CN106371687A - 一种透明导电膜及电容触控传感器及触控显示装置 - Google Patents

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肖江梅
王涛
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Abstract

本发明公开了一种透明导电膜及电容触控传感器及触控显示装置，所述透明导电膜包括网格结构，所述网格结构包括多个凹槽单元，相邻的凹槽单元之间形成交叉结构，导电材料填充在凹槽内形成导电网格，其特征在于，所述交叉结构呈T字形。本发明的透明导电膜结构简单，通过这种类T字形结构设计，网格交叉点处的槽深宽比提高，从而导电材料可以充分纳入网格凹槽内。能够大幅度提升制程的良率、稳定性及抗静电性能，降低成本。

Description

一种透明导电膜及电容触控传感器及触控显示装置
技术领域
本发明涉及一种透明导电膜，尤其涉及一种透明导电膜及电容触控传感器及触控显示装置。
背景技术
目前，现有触摸屏的电路设计通常都是按照一定的角度形成的十字交叉结构，交叉点为对应的触控点，这种结构设计在ITO等黄光蚀刻工艺中的应用是非常广泛的。ITO线路是非常均匀的，其走线的宽度，厚度都是非常的一致的。由于metal mesh是按照类似的设计进行设计的，内部由许多交叉的网格代替了ITO中由ITO组成的线路，从而形成metalmesh电路回路，实现导电及触控。
但是由于网格交叉结构，每个网格交叉点都有节点，节点是由线槽交叉形成，其槽体宽度更宽，导致填充时节点的导电物质更容易被刮刀的挖掘效应带出，同时在清洁的时候也容易带出导电材料，因此导致产品的电性良率低，稳定性差，抗静电能力差。
触摸屏在生产中，由于PET等基材很容易带静电的原因，导致生产过程中经常出现导电膜线路被静电击穿。通过分析观察发现，被静电击穿的地方都是线路比较细的地方。静电流流经线路时经过这些比较细的地方由于尖端放电的原因，瞬间电压很大，产生较大的热量，从而将线路烧坏。
Metal mesh这种网格状的填充方式，导致了节点填导电材料较少，因此如果填充的不好，就更容易被静电击穿，导致整个生产流程都存在被击穿的情况。
发明内容
本发明的目的是针对背景技术中的网格设计在一体成型工艺上导致节点深宽比太小，在填充导电材料时导电材料填充不上或者填充不足，从而导致产品工艺良率低，稳定性差，抗静电能力差的问题，而提出的一种新型的网格设计结构。
本发明公开了一种透明导电膜，所述透明导电膜包括网格结构，所述网格结构包括多个凹槽单元，相邻的凹槽单元之间形成交叉结构，导电材料填充在凹槽内形成导电网格，所述交叉结构呈T字形。
优选的，所述网格结构为规则的行列交叉结构，所述网格结构在直角坐标系中，其行/列与X轴/Y轴的夹角为所述为：将所述透明导电膜放置在液晶模组上，点亮液晶模组后对所述透明导电膜进行角度旋转，查看摩尔纹，无摩尔纹产生时的旋转角度即为
优选的，所述发射层和接收层的网格凹槽在直角坐标系中，其行/列与X轴/Y轴的夹角为所述为：将发射层或接收层放置在所需求液晶模组上，点亮液晶模组后对发射层或接收层进行角度旋转，查看摩尔纹；无摩尔纹产生时的旋转角度即为
优选的，同一列网格结构的行宽度为S，网格结构同一行的相邻列宽度为L，L＝S。
优选的，网格结构的线宽为w，网格结构同一行的相邻列宽度为L，网格结构相邻行的对应列彼此错开长度为d，满足2w<d<L。
具体的，
本发明还公开了一种电容触控传感器，所述触控传感器包括发射层和接收层，所述发射层和所述接收层至少之一包括本发明公开的透明导电膜。
优选的，所述发射层和所述接收层分别位于两层独立的基材上，或者位于同一基材的两侧。
优选的，所述透明导电膜包含多个导电通道和多个非导电通道，所述多个导电通道与所述多个非导电通道交错排列。
本发明还公开了一种触控显示装置，包括本发明公开的透明导电膜。
本发明的有益效果
本发明的透明导电膜结构简单，能够提升制程的电性良率、稳定性、抗静电能力，降低由于静电而产生的不良。因此，不但可以降低成本，同时还可以提升品质。
附图说明
图1是本发明接收层的T字型设计的宏观结构示意图。
图2是本发明接收层的T字型设计的微观结构示意图，其中d1为第二非导电通道的宽度；
图3是本发明发射层的T字型设计的微观结构示意图，其中d2为第一非导电通道的宽度；
图4是本发明T字型结构填充导电材料之后的纵切面图，其中w为非节点处的凹槽结构的线宽。
图5是本发明T字型设计的微观结构示意图，其中d为T字型网格结构相邻行的对应列彼此错开长度，L为T字型网格结构同一行的相邻列宽度。
图6为T字型结构的单元结构，其中L为T字型网格结构同一行的相邻列宽度，S为T字型网格结构的行宽度。
图7为T字形网格结构旋转的微观示意图，旋转角度为
图8为T字型填充后的产品结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明，但本发明的保护范围不限于此：
结合图1-图8，实施例1：一种透明导电膜，所述透明导电膜包括网格结构6，所述网格结构6包括多个凹槽单元8，相邻的凹槽单元8之间形成交叉结构5，导电材料7(优选的，由纯银、银铜组合物、纯铜或镍等材料制成)填充在凹槽内形成导电网格，所述交叉结构5呈T字形。
结合图6，实施例2：如实施例1所述的一种透明导电膜，同一列网格结构6的行宽度为S，网格结构6同一行的相邻列宽度为L，L＝S。
结合图7，实施例3：如实施例1所述的一种透明导电膜，所述网格结构6为规则的行列交叉结构，所述网格结构6在直角坐标系中，其行/列与X轴/Y轴的夹角为所述为：将所述透明导电膜放置在液晶模组上，点亮液晶模组后对所述透明导电膜进行角度旋转，查看摩尔纹，无摩尔纹产生时的旋转角度即为优选的，每旋转1°，查看一次摩尔纹效应。
结合图1、图4和图5，实施例4：如实施例3所述的一种透明导电膜，所述网格结构6(其内填充有导电材料7)的线宽为w，网格结构6同一行的相邻列宽度为L，网格结构6相邻行的对应列彼此错开长度为d，满足2w<d<L。其中：所述行列为方便描述所定义，对导电层进行旋转所得到的其它结构也落入本申请的保护范围。
实施例5：如实施例4所述的一种透明导电膜，
结合图1-图3，实施例6：一种电容触控传感器，所述触控传感器包括发射层2和接收层1，所述发射层2和所述接收层1至少之一包括本发明所述的透明导电膜。
实施例7：根据实施例6所述的一种电容触控传感器，所述发射层2和所述接收层1分别位于两层独立的基材上，或者位于同一基材的两侧。
结合图2和图3，实施例8：根据实施例6所述的一种电容触控传感器，发射层2包含多个第一导电通道和多个第一非导电通道4，第一导电通道与第一非导电通道4交错排列；接收层1包含多个第二导电通道和多个第二非导电通道3，第二导电通道与第二非导电通道3交错排列。其中：第一导电通道和第二导电通道的网格结构6内填充有导电材料，第一非导电通道4和第二非导电通道3的网格结构6内没有导电材料。
实施例9：如实施例8所述的一种电容触控传感器，第一非导电通道4的宽度d2等于第二非导电通道3的宽度d1。
实施例10：一种触控显示装置，包括本发明所述的透明导电膜。
本发明的透明导电膜结构简单，通过这种类T字形结构设计，网格交叉点处的槽深宽比提高，从而导电材料可以充分纳入网格凹槽内。能够大幅度提升制程的良率、稳定性及抗静电性能，降低成本。
本发明未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神做举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims (9)

1.一种透明导电膜，所述透明导电膜包括网格结构，所述网格结构包括多个凹槽单元，相邻的凹槽单元之间形成交叉结构，导电材料填充在凹槽内形成导电网格，其特征在于，所述交叉结构呈T字形。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述网格结构为规则的行列交叉结构，所述网格结构在直角坐标系中，其行/列与X轴/Y轴的夹角为所述为：将所述透明导电膜放置在液晶模组上，点亮液晶模组后对所述透明导电膜进行角度旋转，查看摩尔纹，无摩尔纹产生时的旋转角度即为
3.根据权利要求2所述的透明导电膜，其特征在于同一列网格结构的行宽度为S，网格结构同一行的相邻列宽度为L，L＝S。
4.根据权利要求2所述的透明导电膜，其特征在于网格结构的线宽为w，网格结构同一行的相邻列宽度为L，网格结构相邻行的对应列彼此错开长度为d，满足2w<d<L。
5.根据权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于，
6.一种电容触控传感器，所述触控传感器包括发射层和接收层，其特征在于，所述发射层和所述接收层至少之一包括权利要求1-5中任一项所述的透明导电膜。
7.根据权利要求6所述的电容触控传感器，其特征在于，所述发射层和所述接收层分别位于两层独立的基材上，或者位于同一基材的两侧。
8.根据权利要求6所述的电容触控传感器，其特征在于，所述透明导电膜包含多个导电通道和多个非导电通道，所述多个导电通道与所述多个非导电通道交错排列。
9.一种触控显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5中任一项所述的透明导电膜。
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