KR20210096315A - 노즐 및 메모리 요소의 선택기 - Google Patents

노즐 및 메모리 요소의 선택기 Download PDF

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Abstract

일부 예에서, 메모리 요소 및 유체를 출력하기 위한 노즐과 함께 사용하기 위한 회로는 데이터 라인, 분사 라인 및 데이터 라인에 응답하여 메모리 요소 또는 노즐을 선택하는 선택기를 포함한다. 선택기는 제 1 값을 갖는 데이터 라인에 응답하여 메모리 요소를 선택하고, 제 1 값과 상이한 제 2 값을 갖는 데이터 라인에 응답하여 노즐을 선택한다. 분사 라인은 선택기에 의해 노즐이 선택되는 것에 응답하여 노즐의 활성화를 제어하고, 선택기에 의해 메모리 요소가 선택되는 것에 응답하여 메모리 요소의 데이터를 전달한다.

Description

노즐 및 메모리 요소의 선택기{SELECTORS FOR NOZZLES AND MEMORY ELEMENTS}
프린팅 시스템은 프린팅 유체를 타겟에 분배하는 노즐을 갖는 프린트헤드를 포함할 수 있다. 2 차원(two-dimensional)(2D) 프린팅 시스템에서, 타겟은 프린트 이미지가 형성될 수 있는 종이 또는 다른 유형의 기판과 같은 프린트 매체이다. 2D 프린팅 시스템의 예는 잉크 방울을 분배할 수 있는 잉크젯 프린팅 시스템을 포함한다. 3 차원(three-dimensional)(3D) 프린팅 시스템에서, 타겟은 3D 물체를 형성하도록 증착된 빌드 재료의 층 또는 다중 층일 수 있다.
본 개시내용의 일부 구현예가 다음의 도면과 관련하여 설명된다.
도 1은 일부 예에 따른 회로, 메모리 요소 및 노즐을 포함하는 배열의 블록도이다.
도 2은 다른 예에 따른 시스템의 블록도이다.
도 2a 내지 도 2g는 다양한 예에 따른 다양한 시스템의 블록도이다.
도 3, 도 4, 도 5, 도 5a, 도 5b, 도 6 및 도 7은 다양한 예에 따른 노즐 활성화 요소, 메모리 요소 및 선택 회로를 포함하는 회로의 개략도이다.
도 8은 다른 예에 따른, 선택기, 메모리 요소 및 노즐을 포함하는 하나 이상의 다이의 블록도이다.
도면 전체에서, 동일한 참조 번호는 유사하지만 반드시 동일하지는 않은 요소를 지정한다. 도면은 반드시 일정한 비율로 작성되는 것은 아니며, 일부 부품의 크기는 도시된 예를 보다 명확하게 예시하기 위해 과장될 수 있다. 더욱이, 도면은 설명과 일관하는 예 및/또는 구현예를 제공하지만, 설명은 도면에 제공된 예 및/또는 구현예로 제한되지 않는다.
본 개시내용에서, "하나", "하나의" 및 "그"라는 용어의 사용은 맥락상 분명하게 그렇지 않다고 시사하지 않는 한, 또한 복수 형태를 포함하는 것으로 의도된다. 또한, "구비하다", "구비하는", "포함하다", "포함하는", "가지고 있다" 또는 "갖는"이라는 용어는 본 개시내용에서 사용될 때, 언급된 요소의 존재를 명시하지만, 다른 요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
프린팅 시스템에서 사용하기 위한 프린트헤드는 프린팅 유체 방울이 각각의 노즐로부터 분사되게 하도록 활성화되는 노즐을 포함할 수 있다. 각각의 노즐은 노즐 활성화 요소를 포함한다. 노즐 활성화 요소는 활성화될 때 프린팅 유체 방울이 대응하는 노즐에 의해 분사되게 한다. 일부 예에서, 노즐 활성화 요소는 활성화될 때 열을 발생시켜 노즐의 분사 챔버(firing chamber)에서 프린팅 유체를 기화시키는 가열 요소(예를 들어, 열 저항기)를 포함한다. 프린팅 유체의 기화는 프린팅 유체의 방울을 노즐로부터 배출시킨다. 다른 예에서, 노즐 활성화 요소는 압전 요소를 포함한다. 활성화될 때, 압전 요소는 힘을 가하여 노즐로부터 프린팅 유체 방울을 분사시킨다. 다른 예에서, 다른 유형의 노즐 활성화 요소가 사용될 수 있다.
프린팅 시스템은 2 차원(2D) 또는 3 차원(3D) 프린팅 시스템일 수 있다. 2D 프린팅 시스템은 잉크와 같은 프린팅 유체를 분배하여 종이 매체 또는 다른 유형의 프린트 매체와 같은 프린트 매체 상에 이미지를 형성한다. 3D 프린팅 시스템은 빌드 재료의 연속적인 층을 증착함으로써 3D 객체를 형성한다. 3D 프린팅 시스템으로부터 분배된 프린팅 유체는 잉크뿐만 아니라, 빌드 재료의 층의 분말을 융합하고, (예컨대 빌드 재료의 층의 가장자리 또는 모양을 정의함으로써) 빌드 재료의 층을 상세화하는 등에 사용되는 작용제를 포함할 수 있다.
후속하는 논의에서, "프린트헤드"라는 용어는 일반적으로 프린트헤드 다이 또는 지지 구조체 상에 장착된 다수의 다이를 포함하는 전체 어셈블리를 지칭할 수 있다. 다이("집적 회로(integrated circuit)(IC) 다이"라고도 지칭함)는 노즐 및/또는 노즐에 의한 유체의 분사를 제어하는 제어 회로를 형성하는 다양한 층이 제공되는 기판을 포함한다.
일부 실시예에서 프린팅 시스템에 사용하기 위한 프린트헤드가 참조되지만, 본 개시내용의 기술 또는 메커니즘은 노즐을 통해 유체를 분배할 수 있는 비 프린팅 애플리케이션에서 사용되는 다른 유형의 유체 분사 디바이스에 적용 가능하다는 것을 주목하여야 한다. 이러한 다른 유형의 유체 분사 디바이스의 예는 유체 감지 시스템, 의료 시스템, 차량, 유체 흐름 제어 시스템 등에 사용되는 것을 포함한다.
일부 예에서, 유체 분사 디바이스는 하나의 다이로 구현될 수 있다. 다른 예에서, 유체 분사 디바이스는 다수의 다이를 포함할 수 있다.
프린트헤드 다이 또는 다른 유형의 유체 분사 다이를 포함하는 디바이스가 계속 크기가 줄어듦에 따라, 디바이스의 회로를 제어하는 데 사용되는 신호 라인의 수가 디바이스의 전체 크기에 영향을 미칠 수 있다. 많은 수의 신호 라인은 신호 라인을 전기적으로 외부 라인에 연결하는 데 사용되는 많은 수의 신호 패드("본드 패드"라고 지칭함)의 사용을 초래할 수 있다. 유체 분사 디바이스에 특징을 추가하면, 예를 들어, 귀중한 다이 공간을 차지할 수 있는 증가된 수의 신호 라인 (및 이에 대응하는 본드 패드)의 사용을 초래할 수 있다. 유체 분사 디바이스에 추가될 수 있는 부수적인 특징의 예는 메모리 디바이스를 포함한다.
본 발명의 일부 구현예에 따르면, (하나의 다이 또는 다수의 다이를 포함하는) 유체 분사 디바이스의 상이한 회로는 제어 및 데이터 라인을 공유하여 외부 라인에 연결되어야 하는 유체 분사 디바이스의 신호 라인 수를 감소시킬 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 것으로, "라인"이라는 용어는 신호 (또는 다수의 신호)를 반송하는 데 사용될 수 있는 전기 도체 (또는 대안적으로는 다수의 전기 도체)를 지칭할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일부 예에서, 메모리 요소(102) 및 노즐(104)과 함께 사용하기 위한 회로(100)는 데이터 라인, 분사 라인(fire line) 및 선택기(106)를 포함한다. 메모리 요소(102)는 데이터를 저장할 수 있는 메모리 셀 (또는 메모리 셀의 그룹)을 포함할 수 있다. 메모리 요소(102)는 메모리의 일부를 형성하는 메모리 요소의 어레이 (또는 다른 집합)의 일부일 수 있다. 노즐(104)은 노즐 활성화 요소, 유체 챔버, 및 유체 오리피스를 포함할 수 있으며, 노즐 활성화 요소는 활성화될 때 유체 챔버 내의 유체가 유체 오리피스를 통해 노즐(104) 외부의 환경으로 분사되게 한다.
유체 분사 디바이스가 다수의 상이한 메모리와 연관되는 예에서, 데이터 라인은 다수의 상이한 메모리 중 제 1 메모리의 데이터를 전달하는 데 사용될 수 있다. 메모리 요소(102)는 다수의 상이한 메모리 중 제 2 메모리의 일부일 수 있다. 예를 들어, 제 1 메모리는 (유체 분사 디바이스를 고유하게 식별하기 위해) 유체 분사 디바이스의 식별 데이터 (및 어쩌면 다른 정보)를 저장하는데 사용되는 ID 메모리일 수 있다. ID 메모리는 다른 데이터를 저장할 수도 있다. 이러한 예에서, 데이터 라인은 ID 메모리의 데이터를 전달하는데 (데이터를 기입 또는 데이터를 판독하는데) 사용되는 ID 라인이라고 말할 수 있다.
제 2 메모리는 특정 노즐을 인에이블 또는 디스에이블하는 데 사용될 수 있는 분사 데이터를 저장할 수 있다. 다른 예에서, 제 2 메모리는 다른 데이터를 저장할 수 있다.
일부 예에서, 상이한 메모리는 유체를 출력(분배)하기 위한 노즐을 역시 포함하는 유체 분사 다이 상에 있을 수 있다. 다른 예에서, 상이한 메모리는 유체 분사 다이로부터 분리된 다이(또는 다수의 다이) 상에 있을 수 있다. 예를 들어, 제 1 메모리 및 제 2 메모리는 유체 분사 다이로부터 분리된 다이의 일부일 수 있고, 또는 제 1 메모리 및 제 2 메모리는 유체 분사 다이로부터 분리된 각각의 다이의 일부일 수 있다.
선택기(106)는 데이터 라인의 값에 응답하여 메모리 요소(102) 또는 노즐(104)을 선택한다. 데이터 라인은 어드레스를 전달하는 데 사용되는 어드레스 데이터 라인과 대조적으로, 데이터를 전달하는 데 사용된다는 것을 주목하여야 한다. 데이터 라인의 특정 예는 ID 라인(아래에서 추가 설명됨)이다. 선택기(106)는 제 1 값을 갖는 데이터 라인에 응답하여 메모리 요소(102)를 선택하고, 제 1 값과 상이한 제 2 값을 갖는 데이터 라인에 응답하여 노즐(104)을 선택한다. 분사 라인은 선택기(106)에 의해 노즐(104)이 선택되는 것에 응답하여 노즐(104)의 활성화를 제어하고, 선택기(106)에 의해 메모리 요소(102)가 선택되는 것에 응답하여 메모리 요소(102)의 데이터를 전달한다(데이터를 기입 또는 데이터를 판독한다).
일부 예에서, 회로(100)는 메모리 요소(102) 및 노즐(104)과 동일한 다이의 일부일 수 있다. 예를 들어, 유체 분사 다이는 회로(100), 메모리 요소(102) 및 노즐(104)을 포함할 수 있다. 다른 예에서, 회로(100)는 메모리 요소(102) 및/또는 노즐(104)을 포함하는 다이(들)로부터 분리되어 있을 수 있다. 예를 들어, 회로(100)는 플렉스 케이블(flex cable), 회로 보드, 다이, 또는 메모리 요소(102) 및/또는 노즐(104)을 포함하는 다이(들)로부터 분리된 임의의 다른 구조 상에 형성될 수 있다.
도 2는 프린팅 시스템 또는 다른 유형의 유체 분배 시스템을 포함할 수 있는 예시적인 시스템의 블록도이다. 시스템은 유체 분사 제어기(202) 및 유체 분사 디바이스(204)를 포함한다. 유체 분사 제어기(202)는 유체 분사 디바이스(204)로부터 분리되어 있다. 예를 들어, 프린팅 시스템에서, 유체 분사 제어기(202)는 프린팅 시스템의 일부인 프린트헤드 구동 제어기이고, 반면에 유체 분사 디바이스(204)는 (잉크 또는 다른 작용제를 포함하는) 프린트 카트리지의 일부인 또는 다른 구조에 위치할 수 있는 프린트헤드 다이이다.
유체 분사 디바이스(204)는 각각의 부분(204-1, 204-2 및 204-3)을 포함한다. 부분(204-1)은 유체를 분배하도록 선택적으로 제어 가능한 노즐의 어레이를 포함하는 노즐 어레이(206)를 포함한다. 부분(204-2)은 예컨대 유체 분사 디바이스(204)의 식별 데이터를 저장하는 ID 메모리(208)를 포함한다. 부분(204-3)은 노즐 어레이(206)에 관련된 데이터를 저장하는데 사용될 수 있는 분사 메모리(fire memory)(210)를 포함하며, 데이터는 예로서 다음 중 임의의 또는 몇몇 조합: 다이 위치, 구역 정보, 방울 무게 인코딩 정보, 인증 정보, 선택된 노즐을 인에이블 또는 디스에이블하는 데이터 등을 포함할 수 있다. 일부 예에서, 도 1의 메모리 요소(102)는 도 2의 분사 메모리(210)의 일부일 수 있다.
일부 예에서, ID 메모리(208) 및 분사 메모리(210)는 상이한 유형의 메모리로 구현되어 하이브리드 메모리 배열을 형성할 수 있다. ID 메모리(208)는 예를 들어 전기적으로 프로그램 가능한 판독 전용 메모리(electrically programmable read-only memory)(EPROM)로 구현될 수 있다. 분사 메모리(210)는 퓨즈 메모리로 구현될 수 있으며, 퓨즈 메모리는 분사 메모리(210)에다 데이터를 프로그래밍하도록 선택적으로 끊어질 수 있는(아니면 끊어지지 않을 수 있는) 퓨즈의 어레이를 포함한다. 특정 유형의 메모리의 예가 위에서 열거되지만, 다른 예에서, ID 메모리(208) 및 분사 메모리(210)는 다른 유형의 메모리로 구현될 수 있다는 것을 주목해야 한다. 일부 예에서, ID 메모리(208) 및 분사 메모리(210)는 동일한 유형의 메모리로 구현될 수 있다.
더욱이, 특정 유형의 데이터가 ID 메모리(208) 및 분사 메모리(210)에 의해 저장되는 것으로 표시되지만, 다른 예에서, 메모리(208 및 210)는 다른 유형 또는 부가적인 유형의 데이터를 저장할 수 있다.
일부 예에서, 유체 분사 디바이스(204)의 부분(204-1, 204-2 및 204-3)은 노즐 어레이(206), ID 메모리(208) 및 분사 메모리(210)가 단일 다이 상에 형성되도록 공통 다이(즉, 유체 분사 다이) 상에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 부분(204-1)은 하나의 다이(노즐 어레이(206)를 포함하는 유체 분사 다이) 상에 구현될 수 있는 반면, 부분(204-2 및 204-3)은 별개의 다이(또는 각각의 개별 다이) 상에 구현된다. 예를 들어, ID 메모리(208) 및 분사 메모리(210)는 유체 분사 다이로부터 분리된 제 2 다이상에 형성될 수 있고, 또는 대안적으로 ID 메모리(208) 및 분사 메모리(210)는 유체 분사 다이로부터 분리된 각각의 상이한 다이상에 형성될 수 있다. 다른 예에서, ID 메모리(208) 및 노즐 어레이(206)는 하나의 다이의 일부일 수 있지만, 분사 메모리(210)는 다른 다이의 일부이다. 다른 예에서, 분사 메모리(210) 및 노즐 어레이(206)는 하나의 다이의 일부일 수 있고, ID 메모리(208)는 다른 다이의 일부이다. 다른 예에서, ID 메모리(208)의 일부는 하나의 다이 상에 있을 수 있고, ID 메모리(208)의 다른 부분은 다른 다이 상에 있을 수 있다. 또 다른 예에서, 분사 메모리(210)의 일부는 하나의 다이의 일부일 수 있고, ID 메모리(208)의 다른 부분은 다른 다이의 일부일 수 있다.
다음은 상이한 배열의 다른 예이다. 도 2a에 도시된 바와 같은 제 1 배열에서, ID 메모리(208) 및 분사 메모리(210)는 둘 모두 유체 분사 다이(220) 상에 있을 수 있다. ID 라인은 유체 분사 제어기(202)와 유체 분사 다이상의 ID 메모리(208) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용되고, 분사 라인은 유체 분사 제어기(202)와 유체 분사 다이상의 분사 메모리(210) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용된다.
도 2b에 도시된 바와 같은 제 2 배열에서, ID 메모리(208)는 유체 분사 다이(220)의 일부이고, 분사 메모리(210)는 제 2 다이(222)의 일부이다. ID 라인은 유체 분사 제어기(202)와 유체 분사 다이(220)상의 ID 메모리(208) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용되고, 분사 라인은 유체 분사 제어기(202)와 제 2 다이(222)상의 분사 메모리(210) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용된다.
도 2c에 도시된 바와 같은 제 3 배열에서, 분사 메모리(210)는 유체 분사 다이(220)의 일부이고, ID 메모리(208)는 제 2 다이(222)의 일부이다. ID 라인은 유체 분사 제어기(202)와 제 2 다이(222)상의 ID 메모리(208) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용되고, 분사 라인은 유체 분사 제어기(202)와 유체 분사 다이(220)상의 분사 메모리(210) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용된다.
도 2d에 도시된 바와 같은 제 4 배열에서, ID 메모리(208) 및 분사 메모리(210)는 유체 분사 다이(220)로부터 분리된 제 2 다이(220) 상에 있다. ID 라인은 유체 분사 제어기(202)와 제 2 다이(222)상의 ID 메모리(208) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용되고, 분사 라인은 유체 분사 제어기(202)와 제 2 다이(222)상의 분사 메모리(210) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용된다.
도 2e에 도시된 바와 같은 제 5 배열에서, ID 메모리의 제 1 부분(208-1) 및 분사 메모리의 제 1 부분(210-1)은 둘 모두 유체 분사 다이(220) 상에 있을 수 있고, ID 메모리의 제 2 부분(208-2) 및 분사 메모리의 제 2 부분(210-2)은 제 2 다이(222) 상에 있을 수 있다. ID 라인은 유체 분사 제어기(202)와 유체 분사 다이(220) 및 제 2 다이(222) 상의 ID 메모리 부분(208-1 및 208-2) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용되고, 분사 라인은 유체 분사 제어기(202)와 유체 분사 다이(220) 및 제 2 다이(222)상의 분사 메모리 부분(210-1 및 210-2) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용된다.
도 2f에 도시된 바와 같은 제 6 배열에서, ID 메모리의 제 1 부분(208-1) 및 분사 메모리(210)는 유체 분사 다이(220) 상에 있을 수 있고, ID 메모리의 제 2 부분(208-2)은 제 2 다이(222) 상에 있을 수 있다. ID 라인은 유체 분사 제어기(202)와 유체 분사 다이(220) 및 제 2 다이(222)상의 ID 메모리 부분(208-1 및 208-2) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용되고, 분사 라인은 유체 분사 제어기(202)와 유체 분사 다이(220)상의 분사 메모리(210) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용된다.
도 2g에 도시된 바와 같은 제 7 배열에서, ID 메모리(208) 및 분사 메모리의 제 1 부분(210-1)은 유체 분사 다이(220) 상에 있을 수 있고, 분사 메모리의 제 2 부분(210-2)은 제 2 다이(222) 상에 있을 수 있다. ID 라인은 유체 분사 제어기(202)와 유체 분사 다이(220) 상의 ID 메모리 부분(208) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용되고, 분사 라인은 유체 분사 제어기(202)와 유체 분사 다이(220) 및 제 2 다이(222) 상의 분사 메모리 부분(210-1 및 210-2) 사이에서 데이터를 전달하는 데 사용된다.
다른 예시적인 배열에서, 유체 분사 다이에 추가하여 하나보다 많은 제 2 다이가 사용될 수 있으며, ID 메모리 부분(들) 및/또는 분사 메모리 부분(들)은 다수의 제 2 다이에 걸쳐 분산될 수 있다.
더욱이, 도 2는 두 개의 상이한 유형의 메모리가 있는 예를 도시하지만, 다른 예에서 단지 하나의 유형의 메모리 만이 유체 분사 디바이스(204)에 포함될 수 있음을 주목하여야 한다.
유체 분사 디바이스(204)는 제어 라인(214)을 통해 전달되는 다양한 제어 신호에 응답하여 노즐 어레이(206), ID 메모리(208) 및 분사 메모리(210)의 활성화 또는 액세스를 제어하는 제어 회로(212)와 연관된다. 제어 라인(214)은 분사 라인, CSYNC 라인, 선택 라인, 어드레스 데이터 라인, ID 라인 및 기타 라인을 포함한다. 다른 예에서, 다수의 분사 라인 및/또는 다수의 선택 라인 및/또는 다수의 어드레스 데이터 라인이 있을 수 있다.
제어 회로(212)는 (도 1의 선택기(106)와 유사한) 선택기(216)를 포함한다. 선택기(216)는 (도 2에서 ID 메모리(208)의 식별 데이터를 기입하고 판독하는데 사용되는 ID 라인인) 데이터 라인의 값에 기초하여 노즐 어레이(206) 및 분사 메모리(210) 중 하나를 선택할 수 있다.
분사 라인은, ID 라인의 제 1 값에 응답하여 선택기(216)에 의해 노즐 어레이(206)가 선택될 때, 노즐 어레이(206)의 활성화를 제어하는 데 사용된다. 제 1 상태로 설정될 때 분사 라인에 의해 반송된 분사 신호는 각각의 노즐(또는 노즐들)이 선택 라인 및 어드레스 데이터 라인의 값에 기초하여 어드레싱되면 그러한 노즐(또는 노즐들)이 활성화되게 한다. 분사 신호가 제 1 값과 상이한 제 2 값에 있다면, 노즐(또는 노즐들)은 활성화되지 않는다.
CSYNC 신호는 유체 분사 디바이스(204)에서 어드레스(이후의 논의에서 Ax 및 Ay라고 지칭함)를 개시되게 하는데 사용된다. 선택 라인은 특정 노즐 또는 메모리 요소를 선택하는 데 사용될 수 있다. 어드레스 데이터 라인은 특정 노즐 또는 메모리 요소(또는 노즐의 특정 그룹 또는 메모리 요소의 특정 그룹)를 어드레싱하는 어드레스 비트(또는 어드레스 비트들)를 반송하는 데 사용된다.
본 개시내용의 일부 구현예에 따르면, 유연성을 강화하고 유체 분사 디바이스(204) 상에 제공되어야 하는 입력/출력(input/output)(I/O) 패드의 수를 감소시키기 위해, 분사 라인 및 ID 라인 (또는 보다 일반적으로는 데이터 라인)은 각각 1차 및 2차 작업을 둘 모두 수행한다. 위에서 언급한 바와 같이, 분사 라인의 1차 작업은 선택된 노즐을 활성화하는 것이다. 분사 라인의 2차 작업은 분사 메모리(210)의 데이터를 전달하는 것이다. 이러한 방식으로, 유체 분사 제어기(202)와 분사 메모리(210) 사이에는, 유체 분사 제어기(202)와 유체 분사 디바이스(204) 사이에 별도의 데이터 라인을 제공할 필요 없이, (분사 라인을 통한) 데이터 경로가 제공될 수 있다.
ID 라인의 1차 작업은 ID 메모리(208)의 데이터를 전달하는 것이다. ID 라인의 2차 작업은 선택기(216)로 하여금 노즐 어레이(206) 및 분사 메모리(210) 중 하나를 선택하게 하는 것이다. 이러한 방식으로, 공통 분사 라인이 노즐 어레이(206)의 활성화를 제어하고 분사 메모리(210)의 데이터를 전달하는 데 사용될 수 있으며, ID 라인은 노즐 어레이(206)가 분사 라인에 의해 제어될 때 및 분사 라인이 분사 메모리(210)의 데이터를 전달하는 데 사용될 수 있을 때를 선택하는 데 사용된다.
도 3은 노즐 활성화 요소(302) 및 메모리 요소(304)를 포함하는 회로의 개략도이다. 일부 예에서, 노즐 활성화 요소(302)는 열 저항기의 형태로 되어, 활성화될 때 노즐의 유체 챔버 내의 유체를 가열하여 유체가 노즐의 유체 오리피스로부터 분사되게 한다. 다른 예에서, 노즐 활성화 요소는 압전 요소 또는 다른 유형의 노즐 활성화 요소를 포함할 수 있다. 일부 예에서, 메모리 요소(304)는 도 2의 분사 메모리(210)의 일부일 수 있다.
도 3에서, (트랜지스터(306)를 사용하여 구현될 수 있는) 제 1 스위치는 분사 라인과 노드(N1) 사이의 노즐 활성화 요소(302)와 직렬로 연결된다. (트랜지스터(308)를 사용하여 구현될 수 있는) 제 2 스위치는 분사 라인과 노드(N1) 사이의 메모리 요소(304)와 직렬로 연결된다. 트랜지스터(306)는
Figure pat00001
에 의해 제어되는 게이트를 갖고, 트랜지스터(308)는 ID에 의해 제어되는 게이트를 갖는다.
Figure pat00002
는 ID의 역(inverse)을 나타낸다. 예를 들어, ID는 인버터의 입력에 제공될 수 있고, 인버터는
Figure pat00003
를 생성한다.
따라서, 트랜지스터(308)가 (하이(high) 값과 같은 활성 값으로 설정된) ID에 의해 턴 온될 때, 트랜지스터(306)는 오프
Figure pat00004
에 의해 (왜냐하면
Figure pat00005
로우(low) 값과 같은 비활성 값으로 설정되기 때문에) 턴 오프된다. 한편, 트랜지스터(306)가 (하이 값과 같은 활성 값으로 설정된)
Figure pat00006
에 의해 턴 온될 때, 트랜지스터(308)는 오프이다.
이러한 방식으로, 트랜지스터(306 및 308)는 노즐 활성화 요소(302) 또는 메모리 요소(304)를 선택할 수 있다. 도 3의 배열에서 트랜지스터(306 및 308)는 선택기(106)(도 1) 또는 선택기(216)(도 2)의 일부이다.
도 3은 또한 노드(N1)와 접지와 같은 기준 전압(312) 사이의 (트랜지스터(310)로서 구현된) 스위치를 도시한다. 트랜지스터(310)의 게이트는 어드레스 입력을 수신하는 디코더(314)의 출력에 연결된다. 디코더(314)는 도 2에 도시된 제어 회로(212)의 일부일 수 있다.
어드레스 입력은 어드레스 데이터 라인의 어드레스 비트(들)에 의해 제공된 어드레스, 및 Ax 및 Ay 신호를 포함한다. 일부 예에서, Ax 및 Ay 신호는 선택 라인 및 CSYNC 라인에 응답하여 어드레스 생성기(도 3에 도시되지 않음)에 의해 출력된다. 도 3에서 특정 어드레스 입력이 도시되지만, 디코더(314)는 일반적으로 어드레스를 입력으로서 수신하고, 그 어드레스에 기초하여 트랜지스터(310)의 활성화를 제어한다는 것을 주목하여야 한다. 디코더는 어드레스 입력에 응답하여 (ID 라인에 의해 선택되는 바와 같이) 노즐 활성화 요소(302) 또는 메모리 요소(304)를 효과적으로 활성화할 수 있거나 비활성화된 채로 유지할 수 있다.
일반적으로, 도 3에 따르면, 메모리 요소 및 유체를 출력하기 위한 노즐과 함께 사용하기 위한 회로는 데이터 라인, 분사 라인 및 선택기를 포함한다. 선택기는 데이터 라인의 제 1 값에 응답하여 메모리 요소를 선택하는 제 1 스위치를 포함하고, 데이터 라인의 제 2 값에 응답하여 노즐을 선택하는 제 2 스위치를 포함한다. 분사 라인은 선택기에 의해 노즐이 선택되는 것에 응답하여 노즐의 활성화를 제어하고, 선택기에 의해 메모리 요소가 선택되는 것에 응답하여 메모리 요소의 데이터를 전달한다. 회로는 어드레스 입력에 응답하여 메모리 요소 또는 노즐을 선택하는 디코더를 더 포함한다.
도 4는 노즐 활성화 요소(302) 및 메모리 요소(304)를 선택적으로 활성화/액세스하기 위한 다른 예시적인 배열의 개략도이다. 도 4에서, 제 1 트랜지스터(402)는 분사 라인과 기준 전압 사이에서 노즐 활성화 요소(302)와 직렬로 연결되고, 제 2 트랜지스터(404)는 분사 라인과 기준 전압 사이에서 메모리 요소(304)와 직렬로 연결된다.
트랜지스터(402)의 게이트는 (
Figure pat00007
에 의해 제어되는) 트랜지스터(406) 및 (ID에 의해 제어되는) 트랜지스터(408)를 포함하는 스위치의 제 1 배열(405)에 연결된다. 트랜지스터(406)는
Figure pat00008
에 의해 턴 온될 때 디코더(314)의 출력을 트랜지스터(402)의 게이트에 연결한다. 트랜지스터(408)는 트랜지스터(402)의 게이트와 기준 전압 사이에 연결된다.
트랜지스터(404)의 게이트는 트랜지스터(410) 및 트랜지스터(412)를 포함하는 스위치의 제 2 배열(409)에 연결된다. 트랜지스터(410)의 게이트는 ID에 연결되고, 트랜지스터(412)의 게이트는
Figure pat00009
에 연결된다. 트랜지스터(410)는 턴 온될 때 디코더(314)의 출력을 트랜지스터(404)의 게이트에 연결하고, 트랜지스터(412)는 트랜지스터(404)의 게이트와 기준 전압 사이에 연결된다.
각각의 트랜지스터(406, 408, 410, 412)의 게이트에 ID와
Figure pat00010
가 교대로 연결됨에 따라, 트랜지스터(406 및 408)를 포함하는 스위치의 제 1 배열(405)은
Figure pat00011
가 디코더 출력을 트랜지스터(402)의 게이트에 연결하기 위한 활성 상태에 있을 때 활성화된다. 한편, 트랜지스터(410 및 412)를 포함하는 스위치의 제 2 배열(409)은 ID가 디코더 출력을 트랜지스터(404)의 게이트에 연결하는 활성 상태에 있는 것에 응답하여 활성화된다.
비활성화될 때 스위치의 각 배열(405 또는 409)은 디코더 출력을 트랜지스터(402 또는 404)의 각 게이트로부터 격리시킨다.
도 4의 배열에서, 스위치의 배열(405 및 409)은 선택기(106)(도 1) 또는 선택기(216)(도 2)의 일부이다. 디코더(314)는 도 2의 제어 회로(212)의 일부이다.
일반적으로, 도 4에 따르면, 메모리 요소 및 유체를 출력하기 위한 노즐과 함께 사용하기 위한 회로는 데이터 라인, 분사 라인 및 선택기를 포함한다. 선택기는 데이터 라인의 제 1 값에 응답하여 메모리 요소를 선택하는 제 1 스위치 배열을 포함하고, 데이터 라인의 제 2 값에 응답하여 노즐을 선택하는 제 2 스위치 배열을 포함한다. 분사 라인은 선택기에 의해 노즐이 선택되는 것에 응답하여 노즐의 활성화를 제어하고, 선택기에 의해 메모리 요소가 선택되는 것에 응답하여 메모리 요소의 데이터를 전달한다. 회로는 어드레스 입력에 응답하여 메모리 요소 또는 노즐을 선택하는 디코더를 더 포함한다.
도 3 및 도 4는 오직 하나의 디코더가 메모리 활성화 요소(302) 및 메모리 요소(304)를 어드레싱하는 데 사용되는 예시적인 배열을 도시한다. 대안적인 예에서, 다수의 디코더가 각각 메모리 활성화 요소(302) 및 메모리 요소(304)를 어드레싱하는데 사용될 수 있다. 그러한 이중 디코더 배열의 예는 도 5에 도시된다.
도 5에서, 메모리 활성화 요소(302) 및 트랜지스터(502)는 분사 라인과 기준 전압 사이에 직렬로 연결된다. 메모리 활성화 요소(304)는 분사 라인과 기준 전압 사이에서 트랜지스터(504 및 506)와 직렬로 연결된다.
트랜지스터(502)의 게이트는 트랜지스터(508, 510, 512, 514 및 516)를 포함하는 제 1 디코더에 의해 제어된다. Sn은 선택 신호를 나타내고, 한편 Sn-1은 다른 선택 신호를 나타낸다. 선택 신호(Sn 및 Sn-1)는 선택 라인(들)을 통해 전달된다. 선택 신호(Sn-1)는 선택 신호(Sn)보다 일찍 제 시간에 맞추어 활성화될 수 있다.
트랜지스터(508)는 다이오드로서 배열되고, 트랜지스터(508)의 소스에 연결된 트랜지스터(508)의 게이트를 프리-차지(pre-charge)하는 프리-차지 트랜지스터이다. 선택 신호(Sn-1)는 프리-차지 트랜지스터(508)를 통해 트랜지스터(502)의 게이트에 연결된다.
트랜지스터(510)는 트랜지스터(502)의 게이트와 노드(N2) 사이에 연결된다. 트랜지스터(512, 514 및 516)는 노드(N2)와 기준 전압 사이에 병렬로 연결된다. 트랜지스터(512)의 게이트는 Ay에 연결되고, 트랜지스터(514)의 게이트는 Ax에 연결되며, 트랜지스터(516)의 게이트는 어드레스 데이터 비트(Dx)에 연결된다. Ax, Ay, Dx, Sn 및 Sn-1의 조합은 제 1 디코더로의 어드레스 입력을 형성한다.
도 5에서, 다른 트랜지스터(518)는 트랜지스터(512, 514 및 516)와 병렬로 연결된다. 트랜지스터(518)의 게이트는 ID에 연결된다. 트랜지스터(518)는 선택기(106 또는 216)의 일부이고, 반면에 (트랜지스터(508, 510, 512, 514 및 516)를 포함하는) 제 1 디코더는 제어 회로(212)의 일부이다.
트랜지스터(504)의 게이트는 트랜지스터(520, 522, 524, 526 및 528)를 포함하는 제 2 디코더에 연결된다. 제 2 디코더의 트랜지스터(520, 522, 524, 526 및 528)는 제 1 디코더의 대응하는 트랜지스터(508, 510, 512, 514 및 516)와 동일한 방식으로 연결된다.
도 5에 또한 도시된 바와 같이, 트랜지스터(506)의 게이트는 ID에 연결된다. 트랜지스터(506)는 선택기(106 또는 216)의 일부이고, 반면에 트랜지스터(520, 522, 524, 526 및 528)를 포함하는 제 2 디코더는 제어 회로(212)의 일부이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 두 개의 별개의 디코더는 각각 노즐 활성화 요소(302) 및 메모리 요소(304)에 연결된 각각의 트랜지스터(502 및 504)를 제어하기 위해 사용된다.
ID가 활성 상태(예를 들어, 하이 상태)에 있을 때, 트랜지스터(518)는 트랜지스터(502)의 게이트가 방전된 채로 남아있게 하므로 (즉, 트랜지스터(502)의 게이트를 디스에이블함으로), 노즐 활성화 요소(302)는 비활성화된 채로 유지된다. 한편, ID가 활성 상태(예를 들어, 하이 상태)에 있을 때, 신호 경로가 트랜지스터(506)를 통해 설정되어, 트랜지스터(504)가 제 2 디코더로의 어드레스 입력에 기초하여 턴 온될 때, 메모리 요소(304)의 데이터가 분사 라인을 통해 전달될 수 있다.
다른 한편, ID가 비활성 상태(예를 들어, 로우 상태)에 있을 때, 트랜지스터(506)는 오프된 채로 유지되어, 메모리 요소(304)는 선택 해제된다. 그러나, ID가 비활성 상태(예를 들어, 로우 상태)에 있을 때, 트랜지스터(518)는 오프이므로, 트랜지스터(502)의 게이트가 활성 상태로 충전되어 (즉, 트랜지스터(518)가 트랜지스터(502)의 게이트의 프리-차지를 가능하게 하여) 제 1 디코더로의 어드레스 입력에 따라 제 1 디코더가 트랜지스터(502)의 게이트를 활성화시킬 때, 트랜지스터(502)를 턴 온시킬 수 있다.
일반적으로, 도 5에 따르면, 메모리 요소 및 유체를 출력하기 위한 노즐과 함께 사용하기 위한 회로는 데이터 라인, 분사 라인 및 선택기를 포함한다. 선택기는 데이터 라인의 제 1 값에 응답하여 메모리 요소를 선택하는 제 1 스위치를 포함하고, 데이터 라인의 제 2 값에 응답하여 노즐을 선택하는 제 2 스위치를 포함한다. 분사 라인은 선택기에 의해 노즐이 선택되는 것에 응답하여 노즐의 활성화를 제어하고, 선택기에 의해 메모리 요소가 선택되는 것에 응답하여 메모리 요소의 데이터를 전달한다. 회로는 또한 어드레스 입력에 응답하여 메모리 요소를 선택하는 제 1 디코더를 포함하고, 어드레스 입력에 응답하여 노즐을 선택하는 제 2 디코더를 포함한다.
도 5에서, ID 라인에 의해 제어되는 트랜지스터(506)는 트랜지스터(504)와 기준 전압 사이에 연결된다. 다른 변형예에서, ID 라인에 의해 제어되는 트랜지스터(506)는 회로의 상이한 부분으로 옮겨질 수 있다. 이러한 하나의 변형예에서, 도 5a에 도시된 바와 같이, 트랜지스터(506)는 분사 라인과 메모리 요소(304) 사이에 연결된다. 대안적으로, 도 5b에 도시된 다른 변형예에서, ID 라인에 의해 제어되는 트랜지스터(506)는 인에이블 스위치로서 트랜지스터(504)의 게이트에 연결되는데, 즉, 트랜지스터(506)의 드레인은 트랜지스터(520)의 소스와 트랜지스터(522)의 드레인을 연결하는 공통 노드에 연결되고, 트랜지스터(506)의 소스는 트랜지스터(504)의 게이트에 연결된다.
도 6은 도 5의 회로를 사용하는 예시적인 배열을 도시한다. 도 6의 배열은 ID 메모리(208), 분사 메모리(210) 및 노즐 어레이(206)를 포함한다. 도 6에서, 분사 메모리(210)는 메모리 요소(304) 및 트랜지스터(504, 506, 520, 522, 524, 526 및 528)을 포함한다. 도 6에 도시된 분사 메모리(210) 내의 회로의 배열은 분사 메모리(210)의 다른 메모리 요소에 대해 반복될 수 있음을 주목하여야 한다.
노즐 어레이(206)는 노즐 활성화 요소(302) 및 트랜지스터(502, 508, 510, 512, 514, 516 및 518)를 포함한다. 도 6에 도시된 노즐 어레이(206)의 회로 배열은 노즐 어레이(206)의 다른 노즐 활성화 요소에 대해 반복될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 예를 들어 Ax 및 Ay는 예컨대 선택 라인상의 선택 신호 및 CSYNC 라인상의 CSYNC 신호에 응답하여 어드레스 생성기(602)에 의해 출력된다.
ID 메모리(208)는 ID 라인과 기준 전압 사이에 직렬로 연결된 메모리 요소(604, 608, 610 및 612)를 포함한다. 트랜지스터(608, 610 및 612)가 턴 온될 때, 메모리 요소(604)가 어드레싱되어, 메모리 요소(604)의 데이터는 ID 라인을 통해 전달될 수 있다. 트랜지스터(608, 610 및 612)의 게이트는 어드레스 데이터 비트 D[] (및 또한 선택 라인)를 수신하는 시프트 레지스터 디코더(614)의 출력에 연결된다.
시프트 레지스터 디코더(614)는 시프트 레지스터 디코더(614)에 입력되는 D[] 어드레스 데이터 비트 각각에 연결된 시프트 레지스터를 포함한다. 각각의 시프트 레지스터는 시프트 레지스터 셀의 직렬체를 포함하며, 시프트 레지스터 셀의 직렬체는 저장 요소의 다음 선택 때까지 이들의 값을 홀딩할 수 있는 플립 플롭, 다른 저장 요소 또는 임의의 샘플 및 홀드 회로(예를 들어, 어드레스 데이터 비트를 프리-차지하고 및 평가하는 회로)로서 구현될 수 있다. 직렬체 내의 하나의 시프트 레지스터 셀의 출력은 다음 시프트 레지스터 셀의 입력에 제공되어 시프트 레지스터를 통한 데이터 시프팅을 수행할 수 있다. 각각의 시프트 레지스터를 통해 제공된 어드레스 데이터 비트는 트랜지스터(608, 610 및 612)의 각 트랜지스터의 게이트에 연결된다. 시프트 레지스터 디코더(614)에서 시프트 레지스터를 사용함으로써, 적은 수의 어드레스 데이터 비트, D[]가 더 큰 어드레스 공간을 선택하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 각각의 시프트 레지스터는 8 개(또는 임의의 다른 수의) 시프트 레지스터 셀을 포함할 수 있다. 세 개의 어드레스 데이터 비트가 각각 길이가 8인 세 개의 시프트 레지스터를 포함하는 시프트 레지스터 디코더(614)에 입력된다고 가정하면, 시프트 레지스터 디코더(614)에 의해 어드레싱될 수 있는 어드레스 공간은 (8 비트 대신에 시프트 레지스터 디코더(614)의 시프트 레지스터를 사용하지 않고 세 개의 어드레스 비트 D[]가 사용되면) 512 비트이다.
도 6에 도시된 다양한 신호의 타이밍은 ID 메모리(208)의 메모리 요소(604)의 프로그래밍 동안, 분사 메모리(210)의 메모리 요소(304)의 프로그래밍 동안, 및 노즐 어레이(206)의 노즐 활성화 요소(302)의 활성화 동안 아무런 데이터 손상이 발생하지 않도록 제어된다. 다시 말해서, ID 메모리(208)가 액세스될 때, 분사 메모리(210) 및 노즐 어레이(206)는 비활성화되도록 제어된다. 한편, 분사 메모리(210)가 액세스될 때, 노즐 어레이(206) 내의 ID 메모리(208)는 그렇게 되도록 제어된다. 노즐 어레이(206)가 활성화될 때, ID 메모리(208) 및 분사 메모리(210)는 비활성화되도록 제어된다.
다른 예에서, 다수의 분사 라인이 사용되면, 데이터는 분사 메모리(210)의 메모리 요소로부터 병렬로 판독되어, 분사 라인을 통해 분사 메모리(210)를 액세스할 때의 효율을 증가시킬 수 있다.
도 7은 노즐 활성화 요소(302) 및 기준 전압과 직렬로 연결된 트랜지스터(502)의 게이트를 제어하기 위해 도 5의 (트랜지스터(508, 510, 512, 514 및 516)를 포함하는) 제 1 디코더와 유사한 디코더를 사용하는 다른 예시적인 배열의 개략도이다. 또한, (트랜지스터(508, 510, 512, 514 및 516)와 병렬로 연결된) 트랜지스터(518)는 ID에 의해 제어된다.
메모리 요소(304)는 트랜지스터(702, 706, 708 및 710)와 직렬로 연결된다. 트랜지스터(702)는 ID에 의해 제어되고, 트랜지스터(706, 708 및 710)의 게이트는 시프트 레지스터 디코더(712)의 출력에 연결된다. 시프트 레지스터 디코더(712)는 도 6의 시프트 레지스터 디코더(614)와 유사하게 배열된다. 시프트 레지스터 디코더(712)는 대응하는 어드레스 데이터 비트 D[]를 수신하는 다수의 시프트 레지스터를 포함한다. 또한, 시프트 레지스터 디코더(712)는 선택 신호(Sn)를 수신하는 선택 입력을 또한 포함하고; Sn이 활성이면, 시프트 레지스터 디코더(712)의 시프트 레지스터는 각각의 어드레스 데이터 비트 D[]를 수신하고 어드레스 비트를 대응하는 시프트 레지스터 셀을 따라 시프트할 수 있다.
ID가 활성 상태(예를 들어, 하이 상태)에 있을 때, 어드레스 데이터 비트 D[] 및 선택 신호(Sn)가 메모리 요소(304)에 대응하면, 메모리 요소(304)가 선택된다. ID가 비활성 상태(예를 들어, 로우 상태)에 있을 때, 어드레스 데이터 비트 D[] 및 선택 신호(Sn)가 노즐 활성화 요소(302)에 대응하면 메모리 노즐 활성화 요소(302)가 선택된다.
도 7의 트랜지스터(702 및 518)는 선택기(106 또는 216)의 일부이고, 디코더(트랜지스터(508, 510, 512, 514 및 516)을 포함하는) 디코더 및 시프트 레지스터 디코더(712)는 도 2의 제어 회로(212)의 일부이다.
일반적으로, 도 7에 따르면, 메모리 요소 및 유체를 출력하기 위한 노즐과 함께 사용하기 위한 회로는 데이터 라인, 분사 라인 및 선택기를 포함한다. 선택기는 데이터 라인의 제 1 값에 응답하여 메모리 요소를 선택하는 제 1 스위치를 포함하고, 데이터 라인의 제 2 값에 응답하여 노즐을 선택하는 제 2 스위치를 포함한다. 분사 라인은 선택기에 의해 노즐이 선택되는 것에 응답하여 노즐의 활성화를 제어하고, 선택기에 의해 메모리 요소가 선택되는 것에 응답하여 메모리 요소의 데이터를 전달한다. 회로는 또한 어드레스 입력에 응답하여 노즐을 선택하는 디코더를 포함하고, 어드레스 입력에 응답하여 메모리 요소를 선택하는 시프트 레지스터 디코더를 포함한다.
도 8은 메모리 요소(802), 노즐(804), 노즐(804) 및 메모리 요소(802)에 연결된 분사 라인, 및 데이터 라인을 포함하는 하나 이상의 다이(800)를 갖는 디바이스(예를 들면, 카트리지 또는 다른 유형의 디바이스)를 도시한다. 디바이스는 데이터 라인에 응답하여 메모리 요소(802) 또는 노즐(804)을 선택하는 선택기(806)를 더 포함하며, 선택기(806)는 제 1 값을 갖는 데이터 라인에 응답하여 메모리 요소(802)를 선택하고, 제 1 값과 상이한 제 2 값을 갖는 데이터 라인에 응답하여 노즐(804)를 선택한다. 분사 라인은 선택기(806)에 의해 노즐(804)이 선택되는 것에 응답하여 노즐(804)의 활성화를 제어하고, 선택기(806)에 의해 메모리 요소(802)가 선택되는 것에 응답하여 메모리 요소(802)의 데이터를 전달한다.
전술한 설명에서, 본 명세서에 개시된 주제를 이해하도록 하기 위해 많은 세부 사항이 제시된다. 그러나, 구현예는 일부의 이러한 세부 사항 없이도 실시될 수 있다. 다른 구현예는 위에서 논의된 세부 사항으로부터의 수정 및 변경을 포함할 수 있다. 첨부된 청구 범위는 그러한 수정 및 변경을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (17)

  1. 유체를 출력하기 위한 노즐과 함께 사용하기 위한 회로로서,
    메모리 요소와,
    어드레스를 수신하고 상기 어드레스에 응답하여 액세스를 위해 상기 메모리 요소를 인에이블하는 디코더와,
    데이터 라인과,
    분사 라인(fire line)과,
    상기 데이터 라인에 응답하여 상기 메모리 요소를 선택하는 선택기를 포함하되,
    상기 선택기는 제 1 값을 갖는 상기 데이터 라인에 응답하여 상기 메모리 요소를 선택하고, 상기 데이터 라인은 다른 메모리 요소의 데이터를 전달하며,
    상기 분사 라인은 상기 선택기에 의해 상기 메모리 요소가 선택되는 것에 응답하여 상기 메모리 요소의 데이터를 전달하며,
    상기 메모리 요소는 제 1 메모리 요소이고, 상기 데이터 라인은 제 2 메모리 요소가 액세스를 위해 인에이블되는 것에 응답하여 상기 제 2 메모리 요소의 데이터를 전달하는
    회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 디코더는 제 1 디코더이고,
    상기 회로는, 상기 어드레스를 수신하고 상기 어드레스에 응답하여 액세스를 위해 상기 제 2 메모리 요소를 인에이블하는 제 2 디코더를 더 포함하는
    회로.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 디코더는 시프트 레지스터 디코더를 포함하며, 상기 시프트 레지스터 디코더는 어드레스 데이터 비트를 수신하는 복수의 시프트 레지스터 및 선택 신호를 수신하는 선택 입력을 포함하는
    회로.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 선택기는,
    상기 제 1 메모리 요소에 연결되는 제 1 스위치 - 상기 제 1 스위치는 상기 데이터 라인이 상기 제 1 값을 가질 때 활성화됨 - 를 포함하는
    회로.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치는 상기 메모리 요소와 직렬로 연결되는 제 1 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제 1 트랜지스터의 게이트는 상기 데이터 라인에 연결되는
    회로.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 선택기는,
    상기 제 1 값을 갖는 상기 데이터 라인에 응답하여 상기 디코더의 출력을 상기 메모리 요소와 직렬로 제 1 트랜지스터에 연결하는 제 1 스위치를 포함하는
    회로.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 메모리 요소와 상기 제 2 메모리 요소 중 적어도 하나는 상기 노즐을 포함하는 유체 분사 다이(fluid ejection die)로부터 분리된 하나 이상의 다이 상에 제공되는
    회로.
  8. 장치로서,
    하나 이상의 다이를 포함하되,
    상기 하나 이상의 다이는,
    메모리 요소와,
    상기 메모리 요소에 연결된 분사 라인과,
    데이터 라인과,
    상기 데이터 라인에 응답하여 상기 메모리 요소를 선택하는 선택기를 포함하고,
    상기 선택기는 제 1 값을 갖는 상기 데이터 라인에 응답하여 상기 메모리 요소를 선택하고,
    상기 분사 라인은 상기 선택기에 의해 상기 메모리 요소가 선택되는 것에 응답하여 상기 메모리 요소의 데이터를 전달하며,
    상기 하나 이상의 다이는
    제 1 메모리 요소와,
    상기 제 1 메모리 요소와 상이한 제 2 메모리 요소를 포함하고,
    상기 데이터 라인은 상기 제 2 메모리 요소의 데이터를 전달하는 데이터 라인인
    장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 다이는 노즐을 포함하는 유체 분사 다이와 분리된
    장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 유체 분사 다이를 더 포함하며,
    상기 분사 라인은 상기 노즐에 연결되고, 상기 노즐로 분사 신호를 반송함에 의하여 상기 노즐의 활성화를 제어하는
    장치.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 메모리 요소는 노즐 어레이와 연관된 데이터를 저장하는 분사 메모리의 부분이며,
    상기 제 2 메모리 요소는 식별 데이터를 저장하는 ID 메모리의 부분인
    장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 ID 메모리 및 상기 분사 메모리는 이한 유형의 메모리로 구현되어 하이브리드 메모리 배열을 형성하는
    장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 메모리는 퓨즈 메모리로 구현되며,
    상기 퓨즈 메모리는 상기 분사 메모리에 데이터를 프로그래밍하도록 선택적으로 끊어질 수 있거나 끊어지지 않을 수 있는 퓨즈의 어레이를 포함하는
    장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 선택기는 상기 제 1 메모리 요소와 직렬로 연결된 트랜지스터를 포함하며, 상기 트랜지스터의 게이트는 데이터 라인에 의하여 제어되는
    장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 분사 메모리는,
    상기 제 1 메모리 요소와,
    제 1 트랜지스터들 - 상기 제 1 메모리 요소는 상기 분사 라인과 기준 전압 사이에 상기 제 1 트랜지스터들과 직렬로 연결됨 - 와,
    디코더의 제 2 트랜지스터들을 포함하며,
    상기 제 1 트랜지스터들 중 하나의 제 1 트랜지스터의 게이트는 상기 데이터 라인에 연결되며, 상기 하나의 제 1 트랜지스터는 상기 선택기의 부분이고,
    상기 제 1 트랜지스터들 중 다른 하나의 제 1 트랜지스터의 게이트는 상기 디코더에 연결되어 상기 디코더로의 어드레스 입력에 기초하여 상기 다른 하나의 제 1 트랜지스터를 제어하는
    장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 ID 메모리는,
    상기 제 2 메모리 요소와,
    상기 데이터 라인과 상기 기준 전압의 사이에 직렬로 연결되는 제 3 트랜지스터들을 포함하며,
    상기 제 3 트랜지스터들이 켜지면, 상기 제 2 메모리 요소가 어드레싱되어 상기 제 2 메모리 요소의 데이터가 상기 데이터 라인을 통하여 전달되고,
    상기 제 3 트랜지스터들의 게이트가 어드레스 데이터 비트를 수신하는 시프트 레지스터 디코더의 출력으로 연결되는
    장치.
  17. 제 1 항, 제 2 항 및 제 6 항 중 어느 한 항의 회로 또는 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 장치를 포함하는
    프린트 카트리지.
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