TWI701858B - 有機發光二極體結構的形成方法 - Google Patents

Abstract

一種有機發光二極體結構及其形成方法在此揭露。形成有機發光二極體結構的方法包含形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層於一半導體基板上；形成一經近紅外光吸收官能基修飾之發光層於經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層上；形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層於經近紅外光吸收官能基修飾之發光層上，以形成一發光堆疊層；提供一圖案化遮罩於發光堆疊層上；以及以一光照射發光堆疊層以移除未被圖案化遮罩掩蓋之區域，形成一發光堆疊結構，其中發光堆疊層中之各層對於波長大於600nm之光其吸收強度大於10^0.2。

Description

有機發光二極體結構的形成方法

本發明係有關一種有機發光二極體結構及其形成方法，特別是有關一種含有經近紅外光吸收官能基修飾之有機材料薄膜之有機發光二極體結構及其形成方法。

有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有廣視角、高對比、低耗電、應答速度快、低操作電壓、製程簡單及具有自發光性而不需背光模組等優點，因此能夠大幅降低製作成本，被認為是深具競爭力的顯示技術。

有機發光二極體基本上係多層薄膜結構，包含陽極、陰極及位於陽極和陰極之間的有機材料薄膜。一種傳統形成有機發光二極體結構之方法，其係利用熱蒸鍍將有機發光二極體中之各層有機材料薄膜製作於基板之上，再進行貼合封裝以完成有機發光二極體元件。另一種傳統形成有機發光二極體結構之方法，其係遮罩轉印微影技術(Flash mask transfer lithography)，首先，將一具有吸熱能力之吸收層形成於一含有圖案化反射層之予體基板上，再將單層 有機材料薄膜形成於吸收層上，接著，從予體基板之下方提供光照，部分光照被反射層阻擋而無法被吸收層吸收，而未被反射層阻擋之光照則能夠加熱吸收層，被加熱後之吸收層能夠加熱其上方之有機材料薄膜而揮發轉印至另一基板上，而在另一基板上形成圖案化之有機發光二極體結構。

然而，由於有機材料薄膜的吸熱性不佳，一般均會影響轉印的效果，例如，轉印後之有機材料薄膜會產生缺角或邊緣不清楚。此外，有機材料薄膜與吸收層之熱傳導不完全則會導致轉印後膜厚不均。上述問題會導致最後所形成的有機發光二極體結構良率不佳。有鑒於此，需要提供一種新的有機發光二極體結構及其形成方法。

為了解決上述先前技術的缺點，本發明提供一種含有經近紅外光吸收官能基修飾之有機材料薄膜之有機發光二極體結構及其形成方法。為了增加有機材料薄膜的吸熱特性，將近紅外光吸收官能基(Near-Infrared absorbing functional group)引入至有機材料薄膜之材料的分子結構上，使得由經修飾後之材料所形成之有機材料薄膜能夠直接將光能轉變成熱能，而順利揮發形成圖案化有機發光二極體結構。

本發明之一態樣為一種形成有機發光二極體結構的方法，包含形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層於一半導體基板上；形成一經近紅外光吸收官能基 修飾之發光層於經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層上；形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層於經近紅外光吸收官能基修飾之發光層上，以形成一發光堆疊層；提供一圖案化遮罩於發光堆疊層上；以及以一光照射發光堆疊層以移除未被圖案化遮罩掩蓋之區域，形成一發光堆疊結構，其中發光堆疊層中之各層對於波長大於600nm之光其吸收強度大於10^0.2。

根據本發明一或多個實施方式，近紅外光吸收官能基包含硝基(-NO₂)、羥基(-OH)、醛基(-CHO)、羰基(C=O)、羧基(-COOH)、氯基(-Cl)、溴基(-Br)或含有上述官能基之基團。

根據本發明一或多個實施方式，第一載子傳遞層為一電洞傳遞層，第二載子傳遞層為一電子傳遞層。

根據本發明一或多個實施方式，進一步包含形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子注入層於半導體基板上，在形成經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層於半導體基板上之前。

根據本發明一或多個實施方式，發光堆疊層之各層材料各具有一分子能階，分子能階之最高佔有軌道小於或等於-4.5eV、分子能階之最低未佔有軌道小於或等於-1.8eV或分子能階之最高佔有軌道與分子能階之最低未佔有軌道之能階差介於2~4.5eV。

根據本發明一或多個實施方式，光係由一光源發出，光源係選自由閃光燈、雷射燈、發光二極體、鹵素燈、 冷陰極射線管燈、日光燈、白熾燈及其組合所組成之群組。

本發明之另一態樣為一種形成有機發光二極體結構的方法，包含形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層於一半導體基板上；形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層於經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層上；提供一第一圖案化遮罩於經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層上；以一光照射經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層以移除未被第一圖案化遮罩掩蓋之區域，形成一圖案化第一發光層；形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第二發光層於圖案化第一發光層上；提供一第二圖案化遮罩於經近紅外光吸收官能基修飾之第二發光層上；以光照射經近紅外光吸收官能基修飾之第二發光層以移除未被第二圖案化遮罩掩蓋之區域，形成一圖案化第二發光層；形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層於圖案化第一發光層和圖案化第二發光層上，以形成一發光堆疊層；提供一圖案化遮罩於發光堆疊層上；以及以光照射發光堆疊層以移除未被圖案化遮罩掩蓋之區域，形成一第一發光堆疊結構和一第二發光堆疊結構，其中發光堆疊層中之各層對於波長大於600nm之光其吸收強度大於10^0.2。

根據本發明一或多個實施方式，第一發光層和第二發光層係獨立為一紅色發光層、一綠色發光層或一藍色發光層。

本發明之另一態樣為一種有機發光二極體結構，包含一第一電極；一經近紅外光吸收官能基修飾之第一 載子傳遞層於第一電極上；一經近紅外光吸收官能基修飾之發光層於經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層上；一經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層於經近紅外光吸收官能基修飾之發光層上；以及一第二電極於經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層之上。

根據本發明一或多個實施方式，發光層係一紅色發光層、一綠色發光層、一藍色發光層或其組合。

綜上所述，本發明透過將近紅外光吸收官能基引入至有機材料薄膜之材料的分子結構上，使得經修飾後之材料能夠直接將光能轉變成熱能，而使得經近紅外光吸收官能基修飾之有機材料薄膜順利揮發，提升了轉印的解析度和所形成之有機發光二極體結構的良率，此外，由於不需製作吸收層，亦能夠降低製作成本。

以下將以實施方式對上述之說明作詳細的描述，並對本發明內容之技術方案提供更進一步的解釋。

110:半導體基板

120:經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子注入層

130:經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層

140:經近紅外光吸收官能基修飾之發光層

142:經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層

143:圖案化第一發光層

144:經近紅外光吸收官能基修飾之第二發光層

145:圖案化第二發光層

146:經近紅外光吸收官能基修飾之第三發光層

147:圖案化第三發光層

150:經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層

152:發光堆疊層

154:發光堆疊結構

156:發光堆疊層

157:第一發光堆疊結構

158:第二發光堆疊結構

159:第三發光堆疊結構

160:圖案化遮罩

162:第一圖案化遮罩

164:第二圖案化遮罩

166:第三圖案化遮罩

168:圖案化遮罩

170:光

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施方式能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下：第1A~1C圖係根據本發明之一實施方式所繪示的一種形成有機發光二極體結構之方法的各階段剖面示意圖；以及第2A~2I圖係根據本發明之一實施方式所繪示的一種 形成有機發光二極體結構之方法的各階段剖面示意圖。

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明各種實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

本文所使用的有關「包括」、「包含」、「具有」、「含有」、「涉及」及其他相似涵意的詞彙皆為開放式，舉例來說，意指包括但不限於此。

除非內容中有其他清楚的指稱，本文所使用的單數詞包括複數的指稱對象，因此舉例來說，除非內容中有其他清楚的指稱，否則一層便包括一些具有兩個或更多個層的實施方式，透過參考「一實施方式」這樣特定的指稱，在至少其中之一的本發明的實施方式中，表示一種特定的特徵、結構或特色，因此在各處的「在一實施方式」，這樣的片語透過特別的指稱出現時，並不需要參考相同的實施方式，更進一步，在一或多實施方式中，這些特別的特徵、結構、或特色可以依合適的情況相互組合。

此外，相對詞彙，如「下」或「底部」與「上」或「頂部」，用來描述文中在附圖中所示的一元件與另一元件之關係。相對詞彙是用來描述裝置在附圖中所描述之外的 不同方位是可以被理解的。例如，如果一附圖中的裝置被翻轉，元件將會被描述原為位於其它元件之「下」側將被定向為位於其他元件之「上」側。例示性的詞彙「下」，根據附圖的特定方位可以包含「下」和「上」兩種方位。

本發明提供一種含有經近紅外光吸收官能基修飾之有機材料薄膜之有機發光二極體結構及其形成方法。為了增加有機材料薄膜的吸熱特性，將近紅外光吸收官能基引入至有機材料薄膜之材料的分子結構上，使得經近紅外光吸收官能基修飾之有機材料薄膜能夠直接將光能轉變成熱能，具備良好的吸熱能力。

在一實施方式中，近紅外光吸收官能基包含硝基(-NO₂)、羥基(-OH)、醛基(-CHO)、羰基(C=O)、羧基(-COOH)、氯基(-Cl)、溴基(-Br)或含有上述官能基之基團。

具體而言，有機材料薄膜係電洞注入層、電洞傳遞層、發光層或電子傳遞層。電洞注入層、電洞傳遞層、發光層以及電子傳遞層之材料的分子結構內皆含有高度π共軛系統(conjugated system)，例如：多芳香環，因此可以利用一般修飾芳香環之合成方法將上述之近紅外光吸收官能基修飾至電洞注入層、電洞傳遞層、發光層以及電子傳遞層之材料的分子結構上，而形成經近紅外光吸收官能基修飾之電洞注入層、經近紅外光吸收官能基修飾之電洞傳遞層、經近紅外光吸收官能基修飾之發光層以及經近紅外光吸收官能基修飾之電子傳遞層。

根據以下實施方式修飾有機材料薄膜之材料中之芳香環結構，以將近紅外光吸收官能基引入有機材料薄膜之材料的分子結構中。在一實施方式中，將有機材料薄膜之材料與硝酸混合，再以濃硫酸作為催化劑進行硝化反應，將硝基修飾至芳香環上。在一實施方式中，將有機材料薄膜之材料與一碘甲烷反應，再以氯化鋁作為催化劑，將甲基修飾到芳香環上，進一步將甲基氧化為醛基，則得到經醛基修飾之芳香環。在一實施方式中，進一步將經醛基修飾之芳香環的醛基氧化為羧基，則得到經羧基修飾之芳香環。在一實施方式中，對經醛基修飾之芳香環進行氫化，則得到經羥基修飾之芳香環。在一實施方式中，將有機材料薄膜之材料與鹵素分子進行鹵化反應，並加入催化劑，例如：氯化鐵或溴化鐵，則得到經氯基或溴基修飾之芳香環。因此，含有芳香環結構之電洞注入層、電洞傳遞層、發光層和電子傳遞層皆可利用上述合成方法進行修飾，經近紅外光吸收官能基修飾後之各層皆具有高吸收係數以及良好的熱穩定性，且對於波長大於600nm之光其吸收強度大於10^0.2。特別注意的是，經近紅外光吸收官能基修飾之有機材料薄膜依然能保有原本之特性，例如：電洞注入能力、電洞傳遞能力、發光特性和電子傳遞能力。

舉例來說，電洞注入層之材料包含聚(3,4-並乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)polystyrenesulfonate，PEDOT：PSS)。

舉例來說，電洞傳遞層之材料包含N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-聯苯胺(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine，NPB)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯並菲(2,3,6,7,10,11-Hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene，HAT-CN)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(4,4',4"-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamine，TCTA)、酞菁銅(Copper(II)phthalocyanine，CuPC)。

舉例來說，發光層之材料包含螢光材料、磷光材料或其組合，每個螢光材料以及磷光材料能發出紅光、綠光、藍光或該等色光之混合。具體來說，發光層之材料包含聚芴(polyfluorene，PF)、三(8-羥基喹啉)化鋁(Tris(8-hydroxy quinoline)aluminum(Ⅲ)，Alq₃)或八乙基卟吩鉑(platinum-octaethyl-porphyrin，PtOEP)。

舉例來說，電子傳遞層之材料包含三(8-羥基喹啉)化鋁、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲(bathocuproine，BCP)、4,7-二苯基-1,10-鄰二氮雜菲(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline，BPhen)、2-甲基-9,10-二(2-萘)蒽(2-methyl-9,10-di[2-naphthyl]anthracene，MADN)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)(1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene，TPBI)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯 (1,3,5-Tri(m-pyridin-3-ylphenyl)benzene，TmPyPhB)。

在一實施方式中，經近紅外光吸收官能基修飾之電洞注入層、電洞傳遞層、發光層和電子傳遞層之材料各具有一分子能階，分子能階之最高佔有軌道小於或等於-4.5eV、分子能階之最低未佔有軌道小於或等於-1.8eV或分子能階之最高佔有軌道與分子能階之最低未佔有軌道之能階差介於2~4.5eV。

在一實施方式中，經近紅外光吸收官能基修飾之電洞注入層、電洞傳遞層、發光層和電子傳遞層之材料各具有一熱導率大於0.1W/mK。在一實施方式中，經近紅外光吸收官能基修飾之電洞注入層、電洞傳遞層、發光層和電子傳遞層之材料各具有一熱容量大於0.8cal/g℃。

第1A~1C圖係根據本發明之一實施方式所繪示的一種形成有機發光二極體結構之方法的各階段剖面示意圖。如第1A圖所示，第1A圖繪示一半導體基板110、一經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子注入層120、一經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層130、一經近紅外光吸收官能基修飾之發光層140以及一經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層150由下往上依序形成。其中，經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子注入層120、經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層130、經近紅外光吸收官能基修飾之發光層140以及經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層150形成一發光堆疊層152，其中發光 堆疊層152中之各層對於波長大於600nm之該光其吸收強度大於10^0.2。

在一實施方式中，半導體基板110包含至少一薄膜電晶體(thin-film transistor，TFT)以提供驅動電流至有機發光二極體結構，例如：非晶矽(α-Si)薄膜電晶體、低溫多晶矽(low temperature ploysilicon，LTPS)薄膜電晶體或金屬氧化物薄膜電晶體。舉例來說，先在一玻璃基板上製作薄膜電晶體，再覆蓋一保護層於薄膜電晶體上形成半導體基板。在一實施方式中，形成保護層之方法包含化學氣相沈積法(chemical vapor deposition)、物理氣相沈積法(physical vapor deposition)、旋轉塗佈(spin coating)或印刷式塗佈(inkject printing)。

在一實施方式中，形成經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子注入層120、經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層130、經近紅外光吸收官能基修飾之發光層140以及經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層150之方法分別係真空鍍膜(vacuum deposition)、真空熱蒸鍍(vacuum thermal evaporation)、旋轉塗佈、噴灑塗佈(spray coating)、印刷式塗佈、拓印或濺鍍(sputtering deposition)。

如第1B圖所示，提供一圖案化遮罩160於發光堆疊層152上以控制光照範圍，並以一光170照射發光堆疊層152以移除未被圖案化遮罩160掩蓋之區域，形成如第1C圖所示之發光堆疊結構154。詳細來說，當光170照射發光 堆疊層152時，由於發光堆疊層152之各層皆經過近紅外光吸收官能基修飾，因此各層能夠直接將光能轉變成熱能而使未被圖案化遮罩160掩蓋之區域揮發(sublimation)而完成圖案化發光堆疊層152的目的。

在一實施方式中，光170係由一光源發出，光源係選自由閃光燈(Flash lamp)、雷射燈、發光二極體、鹵素燈、冷陰極射線管燈、日光燈、白熾燈及其組合所組成之群組。

此外，有機發光二極體結構還包含一第一電極(未示出)和一第二電極(未示出)分別與一外部電場電性連接，第一電極位於經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子注入層120之下，且第一電極可被設置於半導體基板110之中或半導體基板110之上，並與薄膜電晶體之源極或汲極直接連接。第二電極位於經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層150之上，具體來說，在形成發光堆疊結構154之後，再形成第二電極於各個發光堆疊結構154之上，形成有機發光二極體結構。

在一實施方式中，第一電極為陽極，第一載子注入層為電洞注入層(hole injection layer)，第一載子傳遞層為電洞傳遞層(hole transport layer)，第二載子傳遞層為電子傳遞層(electron transport layer)，第二電極為陰極，且陽極直接連接於薄膜電晶體的源極，此有機發光二極體結構為向前堆疊式(forward-stacked)。在另一實施方式中，有機發光二極體結構可省略第一載子注入層。在另一 實施方式中，第一電極為陰極，第一載子傳遞層為電子傳遞層，第二載子傳遞層為電洞傳遞層，第二電極為陽極，且陰極直接連接於薄膜電晶體的汲極，此有機發光二極體結構為倒置型。特別注意的是，可根據材料特性的不同，調整有機發光二極體結構中所含之有機材料薄膜數量。

在一實施方式中，陰極之材料包含鎂銀(Mg：Ag)、鋁、銀、金、鈣、鎳、鉑、鋰、氧化鋅(Zinc Oxide)、氧化鋁鋅(Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO(Al：ZnO))以及其組合。在一實施方式中，陽極之材料包含銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)。

第2A~2I圖係根據本發明之一實施方式所繪示的一種形成有機發光二極體結構之方法的各階段剖面示意圖。如第2A圖所示，第2A圖繪示一半導體基板110、一經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子注入層120、一經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層130以及一經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層142由下往上依序形成。

如第2B圖所示，提供一第一圖案化遮罩162於經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層142上以控制光照範圍，並以光170照射經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層142以移除未被該第一圖案化遮罩162掩蓋之區域，形成如第2C圖所示之一圖案化第一發光層143。詳細來說，當光170照射經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層142時，經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層142能夠直接將光能轉變成熱能而使未被圖案化遮罩162掩蓋之區域揮 發而完成圖案化的目的。特別的是，本發明透過控制光照時間僅使未被圖案化遮罩162掩蓋之經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層142之區域揮發，而其餘各層並不受光照影響。

如第2D圖所示，形成經近紅外光吸收官能基修飾之第二發光層144於圖案化第一發光層143和經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層130上。並提供一第二圖案化遮罩164於經近紅外光吸收官能基修飾之第二發光層144上，以光170照射經近紅外光吸收官能基修飾之第二發光層144以移除未被該第二圖案化遮罩164掩蓋之區域，形成如第2E圖所示之一圖案化第二發光層145。特別的是，本發明透過控制光照時間僅使未被圖案化遮罩164掩蓋之經近紅外光吸收官能基修飾之第二發光層144之區域揮發，而其餘各層並不受光照影響。

如第2F圖所示，形成經近紅外光吸收官能基修飾之第三發光層146於圖案化第一發光層143、圖案化第二發光層145和經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層130上，並提供一第三圖案化遮罩166於經近紅外光吸收官能基修飾之第三發光層146上，以光170照射經近紅外光吸收官能基修飾之第三發光層146以移除未被該第二圖案化遮罩166掩蓋之區域，形成如第2G圖所示之一圖案化第三發光層147。特別的是，本發明透過控制光照時間僅使未被圖案化遮罩166掩蓋之經近紅外光吸收官能基修飾之第三發光層146之區域揮發，而其餘各層並不受光照影響。

經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層142、經近紅外光吸收官能基修飾之第二發光層144以及經近紅外光吸收官能基修飾之第三發光層146之形成方法請參考第1A圖之經近紅外光吸收官能基修飾之發光層140之實施方式。

如第2H圖所示，形成經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層150於圖案化第一發光層143、圖案化第二發光層145、圖案化第三發光層147和經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層130上。其中，經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子注入層120、經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層130、圖案化第一發光層143、圖案化第二發光層145、圖案化第三發光層147以及經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層150形成一發光堆疊層156，提供一圖案化遮罩168於發光堆疊層156上，以光170照射發光堆疊層156以移除未被該圖案化遮罩168掩蓋之區域，形成如第2I圖所示之第一發光堆疊結構157、第二發光堆疊結構158以及第三發光堆疊結構159。此外，再形成第二電極(未示出)於第一發光堆疊結構157、第二發光堆疊結構158以及第三發光堆疊結構159之上，形成多個有機發光二極體結構。

在一實施方式中，第一發光層、第二發光層以及第三發光層係獨立為紅色發光層、綠色發光層或藍色發光層。在一實施方式中，第一發光層為紅色發光層、第二發光層為綠色發光層以及第三發光層為藍色發光層，由此可知， 透過第2A~2I圖的形成步驟，可以直接形成三種具有不同放光顏色的有機發光二極體結構，而能夠直接作為多彩或全彩顯示器之畫素，不需如液晶顯示器需額外加入彩色濾光片，而達到簡化製程和使得顯示器更為輕薄化的好處，此外，亦不需在面板後加上背光源，而大幅降低耗電量及成本，深具商業潛力。

雖然本發明內容已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明內容之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視申請專利範圍所界定者為準。

110:半導體基板

120:經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子注入層

130:經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層

143:圖案化第一發光層

145:圖案化第二發光層

147:圖案化第三發光層

150:經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層

157:第一發光堆疊結構

158:第二發光堆疊結構

159:第三發光堆疊結構

Claims (8)

1. 一種有機發光二極體結構的形成方法，包含：形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層於一半導體基板上；形成一經近紅外光吸收官能基修飾之發光層於該經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層上；形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層於該經近紅外光吸收官能基修飾之發光層上，以形成一發光堆疊層；提供一圖案化遮罩於該發光堆疊層上；以及以一光照射該發光堆疊層以移除未被該圖案化遮罩掩蓋之區域，形成一發光堆疊結構，其中該發光堆疊層中之各層對於波長大於600nm之該光其吸收強度大於10^0.2。
2. 如請求項1所述之有機發光二極體結構的形成方法，其中該近紅外光吸收官能基包含硝基(-NO₂)、羥基(-OH)、醛基(-CHO)、羰基(C=O)、羧基(-COOH)、氯基(-Cl)、溴基(-Br)或含有上述官能基之基團。
3. 如請求項1所述之有機發光二極體結構的形成方法，其中該第一載子傳遞層為一電洞傳遞層，該第二載子傳遞層為一電子傳遞層。
4. 如請求項1所述之有機發光二極體結構的 形成方法，進一步包含形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子注入層於該半導體基板上，在形成該經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層於該半導體基板上之前。
5. 如請求項1所述之有機發光二極體結構的形成方法，其中該發光堆疊層之各層材料各具有一分子能階，該分子能階之最高佔有軌道小於或等於-4.5eV、該分子能階之最低未佔有軌道小於或等於-1.8eV或該分子能階之最高佔有軌道與該分子能階之最低未佔有軌道之能階差介於2~4.5eV。
6. 如請求項1所述之有機發光二極體結構的形成方法，其中該光係由一光源發出，該光源係選自由閃光燈、雷射燈、發光二極體、鹵素燈、冷陰極射線管燈、日光燈、白熾燈及其組合所組成之群組。
7. 一種有機發光二極體結構的形成方法，包含：形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層於一半導體基板上；形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層於該經近紅外光吸收官能基修飾之第一載子傳遞層上；提供一第一圖案化遮罩於該經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層上； 以一光照射該經近紅外光吸收官能基修飾之第一發光層以移除未被該第一圖案化遮罩掩蓋之區域，形成一圖案化第一發光層；形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第二發光層於該圖案化第一發光層上；提供一第二圖案化遮罩於該經近紅外光吸收官能基修飾之第二發光層上；以該光照射該經近紅外光吸收官能基修飾之第二發光層以移除未被該第二圖案化遮罩掩蓋之區域，形成一圖案化第二發光層；形成一經近紅外光吸收官能基修飾之第二載子傳遞層於該圖案化第一發光層和該圖案化第二發光層上，以形成一發光堆疊層；提供一圖案化遮罩於該發光堆疊層上；以及以該光照射該發光堆疊層以移除未被該圖案化遮罩掩蓋之區域，形成一第一發光堆疊結構和一第二發光堆疊結構，其中該發光堆疊層中之各層對於波長大於600nm之該光其吸收強度大於10^0.2。
8. 如請求項7所述之有機發光二極體結構的形成方法，其中該第一發光層和該第二發光層係獨立為一紅色發光層、一綠色發光層或一藍色發光層。

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