TWI692455B

TWI692455B - 裂斷裝置、基板之裂斷方法、及裂斷裝置之基板載置部用構件

Info

Publication number: TWI692455B
Application number: TW105101054A
Authority: TW
Inventors: 金平雄一; 村上健二; 三谷卓朗
Original assignee: 日商三星鑽石工業股份有限公司
Priority date: 2015-06-29
Filing date: 2016-01-14
Publication date: 2020-05-01
Also published as: CN106298587A; JP2017013282A; TW201700419A; CN106298587B; JP6705129B2; KR20170002275A

Abstract

本發明提供一種在使基板沿刻劃線裂斷之裂斷裝置中適於作為基板載置部之構件。

沿刻劃線裂斷基板之裝置中，將基板以水平姿勢載置之載置部，係由邵氏A硬度在50°以上90°以下、厚度不均在30μm以下、載置基板之被載置面之表面粗糙度在30nm以下板狀之透明彈性體構成。又，此透明彈性體係以加熱成型與之後之拋光處理而得。

Description

裂斷裝置、基板之裂斷方法、及裂斷裝置之基板載置部用構件

本發明係關於用在基板之斷開支裂斷裝置，特別是關於進行裂斷時載置基板之載置部之特性。

平面顯示器面板或太陽電池面板等之製程中，一般而言，包含將由玻璃基板、陶瓷基板、半導體基板等之脆性材料構成之基板(母基板)加以斷開之步驟。該斷開，廣泛的使用在基板表面以鑽石尖頭或刀輪等之劃線工具形成刻劃線(scribe line)，從該刻劃線起使裂痕(垂直裂痕)往基板厚度方向伸展之手法。形成有刻劃線時，雖有垂直裂痕往厚度方向完全伸展使基板斷開之情形，但亦有垂直裂痕僅往厚度方向部分伸展之情形。後者之情形時，於刻劃線之形成後，進行裂斷處理。裂斷處理，簡言之，係將以沿著刻劃線之態樣抵接在基板之裂斷刀壓下，以使垂直裂痕於厚度方向完全行進，藉此使基板沿刻劃線斷開者。

作為用於此種裂斷處理之裂斷裝置，一直以來，係廣泛的使用所謂藉由3點撓曲之方式使裂痕從刻劃線伸展者(例如，參照專利文獻1)。此種裂斷裝置，具有隔著既定間隔配置之2個下刃(桌台)與作為上刃之裂斷刀，以刻劃線沿著該間隔之形成位置延伸之方式將基板水平配置在下刃之上後，使作為上刃之裂斷刀下降抵接於基板，並進一步往下方壓下，據以使基板產生3點撓曲之狀態以使垂直裂痕從刻劃線前進來將基板斷開。

先行技術文獻

[專利文獻1]日本特開2014-83821號公報

近來，一種取代專利文獻1所揭露之先前構成之裂斷裝置，而採用一彈性體(例如橡膠板)作為基板之載置部，以裂斷刀進行裂斷之裂斷裝置，已被研究、開發出。此種裂斷裝置，例如，與先前構成之裂斷裝置相較，具有可減少裂斷刀之壓入量的優點。

此場合，作為載置部使用之彈性體之表面，就裂斷之精度及確實性等之觀點而言，被要求盡可能厚度一樣且表面平坦。至少，被要求厚度不均在30μm以下、表面粗糙度在30nm以下。

又，此種作為載置部使用之彈性體，與作為支承該彈性體之支承部皆以透明者較佳。其理由在於，在此等彈性體及支承部為透明之情形時，可透過該等從下方觀察載置在該彈性體之基板之故。作為此種透明彈性體之材料，例如有透明矽橡膠。

然而，市售之板狀透明彈性體，一般而言，係對模具注入液體或黏土狀之透明彈性體材料，藉加熱成型來製造，因此其厚度之精度，除了直接受模具精度之影響外，亦受成型温度之不均、材料密度之不均等的影響。例如，若係目標厚度為3mm之製品的話，至少會有100μm程度之厚度不均。將此種整體之厚度不均大的透明彈性體原封不動的用作為裂斷裝置之載置部之情形時，作用於裂斷刀之力會因位置而產生不均，導致切割殘留、押入量不足等的不良情形，不易確實進行良好之裂斷。

本發明有鑑於上述課題而為，其目的在提供一種適於在沿著刻劃線使基板裂斷之裂斷裝置中之基板載置部的由彈性體構成之構件、以及於載置部裝備該構件之裂斷裝置。

為解決上述課題，請求項1之發明之裂斷裝置，係對一主面側形成有刻劃線之基板沿該刻劃線進行裂斷，其具備將該基板以水平姿勢加以載置的載置部、以及在該載置部之上方設置成相對該載置部進退自如的裂斷刀，在將該基板以該刻劃線之延伸方向與該裂斷刀刀前緣之延伸方向一致之方式載置於該載置部之狀態下，使該裂斷刀下降至既定下降停止位置，據以使該基板沿該刻劃線斷開，該載置部係邵氏A硬度在50°以上90°以下、厚度不均在30μm以下、載置該基板之被載置面之表面粗糙度在30nm以下的板狀彈性體。

請求項2之發明係請求項1之裂斷裝置中，前述彈性體為透明彈性體。

請求項3之發明係請求項2之裂斷裝置中，前述透明彈性體為矽橡膠。

請求項4之發明之裂斷方法，係對一主面側形成有刻劃線之基板沿該刻劃線進行裂斷，其具備：於載置部上，以該刻劃線之延伸方向與在該載置部之上方相對該載置部進退自如設置之裂斷刀刀前緣之延伸方向一致之方式，將該基板以水平姿勢載置的步驟；以及在該基板被載置於該載置部上之狀態下使該裂斷刀下降至既定下降停止位置，據以使該基板沿該刻劃線斷開的步驟；作為該載置部，使用邵氏A硬度在50°以上90°以下、厚度不均在30μm以下、載置該基板之被載置面之表面粗糙度在30nm的板狀彈性體。

請求項5之發明，係請求項4之基板之裂斷方法中，前述彈性體係將以加熱成型形成、厚度不均在100μm以上之初期彈性體之表面加以拋光者。

請求項6之發明，係請求項4或5之基板之裂斷方法中，前述彈性體為透明彈性體。

請求項7之發明，係請求項6之基板之裂斷方法中，前述透明彈性體為矽橡膠。

請求項8之發明之裂斷裝置之基板載置部用構件，係在將一主面側形成有刻劃線之基板沿該刻劃線進行裂斷之裝置中，用於將該基板以水平姿勢載置之載置部，其特徵在於；該構件，係邵氏A硬度在50°以上90°以下、厚度不均在30μm以下、載置該基板之被載置面之表面粗糙度在30nm以下的板狀彈性體。

請求項9之發明，係請求項8之裂斷裝置之基板載置部用構件中，該構件由透明彈性體構成。

請求項10之發明，係請求項9之裂斷裝置之基板載置部用構件中，該構件由矽橡膠構成。

根據請求項1至請求項10之發明，可於裂斷裝置中沿刻劃線使基板確實的斷開。

尤其是根據請求項2、請求項3、請求項6、請求項7、請求項9及請求項10之發明的話，不僅能確實的進行沿刻劃線之裂斷，亦能在裂斷時透過載置部從下方觀察基板。

再者，根據請求項5之發明，可藉由對加熱成型體進行拋光的簡便手法，獲得載置部用之彈性體。

1‧‧‧載置部

1 α‧‧‧載置部用構件

1 β‧‧‧初期彈性體

1a‧‧‧(載置部之)上面

2‧‧‧裂斷刀

2a‧‧‧刀前緣

3‧‧‧支承部

4‧‧‧攝影機

5‧‧‧照明手段

100‧‧‧裂斷裝置

20‧‧‧吸附平台

201‧‧‧吸附平台

202‧‧‧粗拋光手段

203‧‧‧拋光材

204‧‧‧擦光輪

AR1~AR5‧‧‧箭頭

RE1‧‧‧與基板接觸之區域

RE2‧‧‧與基板不接觸之區域

RE3‧‧‧原本與初期彈性體1 β接觸之區域

RE4‧‧‧原本與初期彈性體1 β不接觸之區域

S0‧‧‧被吸附面

S1‧‧‧初期彈性體之上面

S2‧‧‧經粗拋光之初期彈性體之上面

S3‧‧‧經精拋光之初期彈性體之上面

SL‧‧‧刻劃線

W‧‧‧基板

Wa‧‧‧(基板之)刻劃線形成面

Wb‧‧‧(基板之)非刻劃線形成面

圖1係顯示裂斷裝置100之主要部位的圖。

圖2係顯示裂斷裝置100之主要部位的圖。

圖3係概略顯示對初期彈性體1 β進行之加工處理之程序的圖。

圖4係對比顯示粗拋光前後之初期彈性體1 β之表面以非接觸高度測定器(雷射位移計)評價之結果的圖。

圖5係顯示將初期彈性體1 β在未經拋光下直接用於載置部1時之裂斷狀態的示意圖。

圖6係顯示對初期彈性體1 β在上述態樣下進行粗拋光及精拋光後所得之載置部用構件1 α用於載置部1時之裂斷狀態的示意圖。

<裂斷裝置>

圖1及圖2係顯示本發明實施形態之裂斷裝置100之主要部位的圖。裂斷裝置100，具備用以將基板W以水平姿勢載置之載置部1、壓接於基板W以使基板W斷開之裂斷刀2、以及用以從下方支承載置部1之支承部3。裂斷裝置100，係對預先形成有刻劃線(scribe線)SL之基板W使用裂斷刀2施以裂斷處理，以使裂痕(垂直裂痕)從該刻劃線SL往基板W之厚度方向伸展，據以使基板W沿刻劃線SL斷開之裝置。詳言之，圖1係包含與裂斷刀2之長邊方向垂直之剖面的側視剖面圖，圖2係沿裂斷刀2之長邊方向的側視圖。

基板W係由玻璃基板、陶瓷基板、半導體基板等之脆性材料形成。厚度及尺寸雖無特別限制，典型而言，係設定為0.1mm~1mm程度之厚度且直徑為6英吋~10英吋程度者。

又，圖1及圖2中，雖係顯示於基板W僅形成有1條刻劃線SL之態樣，但此僅係為簡化圖及便於說明，一般而言，對一基板W形成有多數條刻劃線SL。此外，圖1及圖2中雖省略圖示，但基板W亦可以是在貼於伸展設置在被稱為切割環等之環狀構件之片材的態樣下提供於進行裂斷。

載置部1由板狀之彈性體構成，以支承部3支承為水平姿勢之狀態下，於其上面1a載置基板W。本實施形態中，將用於載置部1之彈性體構件稱為載置部用構件1 α。基板W，係以形成有刻劃線SL側之主面(刻劃線形成面)Wa抵接於載置部1之上面1a之態樣、且使刻劃線SL之延伸方向與裂斷刀2之刀前緣2a之延伸方向一致之態樣，載置於載置部1。

載置部1之厚度，只要是在裂斷時該載置部1之彈性可適當展現之程度即可，但典型的為1mm~5mm程度。

裂斷刀2，例如係由超鋼合金或局部安定化二氧化鋯等構成，如圖1所示，於其鉛直下側部分，具備與該裂斷刀2之長邊方向垂直之剖面略呈三角形狀之刀前緣2a。刀前緣2a，約略，以形成10°~90°程度之角度的2個刃面形成。

支承部3，係將載置部1以水平姿勢從下方支承、表面平坦且較載置部1具有充分之剛性的部位。

在具有以上構成之裂斷裝置100之裂斷處理，係使裂斷刀2如圖1中箭頭AR1所示般往鉛直下方下降既定距離，以抵接於基板W之刻劃線SL之上方位置來進行。

進一步詳言之，如圖2所示，係藉由使裂斷刀2從既定初期位置z=z0起，下降至到達較非刻劃線形成面Wb之高度位置z=z1更下方之設定於z=z2之高度位置的停止位置(下降停止位置)，具以實現。又，將在裂斷處理時基板下降之從z=z0到z=z2之距離｜z2-z0｜，稱為裂斷刀2之壓入量。

裂斷刀2從初期位置z=z0下降，在高度位置z=z1與非刻劃線形成面Wb抵接後持續被壓下至z=z2之下降停止位置時，基板W受到來自上方之裂斷刀2之按壓力，據此，即被壓於作為彈性體之載置部1，此時受到來自彈性體之斥力，產生使基板W從刻劃線SL之形成處分離成2個單片之作用。據此，基板W斷開成2個單片。

為了在上述態樣下實現良好之斷開，作為載置部用構件1α所使用之彈性體之邵氏A硬度，以50°~90°程度較佳。使用邵氏A硬度小於50°之彈性體作為載置部用構件1α之情形時，上述態樣下之斷開所需之壓入量將變得過大，從而因斷開時在邊緣部分易產生缺口，因此不佳。又，使用邵氏A硬度超過90°之彈性體作為載置部用構件1α之情形時，將因無法獲得適合在上述態樣下進行斷開之斥力，因此不佳。

較佳的是，載置部1及支承部3由光學上透明的構件構成，且裂斷裝置100，如圖1及圖2所示，在支承部3之鉛直下方具備攝影機4。此情形下，作為構成載置部1之透明的彈性體(載置部用構件1α)，可以是例如矽橡膠。作為構成支承部3之透明構件，可以是例如玻璃板。又，攝影機4，例如是CCD攝影機。

攝影機4配置在包含裂斷刀2(詳言之，係刀前緣2a)之鉛直面內。攝影機4朝鉛直上方配置，可透過透明的載置部1及支承部3拍攝載置於載置部1之基板W。

又，以附設於攝影機4之態樣，設有照明手段5。照明手段5被配置成朝向鉛直上方照射照明用光。作為照明手段5，雖以使用圍繞攝影機4之態樣設置之環狀照明為較合適之一例，但亦可使用其他形態之物。

如前所述，在載置部1及支承部3為透明、且具備攝影機4(及照明手段5)之情形時，於裂斷裝置100，即能透過載置部1及支承部3觀察基板W。如此，即能在以裂斷刀2進行裂斷時，藉由攝影機4之拍攝影像進行基板W之定位、或裂斷處理時之狀態觀察等。例如，於裂斷處理之前，可藉由一邊以攝影機4觀察基板W之刻劃線形成面Wa、一邊調整基板W之位置，將刻劃線SL配置在緊接著裂斷刀2之下方等。

<載置部用構件之製作>

接著，說明上述裂斷裝置100中作為載置部1使用之載置部用構件1α之製作。以下，特別是針對為了能以攝影機4透過載置部1及支承部3進行拍攝，而使用透明的彈性體作為載置部用構件1α之情形加以說明。圖3 係概略顯示此種情形中為獲得載置部用構件1 α之程序的圖。

欲於裂斷裝置100中實現適當地使基板W斷開，被要求載置部1之上面1a須為既定程度之水平且平坦。如上所述，欲以攝影機4從支承部3下方拍攝之情形時，除上述水平性及平坦性外，亦要求作為載置部1之載置部用構件1 α具有充分之光穿透性。因此，本實施形態中，作為載置部用構件1 α使用透明彈性體之情形時，除水平性及平坦性外，載置部用構件1 α之製作亦需確保透明性。

於載置部用構件1 α之製作時，首先，於模具中注入液狀或黏土狀之透明彈性體材料並加熱成型為板狀，以獲得透明彈性體。之後之說明中，將該經加熱成型所得之透明彈性體、及之後進行之加工途中階段之透明彈性體，統稱為初期彈性體1 β。圖3係概略顯示針對初期彈性體1 β進行之加工處理程序的圖。

用以獲得初期彈性體1 β之加熱成型，係為將初期彈性體1 β做成板狀，但因會受模具精度、成型温度之不均、透明彈性體材料之密度不均等影響，因此其尺寸精度並非十分充足。從而，如圖3(a)之示意所示，加熱成型後之初期彈性體1 β，雖確保了透明性，但其表面卻例如以10mm~300mm程度之節距存在厚度最大變化至100μm程度之大的起伏，因此，初期彈性體1 β具有最大100μm程度之厚度不均(不均)。

為消除上述厚度不均，接著，如圖3(b)所示，將初期彈性體1 β吸附固定於具有充分平坦度之吸附平台201，將其上面S1予以拋光(或研磨)。在吸附固定於吸附平台201之狀態下，被吸附面S0之起伏因吸附平台201之平坦性而被消除，會產生起伏的僅有上面S1側。

上面S1之拋光，例如，可藉由相對吸附平台201保持在一定高度位置之磨石等之粗拋光手段202，如箭頭AR2所示，對初期彈性體1 β之上面S1進行拋光來據以實現。將此處理稱為粗拋光。

當然，針對初期彈性體1 β，在其加熱成形時可慮粗拋光之去除量來決定所欲之厚度。上述初期彈性體1 β之厚度不均，可以說是因為此所欲厚度與實際厚度之差異因不同位置而相異所引起。

如圖3(c)所示，經施以此粗拋光之初期彈性體1 β之上面S2，如圖3(b)所示原本存在於處理前上面S1之起伏已被消除，巨觀而言已實現平坦的狀態。具體而言，厚度不均被抑制到5μm~30μm程度。

圖4係對比顯示粗拋光前後之初期彈性體1 β之表面以非接觸高度測定器(雷射位移計)評價之結果的圖。於圖4(a)所示之粗拋光前之初期彈性體1 β之上面S1，相對於原本存在之最大超過60μm之凹凸差，於圖4(b)所示之粗拋光後之初期彈性體1 β之上面S2，凹凸差已被抑制到約1/3之20μm程度。

然而，獲得粗拋光結果之上面S2，微觀而言，反而較粗拋光前之上面S1變得更為粗糙之狀態。圖4中，於圖4(b)所示之上面S2，確認了存在較圖4(a)所示之上面S1更細微之凹凸。因具有此種表面狀態，上面S2成為光亂反射之不透明面。亦即，粗拋光後之初期彈性體1 β，於厚度方向喪失了光穿透性。例如，於上面S2，產生了300nm~1000nm程度之表面粗糙度(Ra)。

因此，為恢復光穿透性，對粗拋光後之上面S2進行精拋光。作為精拋光之手法，例如有圖3(d)所示之一邊供應氧化鋁粉末等之拋光材203、一邊使擦光輪(buff)204如箭頭AR3所示之旋轉的擦光輪拋光等。精拋光至少進行至精拋光後之上面S3之表面粗糙度(Ra)達到(40)nm以下之程度。如此，上面S3即變得充分平坦且平滑，其結果，亂反射受到抑制、透明度提升。例如，粗拋光後原本是20~30%程度之光穿過率恢復至80~90%程度。

對最初作為被吸附面S0之面亦同樣的進行以上之粗拋光及精拋光，即能獲得表面平坦、厚度均勻且透明的載置部用構件1α。

又，在僅對最先作為上面S1之一面側進行了粗拋光及精拋光之狀態下，若能獲得充分之平坦性及厚度均勻性的話，亦可不對最先作為被吸附面S0之另一面側不進行拋光。此場合，將高透明性側之面(通常，非拋光面之透明性較精拋光後之上面S3高)作為載置部1之上面1a(接近基板W之被觀察部位之側)使用者較佳。

又，圖5係將初期彈性體1β直接用於載置部1之情形時之裂斷狀態的示意圖，圖6則係對初期彈性體1β以上述態樣進行粗拋光及精拋光後所得之載置部用構件1α用作為載置部1之情形時之裂斷狀態的示意圖。在任一場合，裂斷刀2與刻劃線SL之配置關係皆被調整為可進行斷開之狀態，並以設定適當之壓入量。

如圖5(a)所示，為了將初期彈性體1β用作為載置部1而以支承部3從下方支承之狀態下，至少於其上面S4會形成起伏。又，圖5中為簡化圖示，雖係顯示初期彈性體1β與支承部3緊貼之態樣，但實際上，有可能因初期彈性體1β之形狀，在初期彈性體1β與支承部3之間形成有間隙。

如圖5(b)所示，當在作為載置部1之初期彈性體1β之上載置基板W時，因上面S4存在起伏而導致於初期彈性體1β形成與基板W接觸之區域RE1、與不接觸之區域RE2。在此狀況下，如箭頭AR4所示的使裂斷刀2下降，進行裂斷處理時，如圖5(c)所示，於基板W會產生原本與初期彈性體1β接觸之區域RE3進行斷開，而原本與初期彈性體1β不接觸之區域RE4則不進行斷開的狀況。此係由於，後者之情形被認為係因裂斷刀2未充分壓入基板W，其結果，從作為載置部1之初期彈性體1β無法獲得足以使斷開進行之斥力之故。

又，在此情形下，雖可藉由使裂斷刀2之壓入量增加至大於規定值，以使斷開進行，但因斷開所得之單片之邊緣部分會產生缺口，導致品質降低之可能性高，因此並不佳。

相對於此，將厚度均勻之載置部用構件1α用作為載置部1之情形時，如圖6(a)所示，其上面1a一樣的平坦、且載置部1與支承部3緊貼。因此，如圖6(b)所示，在將基板W載置於載置部用構件1α上並如箭頭AR5所示的使裂斷刀2降下時，裂斷刀2會均勻地壓入基板W，因此如圖6(c)所示，基板W會(沿刻劃線SL)確實斷開。亦即，與圖5所示之情形不同的，不會產生不斷開之處。

如以上之說明，根據本實施形態，在進行對預先形成有刻劃線之基板沿該刻劃線進行斷開之裂斷處理的裂斷裝置，藉由於載置基板之載置部使用邵氏A硬度在50°以上90°以下、厚度不均在30μm以下、載置基板之被載置面之表面粗糙度在30nm以下之板狀彈性體，即能於該裂斷裝置沿刻劃線使基板確實地斷開。

又，滿足上述要件之彈性體，可藉由對液體之彈性體材料進行加熱成型所得之成形體進行拋光之簡單手法獲得，該手法，即使是在使用透明彈性體作為該載置部之情形時亦能適用。於使用透明彈性體作為載置部之裂斷裝置，不僅能確實地進行沿刻劃線之裂斷，亦能在裂斷時透過載置部及其支承部從下方觀察基板。

<變形例>

上述實施形態中，雖係載置部1之整體(下面全面)被支承部3從下方支承，但此並非必須之態樣。在能確保載置部1之水平性的情形下，可存在不被支承部3支承之位置。例如，在載置部1之下方設置攝影機4之構成中，可以是載置部1與攝影機4間之區域(特別是攝影機4之像角內)不存在支承部3之態樣。此場合，只要僅載置部1透明的話，即使支承部3不透明，攝影機4亦能僅透過載置部1拍攝載置在載置部1之基板W。

1α:載置部用構件

1β:初期彈性體

201:吸附平台

202:粗拋光手段

203:拋光材

204:擦光輪

S0:被吸附面

S1:初期彈性體之上面

S2:經粗拋光之初期彈性體之上面

S3:經精拋光之初期彈性體之上面

AR2、AR3:箭頭

Claims

一種裂斷裝置，係對一主面側形成有刻劃線之基板沿該刻劃線進行裂斷，其具備：載置部，將該基板以水平姿勢加以載置；以及裂斷刀，在該載置部之上方設置成相對該載置部進退自如；在將該基板以該刻劃線之延伸方向與該裂斷刀刀前緣之延伸方向一致之方式載置於該載置部之狀態下，使該裂斷刀下降至既定下降停止位置，據以使該基板沿該刻劃線斷開；該載置部，係邵氏A硬度在50°以上90°以下、厚度不均在30μm以下、載置該基板之被載置面之表面粗糙度在30nm以下的板狀彈性體；其中，該彈性體係將以加熱成型形成、厚度不均在100μm以上之初期彈性體之表面加以拋光者。
如申請專利範圍第1項之裂斷裝置，其中，該彈性體為透明彈性體。
如申請專利範圍第2項之裂斷裝置，其中，該透明彈性體為矽橡膠。
一種裂斷方法，係對一主面側形成有刻劃線之基板沿該刻劃線進行裂斷，其具備：於載置部上，以該刻劃線之延伸方向與在該載置部之上方相對該載置部進退自如設置之裂斷刀刀前緣之延伸方向一致之方式，將該基板以水平姿勢載置的步驟；以及在該基板被載置於該載置部上之狀態下使該裂斷刀下降至既定下降停止位置，據以使該基板沿該刻劃線斷開的步驟；作為該載置部，使用邵氏A硬度在50°以上90°以下、厚度不均在30μ m以下、載置該基板之被載置面之表面粗糙度在30nm的板狀彈性體；其中，該彈性體係將以加熱成型形成、厚度不均在100μm以上之初期彈性體之表面加以拋光者。
如申請專利範圍第4項之基板之裂斷方法，其中，該彈性體為透明彈性體。
如申請專利範圍第5項之基板之裂斷方法，其中，該透明彈性體為矽橡膠。
一種裂斷裝置之基板載置部用構件，係在將一主面側形成有刻劃線之基板沿該刻劃線進行裂斷之裝置中，用於將該基板以水平姿勢載置之載置部，其特徵在於；該構件，係邵氏A硬度在50°以上90°以下、厚度不均在30μm以下、載置該基板之被載置面之表面粗糙度在30nm以下的板狀彈性體；其中，該彈性體係將以加熱成型形成、厚度不均在100μm以上之初期彈性體之表面加以拋光者。
如申請專利範圍第7項之裂斷裝置之基板載置部用構件，其中，該構件由透明彈性體構成。
如申請專利範圍第8項之裂斷裝置之基板載置部用構件，其中，該構件由矽橡膠構成。