TWI698548B - 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

在對晶圓依序供給會互相反應之處理氣體來在基板表面層積反應生成物時，能使得膜厚之面內均勻性為良好。
在真空容器內，加熱以旋轉台來公轉之晶圓，而進行複數次依序供給DCS氣體及NH3氣體的循環，以在晶圓成膜出SiN膜的成膜裝置中，設置有在將DCS氣體供給至晶圓時，會從旋轉台外周朝向旋轉台中心來延伸並朝晶圓整面供給DCS氣體的主噴嘴，且進一步地設置有將氣體供給至真空容器的周緣側區域之周緣側輔助噴嘴以及將DCS氣體供給至旋轉台的中心側區域之中心側輔助噴嘴。

Description

成膜裝置、成膜方法及記憶媒體
本發明係關於一種依序供給會互相反應之處理氣體而在基板表面層積出反應生成物的技術。
對於為基板之半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)進行例如矽氮化膜等的薄膜之成膜的方法係已知有一種依序將原料氣體與反應氣體供給至晶圓表面而層積反應生成物的ALD(Atomic Layer Deposition)法。使用此ALD法來進行成膜處理之成膜裝置係如專利文獻1所記載般，舉例有將複數片晶圓排列於周圍方向並公轉用的旋轉台設置於真空容器內之構成。
此般成膜裝置中，係以延伸於旋轉台之徑向的方式來水平地設置氣體噴嘴，且在晶圓通過區域所對應之區域處於氣體噴嘴下部側配列有多數氣體噴出孔。然後，便藉由讓旋轉台旋轉，並從氣體噴出孔朝下方噴出氣體，來將各原料氣體及反應氣體供給至晶圓整面。例如矽氮化膜之成膜所使用的二氯矽烷(DCS)等的原料氣體會藉由讓氣體活化，而以化學吸附來吸附於晶圓。
因此，藉由配置於旋轉台下方側的加熱部並透過旋轉台來加熱晶圓，而加熱從氣體噴嘴所噴出之氣體來加以活化。在此，係著眼於氣體的活化，從氣體噴嘴所噴出之氣體會於旋轉台上擴散於徑向，而藉由來自旋轉台或晶圓的熱量來升溫。然後，在晶圓上的各位置中，氣體會從該位置上方來吹送，雖該氣體尚未被充分加熱，但吹送至其他位置而流抵的氣體會在移動旋轉台或晶圓時被加熱，而被活化。
從而，在晶圓的中央區域中，以旋轉台之徑向來觀察，由於被噴出至從該區域離開較遠的位置之氣體會移動長距離而抵達，故在此期間氣體便會被活化。亦即，在晶圓的中央區域中，氣體便會被充分活化。相對於此， 由於旋轉台之中心部區域側的晶圓周緣部中，係該周緣部與氣體噴嘴之端部的距離較近，故從該端部所噴出之氣體移動至該周緣部的移動距離會較短。此種情況在旋轉台外緣側的晶圓周緣部中亦相同。其結果，因為在旋轉台之徑向中的晶圓周緣部處會難以充分地進行原料氣體的活化，故會有較中央側之膜厚要低的傾向。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2010-239103號公報
本發明係在此般情事下所完成者，其目的在於提供一種在對基板依序供給會互相反應之處理氣體來在基板表面層積反應生成物時，能使得膜厚之面內均勻性為良好的技術。
本發明之成膜裝置，係在真空容器內，複數次進行依序供給原料氣體及會與原料氣體反應而生成反應生成物的反應氣體之循環，以在基板成膜出薄膜的成膜裝置中，具備有：旋轉台，係設置於該真空容器內，且於其一面側會形成載置基板之基板載置區域，並用以讓此基板載置區域公轉；加熱部，係用以加熱該旋轉台所載置之基板；第1處理區域，係用以朝向該旋轉台之該基板載置區域來供給原料氣體，以進行處理；第2處理區域，係在該旋轉台之周圍方向透過分離部與第1處理區域來分離設置，並用以供給該反應氣體以進行處理；以及主氣體噴嘴、中心側輔助噴嘴以及周緣側輔助噴嘴，係在該第1處理區域以延伸於會各別與該旋轉台之移動路徑交叉的方向之方式，且會互相沿著旋轉台之旋轉方向來加以設置，並且沿著長度方向來形成有各別朝向下方側來噴出原料氣體用之氣體噴出孔；在將該真空容器之中心部側、周壁側分別定義為內側及外側時： 該主氣體噴嘴之氣體噴出孔於內外方向來觀察時係會對向於基板的通過區域的全區域及旋轉台上的基板的通過區域之內側區域及外側區域的各區域來加以設置；該中心側輔助噴嘴之氣體噴出孔係設置於旋轉台上之基板的通過區域之內側區域所對向的區域；該周緣側輔助噴嘴之氣體噴出孔係設置於旋轉台上之基板的通過區域之外側區域所對向的區域；該中心側輔助噴嘴及該周緣側輔助噴嘴係分別為了補償主噴嘴供給至基板的內側周緣部及外側周緣部之氣體的不足部分而加以設置。
本發明之成膜方法，係在真空容器內，複數次進行依序供給原料氣體及會與原料氣體反應而生成反應生成物的反應氣體之循環，以在基板成膜出薄膜的成膜方法中，包含有：將基板載置於該真空容器內所設置之旋轉台的一面側之工序；加熱該基板之工序；以及複數次重複下述工序之工序：藉由該旋轉台之旋轉而讓基板公轉，來在第1處理區域使用於長度方向配列有朝下方噴出氣體之氣體噴出孔的氣體噴嘴，而將原料氣體供給至基板並吸附之工序；以及在以分離部來相對於該第1處理區域而分離之第2處理區域，將反應氣體供給至基板的工序；在將該真空容器之中心部側、周壁側分別定義為內側及外側時，會進行下述工序：於該第1處理區域中，於內外方向來觀察時，會藉由主氣體噴嘴來將原料氣體供給至基板的通過區域之全區域及旋轉台上之基板的通過區域之內側區域及外側區域的各區域之工序；藉由中心側輔助噴嘴來將原料氣體供給至旋轉台上之基板的通過區域之內側區域的工序；以及藉由周緣側輔助噴嘴來將原料氣體供給至旋轉台上之基板的通過區域之外側區域的工序。
本發明之記憶媒體，係記憶有在真空容器內，複數次進行依序供給原料氣體及會與原料氣體反應而生成反應生成物的反應氣體之循環，以在基板成膜出薄膜的成膜裝置所使用的電腦程式之記憶媒體；該電腦程式係以實行上述成膜方法的方式來構成有步驟群。
本發明係以使用會延伸於與旋轉台之移動路徑交叉的方向，並具備有 朝向下方來噴出氣體之氣體噴出孔的氣體噴嘴，而將原料氣體供給至旋轉台上之基板的技術為對象。在將真空容器之中心部側、周壁側分別定義為內側及外側時，除了從內外方向來觀察時，會將原料氣體供給至基板通過區域之全區域的主氣體噴嘴以外，為了補償主氣體噴嘴供給氣體的不足部分還使用輔助噴嘴。然後，藉由中心側輔助噴嘴來將原料氣體供給至旋轉台上之基板通過區域的內側區域，藉由周緣側輔助噴嘴來將原料氣體供給至旋轉台上之基板通過區域的外側區域。因此，便可將活化後之氣體補充至在藉由主氣體噴嘴來供給氣體時氣體活化較低的基板靠近內側區域周緣與靠近外側區域周緣。從而，便會使得基板所成膜出之膜的面內均勻性變得良好。
1‧‧‧真空容器
2‧‧‧旋轉台
7‧‧‧加熱器單元
41‧‧‧主噴嘴
42‧‧‧周緣側輔助噴嘴
43‧‧‧中心側輔助噴嘴
44‧‧‧氣體噴出孔
45‧‧‧DCS氣體供給源
C‧‧‧中心側區域
D‧‧‧分離區域
P1‧‧‧第1處理區域
P2‧‧‧第2處理區域
P3‧‧‧改質區域
W‧‧‧晶圓
圖1係本發明實施形態相關之成膜裝置的縱剖面圖。
圖2係該成膜裝置的俯視圖。
圖3係顯示第1處理區域的立體圖及剖面圖。
圖4係顯示第1處理區域的俯視圖。
圖5係顯示在第1處理區域中所供給之DCS氣體的活性之說明圖。
圖6係顯示在第1處理區域中所供給之DCS氣體的吸附量之說明圖。
圖7係顯示本發明實施形態相關的成膜裝置之其他例的俯視圖。
圖8係顯示周緣側輔助噴嘴變形例之立體剖面圖。
圖9係顯示周緣側輔助噴嘴變形例之剖面圖。
圖10係說明實驗例1-1~1-3中之主噴嘴的說明圖。
圖11係顯示實驗例1-1~1-3中晶圓之X軸方向的膜厚分布之特性圖。
圖12係顯示實驗例1-1~1-3中晶圓之Y軸方向的膜厚分布之特性圖。
圖13係說明實驗例2-1~2-3中之中心側輔助噴嘴的說明圖。
圖14係顯示實驗例2-1~2-3中晶圓之Y軸方向的膜厚分布之特性圖。
圖15係顯示實驗例2-4~2-7中晶圓之Y軸方向的膜厚分布之特性圖。
圖16係說明實驗例3-1~3-3中之周緣側輔助噴嘴的說明圖。
圖17係顯示實驗例3-1~3-3中晶圓之Y軸方向的膜厚分布之特性圖。
圖18係顯示實驗例3-4~3-7中晶圓之Y軸方向的膜厚分布之特性圖。
就本發明實施形態相關之成膜裝置來加以說明。此成膜裝置如圖1及圖2所示，係具備有平面形狀為概略圓形的真空容器1，以及設置於此真空容器1內，而於該真空容器1中心具有旋轉中心並讓晶圓W公轉用之旋轉台2。真空容器1係具備有頂板11及容器本體12，頂板11會構成為可從容器本體12裝卸。頂板11上面側之中央部為了抑制相異的處理氣體彼此會在真空容器1內之中央部中混合，係連接有供給氮氣(N2)來作為分離氣體用的分離氣體供給管51。
旋轉台2係在中心部區域C被固定於概略圓筒形狀之核心部21，且會構成為藉由連接於此核心部21下面且延伸於垂直方向的旋轉軸22，來繞垂直軸(在此範例中從上方看來為繞順時針)自由旋轉。圖1中，23係讓旋轉軸22繞垂直軸旋轉之驅動部，20係收納旋轉軸22及驅動部23的殼體。此殼體20係連接有將氮氣供給至旋轉台2下方區域來作為沖淨氣體用的沖淨氣體供給管72。
旋轉台2表面部(上面部)如圖1、圖2所示，係形成有用以載置直徑尺寸為例如300mm的晶圓W之圓形狀凹部24，此凹部24會沿著旋轉台2之旋轉方向(周圍方向)來設置於複數處，例如5處。凹部24會以將晶圓W收納於該凹部24時，會使晶圓W表面與旋轉台2表面(未載置有晶圓W的區域)為一致的方式來設定直徑尺寸及深度尺寸。
回到圖1，旋轉台2與真空容器1底面部之間的空間係橫跨整周來設置有為加熱部之加熱器單元7，且會構成為透過旋轉台2來將旋轉台2上之晶圓W加熱至例如400℃。圖1中，17係加熱器單元7側邊側所設置之蓋體構件，70係覆蓋此加熱器單元7上方側的覆蓋構件。又，加熱器單元7下方側係橫跨周圍方向來在複數處設置有貫穿真空容器1底面部的沖淨氣體供給管73。
真空容器1側壁如圖2所示，係形成有用以在未圖示之外部搬送臂與旋轉台2之間進行晶圓W之收授的搬送口15，此搬送口15係構成為藉由未圖示之閘閥來氣密地自由開閉。旋轉台2之凹部24會在面向此搬送口15的位置，於與搬送臂之間進行晶圓W的收授，該收授位置所對應之部分係設置有在旋轉台2下方側貫穿凹部24而從內面來將晶圓W抬升用之收授用的升降銷 及其升降機構(皆未圖示)。
如圖2所示，各別與旋轉台2之凹部24的通過區域所對向的位置係從搬送口15看來繞順時針依序於真空容器1周圍方向(旋轉台2之旋轉方向)互相隔有間隔地配置有改質區域P3、分離氣體供給部35、第1處理區域P1、分離氣體供給部34以及第2處理區域P2。
關於第1處理區域P1係參照圖2~圖4來加以說明。另外，雖各噴嘴所設置之氣體噴出孔44係設置於噴嘴下面，但圖4中，為了說明簡化上係顯示噴嘴上面。第1處理區域P1係從旋轉方向上游側各別以對向於旋轉台2之基板載置面而水平地延伸之方式來各別安裝有供給為處理氣體之DCS氣體的主噴嘴41、周緣側輔助噴嘴42及中心側輔助噴嘴43。
主噴嘴41係以從真空容器1外周壁朝向中心部區域C來延伸，且會跨過在讓旋轉台2旋轉時晶圓W所通過之區域的方式來加以設置。主噴嘴41會構成為前端被封住的筒狀，主噴嘴41下面係在從旋轉台2上之晶圓W通過區域的外周緣朝旋轉台2外周側遠離26mm的位置到從晶圓W通過區域的內周緣朝旋轉台旋轉中心側遠離24mm的位置之範圍內，設置有於長度方向等間隔地排列之複數氣體噴出孔44。
相對於主噴嘴41而鄰接於旋轉台2之旋轉方向下游側的位置係設置有用以補償來自主噴嘴44相對於旋轉台2之外緣側的晶圓W周緣部之氣體供給的周緣側輔助噴嘴42。周緣側輔助噴嘴42係在較旋轉台2上之晶圓W通過區域要靠外側的範圍從真空容器1外周壁朝向中心部區域C來加以延伸。周緣側輔助噴嘴42係構成為前端被封住之筒狀，周緣側輔助噴嘴42下面係在與較旋轉台2上之晶圓W通過區域要靠旋轉台2外側區域對向的數mm~數十mm的長度區域而於長度方向等間隔地設置有氣體噴出孔44。
相對於周緣側輔助噴嘴42而鄰接於旋轉台2之旋轉方向下游側的位置係設置有用以補償來自主噴嘴41相對於旋轉台2之中心部區域C側的晶圓W周緣部之氣體供給的中心側輔助噴嘴43。中心側輔助噴嘴43係以從真空容器1外周壁朝向中心部區域C，並跨過旋轉台2上之晶圓W通過區域的方式來加以設置，且構成為前端被密封的筒狀。中心側輔助噴嘴43前端側下面係在對向於較旋轉台2上之晶圓W通過區域內周緣要靠真空容器1中心側的區域的數mm~數十mm的長度區域而於長度方向等間隔地設置有氣體噴出孔 44。又，圖3(a)係顯示第1處理區域P1的立體分解圖，圖3(b)係顯示第1處理區域P1之剖面圖。第1處理區域P1係設置有橫跨長度方向來覆蓋主噴嘴41、周緣側輔助噴嘴42及中心側輔助噴嘴43上方而形成為帽型剖面形狀之由例如石英所構成的噴嘴蓋體6。在噴嘴蓋體6上面與頂板11之間形成有間隙，且會構成為分離氣體供給部34、35所流出之分離氣體的一部分不會進入至噴嘴蓋體6下方。
主噴嘴41、周緣側輔助噴嘴42及中心側輔助噴嘴43的基端側會各別連接有貫穿真空容器1的氣體供給管41a~43a，並會透過閥V41~V43來各別連接於DCS氣體供給源45。另外，雖DCS氣體供給源45亦有供給DCS與為載體氣體之N2氣體的混合氣體的情況，但為了簡化，便顯示DCS氣體供給源。又，圖中之M41~M43係流量調整部。
第2處理區域P2係具備有與主噴嘴41相同構成之氨氣(NH3)供給噴嘴32，NH3氣體供給噴嘴32之基端側係連接有貫穿真空容器1之氣體供給管32a，並會連接於供給NH3氣體的NH3氣體供給源48。第2處理區域P2上方側係各別設置有將NH3氣體供給噴嘴32所噴出之NH3氣體電漿化之電漿產生部81。
如圖1、圖2所示，電漿產生部81係將例如由金屬線所構成之天線83卷繞為線圈狀而構成，並被收納於例如以石英等所構成之框體80。天線83會藉由各別介設有匹配器84之連接電極86來連接於頻率為例如13.56MHz及輸出電力為例如5000W的高頻電源85。另外，圖中之82係遮蔽高頻產生部所產生之電場的法拉第遮蔽，87係讓高頻產生部所產生之磁場到達至晶圓W的狹縫。又，法拉第遮蔽82與天線83之間所設置之89係絕緣板。
改質區域P3係具備有與主噴嘴41相同構成之電漿用處理氣體噴嘴33。電漿用處理氣體噴嘴33的基端側係連接有貫穿真空容器1之氣體供給管33a，並連接於氬氣(Ar)與氫氣(H2)的混合氣體供給源46。改質區域P3上方側係分別設置有與第2處理區域P2同樣地會將電漿用處理氣體噴嘴33所噴出之Ar氣體及H2氣體電漿化的電漿產生部81。
2個分離氣體供給部34、35係各別以與主噴嘴41相同構成的噴嘴來加以構成，分離氣體供給部34、35的基端側係連接有貫穿真空容器1之氣體供給管34a、35a，並連接於N2氣體供給源47。各分離氣體供給部34、35上方如 圖2所示，係分別設置有平面形狀為概略扇形之凸狀部4，分離氣體供給部34、35係被收納於此凸狀部4所形成之溝部36內。分離氣體供給部34所噴出之N2氣體會從分離氣體供給部34朝真空容器1周圍方向兩側擴散，而形成分離第1處理區域P1側的氛圍與第2處理區域P2側的氛圍之分離區域D。又，分離氣體供給部35所噴出之N2氣體會從分離氣體供給部35朝真空容器1周圍方向兩側擴散，而形成分離改質區域P3側的氛圍與第1處理區域P1側的氛圍之分離區域D。
從而，分離氣體供給部34從旋轉台2之旋轉方向上游側看來，係設置於改質區域P3與第1處理區域P3之間，分離氣體供給部35從旋轉台2之旋轉方向上游側看來，係設置於第1處理區域P1與第2處理區域P2之間。又，分離氣體供給部35同樣地從旋轉台2之旋轉方向上游側看來，係設置於第2處理區域P2與第1處理區域P1之間。
如圖1、圖2所示，在旋轉台2外周側中較該旋轉台2要稍微靠下方的位置係配置有形成作為溝部之氣體流道101之覆蓋體的側環100。側環100上面係在第1處理區域P1下游側、第2處理區域P2下游側以及改質區域P3下游側的3處以會互相分離於周圍方向的方式來形成有排氣口61。該等排氣口61如圖1所示，係各別藉由介設有蝶閥等的壓力調整部65之排氣管63來連接於為真空排氣機構的例如真空泵64。
又，成膜裝置係設置有由用以進行裝置整體動作之控制的電腦所構成之控制部120。控制部120之記憶體內係儲存有用以進行下述成膜處理之程式。此程式會以實行下述裝置動作的方式來構成有步驟群，並藉由硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡、軟碟等的記憶媒體來被加以安裝。
就上述實施形態之作用來加以說明。另外，說明書中，為了簡化說明係將從真空容器1外壁朝向中心部區域C的方向稱為Y軸方向，將正交於Y軸方向，亦即讓旋轉台2旋轉時晶圓W所移動的方向稱為X軸方向。首先，開啟閘閥，而讓旋轉台2間歇性地旋轉，並藉由搬送臂透過搬送口15來將例如5片之晶圓W搬入至真空容器1，伴隨著上述未圖示之升降銷的升降動作，來載置於旋轉台2上。接著，關閉閘閥，而藉由真空泵64及壓力調整部65來在真空容器1內進行抽氣並讓旋轉台2繞順時針並以例如10rpm的轉速旋轉，並藉由加熱器單元7來將晶圓W加熱至例如400℃。
接著，在第1處理區域P1中從主噴嘴41來供給混合例如1000sccm流量的DCS氣體與500sccm流量而為載體氣體之N2氣體的1500sccm流量的混合氣體。又，從周緣側輔助噴嘴42以例如20sccm流量來供給DCS氣體，進一步地，從中心側輔助噴嘴43以例如20sccm流量來供給DCS氣體。另外，說明書中為了簡化說明，雖將DCS氣體與N2氣體之混合氣體記載為DCS氣體，但在噴嘴所噴出之氣體流量的說明中，就未特別記載有混合氣體的DCS氣體係僅供給DCS氣體。
又，以例如100sccm來將NH3氣體噴出至第2處理區域P2，從改質區域P3以例如10000sccm來噴出Ar氣體及H2氣體的混合氣體。進一步地，從分離氣體供給部34以例如5000sccm來噴出分離氣體，亦從分離氣體供給管51及沖淨氣體供給管72、73以既定流量來噴出氮氣。然後，藉由壓力調整部65來將真空容器1內調整為例如100Pa。又，電漿產生部81中，係對各天線83以成為例如1500W的方式來供給高頻電力。藉由以透過狹縫97所通過之磁場來將供給至電漿產生部81下方之氣體個別活化，來生成例如離子或自由基等的電漿。
然後，以例如10rpm的轉速來讓旋轉台2旋轉。在此係著眼於一個晶圓W，首先，晶圓W會進入至第1處理區域P1，而依序通過主噴嘴41、周緣側輔助噴嘴42及中心側輔助噴嘴43的前方。主噴嘴41之氣體噴出孔44所噴出之DCS氣體雖在噴出後未被充分加熱，但會在旋轉台2上擴散於徑向，並藉由來自旋轉台2或晶圓W的熱量來升溫，而被活化。此般現象會在主噴嘴41之下方側整體產生，以晶圓W之徑向來觀察時，晶圓W的各位置會存在有從其他位置流過來且被充分加熱之氣體總量所對應之量的活性基。亦即，在著眼晶圓W上的某位置時，該位置之活化程度(活性基的量)會被到達至該位置之氣體的到達路徑所影響。
因此，晶圓W中央部在以旋轉台2之徑向來觀察時，會因為從主噴嘴41噴出至晶圓W周緣側之DCS氣體會到達，而使得DCS氣體被充分活化。另外，在靠近旋轉台2中心側的晶圓W周緣部中，若是著眼於從主噴嘴41來噴出至晶圓W中央部的DCS氣體的話，到達至該晶圓W周緣部之DCS氣體的到達路徑可說是較長。然而，由於為旋轉台2中心側且從晶圓W周緣部離最遠之主噴嘴41的氣體噴出孔的配列區域端部會靠近晶圓W周緣部，故該端部 所噴出之DCS氣體從旋轉台2中心側到達至晶圓W周緣部的到達路徑會較晶圓W周緣部要短。這種情況在靠近旋轉台2外緣側之晶圓W周緣部亦可說是相同。其結果，在僅著眼於主噴嘴41時，DCS氣體的活化程度在晶圓W周緣部的方面便會較晶圓W中央部要小。
另一方面，由於中心側輔助噴嘴43之氣體噴出孔44的配列區域係形成於較晶圓W要靠近其中心部區域C的旋轉台2上方，故該氣體噴出孔44所噴出之氣體便會擴散而到達至晶圓W周緣部。關於中心側輔助噴嘴43所噴出之DCS氣體雖到達該周緣部的到達路徑較短，且在該周緣部中活化程度並不大，亦即被活化之DCS氣體的量並不多，但卻會補償在僅使用主噴嘴41的情況所產生之晶圓W的周緣部相對中央部之DCS氣體的活性基量之不足部分。
關於周緣側輔助噴嘴42所噴出之DCS氣體亦同樣地會補償旋轉台2外緣側之晶圓W周緣部中的DCS氣體的活性基量之不足部分。如此一來，第1處理區域P1中，便會於旋轉台2之徑向(Y軸方向)，讓DCS氣體在帶有良好的均勻性而被活化之狀態下來被供給至晶圓W，而使得DCS氣體吸附。
圖5係將各噴嘴43、41、42所噴出之DCS氣體的活性基之量分布作為帶狀部分91~93的寬度而概略性地顯示之圖式，中央帶狀部分91係表示主噴嘴41所噴出之DCS氣體的活性基量之分布，旋轉台2外緣側之帶狀部分92係表示周緣側輔助噴嘴42所噴出之DCS氣體的活性基量之分布，旋轉台2中心側之帶狀部分93係表示中心側輔助噴嘴43所噴出之DCS氣體的活性基之量的分布。
從而，在晶圓W通過中心側輔助噴嘴43、周緣側輔助噴嘴42以及主噴嘴41的3根噴嘴時，各噴嘴41~43所供給之DCS氣體會吸附於晶圓W。圖6係概略性地顯示晶圓W中之中心側輔助噴嘴43、周緣側輔助噴嘴42及主噴嘴41所供給之DCS氣體的吸附量。如圖6(b)所示，主噴嘴41所供給之DCS氣體，係在晶圓W中之旋轉台2的旋轉中心側區域以及靠近旋轉台2外緣之區域中，DCS的吸附量會變少。相對於此，如圖6中(a)所示，中心側輔助噴嘴43所供給之DCS氣體會較多吸附於晶圓W中之旋轉台2的旋轉中心側，如圖6中(c)所示，周緣側輔助噴嘴42所供給之DCS氣體會較多吸附於晶圓W中之靠近旋轉台2外緣的區域。從而，藉由通過3根的噴嘴41~43，來加總各別藉 由各噴嘴41~43所吸附的DCS氣體的量，便會使得晶圓W在Y軸方向之DCS氣體的吸附量均勻性變得良好。
然後，在第1處理區域P1中吸附有DCS氣體的晶圓W會藉由讓旋轉台2旋轉，來進入至第2處理區域P2，而藉由NH3氣體電漿來將晶圓W上所吸附之DCS氣體氮化，以形成1層或複數層為薄膜成分之矽氮化膜(SiN膜)分子層，而形成反應生成物。
然後進一步地，藉由讓旋轉台2旋轉，來讓晶圓W進入至改質區域P3，而藉由讓電漿衝撞於晶圓W表面，來從例如SiN膜釋放出為HCl或有機氣體等的雜質，或是再配列SiN膜內之元素而謀求SiN膜的緻密化(高密度化)。如此一來，藉由持續旋轉台2之旋轉，來依序進行多次數的DCS氣體朝晶圓W表面之吸附、晶圓W表面所吸附之DCS氣體成分的氮化及反應生成物之電漿改質，而層積出反應生成物，以形成薄膜。
根據上述實施形態，在真空容器1內加熱以旋轉台2來公轉之晶圓W，並進行複數次依序供給DCS氣體及NH3氣體的循環，以於晶圓W成膜出SiN膜的成膜裝置係構成為如下述。亦即，設置有在對晶圓W供給DCS氣體時，會從真空容器1周壁來朝向旋轉台2中心延伸並沿著徑向來對晶圓W供給DCS氣體之主噴嘴41。進一步地，設置有將氣體供給至較旋轉台2之晶圓W通過區域靠旋轉台2外周側要遠離的區域之周緣側輔助噴嘴42，以及將氣體供給至較晶圓W通過區域靠旋轉台2中心側要遠離的區域之中心側輔助噴嘴43。因此，便如上述般，在從主噴嘴41來供給DCS氣體的情況，會將活化後之DCS氣體補充至以旋轉台2之徑向來觀察時，DCS氣體的活化程度較低，亦即DCS氣體吸附量有不足傾向的晶圓W兩端。因此，便會使得晶圓W所成膜出之膜的膜厚面內均勻性變得良好。
進一步地，DCS氣體為了吸附於晶圓W上，係需要加熱DCS氣體而活化。因此，周緣側輔助噴嘴42及中心側輔助噴嘴43係藉由氣體噴出孔44會從晶圓W通過區域分離設置，便可使得DCS氣體會藉由從晶圓W擴散移動而被加熱，並以越靠晶圓W中之旋轉台2內周側及外周側則吸附量會越多的方式來加以吸附。
又，發明人在著眼於從主噴嘴41來供給DCS氣體的情況之晶圓W表面的DCS氣體吸附量之Y軸方向的分布時，便掌握到旋轉台2中心側的DCS氣 體吸附量在旋轉台2中心側端部為最少。
因次，較佳地係以在旋轉台2中心側中之晶圓W周緣中，DCS氣體吸附量會成為最大的方式來調整利用中心側輔助噴嘴43的DCS氣體吸附量之Y軸分布。
如下述驗證試驗2所示，藉由將氣體噴出孔44設置於從晶圓W通過區域中之內周緣遠離於旋轉台2中心側的位置，而供給DCS氣體，便可在DCS氣體吸附量的Y軸方向之分布中，使得DCS氣體吸附量的最大值位於更靠近晶圓W中心側周緣的位置。設置此氣體噴出孔44的範圍較佳地係從晶圓W通過區域的內周緣朝旋轉台2中心側遠離8mm~26mm左右之範圍。
又，從中心側輔助噴嘴43所噴出之DCS氣體的流速越慢或DCS氣體的分壓越高((DCS氣體的流量/DCS氣體的流量+載體氣體之流量)的數值越大)，則DCS氣體會越容易滯留於旋轉台2上之噴出位置。因此，擴散至晶圓W為止的時間變長，而活性便會容易提高並變得容易吸附。因此，在中心側輔助噴嘴43將氣體噴出孔44設置於較晶圓W通過區域鐘之內周緣要靠旋轉台2中心側時，便可使得DCS氣體吸附量的最大值位在更靠近晶圓W中之旋轉台2之中心側周緣。
從而，如下述驗證試驗2所示，較佳地係中心側輔助噴嘴43所供給之DCS氣體的流速為40sccm以下，更佳地為10~30sccm。藉此，便可使得利用中心側輔助噴嘴43之DCS氣體吸附量的Y軸方向之分布成為在旋轉台2中心側中之晶圓W周緣中DCS氣體吸附量會成為最大之分布，在補償主噴嘴41所供給之DCS氣體的不足部分時，便可讓晶圓W中之旋轉台2中心側周緣的DCS氣體的吸附量成為均勻。
又，掌握到晶圓W表面中之DCS氣體吸附量的Y軸方向之分布中，旋轉台2外緣側之DCS氣體吸附量亦同樣地在旋轉台2外緣側端部會變得最少。
如下述驗證試驗3所示，藉由將氣體噴出孔44設置於從晶圓W通過區域的外周緣來遠離於旋轉台2外緣側的位置而供給DCS氣體，便可在DCS氣體吸附量之Y軸方向的分布中，使得DCS氣體吸附量的最大值位於靠近晶圓W中之旋轉台2中心側周緣的位置。設置此氣體噴出孔44的範圍較佳地係從晶圓W通過區域的外周緣朝旋轉台2外緣側遠離9mm~28mm左右之範圍。
又，周緣側輔助噴嘴42中，亦是所噴出之氣體的流速越慢或氣體的分 壓越高，則DCS氣體會越容易滯留且變得容易吸附於晶圓W，而可使得DCS氣體吸附量的最大值接近於更靠晶圓W之旋轉台2外緣側周緣。因此，較佳地係DCS氣體的流速為40sccm以下，更佳地為10~30sccm。
又，如上述般，藉由調整周緣部輔助噴嘴42及中心側輔助噴嘴43所噴出之DCS氣體與載體氣體之流量比，來改變藉由各周緣側輔助噴嘴42及中心側輔助噴嘴43所噴出之成膜氣體所成膜出之膜的膜厚分布。因此，亦可構成為能調整周緣側輔助噴嘴42及中心側輔助噴嘴43所供給之DCS氣體的濃度。例如圖7所示，讓一端側連接在主氣體噴嘴41之氣體供給管41a的另端側分歧，而將DCS氣體供給源45透過閥V411、流量調整部M411來設置於一邊的分歧端。又，將N2氣體供給源47透過閥V412、流量調整部M412來設置於氣體供給管41a的另邊分歧端。同樣地，讓一端側連接在周緣側輔助噴嘴42之氣體供給管41b的另端側分歧，而將DCS氣體供給源45、N2氣體供給源47分別設置於分歧端，讓一端側連接在中心側輔助噴嘴43之氣體供給管41c的另端側分歧，而將DCS氣體供給源45、N2氣體供給源47分別設置於分歧端。另外，圖7中之V421、V422、V431、V432係閥，M421、M422、M431、M432係流量調整部。
以此般來加以構成，便可以調整各流量調整部M411、M412、M421、M422、M431、M432以及各閥V411、V412、V421、V422、V431、V432，來調整各主噴嘴41、周緣側輔助噴嘴42及中心側輔助噴嘴43所供給之DCS氣體濃度。從而，由於可各別改變藉由主噴嘴41所供給之氣體來成膜出之膜的膜厚分布、藉由周緣側輔助噴嘴42所供給之氣體來成膜出之膜的膜厚分布、藉由中心側輔助噴嘴43所供給之氣體來成膜出之膜的膜厚分布，故可調整晶圓W所成膜出之膜的膜厚分布均勻性。
就周緣側輔助噴嘴42之變形例來加以說明。由於在讓旋轉台2旋轉時，真空容器1周壁側區域的移動速度會較中心側要快，故所供給之氣體會被冷卻而使得活性容易下降。因此，晶圓W在真空容器周壁側的區域吸附量會容易減少。從而，亦可提高周緣側輔助噴嘴42所供給之DCS氣體的活性後再供給。
例如圖8、圖9所示，周緣側輔助噴嘴42係具備扁平矩形之氣體室46，氣體室46會配置為對向於旋轉台2。氣體室46中之旋轉台2旋轉方向的上游 側周緣部上面係連接有供給DCS氣體之氣體供給管47，該旋轉方向下游側周緣部下面係沿著旋轉台2之徑向來設置有複數氣體噴出孔48。氣體室46中之氣體供給管47附近係設置有區劃壁49，區劃壁49係設置有延伸於長度方向之狹縫50。
若是使用此般周緣側輔助噴嘴42的話，從氣體供給管47供給至氣體室46的DCS氣體會在氣體室46內透過狹縫50而在從氣體噴出孔48噴出為止的期間藉由加熱器單元7之熱量來被加以加熱。因此，便可加熱DCS氣體而在提高活性的狀態下來供給至晶圓W，而可在晶圓W之真空容器1的周壁側區域中讓DCS氣體快速地吸附至晶圓W。又，亦可將加熱部設置於周緣側輔助噴嘴42中之例如氣體室46，進一步地，亦可將中心側輔助噴嘴43及主噴嘴41採用與如圖8、圖9所示之周緣側輔助噴嘴42相同之構造。
又，本發明之成膜裝置可為例如在原料氣體使用BTBAS(二(特丁胺基)矽烷)，並供給氧氣(O2)來取代NH3氣體的矽氧化膜之成膜裝置，或是使用TiCl4氣體來作為原料氣體，使用NH3氣體來作為反應氣體的氮化鈦膜之成膜裝置。進一步地，成膜裝置亦可具備讓旋轉台2所載置之晶圓W各別自轉的自轉機構。由於晶圓W的X軸方向、Y軸方向的任一者均可使得膜厚均勻，故會在讓晶圓W自轉而成膜時，使得膜厚的面內均勻性變得良好。
[驗證試驗1]
為了驗證本發明效果，便進行以下試驗。使用上述實施形態相關之成膜裝置，並僅藉由主噴嘴41來進行DCS氣體之供給，而在晶圓W進行成膜處理。如圖10所示，在主噴嘴41處，係將氣體噴出孔44設置在從較晶圓W通過區域中之旋轉台2中心側周緣朝旋轉台2中心側要遠離24mm的位置到較晶圓W通過區域中之真空容器1的周壁側周緣朝真空容器1周壁側要遠離26mm的位置為止之範圍d0。將從主噴嘴41供給1000sccm流量的DCS氣體，以及500sccm流量的N2氣體的混合氣體之範例作為實驗例1-1。又，將DCS氣體與N2氣體的流量分別為600sccm、900sccm的範例作為實驗例1-2，將分別為300sccm、1200sccm的範例作為實驗例1-3。
將晶圓W加熱溫度設定為400℃，將程序壓力設定為100Pa，將Ar氣體、H2氣體、NH3氣體的流量分別設定為2000sccm、600sccm、300sccm。以10rpm的旋轉速度來讓旋轉台2旋轉並以139次循環來重複實施形態所示之成膜處 理的循環，而成膜出SiN膜，並就各實驗例1-1~實驗例1-3中晶圓W所成膜出之SiN膜的膜厚分布來加以調查。
圖11係顯示其結果，並顯示各實驗例1-1~實驗例1-3中之主噴嘴41所正交之方向(X軸方向：晶圓W的旋轉方向下游側為0mm)中的晶圓W徑向上的SiN膜之膜厚(nm)。又，圖12係顯示各實驗例1-1~實驗例1-3中之主噴嘴41的延伸方向(Y軸方向)中的晶圓W徑向上的SiN膜之膜厚(nm)。又，藉由X軸方向及Y軸方向的各測量值來求出面內均勻性(%：±[(測量值之最大值-測量值之最小值)/(測量值之平均值×2)]×100)。
如圖11、圖12所示，雖在主噴嘴41所正交之方向(X軸方向)中，實驗例1-1~實驗例1-3的面內均勻性分別為較低的0.99%、1.17%、1.65%，膜厚之面內均勻性為良好，但主噴嘴41的延伸方向(Y軸方向)中，面內均勻性分別為較高的5.46%、6.01%、7.81%，膜厚之面內均勻性較差。
如圖11、圖12所示，在X軸方向、Y軸方向的任一者中，實驗例1-1都會使得膜厚變得最厚，接著便以實驗例1-2、實驗例1-3的順序來讓膜厚變厚。
如圖12所示，在Y軸方向中，所有的實驗例1-1~1-3中，晶圓W在成膜裝置外周側之部分的膜厚都會較晶圓W中心側部位要薄上1nm左右。進一步地，所有的實驗例1-1~1-3中，晶圓W在旋轉台2的中心側部位的膜厚都會較晶圓W中心側部位要薄上0.5nm左右。
根據此結果，便可說是會依照DCS氣體的濃度來使得膜厚變厚。由此看來，NH3氣體乃是被充分地供給，而並非是因為NH3氣體不充足所致的速率限制而讓SiN膜的膜厚被限制。因此，應該是因DCS氣體之晶圓W吸附量的差異來決定膜厚，而藉由DCS分壓來改變吸附量。
[驗證試驗2]
為了調查中心側輔助噴嘴43中之氣體噴出孔44之位置及所噴出之DCS氣體流量所致之晶圓W所形成的膜之膜厚分布，便進行以下試驗。如圖13所示，將在從靠近中心側輔助噴嘴43中之旋轉台2中心側的晶圓W周緣位置，朝旋轉台2中心側遠離24mm的範圍加上朝旋轉台2外周側遠離20mm的範圍之44mm的範圍d1設置有92個氣體噴出孔44的範例作為實驗例2-1。將在從靠近中心側輔助噴嘴43中之旋轉台2中心側的晶圓W周緣位置，朝旋轉台2中心側遠離24mm的範圍d2設置有52個氣體噴出孔44的範例作為實驗例 2-2。進一步地，將在從靠近中心側輔助噴嘴43中之旋轉台2中心側的晶圓W周緣，朝旋轉台2中心側遠離10mm的位置到24mm的位置為止之14mm的範圍d3設置有24個氣體噴出孔44的範例作為實驗例2-3。
從中心側輔助噴嘴43以20sccm的流量來供給DCS氣體，且將晶圓W的加熱溫度設定為400℃，將程序壓力設定為100Pa，將Ar氣體、H2氣體以及NH3氣體的流量分別設定為2000sccm、600sccm、300sccm。以10rpm的旋轉速度來讓旋轉台2旋轉並以139次循環來重複實施形態所示之成膜處理的循環，而成膜出SiN膜，並就各實驗例2-1~2-3中晶圓W所成膜出之SiN膜的膜厚分布來加以調查。
圖14係顯示其結果。實驗例2-1~2-3中測量出膜厚最大值的位置係在實驗例2-3中為最靠近旋轉台2中心之位置。根據此結果，便可說藉由將氣體噴出孔44設置於較靠近旋轉台2中心側之晶圓W周緣的位置要靠旋轉台2中心側，便能越靠近旋轉台2中心側，則會越接近於膜厚較厚之膜厚分布。如圖14所示，作為設置氣體供給孔44的區域之最佳範圍係從靠近中心側輔助噴嘴43中之旋轉台2內周的晶圓W周緣位置朝旋轉台2中心側遠離10mm的位置至24mm的位置為止之範圍d3。由此看來，較佳地，氣體供給孔44從邊緣看來係設置於從晶圓W周緣位置朝旋轉台2外周側遠離8mm的位置要靠外側。
又，就使用實驗例2-3所示之中心側輔助噴嘴43，而利用從中心側輔助噴嘴43所噴出之DCS氣體及N2氣體之流量的晶圓W所成膜出之膜的膜厚分布來加以調查。除了將DCS氣體及載體氣體(N2氣體)之流量(DCS氣體之流量/N2氣體之流量)設定為(20/0)sccm、(40/0)sccm、(20/200)sccm以及(20/400)sccm以外，都設定為與實驗例2-3相同的範例分別作為實驗例2-4、2-5、2-6及2-7。
圖15係顯示其結果。實驗例2-4~2-7中測量出膜厚最大值的位置係在實驗例2-4中為晶圓W的最靠近旋轉台2中心側周緣的位置。根據此結果，便可說是藉由減少DCS氣體之流量及減少載體氣體來提高DCS分壓，便能越靠近旋轉台2中心側，則會越接近於膜厚較厚之膜厚分布。
[驗證試驗3]
為了調查周緣側輔助噴嘴42中之氣體噴出孔44之最佳位置及所噴出之 DCS氣體流量所致之晶圓W所形成的膜之膜厚分布，便進行以下試驗。如圖16所示，將在從靠近周緣側輔助噴嘴42中之旋轉台2外周側的晶圓W周緣位置，朝旋轉台2外周側遠離26mm的範圍加上朝旋轉台2中心側遠離34mm的範圍之60mm的範圍d4設置有110個氣體噴出孔44的範例作為實驗例3-1。將在從靠近周緣側輔助噴嘴42中之旋轉台2外周的晶圓W周緣位置，朝旋轉台2外周側遠離26mm的範圍d5設置有60個氣體噴出孔44的範例作為實驗例3-2。將在從靠近周緣側輔助噴嘴42中之旋轉台2外周的晶圓W周緣位置，朝旋轉台2外周側遠離11mm的位置到26mm的位置為止之15mm的範圍d6設置有28個氣體噴出孔44的範例作為實驗例3-3。
從周緣側輔助噴嘴42以20sccm的流量來供給DCS氣體，且將晶圓W的加熱溫度設定為400℃，將程序壓力設定為100Pa，將Ar氣體、H2氣體以及NH3氣體的流量分別設定為2000sccm、600sccm及300sccm。以10rpm的旋轉速度來讓旋轉台2旋轉並以139次循環來重複實施形態所示之成膜處理的循環，而成膜出SiN膜，並就各實驗例3-1~3-3中晶圓W所成膜出之SiN膜的膜厚分布來加以調查。
圖17係顯示其結果。實驗例3-1~3-3中測量出膜厚最大值的位置係在實驗例3-3中為最靠近真空容器1外壁之位置。根據此結果，便可說藉由將周緣側輔助氣體噴嘴42所設置之氣體噴出孔44的位置設於較旋轉台2外周側之晶圓W周緣的位置要靠旋轉台2外周側，便能越靠近旋轉台2外周側，則會越接近於膜厚較厚之膜厚分布。如圖17所示，作為設置氣體供給孔44的區域之最佳範圍係從靠近周緣側輔助噴嘴42中之旋轉台2外周的晶圓W周緣位置朝旋轉台2外周側遠離11mm的位置至26mm的位置為止之範圍d6。由此看來，較佳地，氣體供給孔44從邊緣看來係設置於從晶圓W周緣位置朝旋轉台2外周側遠離9mm的位置要靠外側。
又，就使用實驗例3-3所示之周緣側輔助噴嘴42，而利用從周緣側輔助噴嘴42所噴出之DCS氣體及N2氣體之流量的晶圓W所成膜出之膜的膜厚分布來加以調查。除了將DCS氣體及載體氣體(N2氣體)之流量(DCS氣體之流量/N2氣體之流量)設定為(20/0)sccm、(40/0)sccm、(20/200)sccm以及(20/400)sccm以外，都設定為與實驗例3-3相同的範例分別作為實驗例3-4、3-5、3-6及3-7。
圖18係顯示其結果。實驗例3-4~3-7中測量出膜厚最大值的位置係在實驗例3-4中為晶圓W最靠近旋轉台2外周側周緣的位置。根據此結果，便可說是藉由減少DCS氣體之流量及減少載體氣體來提高DCS分壓，便能越靠近旋轉台2外周側周緣，則會越接近於膜厚較厚之膜厚分布。
2‧‧‧旋轉台
12‧‧‧容器本體
41‧‧‧主噴嘴
42‧‧‧周緣側輔助噴嘴
43‧‧‧中心側輔助噴嘴
44‧‧‧氣體噴出孔
W‧‧‧晶圓

Claims (9)

  1. 一種成膜裝置，係在真空容器內，複數次進行依序供給原料氣體及會與原料氣體反應而生成反應生成物的反應氣體之循環，以在基板成膜出薄膜的成膜裝置中，具備有：旋轉台，係設置於該真空容器內，且於其一面側會形成載置基板之基板載置區域，並用以讓此基板載置區域公轉；加熱部，係用以加熱該旋轉台所載置之基板；第1處理區域，係用以朝向該旋轉台之該基板載置區域來供給原料氣體，以進行處理；第2處理區域，係在該旋轉台之周圍方向透過分離部與第1處理區域來分離設置，並用以供給該反應氣體以進行處理；以及主氣體噴嘴、中心側輔助噴嘴以及周緣側輔助噴嘴，係在該第1處理區域以延伸於會各別與該旋轉台之移動路徑交叉的方向之方式，且會互相沿著旋轉台之旋轉方向來加以設置，並且沿著長度方向來形成有各別朝向下方側來噴出原料氣體用之氣體噴出孔；在將該真空容器之中心部側、周壁側分別定義為內側及外側時：該主氣體噴嘴之氣體噴出孔於內外方向來觀察時係會對向於基板的通過區域的全區域及旋轉台上的基板的通過區域之內側區域及外側區域的各區域來加以設置；該中心側輔助噴嘴之氣體噴出孔係設置於旋轉台上之基板的通過區域之內側區域所對向的區域；該周緣側輔助噴嘴之氣體噴出孔係設置於旋轉台上之基板的通過區域之外側區域所對向的區域；該中心側輔助噴嘴及該周緣側輔助噴嘴係分別為了補償主噴嘴供給至基板的內側周緣部及外側周緣部之氣體的不足部分而加以設置；該周緣側輔助噴嘴係具備有藉由來自該加熱部之熱量來加熱該原料氣體的氣體室。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其中該中心側輔助噴嘴及周緣側輔助噴嘴所供給之處理氣體的流速係40sccm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之成膜裝置，其係具備有：流量調整部，係改變該中心側輔助氣體及周緣側輔助氣體所噴出之氣體中，原料氣體相對於載體氣體之流量的流量比。
  4. 如申請專利範圍第2項之成膜裝置，其係具備有：流量調整部，係改變該中心側輔助氣體及周緣側輔助氣體所噴出之氣體中，原料氣體相對於載體氣體之流量的流量比。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之成膜裝置，其中該中心側輔助噴嘴從平面來觀察係該噴出孔會設置於從該基板的通過區域外緣朝旋轉台外緣方向遠離8~26mm的區域。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之成膜裝置，其中該周緣側輔助噴嘴從平面來觀察係該噴出孔會設置於從該基板的通過區域內緣朝旋轉台內緣方向遠離9~28mm的區域。
  7. 如申請專利範圍第5項之成膜裝置，其中該周緣側輔助噴嘴從平面來觀察係該噴出孔會設置於從該基板的通過區域內緣朝旋轉台內緣方向遠離9~28mm的區域。
  8. 一種成膜方法，係在真空容器內，複數次進行依序供給原料氣體及會與原料氣體反應而生成反應生成物的反應氣體之循環，以在基板成膜出薄膜的成膜方法中，包含有：將基板載置於該真空容器內所設置之旋轉台的一面側之工序；加熱該基板之工序；以及複數次重複下述工序之工序：藉由該旋轉台之旋轉而讓基板公轉，來在第1處理區域使用於長度方向配列有朝下方噴出氣體之氣體噴出孔的氣體噴嘴，而將原料氣體供給至基板並吸附之工序；以及在以分離部來相對於該第1處理區域而分離之第2處理區域，將反應氣體供給至基板的工序；在將該真空容器之中心部側、周壁側分別定義為內側及外側時，會進行下述工序：於該第1處理區域中，於內外方向來觀察時，會藉由主氣體噴嘴來將原料氣體供給至基板的通過區域之全區域及旋轉台上之基板的通過區域之內側區域及外側區域的各區域之工序；藉由中心側輔助噴嘴來將原料氣體供給至旋轉台上之基板的通過區域之內側區域的工序；以及藉由周 緣側輔助噴嘴來將原料氣體供給至旋轉台上之基板的通過區域之外側區域的工序；該周緣側輔助噴嘴係具備有藉由來自該加熱部之熱量來加熱該原料氣體的氣體室。
  9. 一種記憶媒體，係記憶有在真空容器內，複數次進行依序供給原料氣體及會與原料氣體反應而生成反應生成物的反應氣體之循環，以在基板成膜出薄膜的成膜裝置所使用的電腦程式之記憶媒體；該電腦程式係以實行如申請專利範圍第8項之成膜方法的方式來構成有步驟群。
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