TWI689605B - 連續型熱傳導鍍膜系統 - Google Patents

連續型熱傳導鍍膜系統 Download PDF

Info

Publication number
TWI689605B
TWI689605B TW108113888A TW108113888A TWI689605B TW I689605 B TWI689605 B TW I689605B TW 108113888 A TW108113888 A TW 108113888A TW 108113888 A TW108113888 A TW 108113888A TW I689605 B TWI689605 B TW I689605B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sputtering
module
zone
sputtered
cavity
Prior art date
Application number
TW108113888A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202039892A (zh
Inventor
李原吉
劉品均
楊峻杰
蔡明展
Original Assignee
友威科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友威科技股份有限公司 filed Critical 友威科技股份有限公司
Priority to TW108113888A priority Critical patent/TWI689605B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI689605B publication Critical patent/TWI689605B/zh
Publication of TW202039892A publication Critical patent/TW202039892A/zh

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本發明提供一種連續型熱傳導鍍膜系統,其包含依序連接及排列之一清潔腔體、一濺鍍腔體及一下載腔體。清潔腔體具有依序排列之一上載區及一清潔區,上載區用於輸入一待濺鍍物;濺鍍腔體具有依序排列之一第一濺鍍區、一第一緩衝區及一第二濺鍍區,第一濺鍍區在待濺鍍物一側依序濺鍍一鈦金屬層及一鎳釩金屬層,第二濺鍍區在鎳釩金屬層上濺鍍一導熱層;下載腔體用於輸出已濺鍍的待濺鍍物;藉此,待濺鍍物能依序在清潔腔體、濺鍍腔體及下載腔體連續位移,且濺鍍腔體能在待濺鍍物上依序濺鍍有鈦/鎳釩/銀的複合材料,達到有效量產的功效。

Description

連續型熱傳導鍍膜系統
本發明係關於一種鍍膜系統,尤指一種連續型熱傳導鍍膜系統。
按,目前對於解決晶片散熱的問題,係在晶片一側裝設有散熱結構,且在晶片與散熱結構之間更設置有散熱膏以填補其中的空隙,使得在晶片散熱過程中,散熱膏能將晶片的熱能直接熱傳導至散熱結構進行散熱,以提升晶片與散熱結構之間的導熱效率,達到加速散熱的效果。
然而,隨著晶片效能的提升,晶片溫度越來越高,且所需逸散的熱能也越來越多,例如使用於先進駕駛輔助系統(Advanced Driver Assistance Systems;ADAS)的汽車晶片,其運作效能在10W/mk以上,散熱膏無法承受該類晶片所產生的運作溫度因而造成散熱膏硬化問題,而影響晶片散熱的效率,進而提高晶片故障發生的機率。
因此,為了解決上述散熱需求的問題,目前技術發展係將晶片與散熱結構分別濺鍍高導熱性的中介材質,諸如鈦/鎳釩/銀複合材料,以使晶片與散熱結構透過高導熱性的中介材質相互結合;但是,在現有技術中,目前並無有效解決量產及生產成本過高的問題。
本發明之主要目的,在於解決習知鈦/鎳釩/銀複合材料濺鍍之量產問題。
為達到上述目的,本發明提供一種連續型熱傳導鍍膜系統,其包含一清潔腔體、一濺鍍腔體及一下載腔體。清潔腔體具有依序排列之一上載區及一清潔區,上載區用於輸入一待濺鍍物,待濺鍍物由上載區往清潔區方向位移,清潔區對待濺鍍物進行表面清理;濺鍍腔體連通於該清潔腔體,濺鍍腔體具有依序排列之一第一濺鍍區、一第一緩衝區及一第二濺鍍區,第一濺鍍區連接於清潔區,待濺鍍物由第一濺鍍區往第一緩衝區方向位移,並在待濺鍍物一側依序濺鍍一鈦金屬層及一鎳釩金屬層,第二濺鍍區在鎳釩金屬層上濺鍍一導熱層;下載腔體連通於濺鍍腔體,下載腔體具有一下載區,下載區連接於第二濺鍍區,用於輸出已濺鍍的待濺鍍物。
藉此,本發明於實際操作時,待濺鍍物依序在清潔腔體、濺鍍腔體及下載腔體位移,且在連續位移過程中,濺鍍腔體能夠在待濺鍍物依序濺鍍有鈦金屬層、鎳釩金屬層及導熱層,以使最後輸出的待濺鍍物一側濺鍍有鈦/鎳釩/銀的複合材料,達到高效率量產的優點。
為便於說明本發明於上述發明內容一欄中所表示的中心思想,茲以具體實施例表達。實施例中各種不同物件係按適於列舉說明之比例,而非按實際元件的比例予以繪製,合先敘明。
請參閱圖1至圖4所示,本發明提供一種連續型熱傳導鍍膜系統,其包含依序連接及排列之一清潔腔體10、一濺鍍腔體20及一下載腔體30,且清潔腔體10、濺鍍腔體20及下載腔體30中連續設有一傳輸機構40。
清潔腔體10,其具有依序排列之一上載區11及一清潔區12,上載區11用於輸入一待濺鍍物50,且上載區11對待濺鍍物50進行加熱,其中,待濺鍍物50可以為晶片或散熱結構,此時待濺鍍物50透過傳輸機構40的傳輸由上載區11往清潔區12方向位移,於本實施例中,係利用電漿對待濺鍍物50進行表面清理。
濺鍍腔體20,其具有依序排列之一第一濺鍍區21、一第一緩衝區22及一第二濺鍍區23,第一濺鍍區21連接於清潔區12,用來接收來自清潔區12的待濺鍍物50,以使待濺鍍物50透過傳輸機構40由第一濺鍍區21往第一緩衝區22方向傳輸位移,而待濺鍍物50在移動同時,第一濺鍍區21會對待濺鍍物50一側面上依序濺鍍一鈦金屬層51及一鎳釩金屬層52;進一步來說,請配合參閱圖1至圖3所示,第一濺鍍區21具有一第一進口部211、一第一出口部212及一第一移動空間213,第一移動空間213連通於第一進口部211及第一出口部212,第一濺鍍區21於第一移動空間213中依序排列有一第一濺鍍模組214及一第二濺鍍模組215,第一濺鍍模組214鄰設於第一進口部211,第一濺鍍模組214對待濺鍍物50的一側面濺鍍鈦金屬層51,第二濺鍍模組215設於第一濺鍍模組214與第一出口部212之間,於本實施例中,第二濺鍍模組215的數量為兩個,各第二濺鍍模組215個別對鈦金屬層51上濺鍍鎳釩金屬層52。
值得說明的是,請配合圖1及圖2所示,第一濺鍍區21設有一第一控制模組216,第一控制模組216電連接第一濺鍍模組214及各第二濺鍍模組215,第一控制模組216用來個別獨立啟動及關閉第一濺鍍模組214及各第二濺鍍模組215;進一步來說,第一濺鍍區21設有電連接第一控制模組216之一第一計時模組217,第一計時模組217對第一濺鍍模組214與各第二濺鍍模組215個別設定一第一濺鍍時間,當待濺鍍物50移動進入第一濺鍍區21之第一移動空間213時,第一控制模組216依據第一濺鍍時間依序控制第一濺鍍模組214及各第二濺鍍模組215進行濺鍍;簡單來說,第一控制模組216依據第一濺鍍時間首先啟動第一濺鍍模組214,以對待濺鍍物50濺鍍鈦金屬層51,接著再依據第一濺鍍時間個別啟動各第二濺鍍模組215,以對待濺鍍物50濺鍍鎳釩金屬層52。
據此,本發明第一控制模組216搭配第一計時模組217之計時方式,提供自動個別獨立控制第一濺鍍模組214及各第二濺鍍模組215的效果,達到節省濺鍍鈦金屬層51及鎳釩金屬層52材料;此外,當待濺鍍物50由第一濺鍍模組214移動至第二濺鍍模組215時,第一控制模組216能夠獨立關閉第一濺鍍模組214,據以第一濺鍍模組214在第一移動空間213中停止生成濺鍍離子,在此同時,第一控制模組216獨立啟動第二濺鍍模組215,藉以第二濺鍍模組215不會受到第一濺鍍模組214影響,達到防止待濺鍍物50受到濺鍍汙染之目的,以提升對待濺鍍物50濺渡鎳釩金屬層52的品質。
第一緩衝區22用以作為第一濺鍍區21及第二濺鍍區23的中間緩衝,待濺鍍物50透過傳輸機構40由第一緩衝區22往第二濺鍍區23方向傳輸位移,第二濺鍍區23對待濺鍍物50的鎳釩金屬層52上濺鍍一導熱層53,其中,導熱層53於本實施例中可為金、銀或銅之任一種金屬材質,較佳為使用銀;請配合圖1至圖4所示,第二濺鍍區23具有一第二進口部231、一第二出口部232及一第二移動空間233,第二移動空間233連通於第二進口部231及第二出口部232,第二濺鍍區23於第二移動空間233中設有至少一第三濺鍍模組234,於本實施例中,第三濺鍍模組234的數量為三個,各第三濺鍍模組234設於第二進口部231與第二出口部232之間,用來在待濺鍍物50之鎳釩金屬層52上濺鍍導熱層53;其中,待濺鍍物50可於第二濺鍍區23作來回移動,以使待濺鍍物50在第二濺鍍區23中進行多重濺鍍,進而增加待濺鍍物50之導熱層53的厚度,提升待濺鍍物50之導熱效率。
特別說明的是,請配合圖1及圖2所示,第二濺鍍區23設有一第二控制模組235,第二控制模組235電連接各第三濺鍍模組234,第二控制模組235用來個別獨立啟動及關閉各第三濺鍍模組234;進一步來說,第二濺鍍區23設有電連接第二控制模組235之一第二計時模組236,第二計時模組236對各第三濺鍍模組234個別設定一第二濺鍍時間,當待濺鍍物50移動進入第二濺鍍區23之第二移動空間233時,第二控制模組235依據第二濺鍍時間依序控制各第三濺鍍模組234,以對待濺鍍物50之鎳釩金屬層52上濺鍍導熱層53;據此,本發明第二控制模組235搭配第二計時模組236之計時方式,提供自動個別獨立控制各第三濺鍍模組234的效果,達到節省濺鍍導熱層53的材料,防止待濺鍍物50受到汙染。
此外,濺鍍腔體20中更包含一第二緩衝區24及一第三緩衝區25,第二緩衝區24連接於清潔區12及第一濺鍍區21之間,用來作為清潔區12與第一濺鍍區21的中間緩衝,第三緩衝區25連接於第二濺鍍區23及下載腔體30之間,用來作為第二濺鍍區23與下載腔體30的中間緩衝,於本實施例中,第一緩衝區22、第二緩衝區24及第三緩衝區25皆設有對濺鍍腔體20抽取氣體之一抽氣模組26,抽氣模組26能夠降低濺鍍腔體20的壓力,以使濺鍍腔體20形成真空狀態;而且,抽氣模組26還能抽吸第一濺鍍區21與第二濺鍍區23外露的濺鍍物質,防止待濺鍍物50在連續移動中受到汙染,進而達到提升濺鍍品質之效果。
請配合圖1至圖3所示,第一濺鍍區21設有電連接第一控制模組216之一第一氣體射出模組218,第一氣體射出模組218對第一移動空間213射出一第一氣體,第二濺鍍區23設有電連接第二控制模組235之一第二氣體射出模組237,第二氣體射出模組237對第二移動空間233射出一第二氣體,第一氣體與第二氣體於本實施例中皆為惰性氣體(氬氣),以利濺鍍環境的生成。其中,第一氣體的進氣量小於第二氣體的進氣量,本實施例中第一氣體的進氣量與第二氣體的進氣量的比例為1:2,進一步來說,當濺鍍腔體20在各抽氣模組26等量抽取氣體的情況下,第一氣體射出模組218與第二氣體射出模組237依比例個別射出第一氣體及第二氣體,進而影響第一移動空間213與第二移動空間233的氣壓值,進氣量較小的腔體,其真空度便會較高,因此,本案中,第一濺鍍區21的真空度高於第二濺鍍區23的真空度,藉以不需額外進行閘門設置,便可個別調整第一濺鍍區21及第二濺鍍區23的真空度,達到優化濺鍍程序的功效。
下載腔體30,其具有一下載區31,下載區31連接於濺鍍腔體20之第三緩衝區25,下載區31用來輸出已完成濺鍍的待濺鍍物50。
藉此,本發明具有下列功效:
1.本發明待濺鍍物50依序在清潔腔體10、濺鍍腔體20及下載腔體30位移,且在連續位移過程中,濺鍍腔體20能夠在待濺鍍物50依序濺鍍有鈦金屬層51、鎳釩金屬層52及導熱層53,使得最後輸出的待濺鍍物50濺鍍有鈦/鎳釩/銀的複合材料,達到高效率量產的優點。
2.第一濺鍍模組214、各第二濺鍍模組215及各第三濺鍍模組234能個別受到第一控制模組216及第二控制模組235獨立控制,並能透過計時方式,提供自動個別啟動及關閉第一濺鍍模組214、各第二濺鍍模組215及各第三濺鍍模組234的效果,達到節省濺鍍材料的效果,還可防止待濺鍍物50受到濺鍍汙染。
3.抽氣模組26還能抽吸第一濺鍍區21與第二濺鍍區23外露的濺鍍物質,防止待濺鍍物50在連續移動中受到汙染,進而達到提升濺鍍品質之效果。
以上所舉實施例僅用以說明本發明而已,非用以限制本發明之範圍。舉凡不違本發明精神所從事的種種修改或變化,俱屬本發明意欲保護之範疇。
10:清潔腔體
11:上載區
12:清潔區
20:濺鍍腔體
21:第一濺鍍區
211:第一進口部
212:第一出口部
232:第二出口部
233:第二移動空間
234:第三濺鍍模組
235:第二控制模組
236:第二計時模組
237:第二氣體射出模組
24:第二緩衝區
213:第一移動空間
214:第一濺鍍模組
215:第二濺鍍模組
216:第一控制模組
217:第一計時模組
218:第一氣體射出模組
22:第一緩衝區
23:第二濺鍍區
231:第二進口部
25:第三緩衝區
26:抽氣模組
30:下載腔體
31:下載區
40:傳輸機構
50:待濺鍍物
51:鈦金屬層
52:鎳釩金屬層
53:導熱層
圖1係為本發明之系統架構圖。 圖2係為本發明濺鍍腔體之功能架構圖。 圖3係為本發明之濺鍍示意圖,表示傳輸機構連續對應設清潔腔體、濺鍍腔體及下載腔體。 圖4係為本發明待濺鍍物之濺鍍結構示意圖。
10:清潔腔體
11:上載區
12:清潔區
20:濺鍍腔體
21:第一濺鍍區
211:第一進口部
212:第一出口部
213:第一移動空間
214:第一濺鍍模組
215:第二濺鍍模組
22:第一緩衝區
23:第二濺鍍區
231:第二進口部
232:第二出口部
233:第二移動空間
234:第三濺鍍模組
24:第二緩衝區
25:第三緩衝區
30:下載腔體
31:下載區

Claims (9)

  1. 一種連續型熱傳導鍍膜系統,其包含:一清潔腔體,其具有依序排列之一上載區及一清潔區,該上載區用於輸入一待濺鍍物,該待濺鍍物由該上載區往該清潔區方向位移,該清潔區對該待濺鍍物進行表面清理;一濺鍍腔體,其連通於該清潔腔體,該濺鍍腔體具有依序排列之一第一濺鍍區、一第一緩衝區及一第二濺鍍區,該第一濺鍍區連接於該清潔區,該待濺鍍物由該第一濺鍍區往該第一緩衝區方向位移,並在該待濺鍍物一側依序濺鍍一鈦金屬層及一鎳釩金屬層,其中,該第一濺鍍區具有一第一進口部、一第一出口部,以及連通該第一進口部及該第一出口部之一第一移動空間,該第一濺鍍區於該第一移動空間中依序排列有一第一濺鍍模組及一第二濺鍍模組,該第一濺鍍模組鄰設於該第一進口部,用於對該待濺鍍物濺鍍該鈦金屬層,該第二濺鍍模組設於該第一濺鍍模組與該第一出口部之間,用於在該鈦金屬層上濺鍍該鎳釩金屬層,該第二濺鍍區在該鎳釩金屬層上濺鍍一導熱層;以及一下載腔體,其連通於該濺鍍腔體,該下載腔體具有一下載區,該下載區連接於該第二濺鍍區,用於輸出已濺鍍的該待濺鍍物。
  2. 如請求項1所述之連續型熱傳導鍍膜系統,其中,該第二濺鍍區具有一第二進口部及一第二出口部,以及連通該第二進口部及該第二出口部之一第二移動空間,該第二濺鍍區於該第二移動空間中設有至少一第三濺鍍模組,用於在該待濺鍍物之鎳釩金屬層上濺鍍該導熱層。
  3. 如請求項1所述之連續型熱傳導鍍膜系統,其中,該第二濺鍍模組的數量為兩個,該第一濺鍍區設有電連接該第一濺鍍模組及各該第二濺鍍模組 之一第一控制模組,該第一控制模組個別獨立啟動及關閉該第一濺鍍模組及各該第二濺鍍模組。
  4. 如請求項3所述之連續型熱傳導鍍膜系統,其中,該第一濺鍍區設有電連接該第一控制模組之一第一計時模組,該第一計時模組對該第一濺鍍模組與各該第二濺鍍模組個別設定一第一濺鍍時間,於該待濺鍍物進入該第一濺鍍區之第一移動空間,該第一控制模組依據該第一濺鍍時間依序控制該第一濺鍍模組及各該第二濺鍍模組。
  5. 如請求項2所述之連續型熱傳導鍍膜系統,其中,該至少一第三濺鍍模組的數量為三個,該第二濺鍍區設有電連接各該第三濺鍍模組之一第二控制模組,該第二控制模組個別獨立啟動及關閉各該第三濺鍍模組。
  6. 如請求項5所述之連續型熱傳導鍍膜系統,其中,該第二濺鍍區設有電連接該第二控制模組之一第二計時模組,該第二計時模組對各該第三濺鍍模組設定一第二濺鍍時間,於該待濺鍍物進入該第二濺鍍區之第二移動空間,該第二控制模組依據該第二濺鍍時間依序控制各該第三濺鍍模組。
  7. 如請求項1或2所述之連續型熱傳導鍍膜系統,其中,該濺鍍腔體更包含一第二緩衝區及一第三緩衝區,該第二緩衝區連接於該清潔區及該第一濺鍍區之間,該第三緩衝區連接於該第二濺鍍區及該下載區之間,且該第一緩衝區、該第二緩衝區及該第三緩衝區分別設有對該濺鍍腔體抽取氣體之一抽氣模組。
  8. 如請求項2所述之連續型熱傳導鍍膜系統,其中,該第一濺鍍區設有一第一氣體射出模組,該第一氣體射出模組對該第一移動空間射出一第一氣體,該第二濺鍍區設有一第二氣體射出模組,該第二氣體射出模組對該第二移動 空間射出一第二氣體,該第一氣體與該第二氣體皆為惰性氣體。
  9. 如請求項8所述之連續型熱傳導鍍膜系統,其中,該第一氣體的進氣量小於該第二氣體的進氣量,且該第一濺鍍區的真空度大於該第二濺鍍區的真空度;該第一氣體的進氣量與該第二氣體的進氣量的比例為1:2。
TW108113888A 2019-04-19 2019-04-19 連續型熱傳導鍍膜系統 TWI689605B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108113888A TWI689605B (zh) 2019-04-19 2019-04-19 連續型熱傳導鍍膜系統

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108113888A TWI689605B (zh) 2019-04-19 2019-04-19 連續型熱傳導鍍膜系統

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI689605B true TWI689605B (zh) 2020-04-01
TW202039892A TW202039892A (zh) 2020-11-01

Family

ID=71134130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108113888A TWI689605B (zh) 2019-04-19 2019-04-19 連續型熱傳導鍍膜系統

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI689605B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW527675B (en) * 2001-01-15 2003-04-11 Nec Corp Semiconductor device, manufacturing method and apparatus for the same
CN109136857A (zh) * 2018-09-18 2019-01-04 武汉科瑞达真空科技有限公司 一种新型连续蒸发镀膜生产线

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW527675B (en) * 2001-01-15 2003-04-11 Nec Corp Semiconductor device, manufacturing method and apparatus for the same
CN109136857A (zh) * 2018-09-18 2019-01-04 武汉科瑞达真空科技有限公司 一种新型连续蒸发镀膜生产线

Also Published As

Publication number Publication date
TW202039892A (zh) 2020-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010079978A (ko) 다중 챔버 반도체 웨이퍼 처리 시스템중 전이 챔버를사용하여 반도체 웨이퍼상에 재료를 증착하기 위한 방법및 장치
CN108570651A (zh) 一种多腔室卧式磁控溅射镀膜生产线及其镀膜方法
JP2008147616A (ja) 半導体素子の製造装置
CN102465270B (zh) 导电膜及其制备设备及方法
TWI689605B (zh) 連續型熱傳導鍍膜系統
CN101157574A (zh) 一种高性能陶瓷表面金属化处理工艺
JP6605657B1 (ja) 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法
TWI671771B (zh) 電容、電容製作方法及半導體設備
JPWO2017203844A1 (ja) 成膜方法及びスパッタリング装置
CN105506624A (zh) 一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法
JP2003239069A (ja) 薄膜の製造方法及び装置
CN101736324A (zh) 一种超硬氮化钛薄膜的微波等离子体制备方法
TW201942398A (zh) 連續式鍍膜系統的鍍膜方法及其方法所得的鍍膜
KR101227102B1 (ko) 태양전지 박막 제조 장치 및 방법
TWI537412B (zh) Vacuum coating equipment
TWI843196B (zh) 旋轉移載式立式鍍膜設備及雙面多層膜的鍍膜方法
JPH1046331A (ja) スパッタ成膜法およびスパッタ装置
TWI820896B (zh) 末端返回式雙面立式鍍膜設備
KR20000006904A (ko) 진공증착 코팅장치와 그의 코팅방법 및 코팅 적층체
CN110473758A (zh) 基板处理装置以及电子零件的制造方法
JP2002252390A (ja) 圧電部品の電極形成方法
JP3702485B2 (ja) 界面清浄化半田接合方法及び装置と応用製品
JP2020169350A (ja) 成膜方法
TWI438288B (zh) A film forming substrate, a film forming substrate, and a film forming apparatus
TW202217024A (zh) 冷卻系統