TWI697113B - 晶片封裝裝置及其製造方法 - Google Patents
晶片封裝裝置及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI697113B TWI697113B TW107110644A TW107110644A TWI697113B TW I697113 B TWI697113 B TW I697113B TW 107110644 A TW107110644 A TW 107110644A TW 107110644 A TW107110644 A TW 107110644A TW I697113 B TWI697113 B TW I697113B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- chip
- packaging
- board
- layer
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 152
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 118
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- XPPWAISRWKKERW-UHFFFAOYSA-N copper palladium Chemical compound [Cu].[Pd] XPPWAISRWKKERW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002165 photosensitisation Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
一種晶片封裝裝置，包含一晶片載體、一晶片，以及一封裝單元。該晶片載體包括一基板及一設置於該基板上的導電結構。該晶片設置於該基板並電連接於該導電結構。該封裝單元包括一封裝板及一連接支撐結構，該封裝板間隔於該晶片並與該基板位於該晶片的兩相反側，該連接支撐結構的兩端分別連接於該晶片與該封裝板，且該連接支撐結構之鄰近該晶片處的截面積小於非鄰近該晶片處的截面積。
Description
本發明是有關於一種晶片封裝裝置，特別是指一種晶片封裝裝置及其製造方法。
半導體封裝結構（Semiconductor package）是一種用於容納、包覆一個或多個半導體元件的結構。當晶圓切割成為獨立的晶粒後，被覆包裝材料可防止晶片受到外力或是水氣影響而造成損壞或故障，同時亦能夠保護晶片用以易於裝配運送。
影像感測器為利用影像晶片以產生影像資料，一般常用於數位相機（DC），或者是其他具有圖像功能的電子產品，例如：手機、平板電腦等。目前，影像感測器較常採用的影像晶片主要是互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS）類型的晶片，不僅生產成本低，更具有較小尺寸的優點因而被廣泛地開發製造。針對影像感測器的微型化，除了影像晶片的類型選用之外，用於對影像晶片進行封裝之相關結構也相當重要。因此，如何提供更加微小化尺寸同時兼具感測精密性的影像感測器，仍是一需關注的技術課題。
因此，本發明之一目的，即在提供一種晶片封裝裝置，能夠提供更加微小化尺寸以提升晶片之可靠度。
於是，本發明晶片封裝裝置在一些實施態樣中，是包含一晶片載體、一晶片，以及一封裝單元。該晶片載體，包括一基板及一設置於該基板上的導電結構。該晶片設置於該基板並電連接於該導電結構。該封裝單元包括一封裝板及一連接支撐結構，該封裝板間隔於該晶片並與該基板位於該晶片的兩相反側，該連接支撐結構的兩端分別連接於該晶片與該封裝板，且該連接支撐結構之鄰近該晶片處的截面積小於非鄰近該晶片處的截面積。
在一些實施態樣中，該晶片為一影像晶片，並包括一面向該封裝板的感光部，及一鄰近該感光部且電連接於該導電結構的焊墊，該連接支撐結構連接於該晶片之處位於該感光部及該焊墊之間。
在一些實施態樣中，該連接支撐結構的截面積從鄰近該封裝板之一端往鄰近該晶片之一端漸減。
在一些實施態樣中，該封裝板具有一面向該基板的連接面，該連接支撐結構具有一設置於該連接面的第一層體，及一連接於該第一層體之鄰近該基板之一側的第二層體，該第二層體的截面積小於該第一層體的截面積。
在一些實施態樣中，該連接支撐結構還具有一用於黏接該第二層體與該晶片的黏著層。
在一些實施態樣中，該封裝單元還包括一封裝層，該封裝板還具有一與該連接面位於相反側的顯露面，該封裝層包覆該基板、該導電結構、該晶片及該封裝板，且未完全覆蓋該封裝板之該顯露面。
在一些實施態樣中，該封裝單元還包括一封裝層，該封裝板還具有一與該連接面位於相反側的顯露面，該封裝層包覆該基板、該導電結構、該晶片及該封裝板。
本發明之另一目的，即在提供一種適用於前述晶片封裝裝置所使用的製造方法。該製造方法包含以下步驟：（a）提供一晶片載體、一晶片及一封裝單元，該晶片載體包括一基板及一設置於該基板上的導電結構，該封裝單元包括一封裝板及一連接於該封裝板的連接支撐結構，該連接支撐結構連接該封裝板之一端的截面積大於遠離該封裝板之一端的截面積。及（b）設置該晶片於該基板並使該晶片與該導電結構電連接，且將該封裝單元由該連接支撐結構遠離該封裝板之一端連接該晶片，使該封裝板與該晶片相互間隔。
在一些實施態樣中，於該步驟（a）該封裝板包括一設置該連接支撐結構的連接面，該連接支撐結構具有一設置於該連接面的第一層體，及一連接於該第一層體之遠離該封裝板之一側的第二層體，該第二層體的截面積小於該第一層體的截面積，且該第一層體及該第二層體是以感光型材料藉由曝光、顯影的方式分次製作。
在一些實施態樣中，於該步驟（a）該封裝板包括一設置該連接支撐結構的連接面，該連接支撐結構具有一設置於該連接面的第一層體，及一連接於該第一層體之遠離該封裝板之一側的第二層體，該第二層體的截面積小於該第一層體的截面積，且該第一層體及該第二層體是以壓合方式製作。
在一些實施態樣中，於該步驟（b）還以點膠或沾膠方式形成一黏著層，以黏接該第二層體與該晶片。
在一些實施態樣中，該封裝板還具有一與該連接面位於相反側的顯露面，於該步驟（b）之後還包含：步驟（c）形成一封裝層以包覆該基板、該導電結構、該晶片及該封裝板，且該封裝層未完全包覆該封裝板之該顯露面。
在一些實施態樣中，該封裝板還具有一與該連接面位於相反側的顯露面，於該步驟（b）之後還包含：步驟（c）形成一封裝層以包覆該基板、該導電結構、該晶片及該封裝板，且該封裝層完全包覆該封裝板之該顯露面。
本發明至少具有以下功效：透過該封裝板間隔於該晶片並與該基板位於該晶片的兩相反側，並且配合該連接支撐結構之設計，使該連接支撐結構的兩端分別連接於該晶片與該封裝板，且該連接支撐結構之鄰近該晶片處的截面積小於非鄰近該晶片處的截面積，藉此縮小該連接支撐結構於該晶片的設置使用面積，如此便可縮減該晶片的尺寸，進而實現該晶片封裝裝置之整體結構的微型化，同時可以提供該封裝板於該晶片上具有良好的支撐能力，以提升該晶片之可靠度與製程組裝之便利性。
在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1，本發明晶片封裝裝置之一第一實施例，包含一晶片載體1、一晶片2，以及一封裝單元3。
詳細來說，該晶片載體1包括一基板11，以及一設置於該基板11上的導電結構12。該基板11用以支撐該晶片2，並具有一內承載面111，以及一位於該內承載面111之相反側的外接觸面112。在本實施例中，該基板11為一矩形薄板，且該基板11的材質為陶瓷材料或者是樹脂材料，陶瓷材料主要為氧化鋁（Al2
O3
）或氮化鋁（AlN）的高導熱材料，但不僅限於氧化鋁（Al2
O3
）或氮化鋁（AlN），在其他實施態樣中，該基板11可以是銅質、鐵質等金屬材質，以及玻璃纖維（Fiberglass）等電路基材。該導電結構12具有一設置於該基板11之該內承載面111的焊線121、一設置於該基板11之該外接觸面112的導電層122，以及其他設置於該基板11而未繪製於圖中的導接線路。該焊線121可以是金、銅、銀、銅鈀合金，或是其他金屬導線。該導電結構12的作用為提供該晶片2與一外部電路板（圖中未繪製）之間的電訊號傳輸功能。
該晶片2設置於該基板11並電連接於該導電結構12。本實施例中，該晶片2是以一影像感測晶片為例作說明，因此，該晶片2包括一感光部21、一圍繞該感光部21外周緣的導接部22，以及一設置於該導接部22並鄰近於該感光部21且電連接於該導電結構12的焊墊23。該晶片2是以打線（Wire bonding）方式，透過該焊墊23而電連接於該導電結構12的該焊線121，在其他實施態樣中，該晶片2也可以採用其他線路連接方式與該基板11的該導電結構12電連接，其設置的方式不以本實施例之揭露內容為限，並且該晶片2的類型也不僅限於影像感測晶片。
該封裝單元3包括一封裝板31、一連接支撐結構32，以及一封裝層33。該封裝板31間隔於該晶片2並與該基板11位於該晶片2的兩相反側，該封裝板31具有一面向該基板11、該晶片2之該感光部21的連接面311，以及一與該連接面311位於相反側的顯露面312，在本實施例中，該封裝板31由一可透光材質所製成而呈透明，例如玻璃，由此能夠提供外界光線良好的穿透能力至該晶片2，以供該晶片2接收外界光線後產生相應的影像訊號，但在該晶片2為非影像感測晶片的實施態樣中，該封裝板31不以上述可透光的實施方式為限。
該連接支撐結構32環繞設置於該晶片2的該感光部21的外周圍，除此之外，該連接支撐結構32的兩端分別連接於該晶片2與該封裝板31，且該連接支撐結構32連接於該晶片2之一端位於該導接部22並位於該感光部21與該焊墊23之間。特別要說明的是，該連接支撐結構32不一定要設在該感光部21與該焊墊23之間，在其他實施態樣中，只要該連接支撐結構32設置於該晶片2的該導接部22之位置，該連接支撐結構32亦同樣具有其功效。該連接支撐結構32具有一設置於該封裝板31之該連接面311的第一層體321、一連接於該第一層體321之鄰近該基板11之一側的第二層體322，以及一用於黏接該第二層體322與該晶片2的黏著層323。在本實施例中，該第一層體321與該第二層體322所製造使用的原料之材質可以為液態或者是薄膜/片，只要是能達成感光效果的材料皆可以採用。另一方面，該黏著層323則為感光型黏著劑，由於感光型黏著劑具有可快速固化、或黏滯係數高而不易流動之樹脂材料的特性，因此，該黏著層323的尺寸易於製程中受到控制，但其設置的方式不以本實施例之揭露內容為限。
參閱圖1，該封裝層33用以包覆該基板11、該導電結構12、該晶片2以及該封裝板31，且該封裝層33未完全覆蓋該封裝板31之該顯露面312，同時該封裝層33也未包覆住該晶片2的該感光部21，使得該晶片2的該感光部21可以經由該封裝板31之該顯露面312而能接收外界光線。該封裝層33較佳為包覆該導電結構12的該導電層122區域之外的所有結構，以確保電氣使用安全並避免水氣、氧氣滲入至該晶片2。在本實施例中，該封裝層33為環氧樹脂、聚亞醯胺等材料製作，或者是由一些在固化成形為該封裝層33時不會影響該晶片2性質的矽化物、氧化物等材質製作。在其他實施態樣中，該封裝層33可以完全包覆該基板11、該導電結構12、該晶片2，以及該封裝板31之該顯露面312的全部（如圖13所繪製），藉此，可額外賦予該晶片封裝裝置具有空橋結構之作用。
具體而言，本實施例將該連接支撐結構32之鄰近於該晶片2區域的截面積配置為小於非鄰近於該晶片2區域的截面積，由此，此處是讓該第二層體322的截面積小於該第一層體321的截面積，另外，該黏著層323的截面積小於或等於該第二層體322的截面積，使得該連接支撐結構32的截面積從鄰近於該封裝板31之一端往鄰近於該晶片2之一端逐漸減縮，因此，由側面側視整體該連接支撐結構32是呈一上寬下窄的形狀。該第一層體321與該第二層體322的尺寸，例如是該第一層體321為寬度100 um與厚度 50 um的層體，而該第二層體322為寬度50 um與厚度 50 um的層體。除此之外，由於該黏著層323的原料具有快速固化之特性，使得該黏著層323的原料於製造過程中不易向周圍擴散、流動，因此，該黏著層323的尺寸可以調整，進而有利於控制該連接支撐結構32的尺寸，同時也有助於該晶片封裝裝置整體之微型化。
特別要說明的是，設計、製造者當能依據實際使用需要作調整，該連接支撐結構32的設置方式不以本實施例之揭露內容為限，同樣可以達到該連接支撐結構32之功效者，均視為本實施態樣的常規變化，例如該連接支撐結構32除了該第一層體321及該第二層體322之外，還可以再設置其他層體，或者也可以僅藉由單一層體形成具有截面積變化形態的結構，均為該連接支撐結構32可據以實施的方式。由此，藉由該封裝單元3的設計，可提供該晶片封裝裝置具有（1）防止水氣滲漏，以及（2）微小尺寸化之特性。
參閱圖2，該第一實施例用於製作該晶片封裝裝置的製造方法包含以下步驟：步驟S10，提供該晶片載體1、該晶片2，以及該封裝單元3。步驟S20，設置該封裝板31於該晶片2上。步驟S30，形成該封裝層33。以下，將詳細說明使用前述該晶片封裝裝置的製造方法。在本實施例中，該晶片封裝裝置的製造方法適用於一影像感測晶片，但在其他實施態樣中，該晶片封裝裝置的製造方法同樣也可適用於其他非影像感測晶片的該晶片2之類型。
參閱圖3，步驟S10：提供該晶片載體1及該晶片2。
準備如前述之該晶片載體1以及該晶片2，並將該晶片2以該感光部21一側朝上的方式而設置於該基板11，並使該晶片2的該焊墊23與該導電結構12的該焊線121相互電連接。
參閱圖4至圖7，步驟S10：提供該封裝單元3。
提供如前述之該封裝單元3。製備該第一層體321於該封裝板31的該連接面311一側，而呈現如圖4所示的態樣。當該第一層體321以感光型樹脂等液態材料製作時，是以塗佈的程序整面式地形成於該封裝板31；當該第一層體321以乾膜光阻等薄膜/片狀材料製作時，則以壓合的程序整面式地形成於該封裝板31。隨即依序以曝光、顯影的程序將該第一層體321依照預定的形狀及位置成形於該封裝板31的該連接面311（如圖5所繪製）。接著，以類似於製作該第一層體321的方式形成該第二層體322於該第一層體321，並使該第二層體322的截面積小於該第一層體321的截面積，而呈現如圖6所示的態樣。最後，再以點膠方式形成該黏著層323於該晶片2的該導接部22並位於該感光部21及該焊墊23之間（如圖7所繪製）。
參閱圖8至圖9，步驟S20：設置該封裝板31於該晶片2上，由於該黏著層323的原料具有快速固化之特性，藉此可避免該黏著層323與該晶片2脫層或變形進而產生漏氣之現象。
在該封裝板31組裝於該晶片2之前，先將該封裝板31的該連接面311朝下（如圖8所繪製）。隨即使該封裝板31安置於該晶片2的上方，透過該晶片2上預先設置的該黏著層323以黏接該封裝板31上的該第二層體322，以固化程序使得該封裝板31得以與該晶片2相互結合，同時藉由該連接支撐結構32的兩端分別連接於該晶片2與該封裝板31，讓該封裝板31與該晶片2呈相互間隔，而呈現如圖9所示的態樣。
參閱圖1，步驟S30：形成該封裝層33。
於該基板11以環氧樹脂等材料製備該封裝層33，使得該封裝層33可以完整地包覆該基板11與該導電結構12，以及部分地包覆該晶片2與該封裝板31，而讓該封裝層33得以未完全包覆該封裝板31之該顯露面312。如此，便完成該晶片封裝裝置的製作。
參閱圖10與圖11，是該晶片封裝裝置的一第二實施例。在本實施例中，該晶片封裝裝置的整體結構與前述第一實施例相同，然於製造方法中，該第二實施例與前述第一實施例的主要不同之處在於在步驟S10中該黏著層323的形成方式。
於該第二實施例中，在依序形成該第一層體321以及該第二層體322於該封裝板31後，接續是以沾膠方式形成該黏著層323於該封裝板31預先設置的該第二層體322，而呈現如圖10所示的態樣，因此此製作步驟跟前述第一實施例將該黏著層323先形成於該晶片2的實施方式有所不同。隨即，將該封裝板31的該連接面311朝下，使該封裝板31安置於該晶片2上方，透過該封裝板31上預先設置的該黏著層323以黏接於該晶片2，以固化程序使得該封裝板31得以與該晶片2相互結合，同時藉由該連接支撐結構32的兩端分別連接於該晶片2與該封裝板31，讓該封裝板31與該晶片2呈相互間隔，而呈現如圖9所示的態樣。而後，再接續與前述第一實施例相同的步驟S30，以便完成該第二實施例的製造步驟。
參閱圖12，是該晶片封裝裝置的一第三實施例。在本實施例中，該晶片封裝裝置的整體結構以及製造方法，大致與前述第一實施例相同，該第三實施例與前述第一實施例的主要不同之處在於該連接支撐結構32的結構以及製作方式。
在步驟S10中，該第一層體321與該第二層體322為預先以壓合方式製作，而呈現如圖12所示的態樣，在本實施例中，該連接支撐結構32的形成結構不同於前述第一實施例的分次製作方式，其餘構造以及製程皆與前述第一實施例並無不同，故不再贅述。如此一來，可使該第一層體321與該第二層體322兩者之間更為緻密而無縫隙，更能夠避免水氣、氧氣滲漏至該晶片2。由此，藉由該封裝單元3的設計，可提供該晶片封裝裝置具有（1）防止水氣滲漏、（2）該連接支撐結構32的尺寸可控制且具一致性，以及（3）微小尺寸化之特性。
綜上所述，本發明晶片封裝裝置，透過該封裝板31間隔於該晶片2並與該基板11位於該晶片2的兩相反側，並且配合該連接支撐結構32之設計，使該連接支撐結構32的兩端分別連接於該晶片2與該封裝板31，且該連接支撐結構32之鄰近該晶片2處的截面積小於非鄰近該晶片2處的截面積，藉此縮小該連接支撐結構32於該晶片2的設置使用面積，如此便可縮減該晶片2的尺寸，進而實現該晶片封裝裝置之整體結構的微型化，同時可以提供該封裝板31於該晶片2上具有良好的支撐能力，在配合該晶片封裝裝置之製造方法，更能夠達成尺寸微型化，以利提升該晶片2之可靠度與製程組裝之便利性，故確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
1‧‧‧晶片載體11‧‧‧基板111‧‧‧內承載面112‧‧‧外接觸面12‧‧‧導電結構121‧‧‧焊線122‧‧‧導電層2‧‧‧晶片21‧‧‧感光部22‧‧‧導接部23‧‧‧焊墊3‧‧‧封裝單元31‧‧‧封裝板311‧‧‧連接面312‧‧‧顯露面32‧‧‧連接支撐結構321‧‧‧第一層體322‧‧‧第二層體323‧‧‧黏著層33‧‧‧封裝層
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1是一示意圖，說明本發明晶片封裝裝置的一第一實施例； 圖2是一步驟流程方塊圖，說明該第一實施例的一製造方法； 圖3至圖9分別為示意圖，說明該第一實施例之各製造過程的實施方式； 圖10是類似於圖6的一示意圖，說明本發明晶片封裝裝置的一第二實施例之製造過程的部份實施方式； 圖11是類似於圖8的一示意圖，說明本發明晶片封裝裝置的該第二實施例之製造過程的部份實施方式； 圖12是類似於圖6的一示意圖，說明本發明晶片封裝裝置的一第三實施例之製造過程的部份實施方式；及 圖13是類似於圖1的一示意圖，說明本發明晶片封裝裝置的一封裝層之結構。
1‧‧‧晶片載體
11‧‧‧基板
111‧‧‧內承載面
112‧‧‧外接觸面
12‧‧‧導電結構
121‧‧‧焊線
122‧‧‧導電層
2‧‧‧晶片
21‧‧‧感光部
22‧‧‧導接部
23‧‧‧焊墊
3‧‧‧封裝單元
31‧‧‧封裝板
311‧‧‧連接面
312‧‧‧顯露面
32‧‧‧連接支撐結構
321‧‧‧第一層體
322‧‧‧第二層體
323‧‧‧黏著層
33‧‧‧封裝層
Claims (13)
- 一種晶片封裝裝置，包含： 一晶片載體，包括一基板及一設置於該基板上的導電結構； 一晶片，設置於該基板並電連接於該導電結構；及 一封裝單元，包括一封裝板及一連接支撐結構，該封裝板間隔於該晶片並與該基板位於該晶片的兩相反側，該連接支撐結構的兩端分別連接於該晶片與該封裝板，且該連接支撐結構之鄰近該晶片處的截面積小於非鄰近該晶片處的截面積。
- 如請求項1所述的晶片封裝裝置，其中，該晶片為一影像晶片，並包括一面向該封裝板的感光部，及一鄰近該感光部且電連接於該導電結構的焊墊，該連接支撐結構連接於該晶片之處位於該感光部及該焊墊之間。
- 如請求項1所述的晶片封裝裝置，其中，該連接支撐結構的截面積從鄰近該封裝板之一端往鄰近該晶片之一端漸減。
- 如請求項1所述的晶片封裝裝置，其中，該封裝板具有一面向該基板的連接面，該連接支撐結構具有一設置於該連接面的第一層體，及一連接於該第一層體之鄰近該基板之一側的第二層體，該第二層體的截面積小於該第一層體的截面積。
- 如請求項4所述的晶片封裝置，其中，該連接支撐結構還具有一用於黏接該第二層體與該晶片的黏著層。
- 如請求項4所述的晶片封裝裝置，其中，該封裝單元還包括一封裝層，該封裝板還具有一與該連接面位於相反側的顯露面，該封裝層包覆該基板、該導電結構、該晶片及該封裝板，且未完全覆蓋該封裝板之該顯露面。
- 如請求項4所述的晶片封裝裝置，其中，該封裝單元還包括一封裝層，該封裝板還具有一與該連接面位於相反側的顯露面，該封裝層包覆該基板、該導電結構、該晶片及該封裝板。
- 一種晶片封裝裝置的製造方法，該製造方法包含以下步驟： （a）提供一晶片載體、一晶片及一封裝單元，該晶片載體包括一基板及一設置於該基板上的導電結構，該封裝單元包括一封裝板及一連接於該封裝板的連接支撐結構，該連接支撐結構連接該封裝板之一端的截面積大於遠離該封裝板之一端的截面積；及 （b）設置該晶片於該基板並使該晶片與該導電結構電連接，且將該封裝單元由該連接支撐結構遠離該封裝板之一端連接該晶片，使該封裝板與該晶片相互間隔。
- 如請求項8所述的晶片封裝裝置的製造方法，其中，於該步驟（a）該封裝板包括一設置該連接支撐結構的連接面，該連接支撐結構具有一設置於該連接面的第一層體，及一連接於該第一層體之遠離該封裝板之一側的第二層體，該第二層體的截面積小於該第一層體的截面積，且該第一層體及該第二層體是以感光型材料藉由曝光、顯影的方式分次製作。
- 如請求項8所述的晶片封裝裝置的製造方法，其中，於該步驟（a）該封裝板包括一設置該連接支撐結構的連接面，該連接支撐結構具有一設置於該連接面的第一層體，及一連接於該第一層體之遠離該封裝板之一側的第二層體，該第二層體的截面積小於該第一層體的截面積，且該第一層體及該第二層體是以壓合方式製作。
- 如請求項9或10所述的晶片封裝裝置的製造方法，其中，於該步驟（b）還以點膠或沾膠方式形成一黏著層，以黏接該第二層體與該晶片。
- 如請求項9所述的晶片封裝裝置的製造方法，其中，該封裝板還具有一與該連接面位於相反側的顯露面，於該步驟（b）之後還包含：步驟（c）形成一封裝層以包覆該基板、該導電結構、該晶片及該封裝板，且該封裝層未完全包覆該封裝板之該顯露面。
- 如請求項9所述的晶片封裝裝置的製造方法，其中，該封裝板還具有一與該連接面位於相反側的顯露面，於該步驟（b）之後還包含：步驟（c）形成一封裝層以包覆該基板、該導電結構、該晶片及該封裝板，且該封裝層完全包覆該封裝板之該顯露面。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107110644A TWI697113B (zh) | 2018-03-28 | 2018-03-28 | 晶片封裝裝置及其製造方法 |
| US16/363,760 US20190305024A1 (en) | 2018-03-28 | 2019-03-25 | Chip packaging device and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107110644A TWI697113B (zh) | 2018-03-28 | 2018-03-28 | 晶片封裝裝置及其製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201943063A TW201943063A (zh) | 2019-11-01 |
| TWI697113B true TWI697113B (zh) | 2020-06-21 |
Family
ID=68057362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107110644A TWI697113B (zh) | 2018-03-28 | 2018-03-28 | 晶片封裝裝置及其製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190305024A1 (zh) |
| TW (1) | TWI697113B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI799943B (zh) * | 2021-08-12 | 2023-04-21 | 致伸科技股份有限公司 | 鏡頭模組與應用於其中之製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI721837B (zh) | 2020-03-26 | 2021-03-11 | 勝麗國際股份有限公司 | 感測器封裝結構 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWM455258U (zh) * | 2013-01-11 | 2013-06-11 | Kingpak Tech Inc | 具有氣室缺口之影像感測器結構 |
| TWM470285U (zh) * | 2013-07-12 | 2014-01-11 | Larview Technologies | 影像擷取模組及其影像感測單元 |
| TWM564825U (zh) * | 2018-03-28 | 2018-08-01 | 同欣電子工業股份有限公司 | 晶片封裝裝置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4233535B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2009-03-04 | シャープ株式会社 | 光学装置用モジュール、光路画定器及び光学装置用モジュールの製造方法 |
| US10009523B2 (en) * | 2015-05-11 | 2018-06-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic module and method of manufacturing the same |
-
2018
- 2018-03-28 TW TW107110644A patent/TWI697113B/zh active
-
2019
- 2019-03-25 US US16/363,760 patent/US20190305024A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWM455258U (zh) * | 2013-01-11 | 2013-06-11 | Kingpak Tech Inc | 具有氣室缺口之影像感測器結構 |
| TWM470285U (zh) * | 2013-07-12 | 2014-01-11 | Larview Technologies | 影像擷取模組及其影像感測單元 |
| TWM564825U (zh) * | 2018-03-28 | 2018-08-01 | 同欣電子工業股份有限公司 | 晶片封裝裝置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI799943B (zh) * | 2021-08-12 | 2023-04-21 | 致伸科技股份有限公司 | 鏡頭模組與應用於其中之製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190305024A1 (en) | 2019-10-03 |
| TW201943063A (zh) | 2019-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20140126598A (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| US20090256222A1 (en) | Packaging method of image sensing device | |
| TWI570816B (zh) | 封裝結構及其製法 | |
| WO2017208724A1 (ja) | 光学モジュール、モジュール及びその製造方法 | |
| TWI697113B (zh) | 晶片封裝裝置及其製造方法 | |
| TW201340300A (zh) | 光感測器裝置及其製造方法 | |
| US6784534B1 (en) | Thin integrated circuit package having an optically transparent window | |
| TWI384602B (zh) | 嵌埋有感光半導體晶片之封裝基板及其製法 | |
| JP2008277593A (ja) | 回路基板、それを用いた光学デバイス、カメラモジュール、およびその製造方法 | |
| CN206301777U (zh) | 半导体封装件 | |
| CN106898625A (zh) | 图像传感器芯片的封装结构及封装方法 | |
| US7781854B2 (en) | Image sensor chip package structure and method thereof | |
| JP2009218804A (ja) | 半導体装置とこれを備えた通信機器及び電子機器 | |
| WO2019007412A1 (zh) | 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法 | |
| JPH03155671A (ja) | 固体撮像装置 | |
| TWM564825U (zh) | 晶片封裝裝置 | |
| WO2020073370A1 (zh) | 一种影像传感芯片的嵌入式封装结构和制作方法 | |
| TW202109776A (zh) | 扇出型半導體封裝結構及其封裝方法 | |
| JP4463194B2 (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
| TW201713105A (zh) | 攝像模組及其製造方法 | |
| JP2008181981A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2019201121A (ja) | プリモールド基板とその製造方法および中空型半導体装置とその製造方法 | |
| TWI556395B (zh) | 電子封裝件及其製法 | |
| CN100405563C (zh) | 一种图像传感元件的晶片级封装结构及其封装方法 | |
| US11798967B2 (en) | Image sensor package with transparent adhesive covering the optical sensing circuit |