TWI674591B - 透明導電膜、電容觸控感測器及觸控顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明為一種透明導電膜、電容觸控感測器及觸控顯示裝置,該透明導電膜包括網格結構,該網格結構包括多個T字形交叉結構,其中該多個T字形交叉結構中的每個T字形交叉結構由多個凹槽單元中的兩個凹槽單元形成;導電材料,填充在該多個凹槽單元內形成導電網格。本發明的透明導電膜結構簡單,通過這種類T字形結構設計,網格交叉點處的槽深寬比提高,使得導電材料可以充分填入網格凹槽內,因而能夠大幅度提升制程的良率、穩定性及抗靜電性能,降低成本。
Description
本發明屬於一種透明導電膜,尤其是關於一種透明導電膜及電容觸控感測器及觸控顯示裝置。
目前,現有觸控式螢幕的電路設計通常都是按照一定的角度形成的十字交叉結構,交叉點為對應的觸控點,這種結構設計在氧化銦錫(ITO)等黃光蝕刻工藝中的應用非常廣泛。ITO線路非常均勻,其走線的寬度,厚度都非常一致。由於金屬網格(metal mesh)按照類似的設計進行設計,內部由許多交叉的網格代替了由ITO組成的線路,因而形成金屬網格電路回路,實現導電及觸控。
金屬網格中的每個網格交叉點都有節點,節點由線槽交叉形成,其槽體寬度相對較寬,導致節點的導電物質在填充時容易被刮刀的挖掘效應帶出,同時在清潔時也容易帶出導電材料,因此導致產品的電性良率低,穩定性差,抗靜電能力差。
由於聚對苯二甲酸乙二醇脂(PET)等基材容易帶靜電,導致在生產觸控式螢幕過程中經常出現導電膜線路被靜電擊穿的現象。通過分析觀察發現,線路較細的部分容易被靜電擊穿。當靜電流流經這些較細部分時,由於尖端放電的原因,瞬間電壓很大,產生較大的熱量,因而線
路被燒壞。
這種金屬網格狀的填充方式,導致在節點處填充導電材料較少。如果節點被填充不好,更容易被靜電擊穿,導致在整個生產過程中都可能被擊穿。
針對上述金屬網格設計在一體成型工藝上導致節點深寬比太小,在填充導電材料時填充困難或者填充不足,因而導致產品工藝良率低,穩定性差,抗靜電能力差的問題,本發明的目的提出一種新型的網格設計結構。
本發明公開了一種透明導電膜,該透明導電膜包括網格結構,該網格結構包括多個T字形交叉結構,其中該多個T字形交叉結構中的每個T字形交叉結構由多個凹槽單元中的兩個凹槽單元形成;導電材料,填充在該多個凹槽單元內形成導電網格。
優選地,該網格結構為規則的行列交叉結構。
優選地,網格結構同一列的行寬度為S,網格結構同一行的列寬度為L,L=S。
優選地,網格結構的線寬為w,網格結構同一行的列寬度為L,網格結構相鄰行的對應列彼此錯開長度為d,滿足2w<d<L。
優選地,d=tanθ*L,其中該網格結構在直角坐標系中,其行/列與X軸/Y軸的夾角為θ°,該θ°為:將該透明導電膜放置在液晶模組上,點亮液晶模組後對該透明導電膜進行角度旋轉,查看摩爾紋,無摩爾紋產
生時的旋轉角度即為θ°。X軸/Y軸是以網格單元的行與列的交點為座標頂點建立的直角坐標系的X軸和Y軸。
優選地,該導電網格包括多個導電通道和多個非導電通道,該多個導電通道與該多個非導電通道交錯排列,其中該非導電通道未填充導電材料。
本發明還公開了一種電容觸控感測器,該觸控感測器包括發射層和接收層,該發射層和該接收層至少之一包括本發明公開的透明導電膜。
優選地,該發射層和該接收層分別位於兩層獨立的基材上,或者位於同一基材的兩側。
優選地,該透明導電膜包含多個導電通道和多個非導電通道,該多個導電通道與該多個非導電通道交錯排列。
本發明還公開了一種觸控顯示裝置,包括本發明公開的透明導電膜。
本發明的透明導電膜結構簡單,能夠提升制程的電性良率、穩定性、抗靜電能力,降低由於靜電而產生的不良率。因此,不但可以降低成本,同時還可以提升品質。
1‧‧‧接收層
2‧‧‧發射層
3‧‧‧第二非導電通道
4‧‧‧第一非導電通道
5‧‧‧T字形交叉結構
6‧‧‧網格結構
7‧‧‧導電材料
8‧‧‧凹槽單元
D‧‧‧網格結構相鄰行的對應列彼此錯開長度
d1‧‧‧第二非導電通道的寬度
d2‧‧‧第一非導電通道的寬度
L‧‧‧列寬度
S‧‧‧行寬度
W‧‧‧線寬
圖1是本發明接收層的T字型設計的宏觀結構示意圖;
圖2是本發明接收層的T字型設計的微觀結構示意圖,其中d1為第二非導電通道的寬度;圖3是本發明發射層的T字型設計的微觀結構示意圖,其中d2為第一非導電通道的寬度;圖4是本發明T字型結構填充導電材料之後的縱切面圖,其中w為非節點處的凹槽結構的線寬;圖5是本發明T字型設計的微觀結構示意圖,其中d為T字型網格結構相鄰行的對應列彼此錯開長度,L為T字型網格結構同一行的列寬度;圖6為T字型結構的單元結構,其中L為T字型網格結構同一行的列寬度,S為T字型網格結構的行寬度;圖7為T字形網格結構旋轉的微觀示意圖,旋轉角度為θ°;圖8為T字型填充後的產品結構示意圖。
下面結合實施例對本發明作進一步說明,但本發明的保護範圍不限於此。
結合圖1至圖8,實施例1:一種透明導電膜,透明導電膜包括網格結構6,網格結構6包括多個T字形交叉結構5,其中多個T字形交叉結構5中的每個T字形交叉結構由多個凹槽單元8中的兩個凹槽單元形成;導電材料(優選地,由純銀、銀銅組合物、純銅或鎳等材料製成),填充在多個凹槽單元8內形成導電網格。
結合圖6,實施例2:如實施例1所述的一種透明導電膜,
網格結構6同一列的行寬度為S,網格結構6同一行的列寬度為L,L=S。
結合圖7,實施例3:如實施例1所述的一種透明導電膜,網格結構6為規則的行列交叉結構。導電網格包括多個導電通道和多個非導電通道,多個導電通道與多個非導電通道交錯排列,其中非導電通道未填充導電材料。
結合圖1、圖4和圖5,實施例4:如實施例3所述的一種透明導電膜,網格結構6(其內填充有導電材料7)的線寬為w,網格結構6同一行的列寬度為L,網格結構6相鄰行的對應列彼此錯開長度為d,滿足2w<d<L。其中:行列為方便描述所定義,對導電層進行旋轉所得到的其它結構也落入本申請的保護範圍。
實施例5:如實施例4所述的一種透明導電膜,d=tanθ*L。網格結構6在直角坐標系中,其行/列與X軸/Y軸的夾角為θ°,θ°為:將透明導電膜放置在液晶模組上,點亮液晶模組後對透明導電膜進行角度旋轉,查看摩爾紋,無摩爾紋產生時的旋轉角度即為θ°。優選地,每旋轉1°,查看一次摩爾紋效應。
結合圖1-圖3,實施例6:一種電容觸控感測器,觸控感測器包括發射層2和接收層1,該發射層2和該接收層1至少之一包括本發明所述的透明導電膜。
實施例7:根據實施例6所述的一種電容觸控感測器,發射層2和接收層1分別位於兩層獨立的基材上,或者位於同一基材的兩側。
結合圖2和圖3,實施例8:根據實施例6所述的一種電容觸控感測器,發射層2包含多個第一導電通道和多個第一非導電通道4,第
一導電通道與第一非導電通道4交錯排列;接收層1包含多個第二導電通道和多個第二非導電通道3,第二導電通道與第二非導電通道3交錯排列。其中:第一導電通道和第二導電通道的網格結構6內填充有導電材料,第一非導電通道4和第二非導電通道3的網格結構6內沒有導電材料。
實施例9:如實施例8所述的一種電容觸控感測器,第一非導電通道4的寬度d2等於第二非導電通道3的寬度d1。
實施例10:一種觸控顯示裝置,包括本發明所述的透明導電膜。
本發明的透明導電膜結構簡單,通過這種類T字形結構設計,網格交叉點處的槽深寬比提高,使得導電材料可以充分填入網格凹槽內,因而能夠大幅度提升制程的良率、穩定性及抗靜電性能,並降低成本。
本發明未包括部分均與現有技術相同或可採用現有技術加以實現。
本文中所描述的具體實施例僅僅是對本發明精神做舉例說明。本發明所屬技術領域的技術人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或採用類似的方式替代,但並不會偏離本發明的精神或者超越所附申請專利範圍所定義的範圍。
Claims (7)
- 一種透明導電膜,其特徵在於,該透明導電膜包括:網格結構,包括多個T字形交叉結構,其中該多個T字形交叉結構中的每個T字形交叉結構由多個凹槽單元中的兩個凹槽單元形成;導電材料,填充在該多個凹槽單元內形成導電網格;其中,該網格結構的線寬為w,網格結構同一行的列寬度為L,網格結構相鄰行的對應列彼此錯開長度為d,滿足2w<d<L;其中,d=tanθ*L,其中該網格結構在直角坐標系中,其行/列與X軸/Y軸的夾角為θ°,該θ°為:將該透明導電膜放置在液晶模組上,點亮液晶模組後對該透明導電膜進行角度旋轉,查看摩爾紋,無摩爾紋產生時的旋轉角度即為θ°;以及其中,該導電網格包括多個導電通道和多個非導電通道,該多個導電通道與該多個非導電通道交錯排列,其中該非導電通道未填充導電材料。
- 如請求項1所述的透明導電膜,其中,該網格結構為規則的行列交叉結構。
- 如請求項2所述的透明導電膜,其中,該網格結構同一列的行寬度為S,網格結構同一行的列寬度為L,L=S。
- 一種電容觸控感測器,該觸控感測器包括發射層和接收層,其特徵在於,該發射層和該接收層至少之一包括請求項1至3中任一項所述的透明導電膜。
- 如請求項4所述的電容觸控感測器,其中,該發射層和該接收層分別 位於兩層獨立的基材上,或者位於同一基材的兩側。
- 如請求項4所述的電容觸控感測器,其中,該透明導電膜包含多個導電通道和多個非導電通道,該多個導電通道與該多個非導電通道交錯排列。
- 一種觸控顯示裝置,其中,包括如請求項1至3中任一項所述的透明導電膜。
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