KR20150048018A - 스크라이빙 공구, 스크라이빙 공구의 제조 방법, 및 스크라이브 라인의 형성 방법 - Google Patents

스크라이빙 공구, 스크라이빙 공구의 제조 방법, 및 스크라이브 라인의 형성 방법 Download PDF

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KR20150048018A
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미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤
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Abstract

과제
스크라이브 라인을 형성하기 위한 기점 크랙을 보다 확실하게 형성하는 것.
해결 수단
스크라이빙 공구는, 생크와, 생크에 장착된 다이아몬드 입자 (51) 를 갖는다. 다이아몬드 입자 (51) 에는, 단을 갖는 능선 (EL) 이 형성되어 있다. 다이아몬드 입자 (51) 는, 제 1 부분 (P1) 및 제 2 부분 (P2) 을 포함한다. 제 1 부분 (P1) 은, 능선 (EL) 의 단에 형성된 제 1 돌기 (D1) 와, 제 1 돌기 (D1) 로부터 능선 (EL) 을 따라 연장되는 제 1 직선부 (L1) 를 갖는다. 제 2 부분 (P2) 에는, 능선 (EL) 상에 제 1 직선부 (L1) 에 연결되어 배치된 오목부 (RA) 가 형성되어 있다. 제 1 부분 (P1) 및 제 2 부분 (P2) 사이에 있어서 제 1 직선부 (L1) 와 오목부 (RA) 가 합쳐짐으로써 제 2 돌기 (D2) 가 구성되어 있다.

Description

스크라이빙 공구, 스크라이빙 공구의 제조 방법, 및 스크라이브 라인의 형성 방법{SCRIBING TOOL, METHOD OF MANUFACTURING SCRIBING TOOL, METHOD OF CREATING SCRIBE LINE}
본 발명은, 스크라이빙 공구, 스크라이빙 공구의 제조 방법, 및 스크라이브 라인의 형성 방법에 관한 것으로, 특히 다이아몬드 입자를 사용한 스크라이빙 공구, 스크라이빙 공구의 제조 방법, 및 스크라이브 라인의 형성 방법에 관한 것이다.
플랫 디스플레이 패널 또는 태양 전지 패널 등의 전기 기기의 제조에 있어서, 예를 들어, 유리판, 반도체 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼, 또는 세라믹스판 등, 취성 재료로 제조된 기판을 절단하는 것이 종종 필요해진다. 이 때, 스크라이브 장치에 의해 기판에 스크라이브가 종종 실시된다. 즉 기판 표면에 스크라이브 라인이 형성된다. 스크라이브 라인은, 기판의 두께 방향으로 적어도 부분적으로 진행된 크랙이 기판의 표면 상에 있어서 라인상으로 연장되어 있는 것임을 말한다.
크랙이 두께 방향으로 완전히 진행되고 있는 경우에는, 스크라이브 라인의 형성만으로 스크라이브 라인을 따라 기판이 완전히 절단된다. 크랙이 두께 방향으로 부분적으로만 진행되고 있는 경우에는, 스크라이브 라인의 형성 후에 브레이크 공정으로 칭해지는 응력 부여가 이루어진다. 브레이크 공정에 의해 크랙을 두께 방향으로 완전히 진행시킴으로써, 스크라이브 라인을 따라 기판이 완전히 절단된다.
스크라이브 라인을 형성하기 위한 스크라이빙 공구로서 널리 사용되고 있는 것으로서, 다이아몬드 스크라이빙 공구가 있다. 예를 들어 일본 공개특허공보 2011-219308호 (특허문헌 1) 에 의하면, 다이아몬드 스크라이빙 공구는, 합성 다이아몬드 지립과, 그것을 유지하는 생크를 갖는다. 합성 다이아몬드 지립은, (100) 면과 인접하는 2 면의 (111) 면의 교점을 포인트로서 갖는다.
일본 공개특허공보 2011-219308호
스크라이브 라인을 형성하기 위해서는, 먼저 그 계기가 되는 기판 내부로의 균열 (이하, 기점 크랙이라고 한다) 을 발생시킬 필요가 있다. 일단 기점 크랙이 형성되면, 그곳으로부터 스크라이브 라인을 기판 상에 있어서 용이하게 신전 (伸展) 시킬 수 있다. 반대로 말하면, 기점 크랙의 형성 없이는, 기판 상에서 스크라이빙 공구를 주사해도, 기판 상에 흠집이 날 뿐인 것에 불과하다. 이 흠집만으로는, 전술한 브레이크 공정에 있어서 응력을 부여해도 기판을 절단할 수 없고, 그러한 구성은 본 명세서에 있어서의「스크라이브 라인」에 상당하는 것이 아니다.
기점 크랙은 기판의 가장자리에 있어서 특히 형성하기 쉽다. 왜냐하면, 가장자리에 있어서는 단면에 스크라이빙 공구가 흠집을 냄으로써 기판 내부로의 균열 발생이 특히 일어나기 쉽기 때문이다. 그러나, 설령 가장자리 상이라 하더라도, 충분한 흠집이 발생하지 않고 기점 크랙이 형성되지 않는 경우가 있었다. 바꿔 말하면, 기점 크랙을 형성하는 공정의 수율이 100 % 는 아니었다. 따라서 기점 크랙을 보다 확실하게 형성하는 방법이 요망되었다.
본 발명은 이상과 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 그 목적은, 스크라이브 라인을 형성하기 위한 기점 크랙을 보다 확실하게 형성할 수 있는 스크라이빙 공구, 스크라이빙 공구의 제조 방법, 및 스크라이브 라인의 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 스크라이빙 공구는, 생크와, 생크에 장착된 다이아몬드 입자를 갖는다. 다이아몬드 입자에는, 단 (端) 을 갖는 능선이 형성되어 있다. 다이아몬드 입자는, 제 1 및 제 2 부분을 포함한다. 제 1 부분은, 능선의 단에 형성된 제 1 돌기와, 제 1 돌기로부터 능선을 따라 연장되는 제 1 직선부를 갖는다. 제 2 부분에는, 능선 상에 제 1 직선부에 연결되어 배치된 오목부가 형성되어 있다. 제 1 및 제 2 부분 사이에 있어서 제 1 직선부와 오목부가 합쳐짐으로써 제 2 돌기가 구성되어 있다.
바람직하게는, 다이아몬드 입자는, 오목부로부터 능선을 따라 연장되는 제 2 직선부를 갖는 제 3 부분을 추가로 포함한다. 제 1 및 제 2 직선부는 하나의 가상 직선 상에 위치한다.
바람직하게는, 제 1 직선부는 30 ㎛ 초과 100 ㎛ 미만의 길이를 갖는다. 바람직하게는, 오목부는 능선을 따라 30 ㎛ 초과 100 ㎛ 미만의 길이를 갖는다. 바람직하게는, 오목부는 10 ㎛ 초과 50 ㎛ 미만의 깊이를 갖는다.
본 발명의 스크라이빙 공구의 제조 방법은, 다음의 공정을 갖는다. 돌기가 형성된 단을 갖는 능선이 형성된 다이아몬드 입자가 준비된다. 돌기로부터 떨어진 위치에 있어서 능선과 교차하는 레이저광을 다이아몬드 입자에 조사함으로써, 능선 상에 오목부가 형성된다.
본 발명의 스크라이브 라인의 형성 방법은, 가장자리를 갖는 주면 (主面) 이 형성된 기판에 스크라이브 라인을 형성하는 스크라이브 방법으로서, 이하의 공정 (1) ∼ (3) 을 갖는다.
(1) 단을 갖는 능선이 형성된 다이아몬드 입자가 준비된다. 다이아몬드 입자는 제 1 및 제 2 부분을 포함한다. 제 1 부분은, 능선의 단에 형성된 제 1 돌기와, 제 1 돌기로부터 능선을 따라 연장되는 제 1 직선부를 갖는다. 제 2 부분에는, 능선 상에 제 1 직선부에 연결되어 배치된 오목부가 형성되어 있다. 제 1 및 제 2 부분 사이에 있어서 제 1 직선부와 오목부가 합쳐짐으로써 제 2 돌기가 구성되어 있다.
(2) 기판의 주면의 가장자리에 초기 균열이 형성된다. 초기 균열을 형성하는 공정은, 가장자리에 다이아몬드 입자의 오목부를 거는 공정과, 오목부에 걸린 가장자리를 제 2 돌기에 의해 긁는 공정을 포함한다.
(3) 주면 상에 있어서 다이아몬드 입자의 제 1 부분을 초기 균열로부터 주행시킴으로써, 스크라이브 라인이 신전된다.
상기 스크라이브 라인의 형성 방법에 있어서 바람직하게는, 다이아몬드 입자는, 오목부로부터 능선을 따라 연장되는 제 2 직선부를 갖는 제 3 부분을 추가로 포함한다. 제 1 및 제 2 직선부는 하나의 가상 직선 상에 위치하고 있다. 초기 균열을 형성하는 공정은, 오목부에 걸린 가장자리를 제 2 돌기에 의해 긁는 공정 전에, 능선 상에 있어서 제 2 직선부 상에서 오목부 중으로 기판의 주면의 가장자리를 미끄러져 들어가게 하는 공정을 추가로 포함한다.
본 발명에 의하면, 스크라이브 라인을 형성하기 위한 기점 크랙을 보다 확실하게 형성할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 실시형태 1 에 있어서 초기 균열로부터 스크라이브 라인이 신전되어 있는 모습을 나타내는 부분 평면도이다.
도 2 는 도 1 의 선 Ⅱ-Ⅱ 를 따른 개략 부분 단면도이다.
도 3 은 도 2 의 화살표 Ⅲ 의 시점 (視點) 에서 본 다이아몬드 입자의 평면도이다.
도 4 는 도 3 의 선 Ⅳ-Ⅳ 를 따른 개략 부분 단면도이다.
도 5 는 도 4 의 구성에 치수를 부여한 도면이다.
도 6 은 본 발명의 실시형태 1 에 있어서의 스크라이브 라인의 형성 방법의 제 1 공정을 개략적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 7 은 본 발명의 실시형태 1 에 있어서의 스크라이브 라인의 형성 방법의 제 2 공정을 개략적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 8 은 본 발명의 실시형태 1 에 있어서의 스크라이브 라인의 형성 방법의 제 3 공정을 개략적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 9 는 본 발명의 실시형태 1 에 있어서의 스크라이브 라인의 형성 방법의 제 4 공정을 개략적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 10 은 본 발명의 실시형태 1 에 있어서의 스크라이브 라인의 형성 방법의 제 5 공정을 개략적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 11 은 본 발명의 실시형태 2 에 있어서의 스크라이빙 공구의 제조 방법의 일 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 12 는 본 발명의 실시형태 3 에 있어서의 스크라이빙 공구가 갖는 다이아몬드 입자의 구성을 개략적으로 나타내는 부분 단면도이다.
이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 이하의 도면에 있어서 동일하거나 또는 상당하는 부분에는 동일한 참조 번호를 부여하고 그 설명은 반복하지 않는다.
(실시형태 1)
도 1 및 도 2 를 참조하여, 처음에 본 실시형태의 개요에 대해 설명한다. 생크 (59) 와 그것에 장착된 다이아몬드 입자 (51) 를 갖는 스크라이빙 공구 (50) 가 준비된다. 또 가장자리 (EG) 를 갖는 주면 (FC) 이 형성된 기판 (4) 이 준비된다. 다이아몬드 입자 (51) 가 가장자리 (EG) 에 얹혀짐으로써 초기 균열 (IC) 이 형성된다. 스크라이빙 공구 (50) 가 주면 (FC) 상을 추가로 주행함으로써 (도면 중, 화살표 (V4)), 초기 균열 (IC) 로부터 스크라이브 라인 (SL) 이 신전된다. 이로써 스크라이브 라인 (SL) 이 형성된다.
다음으로 다이아몬드 입자 (51) 의 구성에 대해 상세히 서술한다.
도 3 을 참조하면, 다이아몬드 입자 (51) 에는, 면 (P0) 과, 면 (P0) 을 둘러싸는 면 (P1a ∼ P1d) 이 형성되어 있다. 면 (P1a 및 P1b) 은, 서로 이웃한 1 쌍의 면이다.
면 (P1a 및 P1b) 의 경계에 있어서 다이아몬드 입자 (51) 에는 능선 (EL) 이 형성되어 있다. 능선 (EL) 은, 면 (P0) 에 연결되는 일방 단 (후술하는 돌기 (D1) 의 위치) 과, 타방 단 (도시 생략) 을 갖는다. 능선 (EL) 상의 일방 단 및 타방 단의 각각으로부터 떨어진 위치에 오목부 (RA) 가 형성되어 있다. 오목부 (RA) 의 상세에 대해서는 후술한다.
또한 면 (P1b 와 P1c) 의 쌍, 면 (P1c 와 P1d) 의 쌍, 및 면 (P1d 와 P1a) 의 쌍의 각각에 대해서도 동일하다. 바람직하게는, 결정학적으로 말하여, 면 (P0) 은 (001) 면이고, 면 (P1a ∼ P1d) 의 각각은 (111) 면, (-111) 면, (-1-11) 면 및 (1-11) 면이다.
도 4 를 참조하면, 다이아몬드 입자 (51) 는 부분 (P1 ∼ P3) (제 1 ∼ 제 3 부분) 을 포함한다.
부분 (P1) 은, 능선 (EL) 의 일방 단에 형성된 돌기 (D1) (제 1 돌기) 와, 돌기 (D1) 로부터 능선 (EL) 을 따라 연장되는 직선부 (L1) (제 1 직선부) 를 갖는다. 부분 (P2) 에는, 능선 (EL) 상에 직선부 (L1) 에 연결되어 배치된 오목부 (RA) 가 형성되어 있다. 부분 (P1 및 P2) 사이에 있어서 직선부 (L1) 와 오목부 (RA) 가 합쳐짐으로써 돌기 (D2) (제 2 돌기) 가 구성되어 있다.
부분 (P3) 은, 오목부 (RA) 로부터 능선 (EL) 을 따라 연장되는 직선부 (L2) (제 2 직선부) 를 갖는다. 부분 (P3 및 P3) 사이에 있어서 오목부 (RA) 와 직선부 (L2) 가 합쳐짐으로써 돌기 (D3) (제 3 돌기) 가 구성되어 있다. 직선부 (L1 및 L2) 는 가상 직선 (VL) (하나의 가상 직선) 상에 위치한다. 이로써 오목부 (RA) 는 가상 직선 (VL) 상에 국소적으로 형성되어 있다. 상기 서술한 돌기 (D1 ∼ D3) 는 모두 능선 (EL) 과 평면 또는 곡면이 이루는 모서리부로서, 그 선단은 점상 또는 미소한 곡면으로 되어 있다.
도 5 를 참조하면, 바람직하게는 직선부 (L1) 는 30 ㎛ 초과 100 ㎛ 미만의 길이 (M1) 를 갖는다. 바람직하게는 오목부 (RA) 는 능선 (EL) 을 따라 30 ㎛ 초과 100 ㎛ 미만의 길이 (M2) 를 갖는다. 바람직하게는 오목부 (RA) 는 10 ㎛ 초과 50 ㎛ 미만의 깊이 (M3) 를 갖는다.
다음으로, 스크라이브 라인 (SL) 을 형성하는 스크라이브 방법의 상세에 대하여, 이하에 설명한다.
먼저, 스크라이빙 공구 (50) (도 2) 가 준비된다. 구체적으로는, 생크 (59) (도 2) 에 장착된 다이아몬드 입자 (51) (도 5) 가 준비된다.
도 6 을 참조하면, 기판 (4) 이 준비된다. 생크 (59) (도 2) 를 이동시킴으로써 다이아몬드 입자 (51) 가 대기 위치에 배치된다. 구체적으로는, 다이아몬드 입자 (51) 의 돌기 (D1) 가 기판 (4) 의 주면 (FC) 보다 높게 배치된다. 또 돌기 (D1 ∼ D3) 가 주면 (FC) 상으로부터 벗어나 배치된다. 오목부 (RA) 는 가장자리 (EG) 에 면하도록 배치된다.
도 7 을 참조하면, 도면 중 화살표 (V1) 에 나타내는 바와 같이, 오목부 (RA) 의 전체가 주면 (FC) 보다 아래에 위치하도록 다이아몬드 입자 (51) 가 하강된다. 이 때의 주면 (FC) 에서 돌기 (D1) 까지의 거리를 절입량이라고 하며, 통상적으로 100 ㎛ 이상으로 설정된다.
도 8 을 참조하면, 도면 중 화살표 (U2) 에 나타내는 바와 같이, 다이아몬드 입자 (51) 가 기판 (4) 을 향하여 수평 이동된다. 이로써 다이아몬드 입자 (51) 의 직선부 (L2) 가 기판 (4) 의 가장자리 (EG) 에 접촉한다. 그 결과, 다이아몬드 입자 (51) 가 기판 (4) 에 얹혀진다 (도면 중 화살표 (V2)). 또한 이 접촉시에 과도한 충격이 발생하지 않도록 하기 위해, 상기 수평 이동 (도 8 의 화살표 (U2)) 의 속도는, 스크라이브 라인 (SL) 형성시 (도 10 의 화살표 (V4)) 의 속도보다 충분히 작게 되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 전자가 5 ㎜/초 이상 20 ㎜/초 이하 정도이고, 후자가 300 ㎜/초 이상 500 ㎜/초 이하 정도이다. 다이아몬드 입자 (51) 가 기판 (4) 에 얹혀진 후의 주면 (FC) 에서 돌기 (D1) 까지의 거리 (실제로 다이아몬드 입자가 기판 (4) 에 파고드는 깊이) 는 1 ∼ 7 ㎛ 정도가 된다.
다음으로, 기판 (4) 의 주면 (FC) 의 가장자리 (EG) 에 초기 균열 (IC) 이 형성된다. 구체적으로는, 이하의 공정이 실시된다.
추가로 도 9 를 참조하면, 수평 이동 (도면 중 화살표 (U3)) 이 계속됨으로써, 능선 (EL) 상에 있어서 직선부 (L2) 상에서 오목부 (RA) 중으로 기판 (4) 의 주면 (FC) 의 가장자리 (EG) 가 미끄러져 들어간다. 이 때, 돌기 (D3) 가 가장자리 (EG) 를 긁음으로써 가장자리 (EG) 에 흠집을 형성할 수 있다. 수평 이동의 추가적인 진행과 함께, 가장자리 (EG) 에 다이아몬드 입자 (51) 의 오목부 (RA) 가 걸리고, 그리고 오목부 (RA) 에 걸린 가장자리 (EG) 가 돌기 (D2) 에 의해 긁힌다 (도면 중 화살표 (V3)).
도 10 을 참조하면, 상기에 의해, 기판 (4) 의 주면 (FC) 의 가장자리 (EG) 에 초기 균열 (IC) 이 형성된다. 다음으로 주면 (FC) 상에 있어서 다이아몬드 입자 (51) 의 부분 (P1) 의 일부를 (구체적으로는 돌기 (D1) 와 직선부 (L1) 의 일부를) 초기 균열 (IC) 로부터 주행시킴으로써 (도면 중 화살표 (V4)), 스크라이브 라인 (SL) (도 1 및 도 2) 이 신전된다. 초기 균열 (IC) 의 형성 후, 스크라이브 라인 (SL) 의 형성 중에는, 도시되어 있는 바와 같이, 오목부 (RA) 가 기판 (4) 의 외부에 위치하는 것이 바람직하다.
또한 초기 균열 (IC) 및 스크라이브 라인 (SL) 의 각각은, 다이아몬드 입자 (51) 를 기판 (4) 의 주면 (FC) 상에 적당한 하중으로 가압하면서 수평 방향 (도 8 ∼ 도 10 에 있어서의 우측 방향) 으로 이동시킴으로써 연속적으로 형성할 수 있다. 화살표 (V2) (도 8) 및 화살표 (V3) (도 9) 가 포함하는 미소한 상하동은, 상기 하중이 적당하게 선택되어 있으면, 특별한 제어 없이 자동적으로 발생한다.
본 실시형태에 의하면, 오목부 (RA) 에 걸린 가장자리 (EG) (도 9) 가 돌기 (D2) 에 의해 긁힌다. 이로써 초기 균열 (IC) (도 10) 을 보다 확실하게 형성할 수 있다. 또 오목부 (RA) 에 걸린 가장자리 (EG) 를 돌기 (D2) 에 의해 긁기 전에, 직선부 (L2) 상에서 오목부 (RA) 중으로 기판 (4) 의 가장자리 (EG) 가 미끄러져 들어간다. 이 때, 돌기 (D3) 가 가장자리 (EG) 를 긁음으로써 흠집을 형성해도 된다. 이 흠집의 발생에 의해, 초기 균열 (IC) 을 보다 더 확실하게 형성할 수 있다.
직선부 (L1) 가 30 ㎛ 초과의 길이 (M1) (도 5) 를 가짐으로써, 초기 균열 (IC) 형성 완료 후, 스크라이브에 적절한 하중 및 절입 깊이로 스크라이브 라인 (SL) 이 형성될 때 (도 10), 오목부 (RA) 가 기판 (4) 으로부터 충분히 떨어진다. 이로써 오목부 (RA) 가 스크라이브 라인 (SL) 의 형성에 영향을 주는 것을 피하기 쉬워진다. 직선부 (L1) 가 100 ㎛ 미만의 길이 (M1) (도 5) 를 가짐으로써, 돌기 (D2) 가 가장자리 (EG) 에 확실하게 접촉하게 된다. 만약 길이 (M1) 가 과도하게 크면, 스크라이브에 적절한 하중 및 절입 깊이를 설정한 시점에서 돌기 (D2) 가 기판 (4) 의 주면 (FC) 보다 위에 위치할 가능성이 높고, 그 경우, 가장자리 (EG) 에 흠집을 낼 수 없게 된다.
오목부 (RA) 가 능선 (EL) 을 따라 30 ㎛ 초과의 길이 (M2) (도 5) 를 가짐으로써, 기판 (4) 의 가장자리 (EG) 에 다이아몬드 입자 (51) 의 오목부 (RA) 를 보다 확실하게 걸 수 있다. 오목부 (RA) 가 능선 (EL) 을 따라 100 ㎛ 미만의 길이 (M2) (도 5) 를 가짐으로써, 능선 (EL) 상에 있어서 직선부 (L2) 상에서 오목부 (RA) 중으로 기판 (4) 의 주면 (FC) 의 가장자리 (EG) 가 미끄러져 들어감으로써 돌기 (D3) 가 가장자리 (EG) 를 긁음으로써 흠집을 형성하는 위치와 돌기 (D2) 에 의해 긁히는 위치의 어긋남을 작게 할 수 있다. 이로써, 양 작용을 가장자리 (EG) 의 동일 지점에 부여하기 쉬워진다. 따라서 초기 균열 (IC) 을 보다 더 확실하게 형성할 수 있다.
오목부 (RA) 가 10 ㎛ 초과의 깊이 (M3) (도 5) 를 가짐으로써, 초기 균열 (IC) 을 형성하기에 충분히 돌출된 돌기 (D2) 에 의해 기판 (4) 의 가장자리 (EG) 가 긁힌다. 이로써 초기 균열 (IC) 을 보다 더 확실하게 형성할 수 있다. 오목부 (RA) 가 50 ㎛ 미만의 깊이 (M3) (도 5) 를 가짐으로써, 오목부 (RA) 를 보다 용이하게 형성할 수 있다.
또한 본 실시형태에 있어서는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 오목부 (RA) 의 전체가 주면 (FC) 보다 아래에 위치하도록 다이아몬드 입자 (51) 가 하강되는데, 그 대신에 오목부 (RA) 의 일부가 주면 (FC) 보다 아래에 위치하도록 다이아몬드 입자 (51) 가 하강되어도 된다. 이 경우, 그 후의 다이아몬드 입자 (51) 의 수평 이동 (도 9 : U3) 에 의해, 가장자리 (EG) 가 오목부 (RA) 내에 침입한다. 그 후, 상기 서술한 도 9 이후의 공정이 실시된다.
이 변형예에 의하면, 기판 (4) 에 대한 돌기 (D3) 의 접촉 없이, 돌기 (D2) 가 가장자리 (EG) 를 긁는 1 회의 작용만으로 초기 균열 (IC) 이 형성된다. 따라서, 2 회 이상의 작용에 의해 초기 균열 (IC) 을 형성하려고 하는 경우와 달리, 위치 어긋남에서 기인하여 2 개 지점 이상에 초기 균열 (IC) 을 형성하지 않는다. 불필요한 지점에 초기 균열 (IC) 이 형성되어 있으면, 의도치 않은 균열의 신전이 발생할 수 있다.
또한 상기 설명에 있어서는 기판 (4) 에 대하여 다이아몬드 입자 (51) 가 이동하는데, 동일한 상대 이동이 얻어지는 한, 다이아몬드 입자 (51) 에 대하여 기판 (4) 이 이동하거나, 또는 양방이 이동하거나 해도 된다.
(실시형태 2)
본 실시형태에 있어서는, 상기 서술한 실시형태 1 의 스크라이빙 공구 (50) (도 2) 의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 11 을 참조하면, 생크 (59) (도 2) 에 장착된 다이아몬드 입자 (51) 가 준비된다. 다이아몬드 입자 (51) 에는, 실시형태 1 에서 설명한 바와 같이, 돌기 (D1) 가 형성된 단을 갖는 능선 (EL) 이 형성되어 있다. 또한 이 시점에서는 아직 오목부 (RA) (도 3) 는 형성되어 있지 않다.
다음으로, 돌기 (D1) 로부터 떨어진 위치에 있어서 능선 (EL) 과 교차하는 레이저광 (LL) 이 다이아몬드 입자 (51) 에 조사된다. 이로써 발생하는 레이저 어블레이션에 의해, 능선 (EL) 상에 오목부 (RA) (도 3) 가 형성된다.
본 실시형태에 의하면, 다이아몬드 입자 (51) 를 용이하게 제조할 수 있다. 또한 다이아몬드 입자 (51) 는, 상기 서술한 레이저 어블레이션 후에 생크 (59) (도 2) 에 장착되어도 된다.
(실시형태 3)
도 12 를 참조하면, 본 실시형태의 스크라이빙 공구는, 다이아몬드 입자 (51) (실시형태 1 : 도 4) 대신에 다이아몬드 입자 (52) 를 갖는다. 다이아몬드 입자 (52) 에는, 오목부 (RA) (도 4) 대신에 오목부 (RB) 가 형성되어 있다. 바꿔 말하면 부분 (P2) 에는, 능선 (EL) 상에 직선부 (L1) 에 연결되어 배치된 오목부 (RB) 가 형성되어 있다. 부분 (P1 및 P2) 사이에 있어서 직선부 (L1) 와 오목부 (RB) 가 합쳐짐으로써 돌기 (D2) 가 구성되어 있다. 본 실시형태에 있어서는, 오목부 (RB) 는, 능선 (EL) 중 돌기 (D1) 가 위치하는 일방 단과 반대의 타방 단 (도 12 에 있어서 도시 생략) 까지 연장되어 있다. 바꿔 말하면, 부분 (P3) (도 4) 이 형성되어 있지 않고, 따라서 돌기 (D3) (도 4) 도 형성되어 있지 않다.
또한, 상기 이외의 구성에 대해서는, 상기 서술한 실시형태 1 의 구성과 거의 동일하기 때문에, 동일하거나 또는 대응하는 요소에 대해 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 반복하지 않는다.
본 실시형태에 의하면, 다이아몬드 입자 (52) 는 돌기 (D3) 를 갖지 않고, 돌기 (D2) 가 가장자리 (EG) 를 긁는 1 회의 작용만으로 초기 균열 (IC) 이 형성된다. 따라서, 2 회 이상의 작용에 의해 초기 균열 (IC) 을 형성하려고 하는 경우와 달리, 위치 어긋남에서 기인하여 2 개 지점 이상에 초기 균열 (IC) 을 형성하지 않는다. 불필요한 지점에 초기 균열 (IC) 이 형성되어 있으면, 의도치 않은 균열의 신전이 발생할 수 있다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아닌 것으로 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 실시형태가 아니라 특허청구범위에 의해 나타나며, 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
4 : 기판
50 : 스크라이빙 공구
51, 52 : 다이아몬드 입자
59 : 생크
D1 ∼ D3 : 돌기 (제 1 ∼ 제 3 돌기)
EG : 가장자리
EL : 능선
FC : 주면
IC : 초기 균열
L1, L2 : 직선부 (제 1 및 제 2 직선부)
LL : 레이저광
P1 ∼ P3 : 부분 (제 1 ∼ 제 3 부분)
RA, RB : 오목부
SL : 스크라이브 라인
VL : 가상 직선

Claims (8)

  1. 생크와,
    상기 생크에 장착된 다이아몬드 입자를 구비하고, 상기 다이아몬드 입자에는, 단 (端) 을 갖는 능선이 형성되어 있고, 상기 다이아몬드 입자는,
    상기 능선의 상기 단에 형성된 제 1 돌기와, 상기 제 1 돌기로부터 상기 능선을 따라 연장되는 제 1 직선부를 갖는 제 1 부분과,
    상기 능선 상에 상기 제 1 직선부에 연결되어 배치된 오목부가 형성된 제 2 부분을 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 부분 사이에 있어서 상기 제 1 직선부와 상기 오목부가 합쳐짐으로써 제 2 돌기가 구성되어 있는 스크라이빙 공구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이아몬드 입자는, 상기 오목부로부터 상기 능선을 따라 연장되는 제 2 직선부를 갖는 제 3 부분을 추가로 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 직선부는 하나의 가상 직선 상에 위치하는 스크라이빙 공구.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 직선부는 30 ㎛ 초과 100 ㎛ 미만의 길이를 갖는 스크라이빙 공구.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 오목부는 상기 능선을 따라 30 ㎛ 초과 100 ㎛ 미만의 길이를 갖는 스크라이빙 공구.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 오목부는 10 ㎛ 초과 50 ㎛ 미만의 깊이를 갖는 스크라이빙 공구.
  6. 돌기가 형성된 단을 갖는 능선이 형성된 다이아몬드 입자를 준비하는 공정과,
    상기 돌기로부터 떨어진 위치에 있어서 상기 능선과 교차하는 레이저광을 상기 다이아몬드 입자에 조사함으로써, 상기 능선 상에 오목부를 형성하는 공정을 구비하는 스크라이빙 공구의 제조 방법.
  7. 가장자리를 갖는 주면 (主面) 이 형성된 기판에 스크라이브 라인을 형성하는 스크라이브 방법으로서,
    단을 갖는 능선이 형성된 다이아몬드 입자를 준비하는 공정을 구비하고, 상기 다이아몬드 입자는, 상기 능선의 상기 단에 형성된 제 1 돌기와 상기 제 1 돌기로부터 상기 능선을 따라 연장되는 제 1 직선부를 갖는 제 1 부분과, 상기 능선 상에 상기 제 1 직선부에 연결되어 배치된 오목부가 형성된 제 2 부분을 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 부분 사이에 있어서 상기 제 1 직선부와 상기 오목부가 합쳐짐으로써 제 2 돌기가 구성되어 있고, 추가로
    상기 기판의 상기 주면의 상기 가장자리에 초기 균열을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 초기 균열을 형성하는 공정은, 상기 가장자리에 상기 다이아몬드 입자의 상기 오목부를 거는 공정과, 상기 오목부에 걸린 상기 가장자리를 상기 제 2 돌기에 의해 긁는 공정을 포함하고, 추가로
    상기 주면 상에 있어서 상기 다이아몬드 입자의 상기 제 1 부분을 상기 초기 균열로부터 주행시킴으로써 스크라이브 라인을 신전 (伸展) 시키는 공정을 구비하는 스크라이브 라인의 형성 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 다이아몬드 입자는, 상기 오목부로부터 상기 능선을 따라 연장되는 제 2 직선부를 갖는 제 3 부분을 추가로 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 직선부는 하나의 가상 직선 상에 위치하고 있고,
    상기 초기 균열을 형성하는 공정은, 상기 오목부에 걸린 상기 가장자리를 상기 제 2 돌기에 의해 긁는 공정 전에, 상기 능선 상에 있어서 상기 제 2 직선부 상에서 상기 오목부 중으로 상기 기판의 상기 주면의 상기 가장자리를 미끄러져 들어가게 하는 공정을 추가로 포함하는 스크라이브 라인의 형성 방법.
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