TWI679127B - 用以輸出流體之裝置及相關聯電路 - Google Patents

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Abstract

於某些實例中，一種與一記憶體元件及一用以輸出流體之噴嘴搭配使用之電路，包含：一資料線、一起動線、以及一選擇器，其回應該資料線以選取該記憶體元件或該噴嘴。該選擇器係回應具有一第一數值之該資料線以選取該記憶體元件，以及回應具有與該第一數值不同之一第二數值之該資料線以選取該噴嘴。該起動線係回應該選擇器所選取之該噴嘴以控制該噴嘴之啟動，以及回應該選擇器所選取之該記憶體元件以傳達該記憶體元件之資料。

Description

用以輸出流體之裝置及相關聯電路
發明領域
本發明係有關於一種用於噴嘴及記憶體元件之選擇器。
發明背景
一列印系統可包含一列印頭其具有噴嘴以將列印流體分配至一目標。於一二維(2D)列印系統中，該目標係一列印媒介，諸如一紙張或另一型式之基材而列印影像可形成在該基材上。2D列印系統之實例包含噴墨列印系統其可分配墨水液滴。於一三維(3D)列印系統中，該目標可為一層或多層建構材料其沉積以形成一3D物件。
發明概要
依據本發明之實施例，係特別提出一種電路其與一記憶體元件及一用以輸出流體之噴嘴連用，該電路包含：一資料線；一起動線；以及一選擇器其回應該資料線以選取該記憶體元件或該噴嘴，其中該選擇器回應具有一第一數 值之該資料線以選取該記憶體元件，以及回應具有與該第一數值不同之一第二數值之該資料線以選取該噴嘴，其中該資料線係傳達另一記憶體元件之資料，該起動線回應該選擇器所選取之該噴嘴以控制該噴嘴之啟動，以及回應該選擇器所選取之該記憶體元件以傳達該記憶體元件之資料。
100‧‧‧電路
102、304、604、802‧‧‧記憶體元件
104、804‧‧‧噴嘴
106、216、806‧‧‧選擇器
202‧‧‧流體射出控制器
204‧‧‧流體射出裝置
204-1、204-2、204-3‧‧‧部分
206‧‧‧噴嘴陣列
208、208-1、208-2‧‧‧ID記憶體
210、210-1、210-2‧‧‧起動記憶體
212‧‧‧控制電路
214‧‧‧控制線
220‧‧‧流體射出晶粒
222‧‧‧第二晶粒
302‧‧‧噴嘴啟動元件
306、308、310、406、408、410、412、502、504、506、508、510、512、514、516、518、520、522、524、 526、528、608、610、612、702、706、708、710‧‧‧電晶體
312‧‧‧參考電壓
314‧‧‧解碼器
402‧‧‧第一電晶體
404‧‧‧第二電晶體
405‧‧‧第一配置
409‧‧‧第二配置
602‧‧‧位址產生器
614、712‧‧‧移位暫存解碼器
800‧‧‧晶粒
N1、N2‧‧‧節點
本揭露內容之某些建置係關於下列圖式加以說明。
圖1係依據某些實例之一配置之一方塊圖而該配置包含一電路、一記憶體元件、以及一噴嘴。
圖2係依據另外實例之一系統之一方塊圖。
圖2A-2G係依據各種實例之各種系統之方塊圖。
圖3、4、5、5A、5B、6及7係依據各種實例之電路之示意圖而該等電路包含一噴嘴啟動元件、一記憶體元件、以及一選擇電路。
圖8係依據另外實例之一或多個晶粒之一方塊圖而該等一或多個晶粒包含一選擇器、一記憶體元件、以及一噴嘴。
通篇圖式中，相同參考號碼指示類似，但不必然相同，之元件。該等圖式不必然依照比例，且某些零件之尺寸可誇大以更清楚地說明所顯示之實例。此外，該等圖式提供與說明一致之實例及/或建置；然而，該說明並 非受限於該等圖式中所提供之該等實例及/或建置。
詳細說明
本揭示內容中，術語”一(a)”、”一(an)”、或”該”之使用亦意圖包含多數型式，除非上下文清楚地作相反指示。另，術語"包含(including)"、"包含(comprises)"、"包含(comprising)、"具有(have)"、或"具有(having)"當於此揭露內容中使用時係指所陳述元件之存在，但並不排除其他元件之存在或添加。
一於一列印系統中使用之列印頭可包含噴嘴其係啟動以導致列印流體液滴由個別噴嘴射出。每一噴嘴包含一噴嘴啟動元件。該噴嘴啟動元件當啟動時導致一列印流體液滴藉由對應噴嘴射出。於某些實例中，一噴嘴啟動元件包含一加熱元件(例如，一熱電阻器)其當啟動時產生熱量以汽化該噴嘴之一起動室中之一列印流體。列印流體之汽化導致該列印流體之一液滴自噴嘴排出。於其他實例中，一噴嘴啟動元件包含一壓電元件。當啟動時，該壓電元件施加一力量以自一噴嘴射出一列印流體液滴。於另外實例中，可使用其他型式之噴嘴啟動元件。
一列印系統可為一二維(2D)或三維(3D)列印系統。一2D列印系統分配列印流體，諸如墨水，以在列印媒介，諸如紙張媒介或其他型式之列印媒介，上形成影像。一3D列印系統藉著沉積連續建構材料層形成一3D物件。自3D列印系統分配之列印流體可包含墨水，及用以融 合一層建構材料之粉末的料劑，細部裝飾一層建構材料(諸如藉著界定該層建構材料之邊緣或形狀)、等。
於接續討論中，術語"列印頭"通常可指一列印頭晶粒或一整體組件其包含安裝在一支持結構上之多數晶粒。一晶粒(亦稱為一”積體電路(IC)晶粒”)包含一基材其上提供多數層材以形成噴嘴及/或控制電路以便藉著該等噴嘴控制一流體之射出。
於某些實例中雖然係以一用於列印系統中之一列印頭為參考，然而注意到本揭露內容之技術或機制可適用於非列印應用中所使用之其他型式之流體射出裝置其可經由噴嘴分配流體。此類其他型式之流體射出裝置之實例包含流體感測系統、醫學系統、車輛、流體流動控制系統、等系統中所使用之那些流體射出裝置。
於某些實例中，一流體射出裝置可以一晶粒來實施。於另外實例中，一流體射出裝置可包含多數晶粒。
因為裝置，包含列印頭晶粒或其他型式之流體射出晶粒，持續在尺寸上縮小，所以用以控制一裝置之電路之信號線的數量可影響該裝置之整體尺寸。大量信號線可能導致使用大量信號墊(稱為”結合墊”)其用以電氣式連接該等信號線至外部線路。添加功能至流體射出裝置可能導致一遞增數量之信號線(及對應結合墊)之使用，此舉可能，例如，佔用寶貴的晶粒空間。可添加至一流體射出裝置之額外功能之實例包含記憶體裝置。
依據本揭露內容之某些建置，一流體射出裝 置(其包含單一晶粒或多數晶粒)之不同電路可共用控制及資料線以容許減少需連接至一外部線路之該流體射出裝置之信號線的數量。如此處所使用者，術語"線路”可指一電氣導體(或替代地，多數電氣導體)其可用以運載一信號(或多數信號)。
如圖1中所示，於某些實例中，一種電路100其與一記憶體元件102及噴嘴104連用而該電路包含一資料線、一起動線、以及一選擇器106。記憶體元件102可包含一記憶體單元(或一組記憶體單元)其可儲存資料。記憶體元件102可為一記憶體元件陣列(或其他集合體)之部分而該等記憶體元件形成一記憶體之部分。噴嘴104可包含一噴嘴啟動元件、一流體室、以及一流體孔口，其中該噴嘴啟動元件當啟動時導致該流體室內之流體經由該流體孔口射出至噴嘴104外側之一環境。
在流體射出裝置關聯於多數不同記憶體之實例中，資料線可用以傳達該等多數不同記憶體中之一第一記憶體之資料。記憶體元件102可為該等多數不同記憶體中之一第二記憶體之部分。例如，該第一記憶體可為一ID記憶體其用以儲存該流體射出裝置之識別資料(以及可能為其他資料)以唯一地識別該流體射出裝置。該ID記憶體亦可儲存其他資料。於此類實例中，資料線可稱為一ID線其用以傳達該ID記憶體之資料(寫入資料或讀取資料)。
第二記憶體可儲存射出資料，其可用以致能或去能特定噴嘴。於其他實例中，該第二記憶體可儲存其 他資料。
於某些實例中，不同記憶體可在一流體射出晶粒上而該流體射出晶粒亦可包含用以輸出(分配)流體之噴嘴。於其他實例中，不同記憶體可在一晶粒(或多數晶粒)上而該(等)晶粒係與該流體射出晶粒分離。例如，第一記憶體與第二記憶體可為一晶粒之部分而該晶粒係與該流體射出晶粒分離，或該第一記憶體及該第二記憶體可為個別晶粒之部分而該等晶粒係與該流體射出晶粒分離。
選擇器106係回應資料線之一數值以選擇記憶體元件102或噴嘴104。注意到該資料線係用以傳達資料，對比於位址資料線係用以運載一位址。一資料線之一特定實例係一ID線(進一步解釋如下)。選擇器106回應具有一第一數值之該資料線以選取記憶體元件102，以及回應具有不同於該第一數值之一第二數值之該資料線以選取噴嘴104。起動線回應選擇器106所選取之噴嘴104以控制噴嘴104之啟動，以及回應選擇器106所選取之記憶體元件102以傳達記憶體元件102之資料(寫入資料或讀取資料)。
於某些實例中，電路100可為與記憶體元件102及噴嘴104相同之晶粒之部分。例如，一流體射出晶粒可包含電路100、記憶體元件102、以及噴嘴104。於其他實例中，電路100可與包含記憶體元件102及/或噴嘴104之晶粒分離。例如，電路100可形成在一可撓性纜線、一電路板、一晶粒、或與該包含記憶體元件102及/或噴嘴104之晶粒分離之任何其他結構上。
圖2係一例示性系統之一方塊圖，其可包含一列印系統或其他型式之流體分配系統。該系統包含一流體射出控制器202及一流體射出裝置204。流體射出控制器202係與流體射出裝置204分離。例如，於一列印系統中，流體射出控制器202係一列印頭驅動控制器其係列印系統之部分，而流體射出裝置204係一列印頭晶粒其係一列印卡匣(其包含墨水或另一料劑)之部分或可設置於另一結構上。
流體射出裝置204包含個別部分204-1、204-2、與204-3。部分204-1包含一噴嘴陣列206，其包含一陣列之噴嘴而該等噴嘴可選擇性控制以分配流體。部分204-2包含一ID記憶體208，諸如以儲存流體射出裝置204之識別資料。部分204-3包含一起動記憶體210，其可用以儲存有關噴嘴陣列206之資料，其中該等資料可包含下列之任何或某些組合，例如：晶粒位置、區域資訊、墬重(drop weight)編碼資訊、認證資訊、致能或去能所選取噴嘴之資料、等。於某些實例中，圖1之記憶體元件102可為圖2之起動記憶體210之部分。
於某些實例中，ID記憶體208及起動記憶體210可以不同型式之記憶體實施以形成一混合記憶體配置。例如，ID記憶體208可以一電氣式可程式化唯讀記憶體(EPROM)實施。起動記憶體210可以一熔絲記憶體實施，其中該熔絲記憶體包含一陣列之熔絲其可選擇性熔斷(或不熔斷)以將資料程式化至起動記憶體210內。雖然特定 型式記憶體之實例係臚列如上，然而注意到於其他實例中，ID記憶體208及起動記憶體210可以其他型式之記憶體實施。於某些實例中，ID記憶體208及起動記憶體210可以相同型式之記憶體實施。
此外，雖然特定型式之資料係指出由ID記憶體208及起動記憶體210來儲存，然而注意到於其他實例中，記憶體208及210可儲存其他或額外型式之資料。
於某些實例中，流體射出裝置204之部分204-1、204-2、及204-3可形成在一共用晶粒(亦即，一流體射出晶粒)上因此噴嘴陣列206、ID記憶體208、及起動記憶體210係形成在一單一晶粒上。於其他實例中，部分204-1可在一晶粒(該包含噴嘴陣列206之流體射出晶粒)上實施，而部分204-2及204-3係在一分離晶粒(或個別之分離晶粒)上實施。例如，ID記憶體208及起動記憶體210可形成在一第二晶粒上其與該流體射出晶粒分離，或替代地，ID記憶體208及起動記憶體210可形成在與該流體射出晶粒分離之個別不同晶粒上。於另外實例中，ID記憶體208及噴嘴陣列206可為一晶粒之部分，而起動記憶體210係另一晶粒之部分。於其他實例中，起動記憶體210及噴嘴陣列206可為一晶粒之部分，以及ID記憶體208係另一晶粒之部分。於另外實例中，ID記憶體208之部分可在一晶粒上，而ID記憶體208之另一部分可在另一晶粒上。於其他實例中，起動記憶體210之部分可為一晶粒之部分，以及ID記憶體208之另一部分可為另一晶粒之部分。
下文係不同配置之進一步實例。於一第一配置中，如圖2A中所示，ID記憶體208及起動記憶體210兩者可在一流體射出晶粒220上。ID線係用以傳達流體射出控制器202與該流體射出晶粒上之ID記憶體208間之資料，以及起動線係用以傳達流體射出控制器202與流體射出晶粒上之起動記憶體210間之資料。
於一第二配置中，如圖2B中所示，ID記憶體208係流體射出晶粒220之部分，以及起動記憶體210係一第二晶粒222之部分。ID線係用以傳達流體射出控制器202與流體射出晶粒220上之ID記憶體208間之資料，以及起動線係用以傳達流體射出控制器202與第二晶粒222上之起動記憶體210間之資料。
於一第三配置中，如圖2C中所示，起動記憶體210係流體射出晶粒220之部分，以及ID記憶體208係一第二晶粒222之部分。ID線係用以傳達流體射出控制器202與第二晶粒222上之ID記憶體208間之資料，以及起動線係用以傳達流體射出控制器202與流體射出晶粒220上之起動記憶體210間之資料。
於一第四配置中，如圖2D中所示，ID記憶體208及起動記憶體210係在與流體射出晶粒220分離之一第二晶粒220上。ID線係用以傳達流體射出控制器202與第二晶粒222上之ID記憶體208間之資料，以及起動線係用以傳達流體射出控制器202與第二晶粒222上之起動記憶體210間之資料。
於一第五配置中，如圖2E中所示，ID記憶體之一第一部分208-1及起動記憶體之一第一部分210-1兩者可在流體射出晶粒220上，以及ID記憶體之一第二部分208-2及起動記憶體之一第二部分210-2可在一第二晶粒222上。ID線係用以傳達流體射出控制器202與流體射出晶粒220及第二晶粒222上之ID記憶體部分208-1及208-2間之資料，以及起動線係用以傳達流體射出控制器202與流體射出晶粒220及第二晶粒222上之起動記憶體部分210-1及210-2間之資料。
於一第六配置中，如圖2F中所示，ID記憶體之一第一部分208-1及起動記憶體210可在流體射出晶粒220上，以及ID記憶體之一第二部分208-2可在一第二晶粒222上。ID線係用以傳達流體射出控制器202與流體射出晶粒220及第二晶粒222上之ID記憶體部分208-1及208-2間之資料，以及起動線係用以傳達流體射出控制器202與流體射出晶粒220上之起動記憶體210間之資料。
於一第七配置中，如圖2G中所示，ID記憶體208及起動記憶體之一第一部分210-1可在流體射出晶粒220上，以及起動記憶體之一第二部分210-2可在一第二晶粒222上。ID線係用以傳達流體射出控制器202與流體射出晶粒220上之ID記憶體208間之資料，以及起動線係用以傳達流體射出控制器202與流體射出晶粒220及第二晶粒222上之起動記憶體部分210-1及210-2間之資料。
於其他例示性配置中，除了流體射出晶粒以 外，可採用一個以上之第二晶粒，其中ID記憶體部分及/或起動記憶體部分可跨越該等多數第二晶粒分布。
此外，雖然圖2顯示一實例其中有二個不同型式之記憶體，然而注意到於其他實例中，僅僅一型式之記憶體可包含在流體射出裝置204中。
流體射出裝置204係關聯於一控制電路212其回應經由控制線214傳達之各種控制信號以控制噴嘴陣列206、ID記憶體208、及起動記憶體210之啟動及存取。控制線214包含一起動線、一CSYNC線、一選擇線、一位址資料線、一ID線、以及其他線路。於其他實例中，可有多數起動線、及/或多數選擇線、及/或多數位址資料線。
控制電路212包含一選擇器216(其係類似於圖1之選擇器106)。選擇器216可，依據一資料線(其在圖2中係ID線而該ID線係用以寫入及讀取ID記憶體208之識別資料)之數值，選取噴嘴陣列206及起動記憶體210中之一者。
當噴嘴陣列206回應ID線之一第一數值藉由選擇器216選取時，起動線係用以控制噴嘴陣列206之啟動。起動線所運載之一起動信號當設定為一第一狀態時導致一個別噴嘴(或多數噴嘴)啟動假設此噴嘴(或多數噴嘴)係依據選擇及位址資料線之數值加以定址的話。假設該起動信號係不同於該第一數值之一第二數值時，則噴嘴(或多數噴嘴)不啟動。
CSYNC信號係用以啟動流體射出裝置204 中之一位址(在接續討論中係稱為Ax及Ay)。選擇線可用以選取特定噴嘴或記憶體元件。位址資料線係用以運載一位址位元(或多數位址位元)以定址一特定噴嘴或記憶體元件(或一特定組之噴嘴或一特定組之記憶體元件)。
依據本揭露內容之某些建置，為了加強彈性及減少需提供至流體射出裝置204上之輸入/輸出(I/O)之數量，每一起動線及ID線(或更一般性地，一資料線)均實施主要及次要工作兩者。如上文注意到者，起動線之主要工作係啟動所選取之噴嘴。起動線之次要工作係傳達起動記憶體210之資料。依此方式，可在流體射出控制器202與起動記憶體210之間(經由起動線)提供一資料路徑，無需在流體射出控制器202與流體射出裝置204之間提供一分離之資料線。
ID線之主要工作係傳達ID記憶體208之資料。ID線之次要工作係導致選擇器216選取噴嘴陣列206及起動記憶體210中之一者。依此方式，一共用起動線可用以控制噴嘴陣列206之啟動以及傳達起動記憶體210之資料，其中ID線係用以選擇何時噴嘴陣列206係藉著起動線來控制以及何時該起動線可用以傳達起動記憶體210之資料。
圖3係一電路之一示意圖而該電路包含一噴嘴啟動元件302及一記憶體元件304。於某些實例中，噴嘴啟動元件302係為一熱電阻器型式而該熱電阻器當啟動時係加熱一噴嘴之一流體室內之流體，以導致該流體由該噴 嘴之一流體孔口射出。於其他實例中，該噴嘴啟動元件可包含一壓電元件或其他型式之噴嘴啟動元件。於某些實例中，記憶體元件304可為圖2之起動記憶體210之部分。
圖3中，一第一開關(其可使用一電晶體306來實施)係介於起動線與一節點N1之間與噴嘴啟動元件302串聯。一第二開關(其可使用一電晶體308來實施)係介於起動線與節點N1之間與記憶體元件304串聯。電晶體306具有一閘極其由
Figure TWI679127B_D0001
來控制，以及電晶體308具有一閘極其由ID來控制。
Figure TWI679127B_D0002
代表ID之一反相(inverse)。例如，ID可提供至一反相器之輸入，該反相器產生
Figure TWI679127B_D0003
。
因此，當電晶體308係藉著ID(設定為一作用值諸如一高值)開啟時，電晶體306係藉著
Figure TWI679127B_D0004
(因
Figure TWI679127B_D0005
係設定為一非作用值諸如一低值)關閉。另一方面，當電晶體306係藉著
Figure TWI679127B_D0006
(設定為一作用值諸如一高值)開啟時，電晶體308係關閉。
依此方式，電晶體306與308可選取噴嘴啟動元件302或記憶體元件304。圖3之配置中之電晶體306與308係選擇器106(圖1)或選擇器216(圖2)之部分。
圖3進一步描述介於節點N1與一參考電壓312，諸如接地，間之一開關(以一電晶體310實施)。電晶體310之閘極係連接至一解碼器314之一輸出，該解碼器接收一位址輸入。解碼器314可為圖2中所示之控制電路212之部分。
該位址輸入包含由位址資料線之位址位元 所提供之一位址，及Ax與Ay信號。於某些實例中，該等Ax與Ay信號係回應選擇線及CSYNC線藉著一位址產生器(圖3中未顯示)輸出。雖然一特定位址輸入係描述於圖3中，然而注意到解碼器314通常接收一位址作為一輸入以及依據該位址控制電晶體310之啟動。該解碼器可回應該位址輸入有效地啟動或維持不啟動噴嘴啟動元件302或記憶體元件304(藉著ID線來選取)。
通常，依據圖3，一種電路其與一記憶體元件及用以輸出流體之一噴嘴連用而該電路包含一資料線、一起動線、以及一選擇器。該選擇器包含一第一開關其回應該資料線之一第一數值以選取該記憶體元件，以及包含一第二開關其回應該資料線之一第二數值以選取該噴嘴。該起動線回應該選擇器所選取之該噴嘴以控制該噴嘴之啟動，以及回應該選擇器所選取之該記憶體元件以傳達該記憶體元件之資料。該電路進一步包含一解碼器其回應一位址輸入以選取該記憶體元件或該噴嘴。
圖4係另一例示性配置之一示意圖而該配置用以選擇性啟動/存取噴嘴啟動元件302及記憶體元件304。圖4中，一第一電晶體402係介於起動線與一參考電壓之間與噴嘴啟動元件302串聯，以及一第二電晶體404係介於起動線與一參考電壓之間與記憶體元件304串聯。
電晶體402之閘極係連接至開關之一第一配置405其包含一電晶體406(藉著
Figure TWI679127B_D0007
來控制)及一電晶體408(藉著ID來控制)。電晶體406當藉著
Figure TWI679127B_D0008
開啟時係將解碼 器314之輸出連接至電晶體402之閘極。電晶體408係連接在電晶體402之閘極與一參考電壓之間。
電晶體404之閘極係連接至開關之一第二配置409其包含一電晶體410及電晶體412。電晶體410之閘極係連接至ID，以及電晶體412之閘極係連接至
Figure TWI679127B_D0009
。電晶體410當開啟時係將解碼器314之輸出連接至電晶體404之閘極，以及電晶體412係連接在電晶體404之閘極與一參考電壓之間。
依據ID與
Figure TWI679127B_D0010
交替連接至個別電晶體406、408、410、及412之閘極，包含電晶體406與408之開關之第一配置405係當
Figure TWI679127B_D0011
處於一作用狀態時開啟以將解碼器輸出連接至電晶體402之閘極。另一方面，包含電晶體410與412之開關之第二配置409係回應ID處於一作用狀態時開啟以將解碼器輸出連接至電晶體404之閘極。
開關之每一配置405或409當關閉時均隔離解碼器輸出與電晶體402或404之個別閘極。
於圖4之配置中，開關之配置405與409係選擇器106(圖1)或選擇器216(圖2)之部分。解碼器314係圖2之控制電路212之部分。
通常，依據圖4，一種電路其與一記憶體元件及一用於輸出流體之噴嘴連用而該電路包含一資料線、一起動線、以及一選擇器。該選擇器包含一第一開關配置其回應該資料線之一第一數值以選取該記憶體元件，以及包含一第二開關配置其回應該資料線之一第二數值以選取 該噴嘴。該起動線回應該選擇器所選取之該噴嘴以控制該噴嘴之啟動，以及回應該選擇器所選取之該記憶體元件以傳達該記憶體元件之資料。該電路進一步包含一解碼器其回應一位址輸入以選取該記憶體元件或該噴嘴。
圖3與4描述例示性配置其中僅有一解碼器係用以定址記憶體啟動元件302及記憶體元件304。於替代性實例中，多數解碼器可用以分別地定址記憶體啟動元件302及記憶體元件304。此一雙解碼器配置之一實例係顯示於圖5中。
圖5中，記憶體啟動元件302及一電晶體502係串聯在起動線與一參考電壓之間。記憶體啟動元件304係介於起動線與一參考電壓之間與電晶體504及506串聯。
電晶體502之閘極係藉著一第一解碼器來控制而該第一解碼器包含電晶體508、510、512、514、及516。Sn代表一選擇信號，而Sn-1代表另一選擇信號。選擇信號Sn與Sn-1係經由一選擇線來傳達。選擇信號Sn-1在時間上可稍早於選擇信號Sn啟動。
電晶體508係配置成一二極體，且係一預充電式電晶體以預充電電晶體508之閘極其連接至電晶體508之一源極。選擇信號Sn-1係經由預充電式電晶體508耦接至電晶體502之閘極。
電晶體510係連接在電晶體502之閘極與一節點N2之間。電晶體512、514、及516係在節點N2與一參考電壓之間並聯。電晶體512之閘極係連接至Ay、電晶 體514之閘極係連接至Ax、以及電晶體516之閘極係連接至一位址資料位元Dx。Ax、Ay、Dx、Sn、及Sn-1形成第一解碼器之位址輸入。
圖5中，另一電晶體518係與電晶體512、514、及516並聯。電晶體518之閘極係連接至ID。電晶體518係選擇器(106或216)之部分，而解碼器(包含電晶體508、510、512、514、及516)係控制電路212之部分。
電晶體504之閘極係連接至一第二解碼器其包含電晶體520、522、524、526、及528。第二解碼器之電晶體520、522、524、526、及528係以與第一解碼器之對應電晶體508、510、512、514、及516之相同方式連接。
如圖5中進一步顯示者，電晶體506之閘極係連接至ID。電晶體506係選擇器(106或216)之部分，而包含電晶體520、522、524、526、及528之第二解碼器係控制電路212之部分。
如圖5中所示，二個分離解碼器係用以控制個別電晶體502與504其分別連接至噴嘴起動元件302及記憶體元件304。
當ID處於一作用狀態(例如，高狀態)時，電晶體518導致電晶體502之閘極保持放電(亦即，去能電晶體502之閘極)，使得噴嘴起動元件302係保持不啟動。另一方面，當ID處於一作用狀態(例如，高狀態)時，一信號路徑係經由電晶體506來建立，使得當電晶體504依據第二解碼器之一位址輸入開啟時，記憶體元件304之一資料可 經由起動線傳達。
另一方面，當ID處於一非作用狀態(例如，低狀態)時，電晶體506保持關閉，使得記憶體元件304不被選取。然而，當ID處於一非作用狀態(例如，低狀態)時，電晶體518關閉，使得當第一解碼器之位址輸入導致該第一解碼器啟動電晶體502之閘極時，電晶體502之閘極可充電至一作用狀態(亦即，電晶體518致能電晶體502之閘極之預充電)以開啟電晶體502。
通常，依據圖5，一種電路其與一記憶體元件及一用以輸出流體之噴嘴連用而該電路包含一資料線、一起動線、以及一選擇器。該選擇器包含一第一開關其回應該資料線之一第一數值以選取該記憶體元件，以及包含一第二開關其回應該資料線之一第二數值以選取該噴嘴。該起動線回應該選擇器所選取之該噴嘴以控制該噴嘴之啟動，以及回應該選擇器所選取之該記憶體元件以傳達該記憶體元件之資料。該電路進一步包含一第一解碼器其回應一位址輸入以選取該記憶體元件，以及包含一第二解碼器其回應該位址輸入以選取該噴嘴。
圖5中，由ID線控制之電晶體506係連接在電晶體504與一參考電壓之間。於其他變化例中，由ID線控制之電晶體506可移動至電路之一不同部分。於一此種變化例中，如圖5A中所示，電晶體506係連接在起動線與記憶體元件304之間。替代地，於圖5B中所示之另一變化例中，由ID線控制之電晶體506係充作一致能開關連接至電 晶體504之閘極一亦即，電晶體506之汲極係連接至共用節點其連接電晶體520之源極與電晶體522之汲極，以及電晶體506之源極係連接至電晶體504之閘極。
圖6描述一例示性配置其使用圖5之電路。圖6之配置包含ID記憶體208、起動記憶體210、以及噴嘴陣列206。圖6中，起動記憶體210包含記憶體元件304及電晶體504、506、520、522、524、526、與528。注意圖6中所示之起動記憶體210可為起動記憶體210之其他記憶體元件而重複。
噴嘴陣列206包含噴嘴啟動元件302及電晶體502、508、510、512、514、516、與518。用於噴嘴陣列206之圖6中所示之電路配置可為噴嘴陣列206之其他噴嘴啟動元件而重複。
如圖6中所示，舉例而言，Ax與Ay係，諸如回應選擇線上之一選擇信號及CSYNC線上之一CSYNC信號，藉著一位址產生器602輸出。
ID記憶體208包含串聯在ID線與一參考電壓間之一記憶體元件604、608、610、及612。當電晶體608、610、及612開啟時，記憶體元件604係被定址，使得記憶體元件604之資料可經由ID線傳達。電晶體608、610、及612之閘極係連接至一移位暫存解碼器614之輸出，該移位暫存解碼器接收資料位元D[ ](及選擇線)。
移位暫存解碼器614包含移位暫存器其連接至每一D[ ]位址資料位元而該等D[ ]位址資料位元係輸入 至移位暫存解碼器614。每一移位暫存器包含一系列移位暫存器單元，其可實施充作正反器、其他儲存元件、或任何抽樣保持電路(諸如預充電及評估位址資料位元之電路)而該電路可保持其數值直到該等儲存元件之次一選擇為止。該系列中之一移位暫存器單元之輸出可提供至次一移位暫存器單元之輸入以經由移位暫存器執行資料移位。經由每一移位暫存器所提供之位址資料位元係連接至電晶體608、610、及612中之一個別電晶體之閘極。藉著使用移位暫存解碼器614中之移位暫存器，一小量位址資料位元，D[ ]，可用以選取一較大位址空間。例如，每一移位暫存器可包含8個(或任何其他數量)移位暫存器單元。假設三個位址資料位元係輸入至移位暫存解碼器614其包含三個移位暫存器，每一長度為8，則可藉著移位暫存解碼器614定址之位址空間係512個位元(而非僅8個位元，假設係使用該等三個位址位元D[ ]而非使用移位暫存解碼器614之該等移位暫存器的話)。
圖6中所示之各種信號之時序係受到控制因此在ID記憶體208之記憶體元件604之程式化、起動記憶體210之記憶體元件304之程式化、以及噴嘴陣列206之噴嘴啟動元件302之啟動期間沒有資料訛誤發生。換言之，當ID記憶體208進行存取時，起動記憶體210及噴嘴陣列206係受控制為非作用者。另一方面，當起動記憶體210進行存取時，噴嘴陣列206中之ID記憶體208係受控制為。當噴嘴陣列206啟動時，ID記憶體208及起動記憶體210係受控 制為非作用者。
於進一步實例中，假設使用多數起動線，則資料可自起動記憶體210之記憶體元件平行讀取，以增加經由該等起動線存取起動記憶體210之效率。
圖7係另一例示性配置之一示意圖，該配置使用類似於圖5之第一解碼器之一解碼器(包含電晶體508、510、512、514、及516)以控制電晶體502之閘極而該電晶體係與噴嘴啟動元件302及一參考電壓串聯。此外，電晶體518(與電晶體508、510、512、514、及516並聯)係藉著ID來控制。
記憶體元件304係與電晶體702、706、708、及710串聯。電晶體702係藉著ID來控制，以及電晶體706、708、及710之閘極係連接至一移位暫存解碼器712之輸出。移位暫存解碼器712係類似於圖6之移位暫存解碼器614來配置。移位暫存解罵器712包含多數移位暫存器以接收對應位址資料位元D[ ]。此外，移位暫存解碼器712亦包含一選擇輸入以接收選擇信號Sn；假設Sn係作用者，則移位暫存解碼器712之該等移位暫存器可接收各別位址資料位元D[ ]以及沿著該等對應移位暫存器單元移位該等位址位元。
當ID處於一作用狀態(例如，一高狀態)時，假設位址資料位元D[ ]及選擇信號Sn對應記憶體元件304則選取記憶體元件304。當ID處於一非作用狀態(例如，一低狀態)時，假設位址資料位元D[ ]及選擇信號Sn對應噴嘴 啟動元件302則選取記憶體噴嘴啟動元件302。
圖7中之電晶體702與518係選擇器106或216之部分，以及解碼器(包含電晶體508、510、512、514、及516)與移位暫存解碼器712係圖2之控制電路212之部分。
通常，依據圖7，一種電路其與一記憶體元件及一用以輸出流體之噴嘴連用而該電路包含一資料線、一起動線、以及一選擇器。該選擇器包含一第一開關回應該資料線之一第一數值以選取該記憶體元件，以及包含一第二開關回應該資料線之一第二數值以選取該噴嘴。該起動線回應該選擇器所選取之該噴嘴以控制該噴嘴之啟動，以及回應該選擇器所選取之該記憶體元件以傳達該記憶體元件之資料。該電路進一步包含一解碼器回應一位址輸入以選取該噴嘴，包含一移位暫存解碼器回應該位址輸入以選取該記憶體元件。
圖8描述一裝置(例如，一卡匣或其他型式之裝置)其具有一或多個晶粒800而該(等)晶粒包含一記憶體元件802、一噴嘴804、一起動線其耦接至噴嘴804及記憶體元件802，以及一資料線。該裝置進一步包含一選擇器806回應該資料線以選取記憶體元件802或噴嘴804，其中選擇器806回應具有一第一數值之該資料線以選取記憶體元件802，以及回應具有與該第一數值不同之一第二數值之該資料線以選取噴嘴804。該起動線回應選擇器806所選取之噴嘴804以控制噴嘴804之啟動，以及回應選擇器806 所選取之記憶體元件802以傳達記憶體元件802之資料。
於前文說明中，係陳述各種細節以提供對此處所揭露標的之一理解。然而，可實施建置而無需某些此類細節。其他建置可包含來自上文所討論細節之修改及變化。意圖為隨附請求項涵蓋此類修改及變化。

Claims (17)

  1. 一種與記憶體元件及用以輸出流體之噴嘴搭配使用之電路，該電路包含：一資料線；一起動線；以及一選擇器，其回應該資料線以選取該記憶體元件或該噴嘴，其中該選擇器回應於該資料線具有一第一數值而選取該記憶體元件，以及回應於該資料線具有與該第一數值不同之一第二數值而選取該噴嘴，其中該資料線用以傳遞另一記憶體元件之資料，該起動線回應於該噴嘴被該選擇器所選取而控制該噴嘴之啟動，以及回應於該記憶體元件被該選擇器所選取而傳遞該記憶體元件之資料。
  2. 如請求項1之電路，進一步包含：一解碼器，其用以接收一位址以及回應該位址以使該記憶體元件能夠存取。
  3. 如請求項2之電路，其中該解碼器係用以回應該位址以使該噴嘴能夠啟動。
  4. 如請求項3之電路，其中該選擇器包含：一第一開關，其用以連接至該記憶體元件，該第一開關在該資料線具有該第一數值時被致動；以及一第二開關，其用以連接至該噴嘴之一噴嘴啟動元件，該第二開關在該資料線具有該第二數值時被致動。
  5. 如請求項4之電路，其中該第一開關包含用以與該記憶體元件串聯之一第一電晶體，以及該第二開關包含用以與該噴嘴啟動元件串聯之一第二電晶體，以及其中該第一電晶體之一閘極係接至該資料線，以及該第二電晶體之一閘極係連接至該資料線之一反相。
  6. 如請求項3之電路，其中該選擇器包含：一第一開關，其用以回應於該資料線具有該第一數值，而將該解碼器之一輸出連接至與該記憶體元件串聯之一第一電晶體；以及一第二開關，其用以回應於該資料線具有該第二數值，而將該解碼器之該輸出連接至與該噴嘴之一噴嘴啟動元件串聯之一第二電晶體。
  7. 如請求項2之電路，其中該解碼器係一第一解碼器，以及該電路進一步包含：一第二解碼器，其用以接收該位址以及回應該位址以使該噴嘴之一噴嘴啟動元件能夠啟動。
  8. 如請求項1之電路，其中該記憶體元件係一第一記憶體元件，以及其中該資料線係用以回應被致能存取之一第二記憶體元件以傳遞該第二記憶體元件之資料，其中該第二記憶體元件為不同於該第一記憶體元件的一記憶體類型。
  9. 如請求項1之電路，進一步包含：一解碼器，其用以接收一位址以及回應該位址以使該噴嘴之一噴嘴啟動元件能夠啟動。
  10. 如請求項9之電路，進一步包含：移位暫存器，用以接收位址輸入以及回應該等位址輸入以使該記憶體元件能夠存取。
  11. 一種與記憶體元件及用以輸出流體之噴嘴搭配使用之電路，該電路包含：一選擇器，其包含：一第一電晶體，用以回應設定為一第一數值之一資料線而選擇該記憶體元件供存取；一第二電晶體，用以回應設定為與該第一數值不同之一第二數值之該資料線而選擇該噴嘴之一噴嘴啟動元件供啟動；以及一起動線，用以回應該第一電晶體選擇該記憶體元件供存取而傳遞該記憶體元件之資料，以及回應該第二電晶體選擇一噴嘴之該噴嘴啟動元件供啟動而啟動該噴嘴啟動元件。
  12. 如請求項11之電路，其中該第一電晶體係用以與該記憶體元件以及一第三晶體串聯，該第三晶體受控於一預充電電晶體，而該預充電電晶體將一選擇信號耦接至該第三電晶體之一閘極。
  13. 如請求項11之電路，其中該第二電晶體係用以：回應設定為該第一數值之該資料線，而把與該噴嘴啟動元件串聯之一第三電晶體之一閘極解除致能，以及回應設定為該第二數值之該資料線，而致能該第三電晶體之該閘極之預充電。
  14. 一種用以輸出流體之裝置，其包含：一或多個晶粒，其包含：一噴嘴，其用以輸出一列印流體；一記憶體元件；一起動線，耦接至該噴嘴及該記憶體元件；一資料線；以及一選擇器，其用以回應該資料線而選取該記憶體元件或該噴嘴，其中該選擇器係用以回應於該資料線具有一第一數值而選取該記憶體元件，以及回應於該資料線具有與該第一數值不同之一第二數值而選取該噴嘴，該起動線用以回應於該選擇器選取該噴嘴而控制該噴嘴之啟動，以及回應於該選擇器選取該記憶體元件而傳遞該記憶體元件之資料。
  15. 如請求項14之裝置，其中該一或多個晶粒包含：一第一類型之記憶體，其包含該記憶體元件；一第二不同類型之記憶體，其包含一另一記憶體元件，其中該資料線係用以傳遞該另一記憶體元件之資料的一資料線。
  16. 如請求項14之裝置，其中該一或多個晶粒包含一流體射出晶粒，其包含該噴嘴。
  17. 如請求項16之裝置，其中該一或多個晶粒包含與該流體射出晶粒分離之另一晶粒，該另一晶粒包含該記憶體元件。
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