TWI689947B - 準直器的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可容易地製造包含微細且縱橫比小的放射線透過部的準直器的準直器製造方法。本發明的準直器20的製造方法是包括放射線屏蔽部22及放射線透過部21的準直器20的製造方法，所述放射線透過部21是貫通所述放射線屏蔽部22而設置，且放射線屏蔽率低於所述放射線屏蔽部22，所述準直器20的製造方法包括：配置步驟，將柱狀構件21a立設構件配置於鑄造模具40，所述柱狀構件21a立設構件是將形成所述放射線透過部21的柱狀構件21a立設於保持基板23的構件；流入步驟，使所述放射線屏蔽部22的材料以液狀流入至所述鑄造模具40；以及取出步驟，所述放射線屏蔽部22經硬化後，自所述鑄造模具40取出所述柱狀構件21a立設構件及所述放射線屏蔽部22。

Description

準直器的製造方法

本發明是有關於一種準直器(collimator)製造方法。

利用放射線以非破壞方式檢查被測體的例如X射線電腦斷層掃描(Computed Tomography，CT)等的放射線檢查裝置，是對被測體照射放射線，基於透過被測體的放射線而生成CT圖像的裝置。

此種放射線檢查裝置包括放射線產生裝置及放射線檢測裝置。又，照射至被測體的放射線在被測體上一部分被散射。當放射線檢測裝置檢測到經散射的放射線時，檢測精度變差。為了去除所述散射放射線，在放射線檢測裝置中，設置有準直器。

作為此種準直器，例如，已開發出在通道方向及切片方向上可去除散射X射線的二維準直器(例如參照專利文獻1)。

[現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2012-177655號公報

但是，所述二維準直器是藉由使在通道方向上排列的多個準 直器板與在切片方向上排列的多個準直器板相互交叉，而形成使X射線穿過的X射線穿過部。因此，製造步驟複雜，且亦不容易微細化。

本發明的目的在於提供一種能夠容易地製造包含微細且縱橫比小的放射線透過部的準直器的準直器製造方法。

為了解決所述問題，本發明提供以下方法。

一種準直器的製造方法，所述準直器包括放射線屏蔽部及放射線透過部，所述放射線透過部是貫通所述放射線屏蔽部而設置，且放射線屏蔽率低於所述放射線屏蔽部，所述準直器的製造方法包括：配置步驟，將柱狀構件立設構件配置於鑄造模具，所述柱狀構件立設構件是將形成所述放射線透過部的柱狀構件立設於保持基板的構件；流入步驟，使所述放射線屏蔽部的材料以液狀流入至所述鑄造模具；以及取出步驟，所述放射線屏蔽部經硬化後，自所述鑄造模具取出所述柱狀構件立設構件及所述放射線屏蔽部。

所述放射線透過部亦可由可見光屏蔽率高的材料製造。

所述放射線透過部亦可由熔點高於所述放射線屏蔽部的材料的材料製造。

所述放射線透過部亦可由碳製造。

所述放射線屏蔽部亦可由錫製造。

亦可在所述取出步驟之後，包括去除所述柱狀構件的去 除步驟。

此外，為了解決所述問題，本發明提供以下的方法。

一種準直器的製造方法，所述準直器是將液狀的放射線屏蔽部及放射線透過部密封於容器內，所述放射線透過部是貫通所述放射線屏蔽部而設置，且放射線屏蔽率低於所述放射線屏蔽部，所述準直器的製造方法包括：立設步驟，將形成所述放射線透過部的多個柱狀構件，立設於開口狀態的所述容器內；流入步驟，使液狀的所述放射線屏蔽部的材料流入至所述容器內；以及密封步驟，對所述容器進行密封。

根據本發明，能夠提供一種可容易地製造包括微細且縱橫比小的放射線透過部的準直器的準直器製造方法。

1:X射線CT裝置(放射線檢查裝置)

2:X射線產生裝置(放射線產生裝置)

3:台架

4:X射線檢測裝置(放射線檢測裝置)

5:處理部

6:顯示部

10:X射線檢測部(放射線檢測部)

20、120:準直器

21a:柱狀構件

21、121:X射線透過部(放射線透過部)

22、122:X射線屏蔽部(放射線屏蔽部)

23:保持基板

24:柱狀構件立設構件

30:X射線檢測元件(放射線檢測元件)

40:鑄造模具

150:容器

151:下容器

151a、152a:有底孔

152:蓋體

a:間隔(間距)

A:中心軸

b:厚度(深度)

B:被測體

R:直徑

S1~S5:步驟

X:X射線

P、Q:計數值

圖1是放射線檢查裝置的一實施方式即X射線CT裝置1的概略圖。

圖2是第1實施方式的一個X射線檢測部10的剖面立體圖。

圖3(a)~圖3(e)是說明第1實施方式的準直器20的製造方法的圖。

圖4是說明第1實施方式的準直器20的製造方法的流程圖。

圖5是表示X射線光譜的模擬計算值的曲線圖。

圖6是表示碳(C)、鋁(Al)、銅(Cu)對X射線的吸收率 的曲線圖。

圖7是表示使X射線產生裝置2產生X射線，照射至被測體B，並利用X射線檢測元件30檢測到的X射線的計數值的曲線圖。

圖8(a)~圖8(c)是說明第2實施方式的準直器120的製造方法的圖。

圖1是本發明的放射線檢查裝置的實施方式即X射線CT裝置(X射線檢查裝置)1的概略圖。再者，本發明並不限於X射線CT裝置1，亦可為利用伽瑪射線(gamma ray)等其他放射線的放射線檢查裝置。X射線CT裝置1包括X射線產生裝置(放射線產生裝置)2、配置被測體B的台架3、以及沿以X射線產生裝置2為中心的圓周而配置的X射線檢測裝置(放射線檢測裝置)4。X射線檢測裝置4包括多個X射線檢測部(放射線檢測部)10。

(第1實施方式)

圖2是第1實施方式的一個X射線檢測部10的剖面立體圖。X射線檢測部10分別包括準直器20及多個X射線檢測元件(放射線檢測元件)30。

X射線檢測元件30是以約0.1mm~2.00mm的間隔(間距)a而配置。X射線檢測元件30是與設置於後述的準直器20上的各個X射線透過部21分別相對應而配置。

X射線檢測元件30既可為間接轉換型，亦可為直接轉 換型。間接轉換型的X射線檢測元件30包括閃爍器(scintillator)及光電倍增管等光感測器，藉由閃爍器將所入射的X射線轉換成光，藉由光電轉換元件將經轉換的光轉換成電訊號。

直接轉換型的X射線檢測元件30包含多個碲化鎘(CdTe)系的半導體元件，將所入射的X射線直接轉換成電訊號。

(準直器20)

準直器20包括規定厚度的板狀的X射線屏蔽部(放射線屏蔽部)22、及貫通X射線屏蔽部22而呈格子狀配置的多個柱狀的X射線透過部(放射線透過部)21。

(X射線屏蔽部22)

X射線屏蔽部22是由X射線及可見光的屏蔽率高(透過率低)的材料製造。

在實施方式中，X射線屏蔽部22的材料為錫。但是，並不限定於此，X射線屏蔽部22的材料亦可為鉬、鉭、鉛、鎢等原子編號大、可見光及X射線屏蔽能力(阻止能力)強、或重金屬，或者包含該些重金屬的合金等。再者，錫的熔點為231℃，當利用後述的製造方法進行製造時，可藉由使用熔點與錫同等程度的比較低的金屬來容易地製造。X射線屏蔽部22的厚度b為約1mm~50mm。

(X射線透過部21)

X射線透過部21在實施方式中，例如為圓柱狀且實心，圓柱的中心軸A分別沿朝向X射線產生裝置2或被測體B的方向延 伸。在X射線透過部21的與X射線產生裝置2或被測體B為相反側的面上，以可見光不會入射至彼此之間的方式而密接地安裝有分別相對應的X射線檢測元件30。

X射線透過部21的直徑R為約0.07mm~0.2mm，X射線透過部21的深度與X射線屏蔽部22的厚度b相等而為約1mm~50mm。即，X射線透過部21是直徑R小於深度b(縱橫比高、細長)的形狀。再者，X射線透過部21並不限於圓柱狀，亦可為橢圓柱或稜柱形狀。

X射線透過部21是由X射線的屏蔽率低(透過率高)，且可見光的屏蔽率高(透過率低)的材料製造，例如由碳製造。

再者，並不限定於此，亦可為碳以外的相較於X射線屏蔽部22原子編號小、X射線屏蔽率低、或輕的鋁等其他材料。

又，當利用後述的製造方法進行製造時，X射線透過部21的材料的熔點高於X射線屏蔽部22的材料的熔點。

(X射線CT裝置1的動作)

其次，對本實施方式的X射線CT裝置1的動作進行說明。

使X射線產生裝置2所產生的X射線照射至被測體B。照射至被測體B的光透過被測體B，而使一部分散射。透過被測體B的直進X射線、及經被測體B散射的散射X射線抵達至準直器20。

抵達至準直器20的X射線之中、入射至X射線透過部21的X射線以外的X射線由於X射線屏蔽部22的X射線屏蔽率高，故而被X射線屏蔽部22屏蔽。

另一方面，抵達至X射線透過部21的X射線由於X射線透過部21的屏蔽率低，故而入射至X射線透過部21內。可見光由於X射線透過部21的可見光屏蔽率高，故而被屏蔽。

入射至X射線透過部21內的X射線(圖2的X)之中、相對於X射線透過部21的中心軸A為規定角度以上的散射X射線，由於在穿過X射線透過部21之前抵達至X射線透過部21的側面，故而被X射線屏蔽部22屏蔽。

即，只有入射至X射線透過部21的X射線之中、直進性高的X射線穿過X射線透過部21，而抵達至X射線檢測元件30。

抵達至X射線檢測元件30的X射線在間接轉換型的X射線檢測元件30的情況下，藉由閃爍器而轉換成光，並藉由光電轉換元件將經轉換的光轉換成電訊號。在直接轉換型的X射線檢測元件30的情況下，所入射的X射線直接被轉換成電訊號。

藉由處理部5對已轉換成電訊號的X射線的強度資訊進行處理而製作成X射線CT圖像資料，且藉由顯示部6而顯示X射線CT圖像。

(準直器20的製造方法)

圖3(a)~圖3(e)是說明第1實施方式的準直器20的製造方法的圖。圖4是說明第1實施方式的準直器20的製造方法的流程圖。第1實施方式的準直器20是藉由鑄造而製造。

首先，準備柱狀構件立設構件24，所述柱狀構件立設構件24是將形成X射線透過部21的多個柱狀構件立設於保持基板23的 構件(圖3(a))。

在第1實施方式中，柱狀構件21a及保持基板23、即整個柱狀構件立設構件24是由碳製造。但是，並不限定於此，柱狀構件21a與保持基板23亦可為分體。

將柱狀構件立設構件24配置於鑄造模具40的內部(圖3(b)，圖4(步驟S1))。

使加熱至熔點以上而呈液狀的X射線屏蔽部22的材料流入至鑄造模具40，在實施方式中是使錫流入至鑄造模具40(圖3(c)，圖4(步驟S2))。再者，錫的熔點為231℃。

使溫度下降至熔點以下，而使X射線屏蔽部22硬化(圖4(步驟S3))。

自鑄造模具40拆下經硬化而與柱狀構件立設構件24形成為一體的X射線屏蔽部22(圖3(d)，圖4(步驟S4))。

對形成為一體的柱狀構件立設構件24及X射線屏蔽部22的至少保持基板23的面進行研磨，而去除保持基板23(圖3(e)，圖4(步驟S5))。

藉此，製造本實施方式的準直器20。

以下，對本實施方式的效果進行說明。

(1)圖5是表示適合用於X射線產生裝置2中的一例的X射線光源中的X射線光譜的模擬計算值的曲線圖，縱軸是X射線的射線量，橫軸是X射線的能量。如圖5所示，本例的X射線光譜中，在能量22keV左右射線量達到峰值，隨著能量升高，射線 量不斷減少。又，在較22keV左右能量更低之側，射線量不斷減少。

圖6是表示30mm的厚度的碳(C)、鋁(Al)、銅(Cu)對X射線的吸收率的曲線圖。如圖6所示，碳(C)、鋁(Al)、銅(Cu)是高能量側的X射線的吸收率低，低能量側的X射線的吸收率高。

特別是碳，低能量的X射線的選擇吸收性高，在能量約150keV以上時，吸收率大致為0%，而當能量小於約150keV時，吸收率急遽增加。所述選擇吸收性是以銅(Cu)、鋁(Al)、碳(C)的順序而升高。

圖7是表示使X射線產生裝置2產生X射線，照射至被測體B，並利用X射線檢測元件30檢測到的X射線的計數值的曲線圖，所述X射線產生裝置2是使用具有圖5所示的光譜的X射線光源。計數值P是在X射線檢測元件30與被測體B之間，配置有實際製造的實施方式的準直器20的情況，計數值Q是在X射線檢測元件30與被測體B之間未配置準直器自身的情況。作為準直器20，是使用如下的裝置：使用厚度30mm的錫作為X射線屏蔽部22，且形成有在直徑0.2mm、長度30mm的貫通孔中填充有碳的X射線透過部21。

當在X射線檢測元件30與被測體B之間未配置準直器自身時，如計數值Q所示，X射線檢測元件30所檢測出的X射線包含大量的在被測體B上被散射而使能量減少的低能量的X射 線。因此，無法獲得解析度高的X射線圖像。

與此相對，當在X射線檢測元件30與被測體B之間，配置有實際製造的實施方式的填充有碳的準直器20時，在X射線透過部21中，如圖6所示，碳會吸收(屏蔽)在被測體B上經散射的低能量側的X射線。因此，如計數值P所示，可檢測出具有與模擬計算值的X射線光譜的形狀(圖5)相似的能量分布(曲線的形狀)的X射線。

即，根據實施方式的準直器20，可更好地去除散射X射線，因此X射線檢測元件30所檢測出的X射線中所含的雜訊少，從而可獲得解析度高的X射線圖像。

再者，將X射線透過部21並不限於設為碳，而適當選擇地設為如圖6所示的鋁或銅之類的其他材料，藉此可根據用途去除不需要的波長的光。

(2)在先前的X射線檢測裝置中，設置有用以防止可見光入射至X射線檢測元件的遮光結構。特別是在閃爍器的情況下，為了將X射線暫時轉換成可見光之後檢測出光，必須防止來自外部的可見光的入射，因此重要的是遮光結構。

但是，在本實施方式中，準直器20的X射線透過部21由碳填充而呈實心。又，準直器20與X射線檢測元件30之間是以可見光不會入射的方式而密接。

因此，可見光不會抵達至X射線檢測元件30，故而無需另行設置遮光結構。因此，可削減製造成本，並且縮短製造步驟的時 間。

(3)例如，作為比較，亦可對X射線屏蔽部利用鑽孔機(drill)等開設作為貫通孔的X射線透過部。

但是，X射線屏蔽部是由原子編號大的金屬製造，以能夠屏蔽X射線。因此，不容易開設硬度高、微細且縱橫比小的貫通孔，耗費製造成本，亦耗費製造時間。此外，亦存在如下的情況：旋轉的鑽孔機會捲入利用鑽孔機不斷開設貫通孔時所產生的切削粉末而繼續旋轉，從而更難開設高精度且微細的貫通孔。

但是，本實施方式的準直器20是藉由將立設有柱狀的X射線透過部21的保持基板23置入於鑄造模具40中，使經熔解的X射線屏蔽部22的材料流入至所述鑄造模具40並使其硬化而製造。即，與利用鑽孔機開設貫通孔的方法不同，可容易地製造微細且縱橫比小的X射線透過部21。因此，可製造指向性更高的準直器20。

再者，在本實施方式中，已說明X射線透過部21由碳填充而呈實心的方式，但並不限定於此，亦可藉由蝕刻等而去除填充於X射線透過部21中的碳。此時，亦與利用鑽孔機開設貫通孔的方法不同，可容易地製造包含微細且縱橫比小的貫通孔的X射線透過部21。因此，可製造指向性更高的準直器20。

(第2實施方式)

其次，對本發明的第2實施方式進行說明。第2實施方式與第1實施方式的不同點是準直器120的結構及製造方法。其他方 面與第1實施方式相同，因此省略相同部分的說明。第1實施方式的準直器20是在X射線屏蔽部22中使用錫，但第2實施方式的準直器120是在X射線屏蔽部122中，使用在常溫下為液體的汞等。

圖8(a)~圖8(c)是說明第2實施方式的準直器120的製造方法的圖。第2實施方式的準直器120如圖8(c)所示，包括容器150、封入至容器150內的汞即液狀的X射線屏蔽部122、以及多個X射線透過部121，所述多個X射線透過部121是將上端及下端固定於容器150中的相向的兩個面之間，由X射線屏蔽率低於X射線屏蔽部122的固體材料製造，例如由碳製造。

容器150包括上部開口的下容器151、以及覆蓋下容器151的上部的蓋體152。在下容器151的底部的內面側，設置有可藉由插入圓柱狀的X射線透過部121的下端而加以保持的多個有底孔151a。

在蓋體152的下表面上，在與有底孔151a相對應的位置上，設置有可藉由插入圓柱狀的X射線透過部121的上端而加以保持的有底孔152a。

作為容器150的材料，較佳為具有剛性，且抗汞的侵蝕的能力強的材料，例如使用樹脂、玻璃、陶瓷。

第2實施方式的準直器120是以如下方式而製造。

將X射線透過部121插入至下容器151的有底孔151a中而加以保持(圖8(a))。

使成為X射線屏蔽部22的汞流入至下容器151(圖8(b))。此時，X射線透過部121的上端露出至汞的表面的上方。

使蓋體152覆蓋下容器151，將汞密封於容器150中。此時，使X射線透過部121的上端嵌入至蓋體152的有底孔152a(圖8(c))。

藉此，製造第2實施方式的準直器120，所述準直器120包括：液狀的X射線屏蔽部122，其是封入至容器150中的汞；以及多個X射線透過部121，上端及下端固定於容器的彼此相向的兩個面之間，由X射線屏蔽率低於X射線屏蔽部122的固體材料製造，例如由碳製造。

根據第2實施方式的準直器120，除了第1實施方式的效果以外，可藉由改變容器150的形狀，而製造各種形狀的準直器120。因此，例如，可容易地製造彎曲的準直器120。

又，當利用具有可撓性的材料製造容器150的材料自身時，製造後的變形亦變得容易，因此可製造通用性高的準直器120。

S1~S5:步驟

Claims (8)

1. 一種準直器的製造方法，所述準直器包括：放射線屏蔽部；以及放射線透過部，貫通所述放射線屏蔽部而設置，且放射線屏蔽率低於所述放射線屏蔽部，所述放射線透過部呈實心，利用碳來製造；所述準直器的製造方法包括：配置步驟，將柱狀構件立設構件配置於鑄造模具，所述柱狀構件立設構件是將形成所述放射線透過部的柱狀構件立設於保持基板的構件；流入步驟，使所述放射線屏蔽部的材料以液狀流入至所述鑄造模具；取出步驟，所述放射線屏蔽部經硬化後，自所述鑄造模具取出所述柱狀構件立設構件及所述放射線屏蔽部；以及去除步驟，去除所述柱狀構件立設構件的所述保持基板。
2. 如申請專利範圍第1項所述的準直器的製造方法，其中形成所述放射線透過部的柱狀構件為圓柱狀。
3. 如申請專利範圍第2項所述的準直器的製造方法，其中所述放射線透過部的直徑R為0.07mm~0.2mm。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項任一項所述的準直器的製造方法，其中所述放射線透過部的深度為1mm~50mm。
5. 如申請專利範圍第1項至第3項任一項所述的準直器的製造方法，其中利用可見光屏蔽率高的材料製造所述放射線透 過部。
6. 如申請專利範圍第1項至第3項任一項所述的準直器的製造方法，其中利用熔點低於所述放射線透過部的材料來製造所述放射線屏蔽部。
7. 如申請專利範圍第6項所述的準直器的製造方法，其中利用錫來製造所述放射線屏蔽部。
8. 一種準直器的製造方法，所述準直器是將如下的構件密封於容器內：液狀的放射線屏蔽部；以及放射線透過部，貫通所述放射線屏蔽部而設置，且放射線屏蔽率低於所述放射線屏蔽部；所述準直器的製造方法包括：立設步驟，將形成所述放射線透過部的多個柱狀構件，立設於開口的狀態的所述容器內；流入步驟，使液狀的所述放射線屏蔽部的材料流入至所述容器內；以及密封步驟，對所述容器進行密封。

Images