TWI699964B - 偏壓電路 - Google Patents

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Abstract

偏壓電路包含電流感測器、電晶體及低通濾波電路。電流感測器具第一端及第二端，電流感測器的第一端耦接於電壓端。電晶體具有第一端、第二端及控制端，電晶體的第一端耦接於電流感測器之第二端，電晶體的第二端耦接於射頻訊號路徑以提供偏壓訊號，而電晶體的控制端接收參考電壓。低通濾波電路耦接於電流感測器之第二端及電晶體之控制端之間。

Description

偏壓電路
本發明是有關於一種偏壓電路，特別是指一種具有回授(feedback)路徑以減少偏壓訊號波動的偏壓電路。
在無線通訊中，放大器常被用來在發送訊號及接收訊號時，將訊號放大，以提升通訊訊號的品質。
然而，由於無線通訊所處的環境可能隨時改變，因此射頻(Radio Frequency，RF)訊號的功率也可能相應地改變。當射頻訊號路徑上的調變射頻訊號(modulated RF signal)的功率在瞬時間超過特定的功率值時，偏壓電路提供至射頻訊號路徑的偏壓訊號也將產生波動，從而降低偏壓訊號的穩定度，亦會使得設置在射頻訊號路徑上的放大器的線性度(linearity)和性能降低。
此外，由於放大器自我加熱(self-heating)所造成的溫度變化也會影響偏壓訊號的穩定度，導致放大器的性能表現改變，甚至導致放大器的損壞及/或放大器中電晶體的熱失控(thermal runaway)。鑒於偏壓電路在提升放大器的線性度及性能表現方面扮演著相當重要的作用，因此偏壓電路的設計也引起了相關工作者的關注。
本發明的一實施例提供一種偏壓電路，偏壓電路包含電流感測器、電晶體及低通濾波電路。
電流感測器具有第一端及第二端，電流感測器的第一端耦接於電壓端。電晶體具有第一端、第二端及控制端，電晶體的第一端耦接於電流感測器之第二端，電晶體的第二端耦接於射頻訊號路徑，用以提供偏壓訊號，而電晶體的控制端接收參考電壓。低通濾波電路耦接於電流感測器之第二端及電晶體之控制端之間。
100、200、300、400、500、600、700、800、900:偏壓電路
110:電流感測器
112:電流電壓轉換器
120、420、520:低通濾波電路
M1A、M2B、M3D、M4D、M5D、M6D、M1F、M7F:電晶體
A1、A2:放大器
NV1、NV2、NV3:電壓端
V1、V2、V3:電壓
SIGRF:射頻訊號
SIGBIAS、SIGBIAS1、SIGBIAS2:偏壓訊號
Vref、Vref1、Vref2:參考電壓
230、330、430、930A、930B:參考電壓產生器
R1A、R1B、R2D、R2E1、R2E2、R3D、R4D、R5D:電阻
D1A、D2A、D1C、D2C:二極體
422、524:低通濾波單元
440、640、740:電壓隨耦器
650、750:控制訊號產生器
SIGctrl:控制訊號
860:數位致能電路
862:反相器
864:開關
SIGDE:數位致能訊號
第1圖是本發明一實施例之偏壓電路的示意圖。
第2圖是本發明另一實施例之偏壓電路的示意圖。
第3圖是本發明另一實施例之偏壓電路的示意圖。
第4圖是本發明另一實施例之偏壓電路的示意圖。
第5圖是本發明另一實施例之偏壓電路的示意圖。
第6圖是本發明另一實施例之偏壓電路的示意圖。
第7圖是本發明另一實施例之偏壓電路的示意圖。
第8圖是本發明另一實施例之偏壓電路的示意圖。
第9圖是本發明另一實施例之偏壓電路的示意圖。
第1圖是本發明一實施例之偏壓電路100的示意圖。在有些實施例中，偏壓電路100可用來提供偏壓訊號SIGBIAS至射頻訊號路徑，使得設置在射頻 訊號路徑上的放大器A1能夠操作在適當的偏壓並放大射頻訊號SIGRF。在有些實施例中，射頻訊號SIGRF可以是交流訊號。然而，在有些其他實施例中，偏壓電路100也可以根據需求應用在其他類型的電路，用以提供偏壓訊號SIGBIAS。偏壓電路100包含電流感測器110、電晶體M1A及低通濾波電路120。
電流感測器110具有第一端及第二端，電流感測器110的第一端耦接至電壓端NV1以接收電壓V1。
電晶體M1A具有第一端、第二端及控制端，電晶體M1A的第一端耦接於電流感測器110的第二端，電晶體M1A的第二端耦接於射頻訊號路徑以提供偏壓訊號SIGBIAS，而電晶體M1A的控制端可接收參考電壓Vref。在有些實施例中，偏壓訊號SIGBIAS可以是直流電壓。
低通濾波電路120可耦接於電流感測器110的第二端及電晶體M1A的控制端之間。在第1圖中，低通濾波電路120可以是電阻-電容濾波器(resistor-capacitor filter，RC filter)。然而在有些其他實施例中，低通濾波電路120也可包含電感-電容濾波器(inductor-capacitor filter，LC filter)及/或電阻-電容濾波器。
在有些實施例中，電流感測器110可以根據流過電流感測器110的電流來調整電流感測器110之第二端的電壓。舉例來說，電流感測器110可包含電流電壓轉換器112。在此情況下，當流過電流感測器110的電流增加時，電流感測器110會降低電流感測器110之第二端的電壓。
電流感測器110所造成的壓降可以經由低通濾波電路120傳送至電晶體M1A的控制端作為回授訊號。如此一來，電晶體M1A的控制端所接收的參考電壓Vref就會降低，因此會抑制流入放大器A1的電流。同時，耦合至電流感測器110之第二端的射頻訊號SIGRF會被低通濾波電路120濾除。也就是說，當射頻訊號SIGRF的強度增強時，將有越多的射頻訊號SIGRF會洩漏(leakage)至電流感測器 110的第二端，然而低通濾波電路120可以將此部分濾除，以免干擾電晶體M1A的操作。因此，當射頻訊號SIGRF的波動造成放大器A1汲取較大的電流時，偏壓訊號SIGBIAS仍然可以保持穩定，也使得放大器A1的線性度及性能表現能夠維持穩定。此外，在有些實施例中，射頻訊號SIGRF例如是調變射頻訊號，當調變射頻訊號的功率在瞬時間超過特定的功率值時，將會導致流過電晶體M1A的電流過大，穩定的偏壓訊號SIGBIAS還可以保護電晶體M1A不易因過大的電流而損壞。
在第1圖中，電流電壓轉換器112可以利用電阻來實作，然而，在有些實施例中，電流電壓轉換器112也可以利用電阻、電晶體及/或二極體來實作。此外，在有些實施例中，電流電壓轉換器112可以是設置在晶片上(on-chip)的元件，然而在有些其他實施例中，電流電壓轉換器112可以是設置在晶片外部的元件，以便於調整。
此外，在第1圖中，參考電壓Vref可以由低通濾波電路120來產生。然而，在有些其他實施例中，參考電壓Vref可以由參考電壓產生器來產生，以產生更穩定的參考電壓Vref。
第2圖是本發明另一實施例之偏壓電路200的示意圖。在第2圖中，偏壓電路200還可以包含參考電壓產生器230以產生參考電壓Vref，進而控制電晶體M1A以輸出更加穩定的偏壓訊號SIGBIAS。參考電壓產生器230具有第一端、第二端及第三端，參考電壓產生器230的第一端可耦接至低通濾波電路120，參考電壓產生器230的第二端可耦接至電壓端NV2以接收電壓V2，而參考電壓產生器230的第三端可耦接至電晶體M1A的控制端。在有些實施例中，電壓V1可大於電壓V2。舉例來說，電壓V1可以是系統中的操作電壓，而電壓V2可以是系統參考電壓或接地電壓。
參考電壓產生器230可以根據其第一端及第二端的電壓，產生參考電壓Vref，並經由其第三端輸出參考電壓Vref。
在有些實施例中，如第2圖所示，參考電壓產生器230可包含電阻R1A及二極體D1A及D2A。電阻R1A具有第一端及第二端，電阻R1A的第一端可耦接於參考電壓產生器230的第一端，而電阻R1A的第二端可耦接至參考電壓產生器230的第三端。二極體D1A具有第一端及第二端，二極體D1A的第一端可耦接至電阻R1A之第二端。二極體D2A具有第一端及第二端，二極體D2A的第一端可耦接至二極體D1A之第二端，而二極體D2A的第二端可耦接至參考電壓產生器230的第二端。在有些實施例中，二極體D1A及D2A可以用以二極體形式連接的電晶體(diode-connected transistor)來實作。前述二極體D1A及D2A的第一端可以是陽極，而二極體D1A及D2A的第二端可以是陰極。
第3圖是本發明另一實施例之偏壓電路300的示意圖。偏壓電路200及300具有相似的結構並可根據相似的原理操作。然而參考電壓產生器330可包含電阻R1B及電晶體M2B。
電阻R1B具有第一端及第二端，電阻R1B的第一端耦接於參考電壓產生器330的第一端，而電阻R1B的第二端可耦接於參考電壓產生器330的第三端。電晶體M2B具有第一端、第二端及控制端，電晶體M2B的第一端可耦接於電阻R1B的第二端，電晶體M2B的第二端可耦接於參考電壓產生器330的第二端，而電晶體M2B的控制端可耦接於電晶體M1A的第二端。透過第2圖及第3圖的結構，參考電壓產生器230及330就可以產生更加穩定的參考電壓Vref。
第4圖是本發明另一實施例之偏壓電路400的示意圖。偏壓電路200及400具有相似的結構並可根據相似的原理操作。然而，偏壓電路400還可包含電壓隨耦器(voltage follower)440。
在第4圖中，參考電壓產生器430與參考電壓產生器230可具有相似的結構，然而，參考電壓產生器430中的二極體D1C及D2C可以利用以二極體形式連接的電晶體來實作。
電壓隨耦器440具有第一端、第二端及控制端，電壓耦動器440的第二端可耦接於參考電壓產生器430的第一端，而電壓隨耦器440的控制端可耦接於低通濾波電路420。電壓隨耦器440可根據射頻訊號SIGRF的功率大小，以使參考電壓產生器430產生適當的參考電壓Vref。舉例來說，當射頻訊號SIGRF的平均功率增加時，電壓隨耦器440的第二端的電壓將會升高，因此參考電壓產生器430產生的參考電壓Vref也會升高，進而偏壓訊號SIGBIAS也將會升高，從而有助於維持放大器A1的線性度。
在第4圖中，低通濾波電路420可包含低通濾波單元422。低通濾波單元422具有第一端及第二端，低通濾波單元422的第一端可耦接於電流感測器110的第二端及電壓隨耦器440的第一端，而低通濾波單元422的第二端可耦接於電壓隨耦器440的控制端。低通濾波單元422可包含電感-電容濾波器及/或電阻-電容濾波器。
第5圖是本發明另一實施例之偏壓電路500的示意圖。偏壓電路400及500具有相似的結構並可根據相似的原理操作。然而，偏壓電路500的低通濾波電路520還可包含低通濾波單元524。低通濾波單元524可包含電感-電容濾波器及/或電阻-電容濾波器。
在有些實施例中，低通濾波單元524可以進一步濾除高頻雜訊及/或耦合至電流感測器110之第二端的射頻訊號SIGRF。在有些其他實施例中，低通濾波單元524還可以濾除二次諧波(second harmonic)。低通濾波單元524具有第一端及第二端，低通濾波單元524的第一端可耦接於電流感測器110的第二端，而低通濾波單元524的第二端可耦接於低通濾波單元422的第一端及電壓隨耦器440的第一端。
然而，在有些實施例中，倘若操作條件允許，則低通濾波單元524也可以被省略，如第4圖所示。
在第4圖及第5圖中，電壓隨耦器440可以是射極隨耦器(emitter follower)，然而在有些實施例中，電壓隨耦器440也可以是源極隨耦器(source follower)。
第6圖是本發明另一實施例之偏壓電路600的示意圖。偏壓電路500及600具有相似的結構並可根據相似的原理操作。然而，偏壓電路600還可包含控制訊號產生器650。控制訊號產生器650可以產生控制訊號SIGctrl以控制電壓隨耦器640。
控制訊號產生器650具有第一端及第二端，控制訊號產生器650的第一端耦接於低通濾波電路520，而控制訊號產生器650的第二端可耦接於電壓隨耦器640的控制端以輸出控制訊號SIGctrl。
在第6圖中，電壓隨耦器640可以是由雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)所實作的射極隨耦器，在此情況下，控制訊號產生器650所產生的控制訊號SIGctrl可以是電流訊號。舉例來說，控制訊號產生器650可以包含電晶體M3D及電阻R2D。
電晶體M3D具有第一端、第二端及控制端，電晶體M3D的第一端可耦接於控制訊號產生器650的第一端。電阻R2D具有第一端及第二端，電阻R2D的第一端可耦接於電晶體M3D的第二端，而電阻R2D的第二端可耦接於電晶體M3D的控制端及控制訊號產生器650的第二端。在有些實施例中，電晶體M3D可以是場效電晶體(field effect transistor，FET)，例如但不限於空乏型(depletion mode，D-mode)FET。此外，在有些實施例中，電晶體M3D可以由砷化鎵(GaAs)製程(process)來製造。
第7圖是本發明另一實施例之偏壓電路700的示意圖。偏壓電路700及600具有相似的結構並可根據相似的原理操作。然而，偏壓電路700的電壓隨耦器740可以是由FET來實作的源極隨耦器，例如但不限於由空乏型的FET來實 作。在有些實施例中，FET可以利用GaAs製程來製造。此外，由控制訊號產生器750所產生的控制訊號SIGctrl可以是電壓訊號。
在此情況下，控制訊號產生器750可包含電阻R2E1及R2E2。電阻R2E1具有第一端及第二端，電阻R2E1的第一端可耦接於控制訊號產生器750的第一端，而電阻R2E1的第二端可耦接於控制訊號產生器750的第二端。電阻R2E2具有第一端及第二端，電阻R2E2的第一端可耦接於電阻R2E1的第二端，而電阻R2E2的第二端可耦接於電壓端NV2。
第8圖是本發明另一實施例之偏壓電路800的示意圖。偏壓電路800及600具有相似的結構並可根據相似的原理操作。然而，偏壓電路800還可包含數位致能電路860。數位致能電路860及控制訊號產生器650可以控制電壓隨耦器640及參考電壓產生器430。
在第8圖中，數位致能電路860具有第一端、第二端、第三端及控制端。數位致能電路860的第一端可耦接於電壓端NV3以接收電壓V3，數位致能電路860的第二端可耦接於控制訊號產生器650的第二端，數位致能電路860的第三端可耦接於電壓端NV2，而數位致能電路860的控制端可接收數位致能訊號SIGDE。在有些實施例中，電壓V3可以實質上等於電壓V1。
在第8圖中，數位致能電路860可包含反相器(inverter)862。反相器862可包含輸入端、輸出端及電晶體M4D、M5D及M6D以及電阻R3D及R4D。
反相器862的輸入端可耦接於數位致能電路860的控制端以接收數位致能訊號SIGDE。電晶體M4D具有第一端、第二端及控制端，電晶體M4D的第一端可耦接於數位致能電路860的第一端，而電晶體M4D控制端可耦接於反相器862的輸入端。在有些實施例中，電晶體M4D可以是FET，例如但不限於增強型(enhancement mode，E-mode)FET。此外，在有些實施例中，電晶體M4D可以由GaAs製程來製造。電阻R3D具有第一端及第二端，電阻R3D的第一端可耦接於 電晶體M4D的第二端。
電晶體M5D具有第一端、第二端及控制端，電晶體M5D的第一端可耦接於電晶體M4D的第一端。在有些實施例中，電晶體M5D可以是FET，例如但不限於空乏型FET。此外，在有些實施例中，電晶體M5D可以由GaAs製程來製造。電阻R4D具有第一端及第二端，電阻R4D的第一端可耦接於電晶體M5D的第二端，而電阻R4D的第二端可耦接於電晶體M5D的控制端。電晶體M6D具有第一端、第二端及控制端，電晶體M6D的第一端可耦接於電阻R4D的第二端及反相器862的輸出端，電晶體M6D的第二端可耦接於數位致能電路860的第三端，而電晶體M6D的控制端可耦接於電阻R3D的第二端。
此外，在第8圖中，數位致能電路860還可包含電阻R5D及開關864。電阻R5D具有第一端及第二端，電阻R5D的第一端可耦接於反相器862的輸出端。開關864具有第一端、第二端及控制端，開關864的第一端可耦接於數位致能電路860的第二端，開關864的第二端可耦接於數位致能電路860的第三端，而開關864的控制端可耦接於電阻R5D的第二端。在有些實施例中，開關864可包含電晶體。
在此情況下，當數位致能訊號SIGDE處在高電位以致能控制訊號產生器650時，開關864將會被截止，使得開關864的第一端保持在高電壓。因此，控制訊號SIGctrl可以傳遞至電壓隨耦器640的控制端，並且導通電壓隨耦器640。如此一來，流經電壓隨耦器640的電流就可以將參考電壓產生器430致能(enable)，以產生適當的參考電壓Vref。相對地，當數位致能訊號SIGDE處在低電位以使控制訊號產生器650失能(disable)時，開關864將會被導通，而控制訊號SIGctrl會處在低電壓，使得電壓隨耦器640被截止，因此參考電壓產生器430也將被失能，而不會產生參考電壓vref。
在有些實施例中，透過數位致能電路860，偏壓電路800就可以利用 數位訊號，亦即數位致能訊號SIGDE來控制。也就是說，數位致能電路860可以根據數位致能訊號SIGDE來控制流過電壓隨耦器640的電流，使得參考電壓產生器430所產生的參考電壓Vref可以根據電流感測器110之第二端的電壓來進行調整，進而對射頻訊號SIGRF的波動進行補償。在有些實施例中，使用者可根據需求控制數位致能訊號SIGDE處在高電位或低電位，因此可以減少不必要的耗電量。
在第1至8圖中，偏壓電路100至800可用來為設置在射頻訊號路徑上的放大器A1提供偏壓訊號SIGBIAS，然而，在有些其他實施例中，偏壓電路100至800還可用來為多個放大器提供偏壓訊號。
第9圖是本發明另一實施例之偏壓電路900的示意圖。偏壓電路900及800具有相似的結構並可根據相似的原理操作。然而，偏壓電路900除了包含電晶體M1F及參考電壓產生器930A之外，還可包含電晶體M7F及參考電壓產生器930B。
電晶體M1F具有第一端、第二端及控制端，電晶體M1F的第一端可耦接於電流感測器110的第二端，電晶體M1F的第二端可耦接於設置在射頻訊號路徑上的放大器A1以提供偏壓訊號SIGBIAS1，而電晶體M1F的控制端可經由參考電壓產生器930A耦接於低通濾波電路520。
此外，電晶體M7F的第一端可耦接於電流感測器110的第二端，電晶體M7F的第二端可耦接於設置在射頻訊號路徑上的放大器A2以提供偏壓訊號SIGBIAS2，而電晶體M7F的控制端可經由參考電壓產生器930B耦接於低通濾波電路520。
參考電壓產生器930A具有第一端、第二端及第三端，參考電壓產生器930A的第一端可耦接至低通濾波電路520，參考電壓產生器930A的第二端可耦接至電壓端NV2，而參考電壓產生器930A的第三端可耦接於電晶體M1F的控 制端。參考電壓產生器930A可以根據其第一端及第二端的電壓，產生參考電壓Vref1，並經由其第三端輸出參考電壓Vref1。
參考電壓產生器930B具有第一端、第二端及第三端，參考電壓產生器930B的第一端耦接至低通濾波電路520，參考電壓產生器930B的第二端可耦接至電壓端NV2，而參考電壓產生器930B的第三端可耦接於電晶體M7F的控制端。參考電壓產生器930B可以根據其第一端及第二端的電壓，產生參考電壓Vref2，並經由其第三端輸出參考電壓Vref2。
在第9圖中，參考電壓產生器930A的第一端及參考電壓產生器930B的第一端可經由電壓隨耦器640耦接至低通濾波電路520，然而在有些實施例中，若電壓隨耦器640被省略，則參考電壓產生器930A的第一端及參考電壓產生器930B的第一端也可直接耦接至低通濾波電路520。
在此情況下，每當射頻訊號路徑上的射頻訊號SIGRF在放大器A1的輸入端或放大器A2的輸入端產生波動時，偏壓電路900就可以對應地調整偏壓訊號SIGBIAS1及SIGBIAS2，使得偏壓訊號SIGBIAS1及SIGBIAS2趨於穩定，並且能夠更加有效地維持放大器A1及A2的線性度及性能表現。在有些實施例中，放大器A1及/或A2可以是功率放大器(power amplifier，PA)。
此外，在第1至9圖中，當偏壓電路100至900中的電晶體M1A至M7F是BJT時，電晶體的第一端可為集極，電晶體的第二端可為射極，而電晶體的控制端可為基極。當上述電晶體是FET時，電晶體的第一端可為汲極，電晶體的第二端可為源極，而電晶體的控制端可為閘極。
綜上所述，本發明的實施例所提供的偏壓電路可以根據電流感測器及低通濾波電路所傳送的回授訊號來穩定偏壓訊號，不僅有助於減輕因為放大器自我加熱而導致性能下降的問題，還可改善放大器的振幅失真(amplitude distortion或稱AM-AM Distortion)，因此能夠維持放大器的線性度及性能表現。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100:偏壓電路
110:電流感測器
112:電流電壓轉換器
120:低通濾波電路
M1A:電晶體
A1:放大器
NV1:電壓端
V1:電壓
SIGRF:射頻訊號
SIGBIAS:偏壓訊號
Vref:參考電壓

Claims (18)

  1. 一種偏壓電路，包含：一電流感測器，具有一第一端耦接於一第一電壓端，及一第二端；一第一電晶體，具有一第一端耦接於該電流感測器之該第二端，一第二端耦接於一射頻訊號路徑，用以提供一第一偏壓訊號，及一控制端用以接收一參考電壓；一低通濾波電路，耦接於該電流感測器之該第二端及該第一電晶體之該控制端之間；及一第一參考電壓產生器，具有一第一端耦接於該低通濾波電路，一第二端耦接於一第二電壓端，及一第三端耦接於該第一電晶體之該控制端，該第一參考電壓產生器用以根據該第一參考電壓產生器之該第一端及該第一參考電壓產生器之該第二端的電壓產生該參考電壓，並經由該第一參考電壓產生器之該第三端輸出該參考電壓。
  2. 如請求項1所述之偏壓電路，其中該第一參考電壓產生器包含：一第一電阻，具有一第一端耦接於該第一參考電壓產生器之該第一端，及一第二端耦接於該第一參考電壓產生器之該第三端；一第一二極體，具有一第一端耦接於該第一電阻之該第二端，及一第二端；及一第二二極體，具有一第一端耦接於該第一二極體之該第二端，及一第二端耦接於該第一參考電壓產生器之該第二端。
  3. 如請求項1所述之偏壓電路，其中該第一參考電壓產生器包含： 一第一電阻，具有一第一端耦接於該第一參考電壓產生器之該第一端，及一第二端耦接於該第一參考電壓產生器之該第三端；及一第二電晶體，具有一第一端耦接於該第一電阻之該第二端，一第二端耦接於該第一參考電壓產生器之該第二端，及一控制端耦接於該第一電晶體之該第二端。
  4. 一種偏壓電路，包含：一電流感測器，具有一第一端耦接於一第一電壓端，及一第二端；一第一電晶體，具有一第一端耦接於該電流感測器之該第二端，一第二端耦接於一射頻訊號路徑，用以提供一第一偏壓訊號，及一控制端用以接收一參考電壓；一低通濾波電路，耦接於該電流感測器之該第二端及該第一電晶體之該控制端之間；一第一參考電壓產生器，具有一第一端，一第二端耦接於一第二電壓端，及一第三端耦接於該第一電晶體之該控制端，該第一參考電壓產生器用以經由該第一參考電壓產生器之該第三端輸出該參考電壓；及一電壓隨耦器，具有一第一端，一第二端耦接於該第一參考電壓產生器之該第一端，及一控制端耦接於該低通濾波電路。
  5. 如請求項4所述之偏壓電路，其中該低通濾波電路包含：一第一低通濾波單元，具有一第一端耦接於該電流感測器之該第二端及該電壓隨耦器之該第一端，及一第二端耦接於該電壓隨耦器之該控制端。
  6. 如請求項4所述之偏壓電路，其中該低通濾波電路包含：一第一低通濾波單元，具有一第一端耦接於該電壓隨耦器之該第一端，及一第二端耦接於該電壓隨耦器之該控制端；及一第二低通濾波單元，具有一第一端耦接於該電流感測器之該第二端，及一第二端耦接於該第一低通濾波單元之該第一端及該電壓隨耦器之該第一端。
  7. 如請求項4所述之偏壓電路，另包含一控制訊號產生器，具有一第一端耦接於該低通濾波電路，及一第二端耦接於該電壓隨耦器之該控制端，該控制訊號產生器用以產生一控制訊號至該電壓隨耦器。
  8. 如請求項7所述之偏壓電路，其中該電壓隨耦器是一源極隨耦器，且該控制訊號產生器所產生之該控制訊號是一電壓訊號。
  9. 如請求項8所述之偏壓電路，其中該控制訊號產生器包含：一第二電阻，具有一第一端耦接於該控制訊號產生器之該第一端，及一第二端耦接於該控制訊號產生器之該第二端；及一第三電阻，具有一第一端耦接於該第二電阻之該第二端，及一第二端耦接於該第二電壓端。
  10. 如請求項7所述之偏壓電路，其中該電壓隨耦器是一射極隨耦器，且該控制訊號產生器所產生之該控制訊號是一電流訊號。
  11. 如請求項10所述之偏壓電路，其中該控制訊號產生器包含： 一第三電晶體，具有一第一端耦接於該控制訊號產生器之該第一端，一第二端，及一控制端；及一第二電阻，具有一第一端耦接於該第三電晶體之該第二端，及一第二端耦接於該第三電晶體之該控制端及該控制訊號產生器之該第二端。
  12. 如請求項7所述之偏壓電路，另包含：一數位致能電路，具有一第一端耦接於一第三電壓端，一第二端耦接於該控制訊號產生器之該第二端，一第三端耦接於該第二電壓端，及一控制端用以接收一數位致能訊號。
  13. 如請求項12所述之偏壓電路，其中該數位致能電路包含一反相器。
  14. 如請求項13所述之偏壓電路，其中：該反相器包含：一輸入端，耦接於該數位致能電路之該控制端；一輸出端；一第四電晶體，具有一第一端耦接於該數位致能電路之該第一端，一第二端，及一控制端耦接於該反相器之該輸入端；一第四電阻，具有一第一端耦接於該第四電晶體之該第二端，及一第二端；一第五電晶體，具有一第一端耦接於該第四電晶體之該第一端，一第二端，及一控制端；一第五電阻，具有一第一端耦接於該第五電晶體之該第二端，及一第二端耦接於該第五電晶體之該控制端；及 一第六電晶體，具有一第一端耦接於該第五電阻之該第二端及該反相器之該輸出端，一第二端耦接於該數位致能電路之該第三端，及一控制端耦接於該第四電阻之該第二端；其中該數位致能電路另包含：一第六電阻，具有一第一端耦接於該反相器之該輸出端，及一第二端；及一開關，具有一第一端耦接於該數位致能電路之該第二端，一第二端耦接於該數位致能電路之該第三端，及一控制端耦接於該第六電阻之該第二端。
  15. 如請求項1或4所述之偏壓電路，其中該電流感測器包含一電流電壓轉換器，該電流電壓轉換器用以當流經該電流感測器之一電流增加時，降低該電流感測器之該第二端的電壓。
  16. 如請求項1或4所述之偏壓電路，其中該第一電晶體之該第二端耦接於設置在該射頻訊號路徑上之一第一放大器以提供該第一偏壓訊號。
  17. 如請求項16所述之偏壓電路，另包含：一第七電晶體，具有一第一端耦接於該電流感測器之該第二端，一第二端耦接於設置在該射頻訊號路徑上之一第二放大器以提供一第二偏壓訊號，及一控制端。
  18. 如請求項17所述之偏壓電路，另包含：一第二參考電壓產生器，具有一第一端耦接於該低通濾波電路，一第二端 耦接於該第二電壓端，及一第三端耦接於該第七電晶體之該控制端。
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