TWI697061B - 晶片製程腔室以及用於檢查晶片製程腔室的設備和方法 - Google Patents

晶片製程腔室以及用於檢查晶片製程腔室的設備和方法 Download PDF

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Abstract

一種用於檢查晶片製程腔室的設備。在一個示例中，該設備包括：傳感器、處理器和壽命預測器。傳感器用來捕獲關於晶片製程腔室的至少一個硬件部分的資訊。處理器用來處理這個資訊以確定至少一個硬體部分的狀況。壽命預測器基於這個硬體狀況預測至少一個硬體部分的預期壽命。

Description

晶片製程腔室以及用於檢查晶片製程腔室 的設備和方法
本揭露是有關於一種用於檢查晶片製程腔室的設備和方法，更具體地涉及一種可以用以確定硬體部分的狀況，並預測其壽命的設備和方法。
在製造半導體晶片上的元件時，會使用各種製程腔室。例如，半導體晶片的熱處理涉及諸如沉積、蝕刻、加熱、退火、擴散等的處理，所有這些製程都在製程腔室中執行。諸如蝕刻和化學氣相沉積等的一些工藝在低壓或真空條件下在製程腔室中進行。
晶片製程腔室包括許多在執行晶片製程期間和之後暴露於加熱、蝕刻和/或化學反應的硬體部分。在製造半導體元件期間重複使用之後，晶片製程腔室可能在一些零件上具有腐蝕，在一些零件上損壞和/或消耗。在清潔晶片製程腔室期間，晶片製程腔室的一部分也可能被消耗或損壞。
當晶片製程腔室在晶片製程中被連續使用時，具 有被消耗或損壞部件的晶片製程腔室將增加晶片不良率並導致晶片製造中的低產量。因此，需要時常檢查晶片製程腔室以確保其硬體品質並防止設備故障。現有的用於檢查晶片製程腔室的方法包括通過肉眼進行預防性維護(preventive maintenance，PM)檢查，這增加了人工並且在晶片製程期間難以檢測到腔室內部的準確故障信號。用於檢查晶片製程腔室的現有工具或方法在解決上述缺陷方面仍然不足。
在一個實施例中，公開了一種用於檢查晶片製程腔室的設備。該設備包括：傳感器、處理器和壽命預測器。傳感器用以獲取關於晶片製程腔室的至少一個硬體部分的資訊。處理器用以處理該資訊以確定至少一個硬體部分的硬體狀況。壽命預測器基於硬體狀況預測至少一個硬體部分的預期壽命。
在另一個實施例中，公開了一種晶片製程腔室。晶片製程腔室包括：殼體、支撐件和光學掃描儀。當晶片被放置在支撐件上並在殼體內被處理時，支撐件位於殼體內部並被配置以支撐晶片。光學掃描儀被連接到殼體並被配置以檢查晶片製程腔室的至少一個硬體部分。
在又一個實施例中，公開了一種用於檢查晶片製程腔室的方法。該方法包括：通過連接到晶片製程腔室的傳感器捕獲關於晶片製程腔室的至少一個硬體部分的資訊；處理此資訊以確定該至少一個硬體部分的硬體狀況；以及基於這個硬 體狀況來預測至少一個硬體部分餘下的預期壽命。
100:腔室部分
110:基底材料
120:支撐件
130:侵蝕部位
140:外部材料
200:輪廓變化
210:鋁基座
220:新零件輪廓
230:侵蝕部位
300:晶片製程腔室
310:殼體
320:支撐件
330:光學掃描儀
340:機械臂
400:晶片製程腔室
410:殼體
420:支撐件
430:光學掃描儀
440:放置架
500:晶片製程腔室
510:殼體
520:支撐件
530:光學掃描儀
540:機械臂
550:開口
610:基座
620:支撐件
625:損傷位置
630:光學傳感器
640:輪廓圖像
641:基底材料
642:全新輪廓
643:使用後零件輪廓
644:組件變化
645:距離
650:資訊
700:光學掃描儀
710:光學傳感器
720:處理器
730:壽命預測器
735:數據庫
740:報告器
750:狀況需求更新器
當結合附圖閱讀時，根據以下詳細描述可以更好地理解本公開的各方面。注意各種特徵不一定按比例繪製。且為了清楚討論，各種特徵的尺寸和形狀可以任意增大或減小。在整個說明書和附圖中，相似的附圖標記表示相似的特徵：第1圖為繪示根據本揭露一些實施方式之被消耗後的腔室部分的示例性輪廓。
第2圖為繪示根據本揭露一些實施方式之腔室部分隨時間的示例性輪廓變化。
第3圖為繪示根據本揭露一些實施方式之安裝有光學掃描儀的示例性晶片處理室。
第4圖為繪示根據本揭露一些實施方式之安裝有光學掃描儀的另一示例性晶片處理室。
第5圖為繪示根據本揭露一些實施方式之安裝有光學掃描儀的又一示例性晶片處理室。
第6圖為繪示根據本揭露一些實施方式之由光學掃描儀上的光學傳感器獲取的腔室部分的資訊。
第7圖為繪示根據本揭露一些實施方式之光學掃描儀的示例圖。
第8圖為繪示根據本揭露一些實施方式之用於檢查晶片製程腔室的一示例性方法的流程圖。
第9圖為繪示根據本揭露一些實施方式之用於檢查晶片製 程腔室的另一示例性方法的流程圖。
本公開描述了用以實施本主題的不同特徵的各種實施例。下面描述組件和佈置的具體示例以簡化本公開。這些僅是例子，並不意在限制。例如，在下面的描述中在第二特徵之上形成的第一特徵，可以包含第一和第二特徵直接接觸的實施例，並且還可以包含在第一和第二特徵之間有另一種特徵，使得第一和第二特徵不直接接觸的實施例。另外，本公開可以在每個示例中重複使用相同的附圖數字和/或字母，這種重複是為了簡單和清楚的做說明，並且不代表各種實施例和/或配置之間有關連性。
此外，為了便於描述，可以在這裡使用諸如「在...之下」、「在...下方」、「在...之上」、「在...上方」等的空間相對術語來描述一個元件或特徵與另一元件或特徵之間的位置關係。除了附圖中描繪的方向之外，空間相對術語旨在涵蓋使用或操作中的裝置的不同方位。該裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或在其他方位)並且同樣可以相應地空間相對術語來說明。若無特殊的說明，諸如「附著」、「連接」和「相連」等術語是指結構通過中間結構直接或間接地彼此固定或附接，包含可移動或者固定的相連關係。
除非另外定義，否則本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本領域普通技術人員通常理解的相同的含義。此外，諸如常用字典中定義的術語應該被解釋為具有 與其在相關領域的上下文中的含義相一致的含義，並且不會被理解為理想化或過度正式的意義，除非有明確地如此定義。
以下將詳細說明本公開的實施例，其示例在附圖中示出。在附圖和說明中將盡可能地使用相同的數字標記來指代相同或相似的部分。在本公開中，術語「腔室部分」、「腔室硬體部分」和「腔室的硬體部分」可以互換使用。
晶片製程腔室包括許多在執行晶片製程期間和之後暴露於加熱、蝕刻和/或化學反應的硬體部分。在製造半導體元件期間重複使用之後，晶片製程腔室可能在一些零件上具有腐蝕，在一些零件上損壞和/或消耗。因此，需要不時地檢查晶片製程腔室以確保其硬體品質並防止設備故障。
為了及時準確地檢測腔室部分的缺陷，本公開引入了用於自動且系統地檢查晶片製程腔室並主動預測晶片製程腔室的硬體部分的預期壽命的設備和方法。在一個實施例中，此設備是三維光學掃描儀，其包括用於獲取關於腔室部分的信息的傳感器。該信息可以構成腔室部分的圖像、輪廓或條件參數。基於該信息，光學掃描儀可以確定腔室部件的硬體狀況。預定的狀況要求可以指示腔室部分是否對當前的硬體狀況有效。通過將硬件狀況與預定的狀況要求進行比較，光學掃描儀可以預測腔室部件的預期壽命。例如，如果腔室部件具有2mm的最小厚度要求並且在一周內已經從6mm消耗到5mm，則腔室部件將具有3週的預期壽命。也就是說，腔室部分預計將在3週內修復或更換，以防止腔室破裂和晶圓產量下降。
在一個實施例中，該設備包括報告器以報告腔室 部分的預期壽命，以確定晶片製程腔室是否能夠繼續處理晶片。腔室部分的每個硬體狀況的狀況要求可以基於來自管理員的輸入、與硬體狀況有關的預期壽命和/或用於晶片處理的配方來預先確定和更新。硬體狀況可能包括與硬體侵蝕值、硬體尺寸變化和硬體損壞位置等有關的信息。
根據各種實施例，傳感器可以連接到晶片製程腔室。傳感器可以通過夾具安裝在晶片製程腔室上或晶片製程腔室內，或者通過晶片製程腔室的閘閥安裝。傳感器可以周期性地獲取腔室部分的圖像或輪廓，使得在晶片處理期間和/或之後監測晶片製程腔室的硬體狀況。傳感器可以利用：雷射器、發光二極管(LED)、紅外線、可見光、不可見光、微波、X射線或伽馬射線。
本公開適用於各種晶片製程腔室的自動檢查。所公開的設備用以檢查和監測腔室的硬體品質，以確保腔室在硬狀況要求下有效工作。這個檢查可以在晶片製程之前自動執行，以減少由於腔室部分消耗或損壞而導致的晶片碎裂或產量損失的可能性，這可以幫助節省晶片生產線上中的時間、成本和勞動力。所公開的用於檢查腔室部分的設備和方法可以幫助晶片製造商優化其半導體晶片生產流程並且構建更好的生產計劃，並且晶片製程腔室的每個腔室部分具有準確且可預測的壽命。
第1圖示出了根據本公開的一些實施例的腔室部分100的示例性輪廓。如第1圖所示，腔室部分100包括基底材料110和支撐件120。支撐件120位於基底材料110的頂部上， 當晶片放置在其上以支撐晶片以進行處理。外部材料140圍繞基底材料110和支撐件120，用以保護。如第3圖所示，在晶片製程完成並在腔室部分100上和周圍進行化學反應之後，腔室部分100被消耗，並且在外部材料140上具有侵蝕部位130。在一個實施例中，一旦侵蝕部位130到達基底材料110，在支撐件120上處理的晶片可能會造成晶片報廢和低產量。另外，腔室部分100本身可能被損壞，使得在基底材料110被侵蝕之後不能被修復。需要監測和報告晶片製程腔室的硬件質量，以控制類似侵蝕部位130的消耗和損害。
第2圖示出了根據本公開的一些實施例的腔室部分隨時間的示例性輪廓變化200。如第2圖所示，腔室部分包括鋁基座210並且具有隨時間變化的輪廓。參照第2圖所示的新零件輪廓220，腔室部分被侵蝕並且其輪廓隨著時間流逝而改變。在一個實施例中，輪廓侵蝕和損壞是由晶片電弧引起的，這是晶片蝕刻操作期間的等離子體損壞現象。在這種情況下，所消耗的分佈可以用蝕刻的射頻(radio frequency，RF)小時來記錄。如第2圖所示，腔室部分最終被嚴重腐蝕，使得其輪廓凹陷到達其鋁基座210，使得鋁基座210通過侵蝕部位230暴露。如下文詳細描述的，本公開的設備可通過計算腔室部分的預期壽命，主動預測侵蝕部位230將何時讓鋁基座210暴露。
第3圖示出了根據本公開的一些實施例的安裝有光學掃描儀330的示例性晶片製程腔室300。如第3圖所示，該實施例中的晶片製程腔室300包括殼體310，支撐件320和機械 臂340。支撐件320在殼體內並且被配置為當晶片被放置在其上，在殼體310內部被處理時支撐晶片(未示出)。
如第3圖所示，該實施例中的機械臂340位於殼體310的頂部。光學掃描儀330連接到晶片製程腔室300頂部上的機械臂340。晶片製程腔室300還包括馬達(或致動器)350以使機械臂340能夠圍繞垂直於支撐件320的軸線旋轉，使得光學掃描儀330也可以在晶片製程之前或之中，圍繞軸旋轉以捕獲晶片製程中的各個晶片製程腔室300部分的圖像或輪廓。光學掃描儀330可以包括用於捕獲圖像或輪廓的傳感器，以及可以處理圖像或輪廓並預測每個被檢查的腔室部分的預期壽命的其他組件。在一個實施例中，當傳感器連接到晶片製程腔室300頂部上的機械臂340時，光學掃描儀330的其他組件可電連接到傳感器並位於晶片製程腔室300的其他部位。
第4圖示出了根據本公開的一些實施例的具有安裝在其上的光學掃描儀430的另一示例性晶片製程腔室400。如第4圖所示，該示例中的晶片製程腔室400包括殼體410、支撐件420和放置架440。支撐件420在殼體內，並且被配置為當晶片被放置在其上並且在殼體410內部被處理時支撐晶片(未示出)。
如第4圖所示，該實例中的放置架440連接到殼體410的內壁。光學掃描儀430固定在放置架440上，使得光學掃描儀430連接到殼體410並且在殼體內部。在該示例中，當光學掃描儀430被固定到殼體410時，支撐件420可以圍繞垂直於支撐件420的軸線旋轉。這樣，光學掃描儀430可以在晶片製 程之前或之中獲取各個晶片製程腔室400部分的圖像或輪廓。光學掃描儀430可以包括用於捕獲圖像或輪廓的傳感器，以及可以處理圖像或輪廓並預測每個被檢查的腔室部件的預期壽命的其他組件。在一個實施例中，當傳感器固定在殼體410的內壁上時，光學掃描儀430的其他部件可以電連接到傳感器並位於晶片製程腔室400的其他部位。
第5圖示出了根據本公開的一些實施例的具有安裝在其上的光學掃描儀530的又一示例性晶片製程腔室500。如第5圖所示，該實例中的晶片製程腔室500包括殼體510和支撐件520。支撐件520在殼體內部並且被配置為當晶片被放置其上並在殼體510內被處理時支撐晶片(未示出)。
如第5圖所示，殼體510在一側上具有開口550。本實例中的光學掃描儀530連接到可延伸穿過開口550的機械臂540。在該示例中，當光學掃描儀530被固定於機械臂540時，支撐件520可圍繞垂直於支撐件520的軸線旋轉。因此，當機械臂540延伸穿過開口550時，固定在機械臂540上的光學掃描儀530可在晶片製程之前或之中捕捉各種晶片製程腔室500部分的圖像或輪廓。光學掃描儀530可以包括用於獲取圖像或輪廓的傳感器，以及可以處理圖像或輪廓並預測每個被檢查的腔室部分的預期壽命的其他組件。在一個實施例中，當傳感器固定在機械臂540上時，光學掃描儀530的其他部件可以位於其他位置並電連接到傳感器。開口550可以是一個閘閥，使得其可以被打開以便機械臂540延伸穿過，以在晶片製程之前通過光學掃描儀530執行腔室部分檢查，並且在殼體510進 行晶片製程時關閉，讓光學掃描儀530與機械臂540擱置在外部。
第6圖示出了根據本公開的一些實施例的，關於由光學掃描儀上的光學傳感器630獲取的腔室部分的各種類型的信息。如第6圖所示，腔室部分包括基座610和支撐件620。光學傳感器630可以在檢查期間獲取腔室部件的各種信息。
在一個實施例中，光學傳感器630可以獲取腔室部分的輪廓圖像640。如第6圖所示，輪廓圖像640示出了腔室部分的使用後零件輪廓643。參照全新輪廓642，組件變化644可以由光學掃描儀確定。另外，光學掃描儀可以基於當前使用後零件輪廓643和基底材料641之間的距離645來計算腔室部分餘下的預期壽命。
在另一個實施例中，光學傳感器630可以獲取關於腔室上的組件變化和損壞位置的資訊650。資訊650可以指示腔室部分的尺寸變化和由光學掃描儀檢測到的損傷位置625。光學掃描儀可基於一個或多個硬體狀況(如輪廓變化、尺寸變化、損傷位置、侵蝕值等)預測腔室部分的預期壽命。
第7圖示出了根據本公開的一些實施例的光學掃描儀700的示例性圖示。如第7圖所示，該示例中的光學掃描儀700包括光學傳感器710、處理器720、壽命預測器730、報告器740和狀況需求更新器750。光學掃描儀700會在晶片製程之前或之中週期性地監控晶片製程腔室，例如每小時一次。
在檢查期間，該實例中的光學傳感器710可以捕獲關於晶片製程腔室的硬件部分的資訊。根據各種實施例，這 些資訊可以構成腔室部分的圖像、輪廓或狀況參數。如之前所討論的，光學傳感器710可以連接到晶片製程腔室，例如，通過晶片製程腔室上面或裡面的夾具(機械臂或放置架)或通過晶片製程腔室的閘閥安裝。光學傳感器710可以根據時鐘或者根據管理員的請求週期性地獲取腔室部分的圖像或輪廓。根據各種實施例，光學傳感器710可以利用：雷射器、LED、紅外線、可見光、不可見光、微波、X射線或伽瑪射線來獲取資訊。光學傳感器710可以將獲取的資訊以圖像、簡檔、或者一個或多個參數的形式發送到處理器720以進行處理。
該示例中的處理器720從光學傳感器710接收獲取的信息並處理該信息，以確定腔室部分的硬體狀況。根據各種實施例，硬體狀況可以包括與以下相關的信息：至少一個硬體部分的侵蝕程度；所述至少一個硬體部分的尺寸的變化；和/或至少一個硬體組件上的損壞位置。處理器720可以將硬體狀況發送到用於壽命預測的壽命預測器730以及用於狀況報告的報告器740。
在這個例子中，壽命預測器730可以從處理器720接收硬體狀況，並且從儲存了與晶片製程艙相關的各種硬體狀況要求的數據庫735中檢索對應於硬件狀況的狀況需求。狀況需求可以指示腔室部分是否對當前確定的硬件狀況有效。壽命預測器730可將所確定的硬體狀況與狀況需求進行比較以生成比較結果，並且基於比較結果來預測腔室部分餘下的預期壽命。在一個實施例中，壽命預測器730可以隨時間保存或記錄腔室部分的硬體狀況。使用壽命預測器730可以利用記錄的資 訊來預測腔室部分的預期壽命。
在一個示例中，狀況需求指示腔室部分具有2mm的最小厚度要求。處理器720已經確定腔室部分具有5mm的現有厚度。基於所記錄的腔室部分的歷史厚度，壽命預測器730可以確定腔室部分的厚度在一周內從6mm變為5mm。然後，壽命預測器730可以預測腔室部分每週將變薄1mm，並且因此在達到2mm極限之前具有3週的預期壽命。因此，腔室部分預計將在3週內修復或更換，以防止腔室破裂和晶圓產量下降。壽命預測器730可以將腔室部分的預期壽命發送到報告器740，以用於報告並且發送到狀況需求更新器750，以更新狀需求。
該示例中的報告器740可以從壽命預測器730接收腔室部分的預期壽命並基於預期壽命生成報告。在一個實施例中，報告器740也接收由處理器720確定的硬體狀況，並且基於硬體狀況生成報告。例如，該報告將包括有關腔室部分的損壞程度和損壞位置的資訊，使得該報告可用於維護和修復腔室部件。
報告器740可以將報告發送給晶片製程腔室的管理員或控制中心，以確定晶片製程腔室是否可以繼續處理晶片。控制中心(未示出)可以實現算法來自動確定是否停止晶片製程腔室運行並將其維護或修理。在一個示例中，當預期壽命小於閾值時，例如僅剩下一天，晶片製程腔室可能會停止並送去維修。在另一個例子中，當預期壽命已經達到或超過時，晶片製程腔室可以停止並送去維修或更換。在又一示例中，當 預期壽命高於閾值但相關硬體狀況嚴重不良時，可停止晶片處理室並做安全檢查。
腔室部分的每個硬體狀況的狀況需求可以由狀況需求更新器750預先確定和更新。本例中的狀況需求更新器750可以基於來自管理員的輸入、或者壽命預測器730接收到的新預期壽命和/或用於晶片製程的新配方來更新數據庫735。如上所述，管理員的輸入可能與在控制中心實施的算法有關。晶片製程的新配方可能表明新的化學反應類型，這可能意味著不同的腐蝕速率的以及腔室部分上新的損傷類型，因此可能意味著腔室部分的理想硬體狀況需求必須更新。
在一個實施例中，每次在處理預定數量的晶片之後，由光學掃描儀700檢查晶片製程腔室。光學掃描儀700收集硬體狀況並記錄不同腔室部分的輪廓曲線。基於收集的歷史硬體狀況和記錄的歷史曲線，狀況需求更新器750可以確定或更新硬體數據庫735。
在一個實施例中，光學掃描儀700是一個三維光學掃描儀，可以獲取腔室部分的彎曲輪廓或表面。光學掃描儀700可以根據如第3至5圖所示的不同方式安裝在晶片製程腔室上。在一個實施例中，光學掃描儀700以這樣的方式安裝，使得它聚焦於掃描一個或多個特定腔室部分或朝向晶片製程腔室中的一個或多個特定方向。
在一個實施例中，光學掃描儀700在晶片進入腔室之前執行對晶片製程腔室的檢查。如果檢查結果報告腔室部分的硬體狀況良好或滿足預定標準，則允許晶片進入腔室。如 果檢查結果報告腔室部分的硬體狀況不符合預定標準，則不允許晶片進入腔室，腔室將被送去維護、修理或更換。
第8圖示出根據本公開的一些實施例的用於檢查晶片製程腔室的示例性方法800的流程圖。在步驟802處，連接到晶片製程腔室的傳感器獲取關於晶片製程腔室的至少一個硬體部分的資訊。在步驟804處，處理該資訊以確定該至少一個硬體部分的硬體狀況。基於硬體狀況，在步驟806預測至少一個硬體部分的預期壽命。
第9圖示出根據本公開的一些實施例的用於檢查晶片製程腔室的另一示例性方法900的流程圖。在步驟902處，連接到晶片製程腔室的傳感器獲取關於晶片製程腔室的至少一個硬體部分的資訊。在步驟904處，處理該資訊以確定至少一個硬體部分的硬體狀況。在對應於硬體狀況的步驟906處檢索狀況需求。在步驟908將硬體狀況與狀況需求進行比較以生成比較結果。基於比較結果，在步驟910預測至少一個硬體部分的預期壽命。在步驟912處報告預期壽命以確定晶片製程腔室是否可以繼續處理晶片。可以選擇在步驟914獲得來自管理員的輸入。然後在步驟916，基於以下中的至少一個資訊來更新條件需求：輸入、預期壽命、和用於晶片製程的新配方。可以理解的是，第8和9圖中所示的步驟的順序是可以根據本公開的不同實施例而改變的。
在一個實施例中，公開了一種用於檢查晶片製程腔室的設備。該設備包括：傳感器、處理器和壽命預測器。傳感器用以獲取關於晶片製程腔室的至少一個硬體部分的資 訊。處理器用以處理該資訊以確定至少一個硬體部分的硬體狀況。壽命預測器基於硬體狀況預測至少一個硬體部分的預期壽命。設備包含報告器，用以報告該硬體部分的預期壽命，以確定晶片製程腔室是否可以繼續晶片製程。壽命預測器進一步用以檢索對應於硬體狀況的狀況需求，以及將硬體狀況與狀況需求進行比較，以生成比較結果，並且基於比較結果來預測預期壽命。設備也包含狀況需求更新器，用以基於以下資訊中來更新狀況需求：來自管理員的輸入、預期壽命、以及用於晶片製程的新配方。設備內的傳感器連接到晶片製程腔室。並且傳感器連接到晶片製程腔室的殼體頂部上的機械臂。晶片製程腔室包含支撐件，支撐件位於殼體內，並且用以在晶片被放置於其上時支撐晶片，以及機械臂使得傳感器圍繞垂直於支撐件的軸線旋轉。並且傳感器位於晶片製程腔室的殼體內，並連接到晶片製程腔室的殼體，晶片製程腔室包括殼體內的支撐件，支撐件用以當晶片被放置在其上時支撐晶片，並且當傳感器被固定到殼體時圍繞垂直於支撐件的軸線旋轉。晶片製程腔室包括殼體，殼體的一側具有開口，傳感器位於殼體內部，並且連接至穿過開口的機械臂。晶片製程腔室包括殼體內的支撐件，支撐件用以當晶片被放置在其上時支撐晶片，並且當傳感器被固定到機械臂時圍繞垂直於支撐件的軸線旋轉。硬體狀況包括與以下至少一項有關的信息：硬體部分的侵蝕程度、硬體部分的尺寸的變化、以及在硬體部分上的損壞位置。設備為利用激光器、發光二極管(LED)、紅外線、可見光、不可見光、微波、X射線和伽瑪射線中的至少一個的三維光學掃描儀，由傳感器 捕獲的信息構成硬體部分的圖像、硬體部分的簡檔、以及與硬體部分的條件有關的參數。
在另一個實施例中，公開了一種晶片製程腔室。晶片製程腔室包括：殼體、支撐件和光學掃描儀。當晶片被放置在支撐件上並在殼體內被處理時，支撐件位於殼體內部並被配置以支撐晶片。光學掃描儀被連接到殼體並被配置以檢查晶片製程腔室的至少一個硬體部分。光學掃描儀包含傳感器、處理器、壽命預測器。傳感器用以獲取關於晶片製程腔室的硬體部分的資訊。處理器用以處理資訊以確定硬體部分的狀況。壽命預測器用以基於硬體狀況來預測硬體部分餘下的預期壽命。光學掃描儀更包含報告器。報告器用以報告硬體部分的預期壽命，以確定晶片製程腔室是否可以繼續處理晶片。壽命預測器進一步用以檢索對應於硬體狀況的狀況需求，以及將硬體狀況與狀況需求進行比較以生成比較結果，並基於比較結果來預測預期壽命。傳感器連接到殼體頂部的機械臂，機械臂使得傳感器圍繞垂直於支撐件的軸線旋轉。傳感器在內部並連接到殼體，當傳感器固定在殼體上時，支撐件進一步圍繞垂直於支撐件的軸線旋轉。硬體狀況包括與以下的至少一個有關的資訊：硬體部分的侵蝕程度、硬體部分的尺寸的變化、以及在硬體部分上的損壞位置。光學掃描儀是利用雷射光、LED、紅外線、可見光、不可見光、微波、X射線和伽瑪射線中的至少一個的三維光學掃描儀。由傳感器獲取的資訊構成硬體部分的圖像、硬體部分的簡檔、以及與硬體部分的狀況有關的至少一個參數。
在又一個實施例中，公開了一種用於檢查晶片製程腔室的方法。該方法包括：通過連接到晶片製程腔室的傳感器捕獲關於晶片製程腔室的至少一個硬體部分的資訊；處理此資訊以確定該至少一個硬體部分的硬體狀況；以及基於這個硬體狀況來預測至少一個硬體部分餘下的預期壽命。
以上說明書概述了若干實施例的特徵，使得本領域的普通技術人員可以更好地理解本公開的各方面。本領域的技術人員可以很容易地使用本公開作為設計或修改用於實現相同目的和/或實現與本文介紹的實施例具有相同優點的其他製程和設計的基礎。本領域技術人員應該認識到，這些類似於本公開的構造並不脫離本公開的精神和範圍，並且可以在不脫離本公開的精神和範圍的情況下進行各種改變、替換和變更。
500:晶片製程腔室
510:殼體
520:支撐件
530:光學掃描儀
540:機械臂
550:開口

Claims (7)

  1. 一種用於檢查晶片製程腔室的設備，包括：一機械臂，設置於該晶片製程腔室的一殼體的頂部上；一支撐件，設置於該殼體中，以在一晶片被放置於其上時支撐該晶片；一傳感器，設置以獲取關於該晶片製程腔室的至少一硬體部分的資訊，其中該傳感器連接到該機械臂，且該機械臂使得該傳感器圍繞垂直於該支撐件的軸線旋轉；一處理器，設置以處理該資訊，以確定該至少一個硬體部分的狀況；以及一壽命預測器，設置以基於該硬體部分的狀況來預測該硬體部分餘下的一預期壽命。
  2. 如請求項1所述的設備，其中該壽命預測器進一步用以：檢索對應於該硬體部分的狀況的一狀況需求；以及將該硬體部分的狀況與該狀況需求進行比較，以生成一比較結果，並且基於該比較結果來預測該預期壽命。
  3. 如請求項1所述的設備，其中：該設備為利用激光器、發光二極管(LED)、紅外線、可見光、不可見光、微波、X射線和伽瑪射線中的至少一個的三維光學掃描儀；以及由該傳感器捕獲的信息構成該至少一個硬體部分的圖 像、該至少一個硬體部分的簡檔、以及與該至少一個硬體部分的條件有關的至少一個參數。
  4. 一種晶片製程腔室，包含：一殼體；一機械臂，連接到該殼體的頂部；一支撐件，當一晶片被放置在該支撐件上並且在該殼體內被處理時，該支撐件位於該殼體內並用以支撐該晶片；以及一光學掃描儀，連接到該機械臂並且設置以檢查該晶片製程腔室的至少一個硬體部分的狀況，其中該機械臂使得該光學掃描儀圍繞垂直於該支撐件的軸線旋轉。
  5. 根據請求項4所述的晶片製程腔室，其中該光學掃描儀更包含：一報告器，用以報告該至少一個硬體部分的預期壽命，以確定該晶片製程腔室是否可以繼續處理該晶片。
  6. 根據請求項4所述的晶片製程腔室，其中該至少一個硬體部分的狀況包括與以下的至少一個有關的資訊：該至少一個硬體部分的侵蝕程度；該至少一個硬體部分的尺寸的變化；以及在該至少一個硬體部分上的損壞位置。
  7. 一種用於檢查晶片製程腔室的方法，包含：通過連接到該晶片製程腔室之一殼體的頂部的一機械臂的一傳感器獲取關於晶片製程腔室的至少一個硬體部分的資訊，其中該機械臂使得該傳感器圍繞垂直於一支撐件的軸線旋轉；處理該資訊以確認該至少一個硬體部分的狀況；以及基於該硬體部分的狀況來預測該硬體部分餘下的預期壽命。
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