明之前體及產品製品的合適基板材料包括(但不限於)：金屬薄膜或箔片、聚合物、玻璃或陶瓷材料上之金屬薄膜、導電薄膜支撐物上之金屬薄膜、半導電有機或無機薄膜、有機或無機介電薄膜或此類材料之兩個或多於兩個層之層壓板。舉例而言，適用基板可包括：聚合膜，諸如聚(對苯二甲酸伸乙酯)膜、聚(萘二甲酸伸乙酯)膜、聚醯亞胺膜、聚碳酸酯膜、聚丙烯酸酯膜、聚苯乙烯膜、聚烯烴膜及聚醯胺膜；矽及其他陶瓷材料；金屬箔片，諸如鋁箔片；纖維素紙張或經樹脂塗佈或經玻璃塗佈之紙張；玻璃或含玻璃複合材料；金屬，諸如鋁、錫及銅；及金屬化薄膜。亦可使用多孔織物、玻璃及聚合幅材。 特別適用之基板為聚酯膜，諸如具有或不具有如在下文中所提及之表面處理或塗層之聚(對苯二甲酸伸乙酯)膜、聚碳酸酯膜或聚(偏二氯乙烯)膜，包括此類聚合物之連續可撓性幅材。 可例如使用底塗劑層或電或機械處理(諸如，細粒化)處理基板之任一或兩個支撐側(或表面)以使表面「易於接受」，以改良含可還原銀離子的感光性組合物及所得經光固化含銀薄膜或經光固化含銀薄膜圖案之黏著力。黏著層可安置於基板上，且此黏著層可具有回應於刺激(例如，其可為熱活化、溶劑活化或化學活化的)之各種特性且彼黏著層用以提供易於接受層。此類型之適用黏著材料描述於例如美國專利申請案2008/0233280 (Blanchet等人)之[0057]中。 在一些實施例中，基板包含安置於基板之支撐側上的作為易於接受之表面的單獨之易於接受層，該易於接受層及基板可由諸如高度易於接受含可還原銀離子的感光性組合物之合適聚合材料的材料形成。當在25℃下量測時，此易於接受層可具有至少0.05 µm之任何合適乾燥厚度。 基板(尤其是聚合基板)之兩個(平面)支撐側可藉由曝露於電暈放電、機械磨耗、火焰處理或氧電漿或藉由塗佈各種聚合膜來處理，該等聚合膜諸如聚(偏二氯乙烯)或芳族聚矽氧烷，如例如美國專利5,492,730 (Balaba等人)及5,527,562 (Balaba等人)及美國專利申請公開案2009/0076217 (Gommans等人)中所描述。 適用基板可視自其所形成之前體製品之最終用途(例如其併入至各種產品製品或光學或顯示器件中)而定具有所要乾燥厚度。舉例而言，基板乾燥厚度(包括所有處理及輔助層)可為至少0.001 mm及至多且包括10 mm，且尤其對於聚合膜而言，基板乾燥厚度可為至少0.008 mm及至多且包括0.2 mm。 可以各種形式提供用以製備本文中所描述之前體及產品製品之基板，該等形式諸如(例如)任何尺寸或形狀之個別薄片及(諸如)包括適合於卷軸式操作之透明聚酯基板的透明基板之連續幅材的連續幅材。此類連續幅材可經劃分或形成為第一及第二相對支撐側上的個別第一、第二及額外部分，該等支撐側可用以在支撐側(諸如，第一支撐側)之不同部分中形成相同或不同感光性薄膜圖案以及自相同或不同含可還原銀離子的感光性組合物形成相同或不同經光還原含銀薄膜圖案。 一般而言，在根據本發明之前體製品中，一或多種非羥基溶劑可溶銀錯合物可按感光性薄膜或一或多個感光性薄膜圖案之總乾重計以至少95重量%及至多且包括99重量%之總量存在於感光性薄膜或一或多個感光性薄膜圖案中。此外，一或多種光敏劑可以至少0.1重量%及至多且包括4重量%或至少1重量%及至多且包括3重量%之總量存在，所有光敏劑量按全部非羥基溶劑可溶銀錯合物之總量計。 在一些實施例中，前體製品可進一步包含基板之第二相對支撐側上之一或多個感光性薄膜圖案，一或多個感光性薄膜圖案中之每一者安置於第二相對支撐側上，該一或多個感光性薄膜圖案中之每一者包含： a) 如上文所描述之一或多種非羥基溶劑可溶銀錯合物；及 b) 如上文所描述之一或多種光敏劑。產品製品
由下文所描述根據本發明之方法提供的產品製品一般具有與前體製品相同之結構及組份，不同之處在於大部分或所有可還原銀離子已經還原成對應導電薄膜或導電薄膜圖案中之導電銀金屬。在一些實施例中，可以任何合適形式提供產品製品，該形式諸如任何合適尺寸及形狀之個別薄片、其末端彼此連接之薄膜或幅材、具有或不具有核心材料、軸或心軸之連續材料的捲繞捲筒。 在其他實施例中，本發明錯合物、感光性組合物及方法可用以產生各種器件內之導電金屬銀圖案及電極，該等器件包括(但不限於)：膜觸控開關(MTS)、電池測試器、生物醫學電致發光燈、射頻識別(RFID)天線、諸如電漿顯示面板(PDP)及有機發光二極體(OLED)顯示器之平板顯示器、印刷電晶體及電路、薄膜光伏打及對熟習此項技術者將顯而易見之其他器件。換言之，根據本發明之此類「產品」製品為器件自身而非併入器件中之製品。替代地，產品製品為亦具有併入其中之另一產品製品的器件自身。 可根據本發明使用光微影產生導電薄膜圖案以產生高保真度特徵。正型及負型圖案化製程兩者可用於產生此類圖案。 此類產品製品包含具有第一支撐側及第二相對支撐側之基板。在至少第一支撐側上，為： 含導電銀金屬的薄膜或一或多個含導電銀金屬的薄膜圖案，其包含： 銀金屬； 如上文所描述之α-氧基羧酸根(來自公式(1)之L組份之殘餘量)； 一級烷基胺(來自公式(1)之P組份之殘餘量)；及 可還原可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根的如上文所描述之一或多種光敏劑。 視如何設計前體製品而定，產品製品可包含在基板之第一支撐側上之不同部分中的兩個或多於兩個含導電銀金屬的薄膜圖案。 另外，產品製品可進一步包含基板之第二相對支撐側上之不同部分中的一或多個含導電銀金屬的薄膜圖案， 此一或多個含導電銀金屬的薄膜圖案中之每一者包含： 銀金屬； α-氧基羧酸根(亦即，如上文所描述之公式(1)之L組份的殘餘量)； 一級烷基胺(亦即，上文所描述之公式(1)之P組份的殘餘量)；及 可還原可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根的如上文所描述之一或多種光敏劑。 舉例而言，在此等實施例中，產品製品可包含： 銀金屬； 具有150或更小之分子量且由下式(II)或(III)表示之殘餘α-氧基羧酸根：
(II)
(III) 其中R1
為氫或具有1至3個碳原子之分支鏈或直鏈烷基；R2
及R3
獨立地為具有1至8個碳原子的分支鏈或直鏈烷基，其中R1
、R2
及R3
分支鏈或直鏈烷基中之氫原子中之任一者可視情況經氟原子置換；且R4
為具有1至8個碳原子的分支鏈或直鏈烷基，其中氫原子中之任一者可視情況經氟原子置換；及 選自由以下組成之群的一級烷基胺：丙胺、正丁胺、第三丁胺、異丙胺、2,2,2-三氟乙胺、2,2,3,3,3-五氟丙胺、3,3,3-三氟丙胺、1,2-二甲基丙胺、第三戊胺、異戊胺、2-胺基-3-甲基丁烷、3,3-二甲基-2-丁胺、2-胺基己烷及第二丁胺。用於提供銀金屬之方法
根據本發明藉由首先在如上文所描述之基板上提供合適感光性薄膜來製備及使用前體製品。此可以數種方式實現。 在一些實施例中，根據本發明之含可還原銀離子的感光性組合物可以均一方式安置至基板的一個或兩個支撐側上(藉助或不藉助黏著處理)，該基板諸如聚合膜(例如，作為連續聚酯幅材)、玻璃、紙張、紙板或陶瓷材料。各種膜可用作合適基板，該等膜包括例如由聚乙烯、聚丙烯、雙軸定向聚丙烯、聚對苯二甲酸伸乙酯、聚對苯二甲酸伸丁酯及聚醯胺形成之聚合物膜。然而，基板結構之選擇不限於膜，而是包括形成為袋、收縮包裹物、板、紙箱、盒、瓶子、板條箱及其他容器的聚合物或共聚物或聚合物摻合物。類似地，合適基板組合物之範圍不限於聚合物及共聚物，而是可包括諸如預塗紙張之紙張、諸如預塗紙板之紙板及其他普通包裝材料。可例如藉由均一噴墨印刷或使用刮塗、間隙塗佈(gap coating)、狹縫式模具塗佈(slot die coating)、X滑鬥塗佈(X-slide hopper coating)或輥襯刀操作(knife on roll operation)來執行此類組合物塗覆。 在以此方式塗覆含可還原銀離子的感光性組合物之後，視需要，可以任何合適方式移除至少50重量%及至多且包括100重量%之原始溶劑介質(及所有水)。舉例而言，可在開放環境中執行環境乾燥，或者所得前體製品可經受不會有害地影響前體製品中之非羥基溶劑可溶銀錯合物(及光敏劑(若存在))或過早地造成銀離子之還原的「有效」乾燥操作及裝置。適用乾燥條件可視製造製程而定為低至室溫以及少至5秒及至多且包括若干小時。在諸如製造操作中之卷軸式製程之許多製程中，可在任何合適溫度(例如大於50℃)下採用乾燥條件以在至少10秒內或5秒內或1內秒移除至少90重量% (且至多100重量%)之原始溶劑介質(及所有水)。 一或多種非羥基溶劑可溶銀錯合物可按感光性薄膜或感光性薄膜圖案之總重量計以至少96重量%及至多且包括99.5重量%之量存在於感光性薄膜或感光性薄膜圖案中；且光敏劑按一或多種非羥基溶劑可溶銀錯合物之總重量計以至少0.5重量%及至多且包括4重量%之量存在。 所得感光性薄膜一般具有至少100 nm及至多且包括1,500 nm或更可能地至少500 nm及至多且包括1000 nm之平均乾燥厚度(由不同部位中之兩個或多於兩個量測值判定「平均值」)。乾燥厚度可遍及感光性薄膜有某種程度之變化。在此上下文中術語「均一」不一定意謂乾燥厚度將始終相同，而是完全覆蓋基板之支撐側的整個表面。 替代以均一方式沈積含可還原銀離子的感光性組合物，其可使用下文所描述的諸如柔性凸版印刷或噴墨印刷之技術以逐圖案方式經塗覆至基板(一個或兩個支撐側)以提供一或多個感光性薄膜圖案。 任何經塗覆感光性薄膜圖案可包含線柵格(或包括環或不規則網路之其他形狀)，每一線具有至少1000 nm及至多且包括10 mm或通常至少5 µm及至多且包括1 mm之平均乾燥厚度(或寬度)，且可出於所欲用途調適最佳乾燥厚度(或寬度)。 在一些實施例中，相同或不同含可還原銀離子的感光性組合物可以合適方式經塗覆於基板之第一支撐側及第二相對支撐側兩側上之不同部分中，以形成「雙重」或雙側前體製品，且各經塗覆含可還原銀離子的感光性組合物可呈相同或不同感光性薄膜圖案形式。 在許多實施例中，含可還原銀離子的感光性組合物係使用諸如來源於柔性凸版印刷板前體(flexographic printing plate precursor)之彈性凸紋元件之凸紋元件塗覆於基板(例如，作為卷軸式幅材)之一個或兩個支撐側上，許多柔性凸版印刷板前體為此項技術中已知的且一些可商購，(例如)如來自DuPont之CYREL®
彈性凸版光聚合物板及來自Eastman Kodak公司之Flexcel SR及NX柔性凸版板。 特別適用之彈性凸紋元件來源於柔性凸版印刷板前體及柔性凸版印刷套筒前體，該等前體中之每一者可適當地經成像(且若需要，則經處理)以提供用於「印刷」合適感光性薄膜圖案的凸紋元件，如例如美國專利7,799,504 (Zwadlo等人)及8,142,987 (Ali等人)及美國專利申請公開案2012/0237871 (Zwadlo)中所描述。此類彈性光可聚合層可經由合適光罩影像成像以提供彈性凸紋元件(例如，柔性凸版印刷板或柔性凸版印刷套筒)。若含可還原銀離子的感光性組合物之不同圖案經塗覆至基板之相對支撐側，則凸紋層可不同。 在其他實施例中，在具有或不具有一體式光罩之情況下，自直接(或燒蝕)雷射可雕刻彈性體凸紋元件前體提供彈性凸紋元件，如例如美國專利5,719,009 (Fan)、5,798,202 (Cushner等人)、5,804,353 (Cushner等人)、6,090,529 (Gelbart)、6,159,659 (Gelbart)、6,511,784 (Hiller等人)、7,811,744 (Figov)、7,947,426 (Figov等人)、8,114,572 (Landry-Coltrain等人)、8,153,347 (Veres等人)、8,187,793 (Regan等人)及美國專利申請公開案2002/0136969 (Hiller等人)、2003/0129530 (Leinenback等人)、2003/0136285 (Telser等人)、2003/0180636 (Kanga等人)及2012/0240802 (Landry-Coltrain等人)中所描述。 當本發明中使用所提及之彈性凸紋元件時，含可還原銀離子的感光性組合物可以合適方式經塗覆至彈性凸紋元件中之最上凸紋表面(凸起表面)。可以合適程序實現至基板之塗覆，且期望在凸紋凹陷之側(斜坡)或凹部上塗覆儘可能少之組合物。可使用低於25億立方微米每平方吋(63.5億立方微米每平方公分)之網紋輥系統或其他輥塗覆系統(尤其小體積網紋輥)及相關聯磨削刀。 在此等實施例中，含可還原銀離子的感光性組合物在此塗覆期間可具有至少1 cps (厘泊)及至多且包括5000 cps或至少1 cps及至多且包括1500 cps之黏度。可按用於各經印刷前體製品的經量測之量自網紋輥或其他輥式上墨系統饋送含可還原銀離子的感光性組合物。在一個實施例中，第一輥可用於將含可還原銀離子的感光性組合物自「墨」盤或計量系統轉移至計量輥或網紋輥。當此類組合物自網紋輥轉移至印刷板滾筒時，組合物一般按均一厚度計量。當基板通過卷軸式操作系統自印刷板滾筒移動至壓印滾筒時，在形成前體製品時，壓印滾筒將壓力施加至將影像自彈性凸紋元件轉移至基板的印刷板滾筒。 一旦提供了感光性薄膜或感光性薄膜圖案，此類前體製品可在隨後適當地經曝露(例如，使用具有至少150 nm及至多且包括700 nm的波長之輻射)以(例如)在氧之存在下以光化學方式將可還原銀離子轉化成銀金屬，從而提供包含含銀金屬薄膜或一或多個含銀金屬薄膜圖案之產品製品。此曝露操作可在室溫下執行或更可能地在環境或受控條件下於至少45℃之溫度下執行。將顯而易見的是，此類溫度條件可隨使用之特定曝露器件而變化。 舉例而言，輻照可使用諸如螢光燈或LED之合適源執行，以提供含銀金屬薄膜或含銀金屬薄膜圖案。舉例而言，銀離子還原可藉由使用具有至少150 nm及至多且包括700 nm之波長以及至少1,000微瓦/平方公分及至多且包括80,000微瓦/平方公分之強度的UV或可見輻照來達成。用以產生此類輻射之輻照系統可由例如呈1至50個放電燈形式之一或多個紫外燈構成，該等放電燈例如氙燈、金屬鹵化物燈、金屬電弧燈(諸如具有若干毫米至約10個大氣壓之所要操作壓力的低、中或高壓汞蒸汽放電燈)。該等燈可包括能夠發射至少150 nm及至多且包括700 nm或通常至少240 nm及至多且包括450 nm之波長之光的罩殼。該燈罩殼可由諸如Spectrocil或Pyrex之石英構成。可用於提供紫外輻射之典型燈為例如中壓汞弧燈，諸如GE H3T7電弧、Hanovia 450 W電弧燈及Fusion F300S、Fusion F600S及Fusion F300SQ微波供電無電極燈。可使用各種燈之組合執行銀離子光化學還原，該等燈中之一些或所有可在惰性氛圍中操作。當使用UV燈時，入射在基板(或經塗覆層或圖案)上之輻照通量可為至少0.01瓦/平方吋(0.0197瓦/平方公分)，以例如在卷軸式操作中在1至20秒內以連續方式實現足夠快速之銀離子光還原。在一些實施例中，脈衝式光源可用以產生光化學反應。脈衝之持續時間及速率可變化以在所要輻照時間內達成所要光劑量。 將用於光化學還原中之LED輻照器件可具有350 nm或更大之發射峰波長。LED器件可包括具有大於或等於350 nm之不同發射峰波長的兩個或多於兩個類型之元件。具有350 nm或更大之發射峰波長且具有發射紫外光之二極體(UV-LED)之LED器件的商業實例為可購自Nichia公司之NCCU-033。 各前體製品可個別地作為單一元件經輻照，或在替代實施例中，作為在連續幅材之多個部分中含有多個前體製品的幅材(例如，卷軸式連續幅材)經輻照，該連續腹板穿過曝光站，或者曝光器件穿過連續幅材上方。相同或不同含可還原銀離子的感光性組合物可經塗覆(例如，印刷)於基板之兩個支撐側上，無論其是呈單一元件抑或連續幅材形式。在許多實施例中，不同感光性薄膜圖案可形成於基板(或連續幅材)之相對支撐側上。 前體製品之此輻照產生如上文所描述之包含基板(例如，個別薄片或連續幅材)且其上具有在基板之一個或兩個支撐側上之含導電銀金屬的薄膜或一或多個含導電銀金屬的薄膜圖案的產品製品。 一般而言，含導電銀金屬的薄膜或含導電銀的薄膜圖案具有如使用4點探針器件所量測之小於106
歐姆/□的電阻率。在具體實施例中，各含導電銀薄膜或含導電銀薄膜圖案具有小於1000歐姆/□之電阻率、或小於500歐姆/□或甚至小於100歐姆/□之電阻率。 在輻照後，產品製品可在至少20℃及至多且包括90℃之溫度下與水接觸(用水洗滌) 達5分鐘。此水接觸可用以移除雜質以及用以增強含導電銀金屬的薄膜或一或多個含導電銀金屬的薄膜圖案之電導率。可在此步驟之後使用任何合適乾燥操作移除殘餘水，(例如)如上文針對其他乾燥操作所描述。 在一些實施例中，根據本發明之用於在具有第一支撐側及第二相對支撐側之連續基板上提供兩個或多於兩個導電圖案的方法包含： 提供連續基板， 在連續基板之第一支撐側上之兩個或多於兩個各別部分上提供兩個或多於兩個感光性薄膜圖案，該兩個或多於兩個感光性薄膜圖案中之每一者包含： a) 非羥基溶劑可溶銀錯合物，其包含：與α-氧基羧酸根及一級烷基胺錯合之可還原銀離子， 非羥基溶劑可溶銀錯合物由下式(I)表示： (Ag+
) a
(L) b
(P) c
(I) 其中L表示α-氧基羧酸根；P表示一級烷基胺；a
為1或2；b
為1或2；且c
為1、2、3或4， 其限制條件為：當a
為1時，b
為1，且當a
為2時,b
為2；及 b) 可還原可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根的光敏劑； 以光化學方式轉化連續基板之第一支撐側上之兩個或多於兩個感光性薄膜圖案中之每一者中的可還原銀離子，以對應地提供兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案； 使兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與水或者含水或無水鹽溶液(如下文所描述)接觸； 視情況地，使兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與含水或無水非鹽溶液(如下文所描述)接觸；及 視情況地，對連續基板之支撐側上的兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者進行乾燥。可使用任何合適乾燥條件及設備執行此乾燥，(例如)如上文針對其他乾燥操作所描述。 此方法可進一步包含： 在連續基板之第二相對支撐側上的兩個或多於兩個各別部分上提供兩個或多於兩個相對感光性薄膜圖案，該兩個或多於兩個相對感光性薄膜圖案中之每一者包含： a) 非羥基溶劑可溶銀錯合物；及 b) 光敏劑； 以光化學方式轉化兩個或多於兩個相對感光性薄膜圖案中之每一者中的可還原銀離子，以在連續基板之第二相對支撐側上提供兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案； 使兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案中之每一者與水或者含水或無水鹽溶液(如下文所描述)接觸； 視情況地，使兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案中之每一者與含水或無水非鹽溶液(如下文所描述)接觸；及 視情況地，對兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案中之每一者進行乾燥。可使用任何合適乾燥條件及設備執行此乾燥，(例如)如上文針對其他乾燥操作所描述。 當執行此方法時，可使用相同或不同柔性凸版印刷部件提供連續基板之第一支撐側及第二相對支撐側兩者上的所有感光性薄膜圖案。銀電導率增強：
一旦已在如上文所描述之產品製品中產生導電金屬銀，其電導率在一些實施例中即可使用一或多個(或甚至兩個或多於兩個)處理循環來增強，該等處理循環包含使產品製品與含有鹽之含水或無水鹽溶液(如下文所描述)接觸、隨後對產品製品進行乾燥。由此，此類處理循環為視情況選用的，但當使用該等處理循環時，此等兩步處理循環中之每一者包含兩個基本特徵：(1)使產品製品中之銀金屬與含水或無水鹽溶液接觸，且(2)視情況地，對產品製品中之導電銀金屬進行乾燥(例如，如上文針對其他乾燥操作所描述)。對於根據本發明之方法而言特別適用的是除第一兩步處理循環以外還包含兩個或多於兩個額外兩步處理循環，其中在各兩步處理循環中於接觸步驟之後進行乾燥，以增強根據本發明所提供之產品製品中之銀金屬之電導率。此等製程之結果為在產品製品中提供「經處理銀金屬」。 可使用相同或不同含水或無水鹽溶液執行各兩步處理循環。由此，相同或不同鹽可用於多個兩步處理循環中，但在使用多個兩步處理循環的大部分實施例中，將相同鹽用於各兩步處理循環中。在下文描述適用之鹽。 如本文針對處理循環所使用，術語「含水」意謂溶液(無論鹽溶液抑或非鹽溶液)在溶液中之所有溶劑當中包含水作為主要溶劑。彼意謂大於溶劑總體積之60體積%由水組成。一般而言，此類含水溶液包含所有溶劑之至少90體積%之量的水。 如本文針對處理循環所使用，術語「無水」」意謂溶液(無論鹽溶液抑或非鹽溶液)在溶液中之所有溶劑當中包含一或多種有機溶劑(下文所描述)作為主要溶劑。彼意謂大於溶劑之總體積之60體積%由一或多種有機溶劑組成。一般而言，此類無水溶液包含所有溶劑之至少90體積%之量的一或多種有機溶劑。 各處理循環可進一步包括額外接觸步驟，藉此在使產品製品與含水或無水鹽溶液接觸之後但在對產品製品進行乾燥之前，使導電銀金屬與含水或無水非鹽溶液(其不含針對含水或無水鹽溶液所描述之任何鹽)接觸。此類含水或無水非鹽溶液可主要由水組成。替代地，非鹽溶液可主要包含如下文所描述之一或多種有機溶劑，且由此為無水非鹽溶液。 雖然並非必需使用非鹽含水或無水溶液接觸步驟，但是該步驟在許多實施例中可能十分有利。由此，此三步處理循環將包括：(1)使產品製品與含水或無水鹽溶液接觸，(1a)使產品製品與含水或無水非鹽溶液(諸如淡水)接觸，及(2)視情況地，對產品製品進行乾燥(使用上文所描述之條件)。此等三步處理循環中之每一者可經多次使用或與上文所描述的兩步處理循環中之一或多者一起僅使用一次。 在各兩步或三步處理循環中，可以任何合適方式(諸如藉由噴塗、塗佈、浸沒於浴液中或對熟習此項技術者將顯而易見之另一接觸手段)使產品製品與含水或無水鹽溶液接觸。一般在至少20℃或至少30℃及至多且包括90℃或至少45℃及至多且包括80℃或甚至至少40℃及至多且包括70℃之溫度下使用含水或無水鹽溶液針對處理循環中之每一者，溫度可相同或不同。可針對給定類型之含水或無水溶液且視鹽是否存在而調節溫度。 雖然在三步處理循環中與含水或無水非鹽溶液的接觸可在相同溫度範圍內使用相同或不同接觸手段執行，但是溫度不必與用於各三步處理循環中之含水或無水鹽溶液之溫度相同。 對於各兩步或三步處理循環而言，雖然所提及之與含水或無水鹽溶液的接觸一般可執行至少6秒及至多且包括30分鐘或更可能至少30秒及至多且包括20分鐘，但是對至少一個兩步處理循環中之此接觸特別適用之時間為至少15秒及至多且包括1分鐘，以使得各兩步或三步處理循環相對較短。多個兩步或三步處理循環之接觸時間可相同或不同。然而，在一些實施例中，第一兩步或三步處理循環中之接觸時間可比後續兩步或三步處理循環中之接觸時間長。 雖然使用含水或無水非鹽溶液之三步處理循環中之接觸步驟可類似地使用上文針對與含水或無水鹽溶液接觸所描述的時間、溫度及接觸手段來執行，但是對於各類型之接觸而言或對於各兩步或三步處理循環而言，時間、溫度及接觸手段不必相同。 可使用任何合適乾燥手段(諸如環境(無輔助)乾燥手段或熱空氣或無輔助蒸發之有效使用)來執行各兩步或三步處理循環(當使用時)之乾燥操作，且可使用常規實驗(上文所描述之其他條件)容易地判定乾燥時間及溫度。對於各兩步或三步處理循環而言，乾燥手段可相同或不同。 用於相同或不同兩步或三步處理循環中之含水鹽溶液的適用之鹽包括(但不限於)：一或多種氯化物鹽(諸如氯化鈉、氯化鉀及氯化銨)、溴化物鹽(諸如溴化鈉、溴化鉀及溴化銨)、銀鹽(諸如硝酸銀、乙酸銀及此項技術中已知之其他銀鹽)。可單個地或組合形式使用該等鹽，且其在含水鹽溶液中之總濃度一般為至少0.1重量%及至多且包括20重量%或通常至少1重量%及至多且包括10重量%。特別適用之鹽為單個地或呈組合形式的氯化物鹽。 用於相同或不同處理循環之無水鹽溶液之適用的鹽包括(但不限於)：一或多種氯化物鹽(諸如氯化四丁銨)、溴化物鹽(諸如溴化四丁銨)、銀鹽(諸如硝酸銀)。可單個地或呈組合形式使用鹽，且其在溶劑鹽溶液中之總濃度一般為至少0.1重量%及至多且包括20重量%或通常至少1重量%及至多且包括10重量%。特別適用之鹽為單個或呈組合形式的氯化物鹽。 各含水鹽溶液或含水非鹽溶液一般具有至少4及至多且包括11之pH或通常至少6及至多且包括8之pH。可使用合適鹼性化合物(諸如氫氧化物)調節pH，且可包括任何合適緩衝液以保持所要pH，只要此等額外組份不減損增強產品製品中之銀金屬之電導率的所要效果即可。雖然非鹽水溶液可為無任何添加之淡水，但視需要，其可視情況包括界面活性劑、殺生物劑或緩衝液。 無水鹽溶液及含水非鹽溶液含有一或多種有機溶劑，該等有機溶劑包括(但不限於)：乙腈、丁腈、丙腈、丙酮、2-丁酮、甲醇、乙醇、異丙醇及熟習此項技術者將顯而易見之其他類似有機溶劑。 由此，在本發明之一些實施例中，在使用上文所描述之可還原銀離子之光化學還原提供產品製品之後，產品製品可經受兩個或多於兩個兩步或三步處理循環，其中各兩步或三步處理循環包括上文所描述之基本步驟(1)及(2)，但各三步處理循環包括上文所描述的步驟(1a)。各接觸步驟(1)可使用具有至少0.01 mol/l及至多且包括0.5 mol/l之總鹽濃度的一或多種鹽在上文所提及之溫度下執行達至少1秒及至多且包括60秒，且接觸步驟(1a)可尤其使用淡水執行達類似時間。 在一些實施例中，在上文所描述之可還原銀離子之使用光化學還原提供產品製品之後，可使用水或者含水或無水鹽溶液噴塗含有銀金屬之產品製品，隨後進行合適乾燥。 在其他實施例中，一旦形成金屬銀，產品製品即可與(1)無水含鹽溶液接觸且(2)視情況進行乾燥。尤其期望使用除此第一兩步處理循環以外之兩個或多於兩個額外兩步處理循環來增強產品製品中之銀金屬之電導率。 此外，如上文所描述，可將各兩步處理循環轉化成三步處理循環，以包括(1a)在任何乾燥之前使銀金屬與含水或無水非鹽含水溶液接觸。 由此，在以光化學方式將可還原銀離子轉化成銀金屬之後，該方法可包括：使含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與水或含水或無水鹽溶液接觸，及 視情況地，對含銀金屬薄膜或含銀金屬薄膜圖案進行乾燥。 替代地，根據本發明之方法包含： 在以光化學方式將可還原銀離子轉化成銀金屬之後，使含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與水或含水或無水非鹽溶液接觸，及 視情況地，對含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案進行乾燥。 在其他實施例中，根據本發明之方法包含： 在以光化學方式將可還原銀離子轉化成銀金屬之後，使含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與含水或無水鹽溶液接觸， 使含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與含水或無水非鹽溶液之水接觸，及 視情況地，對含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案進行乾燥。 本發明提供至少以下實施例及其組合，但由於熟習此項技術者將自本發明之教示瞭解，特徵之其他組合被視為在本發明之範疇內： 1. 一種非羥基溶劑可溶銀錯合物，其包含：與α-氧基羧酸根及一級烷基胺錯合之可還原銀離子， 該非羥基溶劑可溶銀錯合物由下式(I)表示： (Ag+
) a
(L) b
(P) c
(I) 其中L表示α-氧基羧酸根；P表示一級烷基胺；a
為1或2；b
為1或2；且c
為1、2、3或4，其限制條件為：當a
為1時，b
為1，且當a
為2時，b
為2。 2. 如實施例1之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中L由下式(II)表示：
(II) 其中R1
、R2
及R3
獨立地為氫或直鏈或分支鏈烷基。 3. 如實施例2之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中R1
為氫或具有1至3個碳原子之分支鏈或直鏈烷基，且R2
及R3
獨立地為具有1至8個碳原子之分支鏈或直鏈烷基，其中R1
、R2
及R3
分支鏈或直鏈烷基中之氫原子中的任一者視情況可經氟原子置換。 4. 如實施例1至3中任一者之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中α-氧基羧酸根具有250或更小的分子量。 5. 如實施例1或4之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中L由下式(III)表示：
(III) 其中R4
為具有1至8個碳原子之分支鏈或直鏈烷基，且R4
分支鏈或直鏈烷基中之氫原子中之任一者可視情況經氟原子取代。 6. 如實施例1至5中任一者之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中α-氧基羧酸根係選自由以下組成之群：乳酸根、2-羥基丁酸、2-羥基-3-甲基丁酸、2-羥基-3,3-二甲基丁酸、2-羥基-異丁酸、2-羥基-2-甲基丁酸、2-乙基-2-羥基丁酸、2-羥基-2,3-二甲基丁酸、2-乙基-2-甲氧基丁酸、2-甲氧基-2-甲基丙酸、1-羥基環戊烷-1-甲酸、2,3-二羥基-2,3-二甲基丁二酸及2,4-二羥基-2,4-二甲基戊二酸，或 選自由以下組成之群：丙酮酸、3-甲基丙酮酸、3,3-二甲基丙酮酸、3,3-二甲基-2-側氧基丁酸、3,3-二甲基-2-側氧基戊酸及2,3-二側氧基丁二酸。 7. 如實施例1至6中任一者之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中P為具有小於或等於175℃之沸點的一級烷基胺。 8. 如實施例1至7中任一者之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中P為具有小於或等於125℃之沸點的一級烷基胺。 9. 如實施例1至8中任一者之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中一級烷基胺具有相對於SCE大於1.0 V之氧化電位；α-氧基羧酸根具有相對於SCE至少1.2 V之第一氧化電位；且在α-氧基羧酸根之去羧後，產生具有相對於SCE小於1.0 V之氧化電位的第二自由基。 10. 如實施例1至9中任一者之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中一級烷基胺具有相對於SCE大於1.4 V之氧化電位。 11. 如實施例1至10中任一者之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中一級烷基胺具有如在乙腈中量測之至少1及至多且包括30之pKa。 12. 如實施例1至11中任一者之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中一級烷基胺具有如在乙腈中量測之至少10及至多且包括25之pKa，且一級烷基胺具有相對於SCE大於1.0 V的氧化電位。 13. 如實施例1至12中任一者之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中一級烷基胺包含具有3至6個碳原子之分支鏈或直鏈烷基。 14. 如實施例1至13中任一者之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中一級烷基胺係選自由以下組成之群：丙胺、正丁胺、第三丁胺、異丙胺、2,2,2-三氟乙胺、2,2,3,3,3-五氟丙胺、3,3,3-三氟丙胺、1,2-二甲基丙胺、第三戊胺、異戊胺、2-胺基-3-甲基丁烷、3,3-二甲基-2-丁胺、2-胺基己烷及第二丁胺。 15. 如實施例1至14中任一者之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其滿足銀離子穩定性測試，以使得當非羥基溶劑可溶銀錯合物在環境溫度下及在黃色安全燈下保持24小時時，其原始銀離子含量之小於0.1莫耳%還原成銀金屬。 16. 如實施例1至15中任一者之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中： (i)a
及b
均為1，且c
為1或2； (ii)a
及b
均為2，且c
為2；或 (iii)a
及b
均為2，且c
為4。 17. 一種含可還原銀離子的感光性組合物，其包含： a) 如實施例1至16中任一者所定義之非羥基溶劑可溶銀錯合物； c) 包含至少一種非羥基溶劑的溶劑介質；及 b) 視情況存在之可還原可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根之光敏劑。 18. 如實施例17之含可還原銀離子的感光性組合物，其中存在光敏劑，且當光敏劑為推電子光敏劑時，其由以下等式(7)定義，且當光敏劑為吸電子光敏劑時，其由以下等式(4)定義： ES*
- ES ox
≥ - EAg+ red
等式(7) ES*
+ ES red
≥ EC ox
等式(4)， 其中： ES ox
為推電子光敏劑之氧化電位； ES *
為吸電子光敏劑之激發能量； ES red
為吸電子光敏劑之還原電位； EAg + red
為非羥基溶劑可溶銀錯合物中之銀離子之還原電位；及 EC ox
為α-氧基羧酸根之氧化電位。 19. 如實施例17或18之含可還原銀離子的感光性組合物，其中非羥基溶劑可溶銀錯合物按含可還原銀離子的感光性組合物之總重量計以至少10重量%及至多且包括90重量%的量存在；且光敏劑按非羥基溶劑可溶銀錯合物之總重量計以至少0.5重量%及至多且包括4重量%的量存在。 20. 如實施例17至19中任一者之含可還原銀離子的感光性組合物，其中溶劑介質包含選自由以下組成之群的一或多種非羥基溶劑：乙腈、苯甲腈、丙酮、甲基乙基酮、丁腈、碳酸伸丙酯、丙腈、異戊腈、戊腈及此等有機溶劑中之兩者或多於兩者之混合物。 21. 如實施例17至20中任一者之含可還原銀離子的感光性組合物，其包含如請求項1至16中任一項之兩種或多於兩種不同非羥基溶劑可溶銀錯合物。 22. 如實施例17至21中任一者之含可還原銀離子的感光性組合物，其包含兩種或多於兩種不同的光敏劑。 23. 一種用於提供銀金屬之方法，其包含： 在基板上提供感光性薄膜或感光性薄膜圖案，該感光性薄膜或感光性薄膜圖案包含： a) 如實施例1至16中任一者所定義之非羥基溶劑可溶銀錯合物；及 b) 視情況存在之可還原可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根之光敏劑；及 藉由使用波長在至少150 nm及至多且包括700 nm之範圍內的電磁輻射來輻照感光性薄膜或感光性薄膜圖案，以光化學方式將感光性薄膜或感光性薄膜圖案中之可還原銀離子轉化成導電銀金屬，從而在基板上提供含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案。 24 如實施例23之方法，其中含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案具有小於1000歐姆/□之電阻率。 25. 如實施例23或24之方法，其中 在以光化學方式將可還原銀離子轉化成導電銀金屬之後，使含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與水或者含水或無水鹽溶液接觸，及 視情況地，對含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案進行乾燥。 26. 如實施例23或24之方法，其中 在以光化學方式將可還原銀離子轉化成導電銀金屬之後，使含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與水或者含水或無水非鹽溶液接觸，及 視情況地，對含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案進行乾燥。 27. 如實施例23或24之方法，其中 在以光化學方式將可還原銀離子轉化成導電銀金屬之後，使含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與水或者含水或無水鹽溶液接觸， 使含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與含水或無水非鹽溶液接觸，及 視情況地，對含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案進行乾燥。 28. 如實施例23至27中任一者之方法，其中基板為聚合膜、玻璃或陶瓷材料。 29. 如實施例23至28中任一者之方法，其中基板為連續聚酯幅材。 30. 如實施例23至29中任一者之方法，其包含使用柔性凸版印刷或噴墨印刷提供感光性薄膜圖案。 31. 如實施例23至30中任一者之方法，其中非羥基溶劑可溶銀錯合物按感光性薄膜或感光性薄膜圖案之總重量計以至少96重量%及至多且包括99.5重量%的量存在於感光性薄膜或感光性薄膜圖案中；且光敏劑按非羥基溶劑可溶銀錯合物之總重量計以至少0.5重量%及至多且包括4重量%的量存在。 32. 一種用於提供兩個或多於兩個導電圖案之方法，該方法包含： 提供具有第一支撐側及第二相對支撐側的連續基板， 在連續基板之第一支撐側上之兩個或多於兩個各別部分上提供兩個或多於兩個感光性薄膜圖案，該兩個或多於兩個感光性薄膜圖案中之每一者包含： a) 如實施例1至16中任一者所定義之非羥基溶劑可溶銀錯合物；及 b) 可還原可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根的光敏劑； 以光化學方式轉化連續基板之第一支撐側上的兩個或多於兩個感光性薄膜圖案中之每一者中的可還原銀離子，以對應地提供兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案； 使兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與水或者含水或無水鹽溶液接觸； 視情況地，使兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與含水或無水非鹽溶液接觸；及 視情況地，對連續基板之第一支撐側上的兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者進行乾燥。 33. 如實施例32之方法，其進一步包含： 在連續基板之第二相對支撐側上的兩個或多於兩個各別部分上提供兩個或多於兩個相對感光性薄膜圖案，該兩個或多於兩個相對感光性薄膜圖案中之每一者包含： a) 非羥基溶劑可溶銀錯合物；及 b) 光敏劑； 以光化學方式轉化兩個或多於兩個相對感光性薄膜圖案中之每一者中的可還原銀離子，以提供兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案； 使兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案中之每一者與水或者含水或無水鹽溶液接觸； 視情況地，使兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案中之每一者與含水或無水非鹽溶液接觸；及 視情況地，對連續基板之第二相對支撐側上的兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案中之每一者進行乾燥。 34. 如實施例32或33之方法，其中連續基板由聚酯形成。 35. 如實施例32至34中任一者之方法，其中使用相同或不同柔性凸版印刷部件提供連續基板之第一支撐側及第二相對支撐側兩者上的所有感光性薄膜圖案。 36. 如實施例32至35中任一者之方法，其包含使兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與含水鹽溶液接觸，隨後使兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與含水非鹽溶液接觸。 37. 如實施例32至35中任一者之方法，其包含使兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與無水鹽溶液接觸，隨後使兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與無水非鹽溶液接觸。 38. 一種前體製品，其包含具有第一支撐側及第二相對支撐側之基板，且其在至少第一支撐側上具有： 感光性薄膜或一或多個感光性薄膜圖案，該感光性薄膜或該一或多個感光性薄膜圖案中之每一者包含： a) 如實施例1至16中任一者所定義之非羥基溶劑可溶銀錯合物；及 b) 可還原可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根的光敏劑。 39. 如實施例38之前體製品，其中基板為聚合膜、玻璃或陶瓷材料。 40. 如實施例38或39之前體製品，其中基板為連續聚酯幅材。 41. 如實施例38至40中任一者之前體製品，其包含基板之第一支撐側的不同部分中之一或多個感光性薄膜圖案。 42. 如實施例38至41中任一者之前體製品，其中非羥基溶劑可溶銀錯合物按感光性薄膜之總乾重計以至少96重量%及至多且包括99.5重量%之量存在於感光性薄膜或一或多個感光性薄膜圖案中；且光敏劑按非羥基溶劑可溶銀錯合物之總量計以至少0.5重量%及至多且包括4重量%的量存在。 43. 如實施例38至42中任一者之前體製品，其包含基板之第二相對支撐側上之一或多個感光性薄膜圖案，該一或多個感光性薄膜圖案中之每一者安置於基板的第二相對支撐側上，該一或多個感光性薄膜圖案中之每一者包含： a) 如請求項1至16中任一項所定義之非羥基溶劑可溶銀錯合物；及 b) 光敏劑。 44. 一種自如實施例23至37中任一者之方法獲得的產品製品，該產品製品包含具有第一支撐側及第二相對支撐側之基板，且在至少第一支撐側上具有： 含導電銀金屬的薄膜或一或多個含導電銀金屬的薄膜圖案，其包含： 銀金屬； α-氧基羧酸根； 一級烷基胺；及 可還原可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根的光敏劑。 45. 如實施例44之產品製品，其進一步包含基板之第二相對支撐側上的不同部分中之一或多個含導電銀金屬的薄膜圖案， 此一或多個含導電銀金屬的薄膜圖案中之每一者包含： 銀金屬； α-氧基羧酸根； 一級烷基胺；及 可還原可還原銀離子或氧化α-氧基羧酸根的光敏劑。 提供以下實例來說明本發明之實施，且該等實例無意以任何方式進行限制。 用於以下實例中之大部分試劑及溶劑可自諸如VWR、Sigma-Aldrich Chemical Co.(密爾沃基, 威斯康星州,美國)及Fisher Scientific (匹茲堡,賓夕法尼亞州,美國)之各種商業來源獲得。比較實例 1 ： 異丁酸銀第三丁胺錯合物的製備 
向異丁酸銀(1 g, 5.18 mmol)於乙腈(4 ml)中之漿液添加第三丁胺(0.378 g, 5.18 mmol)，且攪拌所得反應混合物以獲得澄清溶液。在25℃下將澄清反應溶液攪拌10分鐘，且在室溫下緩慢移除乙腈，以獲得表徵為1
H NMR (CD3
CN) δ 4.3 (q, 1H)、1.35 (d, 3H)、1.25 (s, 9H)的所要異丁酸銀第三丁胺錯合物白色固體。使用烷基羧酸根一級胺錯合物嘗試光化學產生導電銀金屬 ：
將上文所描述之異丁酸銀第三丁胺錯合物(0.2 g)溶解於乙腈(1 ml)中。添加並在室溫下溶解光敏劑PS-7 (0.02 g; 2重量%)以形成含可還原銀離子的感光性組合物。將此組合物以800 rpm旋塗於玻璃板基板上，以在基板上形成薄膜。隨後使用中壓Hg/Xe (1000 W)燈將所得前體製品曝露於UV光。薄膜之顏色在20秒內自無色變成黃色，指示銀奈米粒子之形成(UV/Vis吸收光譜展示400至425 nm範圍中之吸收通常與銀金屬之存在相關聯)。在進一步輻照後，薄膜之顏色緩慢自黃色變成棕色，指示較大尺寸之銀奈米粒子之形成。使用4點探針器件來量測所得經印刷銀金屬特徵之薄片電阻率，且發現其為非導電的。在使用鹽水(氯化鈉)溶液(0.1莫耳濃度)將薄膜洗滌10秒之後，薄膜電阻率未改變。 此實例表明，在UV輻照後，包含烷基羧酸銀與烷基胺的錯合物以及光敏劑的含銀離子組合物不產生金屬銀。發明實例 1 ： 乳酸銀正丙胺錯合物之製備 
向乳酸銀(1.0 g, 5.076 mmol)於乙腈(4 ml)中之漿液添加正丙胺(0.3 g, 5.08 mmol)以獲得澄清反應溶液。在25℃下將反應溶液攪拌10分鐘，且隨後在室溫下緩慢移除乙腈，以獲得如由1
H NMR (CD3
CN)所確認的所要乳酸銀正丙胺錯合物白色固體。發明實例 2 ：乳酸銀第三丁胺錯合物的製備 
向乳酸銀(1.0 g, 5.076 mmol)於乙腈(4 ml)中之漿液添加第三丁胺(0.37 g, 5.08 mmol)以獲得澄清反應溶液。在25℃下將反應溶液攪拌10分鐘，且隨後在室溫下緩慢移除乙腈，以獲得如由1
H NMR (CD3
CN)所確認的所要乳酸銀第三丁胺錯合物白色固體。發明實例 3 ： 2 - 羥基異丁酸銀第三戊胺錯合物的製備 
向2-羥基丁酸銀(1.0 g, 4.76 mmol)於乙腈(4 ml)中之漿液添加第三戊胺(0.757 g, 8.63 mmol)以獲得澄清反應溶液。在25℃下將反應溶液攪拌10分鐘，且隨後在室溫下緩慢移除乙腈，以獲得如由1
H NMR (CD3
CN)所確認的所要2-羥基異丁酸銀第三戊胺錯合物白色固體。發明實例 4 ： 2 - 羥基異丁酸銀第三丁胺錯合物的製備 
向2-羥基丁酸銀(1.0 g, 4.76 mmol)於乙腈(4 ml)中之漿液添加第三丁胺(2.1 g, 30 mmol)以獲得澄清反應溶液。在25℃下將反應溶液攪拌10分鐘，且隨後在室溫下緩慢移除乙腈，以獲得如由晶體結構(參見圖1)及1
H NMR (CD3
CN)所確認之所要2-羥基異丁酸銀第三丁胺錯合物白色固體。發明實例 5 ： 2 - 乙基 - 2 - 羥基異丁酸銀第三丁胺錯合物的製備 
向2-乙基-2-羥基丁酸銀(1.0 g, 4.76 mmol)於乙腈(4 ml)中之漿液添加第三丁胺(0.7 g, 10 mmol)以獲得澄清反應溶液。在25℃下將反應溶液攪拌10分鐘，且隨後在室溫下緩慢移除乙腈，以獲得如由晶體結構(參見圖2)及1
H NMR (CD3
CN)所確認之所要2-羥基異丁酸銀第三丁胺錯合物白色固體。發明實例 6 ：乳酸銀 2 , 2 , 2 - 三氟乙胺錯合物的製備 
向乳酸銀(1.0 g, 5.076 mmol)於乙腈(4 ml)中之漿液添加2,2,2-三氟乙胺(0.50 g, 5.08 mmol)以獲得澄清反應溶液。隨後在25℃下將反應溶液攪拌10分鐘，且隨後在室溫下緩慢移除乙腈，以獲得如由1
H NMR (CD3
CN)所確認的所要乳酸銀2,2,2-三氟乙胺錯合物白色固體。發明實例 7 ： 銀離子錯合物之電化學表徵
如上文使用式(I)所定義之各種含銀錯合物之電化學特性係藉由例如「Electrochemical Methods, Fundamentals and Applications」, A. Bard及L. Faulkner (編者), John Wiley & Sons, Inc. NY (1980)中所描述之常用循環伏安法來評估。在此方法中，各錯合物以約1至約5 mmol之濃度溶解於含有0.1莫耳濃度四丁基四氟硼酸銨作為電解質之乙腈溶劑中。在配備有玻璃碳工作電極、鉑相對電極及飽和甘汞(SCE)參考電極之二室玻璃槽中執行循環伏安法。SCE由用0.1莫耳濃度四丁基四氟硼酸銨電解質填充之鹽橋與槽之主室分離。在各伏安掃描之前，使用1 µm氧化鋁糊狀物拋光玻璃碳電極。在25℃下使用0.1 V/s之電位掃描速率進行量測。 發明實例2中所製備之乳酸銀第三丁胺錯合物的典型循環伏安圖展示於圖3中，其中，電極電位以負向方向自+0.5 V之初始電位開始在-0.5 V與+2.0 V之限值之間循環。識別三個電化學活性區域。在+0.1 V至-0.5 V之負電位區域中所觀測到的電流「波」與含銀離子錯合物之電化學還原相關聯。此還原過程導致銀金屬鍍覆在碳電極上。在+0.1 V至+0.5 V之正電位區域中所觀測到的急劇電流波對應於經鍍覆銀金屬氧化形成可溶銀離子。後一電化學氧化波之急劇對稱形狀完全符合銀金屬自電極表面之氧化溶解(「剝離」)。最後，(相對於SCE)約+1.0 V至+2.0 V之正電位區域中之第三較寬電化學波歸屬於錯合物之經併入組份部分(「P」及「L」)之疊加氧化波。 式(I)之其他錯合物的循環伏安圖與圖3之循環伏安圖極其類似。在下文表III中展示各種錯合物之還原及氧化的峰值電位。在下表IV中展示藉由上文所描述之實驗方法所確定的個別α-氧基羧酸根組份之經確定氧化電位。一級烷基胺之氧化電位見於例如Adenier等人,Langmuir
, 2004,第20卷,第8243-8253頁中。 表III：於乙腈中之(Ag+
) a
(L) b
(P) c
伏安法結果 
表IV：於乙腈中之羧酸根組份的伏安法結果 
發明實例 8 ： 使用乳酸銀第三丁胺錯合物以及 PS - 4 及 PS - 12 光敏劑 之混合物印刷及光化學產生導電銀金屬
此實例表明使用吖錠類及香豆素類光敏劑來光化學產生前體製品中之導電銀金屬以提供包含聚合基板之產品製品。 此實例表明使用柔性凸版印刷及下文所描述之含銀離子錯合物對根據本發明之前體製品的製備。其亦表明使用香豆素類電子予體光敏劑光化學產生導電銀金屬以提供包含聚合基板的產品製品。 使用彈性凸版IGT F1印表機自可商購Kodak Flexcel NX光聚合物板(前體)獲得柔性凸版印刷板。藉由通過使用Kodak Square Spot雷射技術以12,800 dpi之解析度寫入之光罩成像光聚合物板來提供凸紋影像。使用配備有H型燈泡之Fusion台式輸送機以500至1000 mJ/cm2
的標稱UV劑量執行曝光。 將包含乳酸銀第三丁胺錯合物(來自發明實例2)於乙腈-苯甲腈(85:15 v/v)溶劑混合物與0.5重量%之PS-4及1.5重量%之PS-12光敏劑的混合物中之40重量%溶液的感光性組合物柔性凸版印刷至明膠基底聚(對苯二甲酸伸乙酯) (PET)薄膜基板之樣本上，以提供在基板上具有感光性薄膜圖案之前體製品。將前體製品曝露於UV光以獲得薄膜銀金屬圖案。使所得產品製品與氯化鈉溶液(0.1至0.2莫耳濃度)接觸，且在量測薄片電阻率之前風乾。發現由四點探針所量測之超過0.5 × 1.5 cm面積及400 nm之標稱厚度的產品製品之電阻率為10至15 Ω/□。發明實例 9 ： 使用 2 - 羥基異丁酸銀第三戊胺錯合物及 PS - 15 光敏劑光化學產生導電銀金屬
此實例說明使用發明錯合物及組合物在玻璃基板上光化學產生導電銀金屬薄膜。 將包含2-羥基異丁酸銀第三戊胺於乙腈溶劑及2重量%之PS-15光敏劑之混合物中的40重量%溶液的含可還原銀離子的感光性組合物旋塗至玻璃板上，且將所得前體製品曝露於UV光以獲得薄膜銀金屬塗層。使產品製品與氯化鈉溶液(0.1至0.2莫耳濃度)接觸，且在量測薄片電阻率之前風乾。發現由四點探針所量測的具有1 cm2
面積及300 nm之標稱厚度的薄膜之電阻率為10至20 Ω/□。 已尤其參考其某些較佳實施例來詳細描述本發明，但應理解，可在本發明之精神及範疇內實現變化及修改。
圖1為如下文發明實例4中所描述之含銀離子錯合物之晶體結構的說明。 圖2為如下文發明實例5中所描述之含銀離子錯合物之晶體結構的說明。 圖3為如下文發明實例7中所描述之含銀離子錯合物之典型循環伏安圖的圖形表示。
Claims (45)
- 一種非羥基溶劑可溶銀錯合物，其包含與α-氧基羧酸根及一級烷基胺錯合之可還原銀離子，該非羥基溶劑可溶銀錯合物由下式(I)表示：(Ag+) a (L) b (P) c (I)其中L表示該α-氧基羧酸根；P表示該一級烷基胺，其具有單一氮原子；a為1或2；b為1或2；且c為1、2、3或4，其限制條件為：當a為1時，b為1，且當a為2時，b為2。
- 如請求項1之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中L由下式(II)表示：
- 如請求項2之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中R1為氫或具有1至3個碳原子之分支鏈或直鏈烷基，且R2及R3獨立地為具有1至8個碳原子之分支鏈或直鏈烷基，其中該等R1、R2及R3分支鏈或直鏈烷基中之氫原子中之任一者視情況可經氟原子置換。
- 如請求項1之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中該α-氧基羧酸根具有 250或更小的分子量。
- 如請求項1之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中L由下式(III)表示：
- 如請求項1至5中任一項之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中該α-氧基羧酸根係選自由以下組成之群：乳酸根、2-羥基丁酸、2-羥基-3-甲基丁酸、2-羥基-3,3-二甲基丁酸、2-羥基-異丁酸、2-羥基-2-甲基丁酸、2-乙基-2-羥基丁酸、2-羥基-2,3-二甲基丁酸、2-乙基-2-甲氧基丁酸、2-甲氧基-2-甲基丙酸、1-羥基環戊烷-1-甲酸、2,3-二羥基-2,3-二甲基丁二酸及2,4-二羥基-2,4-二甲基戊二酸，或選自由以下組成之群：丙酮酸、3-甲基丙酮酸、3,3-二甲基丙酮酸、3,3-二甲基-2-側氧基丁酸、3,3-二甲基-2-側氧基戊酸及2,3-二側氧基丁二酸。
- 如請求項1至5中任一項之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中P為具有小於或等於175℃之沸點的一級烷基胺。
- 如請求項1至5中任一項之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中P為具有小 於或等於125℃之沸點的一級烷基胺。
- 如請求項1至5中任一項之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中該一級烷基胺具有相對於SCE大於1.0V之氧化電位；該α-氧基羧酸根具有相對於SCE至少1.2V之第一氧化電位；且在該α-氧基羧酸根之去羧後，產生具有相對於SCE小於1.0V之氧化電位的第二自由基。
- 如請求項1至5中任一項之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中該一級烷基胺具有相對於SCE大於1.4V之氧化電位。
- 如請求項1至5中任一項之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中該一級烷基胺具有如在乙腈中所量測之至少1及至多且包括30之pKa。
- 如請求項1至5中任一項之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中該一級烷基胺具有如在乙腈中所量測之至少10及至多且包括25之pKa，且該一級烷基胺具有相對於SCE大於1.0V的氧化電位。
- 如請求項1至5中任一項之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中該一級烷基胺包含具有3至6個碳原子之分支鏈或直鏈烷基。
- 如請求項1至5中任一項之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中該一級烷基胺係選自由以下組成之群：丙胺、正丁胺、第三丁胺、異丙胺、2,2,2-三氟乙胺、2,2,3,3,3-五氟丙胺、3,3,3-三氟丙胺、1,2-二甲基丙胺、第三 戊胺、異戊胺、2-胺基-3-甲基丁烷、3,3-二甲基-2-丁胺、2-胺基己烷及第二丁胺。
- 如請求項1至5中任一項之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其滿足銀離子穩定性測試，以使得當該非羥基溶劑可溶銀錯合物在環境溫度下及在黃色安全燈下保持24小時時，其原始銀離子含量之小於0.1mol%還原成銀金屬。
- 如請求項1至5中任一項之非羥基溶劑可溶銀錯合物，其中：(i)a及b均為1，且c為1或2；(ii)a及b均為2，且c為2；或(iii)a及b均為2，且c為4。
- 一種含可還原銀離子的感光性組合物，其包含：a)非羥基溶劑可溶銀錯合物，其包含與α-氧基羧酸根及一級烷基胺錯合之可還原銀離子，該非羥基溶劑可溶銀錯合物由下式(I)表示：(Ag+) a (L) b (P) c (I)其中L表示該α-氧基羧酸根；P表示該一級烷基胺；a為1或2；b為1或2；且c為1、2、3或4，其限制條件為：當a為1時，b為1，且當a為2時，b為2；c)包含至少一種非羥基溶劑的溶劑介質；及 b)視情況存在之可還原該可還原銀離子或氧化該α-氧基羧酸根之光敏劑。
- 如請求項17之含可還原銀離子的感光性組合物，其中存在該光敏劑，且當該光敏劑為推電子光敏劑時，其由以下等式(7)定義，且當該光敏劑為吸電子光敏劑時，其由以下等式(4)定義：
- 如請求項17或18之含可還原銀離子的感光性組合物，其中該非羥基溶劑可溶銀錯合物按該含可還原銀離子的感光性組合物之總重量計以至少10重量%及至多且包括90重量%的量存在；且該光敏劑按該非羥基溶劑可溶銀錯合物之總重量計以至少0.5重量%及至多且包括4重量%的量存在。
- 如請求項17或18之含可還原銀離子的感光性組合物，其中該溶劑介質包含選自由以下組成之群的一或多種非羥基溶劑：乙腈、苯甲腈、丙酮、甲基乙基酮、丁腈、碳酸伸丙酯、丙腈、異戊腈、戊腈及此等有機溶 劑中之兩者或多於兩者之混合物。
- 如請求項17或18之含可還原銀離子的感光性組合物，其包含如請求項1至16中任一項之兩種或多於兩種不同的非羥基溶劑可溶銀錯合物。
- 如請求項17或18之含可還原銀離子的感光性組合物，其包含兩種或多於兩種不同的光敏劑。
- 一種用於提供銀金屬之方法，其包含：在基板上提供感光性薄膜或感光性薄膜圖案，該感光性薄膜或感光性薄膜圖案包含：a)非羥基溶劑可溶銀錯合物，其包含與α-氧基羧酸根及一級烷基胺錯合之可還原銀離子，該非羥基溶劑可溶銀錯合物由下式(I)表示：(Ag+) a (L) b (P) c (I)其中L表示該α-氧基羧酸根；P表示該一級烷基胺；a為1或2；b為1或2；且c為1、2、3或4，其限制條件為：當a為1時，b為1，且當a為2時，b為2；及b)視情況存在之可還原該可還原銀離子或氧化該α-氧基羧酸根之光敏劑；及藉由使用波長在至少150nm及至多且包括700nm之範圍內的電磁輻射來輻照該感光性薄膜或感光性薄膜圖案，以光化學方式將該感光性薄膜 或感光性薄膜圖案中之可還原銀離子轉化成導電銀金屬，從而在該基板上提供含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案。
- 如請求項23之方法，其中該含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案具有小於1000歐姆/□之電阻率。
- 如請求項23或24之方法，其中在以光化學方式將該等可還原銀離子轉化成導電銀金屬之後，使該含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與水或者含水或無水鹽溶液接觸，及視情況地，對該含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案進行乾燥。
- 如請求項23或24之方法，其中在以光化學方式將該等可還原銀離子轉化成導電銀金屬之後，使該含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與水或者含水或無水非鹽溶液接觸，及視情況地，對該含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案進行乾燥。
- 如請求項23或24之方法，其中在以光化學方式將該等可還原銀離子轉化成導電銀金屬之後，使該含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與水或者含水或無水鹽溶 液接觸，使該含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案與含水或無水非鹽溶液接觸，及視情況地，對該含導電銀金屬的薄膜或含導電銀金屬的薄膜圖案進行乾燥。
- 如請求項23或24之方法，其中該基板為聚合膜、玻璃或陶瓷材料。
- 如請求項23或24之方法，其中該基板為連續聚酯幅材。
- 如請求項23或24之方法，其包含使用柔性凸版印刷或噴墨印刷提供該感光性薄膜圖案。
- 如請求項23或24之方法，其中該非羥基溶劑可溶銀錯合物按該感光性薄膜或感光性薄膜圖案之總重量計以至少96重量%及至多且包括99.5重量%的量存在於該感光性薄膜或感光性薄膜圖案中；且該光敏劑按該非羥基溶劑可溶銀錯合物之總重量計以至少0.5重量%及至多且包括4重量%的量存在。
- 一種用於提供兩個或多於兩個導電圖案之方法，該方法包含：提供具有第一支撐側及第二相對支撐側的連續基板，在該連續基板之該第一支撐側上之兩個或多於兩個各別部分上提供兩個或多於兩個感光性薄膜圖案，該兩個或多於兩個感光性薄膜圖案中之 每一者包含：a)非羥基溶劑可溶銀錯合物，其包含與α-氧基羧酸根及一級烷基胺錯合之可還原銀離子，該非羥基溶劑可溶銀錯合物由下式(I)表示：(Ag+) a (L) b (P) c (I)其中L表示該α-氧基羧酸根；P表示該一級烷基胺；a為1或2；b為1或2；且c為1、2、3或4，其限制條件為：當a為1時，b為1，且當a為2時，b為2；及b)可還原該可還原銀離子或氧化該α-氧基羧酸根的光敏劑；以光化學方式轉化該連續基板之該第一支撐側上的該兩個或多於兩個感光性薄膜圖案中之每一者中的可還原銀離子，以對應地提供兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案；使該兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與水或者含水或無水鹽溶液接觸；視情況地，使該兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與含水或無水非鹽溶液接觸；及視情況地，對該連續基板之該第一支撐側上的該兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者進行乾燥。
- 如請求項32之方法，其進一步包含：在該連續基板之該第二相對支撐側上的兩個或多於兩個各別部分上提供兩個或多於兩個相對感光性薄膜圖案，該兩個或多於兩個相對感光性 薄膜圖案中之每一者包含：a)該非羥基溶劑可溶銀錯合物；及b)該光敏劑；以光化學方式轉化該兩個或多於兩個相對感光性薄膜圖案中之每一者中的可還原銀離子，以提供兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案；使該兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案中之每一者與水或者含水或無水鹽溶液接觸；視情況地，使該兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案中之每一者與含水或無水非鹽溶液接觸；及視情況地，對該連續基板之該第二相對支撐側上的該兩個或多於兩個相對含導電銀金屬的圖案中之每一者進行乾燥。
- 如請求項32或33之方法，其中該連續基板由聚酯形成。
- 如請求項32或33之方法，其中使用相同或不同柔性凸版印刷部件提供該連續基板之該第一支撐側及該第二相對支撐側兩者上的所有該等感光性薄膜圖案。
- 如請求項32或33之方法，其包含使該兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與含水鹽溶液接觸，隨後使該兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與含水非鹽溶液接觸。
- 如請求項32或33之方法，其包含使該兩個或多於兩個含導電銀金屬 的圖案中之每一者與無水鹽溶液接觸，隨後使該兩個或多於兩個含導電銀金屬的圖案中之每一者與無水非鹽溶液接觸。
- 一種前體製品，其包含具有第一支撐側及第二相對支撐側之基板，且在至少該第一支撐側上具有：感光性薄膜或一或多個感光性薄膜圖案，該感光性薄膜或該一或多個感光性薄膜圖案中之每一者包含：a)非羥基溶劑可溶銀錯合物，其包含與α-氧基羧酸根及一級烷基胺錯合之可還原銀離子，該非羥基溶劑可溶銀錯合物由下式(I)表示：(Ag+) a (L) b (P) c (I)其中L表示該α-氧基羧酸根；P表示該一級烷基胺；a為1或2；b為1或2；且c為1、2、3或4，其限制條件為：當a為1時，b為1，且當a為2時，b為2；及b)可還原該可還原銀離子或氧化該α-氧基羧酸根的光敏劑。
- 如請求項38之前體製品，其中該基板為聚合膜、玻璃或陶瓷材料。
- 如請求項38或39之前體製品，其中該基板為連續聚酯幅材。
- 如請求項38或39之前體製品，其包含該基板之該第一支撐側的不同部分中之該一或多個感光性薄膜圖案。
- 如請求項38或39之前體製品，其中該非羥基溶劑可溶銀錯合物按該感光性薄膜之總乾重計以至少96重量%及至多且包括99.5重量%之量存在於該感光性薄膜或該一或多個感光性薄膜圖案中；且該光敏劑按該非羥基溶劑可溶銀錯合物的總量計以至少0.5重量%及至多且包括4重量%之量存在。
- 如請求項38或39之前體製品，其包含該基板之該第二相對支撐側上之一或多個感光性薄膜圖案，該一或多個感光性薄膜圖案中之每一者安置於該基板之該第二相對支撐側上，該一或多個感光性薄膜圖案中之每一者包含：a)如請求項1至16中任一項所定義之非羥基溶劑可溶銀錯合物；及b)該光敏劑。
- 一種自如請求項23至37中任一項之方法獲得的產品製品，該產品製品包含具有第一支撐側及第二相對支撐側之基板，且在至少該第一支撐側上具有：含導電銀金屬的薄膜或一或多個含導電銀金屬的薄膜圖案，其包含：銀金屬；α-氧基羧酸根；一級烷基胺；及可還原可還原銀離子或氧化該α-氧基羧酸根的光敏劑。
- 如請求項44之產品製品，其進一步包含該基板之該第二相對支撐側上的不同部分中之一或多個含導電銀金屬的薄膜圖案，此一或多個含導電銀金屬的薄膜圖案中之每一者包含：銀金屬；α-氧基羧酸根；一級烷基胺；及可還原可還原銀離子或氧化該α-氧基羧酸根的光敏劑。
Applications Claiming Priority (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/231,852 US20180049321A1 (en) | 2016-08-09 | 2016-08-09 | Methods for forming and using silver metal |
| US15/231,857 | 2016-08-09 | ||
| US15/231,837 US9718842B1 (en) | 2016-08-09 | 2016-08-09 | Silver ion carboxylate primary alkylamine complexes |
| US15/231,857 US10314173B2 (en) | 2016-08-09 | 2016-08-09 | Articles with reducible silver ions or silver metal |
| US15/231,847 US10311990B2 (en) | 2016-08-09 | 2016-08-09 | Photosensitive reducible silver ion-containing compositions |
| US15/231,852 | 2016-08-09 | ||
| US15/231,837 | 2016-08-09 | ||
| US15/231,847 | 2016-08-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201817701A TW201817701A (zh) | 2018-05-16 |
| TWI703123B true TWI703123B (zh) | 2020-09-01 |
Family
ID=59677295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106126633A TWI703123B (zh) | 2016-08-09 | 2017-08-08 | 銀離子之羧酸根一級烷基胺錯合物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP3497106B1 (zh) |
| CN (1) | CN109563106B (zh) |
| TW (1) | TWI703123B (zh) |
| WO (1) | WO2018031234A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP3548498B1 (en) * | 2016-11-29 | 2021-04-21 | Eastman Kodak Company | Silver ion alpha-oxy carboxylate-oxime complexes for photolithographic processes to generate electrically conducting metallic structures |
| CN112174987B (zh) * | 2020-10-12 | 2023-05-30 | 洛阳冠银生物科技有限公司 | 一种可溶性含银离子可聚合单体及其制备方法、含银聚合物、抗菌涂料 |
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| US9624582B2 (en) * | 2014-12-16 | 2017-04-18 | Eastman Kodak Company | Non-aqueous metal catalytic composition with oxyazinium photoreducing agent |
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-
2017
- 2017-07-26 CN CN201780048182.1A patent/CN109563106B/zh active Active
- 2017-07-26 EP EP17754864.1A patent/EP3497106B1/en active Active
- 2017-07-26 WO PCT/US2017/043845 patent/WO2018031234A1/en unknown
- 2017-08-08 TW TW106126633A patent/TWI703123B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008151731A1 (de) * | 2007-05-31 | 2008-12-18 | Süd-Chemie AG | Verfahren zur herstellung eines schalenkatalysators mittels eines basen- oder säuregemisches |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3497106B1 (en) | 2020-05-13 |
| TW201817701A (zh) | 2018-05-16 |
| EP3497106A1 (en) | 2019-06-19 |
| CN109563106B (zh) | 2021-07-27 |
| CN109563106A (zh) | 2019-04-02 |
| WO2018031234A1 (en) | 2018-02-15 |
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