CN109839076A - 晶片制程腔室以及用于检查晶片制程腔室的设备和方法 - Google Patents

Abstract

一种晶片制程腔室以及用于检查晶片制程腔室的设备和方法。在一个示例中，该设备包括：传感器、处理器和寿命预测器。传感器用来捕获关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息。处理器用来处理这个信息以确定至少一个硬件部分的状况。寿命预测器基于这个硬件状况预测至少一个硬件部分的预期寿命。

Description

晶片制程腔室以及用于检查晶片制程腔室的设备和方法

技术领域

本揭露是有关于一种用于检查晶片制程腔室的设备和方法，更具体地涉及一种可以用以确定硬件部分的状况，并预测其寿命的设备和方法。

背景技术

在制造半导体晶片上的元件时，会使用各种制程腔室。例如，半导体晶片的热处理涉及诸如沉积、蚀刻、加热、退火、扩散等的处理，所有这些制程都在制程腔室中执行。诸如蚀刻和化学气相沉积等的一些工艺在低压或真空条件下在制程腔室中进行。

晶片制程腔室包括许多在执行晶片制程期间和之后暴露于加热、蚀刻和/或化学反应的硬件部分。在制造半导体元件期间重复使用之后，晶片制程腔室可能在一些零件上具有腐蚀，在一些零件上损坏和/或消耗。在清洁晶片制程腔室期间，晶片制程腔室的一部分也可能被消耗或损坏。

当晶片制程腔室在晶片制程中被连续使用时，具有被消耗或损坏部件的晶片制程腔室将增加晶片不良率并导致晶片制造中的低产量。因此，需要时常检查晶片制程腔室以确保其硬件品质并防止设备故障。现有的用于检查晶片制程腔室的方法包括通过肉眼进行预防性维护(preventive maintenance，PM)检查，这增加了人工并且在晶片制程期间难以检测到腔室内部的准确故障信号。用于检查晶片制程腔室的现有工具或方法在解决上述缺陷方面仍然不足。

发明内容

在一个实施例中，公开了一种用于检查晶片制程腔室的设备。该设备包括：传感器、处理器和寿命预测器。传感器用以获取关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息。处理器用以处理该信息以确定至少一个硬件部分的硬件状况。寿命预测器基于硬件状况预测至少一个硬件部分的预期寿命。

在另一个实施例中，公开了一种晶片制程腔室。晶片制程腔室包括：壳体、支撑件和光学扫描仪。当晶片被放置在支撑件上并在壳体内被处理时，支撑件位于壳体内部并被配置以支撑晶片。光学扫描仪被连接到壳体并被配置以检查晶片制程腔室的至少一个硬件部分。

在又一个实施例中，公开了一种用于检查晶片制程腔室的方法。该方法包括：通过连接到晶片制程腔室的传感器捕获关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息；处理此信息以确定该至少一个硬件部分的硬件状况；以及基于这个硬件状况来预测至少一个硬件部分余下的预期寿命。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以更好地理解本公开的各方面。注意各种特征不一定按比例绘制。且为了清楚讨论，各种特征的尺寸和形状可以任意增大或减小。在整个说明书和附图中，相似的附图标记表示相似的特征：

图1为绘示根据本揭露一些实施方式的被消耗后的腔室部分的示例性轮廓；

图2为绘示根据本揭露一些实施方式的腔室部分随时间的示例性轮廓变化；

图3为绘示根据本揭露一些实施方式的安装有光学扫描仪的示例性晶片处理室；

图4为绘示根据本揭露一些实施方式的安装有光学扫描仪的另一示例性晶片处理室；

图5为绘示根据本揭露一些实施方式的安装有光学扫描仪的又一示例性晶片处理室；

图6为绘示根据本揭露一些实施方式的由光学扫描仪上的光学传感器获取的腔室部分的信息；

图7为绘示根据本揭露一些实施方式的光学扫描仪的示例图；

图8为绘示根据本揭露一些实施方式的用于检查晶片制程腔室的一示例性方法的流程图；

图9为绘示根据本揭露一些实施方式的用于检查晶片制程腔室的另一示例性方法的流程图。

具体实施方式

本公开描述了用以实施本主题的不同特征的各种实施例。下面描述组件和布置的具体示例以简化本公开。这些仅是例子，并不意在限制。例如，在下面的描述中在第二特征之上形成的第一特征，可以包含第一和第二特征直接接触的实施例，并且还可以包含在第一和第二特征之间有另一种特征，使得第一和第二特征不直接接触的实施例。另外，本公开可以在每个示例中重复使用相同的附图数字和/或字母，这种重复是为了简单和清楚的做说明，并且不代表各种实施例和/或配置之间有关连性。

此外，为了便于描述，可以在这里使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“在...之上”、“在...上方”等的空间相对术语来描述一个元件或特征与另一元件或特征之间的位置关系。除了附图中描绘的方向之外，空间相对术语旨在涵盖使用或操作中的装置的不同方位。该装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位)并且同样可以相应地空间相对术语来说明。若无特殊的说明，诸如“附着”、“连接”和“相连”等术语是指结构通过中间结构直接或间接地彼此固定或附接，包含可移动或者固定的相连关系。

除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本领域普通技术人员通常理解的相同的含义。此外，诸如常用字典中定义的术语应该被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义相一致的含义，并且不会被理解为理想化或过度正式的意义，除非有明确地如此定义。

以下将详细说明本公开的实施例，其示例在附图中示出。在附图和说明中将尽可能地使用相同的数字标记来指代相同或相似的部分。在本公开中，术语“腔室部分”、“腔室硬件部分”和“腔室的硬件部分”可以互换使用。

晶片制程腔室包括许多在执行晶片制程期间和之后暴露于加热、蚀刻和/或化学反应的硬件部分。在制造半导体元件期间重复使用之后，晶片制程腔室可能在一些零件上具有腐蚀，在一些零件上损坏和/或消耗。因此，需要不时地检查晶片制程腔室以确保其硬件品质并防止设备故障。

为了及时准确地检测腔室部分的缺陷，本公开引入了用于自动且系统地检查晶片制程腔室并主动预测晶片制程腔室的硬件部分的预期寿命的设备和方法。在一个实施例中，此设备是三维光学扫描仪，其包括用于获取关于腔室部分的信息的传感器。该信息可以构成腔室部分的图像、轮廓或条件参数。基于该信息，光学扫描仪可以确定腔室部件的硬件状况。预定的状况要求可以指示腔室部分是否对当前的硬件状况有效。通过将硬件状况与预定的状况要求进行比较，光学扫描仪可以预测腔室部件的预期寿命。例如，如果腔室部件具有2mm的最小厚度要求并且在一周内已经从6mm消耗到5mm，则腔室部件将具有3周的预期寿命。也就是说，腔室部分预计将在3周内修复或更换，以防止腔室破裂和晶圆产量下降。

在一个实施例中，该设备包括报告器以报告腔室部分的预期寿命，以确定晶片制程腔室是否能够继续处理晶片。腔室部分的每个硬件状况的状况要求可以基于来自管理员的输入、与硬件状况有关的预期寿命和/或用于晶片处理的配方来预先确定和更新。硬件状况可能包括与硬件侵蚀值、硬件尺寸变化和硬件损坏位置等有关的信息。

根据各种实施例，传感器可以连接到晶片制程腔室。传感器可以通过夹具安装在晶片制程腔室上或晶片制程腔室内，或者通过晶片制程腔室的闸阀安装。传感器可以周期性地获取腔室部分的图像或轮廓，使得在晶片处理期间和/或之后监测晶片制程腔室的硬件状况。传感器可以利用：激光器、发光二极管(LED)、红外线、可见光、不可见光、微波、X射线或伽马射线。

本公开适用于各种晶片制程腔室的自动检查。所公开的设备用以检查和监测腔室的硬件品质，以确保腔室在硬状况要求下有效工作。这个检查可以在晶片制程之前自动执行，以减少由于腔室部分消耗或损坏而导致的晶片碎裂或产量损失的可能性，这可以帮助节省晶片生产线上中的时间、成本和劳动力。所公开的用于检查腔室部分的设备和方法可以帮助晶片制造商优化其半导体晶片生产流程并且构建更好的生产计划，并且晶片制程腔室的每个腔室部分具有准确且可预测的寿命。

图1示出了根据本公开的一些实施例的腔室部分100的示例性轮廓。如图1所示，腔室部分100包括基底材料110和支撑件120。支撑件120位于基底材料110的顶部上，当晶片放置在其上以支撑晶片以进行处理。外部材料140围绕基底材料110和支撑件120，用以保护。如图3所示，在晶片制程完成并在腔室部分100上和周围进行化学反应之后，腔室部分100被消耗，并且在外部材料140上具有侵蚀部位130。在一个实施例中，一旦侵蚀部位130到达基底材料110，在支撑件120上处理的晶片可能会造成晶片报废和低产量。另外，腔室部分100本身可能被损坏，使得在基底材料110被侵蚀之后不能被修复。需要监测和报告晶片制程腔室的硬件质量，以控制类似侵蚀部位130的消耗和损害。

图2示出了根据本公开的一些实施例的腔室部分随时间的示例性轮廓变化200。如图2所示，腔室部分包括铝基座210并且具有随时间变化的轮廓。参照图2所示的新零件轮廓220，腔室部分被侵蚀并且其轮廓随着时间流逝而改变。在一个实施例中，轮廓侵蚀和损坏是由晶片电弧引起的，这是晶片蚀刻操作期间的等离子体损坏现象。在这种情况下，所消耗的分布可以用蚀刻的射频(radio frequency，RF)小时来记录。如图2所示，腔室部分最终被严重腐蚀，使得其轮廓凹陷到达其铝基座210，使得铝基座210通过侵蚀部位230暴露。如下文详细描述的，本公开的设备可通过计算腔室部分的预期寿命，主动预测侵蚀部位230将何时让铝基座210暴露。

图3示出了根据本公开的一些实施例的安装有光学扫描仪330的示例性晶片制程腔室300。如图3所示，该实施例中的晶片制程腔室300包括壳体310，支撑件320和机械臂340。支撑件320在壳体内并且被配置为当晶片被放置在其上，在壳体310内部被处理时支撑晶片(未示出)。

如图3所示，该实施例中的机械臂340位于壳体310的顶部。光学扫描仪330连接到晶片制程腔室300顶部上的机械臂340。晶片制程腔室300还包括马达(或致动器)350以使机械臂340能够围绕垂直于支撑件320的轴线旋转，使得光学扫描仪330也可以在晶片制程之前或之中，围绕轴旋转以捕获晶片制程中的各个晶片制程腔室300部分的图像或轮廓。光学扫描仪330可以包括用于捕获图像或轮廓的传感器，以及可以处理图像或轮廓并预测每个被检查的腔室部分的预期寿命的其他组件。在一个实施例中，当传感器连接到晶片制程腔室300顶部上的机械臂340时，光学扫描仪330的其他组件可电连接到传感器并位于晶片制程腔室300的其他部位。

图4示出了根据本公开的一些实施例的具有安装在其上的光学扫描仪430的另一示例性晶片制程腔室400。如图4所示，该示例中的晶片制程腔室400包括壳体410、支撑件420和放置架440。支撑件420在壳体内，并且被配置为当晶片被放置在其上并且在壳体410内部被处理时支撑晶片(未示出)。

如图4所示，该实例中的放置架440连接到壳体410的内壁。光学扫描仪430固定在放置架440上，使得光学扫描仪430连接到壳体410并且在壳体内部。在该示例中，当光学扫描仪430被固定到壳体410时，支撑件420可以围绕垂直于支撑件420的轴线旋转。这样，光学扫描仪430可以在晶片制程之前或之中获取各个晶片制程腔室400部分的图像或轮廓。光学扫描仪430可以包括用于捕获图像或轮廓的传感器，以及可以处理图像或轮廓并预测每个被检查的腔室部件的预期寿命的其他组件。在一个实施例中，当传感器固定在壳体410的内壁上时，光学扫描仪430的其他部件可以电连接到传感器并位于晶片制程腔室400的其他部位。

图5示出了根据本公开的一些实施例的具有安装在其上的光学扫描仪530的又一示例性晶片制程腔室500。如图5所示，该实例中的晶片制程腔室500包括壳体510和支撑件520。支撑件520在壳体内部并且被配置为当晶片被放置其上并在壳体510内被处理时支撑晶片(未示出)。

如图5所示，壳体510在一侧上具有开口550。本实例中的光学扫描仪530连接到可延伸穿过开口550的机械臂540。在该示例中，当光学扫描仪530被固定于机械臂540时，支撑件520可围绕垂直于支撑件520的轴线旋转。因此，当机械臂540延伸穿过开口550时，固定在机械臂540上的光学扫描仪530可在晶片制程之前或之中捕捉各种晶片制程腔室500部分的图像或轮廓。光学扫描仪530可以包括用于获取图像或轮廓的传感器，以及可以处理图像或轮廓并预测每个被检查的腔室部分的预期寿命的其他组件。在一个实施例中，当传感器固定在机械臂540上时，光学扫描仪530的其他部件可以位于其他位置并电连接到传感器。开口550可以是一个闸阀，使得其可以被打开以便机械臂540延伸穿过，以在晶片制程之前通过光学扫描仪530执行腔室部分检查，并且在壳体510进行晶片制程时关闭，让光学扫描仪530与机械臂540搁置在外部。

图6示出了根据本公开的一些实施例的，关于由光学扫描仪上的光学传感器630获取的腔室部分的各种类型的信息。如图6所示，腔室部分包括基座610和支撑件620。光学传感器630可以在检查期间获取腔室部件的各种信息。

在一个实施例中，光学传感器630可以获取腔室部分的轮廓图像640。如图6所示，轮廓图像640示出了腔室部分的使用后零件轮廓643。参照全新轮廓642，组件变化644可以由光学扫描仪确定。另外，光学扫描仪可以基于当前使用后零件轮廓643和基底材料641之间的距离645来计算腔室部分余下的预期寿命。

在另一个实施例中，光学传感器630可以获取关于腔室上的组件变化和损坏位置的信息650。信息650可以指示腔室部分的尺寸变化和由光学扫描仪检测到的损伤位置625。光学扫描仪可基于一个或多个硬件状况(如轮廓变化、尺寸变化、损伤位置、侵蚀值等)预测腔室部分的预期寿命。

图7示出了根据本公开的一些实施例的光学扫描仪700的示例性图示。如图7所示，该示例中的光学扫描仪700包括光学传感器710、处理器720、寿命预测器730、报告器740和状况需求更新器750。光学扫描仪700会在晶片制程之前或之中周期性地监控晶片制程腔室，例如每小时一次。

在检查期间，该实例中的光学传感器710可以捕获关于晶片制程腔室的硬件部分的信息。根据各种实施例，这些信息可以构成腔室部分的图像、轮廓或状况参数。如之前所讨论的，光学传感器710可以连接到晶片制程腔室，例如，通过晶片制程腔室上面或里面的夹具(机械臂或放置架)或通过晶片制程腔室的闸阀安装。光学传感器710可以根据时钟或者根据管理员的请求周期性地获取腔室部分的图像或轮廓。根据各种实施例，光学传感器710可以利用：激光器、LED、红外线、可见光、不可见光、微波、X射线或伽玛射线来获取信息。光学传感器710可以将获取的信息以图像、简档、或者一个或多个参数的形式发送到处理器720以进行处理。

该示例中的处理器720从光学传感器710接收获取的信息并处理该信息，以确定腔室部分的硬件状况。根据各种实施例，硬件状况可以包括与以下相关的信息：至少一个硬件部分的侵蚀程度；所述至少一个硬件部分的尺寸的变化；和/或至少一个硬件组件上的损坏位置。处理器720可以将硬件状况发送到用于寿命预测的寿命预测器730以及用于状况报告的报告器740。

在这个例子中，寿命预测器730可以从处理器720接收硬件状况，并且从储存了与晶片制程舱相关的各种硬件状况要求的数据库735中检索对应于硬件状况的状况需求。状况需求可以指示腔室部分是否对当前确定的硬件状况有效。寿命预测器730可将所确定的硬件状况与状况需求进行比较以生成比较结果，并且基于比较结果来预测腔室部分余下的预期寿命。在一个实施例中，寿命预测器730可以随时间保存或记录腔室部分的硬件状况。使用寿命预测器730可以利用记录的信息来预测腔室部分的预期寿命。

在一个示例中，状况需求指示腔室部分具有2mm的最小厚度要求。处理器720已经确定腔室部分具有5mm的现有厚度。基于所记录的腔室部分的历史厚度，寿命预测器730可以确定腔室部分的厚度在一周内从6mm变为5mm。然后，寿命预测器730可以预测腔室部分每周将变薄1mm，并且因此在达到2mm极限之前具有3周的预期寿命。因此，腔室部分预计将在3周内修复或更换，以防止腔室破裂和晶圆产量下降。寿命预测器730可以将腔室部分的预期寿命发送到报告器740，以用于报告并且发送到状况需求更新器750，以更新状需求。

该示例中的报告器740可以从寿命预测器730接收腔室部分的预期寿命并基于预期寿命生成报告。在一个实施例中，报告器740也接收由处理器720确定的硬件状况，并且基于硬件状况生成报告。例如，该报告将包括有关腔室部分的损坏程度和损坏位置的信息，使得该报告可用于维护和修复腔室部件。

报告器740可以将报告发送给晶片制程腔室的管理员或控制中心，以确定晶片制程腔室是否可以继续处理晶片。控制中心(未示出)可以实现算法来自动确定是否停止晶片制程腔室运行并将其维护或修理。在一个示例中，当预期寿命小于阈值时，例如仅剩下一天，晶片制程腔室可能会停止并送去维修。在另一个例子中，当预期寿命已经达到或超过时，晶片制程腔室可以停止并送去维修或更换。在又一示例中，当预期寿命高于阈值但相关硬件状况严重不良时，可停止晶片处理室并做安全检查。

腔室部分的每个硬件状况的状况需求可以由状况需求更新器750预先确定和更新。本例中的状况需求更新器750可以基于来自管理员的输入、或者寿命预测器730接收到的新预期寿命和/或用于晶片制程的新配方来更新数据库735。如上所述，管理员的输入可能与在控制中心实施的算法有关。晶片制程的新配方可能表明新的化学反应类型，这可能意味着不同的腐蚀速率的以及腔室部分上新的损伤类型，因此可能意味着腔室部分的理想硬件状况需求必须更新。

在一个实施例中，每次在处理预定数量的晶片之后，由光学扫描仪700检查晶片制程腔室。光学扫描仪700收集硬件状况并记录不同腔室部分的轮廓曲线。基于收集的历史硬件状况和记录的历史曲线，状况需求更新器750可以确定或更新硬件数据库735。

在一个实施例中，光学扫描仪700是一个三维光学扫描仪，可以获取腔室部分的弯曲轮廓或表面。光学扫描仪700可以根据如第3至5图所示的不同方式安装在晶片制程腔室上。在一个实施例中，光学扫描仪700以这样的方式安装，使得它聚焦于扫描一个或多个特定腔室部分或朝向晶片制程腔室中的一个或多个特定方向。

在一个实施例中，光学扫描仪700在晶片进入腔室之前执行对晶片制程腔室的检查。如果检查结果报告腔室部分的硬件状况良好或满足预定标准，则允许晶片进入腔室。如果检查结果报告腔室部分的硬件状况不符合预定标准，则不允许晶片进入腔室，腔室将被送去维护、修理或更换。

图8示出根据本公开的一些实施例的用于检查晶片制程腔室的示例性方法800的流程图。在步骤802处，连接到晶片制程腔室的传感器获取关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息。在步骤804处，处理该信息以确定该至少一个硬件部分的硬件状况。基于硬件状况，在步骤806预测至少一个硬件部分的预期寿命。

图9示出根据本公开的一些实施例的用于检查晶片制程腔室的另一示例性方法900的流程图。在步骤902处，连接到晶片制程腔室的传感器获取关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息。在步骤904处，处理该信息以确定至少一个硬件部分的硬件状况。在对应于硬件状况的步骤906处检索状况需求。在步骤908将硬件状况与状况需求进行比较以生成比较结果。基于比较结果，在步骤910预测至少一个硬件部分的预期寿命。在步骤912处报告预期寿命以确定晶片制程腔室是否可以继续处理晶片。可以选择在步骤914获得来自管理员的输入。然后在步骤916，基于以下中的至少一个信息来更新条件需求：输入、预期寿命、和用于晶片制程的新配方。可以理解的是，图8和图9中所示的步骤的顺序是可以根据本公开的不同实施例而改变的。

在一个实施例中，公开了一种用于检查晶片制程腔室的设备。该设备包括：传感器、处理器和寿命预测器。传感器用以获取关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息。处理器用以处理该信息以确定至少一个硬件部分的硬件状况。寿命预测器基于硬件状况预测至少一个硬件部分的预期寿命。设备包含报告器，用以报告该硬件部分的预期寿命，以确定晶片制程腔室是否可以继续晶片制程。寿命预测器进一步用以检索对应于硬件状况的状况需求，以及将硬件状况与状况需求进行比较，以生成比较结果，并且基于比较结果来预测预期寿命。设备也包含状况需求更新器，用以基于以下信息中来更新状况需求：来自管理员的输入、预期寿命、以及用于晶片制程的新配方。设备内的传感器连接到晶片制程腔室。并且传感器连接到晶片制程腔室的壳体顶部上的机械臂。晶片制程腔室包含支撑件，支撑件位于壳体内，并且用以在晶片被放置于其上时支撑晶片，以及机械臂使得传感器围绕垂直于支撑件的轴线旋转。并且传感器位于晶片制程腔室的壳体内，并连接到晶片制程腔室的壳体，晶片制程腔室包括壳体内的支撑件，支撑件用以当晶片被放置在其上时支撑晶片，并且当传感器被固定到壳体时围绕垂直于支撑件的轴线旋转。晶片制程腔室包括壳体，壳体的一侧具有开口，传感器位于壳体内部，并且连接至穿过开口的机械臂。晶片制程腔室包括壳体内的支撑件，支撑件用以当晶片被放置在其上时支撑晶片，并且当传感器被固定到机械臂时围绕垂直于支撑件的轴线旋转。硬件状况包括与以下至少一项有关的信息：硬件部分的侵蚀程度、硬件部分的尺寸的变化、以及在硬件部分上的损坏位置。设备为利用激光器、发光二极管(LED)、红外线、可见光、不可见光、微波、X射线和伽玛射线中的至少一个的三维光学扫描仪，由传感器捕获的信息构成硬件部分的图像、硬件部分的简档、以及与硬件部分的条件有关的参数。

在另一个实施例中，公开了一种晶片制程腔室。晶片制程腔室包括：壳体、支撑件和光学扫描仪。当晶片被放置在支撑件上并在壳体内被处理时，支撑件位于壳体内部并被配置以支撑晶片。光学扫描仪被连接到壳体并被配置以检查晶片制程腔室的至少一个硬件部分。光学扫描仪包含传感器、处理器、寿命预测器。传感器用以获取关于晶片制程腔室的硬件部分的信息。处理器用以处理信息以确定硬件部分的状况。寿命预测器用以基于硬件状况来预测硬件部分余下的预期寿命。光学扫描仪还包含报告器。报告器用以报告硬件部分的预期寿命，以确定晶片制程腔室是否可以继续处理晶片。寿命预测器进一步用以检索对应于硬件状况的状况需求，以及将硬件状况与状况需求进行比较以生成比较结果，并基于比较结果来预测预期寿命。传感器连接到壳体顶部的机械臂，机械臂使得传感器围绕垂直于支撑件的轴线旋转。传感器在内部并连接到壳体，当传感器固定在壳体上时，支撑件进一步围绕垂直于支撑件的轴线旋转。硬件状况包括与以下的至少一个有关的信息：硬件部分的侵蚀程度、硬件部分的尺寸的变化、以及在硬件部分上的损坏位置。光学扫描仪是利用激光、LED、红外线、可见光、不可见光、微波、X射线和伽玛射线中的至少一个的三维光学扫描仪。由传感器获取的信息构成硬件部分的图像、硬件部分的简档、以及与硬件部分的状况有关的至少一个参数。

在又一个实施例中，公开了一种用于检查晶片制程腔室的方法。该方法包括：通过连接到晶片制程腔室的传感器捕获关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息；处理此信息以确定该至少一个硬件部分的硬件状况；以及基于这个硬件状况来预测至少一个硬件部分余下的预期寿命。

以上说明书概述了若干实施例的特征，使得本领域的普通技术人员可以更好地理解本公开的各方面。本领域的技术人员可以很容易地使用本公开作为设计或修改用于实现相同目的和/或实现与本文介绍的实施例具有相同优点的其他制程和设计的基础。本领域技术人员应该认识到，这些类似于本公开的构造并不脱离本公开的精神和范围，并且可以在不脱离本公开的精神和范围的情况下进行各种改变、替换和变更。

Claims (10)

1.一种用于检查晶片制程腔室的设备，其特征在于，包含：

一传感器，设置以获取关于该晶片制程腔室的至少一硬件部分的信息；

一处理器，设置以处理该信息，以确定该至少一个硬件部分的状况；以及

一寿命预测器，设置以基于该硬件部分的状况来预测该硬件部分余下的一预期寿命。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，其中该寿命预测器进一步用以：

检索对应于该硬件状况的一状况需求；以及

将该硬件状况与该状况需求进行比较，以生成一比较结果，并且基于该比较结果来预测该预期寿命。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，其中该传感器连接到该晶片制程腔室。

4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，其中：

该传感器连接到该晶片制程腔室的一壳体顶部上的一机械臂；

该晶片制程腔室包含一支撑件，该支撑件位于该壳体内，并且设置以在该晶片被放置于其上时支撑该晶片；以及

该机械臂使得该传感器围绕垂直于该支撑件的轴线旋转。

5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，其中：

该设备为利用激光器、发光二极管、红外线、可见光、不可见光、微波、X射线和伽玛射线中的至少一个的三维光学扫描仪；以及

由该传感器捕获的信息构成该至少一个硬件部分的图像、该至少一个硬件部分的简档、以及与该至少一个硬件部分的条件有关的至少一个参数。

6.一晶片制程腔室，其特征在于，包含：

一壳体；

一支撑件，当该晶片被放置在该支撑件上并且在该壳体内被处理时，该支撑件位于该壳体内并用以支撑一晶片；以及

一光学扫描仪，连接到该壳体并且设置以检查该晶片制程腔室的至少一个硬件部分。

7.根据权利要求6所述的晶片制程腔室，其特征在于，其中该光学扫描仪还包含：

一报告器，用以报告至少一个硬件部分的预期寿命，以确定该晶片制程腔室是否可以继续处理晶片。

8.根据权利要求6所述的晶片制程腔室，其特征在于，其中：

该传感器连接到该壳体顶部的一机械臂；以及

该机械臂使得该传感器围绕垂直于该支撑件的轴线旋转。

9.根据权利要求6所述的晶片制程腔室，其特征在于，其中该硬件状况包括与以下的至少一个有关的信息：

该至少一个硬件部分的侵蚀程度；

该至少一个硬件部分的尺寸的变化；以及

在该至少一个硬件部分上的损坏位置。

10.一种用于检查晶片制程腔室的方法，其特征在于，包含：

通过连接到该晶片制程腔室的一传感器获取关于晶片制程腔室的至少一个硬件部分的信息；

处理该信息以确认该至少一个硬件部分的状况；以及

基于该硬件部分的状况来预测该硬件部分余下的预期寿命。