CN105506624A - 一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法 - Google Patents

一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105506624A
CN105506624A CN201510970847.7A CN201510970847A CN105506624A CN 105506624 A CN105506624 A CN 105506624A CN 201510970847 A CN201510970847 A CN 201510970847A CN 105506624 A CN105506624 A CN 105506624A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceramic substrate
target current
nitride ceramic
metallic compound
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510970847.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105506624B (zh
Inventor
王广文
李顺峰
丁松林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan Institute of Opto Electronics Peking University
Original Assignee
Dongguan Institute of Opto Electronics Peking University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Institute of Opto Electronics Peking University filed Critical Dongguan Institute of Opto Electronics Peking University
Priority to CN201510970847.7A priority Critical patent/CN105506624B/zh
Publication of CN105506624A publication Critical patent/CN105506624A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105506624B publication Critical patent/CN105506624B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，包括步骤：S1，对待加工的氮化铝陶瓷基板进行清洗；S2，清洗完成之后，在氮化铝陶瓷基板上电镀一层渐变的TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层；S3，在镀好的TiAlN金属化合物膜层上镀TiCu合金膜层；S4，在镀好的TiCu合金膜层上镀Cu金属膜层，完成陶瓷基板的镀膜操作。本发明提高金属与氮化铝陶瓷基板的结合力外，还可以减少工序中引入的热阻层，从而提高封装基板的导热和散热性能。

Description

一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法
技术领域
本发明涉及一种镀膜方法，具体地说是一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法。
背景技术
近几十年来，随着集成电子技术的提高，电子器件，如微波器件、LED芯片等，都在朝着高密度，高集成和高功率的方向发展。电子器件的功率和封装集成度越来越高，所产生的热量也在不断增加，如果不能很好的解决器件的散热问题，就会严重的影响到器件的使用效率和寿命。因此，性能优良的散热基板是电子封装中必不可少的，而氮化铝（AlN）陶瓷具有高导热系数，线膨胀系数与常规芯片（如LED芯片）相匹配，绝缘性好等优点，能很好的符合大功率芯片和高密度集成的封装要求。
目前，陶瓷基板金属化的方法主要有低温共烧多层陶瓷（LTCC），高温共烧多层陶瓷（HTCC），直接覆铜法（DBC法）和直接镀铜法（DPC法）。直接镀铜法（DPC法）是近些年来发展最快的方法，它的工艺稳定，易于控制，成品合格率高。其应用在Al2O3陶瓷基板的金属化中获得了很大的成功，制备的Al2O3陶瓷封装支架有很大的优点：金属铜箔与陶瓷结合力高，散热能力强。但金属铜与Al2O3陶瓷基板之间存在过渡层（即金属氧化物，如Cu2O），增加了封装基板的热阻，降低了其散热性能。而对AlN基板进行金属化时，为了获得金属与陶瓷基板良好结合力的封装支架，必须事先对AlN陶瓷表面进行氧等离子处理，使其表面形成一层Al2O3薄层，再重复Al2O3陶瓷基板金属化的工艺步骤。除了高热阻的金属氧化层（如Cu2O）会降低AlN陶瓷支架的散热性能外，热导率比AlN陶瓷基板低7-8倍的Al2O3薄层的引入也会严重降低整个封装支架的导热和散热性能。并且，以这种金属化工艺制备的AlN陶瓷基板的金属和陶瓷之间的结合力要比Al2O3陶瓷基板的要差，还存在不稳定的问题。
对于这些不足，也有人提出了一些改善的方法。如专利CN201020197717.7所述，公开了一种通过在氮化铝陶瓷基板和铜金属层之间设有钨或钼或钨钼金属化层来改善金属铜和氮化铝陶瓷基板结合力的方法。专利CN201110214212.6也公开了一种通过采用磁控溅射和/或电弧离子镀技术以及化学镀和/或电镀技术在功率模块陶瓷基板上沉积厚度可达1毫米的复合金属涂层的功率模块陶瓷基板表面金属化方法。而在专利CN201410031911.0中，则提出了一种先在氮化铝陶瓷板表面通过物理气相沉积钛层，然后在钛层上面电镀铜层，最后将其进行热处理形成TiN和TiCu冶金过渡层的金属化方法。虽然这些方法对铜层和陶瓷基板的结合力有所提高，但工艺复杂，要经过的工序较多，工艺环境还是相对苛刻，会降低产品的合格率等问题出现。因此，本发明提出一种结合力更好，工序更为简单，效率更高的陶瓷基板镀膜方法。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，提高金属与氮化铝陶瓷基板的结合力外，还可以减少工序中引入的热阻层，从而提高封装基板的导热和散热性能。
为了解决上述技术问题，本发明采取以下技术方案：
一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，包括以下步骤：
S1，对待加工的氮化铝陶瓷基板进行清洗；
S2，清洗完成之后，在氮化铝陶瓷基板上电镀一层渐变的TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层；
S3，在镀好的TiAlN金属化合物膜层上镀TiCu合金膜层；
S4，在镀好的TiCu合金膜层上镀Cu金属膜层，完成陶瓷基板的镀膜操作。
所述步骤S2中进行TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层的制备时，设置初始真空度0.3～0.5Pa，Ti或Ni靶电流4～6A，Al靶电流19～22A，引入氮气和和氩（Ar）气，氮气流量78～82sccm，Ar气流量95～105sccm，进行第一阶段的操作，该第一阶段的操作持续时间为28～32s；
第一阶段的操作完成后，Ti或Ni靶电流设为9～11A，Al靶电流设为14～16A，停止引入氮气，继续引入Ar气，且Ar气流量保持在95～105sccm，进行第二阶段的操作，该第二阶段的操作持续时间为58～62s；
第二阶段的操作完成后，Ti或Ni靶电流设为14～16A，Al靶电流设为9～11A，继续引入Ar气，且Ar气流量保持在95～105sccm，进行第三阶段的操作，该第三阶段的操作持续时间为88～92s；
第三阶段的操作完成后，Ti靶电流设为19～21A，Al靶电流设为4～6A，继续引入Ar气，且Ar气流量保持在95～105sccm，进行第四阶段的操作，该第三阶段的操作持续时间为28～32s，该第四阶段的操作完成后即完成TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层的制备。
所述步骤S3中进行TiCu合金膜层的制备时，设置初始真空度0.3～0.5Pa，Ti靶电流14～16A，Cu靶电流14～16A，引入Ar气且该Ar气的流量保持在95～105sccm，镀膜58～62s后即完成TiCu合金膜层的制备。
所述步骤S4中进行Cu金属膜层的制备时，初始真空度为0.3～0.5Pa，Cu靶电流14～16A，引入Ar气且该Ar气的流量保持在95～105sccm，镀膜58～62s后即完成Cu金属膜层的制备。
所述步骤S1中对陶瓷基板进行清洗时，采用Ar气进行射频等离子体清洗，工作气压为0.5Pa，电源射频功率为100W，清洗时间为5分钟。
所述渐变的TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层，在制备过程中，初始时Ti或者Ni所占比例小于AlN所占比例，随着制备的进行，逐渐增加Ti或者Ni的量，同时减少AlN的量，完成制备时Ti或者Ni所占比例大于AlN所占比例。
所述TiCu合金膜层中，Ti和Cu的比例为1：1，或者Ti所占比例小于Cu所占比例。
本发明克服了目前氮化铝陶瓷基板金属化工艺复杂，容易引入额外的杂质元素而造成散热不良，同时成品率不高等缺点。
有益效果主要体现在：
一，通过金属化合物成分比渐变的方式来提高金属膜层和氮化铝陶瓷基板的结合强度；
二，金属合金膜层和金属膜层都是通过磁控溅射的方式制备的，工艺简单可控，可以方便利用目前通用的磁控镀膜设备；
三，这些膜层可以在一次镀膜工序中制备完成，减少目前工业生产工序中需要中途加热或者电镀等复杂工艺，引入不希望的出现的杂质成分，如Al2O3膜层和高热阻的金属氧化层（如Cu2O）等，从而提高产品的合格率和质量。
附图说明
附图1为本发明制备后的陶瓷基板的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，下面结合附图对本发明作进一步的描述。
本发明揭示了一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，包括以下步骤：
S1，对待加工的氮化铝陶瓷基板进行清洗。清洗时，把待镀氮化铝陶瓷基板1放到镀膜室内，先进行射频等离子体清洗，采用Ar气，工作气压为0.5Pa，电源射频功率为100W，清洗时间为5分钟。
S2，清洗完成之后，在氮化铝陶瓷基板上电镀一层渐变的TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层。
S3，在镀好的TiAlN金属化合物膜层上镀TiCu合金膜层。
S4，在镀好的TiCu合金膜层上镀Cu金属膜层，完成陶瓷基板的镀膜操作。如附图1所示，为经本方面方法制备完成的陶瓷基板，由下往上依次为陶瓷基板1、TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层2、镀TiCu合金膜层3和Cu金属膜层4。
所述步骤S2中进行TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层的制备时，设置初始真空度0.3～0.5Pa，Ti或Ni靶电流4～6A，Al靶电流19～22A，引入氮气和氩（Ar）气，氮气流量78～82sccm，Ar气流量95～105sccm，进行第一阶段的操作，该第一阶段的操作持续时间为28～32s；
第一阶段的操作完成后，Ti或Ni靶电流设为9～11A，Al靶电流设为14～16A，停止引入氮气，继续引入Ar气，且Ar气流量保持在95～105sccm，进行第二阶段的操作，该第二阶段的操作持续时间为58～62s；
第二阶段的操作完成后，Ti或Ni靶电流设为14～16A，Al靶电流设为9～11A，继续引入Ar气，且Ar气流量保持在95～105sccm，进行第三阶段的操作，该第三阶段的操作持续时间为88～92s；
第三阶段的操作完成后，Ti靶电流设为19～21A，Al靶电流设为4～6A，继续引入Ar气，且Ar气流量保持在95～105sccm，进行第四阶段的操作，该第三阶段的操作持续时间为28～32s，该第四阶段的操作完成后即完成TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层的制备。
所述步骤S3中进行TiCu合金膜层的制备时，设置初始真空度0.3～0.5Pa，Ti靶电流14～16A，Cu靶电流14～16A，引入Ar气且该Ar气的流量保持在95～105sccm，镀膜58～62s后即完成TiCu合金膜层的制备。
所述步骤S4中进行Cu金属膜层的制备时，初始真空度为0.3～0.5Pa，Cu靶电流14～16A，引入Ar气且该Ar气的流量保持在95～105sccm，镀膜58～62s后即完成Cu金属膜层的制备。
所述渐变的TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层，在制备过程中，初始时Ti或者Ni所占比例小于AlN所占比例，随着制备的进行，逐渐增加Ti或者Ni所占比例，同时减少AlN所占比例，完成制备时Ti或者Ni所占比例大于AlN所占比例。TiCu合金膜层中，Ti和Cu的比例为1：1，或者Ti所占比例小于Cu所占比例。即金属化合物膜层制备时，初始膜层的成分主要为AlN，而Ti成分很低或者为零，然后逐步增加Ti的成分和减少AlN的成分，膜层最后的主要成分为Ti金属膜层。接着在第一层渐变TiAlN金属化合物膜层上溅镀第二层TiCu合金膜层。TiCu合金膜层可以是钛铜成分比为1:1的膜层，也可以是Ti成分逐步减少而Cu成分逐步增加的膜层。通过金属化合物成分所占比例渐变的方式来提高金属膜层和氮化铝陶瓷基板的结合强度，这是因为在接近氮化铝陶瓷基板的过渡层膜层成分主要是氮化铝或者含有少量钛的氮化铝膜层。
下面以具体的实施方式对制备各膜层进行详细的说明。
所述步骤S2中进行TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层的制备时，设置初始真空度0.3Pa，Ti或Ni靶电流5A，Al靶电流20A，引入氮气和Ar气，氮气流量80sccm，Ar气流量100sccm，进行第一阶段的操作，该第一阶段的操作持续时间为30s。
第一阶段的操作完成后，Ti或Ni靶电流设为10A，Al靶电流设为15A，停止引入氮气，继续引入Ar气，且Ar气流量保持在100sccm，进行第二阶段的操作，该第二阶段的操作持续时间为60s。
第二阶段的操作完成后，Ti或Ni靶电流设为15A，Al靶电流设为10A，继续引入Ar气，且Ar气流量保持在100sccm，进行第三阶段的操作，该第三阶段的操作持续时间为90s。
第三阶段的操作完成后，Ti靶电流设为20A，Al靶电流设为5A，继续引入Ar气，且Ar气流量保持在100sccm，进行第四阶段的操作，该第三阶段的操作持续时间为30s，该第四阶段的操作完成后即完成TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层的制备。
所述步骤S3中进行TiCu合金膜层的制备时，设置初始真空度0.3Pa，Ti靶电流15A，Cu靶电流15A，引入Ar气且该Ar气的流量保持在100sccm，镀膜60s后即完成TiCu合金膜层的制备。
所述步骤S4中进行Cu金属膜层的制备时，初始真空度为0.3Pa，Cu靶电流15A，引入Ar气且该Ar气的流量保持在100sccm，镀膜60s后即完成Cu金属膜层的制备。该步骤S4可看成是步骤S3的延续，只需要关闭步骤S3中的Ti靶电流即可，其他参数条件保持不变。
需要说明的是，以上所述并非是对本发明技术方案的限定，在不脱离本发明的创造构思的前提下，任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，包括以下步骤：
S1，对待加工的氮化铝陶瓷基板进行清洗；
S2，清洗完成之后，在氮化铝陶瓷基板上电镀一层渐变的TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层；
S3，在镀好的TiAlN金属化合物膜层上镀TiCu合金膜层；
S4，在镀好的TiCu合金膜层上镀Cu金属膜层，完成陶瓷基板的镀膜操作。
2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S2中进行TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层的制备时，设置初始真空度0.3～0.5Pa，Ti或Ni靶电流4～6A，Al靶电流19～22A，引入氮气和Ar气，氮气流量78～82sccm，Ar气流量95～105sccm，进行第一阶段的操作，该第一阶段的操作持续时间为28～32s；
第一阶段的操作完成后，Ti或Ni靶电流设为9～11A，Al靶电流设为14～16A，停止引入氮气，继续引入Ar气，且Ar气流量保持在95～105sccm，进行第二阶段的操作，该第二阶段的操作持续时间为58～62s；
第二阶段的操作完成后，Ti或Ni靶电流设为14～16A，Al靶电流设为9～11A，继续引入Ar气，且Ar气流量保持在95～105sccm，进行第三阶段的操作，该第三阶段的操作持续时间为88～92s；
第三阶段的操作完成后，Ti靶电流设为19～21A，Al靶电流设为4～6A，继续引入Ar气，且Ar气流量保持在95～105sccm，进行第四阶段的操作，该第三阶段的操作持续时间为28～32s，该第四阶段的操作完成后即完成TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层的制备。
3.根据权利要求2所述的氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S3中进行TiCu合金膜层的制备时，设置初始真空度0.3～0.5Pa，Ti靶电流14～16A，Cu靶电流14～16A，引入Ar气且该Ar气的流量保持在95～105sccm，镀膜58～62s后即完成TiCu合金膜层的制备。
4.根据权利要求3所述的氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S4中进行Cu金属膜层的制备时，初始真空度为0.3～0.5Pa，Cu靶电流14～16A，引入Ar气且该Ar气的流量保持在95～105sccm，镀膜58～62s后即完成Cu金属膜层的制备。
5.根据权利要求4所述的氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，其特征在于，所述步骤S1中对陶瓷基板进行清洗时，采用Ar气进行射频等离子体清洗，工作气压为0.5Pa，电源射频功率为100W，清洗时间为5分钟。
6.根据权利要求5所述的氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，其特征在于，
所述渐变的TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层，在制备过程中，初始时Ti或者Ni所占比例小于AlN所占比例，随着制备的进行，逐渐增加Ti或者Ni的量，同时减少AlN的量，完成制备时Ti或者Ni所占比例大于AlN所占比例。
7.根据权利要求6所述的氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，其特征在于，所述TiCu合金膜层中，Ti和Cu的比例为1：1，或者Ti所占比例小于Cu所占比例。
CN201510970847.7A 2015-12-22 2015-12-22 一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法 Active CN105506624B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510970847.7A CN105506624B (zh) 2015-12-22 2015-12-22 一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510970847.7A CN105506624B (zh) 2015-12-22 2015-12-22 一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105506624A true CN105506624A (zh) 2016-04-20
CN105506624B CN105506624B (zh) 2018-01-16

Family

ID=55714912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510970847.7A Active CN105506624B (zh) 2015-12-22 2015-12-22 一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105506624B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108428779A (zh) * 2017-09-21 2018-08-21 张胜翔 一种紫外线发光二极体无机接合封装结构
CN109574713A (zh) * 2019-01-14 2019-04-05 广东致卓环保科技有限公司 用于氮化铝陶瓷封装基板的表面金属化方法及其封装基板
CN110459668A (zh) * 2019-08-16 2019-11-15 国网河南省电力公司邓州市供电公司 一种大功率led散热基板的制备方法
CN113981383A (zh) * 2020-10-30 2022-01-28 东莞市烽元科技有限公司 一种在AlN陶瓷基体表面多弧离子镀钛膜的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202695550U (zh) * 2012-05-25 2013-01-23 大毅科技股份有限公司 发光二极管的陶瓷散热基板结构
CN104086223A (zh) * 2014-07-23 2014-10-08 湖南元素密码石墨烯研究院（有限合伙） 一种led用高效散热陶瓷基板的制作方法
CN104961468A (zh) * 2015-07-08 2015-10-07 长沙鼎成新材料科技有限公司 一种led用氮化铝钛陶瓷基板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202695550U (zh) * 2012-05-25 2013-01-23 大毅科技股份有限公司 发光二极管的陶瓷散热基板结构
CN104086223A (zh) * 2014-07-23 2014-10-08 湖南元素密码石墨烯研究院（有限合伙） 一种led用高效散热陶瓷基板的制作方法
CN104961468A (zh) * 2015-07-08 2015-10-07 长沙鼎成新材料科技有限公司 一种led用氮化铝钛陶瓷基板

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. RIZZO，ET. AL.: "Improved properties of TiAlN coatings through the multilayer structure", 《SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY》 *
劉祐銜: "中介層與熱處理對氮化鋁鈦顯微結構分析", 《臺灣大學材料科學與工程學系博碩士論文》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108428779A (zh) * 2017-09-21 2018-08-21 张胜翔 一种紫外线发光二极体无机接合封装结构
CN109574713A (zh) * 2019-01-14 2019-04-05 广东致卓环保科技有限公司 用于氮化铝陶瓷封装基板的表面金属化方法及其封装基板
CN110459668A (zh) * 2019-08-16 2019-11-15 国网河南省电力公司邓州市供电公司 一种大功率led散热基板的制备方法
CN110459668B (zh) * 2019-08-16 2020-12-25 国网河南省电力公司邓州市供电公司 一种大功率led散热基板的制备方法
CN113981383A (zh) * 2020-10-30 2022-01-28 东莞市烽元科技有限公司 一种在AlN陶瓷基体表面多弧离子镀钛膜的方法
CN113981383B (zh) * 2020-10-30 2024-04-05 东莞市烽元科技有限公司 一种在AlN陶瓷基体表面多弧离子镀钛膜的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105506624B (zh) 2018-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110438444B (zh) 一种镀钨金刚石颗粒、镀钨方法、其作为铜基增强相的应用及得到的金刚石/铜复合材料
KR100885664B1 (ko) 고속/고밀도 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 후막제조방법
CN105506624A (zh) 一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法
CN113174575B (zh) 一种AlN陶瓷基板金属化、热沉一体化制备方法
CN105330340A (zh) 一种用于钎焊的氧化铝陶瓷金属化方法
CN103819215B (zh) 氮化铝基陶瓷覆铜板的制备方法
CN109930125B (zh) 一种金刚石-铝复合材料的磁控溅射镀膜方法
CN108715992A (zh) 一种集成电路陶瓷电路板表面铜-石墨烯复合涂层及其制备方法
JPS60177635A (ja) 良熱伝導性基板の製造方法
CN109136848B (zh) 一种基于pvd沉积方法的氮化铝陶瓷板和金属的连接方法
TWI512150B (zh) Preparation of copper - clad copper - clad copper clad copper
CN102409299B (zh) 一种氧化物陶瓷溅射靶的制备方法
CN111876728A (zh) 一种金锡合金薄膜的制备方法
CN102314978A (zh) 高性能薄膜电阻及其制备方法
CN102917534A (zh) 基于dlc薄膜涂层的陶瓷基板
CN105420679B (zh) 一种孪生对靶磁控溅射制备覆铜陶瓷基板的装置及方法
CN207678068U (zh) 一种超高导热型陶瓷基板
KR100867756B1 (ko) 고속/고밀도 마그네트론 스퍼터링 법을 이용한 세라믹인쇄회로기판의 원판 제조 방법
CN103327735A (zh) 高导热绝缘金属基印刷电路板
CN110484877A (zh) 一种陶瓷基覆铜板的制备方法
CN114000112B (zh) 一种氮化铝覆铜amb方法
CN103334080A (zh) AlN膜表面金属化层制备方法
CN202918581U (zh) 一种基于dlc薄膜涂层的陶瓷基板
CN103864467B (zh) 一种陶瓷表面金属化方法
CN114685178A (zh) 一种基于pvd沉积方法的陶瓷板和金属薄膜连接方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant