TWI679468B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

顯示裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI679468B
TWI679468B TW105133772A TW105133772A TWI679468B TW I679468 B TWI679468 B TW I679468B TW 105133772 A TW105133772 A TW 105133772A TW 105133772 A TW105133772 A TW 105133772A TW I679468 B TWI679468 B TW I679468B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
metal layer
region
light blocking
gate
Prior art date
Application number
TW105133772A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201728973A (zh
Inventor
楊熙正
Heejung Yang
金炯泰
Hyungtae Kim
張東雲
Dongun Jang
金東先
Dongsun Kim
扈源俊
Wonjoon Ho
Original Assignee
南韓商樂金顯示科技股份有限公司
LG Display Co.,Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商樂金顯示科技股份有限公司, LG Display Co.,Ltd. filed Critical 南韓商樂金顯示科技股份有限公司
Publication of TW201728973A publication Critical patent/TW201728973A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI679468B publication Critical patent/TWI679468B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1296—Multistep manufacturing methods adapted to increase the uniformity of device parameters
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/029—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel
    • G09G2320/0295—Improving the quality of display appearance by monitoring one or more pixels in the display panel, e.g. by monitoring a fixed reference pixel by monitoring each display pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/06—Adjustment of display parameters
    • G09G2320/0693—Calibration of display systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

一種顯示裝置包括：一第一基板、一光阻擋層、一緩衝層、一半導體層、一絕緣層、以及一源/汲極金屬層。源/汲極金屬層位於絕緣層上且具有與光阻擋層非重疊的一非重疊區域。

Description

顯示裝置及其製造方法
本發明的實施例係關於一種顯示裝置及其製造方法。
隨著資訊技術的發展，作為用戶和資訊之間的連接媒介的顯示裝置的市場已經增長。因此，越來越多地使用例如有機發光顯示裝置、液晶顯示裝置（LCD）以及電漿顯示面板（PDP）的顯示裝置。
一顯示裝置包含具有複數個子畫素的一顯示面板和驅動顯示面板的一驅動器。驅動器包含向顯示面板提供一掃描訊號（或一閘極訊號）的一掃描驅動器以及向顯示面板提供一資料訊號的一資料驅動器。
在顯示裝置中，當一掃描訊號和一資料訊號提供給以矩陣形式設置的子畫素時，所選擇的子畫素發射光線，由此顯示一影像。顯示裝置可以根據一氧化物薄膜電晶體（TFT）來實現一顯示面板。
然而，氧化物電晶體具有不穩定的負偏壓熱照射應力（NBTiS）特性，並且為了改善這一點，在習知技術中，提出將阻擋環境光的一光阻擋層插入到氧化物電晶體之一底部的方案。然而，所提出的方案導致在一特定區域中光阻擋層和一源/汲極金屬層之間的短路，這一點需要改進。
本發明之實施例提供一種顯示裝置，這種顯示裝置包含一第一基板、一光阻擋層、一緩衝層、一半導體層、一絕緣層、以及一源/汲極金屬層。源/汲極金屬層位於絕緣層上且具有與光阻擋層非重疊的一非重疊區域。
本發明的另一方面提供了一種顯示裝置的製造方法。這種顯示裝置的製造方法包括：形成一光阻擋層於一第一基板上；形成一緩衝層，位於光阻擋層上；形成一半導體層，位於緩衝層上；形成一絕緣層，位於半導體層上；以及形成一源/汲極金屬層，位於絕緣層上，其中光阻擋層具有一非重疊區域，非重疊區域作為其中去除了光阻擋層和源/汲極金屬層之重疊的一區域。
如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
現在將詳細參考本發明的詳細實施例，這些實施例的一些實例在附圖中表示出。
在下文中，將參考附圖詳細描述本發明的實施例。
根據本發明之實施例的一顯示裝置實現為一電視、一視訊播放器、一個人電腦、一家庭影院等。作為顯示裝置的一顯示面板，可選擇性地使用一液晶顯示面板、一有機發光顯示面板、一電泳顯示面板、一電漿顯示面板等，但是本發明不限於此。在下文中，為了描述的目的，將基於有機發光顯示面板的一有機發光顯示裝置作為實例進行描述。
圖1係為根據本發明之實施例的一有機發光顯示裝置的示意性方框圖，圖2係為一子畫素的示意電路圖，圖3係為根據本發明之實施例的一子畫素的電路圖，圖4係為根據本發明之實施例的一顯示面板的截面圖，圖5係為根據本發明之實施例的一子畫素的平面圖。
如圖1所示，根據本發明之實施例的有機發光顯示裝置包含一影像處理單元110、一定時控制器120、一資料驅動器130、一掃描驅動器140以及一顯示面板150。
影像處理單元110輸出一資料使能訊號DE以及從一外部源提供的一資料訊號DATA。除了資料使能訊號DE之外，影像處理單元110可輸出一垂直同步訊號、一水平同步訊號、以及一時脈訊號中的一個或多個，但是為了描述的目的，將省去這些訊號。
定時控制器120從影像處理單元110接收資料使能訊號DE，具有一垂直同步訊號、一水平同步訊號、一時脈訊號等的一驅動訊號，以及資料訊號DATA。定時控制器120根據驅動訊號，輸出用於控制掃描驅動器140之作業定時的一閘極定時控制訊號GDC以及用於控制資料驅動器130之作業定時的一資料定時控制訊號DDC。
響應於從定時控制器120供給的資料定時控制訊號DDC，資料驅動器130對從定時控制器提供的資料訊號DATA進行採樣和鎖存，以將其轉換為一伽馬參考電壓，並且輸出轉換的伽馬參考電壓。資料驅動器130通過資料線DL1至DLn輸出資料訊號DATA。資料驅動器130可以積體電路（IC）的形式提供。
響應於從定時控制器120提供的閘極定時控制訊號GDC，掃描驅動器140輸出一掃描訊號，同時移位一閘極電壓的電平。掃描驅動器140通過掃描線GL1至GLm輸出掃描訊號。掃描驅動器140可以積體電路（IC）的形式或以面板中閘極（gate-in-panel）的方式設置在顯示面板150中。
響應於從資料驅動器130和掃描驅動器140提供的資料訊號DATA及掃描訊號，顯示面板150顯示一影像。顯示面板150包括用於顯示一影像的子畫素SP。
子畫素SP包含一紅色子畫素、一綠色子畫素、以及一藍色子畫素或者包含一白色子畫素、一紅色子畫素、綠色子畫素、以及一藍色子畫素。子畫素SP可根據發光特性具有一個或多個不同的發射面積。
如圖2所示，一單個子畫素包括一開關電晶體SW、一驅動電晶體DR、一電容器Cst、一補償電路（CC）、以及一有機發光二極體（OLED）。
響應於通過一第一掃描線GL1提供的一掃描訊號，開關電晶體SW執行一開關作業，以使得通過第一資料線DL1提供的一資料訊號作為資料電壓儲存於電容器Cst中。驅動電晶體DR根據儲存於電容器Cst中的資料電壓允許驅動電流在一第一電源線EVDD和一第二電源線EVSS之間流動。有機發光二極體（OLED）根據由驅動電晶體DR形成的驅動電流運行以發射光線。
補償電路CC是添加到子畫素的內部，用以補償驅動電晶體DR的一閥值電壓等的電路。補償電路CC包括一個或更多個電晶體。補償電路CC可根據補償方法進行各種配置，並且將描述其實例。
如圖3所示，補償電路CC包含一感測電晶體ST以及一感測線VREF。感測電晶體ST連接到驅動電晶體DR的一源極線和有機發光二極體（OLED）的一陽極之間的一節點（在下文中，稱為一「感測節點」）。感測電晶體ST將通過感測線VREF傳送的一初始化電壓（或一感測電壓）提供給感測節點，或感測此感測節點的一電壓或一電流。
開關電晶體SW的一第一電極連接至第一資料線DL1，並且開關電晶體SW的一第二電極連接至驅動電晶體DR的一閘極。驅動電晶體DR的一第一電極連接至第一電源線EVDD，並且驅動電晶體DR的一第二電極連接至有機發光二極體（OLED）的一陽極。電容器Cst的一第一電極連接到驅動電晶體DR的一閘極，並且電容器Cst的一第二電極連接到有機發光二極體（OLED）的陽極。有機發光二極體（OLED）的陽極連接至驅動電晶體DR的第二電極，並且有機發光二極體（OLED）的一陰極連接至第二電源線EVSS。感測電晶體ST的一第一電極連接至感測線VREF，並且感測電晶體ST的一第二電極連接至作為一感測節點的有機發光二極體（OLED）的陽極。
根據補償算法（或補償電路CC的配置），感測電晶體ST的作業時間可以與開關電晶體SW的作業時間相似或相同。舉例而言，開關電晶體SW的一閘極可連接到一1a掃描線GL1a，並且感測電晶體ST的一閘極可連接到一1b掃描線GL1b。在另一實例中，連接到開關電晶體SW之閘極的1a掃描線GL1a和連接到感測電晶體ST之閘極的1b掃描線GL1b可共同連接以共享。
感測線VREF可連接到資料驅動器。這種情況下，資料驅動器可以在影像的一非顯示週期期間或在一N圖框（N係為1或更大的整數）週期期間實時地感測子畫素的感測節點，並產生一感測結果。開關電晶體SW和感測電晶體ST可以同時導通。在這種情況下，可以根據資料驅動器的時間分隔系統單獨執行通過感測線VREF的感測作業和輸出資料訊號的資料輸出作業。
根據感測結果的一補償目標可以是一數位資料訊號、一類比資料訊號、伽馬等。此外，基於感測結果產生一補償訊號（或一補償電壓）的此補償電路可實現為資料驅動器的一內部電路，作為定時控制器的內部電路，或作為一單獨的電路。
一光阻擋層LS可僅設置在驅動電晶體DR的一通道區域下方，或可設置在開關電晶體SW和感測電晶體ST的通道區域下方，以及驅動電晶體DR的通道區域下方。光阻擋層LS可僅簡單用於阻擋環境光的目的，或者可用作連接到另一電極或線並形成電容器等的一電極。
在圖3中，表示出具有包含開關電晶體SW、驅動電晶體DR、電容器Cst、有機發光二極體（OLED）、以及感測電晶體（ST）的一3T（電晶體）1C（電容器）結構的子畫素作為一實例，並且在這裡，在其中添加一補償電路CC的情況下，此子畫素也可設置為具有一3T2C、4T2C、5T1C或6T2C的結構。
如圖4所示，根據參照圖3的上述電路，子畫素形成於一第一基板150a的一顯示區域AA中。在顯示區域AA中形成的子畫素由一保護膜（或一保護基板）150b密封。附圖標記NA表示一非顯示區域。第一基板150a可選擇性地由玻璃或具有延展性的一材料形成。
子畫素按照紅色（R）、白色（W）、藍色（B）、以及綠色（G）的順序水平或垂直地設置於顯示區域AA中。子畫素R、W、B、以及G形成一單個畫素P。然而，子畫素的設置順序可根據發射材料、發射面積、補償電路的配置（或結構）等進行各種改變。此外，子畫素R、B、G可形成一單個畫素P。
如圖4及圖5所示，形成具有一發射區域EMA及一電路區域DRA的一第01子畫素SP01和第02子畫素SP02形成於顯示區域AA中。第一電源線EVDD可位於第01子畫素SP01的左側，一感測線VREF可位於第02子畫素SP02的右側，並且第一及第二資料線DL1及DL2可定位於第01子畫素SP01和第02子畫素SP02之間。
第01子畫素SP01可電連接至位於第01子畫素SP01之左側的第一電源線EVDD，位於第01子畫素SP01之右側的第一資料線DL1，以及位於第02子畫素SP02之左側的感測線VREF。第02子畫素SP02可電連接至位於第01子畫素SP01之左側的第一電源線EVDD，位於第02子畫素SP02之左側的第二資料線DL2，以及位於第02子畫素SP02之右側的感測線VREF。
在第01子畫素SP01和第02子畫素SP02中，位於發射區域EMA中的有機發光二極體（OLED）根據位於電路區域DRA中的開關電晶體和驅動電晶體的作業而發射光線。
有機發光顯示裝置可基於一氧化物電晶體TFT來實現顯示面板。然而，氧化物電晶體具有不穩定的負偏壓熱照明應力（NBTiS）。因此，為了改善這一點，在習知技術中，已經提出將阻擋環境光的一光阻擋層插入到氧化物電晶體之下的一部分中的方案。然而，這種方案導致在一特定區域中光阻擋層和一源/汲極金屬層之間的短路，因此需要改善。
在下文中，將描述解決習知技術結構的問題的本發明之一實施例。
圖6係為表示用於解釋一習知技術方案之問題的一子畫素的電路區域的平面圖，以及圖7係為圖6的一區域A1-A2的截面圖。
如圖6所示，在習知技術中，執行在一第一基板上形成一光阻擋層LS、一半導體層ACT、一閘極金屬層GATE、以及源/汲極金屬層SD的製程，用以在一電路區域內形成一驅動電晶體DR、一電容器Cst等。
如圖6的（a）所示，光阻擋層LS形成於第一基板上，一緩衝層BUF形成於光阻擋層LS上，以及半導體層ACT形成於緩衝層BUF上。半導體層ACT可包括一開口部OPN。
如圖6的（b）所示，一第一絕緣層（圖未示）形成於半導體層ACT上，並且一閘極金屬層GATE形成於第一絕緣層上。為了形成圖示形式的閘極金屬層GATE，執行圖案化，隨後執行一蝕刻製程，然後對暴露於閘極金屬層GATE之周邊的半導體層ACT執行電漿製程，以使它導電。
當執行使得半導體層ACT導電的製程時，由閘極金屬層GATE覆蓋的半導體層ACT具有半導體特性，而暴露於邊緣部分的半導體層ACT具有金屬特性。一第二絕緣層形成於半導體層ACT以及閘極金屬層GATE上，並且暴露閘極金屬層GATE之一部分的一第一接觸孔CH1形成於開口部OPN之內。
如圖6的（c）所示，第二接觸孔CH2形成於第二絕緣層上，並且一源/汲極金屬層SD形成於第二絕緣層上。源/汲極金屬層SD圖案化以由區域劃分。
源/汲極金屬層SD劃分成連接到第一接觸孔CH1的一部分SDb，用以形成一電容器Cst，連接到第二接觸孔CH2以連接至第一電源線的一部分SDa，以及連接到感測電晶體的一部分SDc。
如圖7所示，在習知技術的結構中，在蝕刻第二絕緣層ILD的過程中進行過蝕刻的情況下，一短路發生於光阻擋層LS和源/汲極金屬層SD之間。
已經審視了由於過蝕刻、外來物的影響、以及一夾層結構引起的問題。在以下實施例中，此問題如下解決。
圖8係為用於說明本發明一第一實施例的一子畫素的電路區域的平面圖，以及圖9係為圖8的區域B1-B2的截面圖。
如圖8所示，在本發明的一第一實施例中，執行在一第一基板上形成一光阻擋層LS、一半導體層ACT、一閘極金屬層GATE、以及一源/汲極金屬層SD的製程，以在一電路區域中形成一驅動電晶體DR、一電容器Cst等。舉例而言，半導體層ACT可選擇性地由銦鎵鋅氧化物（IGZO）形成，但是本發明不限於此。
如圖8的（a）及圖9所示，在光阻擋層LS形成於第一基板上之後，去除其中源/汲極金屬層SD和半導體層ACT電連接的一區域（光阻擋層LS和源/汲極金屬層SD之間的一重疊區域）。因此，光阻擋層LS具有作為其中源/汲極金屬層SD和半導體層ACT電接觸之區域的一非重疊區域LSD。
非重疊區域LSD可對應於第二接觸孔CH2的位置。然而，考慮到加工餘量，非重疊區域LSD可設定為佔據大於第二接觸孔CH2的一區域。此外，在圖式中，表示出非重疊區域LSD位於光阻擋層LS之頂端的一個表面的一外邊緣，並且具有例如一四邊形（或矩形）形狀，但是本發明不限於此，並且非重疊區域LSD的位置和形狀可以修改以對應於一接觸結構。
光阻擋層LS形成為多層。光阻擋層LS可形成為包含鉬（Mo）（第一層）/透明導電氧化物（TCO）（第二層）/鉬（Mo）（第三層）的三層。作為對應於第二層的透明導電氧化物（TCO），例如可選擇性地使用氧化銦錫（ITO），但是本發明不限於此。
一緩衝層BUF形成於光阻擋層上，並且一半導體層ACT形成於緩衝層上。半導體層ACT可包括一開口部OPN。開口部OPN是透過去除與要形成閘極金屬層GATE的區域的一部分相對應的半導體層ACT而形成的區域。儘管半導體層ACT具有與光阻擋層LS的形狀相似的形狀，但是半導體層ACT形成圖案，以具有更小和更窄的面積以減少環境光的影響。在形成半導體層ACT之後，可執行在高溫下進行熱處理的一製程。
如圖8的（b）及圖9所示，一第一絕緣層（圖未示）形成於半導體層ACT上，並且一閘極金屬層GATE形成於第一絕緣層上。如圖所示，閘極金屬層GATE可具有一U形，但是本發明不限於此。在閘極金屬層GATE具有一U形的情況下，可稱為一U型電晶體。
為了以圖示形式形成閘極金屬層GATE，在圖案化之後執行一蝕刻製程，並且對暴露於閘極金屬層GATE外圍的半導體層ACT執行一電漿製程以使它導電。當執行使得半導體層ACT導電的製程時，由閘極金屬層GATE覆蓋的半導體層ACT具有半導體特性，而暴露於其外圍的半導體層ACT具有金屬特性。
一第二絕緣層ILD形成於閘極金屬層GATE上，並且形成暴露閘極金屬層GATE之一部分的一第一接觸孔CH1。第一接觸孔CH1具有例如寬度比高度更長的一矩形形狀，但是本發明不限於此。
如圖8的（c）及圖9所示，一第二接觸孔CH2形成於第二絕緣層上，並且一源/汲極金屬層SD形成於第二絕緣層ILD上。作為源/汲極金屬層SD的材料，可使用銅（Cu）、鋁（Al）、金（Au）、銀（Ag）、鈦（Ti）、鉬（Mo）、鎢（W）、以及鉭（Ta），並且可選擇性地使用包括其中一種或多種的合金。上述材料也可應用於光阻擋層LS和閘極金屬層GATE。
源/汲極金屬層SD形成圖案並且由區域劃分。源/汲極金屬層SD劃分成連接到第一接觸孔CH1的一部分SDb，用以形成一電容器Cst，連接到第二接觸孔CH2以連接至第一電源線的一部分SDa，以及連接到感測電晶體的一部分SDc。
如圖9所示，在根據本發明第一實施例的結構中，即使在蝕刻第二絕緣層ILD的過程中進行過蝕刻，短路也不會出現於光阻擋層LS和源/汲極金屬層SD之間。原因是考慮到在製程期間可能出現的過蝕刻或一異物的影響等問題，非重疊區域LSD製備於光阻擋層LS中。
圖10係為用於說明本發明之第二實施例的一子畫素的電路區域的平面圖，圖11係為圖10的區域C1-C2的截面圖。
如圖10及圖11所示，在本發明的第二實施例中，在一第一基板上執行形成一光阻擋層LS、一半導體層ACT、一閘極金屬層GATE、以及一源/汲極金屬層SD的製程，以在電路區域內形成一驅動電晶體DR、一電容器Cst等。舉例而言，半導體層ACT可選擇性地由銦鎵鋅氧化物（IGZO）形成，但是本發明不限於此。
如圖10的（a）及圖11所示，在光阻擋層LS形成於第一基板上之後，去除其中源/汲極金屬層SD和半導體層ACT電連接的一區域（光阻擋層LS和源/汲極金屬層SD之間的一重疊區域）。因此，光阻擋層LS具有作為其中源/汲極金屬層SD和半導體層ACT電接觸之區域的一非重疊區域LSD。
非重疊區域LSD可對應於第二接觸孔CH2的位置。然而，考慮到加工餘量，非重疊區域LSD可設定為佔據大於第二接觸孔CH2的一區域。此外，在圖式中，表示出非重疊區域LSD位於光阻擋層LS之頂端的一個表面的一外邊緣，並且具有例如一四邊形（或矩形）形狀，但是本發明不限於此，並且非重疊區域LSD的位置和形狀可以修改以對應於一接觸結構。
一緩衝層BUF形成於光阻擋層上，並且一半導體層ACT形成於緩衝層上。儘管半導體層ACT具有與光阻擋層LS的形狀相似的形狀，但是半導體層ACT形成圖案，以具有更小和更窄的面積以減少環境光的影響。
如圖10的（b）及圖11所示，一第一絕緣層（圖未示）形成於半導體層ACT上，並且一閘極金屬層GATE形成於第一絕緣層上。如圖所示，閘極金屬層GATE可具有一I形，但是本發明不限於此。在閘極金屬層GATE具有I形的情況下，可稱為一條型電晶體。
為了以圖示形式形成閘極金屬層GATE，在圖案化之後執行一蝕刻製程，並且對暴露於閘極金屬層GATE外圍的半導體層ACT執行一電漿製程以使它導電。當執行使得半導體層ACT導電的製程時，由閘極金屬層GATE覆蓋的半導體層ACT具有半導體特性，而暴露於其外圍的半導體層ACT具有金屬特性。
一第二絕緣層ILD形成於閘極金屬層GATE上，並且形成暴露閘極金屬層GATE之一部分的一第一接觸孔CH1。第一接觸孔CH1具有例如一四邊形形狀，但是本發明不限於此。
如圖10的（c）及圖11所示，一第二接觸孔CH2形成於第二絕緣層上，並且一源/汲極金屬層SD形成於第二絕緣層ILD上。作為源/汲極金屬層SD的材料，可使用銅（Cu）、鋁（Al）、金（Au）、銀（Ag）、鈦（Ti）、鉬（Mo）、鎢（W）、以及鉭（Ta），並且可選擇性地使用包括其中一種或多種的合金。上述材料也可應用於光阻擋層LS和閘極金屬層GATE。
源/汲極金屬層SD形成圖案並且由區域劃分。源/汲極金屬層SD劃分成連接到第一接觸孔CH1的一部分SDb，用以形成一電容器Cst，連接到第二接觸孔CH2以連接至第一電源線的一部分SDa，以及連接到感測電晶體的一部分SDc。
如圖11所示，在根據本發明第二實施例的結構中，即使在蝕刻第二絕緣層ILD的過程中進行過蝕刻，短路也不會出現於光阻擋層LS和源/汲極金屬層SD之間。原因是考慮到在製程期間可能出現的過蝕刻或一異物的影響等問題，非重疊區域LSD製備於光阻擋層LS中。
在其中非重疊區域LSD製備於光阻擋層LS中的情況下，負偏壓熱照射應力（NBTiS）特性可由於環境光的影響而劣化。因此，在本發明第二實施例中，一低反射率層可添加至源/汲極金屬層SD中以形成一多層結構。源/汲極金屬層SD可配置為包括低反射率層的N層（N係為2或更大的整數）。在圖式中，表示出具有第一至第三層（SD1、SD2、以及SD3）的源/汲極金屬層SD作為一實例。
源/汲極金屬層SD中包含的低反射率層可吸收當從一側表面入射或反射時引入的環境光。因此，使用具有低反射率層的源/汲極金屬層SD之結構，可改善當非重疊區域LSD形成於光阻擋層中時可能發生的環境光的影響和負偏壓熱照射應力（NBTiS）特性的劣化的問題。
此外，當添加低反射率層以構造源/汲極金屬層SD時，可調整一偏移以具有如圖11的（a）所示其中源/汲極金屬層SD不與光阻擋層LS重疊的結構，或如圖11的（b）所示其中源/汲極金屬層SD與光阻擋層LS相重疊的結構。
圖12係為說明本發明之第三實施例的一子畫素的電路區域的平面圖，圖13係為圖12的一區域D1-D2的截面圖。
如圖12及圖13所示，在本發明的第三實施例中，執行在一第一基板上形成一光阻擋層LS、一半導體層ACT、一偽金屬層MET、一閘極金屬層GATE、以及一源/汲極金屬層SD的製程，用以在一電路區域內形成一驅動電晶體DR、一電容器Cst等。舉例而言，半導體層ACT可選擇性地由銦鎵鋅氧化物（IGZO）形成，但是本發明不限於此。
如圖12的（a）及圖13所示，在光阻擋層LS形成於第一基板上之後，去除其中源/汲極金屬層SD和半導體層ACT電連接的一區域（光阻擋層LS和源/汲極金屬層SD之間的一重疊區域）。因此，光阻擋層LS具有作為其中源/汲極金屬層SD和半導體層ACT電接觸之區域的一非重疊區域LSD。
非重疊區域LSD可對應於第二接觸孔CH2的位置。然而，考慮到加工餘量，非重疊區域LSD可設定為佔據大於第二接觸孔CH2的一區域。此外，在圖式中，表示出非重疊區域LSD位於光阻擋層LS之頂端的一側表面的一外邊緣，並且具有例如一矩形形狀，但是本發明不限於此，並且非重疊區域LSD的位置和形狀可以修改以對應於一接觸結構。
一緩衝層BUF形成於光阻擋層上，並且一半導體層ACT形成於緩衝層上。儘管半導體層ACT具有與光阻擋層LS的形狀相似的形狀，但是半導體層ACT形成圖案，以具有更小和更窄的面積以減少環境光的影響。
如圖12的（b）及圖13所示，除了一偽金屬層MET與半導體層ACT的通道區域CN相對應的一區域以外，此偽金屬層MET形成於半導體層ACT上且形成圖案以與半導體層ACT電接觸。作為偽金屬層MET的材料，可使用鉬（Mo）、鈦（Ti）、鋯（Zr）、鉭（Ta）、鎢（W）、錳（Mn）、釩（V）、鈮（Nb）、鐵（Fe）、鈷（Co）、以及鎳（Ni），以及包括其中一種或多種的合金。
除了偽金屬層MET與半導體層ACT的通道區域CN相對應的一區域以外，此偽金屬層MET具有對應於半導體層ACT的一形狀。半導體層ACT和偽金屬層MET的結構具有低反射率特性。當偽金屬層MET形成在半導體層ACT上時，可透過減小一導電區域來增強可加工性。此外，可以阻擋半導體層ACT的環境光吸收路徑。此外，半導體層ACT和偽金屬層MET可通過一半色調處理共同受到蝕刻。
如圖12的（c）及圖13所示，在偽金屬層MET上形成一第一絕緣層GI，閘極金屬層GATE形成於第一絕緣層GI上。如圖所示，閘極金屬層GATE可具有一I形或「ㅣ」形狀，但是本發明不限於此。在閘極金屬層GATE具有I形的情況下，可稱為一條型電晶體。
為了以圖示形式形成閘極金屬層GATE，在圖案化之後執行一蝕刻製程，並且對暴露於閘極金屬層GATE外圍的半導體層ACT執行一電漿製程以使它導電。當執行使得半導體層ACT導電的製程時，由閘極金屬層GATE覆蓋的半導體層ACT具有半導體特性，而暴露於其外圍的半導體層ACT具有金屬特性。
一第二絕緣層ILD形成於閘極金屬層GATE上，並且形成暴露閘極金屬層GATE之一部分的一第一接觸孔CH1。第一接觸孔CH1例如具有一四邊形形狀，但是本發明不限於此。
如圖12的（d）及圖13所示，一第二接觸孔CH2形成於第二絕緣層上，並且一源/汲極金屬層SD形成於第二絕緣層ILD上。作為源/汲極金屬層SD的材料，可使用銅（Cu）、鋁（Al）、金（Au）、銀（Ag）、鈦（Ti）、鉬（Mo）、鎢（W）、以及鉭（Ta），並且可選擇性地使用包括其中一種或多種的合金。上述材料也可應用於光阻擋層LS和閘極金屬層GATE。
源/汲極金屬層SD形成圖案並且由區域劃分。源/汲極金屬層SD劃分成連接到第一接觸孔CH1的一部分SDb，用以形成一電容器Cst，連接到第二接觸孔CH2以連接至第一電源線的一部分SDa，以及連接到感測電晶體的一部分SDc。
通過本發明的第一及第二實施例也可以看出，在本發明的第三實施例中，即使在蝕刻第二絕緣層ILD的過程中進行過蝕刻，短路也不會出現於光阻擋層LS和源/汲極金屬層SD之間。原因是考慮到在製程期間可能出現的過蝕刻或一異物的影響等問題，非重疊區域LSD製備於光阻擋層LS中。
在其中非重疊區域LSD製備於光阻擋層LS中的情況下，負偏壓熱照射應力（NBTiS）特性可由於環境光的影響而劣化。因此，在本發明第三實施例中，除了與半導體層ACT的通道區域CN相對應的區域之外，在半導體層ACT上一起沉積偽金屬層MET以阻擋環境光的一移動路徑。
偽金屬層MET可吸收在從一側表面入射或反射之後出現的光線。因此，使用偽金屬層MET可改善當非重疊區域LSD形成於光阻擋層中時可能發生的環境光的影響和負偏壓熱照射應力（NBTiS）特性劣化的問題。
從本發明的第一至第三實施例可以看出，通過接觸孔電連接的源/汲極金屬層SD可在一垂直方向或一水平方向上圖案化。因此，光阻擋層LS的非重疊區域LSD可形成為各種位置和形狀。
上述顯示面板可應用於例如一底閘極、一雙閘極、或一共面結構的一般電晶體結構。此外，上述顯示面板可實現為一頂部發射、底部發射、一雙發射方式。此外，上述電晶體也可應用於根據任何其它半導體材料以及氧化物電晶體實現的一電晶體。
同時，在上述本發明第一至第三實施例中，可使用下文所述的一光阻擋層。
圖14係為表示根據本發明第一實例的一光阻擋層之結構的圖式，圖15係為圖14的一區域EXT的放大圖，圖16係為表示根據本發明一第二實例的一光阻擋層之結構的圖式，圖17係為圖16的區域EXT的放大圖，圖18係為表示根據本發明一第三實例的一光阻擋層之結構的圖式，以及圖19係為圖18的區域EXT的放大圖。
如圖14及圖15的一第一實例所示，一光阻擋層LS可包括第一至第五層LS1至LS5。舉例而言，光阻擋層LS可形成為包含鉬（Mo）（第一層）/氧化銦錫（ITO）（第二層）/鉬（Mo）（第三層）/鉬鈦合金（MoTi）（第四層）/二氧化鈦（TiO2 ）（第五層）的五層膜。然而，當不形成二氧化鈦（TiO2 ）膜時，光阻擋層LS可形成為包含鉬（Mo）（第一層）/氧化銦錫（ITO）（第二層）/鉬（Mo）（第三層）/鉬鈦合金（MoTi）（第四層）的四層膜。
舉例而言，形成在光阻擋層LS上的緩衝層BUF可選擇性地由二氧化矽（SiO2 ）形成。然而，在這裡，鉬（Mo）和二氧化矽（SiO2 ）之間的黏附性不好。因此，可以將鈦（Ti）或鉬鈦合金（MoTi）作為第四層LS4添加到作為一第三層LS3的鉬（Mo）中，以獲得更好的黏附性。在這一點上，當進行高溫處理時，位於上方的鉬鈦合金（MoTi）可改善相對於二氧化矽（SiO2 ）的黏附性，並且鉬（Mo）可抑制相對於氧化銦錫（ITO）的反應性。此外，鉬鈦合金（MoTi）具有優異的吸收光線的能力，因此可進一步減少環境光的影響。
如圖16及圖17的一第二實例所示，光阻擋層LS可包括第一至第四層LS1至LS4。舉例而言，光阻擋層LS可形成為包含鉬（Mo）（第一層）/氧化銦錫（ITO）（第二層）/鉬（Mo）（第三層）/氮化矽（SiNx）（第四層）的四層膜。
舉例而言，形成在光阻擋層LS上的緩衝層BUF可選擇性地由二氧化矽（SiO2 ）形成。然而，在這裡，鉬（Mo）和二氧化矽（SiO2 ）之間的黏附性不好。因此，可以將氮化矽（SiNx）作為第四層LS4添加到作為第三層LS3的鉬（Mo）中，以獲得更好的黏附性。在這一點上，氮化矽（SiNx）可改善對二氧化矽（SiO2 ）的黏附性並增強吸收光線的能力以減少環境光的影響。
如圖18及圖19的一第三實例所示，一光阻擋層LS可包含第一至第四層LS1至LS4。舉例而言，光阻擋層LS可以形成為包括鉬（Mo）（第一層）/氧化銦錫（ITO）（第二層）/鉬（Mo）（第三層）/氧化銦錫（ITO）（第四層）的四層膜。
舉例而言，形成在光阻擋層LS上的緩衝層BUF可選擇性地由二氧化矽（SiO2 ）形成。然而，在這裡，鉬（Mo）和二氧化矽（SiO2 ）之間的黏附性不好。因此，可以將氧化銦錫（ITO）作為一第四層LS4添加到作為一第三層LS3的鉬（Mo）中，以獲得更好的黏附性。在這一點上，氧化銦錫（ITO）可改善對二氧化矽（SiO2 ）的黏附力並增強吸收光線的能力以減少環境光的影響。
同時，作為添加到光阻擋層LS的第三層的一低反射率材料，可選擇性地使用鈦（Ti）、鋯（Zr）、鉿（Hf）、釩（V）、鈮（Nb）、鉭（Ta）、鉻（Cr）、以及鎢（W），以及包括其中一種或多種的合金。上述第一至第三實例可應用於選自上述實施例中的閘極金屬層、偽金屬層、以及源/汲極金屬層中的一個或多個。
如上所述，在本發明中，可透過防止在光阻擋層和源/汲極金屬層之間出現短路的問題並且最小化由於半導體層的曝光引起的環境光的影響，可提高顯示面板的生產率和驅動可靠性。此外，透過改善當製造氧化物電晶體時可能出現的問題並增強光吸收特性，可以提高顯示面板的生產率和驅動可靠性。
110‧‧‧影像處理單元
120‧‧‧定時控制器
130‧‧‧資料驅動器
140‧‧‧掃描驅動器
150‧‧‧顯示面板
150a‧‧‧第一基板
150b‧‧‧保護膜
DATA‧‧‧資訊訊號
DE‧‧‧資料使能訊號
DDC‧‧‧資料定時控制訊號
GDC‧‧‧閘極定時控制訊號
DL1…DLn‧‧‧資料線
GL1...GLm‧‧‧閘極線
SP‧‧‧子畫素
SP01‧‧‧第01個子畫素
SP02‧‧‧第02個子畫素
R‧‧‧紅色子畫素
W‧‧‧白色子畫素
B‧‧‧藍色子畫素
G‧‧‧綠色子畫素
EMA‧‧‧發光區域
DRA‧‧‧電路區域
SW‧‧‧開關電晶體
DR‧‧‧驅動電晶體
Cst‧‧‧電容器
CC‧‧‧補償電路
OLED‧‧‧有機發光二極體
EVDD‧‧‧第一電源線
EVSS‧‧‧第二電源線
ST‧‧‧感測電晶體
VREF‧‧‧感測線
LS‧‧‧光阻擋層
GL1a‧‧‧1a掃描線
GL1b‧‧‧1b掃描線
NA‧‧‧非顯示區域
AA‧‧‧顯示區域
BUF‧‧‧緩衝層
ACT‧‧‧半導體層
EXT‧‧‧區域
MET‧‧‧偽金屬層
GI‧‧‧第一絕緣層
GATE‧‧‧閘極金屬層
ILD‧‧‧第二絕緣層
SD‧‧‧源/汲極金屬層
SD1‧‧‧第一層
SD2‧‧‧第二層
SD3‧‧‧第三層
A1、A2‧‧‧區域
B1、B2‧‧‧區域
C1、C2‧‧‧區域
D1、D2‧‧‧區域
CN‧‧‧通道區域
SDa、SDb、SDc‧‧‧一部分
LS1‧‧‧第一層
LS2‧‧‧第二層
LS3‧‧‧第三層
LS4‧‧‧第四層
LS5‧‧‧第五層
P‧‧‧單個畫素
OPN‧‧‧開口部
LSD‧‧‧非重疊區域
CH1‧‧‧第一接觸孔
CH2‧‧‧第二接觸孔
圖1係為根據本發明之實施例的一有機發光顯示裝置的示意性方框圖； 圖2係為一子畫素的示意電路圖； 圖3係為根據本發明之實施例的一子畫素的電路圖； 圖4係為根據本發明之實施例的一顯示面板的截面圖； 圖5係為根據本發明之實施例的一子畫素的平面圖； 圖6係為表示用於解釋一習知技術方案之問題的一子畫素的電路區域的平面圖； 圖7係為圖6的一區域A1-A2的截面圖； 圖8係為用於說明本發明一第一實施例的一子畫素的電路區域的平面圖； 圖9係為圖8的區域B1-B2的截面圖； 圖10係為用於說明本發明之第二實施例的一子畫素的電路區域的平面圖； 圖11係為圖10的區域C1-C2的截面圖； 圖12係為說明本發明之第三實施例的一子畫素的電路區域的平面圖； 圖13係為圖12的一區域D1-D2的截面圖； 圖14係為表示根據本發明第一實例的一光阻擋層之結構的圖式； 圖15係為圖14的一區域EXT的放大圖； 圖16係為表示根據本發明一第二實例的一光阻擋層之結構的圖式； 圖17係為圖16的區域EXT的放大圖； 圖18係為表示根據本發明一第三實例的一光阻擋層之結構的圖式；以及 圖19係為圖18的區域EXT的放大圖。

Claims (9)

  1. 一種顯示裝置，包括：一光阻擋層，位於一第一基板上；一緩衝層，位於該光阻擋層上；一半導體層，位於該緩衝層上，該半導體層具有一通道區域；一偽金屬層，位於該半導體層上，該偽金屬層被圖案化以電性連接該半導體層，且該偽金屬層除了對應該通道區域的部分以外，該偽金屬層的其餘部分的形狀對應該半導體層，其中該偽金屬層具有低反射率特性並從一側表面吸收光；一第一絕緣層，位於該偽金屬層上；一閘極金屬層，位於該第一絕緣層上；一第二絕緣層，位於該閘極金屬層上；以及一源/汲極金屬層，位於該第二絕緣層上且具有與該光阻擋層非重疊的一非重疊區域。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該非重疊區域對應於該半導體層和該源/汲極金屬層電連接的一區域，或者大於該區域的一區域。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該非重疊區域位於該光阻擋層的一頂端的一個表面之一外邊緣上，並且具有一四邊形形狀。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該非重疊區域位於該光阻擋層的一頂端的一側表面之一外邊緣上，並且具有一四邊形形狀。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該非重疊區域位於與該閘極金屬層相鄰的一區域中。
  6. 如請求項5所述之顯示裝置，其中從該光阻擋層、該閘極金屬層、以及該源/汲極金屬層中選擇的一個或多個係為具有一低反射率層的多層。
  7. 一種顯示裝置的製造方法，該顯示裝置的製造方法包括：形成一光阻擋層於一第一基板上；形成一緩衝層，該緩衝層位於該光阻擋層上；形成一半導體層，該半導體層位於該緩衝層上；形成一偽金屬層，該偽金屬層位於該半導體層上且被圖案化，以電性連接該半導體層，且該偽金屬層除了對應該通道區域的部分以外，該偽金屬層的其餘部分的形狀對應該半導體層；形成一第一絕緣層，該第一絕緣層位於該偽金屬層上；形成一閘極金屬層，該閘極金屬層位於該第一絕緣層上；形成一第二絕緣層，該第二絕緣層位於該閘極金屬層上；以及形成一源/汲極金屬層，該源/汲極金屬層位於該第二絕緣層上，其中該光阻擋層具有一非重疊區域，該非重疊區域作為其中去除了該光阻擋層和該源/汲極金屬層之重疊的一區域，其中該半導體層和該偽金屬層通過半色調處理共同蝕刻。
  8. 如請求項7所述之顯示裝置的製造方法，其中該非重疊區域對應於該半導體層和該源/汲極金屬層電連接的一區域，或者大於該區域的一區域。
  9. 如請求項7所述之顯示裝置的製造方法，其中該非重疊區域位於與該閘極金屬層相鄰的一區域中。
TW105133772A 2015-10-23 2016-10-19 顯示裝置及其製造方法 TWI679468B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150147982A KR102558900B1 (ko) 2015-10-23 2015-10-23 표시장치와 이의 제조방법
KR10-2015-0147982 2015-10-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201728973A TW201728973A (zh) 2017-08-16
TWI679468B true TWI679468B (zh) 2019-12-11

Family

ID=58559009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105133772A TWI679468B (zh) 2015-10-23 2016-10-19 顯示裝置及其製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10475872B2 (zh)
KR (1) KR102558900B1 (zh)
CN (1) CN107017266B (zh)
TW (1) TWI679468B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102016565B1 (ko) * 2017-11-30 2019-08-30 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002236460A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに投射型表示装置
TW200725908A (en) * 2005-12-23 2007-07-01 Mitsubishi Electric Corp Thin film transistor device, method for manufacturing the same and display apparatus having the same
TW200730983A (en) * 2006-01-11 2007-08-16 Epson Imaging Devices Corp Display device
JP2010250005A (ja) * 2009-04-14 2010-11-04 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US20110193076A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor panel and fabricating method thereof
TW201303465A (zh) * 2011-05-11 2013-01-16 Hitachi Displays Ltd 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
US20130271690A1 (en) * 2010-12-27 2013-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing same
KR20140046794A (ko) * 2012-10-11 2014-04-21 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6590229B1 (en) * 1999-01-21 2003-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and process for production thereof
US6744198B2 (en) * 2001-03-19 2004-06-01 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing display device, display device, and electronic apparatus
US7027109B2 (en) * 2001-08-03 2006-04-11 Nec Corporation TFT array substrate and active-matrix addressing liquid-crystal display device
KR100845557B1 (ko) * 2002-02-20 2008-07-10 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2003270663A (ja) * 2002-03-14 2003-09-25 Sharp Corp 液晶表示装置
KR100582729B1 (ko) * 2004-09-08 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 다중 채널 박막트랜지스터 및 단일 채널 박막트랜지스터를구비하는 반도체 소자
JP5796760B2 (ja) * 2009-07-29 2015-10-21 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 トランジスタ回路
CN102645799B (zh) 2011-03-29 2015-01-07 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶显示器件、阵列基板和彩膜基板及其制造方法
US9318513B2 (en) * 2011-04-28 2016-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, active matrix board, and display device
JP6005401B2 (ja) * 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US9204535B2 (en) * 2012-04-18 2015-12-01 Lg Chem, Ltd. Conductive structure and method for manufacturing same
CN103000661B (zh) * 2012-12-12 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103904086B (zh) * 2012-12-24 2017-10-27 上海天马微电子有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板
KR20150026309A (ko) * 2013-09-02 2015-03-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102256083B1 (ko) 2014-03-26 2021-05-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002236460A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに投射型表示装置
TW200725908A (en) * 2005-12-23 2007-07-01 Mitsubishi Electric Corp Thin film transistor device, method for manufacturing the same and display apparatus having the same
TW200730983A (en) * 2006-01-11 2007-08-16 Epson Imaging Devices Corp Display device
JP2010250005A (ja) * 2009-04-14 2010-11-04 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US20110193076A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor panel and fabricating method thereof
US20130271690A1 (en) * 2010-12-27 2013-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing same
TW201303465A (zh) * 2011-05-11 2013-01-16 Hitachi Displays Ltd 顯示裝置及顯示裝置之製造方法
KR20140046794A (ko) * 2012-10-11 2014-04-21 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20170117344A1 (en) 2017-04-27
CN107017266A (zh) 2017-08-04
KR102558900B1 (ko) 2023-07-25
CN107017266B (zh) 2020-08-28
US10475872B2 (en) 2019-11-12
KR20170047632A (ko) 2017-05-08
TW201728973A (zh) 2017-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11101341B2 (en) Light-emitting display device and method of manufacturing the same
TWI645240B (zh) 顯示裝置
US10461141B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
US10714561B2 (en) Display device
KR102603598B1 (ko) 표시장치
TWI642180B (zh) 顯示裝置
EP2924758B1 (en) Organic light emitting display comprising reflection reduction layers
KR20180133017A (ko) 전계발광표시장치와 이의 제조방법
CN109994513B (zh) 显示装置及制造该显示装置的方法
CN111326673B (zh) 显示装置
US11637165B2 (en) OLED pixel with aperture proportional to capacitance
JPWO2019026511A1 (ja) 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器
KR20160053043A (ko) 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR20150011868A (ko) 유기발광다이오드소자 및 이의 제조방법
US11849604B2 (en) Display device and pixel array substrate thereof
TWI679468B (zh) 顯示裝置及其製造方法
KR20170026900A (ko) 유기발광 표시장치
KR102593451B1 (ko) 표시장치와 이의 제조방법
JP7482967B2 (ja) 表示パネル及び表示装置