TWI700845B - 包含有機發光元件之有機發光顯示器 - Google Patents
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Abstract
本發明揭露一種有機發光元件及一種包含其的有機發光顯示器。有機發光元件包含彼此相對的第一電極及第二電極、在第一電極與第二電極之間的發光層以及在第二電極與發光層之間的電子注入層,電子注入層包含具10或10以上之相對介電常數的氧化物及具4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬。
Description
提供的是一種有機發光元件及一種包含其的有機發光顯示器。
舉例而言,監視器及電視的輕量及平坦可為期望的,且陰極射線管(CRT)可被液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)給取代。液晶顯示器,其為光接收元件,需要獨立背光,且可能具有,舉例而言,受限制的反應速度及視角。近來,自發光的有機發光顯示器作為次世代的顯示器吸引了注意力。
可藉由提供有機發光元件而實現實施例,包含彼此相對的第一電極及第二電極、在第一電極及第二電極之間的發光層及在第二電極與發光層之間的電子注入層,電子注入層包含具有10或10以上之相對介電常數的氧化物及具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬。
具有10或10以上之相對介電常數的氧化物及具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬可形成為單一層。
具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬包含鐿、鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈣、鍶、鋇、鈰、釤、銪、釓、鑭、釹、鋱、鎦、鎂或其合金之一或多個。
具有10或10以上之相對介電常數的氧化物可包含WO3
、MoO3
、Cu2
O、Yb2
O3
、Sm2
O3
、Nb2
O3
、Gd2
O3
、或Eu2
O3
之一或多個。
此有機發光元件可進一步包含在發光層與電子注入層之間的電子傳輸層及在發光層與第一電極之間的電洞傳輸層。電洞傳輸層及電子傳輸層可各別包含有機材料。
電子注入層可由複數層形成,且複數層之每一個可包含具有10或10以上之相對介電常數的氧化物及具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬之至少之一。
電子注入層可包含第一層,其包含具有10或10以上之相對介電常數的氧化物、及在第一層上的第二層,其包含具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬。
電子注入層可包含第一層,其包含具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬、及在第一層上的第二層,其包含具有10或10以上之相對介電常數的氧化物。
可藉由提供有機發光顯示器而實現實施例,有機發光顯示器包含基板、在基板上的閘極線、在基板上的資料線及驅動電壓線、連接至閘極線及資料線的開關薄膜電晶體、連接至開關薄膜電晶體及驅動電壓線的驅動薄膜電晶體及連接至驅動薄膜電晶體的有機發光元件。有機發光元件包含彼此相對的第一電極與第二電極、在第一電極與第二電極之間的發光層及在第二電極與發光層之間的電子注入層,電子注入層包含具有10或10以上之相對介電常數的氧化物及具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬。
具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬包含鐿、鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈣、鍶、鋇、鈰、釤、銪、釓、鑭、釹、鋱、鎦、鎂或其合金之一或多個。
具有10或10以上之相對介電常數的氧化物可包含一個或以上的WO3
、MoO3
、Cu2
O、Yb2
O3
、Sm2
O3
、Nb2
O3
、Gd2
O3
、或Eu2
O3
。
此有機發光顯示器可進一步包含在發光層與電子注入層之間的電子傳輸層及在發光層與第一電極之間的電洞傳輸層。電洞傳輸層及電子傳輸層可各別包含有機材料。
電子注入層可由複數層形成,且複數層之每一個可包含具有10或10以上之相對介電常數的氧化物及具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬之至少之一。
電子注入層可包含第一層,其包含具有10或10以上之相對介電常數的氧化物、及在第一層上的第二層,其包含具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬。
電子注入層可包含第一層,其包含具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬、及在第一層上的第二層,其包含具有10或10以上之相對介電常數的氧化物。
發光層可包含紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層,並且有機發光顯示器可進一步包含在藍色發光層下的輔助層。
有機發光元件可進一步包含設置於紅色發光層之下的紅色共振輔助層及設置於於綠色發光層之下的綠色共振輔助層。
例示性實施例現將藉由參考附圖在下文中描述得更加完全,然而,其可以不同的形式被實施且不應詮釋為受本文所列舉的實施例限制。更準確地說,這些實施例係提供來以使本揭露周全且完整的,且能夠向所屬技術領域中具有通常知識者充分地表達例示性實施方式。
在圖式中,層、薄膜、平板、區域等等的厚度及尺寸可為了明確性而被誇大。要理解的是當意指一層在另一層或基板之上時,其可直接在另一層或基板之上,或也可存在中間層或基板。進一步而言,可被理解當意指一層在另一層之下時,可直接在其下方,且也可存在一個或多個中間層。此外,也可被理解當意指一層在兩層之間時,其可為在兩層之間的唯一層,或也可存在一個或多個的中間層。在整份說明書中,相似的參考符號代表相似的元件。
第1圖係為根據一種例示性實施例的有機發光顯示器之剖面圖。第2圖係為第1圖的有機發光顯示器之放大剖面圖。
本發明的有機發光顯示器可包含基板、在基板上的閘極線、在基板上的資料線及驅動電壓線、連接至閘極線及資料線的開關薄膜電晶體及連接至開關薄膜電晶體及驅動電壓線的驅動薄膜電晶體。然而,在第1圖及第2圖之中,為了方便敘述,將主要詳細說明驅動薄膜電晶體。參考第1圖及第2圖,根據例示性實施例的有機發光顯示器可包含基板123、驅動薄膜電晶體130、第一電極160、發光元件層170及第二電極180。第一電極160可為陽極且第二電極180可為陰極,或第一電極160可為陰極且第二電極180可為陽極。
舉例而言,基板123可由無機材料像是玻璃、有機材料像是聚碳酸酯(polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚醯胺(polyamide)、聚醚碸(polyether sulfone)或其組合或矽晶圓所構成。
基板緩衝層126可被設置於基板123之上。基板緩衝層126可防止雜質的滲透及將表面平坦化。
基板緩衝層126可由能夠執行功能之各種材料構成。舉例而言,氮化矽(SiNx)層、氧化矽(SiOx)層及氮氧化矽(SiOxNy)層的其中之一可被用作基板緩衝層126。在一實施例中,基板緩衝層126可根據基板123的種類及製程條件而被省略。
驅動半導體層137可形成於基板緩衝層126之上。驅動半導體層137可由包含多晶矽的材料形成。驅動半導體層137可包含不摻有雜質(摻雜劑)的通道區域135及在通道區域135的兩側摻有雜質之源極區域134及汲極區域136。摻雜的離子材料可為P型雜質像是硼(B),舉例而言,為乙硼烷(B2
H6
)。此雜質可根據薄膜電晶體的種類而變換。
由氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)所構成的閘極絕緣層127可形成於驅動半導體層137之上。包含驅動閘極電極133的閘極佈線可形成於閘極絕緣層127之上。驅動閘極電極133可形成以重疊至少一部份的驅動半導體層137,舉例而言為通道區域135。
覆蓋驅動閘極電極133的層間絕緣層128可形成於閘極絕緣層127之上。顯露了驅動半導體層137之源極區域134及汲極區域136的第一接觸孔122a及第二接觸孔122b可形成於閘極絕緣層127及層間絕緣層128。與閘極絕緣層127相似地,層間絕緣層128可由像是氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)的材料所構成。
包含驅動源極電極131及驅動汲極電極132的資料佈線可被設置於層間絕緣層128之上。驅動源極電極131及驅動汲極電極132可透過各別第一接觸孔122a及第二接觸孔122b分別連接至驅動半導體層137的源極區134及汲極區136,第一接觸孔122a及第二接觸孔122b形成於層間絕緣層128及閘極絕緣層127。
如同所述的,可形成包含驅動半導體層137、驅動閘極電極133、驅動源極電極131及驅動汲極電極132的驅動薄膜電晶體130。驅動薄膜電晶體130的結構可被各式各樣地修改。
覆蓋資料佈線的平坦化層124可形成於層間絕緣層128之上。平坦化層124可消除及平坦化階級,並可增加形成於其上的有機發光元件的發光效率。平坦化層124可具有顯露一部分驅動汲極電極132的第三接觸孔122c。
平坦化層124可由聚丙烯酸酯樹脂(polyacrylate resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚樹脂(phenolic resin)、聚醯胺樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)、不飽和聚酯樹脂(unsaturated polyester resin)、聚苯醚樹脂(polyphenylene ether resin)、聚苯硫醚樹脂(polyphenylene sulfide resin)、及苯并環丁烯(benzocyclobutene,BCB)之一或多個材料所製成。
在一實施例中,平坦化層124及層間絕緣層128之一可被省略。
有機發光元件的第一電極160,舉例而言,為像素電極,可形成於平坦化層124之上。舉例而言,有機發光顯示器可包含複數個像素電極,其被分別設置用於每一個複數個像素。複數個像素電極可被彼此隔開。像素電極可透過平坦化層124的第三接觸孔122c被連接至驅動汲極電極132。
具有開口顯露出像素電極的像素定義層125可形成於平坦化層124之上。舉例而言,像素定義層125可具有針對每個像素所形成之複數個開口。發光元件層170可被形成於由像素定義層125所形成的每個開口,且其中由像素定義層125所形成的每個發光元件層170的像素區域可被定義。
像素電極可被設置對應於像素定義層125的開口。在一實施例中,像素電極不只被設置於像素定義層125的開口中,還可被設置於像素定義層125之下,且一部分的像素電極可與像素定義層125重疊。
像素定義層125可由,舉例而言,樹脂像是聚丙烯酸酯樹脂及聚醯亞胺(polyimide)或以矽質無機材料所構成。
發光元件層170可形成於像素電極之上。發光元件層170的構造將會在後文詳述。
第二電極180,舉例而言,為共同電極,可形成於發光元件層170之上。如同所敘述的,可形成包含像素電極、發光元件層170及共同電極的有機發光元件LD。
像素電極及共同電極可由透明導電材料或半透射或反射導電材料所構成。根據形成像素電極及共同電極的材料種類,有機發光顯示器可為頂部發光型、底部發光型或雙面發光型。
覆蓋並保護共同電極的保護膜190能夠以有機層的形式形成於共同電極之上。
薄膜封裝層121可形成於保護膜190之上。薄膜封裝層121可自外部環境封裝並保護形成於基板123之上的有機發光元件LD及驅動電路部分。
薄膜封裝層121可包含交替地層疊的有機封裝層121a及121c、以及無機封裝層121b及121d。在第1圖中,舉例而言,兩個有機封裝層121a及121c及兩個無機封裝層121b及121d係交替地層疊以配置薄膜封裝層121。
在下文中,根據例示性實施例的有機發光元件將會參照第2圖來描述。
參照第2圖,根據例示性實施例的有機發光元件(在第1圖中的部分X)可包含其中依序地層疊第一電極160、電洞傳輸層174、發光層175、電子傳輸層177、電子注入層179及第二電極180之結構。
第一電極160可為陽極,且選自具有高功函數之材料的材料可被選擇用以易於電洞注入。第一電極160可為透明電極或不透明電極。第一電極160可為透明電極,且可由具小厚度的氧化銦錫(indium-tin oxide, ITO)、氧化銦鋅(indium-zinc oxide, IZO)、氧化錫(tin oxide, SnO2)、氧化鋅(zinc oxide, ZnO)、或導電氧化物或其組合、或金屬像是鋁、銀及鎂所構成。第一電極160可為不透明電極,且可由金屬像是鋁、銀及鎂所構成。
第一電極160可形成為包含不同種類材料的二或多層結構。舉例而言,第一電極160可形成以具有一結構,其中順序堆疊著氧化銦錫(ITO)/銀(Ag)/氧化銦錫(ITO)。
第一電極160可由濺鍍法或真空沉積法而形成。
電洞傳輸層174可設置於第一電極160之上。電洞傳輸層174可用來平順地傳輸自第一電極160傳送而來之電洞。電洞傳輸層174可包含有機材料。舉例而言,電洞傳輸層174可包含NPD(N,N-二萘基-N,N’-二苯基聯苯胺(N, N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine))、TPD(N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二(苯基)-聯苯胺(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N, N'-bis-(phenyl)-benzidine))、s-TAD、以及MTDATA (4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基胺基)-三苯基胺(4,4',4”-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine))。
電洞傳輸層174的厚度可為15奈米至25奈米。較佳者,電洞傳輸層174的厚度可為20奈米。在本例示性實施例中,電洞注入材料可被包含於電洞傳輸層174中作為電洞傳輸層174的改質,且電洞傳輸/注入層可形成為單一層。
發光層175被設置於電洞傳輸層174之上。發光層175可包含表示特定顏色的發光材料。舉例而言,發光層175可顯示原色像是藍、綠或紅,或是其組合。
發光層175的厚度可為10奈米至50奈米。發光層175可包含基質及摻雜劑。發光層175可包含發出紅光、綠光、藍光及白光的材料,且可利用磷光或螢光材料形成。
發光層175可發出紅光,且可,舉例而言,包含基質材料像是CBP (咔唑聯苯(carbazole biphenyl))或mCP (1,3-二(咔唑-9-基) (1,3-bis(carbazol-9-yl));及可由包含PIQIr(acac) (二(1-苯基異喹啉)乙醯丙酮合銥(bis (1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium))、PQIr(acac) (二(1-苯基喹啉)乙醯丙酮合銥(bis (1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium))、PQIr (三(1-苯基喹啉)合銥(tris (1-phenylquinoline)iridium))、與PtOEP (八乙基卟啉鉑(octaethylporphyrin platinum))之至少之一之磷光材料製成,或者可由例如PBD:Eu(DBM)3(Phen)或苝之螢光材料製成。
發光層175可發出綠光,可舉例而言包含基質材料像是CBP或mCP,可由包含摻雜劑材料的磷光材料構成,像是Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)合銥(fac-tris (2-phenylpyridine)iridium)),或者可由螢光材料製成,例如Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁(tris (8-hydroxyquinolino)aluminum))。
發光層175可發出藍光,且可舉例而言包含基質材料像是CBP或mCP,且發光層175可由包含摻雜劑的磷光材料構成,像是(4,6-F2ppy)2Irpic。在一實施例中,發光層175可由包含螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯(distyrylbenzene,DSB)、二苯乙烯基芳烴(distyrylarylene,DSA)、PFO系聚合物、以及PPV系聚合物之至少之一的螢光材料所構成。
電子傳輸層177可設置於發光層175之上。電子傳輸層177可將電子從第二電極180轉移至發光層175。電子傳輸層177可防止從第一電極160注入之電洞透過發光層175移動至第二電極180。舉例而言,電子傳輸層177可作用為電洞阻擋層,並幫助電洞及電子在發光層175中結合。
電子傳輸層177可包含有機材料。舉例而言,電子傳輸層177可由像是Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq、以及SAlq之任一或多個所構成。
電子注入層179可被設置於電子傳輸層177之上。電子注入層179可加強從第二電極180至電子傳輸層177的電子注入。在本例示性實施例中,電子注入層179可包含第一材料,其為具有10或10以上之相對介電常數的氧化物、及第二材料,其為具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬。在本例示性實施例中,透過第一材料及第二材料的共同沉積可形成單一層。
在本例示性實施例中,第一材料可包含WO3
、MoO3
、Cu2
O、Yb2
O3
、Sm2
O3
、Nb2
O3
、Gd2
O3
、或Eu2
O3
之一或多個。
在本例示性實施例中,第二材料可包含鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬或過渡金屬之一或多個。第二材料可包含鐿、鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈣、鍶、鋇、鈰、釤、銪、釓、鑭、釹、鋱、鎦、鎂或其合金。
在根據本例示性實施例的有機發光元件LD中,具有10或10以上之相對介電常數的高介電氧化物可幫助介面偶極的形成,其可減少第二電極180與電子傳輸層177之間的電子注入屏障。電子在由高介電氧化物所形成的單層不能夠從第二電極180被注入。在根據本例示性實施例的有機發光元件LD中,介面偶極可藉由結合由高介電氧化物形成的第一材料與具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的低功函數金屬之組合來形成,且電子注入屏障可被進一步地減小。根據例示性實施例的電子注入層179可藉由共同沉積鐿及WO3
來形成,可改善有機發光元件的效率,且其壽命相較於由鐿或WO3
所形成的電子注入層可被改善。
第6圖係為根據實驗示例的電子注入層壽命之示意圖。參照第6圖,相較起僅由鐿形成電子注入層之比較示例,由鐿及WO3
共同沉積形成電子注入層之實驗示例可顯著地改善壽命。在第6圖中,在比較示例及實驗示例中的負極皆由銀鎂(AgMg)形成(其中銀的量大於鎂)。
第二電極180被設置於電子注入層179之上。第二電極180可為陰極,且可包含具有低功函數的材料以易於電子注入。舉例而言,此材料可為金屬像是例如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫、鉛、銫及鋇或其合金或多層結構材料像是LiF/Al、LiO2
/Al、LiF/Ca、LiF/Al及BaF2
/Ca。
第二電極180可由上述合金形成,金屬的比例可基於沉積源的溫度、周圍環境及真空度來控制,並可選出一個合適的比例。
第二電極180可由二或多層所形成。
第3圖係為第2圖的有機發光元件經部分修改的例示性實施例之剖面圖。
參照第3圖,其繪示具電洞注入層172的結構加入了根據第2圖的例示性實施例之有機發光元件LD。在本例示性實施例中,電洞注入層172可被設置於電洞傳輸層174與第一電極160之間。電洞注入層172可被設置以使得從第一電極160至電洞傳輸層174的電洞注入更加容易。在本例示性實施例中,電洞注入層172可包含偶極材料,其中具有4.3 eV或4.3 eV以上之功函數的金屬或非金屬及鹵素係結合。在一實施例中,電洞注入層172可由另一無機或有機材料形成。
具有4.3 eV或4.3 eV以上之功函數的金屬或非金屬可包含Ag、Au、B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、Ir、Mo、Nb、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sb、Se、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W或Zn的一或多個。
除了上述差異以外,參照第2圖所述的內容可應用於第3圖的例示性實施例。
第4圖係為第2圖的有機發光元件經部分修改的例示性實施例之剖面圖
參照第4圖,第2圖之例示性實施例的電子注入層179在有機發光元件LD中可為雙層。在本例示性實施例中,電子注入層179可包含依序層疊之第一電子注入層179-1及第二電子注入層179-2。第一電子注入層179-1可包含具有10或10以上之相對介電常數的氧化物,且第二電子注入層179-2可包含具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬。在一實施例中,第一電子注入層179-1可包含具有4.0 eV或4.0 eV以下之功函數的金屬,且第二電子注入層179-2可包含具有10或10以上之相對介電常數的氧化物。根據例示性實施例的有機發光元件LD之電子注入層179可由依序層疊鐿及WO3
形成,且相較於僅由鐿或WO3
所形成的電子注入層,有機發光元件的亮度可為高的且可改善壽命。
表1顯示了根據示例當電子注入層由依序層疊鐿及WO3
形成時的紅、綠及藍像素的效率以及白效率。在比較示例1中,電子注入層由鐿形成,且在比較示例2中,電子注入層由WO3
的單一材料形成。負極由銀鎂形成。 表1
參照表1,相較起比較示例1及比較示例2,當由依序層疊鐿及WO3
形成電子注入層時,效率相對地改善。
除了上述差異以外,參照第2圖所述的內容可應用於第4圖的例示性實施例。
第5圖係為第2圖的有機發光元件經部分修改的例示性實施例之剖面圖。
參照第5圖,修改了第2圖之有機發光元件LD中的發光層175。舉例而言,在本例示性實施例中,發光層175可包含紅色發光層R、綠色發光層G及藍色發光層B,且輔助層BIL可被設置以改善在藍色發光層B之下的藍色發光層B的效率。
紅色發光層R可為大約30奈米至50奈米厚,綠色發光層G可為大約10奈米至30奈米厚,且藍色發光層B可為大約10奈米至30奈米厚。位於藍色發光層B之下方末端的輔助層BIL可為大約少於20奈米厚。輔助層BIL可控制電洞電荷平衡並改善藍色發光層B的效率。輔助層BIL可包含由化學式1所表示的化合物。 化學式1
在化學式1中,每個A1、A2及A3可為氫、烷基、芳香基、咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃(DBF)及聯苯基且a、b及c可分別為0至4的正數。
在化學式2中,a可為0至3,b及c可分別為0至3,X可選自氧、氮或硫,且每個X可為彼此相同或不同的。
在氬氣環境之下,將6.3克之4-二苯并呋喃硼酸(4-dibenzofuran boronic acid)、4.8克之4,4’,4”-三溴三苯基胺(4, 4', 4''-tribromotriphenylamine)、104毫克(mg)之四(三苯基膦)鈀(tetrakis(triphenylphosphine) palladium)(Pd(PPh3
)4
)、48毫升之碳酸鈉(Na2
CO3
)溶液(2M)、以及48毫升之甲苯放入300毫升的三頸燒瓶,並於80 °C下反應8小時。將反應溶液用甲苯/水萃取,並以無水硫酸鈉(anhydrous sodium sulfate)乾燥。將產物在低壓下濃縮,並透過管柱純化獲得的粗產物從而得到3.9克帶黃色的白色粉末。
參照第5圖,紅色共振輔助層R’可被設置於紅色發光層R之下,且綠色共振輔助層G’可被設置於綠色發光層G之下。紅色共振輔助層R’及綠色共振輔助層G’係為對各別顏色的其中之一(例如紅色或綠色)設定諧振距離(共振距離)之層。在某些實施例中,不包含藍色共振輔助層。舉例而言,可不形成配置於電洞傳輸層174與藍色發光層B及輔助層BIL之間之獨立共振輔助層於對應紅色發光層R或綠色發光層G之藍色發光層B及輔助層BIL下。在某些實施例中,輔助層BIL物理性地接觸電洞傳輸層174。
儘管未於第5圖中顯示,電洞注入層172可形成於第一電極160與電洞傳輸層174之間,如同第3圖的例示性實施例所示。
除了上述差異以外,參照第2圖所述的內容可應用於第5圖的例示性實施例。
通過總結及回顧的方式,其為自發光顯示器的有機發光顯示器可具有廣視角、優秀的對比度及迅速的反應時間。有機發光顯示器可包含用以發光的有機發光元件,從一電極注入的電子與從另一電極注入的電洞可在發光層結合,可形成激子,激子可發出能量,且光可被發出。
所提供的是可具有高效率及長久壽命的有機發光元件,及包含其的有機發光顯示器。根據例示性實施例,電子注入層可藉由結合具有低功函數的金屬材料及高介電氧化物來形成,且可改善發光效率。根據例示性實施例,輔助層可形成於藍色發光層下方,且可改善藍色發光層的發光效率。
例示性實施例已經被揭露於本文,且儘管採用了特定用語,但其僅被用以解釋為一般的和描述的意義,而不是用於限制之目的。在一些情況下,除非另外特定地指出,否則對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言,顯而易見的是搭配特定實施例所述之特色、特徵及/或元件可單一或結合搭配其他實施例所述的特色、特徵及/或元件來使用。因此,本發明所屬技術領域中具有通常知識者將可理解各種形式及細節上的改變能被執行,而不脫離本發明於下述申請專利範圍所述之本發明之精神及範疇。
121‧‧‧薄膜封裝層
121a、121c‧‧‧有機封裝層
121b、121d‧‧‧無機封裝層
122a‧‧‧第一接觸孔
122b‧‧‧第二接觸孔
122c‧‧‧第三接觸孔
123‧‧‧基板
124‧‧‧平坦化層
125‧‧‧像素定義層
126‧‧‧基板緩衝層
127‧‧‧閘極絕緣層
128‧‧‧層間絕緣層
130‧‧‧薄膜電晶體
131‧‧‧驅動源極電極
132‧‧‧驅動汲極電極
133‧‧‧驅動閘極電極
134‧‧‧源極區域
135‧‧‧通道區域
136‧‧‧汲極區域
137‧‧‧驅動半導體層
160‧‧‧第一電極
170‧‧‧發光元件層
172‧‧‧電洞注入層
174‧‧‧電洞傳輸層
175‧‧‧發光層
177‧‧‧電子傳輸層
179‧‧‧電子注入層
179-1‧‧‧第一電子注入層
179-2‧‧‧第二電子注入層
180‧‧‧第二電極
190‧‧‧保護膜
LD‧‧‧有機發光元件
X‧‧‧部分
B‧‧‧藍色發光層
BIL‧‧‧輔助層
G‧‧‧綠色發光層
G’‧‧‧綠色共振輔助層
R‧‧‧紅色發光層
R’‧‧‧紅色共振輔助層
藉由詳細描述例示性實施例並參考附圖,對該發明所屬技術領域中具有通常知識者而言特徵將會顯而易見,其中:
第1圖係為根據一種例示性實施例的有機發光顯示器之剖面圖;
第2圖係為第1圖的有機發光顯示器之放大剖面圖;
第3圖係為第2圖的有機發光元件經部分修改的例示性實施例之剖面圖;
第4圖係為第2圖的有機發光元件經部分修改的例示性實施例之剖面圖;
第5圖係為第2圖的有機發光元件經部分修改的例示性實施例之剖面圖;以及
第6圖係為根據實驗示例的電子注入層壽命之示意圖。
160‧‧‧第一電極
170‧‧‧發光元件層
174‧‧‧電洞傳輸層
175‧‧‧發光層
177‧‧‧電子傳輸層
179‧‧‧電子注入層
180‧‧‧第二電極
Claims (9)
- 一種有機發光顯示器,其包含:一基板;一閘極線,其在該基板上;一資料線及一驅動電壓線,其在該基板上;一開關薄膜電晶體,其連接至該閘極線及該資料線;一驅動薄膜電晶體,其連接至該開關薄膜電晶體及該驅動電壓線;以及一有機發光元件,其連接至該驅動薄膜電晶體,其中該有機發光元件包含:一第一電極與一第二電極,係彼此相對;一發光層,在該第一電極與該第二電極之間;以及一電子注入層,在該第二電極與該發光層之間,該電子注入層包含具有10或10以上之相對介電常數的氧化物及具有4.0eV或4.0eV以下之功函數的金屬,其中具有4.0eV或4.0eV以下之功函數的該金屬包含鐿、鈣、鍶、鋇、鈰、釤、銪、釓、鑭、釹、鋱、鎦、鎂或其合金且具有10或10以上之相對介電常數的該氧化物包含Yb2O3、Sm2O3、Nb2O3、Gd2O3、或Eu2O3之一或多個。
- 如請求項1所述之有機發光顯示器,其進一步包含了在該發光層與該電子注入層之間的一電子傳輸層及在該發光層與該第一電極之間的一電洞傳輸層,其中該電洞傳輸層及該電子傳輸 層各別包含一有機材料。
- 如請求項2所述之有機發光顯示器,其中該電子注入層係由複數層形成,且該複數層之每一個皆包含具有10或10以上之相對介電常數的該氧化物及具有4.0eV或4.0eV以下之功函數的該金屬之至少之一。
- 如請求項3所述之有機發光顯示器,其中該電子注入層包含:一第一層,其包含具有10或10以上之相對介電常數的該氧化物,以及一第二層,其在該第一層上且包含具有4.0eV或4.0eV以下之功函數的該金屬。
- 如請求項3所述之有機發光顯示器,其中該電子注入層包含:一第一層,其包含具有4.0eV或4.0eV以下之功函數的該金屬,以及一第二層,其在該第一層上且包含具有10或10以上之相對介電常數的該氧化物。
- 如請求項1所述之有機發光顯示器,其中該發光層包含一紅色發光層、一綠色發光層及一藍色發光層,且該有機發光顯示器進一步包含在該藍色發光層下的一輔助層。
- 如請求項6所述之有機發光顯示器,其進一步包含設置於該紅色發光層之下的一紅色共振輔助層及設置於該綠色發光層之下的一綠色共振輔助層。
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Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101733151B1 (ko) * | 2014-08-21 | 2017-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR102534578B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2023-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 표시 장치 |
CN106784347A (zh) * | 2016-12-14 | 2017-05-31 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板及装置 |
WO2020175514A1 (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | コニカミノルタ株式会社 | 電子デバイス |
CN110112325B (zh) * | 2019-06-19 | 2022-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 透明阴极结构、有机发光二极管、阵列基板和显示装置 |
US20240334732A1 (en) * | 2021-08-16 | 2024-10-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting element, light-emitting apparatus, and display apparatus |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101055921A (zh) * | 2006-04-12 | 2007-10-17 | 统宝光电股份有限公司 | 有机电致发光元件及显示器和电子装置 |
TW200917893A (en) * | 2007-08-10 | 2009-04-16 | Sumitomo Chemical Co | Organic electroluminescent device and fabricating method thereof |
US20100148158A1 (en) * | 2008-12-16 | 2010-06-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic compound and organic light emitting device containing the same |
US20120223633A1 (en) * | 2011-03-04 | 2012-09-06 | Sony Corporation | Organic el display device and method of manufacturing the same |
US20120256197A1 (en) * | 2009-12-16 | 2012-10-11 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence element |
WO2013154076A1 (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-17 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子 |
US20130313527A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Eung-Do Kim | Organic light-emitting device and method of producing the same |
TW201417263A (zh) * | 2012-10-22 | 2014-05-01 | Samsung Display Co Ltd | 有機發光顯示裝置及其製造方法 |
TW201428958A (zh) * | 2013-01-03 | 2014-07-16 | Samsung Display Co Ltd | 用於平面顯示器之背板及其製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100591636B1 (ko) | 1998-10-14 | 2006-06-20 | 듀폰 디스플레이즈, 인크. | 발광 다이오드를 위한 안정한 전자 주입 전극으로서의금속 산화물 박층 |
CN100382354C (zh) * | 1999-02-15 | 2008-04-16 | 出光兴产株式会社 | 有机场致发光元件及其制造方法 |
KR100825317B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2008-04-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
CN1672096A (zh) * | 2002-07-22 | 2005-09-21 | 出光兴产株式会社 | 有机场致发光元件 |
JP2006012428A (ja) | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Hitachi Metals Ltd | 有機el用電極 |
JP4770699B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2011-09-14 | ソニー株式会社 | 表示素子 |
KR100922759B1 (ko) | 2008-02-26 | 2009-10-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR101509112B1 (ko) * | 2008-04-18 | 2015-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US7868536B2 (en) * | 2008-10-27 | 2011-01-11 | General Electric Company | Organic light emitting device |
EP2256839B1 (en) * | 2009-05-28 | 2019-03-27 | IMEC vzw | Single junction or a multijunction photovoltaic cells and method for their fabrication |
KR101750301B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2017-06-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자기기 및 조명 장치 |
KR101156429B1 (ko) | 2009-06-01 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR101191645B1 (ko) * | 2009-11-25 | 2012-10-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20110112992A (ko) * | 2010-04-08 | 2011-10-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101182447B1 (ko) * | 2010-06-16 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
US9251173B2 (en) | 2010-12-08 | 2016-02-02 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Place-based image organization |
WO2014088667A2 (en) * | 2012-09-14 | 2014-06-12 | Qd Vision, Inc. | Light emitting device including tandem structure |
KR20140122655A (ko) * | 2013-04-10 | 2014-10-20 | 포항공과대학교 산학협력단 | 역구조 유기 발광 다이오드 및 이의 제조방법 |
KR102147845B1 (ko) * | 2014-03-11 | 2020-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
-
2014
- 2014-08-21 KR KR1020140109196A patent/KR101668030B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-06-05 US US14/731,729 patent/US10003040B2/en active Active
- 2015-08-18 CN CN201910807384.0A patent/CN110444677B/zh active Active
- 2015-08-18 CN CN201510508265.7A patent/CN105390616A/zh active Pending
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101055921A (zh) * | 2006-04-12 | 2007-10-17 | 统宝光电股份有限公司 | 有机电致发光元件及显示器和电子装置 |
TW200917893A (en) * | 2007-08-10 | 2009-04-16 | Sumitomo Chemical Co | Organic electroluminescent device and fabricating method thereof |
US20100148158A1 (en) * | 2008-12-16 | 2010-06-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic compound and organic light emitting device containing the same |
US20120256197A1 (en) * | 2009-12-16 | 2012-10-11 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescence element |
US20120223633A1 (en) * | 2011-03-04 | 2012-09-06 | Sony Corporation | Organic el display device and method of manufacturing the same |
WO2013154076A1 (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-17 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子用組成物及び有機電界発光素子 |
US20130313527A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Eung-Do Kim | Organic light-emitting device and method of producing the same |
TW201417263A (zh) * | 2012-10-22 | 2014-05-01 | Samsung Display Co Ltd | 有機發光顯示裝置及其製造方法 |
TW201428958A (zh) * | 2013-01-03 | 2014-07-16 | Samsung Display Co Ltd | 用於平面顯示器之背板及其製造方法 |
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