TWI674481B - 描繪方法 - Google Patents

Abstract

本發明係提供於藉由對具有複數個晶片區域Rc之基板W(疑似晶圓)之各晶片區域Rc照射光而執行描繪之描繪方法及描繪裝置中，可對應關於聚焦調整之問題之技術。

取得表示設置於晶片區域Rc之複數個對準標記AM(基準點)各自高度之高度資訊Dh(步驟S205)，自高度資訊Dh算出表示晶片區域Rc傾斜之值(對準標記AM之高度差△H)(步驟S207)。接著，基於算出表示描繪區域傾斜之值△H之結果與焦點深度，判斷是否適合對晶片區域Rc執行描繪(步驟S208)。

Description

描繪方法

本發明係關於一種對半導體基板、印刷電路基板、彩色濾光片用基板、太陽電池用基板、液晶顯示裝置或電漿顯示裝置所具備之平板顯示器用玻璃基板、光碟用基板等各種描繪對象物執行描繪之描繪方法及描繪裝置。

於日本專利特開2000-003871號公報中，記載有一種描繪裝置(投影曝光裝置)，其係藉由使塗佈有光阻劑之基板(晶圓、玻璃等)相對於照射範圍(曝光區域)移動並對照射範圍照射光，對通過照射範圍之基板執行描繪。又，於日本專利特開2003-078069號公報中，記載有一種被稱為所謂疑似晶圓之基板。該基板(疑似晶圓)具備將排列於其主表面之複數個裝置晶片嵌入於樹脂之構成。

然而，考慮使用日本專利特開2000-003871號公報之描繪裝置，分別於日本專利特開2003-078069號公報之描繪對象物(基板)所具有之複數個描繪區域(設置有裝置晶片之區域)進行描繪。具體而言，考慮藉由使描繪對象物相對於照射範圍移動並將光照射於依序到達照射範圍之各描繪區域，可對各描繪區域執行描繪。

然而，為了高精度地執行描繪，必須於對照射範圍內之描繪區域適當地調整聚焦之狀態將光照射於描繪區域。對此，於如疑似晶圓 之描繪對象物中，複數個描繪區域各自不傾斜，或未必高度一致地排列。因此，有難以對描繪對象物所具有之各描繪區域適當地調整聚焦之情形。

本發明係鑒於上述問題而完成者，目的在於提供於藉由對具有複數個描繪區域之描繪對象物之各描繪區域照射光執行描繪之描繪方法及描繪裝置中，可對應關於聚焦調整之問題之技術。

本發明之描繪方法具備：資訊取得步驟，其取得表示設置於具有複數個描繪區域之描繪對象物之描繪區域的複數個基準點各自之高度之高度資訊；算出步驟，其係自資訊取得步驟中取得之高度資訊算出表示描繪區域之傾斜之值；及判斷步驟，其係基於光學系統之焦點深度與算出步驟中算出之表示描繪區域之傾斜之值判斷是否適合藉由以光學系統將光聚光而對描繪區域執行描繪。

本發明之描繪裝置具備：描繪部，其係具有光源及將自光源射出之光聚光之光學系統，並藉由對具有複數個描繪區域之描繪對象物之描繪區域以光學系統將光聚光可對描繪區域執行描繪；資訊取得部，其取得表示設置於描繪區域之複數個基準點各自之高度之高度資訊；記憶部，其記憶光學系統之焦點深度；及控制部，其係基於自資訊取得部取得之高度資訊算出表示描繪區域傾斜之值之結果與焦點深度，判斷是否適合使描繪部執行對描繪區域之描繪。

於如此構成之本發明中，藉由以光學系統將光聚光可對描繪區域執行描繪。然而，當於描繪對象物所具有之複數個描繪區域中存在大幅傾斜之描繪區域時，有描繪區域不落在光學系統之焦點深度內，無法對描繪區域以所期望之精度執行描繪之情形。於此種情形時，對該描繪區域執行描繪係成為無用地進行不滿足所期望之精度之描繪。

對此於本發明中，取得表示設置於描繪區域之複數個基準點各自的高度之高度資訊，自高度資訊算出表示描繪區域之傾斜之值。接 著，基於算出表示描繪區域之傾斜之值之結果與焦點深度，判斷是否適合對描繪區域執行描繪。此種本發明係有助於抑制無用地執行不滿足所期望之精度之描繪。

如以上般，根據本發明，於藉由對具有複數個描繪區域之描繪對象物之各描繪區域照射光執行描繪之描繪方法及描繪裝置中，可適當地對應關於聚焦調整之問題。

1‧‧‧圖案描繪裝置(描繪裝置)

100‧‧‧描繪引擎

101‧‧‧本體框架

110‧‧‧基板收納盒

120‧‧‧搬送機器人

130‧‧‧基台

140‧‧‧列印頭支持部

141‧‧‧腳構件

143‧‧‧樑構件

150‧‧‧相機

154‧‧‧相機校準器

160‧‧‧平台

161‧‧‧平台移動機構

161X‧‧‧X軸驅動部

161Y‧‧‧Y軸驅動部

161T‧‧‧θ軸驅動部

170‧‧‧光學列印頭(描繪部、光照射器)

171‧‧‧鏡面

172‧‧‧繞射光學元件

173‧‧‧投影光學系統

174‧‧‧透鏡致動器(聚焦調整機構)

180‧‧‧照明部

181‧‧‧雷射驅動部

182‧‧‧雷射振盪器

183‧‧‧照明光學系統

190‧‧‧曝光控制部(控制部)

200‧‧‧電腦

201‧‧‧記憶部

202‧‧‧光柵資料產生部

203‧‧‧修正量算出部

204‧‧‧資料修正部

205‧‧‧帶狀資料產生部

206‧‧‧對準標記檢測部

207‧‧‧高度資訊取得部(資訊取得部)

211‧‧‧設計資料

212‧‧‧光柵資料

300‧‧‧使用者介面

400‧‧‧聚焦控制部

410‧‧‧投光控制部

411‧‧‧光量調節部

420‧‧‧記憶部

430‧‧‧檢測信號處理部

431‧‧‧重心位置算出部

432‧‧‧移動距離算出部

440‧‧‧驅動控制部

450‧‧‧距離檢測部

461‧‧‧LD驅動部

462‧‧‧雷射二極體

463‧‧‧透鏡

464‧‧‧鏡面

471‧‧‧鏡面

472‧‧‧透鏡

473‧‧‧鏡面

474‧‧‧線感測器

500‧‧‧聚焦控制部

510‧‧‧投光控制部

511‧‧‧光量調節部

530‧‧‧檢測信號處理部

531‧‧‧重心位置算出部

532‧‧‧移動距離算出部

540‧‧‧驅動控制部

550‧‧‧距離檢測部

561‧‧‧LD驅動部

562‧‧‧雷射二極體

563‧‧‧透鏡

571‧‧‧鏡面

572‧‧‧透鏡

573‧‧‧鏡面

574‧‧‧線感測器

AM‧‧‧對準標記

B1‧‧‧頻帶

B2‧‧‧區塊

Bx‧‧‧頻帶寬度

C‧‧‧裝置晶片

Dd‧‧‧描繪資料

Dh‧‧‧高度資訊

FL‧‧‧聚焦透鏡

H‧‧‧高度

Ia0‧‧‧基準距離

Ia1‧‧‧實測距離

L‧‧‧雷射光

M‧‧‧樹脂

P‧‧‧間隔

Q1‧‧‧高度

Q2‧‧‧高度

Rc‧‧‧晶片區域(描繪區域)

Rc(1)‧‧‧晶片區域

Rc(2)‧‧‧晶片區域

Ri‧‧‧描繪範圍

S101~S107‧‧‧步驟

S201~S217‧‧‧步驟

Ua‧‧‧對準標記單元

Uh‧‧‧列印頭單元

Vs‧‧‧移動速度

W‧‧‧基板

X-Y-Z‧‧‧座標軸

θ‧‧‧方向

△H‧‧‧高度差

△Rc‧‧‧Z方向範圍寬度

圖1係模式性表示應用本發明之圖案描繪裝置之側視圖。

圖2係表示圖1之圖案描繪裝置所具備之電性構成之方塊圖。

圖3A係表示圖1之圖案描繪裝置之描繪對象物即基板之圖。

圖3B係表示圖1之圖案描繪裝置之描繪對象物即基板之圖。

圖4係模式性表示光學列印頭所具備之構成之圖。

圖5係表示描繪引擎及電腦所具有之電性構成之方塊圖。

圖6係模式性表示對準單元所具備之構成之方塊圖。

圖7係表示對準標記之辨識處理之流程圖。

圖8係表示列印頭單元所具備之構成之方塊圖。

圖9係模式性表示光學列印頭執行之描繪之內容之圖。

圖10係表示以圖1之圖案描繪裝置執行之動作之一例之流程圖。

圖11係模式性表示對準標記之高度與裝置晶片之傾斜之關係之圖。

圖12係表示列印頭單元所具備之構成之變化例之方塊圖。

圖1係模式性表示應用本發明之圖案描繪裝置之側視圖。圖2係表示圖1之圖案描繪裝置所具備之電性構成之方塊圖。該圖案描繪裝置1(描繪裝置)係可對例如於日本專利特開2003-78069號公報或日本專利第4724988號等記載之疑似晶圓執行圖案之描繪。於該圖及以下所 示之圖中，適當設定XYZ正交座標系。此處，XY平面為水平面，Z軸為將箭頭方向設為上方之垂直軸。進而，適當並記繞Z軸旋轉之方向即θ方向。又，適當將各座標軸之箭頭方向稱為正側，適當將與箭頭方向相反之方向稱為負側。

圖案描繪裝置1具有描繪引擎100、電腦200及使用者介面300。電腦200係除了作為產生被稱為帶狀資料之分割曝光用資料並賦予至描繪引擎100之資料處理部之功能以外，亦擔負控制使用者介面300之功能。作為使用者介面300係可使用例如鍵盤或觸控面板方式之顯示器等各種者。

於描繪引擎100中，於對本體框架101安裝未圖示之蓋體而形成之本體內部配置裝置各部構成本體部，並且於本體部之外側(於本實施形態中，如圖1所示本體部之右手側)配置基板收納盒110。於該基板收納盒110中，收納1批量圖案描繪前之未處理基板W，並藉由配置於本體內部之搬送機器人120裝載於本體部。又，於對未處理基板W執行圖案之描繪後，藉由搬送機器人120自本體部卸載該基板W並搬回至基板收納盒110。再者，關於收納於基板收納盒110之1批量之基板W，任一者可為均描繪相同圖案之基板W，亦可混合描繪不同圖案之基板W。

於該本體部中，於本體內部之右手端部配置有搬送機器人120。又，於該搬送機器人120之左手側配置有基台130。該基台130之一端側區域(圖1之右手側區域)為於與搬送機器人120之間進行基板W交接之基板交接區域，相對於此，另一端側區域(圖1之左手側區域)為對基板W進行圖案描繪之圖案描繪區域。

於基台130上，設置有大致水平姿勢保持載置於上表面之基板W之平台160。該平台160係於基台130上藉由平台移動機構161於X方向、Y方向以及θ方向移動。即，平台移動機構161係於基台130之上 表面以Y軸驅動部161Y(圖5)、X軸驅動部161X(圖5)及θ軸驅動部161T(圖5)之順序層積配置者，並使平台160於水平面內二維地移動而定位。藉由使保持基板W之平台160於Y方向水平移動，可使基板W於基板交接區域與圖案描繪區域之間移動。又，藉由使平台160繞θ軸(垂直軸)旋轉，可調整相對於下述之光學列印頭170之相對角度而定位。再者，作為此種平台移動機構161係可使用先前經常使用之X-Y-θ軸移動機構。

又，於基台130之上方，設置有列印頭支持部140。於該列印頭支持部140中，直立設置自基台130朝上方，且於X軸方向互相隔開之1對腳構件141，並且以橋接該等腳構件141之頂部之方式於X方向橫設樑構件143。而且，於樑構件143安裝有對準單元Ua。該對準單元Ua具有固定於樑構件143之圖案描繪區域側側面之相機150，並可藉由該相機150拍攝標註於基板W表面之對準標記。

又，於如此構成之列印頭支持部140設置有列印頭單元Uh。該列印頭單元Uh具有固定於列印頭支持部140之圖案描繪區域側之光學列印頭170(描繪部、光照射器)及照明部180。照明部180係以雷射驅動部181、雷射振盪器182及照明光學系統183構成，且藉由雷射驅動部181之動作而自雷射振盪器182射出之雷射光係經由照明光學系統183朝向於光學列印頭170。結果，對光學列印頭170，藉由照明光學系統183照射強度分佈均勻地整形之雷射光。接著，光學列印頭170係將自照明部180照射之雷射光基於下述之帶狀資料進行調變。

即，光學列印頭170係藉由使該光學列印頭170之正下位置對隨著平台160於Y方向移動之基板W將調變之雷射光朝下出射，而曝光該基板W，對基板W執行圖案之描繪。藉此，對預先形成於基板W之底層圖案重迭描繪圖案。再者，光學列印頭170係可於X方向以複數個通道同時調變光照射，且將X方向稱為「副掃描方向」。又，藉由使 平台160於Y方向移動可描繪相對於基板W於Y方向延伸之帶狀圖案，並將Y方向稱為「主掃描方向」。

圖3A及圖3B係表示圖1之圖案描繪裝置之描繪對象物即基板之圖，如圖3A所示，基板W係將複數個裝置晶片C嵌入於樹脂而固定之疑似晶圓，具有大致圓形狀。具體而言，於基板W之表面中，於XY平面內二維狀互相隔開間隔地排列複數個裝置晶片C。基板W之表面具有光阻劑(感光性材料)之膜，圖案描繪裝置1係藉由將光照射於各晶片區域Rc，對各晶片區域Rc執行圖案之描繪。再者，裝置晶片C之尺寸、形狀、於基板W中之配置數量或佈局等係不限於圖3A之例而係各種，裝置晶片C係半導體晶片等。

如圖3A右側之放大圖所示，於各晶片區域Rc，設置有用以自外部可檢測該晶片區域Rc之位置之對準標記AM。對準標記AM之形狀或位置係較任意，但如該圖所示，較佳為設置於晶片區域Rc內儘可能分開之2處以上。此係由於藉由如此，不僅可檢測XY平面內之晶片區域Rc之位置，亦可檢測θ方向之旋轉角度之故。

另一方面，自光學列印頭170對基板W之描繪係於圖3B以虛線所示般於頻帶B1單位而進行。即，光學列印頭170係藉由同時曝光X方向之長度Bx之範圍且相對於基板W相對性於Y方向掃描移動，進行1頻帶量之描繪。藉由使X方向之基板W與光學列印頭170之相對位置依次變化並反覆進行頻帶B1單位之描繪，最終於基板W之整面進行描繪。頻帶寬度Bx係藉由裝置構成而定，未必與描繪對象物即基板W之晶片區域Rc之尺寸有相關性。相當於該1頻帶量之資料為帶狀資料。再者，實際之資料係於圖3B以虛線所示般，劃分至比頻帶B1之尺寸更進一步細分之區塊B2單位進行處理。

此處，於1頻帶內包含複數個晶片區域Rc，而且，有時於該等晶片區域Rc間高度(Z方向之位置)不同。因此，於本實施形態中，光學 列印頭170係構成為如以下詳述般可根據晶片區域Rc之高度調整聚焦。

圖4係模式性表示光學列印頭所具備之構成之圖。於該圖中，除光學列印頭170以外併入表示基板W。光學列印頭170具有：鏡面171，其反射自照明部180照射之雷射光L；繞射光學元件172，其調變藉由鏡面171反射之雷射光L；及投影光學系統173，其係將藉由繞射光學元件172調變之雷射光L聚光於晶片區域Rc。

繞射光學元件172係以光柵/光閥構成，藉由根據帶狀資料切換可動色帶之開/關，調變雷射光。接著，藉由投影光學系統173(光學系統)將藉由繞射光學元件172調變之雷射光L聚光於晶片區域Rc。藉此，於晶片區域Rc描繪對應於帶狀資料之圖案。

於投影光學系統173中，設置有聚焦透鏡(對物透鏡)FL、透鏡致動器174。該透鏡致動器174係使聚焦透鏡FL於Z方向移動而進行投影光學系統173之聚焦調整。例如，如圖4所示保持於基板W之樹脂M之複數個裝置晶片C之位置於Z方向不一致，結果，於複數個晶片區域Rc之高度不同之情形時，根據晶片區域Rc之高度進行聚焦調整。即，對每個晶片區域Rc，透鏡致動器174進行聚焦透鏡FL之移動及定位，使投影光學系統173之聚焦對準該晶片區域Rc。結果，對任一個晶片區域Rc，均可以特定之精度執行描繪。

再者，各晶片區域Rc之高度不一致係不僅對晶片區域Rc執行描繪時有影響，亦影響以相機150辨識標註於各晶片區域Rc之對準標記AM。因此，描繪裝置1具有使相機150朝Z方向移動之相機致動器154(圖5)。而且，對每個晶片區域Rc，相機致動器154調整相機150之Z方向之位置使相機150之聚焦對準該晶片區域Rc。藉此，對任一個晶片區域Rc均可以特定之精度辨識對準標記AM。

接著，對圖案描繪裝置1之電性構成之詳細進行說明。圖5係表 示描繪引擎及電腦所具有之電性構成之方塊圖。描繪引擎100具有曝光控制部190，其控制對準單元Ua、列印頭單元Uh及平台移動機構161等。對準單元Ua具有控制相機150之聚焦之聚焦控制部400。該聚焦控制部400係藉由控制相機致動器154於Z方向調整相機150之位置，調整相機150之聚焦。又，列印頭單元Uh具有控制光學列印頭170之聚焦之聚焦控制部500。該聚焦控制部500係藉由控制透鏡致動器174於Z方向調整聚焦透鏡FL之位置，調整光學列印頭170之聚焦。

另一方面，電腦200具有CPU(中央處理單元)或記憶部201。而且，藉由CPU按照特定之程式執行運算處理，實現光柵資料產生部202、修正量算出部203、資料修正部204、帶狀資料產生部205、對準標記檢測部206及高度資訊取得部207等功能區塊。各功能區塊係如以下般動作。

例如應對各晶片區域Rc描繪之圖案係以藉由外部之CAD(電腦輔助設計)等形成之矢量形式之設計資料211記述。因此，電腦200係將藉由外部輸入之設計資料211寫入於記憶部201保存。接著，光柵資料產生部202基於設計資料211，作成相當於1個基板W整面之光柵資料212(位元映像資料)。如此作成之光柵資料212係被寫入保存於記憶部201。

又，電腦200作為用以修正基板W之各晶片區域Rc與光學列印頭170之相對性位置之功能區塊，具備對準標記檢測部206、修正量算出部203及資料修正部204。具體而言，對準標記檢測部206係對以相機150拍攝之保持於平台160之基板W之各晶片區域Rc之圖像進行圖像處理，檢測包含於該圖像之對準標記AM之XY座標。另一方面，表示將基板W定位於平台160上正規位置時之對準標記AM之XY座標之資訊係作為設計位置資訊包含於設置資料211。因此，修正量算出部203比較包含於設計資料211之設計位置資訊、與藉由對準標記檢測部206檢 測出之實際位置，算出對準標記AM之自正規位置之位置偏差量，並求出用於消除該位置偏差量所必要之修正量。成為修正對象者係光學列印頭170與基板W之實體上之位置關係、及光柵資料之至少一者。

於藉由使基板W之位置相對於光學列印頭170變化而修正位置偏差之情形時，修正量算出部203係將為此所必要之平台160之移動量作為修正量算出。將以修正量算出部203算出之修正量賦予至描繪引擎100之曝光控制部190。曝光控制部190係根據被賦予之修正量對平台移動機構161之X軸驅動部161X、Y軸驅動部161Y及θ軸驅動部161T分別賦予X、Y、θ各成分之修正指示，基於此X軸驅動部161X、Y軸驅動部161Y及θ軸驅動部161T動作而平台160移動，藉此，修正平台160上之基板W相對於光學列印頭170之位置。

於藉由修正光柵資料而修正位置偏差之情形時，修正量算出部203使用例如於日本專利特開2012-74615號公報所記載之技術，求出修正光柵資料之修正量。接著，資料修正部204基於自修正量算出部203賦予之修正量，修正自記憶部201讀出之光柵資料。帶狀資料產生部205係將經修正之光柵資料分割至頻帶B1單位並產生帶狀資料，輸出於曝光控制部190。接著，以藉由曝光控制部190基於該帶狀資料控制光學列印頭170，消除基板W之位置偏差之方式執行描繪。

如此，作為修正基板W之各晶片區域Rc與光學列印頭170之相對性位置偏差之方法，有基板W相對於光學列印頭170之位置修正、與光柵資料之修正。再者，無需將該等分開使用而可併用。

進而，於本實施形態中，如後面詳述般，基於表示晶片區域Rc之對準標記AM之高度之高度資訊Dh執行控制。即，於藉由相機150辨識對準標記AM時，高度資訊取得部207(資訊取得部)取得表示各晶片區域Rc之對準標記AM之高度之高度資訊Dh。該高度資訊Dh係輸出於帶狀資料產生部205及曝光控制部190。帶狀資料產生部205係將接 收到之高度資訊Dh附加於帶狀資料(頻帶B1單位之光柵資料)產生描繪資料Dd，曝光控制部190係基於接收到之高度資訊Dh決定平台160之朝Y方向之移動速度、或自光學列印頭170照射之光量。接著，基於如此求出之描繪資料Dd、移動速度及照射光量，執行對晶片區域Rc之描繪。接著，對執行關於此種高度資訊Dh之控制之對準單元Ua及列印頭單元Uh之構成及動作進行說明。

圖6係模式性表示對準單元所具備之構成之方塊圖。於該圖中，除了對準單元Ua以外亦並記電腦200及基板W。對準單元Ua具有聚焦控制部400及距離檢測部450。距離檢測部450安裝於相機150，並可與相機150一體於Z方向移動。距離檢測部450之檢測位置設定為相機150之光軸與基板W表面之交點或其附近，距離檢測部450檢測基板W表面之檢測位置與相機150之朝Z方向之距離。上述距離檢測部450具有投光系統，其係以LD驅動部461、雷射二極體(LD)462、透鏡463及鏡面464構成；受光系統，其係以鏡面471、透鏡472、鏡面473及線感測器474構成。

當接收到LD驅動部461之驅動時，雷射二極體462係朝垂直方向之下側射出雷射光。自雷射二極體462射出之雷射光通過透鏡463後藉由鏡面464反射，並自斜上方入射於基板W。入射於基板W之雷射光係藉由基板W朝斜上方反射後入射於鏡面471。鏡面471係朝垂直方向之上側反射雷射光，進而鏡面473係將以鏡面471反射之雷射光朝水平方向反射。接著，以鏡面473反射之雷射光入射於線感測器474。線感測器474係平行於Z方向而設置，並輸出拍攝入射之雷射光之結果。

於上述之構成中，若基板W表面之高度變化，則入射於線感測器474之雷射光之位置於Z方向變化。結果，線感測器474之攝像結果之雷射光之位置於Z方向亦變化。如此，由於基板W表面之高度與攝像結果之雷射光之位置有相關，故基於攝像結果之雷射光之Z方向之位 置，判斷自距離檢測部450至基板W之距離。又，如上述般，距離檢測部450安裝於相機150，且固定該等之相對位置關係。因此，基於線感測器474之攝像結果之雷射光之位置，判斷自相機150至基板W之距離。

因此，聚焦控制部400係於辨識基板W之對準標記AM時，基於藉由距離檢測部450檢測出之相機150與基板W之距離之結果，調整相機150之聚焦。該聚焦控制部400具有投光控制部410、記憶部420、檢測信號處理部430及驅動控制部440。投光控制部410具有光量調節部411，並藉由以光量調節部411控制LD驅動部461，調節自雷射二極體462射出之雷射光之光量。記憶部420記憶基準距離Ia0。該基準距離Ia0係將相機150之聚焦對準於載置於平台160之具有水平且平坦之表面的理想基板W之該表面時之相機150與基板W之距離，例如可藉由執行記載於日本特開2013-77677號公報之校準求出。

檢測信號處理部430具有重心位置算出部431及移動距離算出部432。重心位置算出部431係自線感測器474輸出之雷射光之攝像結果，算出雷射光之Z方向之重心位置，並自該重心位置求出相機150與基板W之實測距離Ia1。移動距離算出部432係基於實測距離Ia1與基準距離Ia0之差量，求出為了使聚焦對準於基板W之表面而應使相機150移動之移動量，並輸出於驅動控制部440。接著，驅動控制部440控制相機致動器154，使相機150於Z方向僅移動該移動量。如此，調整相機150之聚焦。

此種對準單元Ua係於辨識設置於基板W之複數個裝置晶片C各自之對準標記AM之XY座標時，可根據各對準標記AM之高度調整相機150之聚焦。結果，可高精度地辨識對準標記AM之XY座標。進而，於本實施形態中，與對準標記AM之XY座標之辨識並行，亦進行對準標記AM之高度H之辨識。對該方面，於圖5及圖6併用圖7進行說明。

圖7係表示對準標記之辨識處理之流程圖。該圖之流程圖係藉由曝光控制部190控制裝置各部而執行。於步驟S101中，將識別對準標記AM之識別序號N設定為「0」，於步驟S102中，遞增識別序號N。於步驟S103中，藉由曝光控制部190控制平台移動機構161，使平台160於XY平面內移動，並使相當於識別序號N之對準標記AM位於相機150之下方，落於相機150之視野。接著，於步驟S104中，聚焦控制部400將相機150之聚焦調整至識別序號N之對準標記AM。具體而言，如上述般，測量實測距離Ia1，計算實測距離Ia1與基準距離Ia0之差。接著，基於經計算之實測距離Ia1與基準距離Ia0之差，將相機150之聚焦調整至對準標記AM。附帶一提，實測距離Ia1與基準距離Ia0之差係相當於以載置於平台160之理想基板W之表面為基準之對準標記AM之高度H(H=Ia1-Ia0)。

於步驟S105中，於將相機150之聚焦調整至對準標記AM之狀態，對準標記檢測部206使用模板配對等技術檢測對準標記AM，辨識對準標記AM之XY座標。進而，於步驟S105中，將對準標記AM之XY座標、與步驟S104中求出之對準標記AM之高度H(=Ia1-Ia0)向電腦200之高度資訊取得部207輸出，並互相建立關聯。此時，可於結束對全部對準標記AM測量XY座標及高度H後，向高度資訊取得部207輸出，亦可於對1個對準標記AM測量XY座標及高度H時向高度資訊取得部207輸出。接著，於步驟S106中，將步驟S105中取得之結果作為高度資訊Dh記憶於記憶部201。

於步驟S107中，判斷識別序號N是否大於Nmax。此處，Nmax係相當於存在於基板W之對準標記AM之總數。接著，於識別序號N為Nmax以下之情形(步驟S107「否」之情形)係執行步驟S102~S106，並求出另外之對準標記AM之XY座標及高度H。接著，於識別序號N大於Nmax時(步驟S107「是」之情形)時，結束圖7之流程圖。藉由執行 上述流程圖，對存在於基板W之全部對準標記AM，XY座標與高度H可建立關聯，可求出高度資訊Dh。因此，若參照高度資訊Dh，則可判斷各對準標記AM之XY座標與高度H。

而且，於本實施形態中，藉由如此求出之高度資訊Dh控制列印頭單元Uh之光學列印頭170之對晶片區域Rc之描繪。圖8係表示列印頭單元Uh所具備之構成之方塊圖。圖9係模式性表示光學列印頭所描繪之內容之圖。再者，於圖8中除了列印頭單元Uh以外並記曝光控制部190。又，於圖9中，以聚焦透鏡FL代表顯示光學列印頭170，且對2個晶片區域Rc分別標註用於區分之不同符號Rc(1)、Rc(2)。如圖8所示，對聚焦控制部500，曝光控制部190輸出自記憶部201(圖5)讀出之高度資訊Dh。接著，聚焦控制部500係基於接收到之高度資訊Dh驅動透鏡致動器174，使聚焦透鏡FL於Z方向移動。關於該方面，若使用圖9之例進行說明則如以下般。

於圖9之例中，基板W(描繪對象物)於Y方向正側以移動速度Vs移動，光學列印頭170將經調變之雷射光照射於正下之照射範圍Ri，並對依序到達照射範圍Ri之各晶片區域Rc(1)、Rc(2)執行描繪。此時，2個晶片區域Rc(1)、Rc(2)各自之高度Q1、Q2係互不相同。此處，高度Q1、Q2係以載置於平台160之理想基板之表面為基準之高度。因此，於各晶片區域Rc(1)、Rc(2)到達照射範圍Ri之前，必須根據高度Q1、Q2之不同使聚焦透鏡FL移動，調整聚焦。因此，曝光控制部190及聚焦控制部500協動，基於高度資訊Dh控制聚焦透鏡FL之聚焦。

首先，如圖9之「描繪晶片區域Rc(1)」之欄所示，對於晶片區域Rc(1)執行描繪時之動作進行說明。於對晶片區域Rc(1)執行描繪時，曝光控制部190係將表示晶片區域Rc(1)之對準標記AM之高度H之高度資訊Dh輸出於驅動控制部540。接著，驅動控制部540係基於高度資訊Dh所表示之對準標記AM之高度H，求出晶片區域Rc(1)之高度Q1。 附帶一提，於本實施形態中，於1個晶片區域Rc設置2個對準標記AM。於此種情形時，例如可將對準標記AM之高度H之平均值作為高度Q1求出。接著，驅動控制部540係藉由透鏡致動器174控制聚焦透鏡FL之位置，並將光學列印頭170之聚焦調整至高度Q1。此後，於晶片區域Rc(1)通過照射範圍Ri之期間，將光學列印頭170之聚焦維持於高度Q1。結果，於聚焦位於晶片區域Rc(1)之狀態，對晶片區域Rc(1)執行描繪。

接著，如圖9之「晶片區域間之移動期間」所示，於晶片區域Rc(1)結束通過照射範圍Ri時，開始調整光學列印頭170之朝接著應描繪之晶片區域Rc(2)之聚焦。具體而言，於以晶片區域Rc(1)結束通過照射範圍Ri為契機，曝光控制部190係將表示晶片區域Rc(2)之對準標記AM之高度之高度資訊Dh輸出於驅動控制部540。驅動控制部540係與晶片區域Rc(1)之情形相同，基於高度資訊Dh所表示之對準標記AM之高度H求出晶片區域Rc(2)之高度Q2。接著，驅動控制部540係藉由透鏡致動器174使聚焦透鏡FL朝Z方向(於此例中係下側)以最大速度Vc移動，將光學列印頭170之聚焦調整至高度Q2。此處，速度Vc係每單位時間可調整之聚焦之調整量之最大值。

即，於圖9之「晶片區域間之移動期間」中，執行求出接著到達照射範圍Ri之晶片區域Rc(2)之高度Q2調整光學列印頭170之聚焦之前饋控制。藉此，於照射範圍Ri移動晶片區域Rc(1)與晶片區域Rc(2)之間之距離P之移動期間，可結束將光學列印頭170之聚焦調整至高度Q2。再者，使光學列印頭170之聚焦移動之速度係無需一定為最大速度Vc，但藉由以最大速度Vc移動，可於移動期間確實結束聚焦之調整。

接著，如圖9之「描繪晶片區域Rc(2)」之欄所示，於晶片區域Rc(2)通過照射範圍Ri之期間，將光學列印頭170之聚焦維持於高度 Q2。結果，於聚焦位於晶片區域Rc(2)之狀態，執行對晶片區域Rc(2)之描繪。又，圖9中未表示，但對於晶片區域Rc(2)之後依序到達照射範圍Ri之各晶片區域Rc，亦相同地控制光學列印頭170之聚焦。

如此於本實施形態中，基於包含於描繪資料Dd之高度資訊Dh控制(前饋控制)光學列印頭170(光照射器)之聚焦。因此，根據高度資訊Dh所表示之各晶片區域Rc(描繪區域)之高度H之不同調整聚焦，可使聚焦追隨依序到達照射範圍Ri之各晶片區域Rc之高度。結果，於各晶片區域Rc依序到達照射範圍之時間間隔期間，可使聚焦僅調整對應於各晶片區域Rc之高度H之不同之量。

然而，上述之高度資訊Dh係不僅對光學列印頭170之聚焦之調整有用，亦可有效地使用於各種用途。具體而言，首先執行圖9所示之描繪，基於高度資訊Dh可判斷描繪所必要之各種條件是否合適。接著，基於該判斷結果，可進行條件之變更、或停止描繪之執行。接著，使用圖10之流程圖對該方面進行說明。

圖10係表示以圖1之圖案描繪裝置執行之動作之一例之流程圖。於步驟S201中，作業者經由使用者介面300，於電腦200對全部裝置晶片C設定於後續步驟S205中成為執行辨識XY座標及高度H之對象之對準標記AM之位置。再者，於圖3A所示之例中，於1個裝置晶片C設置有2個對準標記AM，但無需設定該等對準標記AM之全部位置。然而，為了自對準標記AM求出基板W之XY平面內之位置偏差與朝θ方向之傾斜，較佳為對1個裝置晶片C至少設定2個對準標記AM之位置。接著，電腦200係將該設定結果作為測量位置參數記憶於記憶部201。

於步驟S202中，作業者經由使用者介面300於電腦200設定描繪參數。該描繪參數係表示描繪所使用之設計資料211、描繪時之平台160之移動速度Vs及光量等者，並記憶於電腦200之記憶部201。於接 著之步驟S203中，作業者經由使用者介面300指定描繪參數，並以執行按照該描繪參數之描繪之方式對電腦200指示。

於步驟S204中，對圖案描繪裝置1搬入基板W，並保持於平台160。於接著之步驟S205(資訊取得步驟)中，取得高度資訊Dh。具體而言，對步驟S201中設定之測量位置參數所表示之各對準標記AM執行圖7所示之流程圖，執行各對準標記AM之XY座標及高度H之辨識，取得高度資訊Dh。

於步驟S206中，曝光控制部190(控制部)基於自電腦200之記憶部201讀出之高度資訊Dh，算出表示各晶片區域Rc之傾斜之量。關於該方面，參照圖11進行說明。此處，圖11係模式性表示對準標記之高度與裝置晶片之傾斜之關係之圖。於圖11中，晶片區域Rc相對於Z方向傾斜，對應於此，設置於該晶片區域Rc之各對準標記AM之間產生高度差△H。上述之高度差△H係晶片區域Rc越傾斜越大。因此，藉由求出設置於晶片區域Rc之複數個對準標記AM之高度差△H，可辨識晶片區域Rc之傾斜程度。

此時，若晶片區域Rc之傾斜過大，則晶片區域Rc不落在光學列印頭170(之投影光學系統173)之焦點深度內，亦設想為於該晶片區域Rc不適宜執行描繪之情形。因此，於步驟S207(算出步驟)中，基於算出對準標記AM之高度差△H之結果，自基板W之全部晶片區域Rc中探索有不落在光學列印頭170之焦點深度內可能性之晶片區域Rc。具體而言，於曝光控制部190，預先記憶光學列印頭170之焦點深度，曝光控制部190係將對準標記AM之高度差△H大於將不滿1大於0之係數(容限)相乘於焦點深度之值之晶片區域Rc作為描繪不適宜之區域進行探知。附帶一提，對準標記AM之高度差△H小於晶片區域Rc於Z方向所占範圍之寬度△Rc。又，該等之差依存於對準標記AM接近於晶片區域Rc之端部，或接近於中央。因此，相乘於焦點深度之係數之值係較 佳為添加該方面而設定。即，於對準標記AM接近於晶片區域Rc之端部之情形時，將該係數設定為相對較大(接近「1」之值)，於對準標記AM接近於晶片區域Rc之中央之情形時，將該係數設定為相對較小(接近「0」之值)即可。

如此基於自全部晶片區域Rc中探知不適宜執行描繪之描繪不適宜區域之結果，於步驟S208(判斷步驟)中，判斷是否適合執行曝光控制部190對基板W之描繪。接著，於基板W存在描繪不適宜區域之情形時，判斷為不適宜執行對基板W之描繪(即「否」)並結束圖10之流程圖。另一方面，於基板W不存在描繪不適宜區域之情形時，判斷為適合執行對基板W之描繪(即「是」)並執行步驟S209。

於步驟S209中，曝光控制部190(控制部)係基於光學列印頭170藉由透鏡致動器174可調整聚焦之能力(聚焦調整能力)判斷是否適合執行對基板W之描繪。此係判斷光學列印頭170是否具有使聚焦僅追隨於依序到達照射範圍Ri之晶片區域Rc之高度之不同之聚焦調整能力者。

參照先前所示之圖9進行說明。於圖9中，隨著基板W以移動速度Vs於Y方向移動，於晶片區域Rc(1)到達照射範圍Ri後，晶片區域Rc(2)到達照射範圍Ri。換言之，光學列印頭170係於晶片區域Rc(1)與晶片區域Rc(2)之間以移動速度Vs相對性移動。因此，於光學列印頭170於晶片區域Rc(1)、晶片區域Rc(2)之間之移動時間T之期間，必須使聚焦僅調整晶片區域Rc(1)、Rc(2)之高度差△Q(=|Q1-Q2|)。是否能進行上述調整係可基於是否滿足例如下述之條件式△Q/T<Vc

而判斷。此處，如上述般速度Vc係每單位時間可調整之聚焦之調整量之最大值。附帶一提，由於移動時間T係以晶片區域Rc(1)、Rc(2)之Y方向之間隔P除以移動速度Vs之值，故上述條件式可變形為 △Q/P<T/Vs。

此時，依序到達照射範圍Ri之2個晶片區域Rc之Y方向之間隔P係自設計資料211或步驟S205中取得之對準標記AM之XY座標估算即可。又，依序到達照射範圍Ri之2個晶片區域Rc之高度差△Q(移動中調整量)係自步驟S205中取得之高度資訊Dh估算即可。

附帶一提，於照射範圍Ri中3個以上之晶片區域Rc依序到達。然而，步驟S209之判斷係無需對依序到達照射範圍Ri之2個晶片區域Rc之全部組合進行，對條件最嚴格，換言之△Q/T最大之2個晶片區域Rc之組合進行即可。

接著，於步驟S209中判斷以光學列印頭170之聚焦調整能力可調整聚焦時，於步驟S210中判斷適合執行對基板W之描繪(即「是」)，並執行下述之步驟S215。另一方面，於步驟S209中判斷無法以光學列印頭170之聚焦調整能力調整聚焦時，於步驟S210中判斷不適宜執行對基板W之描繪(即「否」)，並執行步驟S211。

於步驟S211中，經由使用者介面300，將不適宜執行對基板W之描繪之意旨通知於作業者，並且讓作業者選擇「取消描繪」或「降低平台速度執行描繪」之任一者。接著，於作業者選擇前者之情形(於步驟S212中「是」之情形)時，結束圖10之流程圖。另一方面，於作業者選擇後者之情形(於步驟S212中「否」之情形)時，執行步驟S213。

於步驟S213(速度決定步驟)中，使平台160之移動速度Vs之設定值降低至聚焦之調整可追隨之程度。若參照先前所示之圖9進行說明，則於該步驟中，求出相對於光學列印頭170於2個晶片區域Rc(1)、Rc(2)之間相對移動之移動距離P之聚焦之移動中調整量△Q(=|Q1-Q2|)之比F(=P/△Q)。接著，以滿足下述條件式F<Vc/Vs

之方式決定移動速度Vs。尤其是於條件最嚴格，換言之，於依序到達照射範圍Ri之2個晶片區域Rc全部之組合各自之比F中，關於最大之比Fmax，以滿足下述條件式Fmax<Vc/Vs

之方式決定移動速度Vs。接著，基於該決定結果，更新曝光控制部190之移動速度Vs之設定值。

執行步驟S213之結果，降低移動速度Vs之設定值。於此種情形時，對到達照射範圍Ri之晶片區域Rc，更長時間照射來自光學列印頭170之雷射光L。結果，有將過量之雷射光照射於晶片區域Rc之虞。因此，於步驟S214(光量決定步驟)中，曝光控制部190根據步驟S213中決定之移動速度Vs，減少於描繪時照射於照射範圍Ri之光量之設定值。具體而言，以相對於移動速度Vs之照射於照射範圍Ri之每單位時間之光能量之比為特定值之方式，或落在特定值範圍之方式，決定照射於照射範圍Ri之光量之設定值，並記憶於曝光控制部190。接著，曝光控制部190係基於該設定值控制雷射驅動部181，藉此，於對基板W之各晶片區域Rc執行描繪時，可將適當量之雷射光L照射於晶片區域Rc。

接著，於步驟S215中，自對準標記AM之XY座標之測量結果修正光柵資料212，且於步驟S216中，將光柵資料212(帶狀資料)與高度資訊Dh建立關聯並產生描繪資料Dd。接著，於步驟S217(描繪步驟)中，曝光控制部190係以步驟S213中設定之固定之移動速度Vs使平台160移動，並以步驟S214中設定之光量將雷射光照射於照射範圍Ri，藉此，執行對基板W之各晶片區域Rc之描繪。再者，該等之詳細係如已上述般。此時，可於集齊關於基板W之全部描繪資料Dd後開始描繪，亦可例如產生1頻帶B1量之描繪資料Dd時，執行對該描繪資料Dd之描繪。

如以上說明般，於本實施形態中，藉由以具有光學列印頭170之投影光學系統173將雷射光聚光可對晶片區域Rc(描繪區域)執行描繪。然而，當基板W(描繪對象物)所具有之複數個晶片區域Rc中存在較大幅傾斜之晶片區域Rc時，晶片區域Rc不落在投影光學系統173之焦點深度內，有無法對晶片區域Rc以所期望之精度執行描繪之情形。於此種情形時，對該晶片區域Rc執行描繪係成為無用地進行不滿足所期望之精度之描繪。

對此於本實施形態中，取得表示設置於晶片區域Rc之複數個對準標記AM(基準點)各自之高度之高度資訊Dh(步驟S205)，自高度資訊Dh算出表示晶片區域Rc之傾斜之值(對準標記AM之高度差△H)(步驟S207)。接著，基於算出描繪區域傾斜之值△H之結果與焦點深度，判斷是否適合對晶片區域Rc執行描繪(步驟S208)。於此種本實施形態中，有助於抑制無用地進行不滿足所期望之精度之描繪。

又，於本實施形態中，根據表示高度資訊Dh之晶片區域Rc之高度之不同調整使光學列印頭170相對於基板W相對移動之移動速度Vs。因此，可實現延長各晶片區域Rc依序到達照射範圍Ri之時間間隔之控制，可確保於該時間間隔期間調整聚焦所需要之時間。結果，於晶片區域Rc依序到達照射範圍Ri之時間間隔期間，可使聚焦僅調整對應於各晶片區域Rc之高度差△Q之量。

具體而言，基於於照射範圍Ri中執行描繪之2個晶片區域Rc之間光學列印頭170於相對移動之移動時間T應調整之聚焦之調整量△Q(移動中調整量)，決定移動速度Vs。於上述之構成中，於2個晶片區域Rc依序到達照射範圍Ri之時間間隔期間，可完成聚焦所必要之調整量△Q之調整，即，可使聚焦之調整追隨於依序到達照射範圍Ri之各晶片區域Rc之高度差△H。

又，於本實施形態中，取得表示晶片區域Rc之高度之高度資訊 Dh(步驟S205)。接著，基於自高度資訊Dh求出於晶片區域Rc之描繪時應調整之聚焦之調整量之結果、與透鏡致動器174(聚焦調整機構)之聚焦調整能力，判斷是否適合執行對基板W之描繪(步驟S208、S209)。於此種實施形態中，有助於抑制以調整不充分之聚光無用地進行不滿足所期望之精度之描繪。

又，於步驟S209中判斷為不適宜執行描繪之情形時，將該意旨通知於作業者(步驟S211)。因此，作業者可掌握不適宜執行描繪。結果，作業者可適當地執行必要之對應作業，可謀求提高作業者之作業效率。

又，於步驟S209中判斷為適合執行描繪之情形時，執行描繪(步驟S217)。於上述之構成中，可以適當調整之聚焦執行滿足所期望之精度之描繪。

然而，於上述實施形態中，基於高度資訊Dh前饋控制光學列印頭170之聚焦。對此，於接著說明之實施形態中，對光學列印頭170，執行前饋控制及反饋控制。再者，由於作為上述實施形態與接著實施形態之主要不同係反饋控制之有無，故於以下中以差異點為中心進行說明，對共通點標註相當符號適當省略說明。再者，藉由具備與上述實施形態共通之構成而取得相同之效果之方面係當然不用說。

圖12係表示列印頭單元所具備之構成之變化例之方塊圖。再者，於圖12中除了列印頭單元Uh以外並記曝光控制部190及基板W。變化例之列印頭單元Uh係除了聚焦控制部500以外尚具有距離檢測部550。距離檢測部550安裝於光學列印頭170。距離檢測部550之檢測位置設定於光學列印頭170之光軸與基板W表面之交點或其附近，與光學列印頭170之照射範圍Ri一致。即，距離檢測部550測定相對於基板W之表面設定之照射範圍Ri與光學列印頭170之於Z方向之距離。上述距離檢測部550具備與上述距離檢測部450相同之構成，具有：投光系 統，其係以LD驅動部561、雷射二極體(LD)562、透鏡563及鏡面564構成；受光系統，其係以鏡面571、透鏡572、鏡面573及線感測器574構成。因此，基於線感測器574之攝像結果中雷射光之位置，判斷自光學列印頭170至基板W之距離。

因此，聚焦控制部500係於對基板W之晶片區域Rc執行描繪時，基於藉由距離檢測部550檢測光學列印頭170與基板W之距離之結果，調整光學列印頭170之聚焦。該聚焦控制部500具有投光控制部510、檢測信號處理部530及驅動控制部540。投光控制部510具有光量調節部511，並藉由以光量調節部511控制LD驅動部561，調節自雷射二極體562出射之雷射光之光量。

檢測信號處理部530具有重心位置算出部531及移動距離算出部532。重心位置算出部531係自線感測器574輸出之雷射光之攝像結果，算出雷射光之Z方向之重心位置，並自該重心位置求出光學列印頭170與基板W之距離。移動距離算出部532係基於經測定之光學列印頭170與基板W之距離，求出為了使聚焦對準於基板W之表面而應使聚焦透鏡FL移動之移動量，並輸出於驅動控制部540。接著，驅動控制部540控制透鏡致動器174，使聚焦透鏡FL於Z方向僅移動該移動量。如此，反饋控制光學列印頭170之聚焦。此種反饋控制係可以例如日本專利特開2013-77677號公報所記載之方式執行。

於上述之構成中，執行切換基於檢測至基板W之距離之結果之反饋控制、與基於高度資訊Dh之前饋控制，執行對基板W之晶片區域Rc之描繪(圖10所示之步驟S217)。關於該方面，參照先前所示之圖9進行說明。

如圖9之「描繪晶片區域Rc(1)」之欄所示，於晶片區域Rc(1)通過照射範圍Ri之期間，停止前饋控制，另一方面，執行反饋控制。因此，基於檢測出存在於照射範圍Ri內之晶片區域Rc(1)之高度之結 果，反饋控制光學列印頭170之聚焦。因此，即使於例如晶片區域Rc(1)自水平面傾斜之情形，亦可根據該傾斜調整聚焦，並對該晶片區域Rc(1)執行描繪。

另一方面，如圖9之「晶片區域間之移動期間」所示，當晶片區域Rc(1)結束通過照射範圍Ri時，停止反饋控制，並且開始調整光學列印頭170之朝接著應描繪之晶片區域Rc(2)之聚焦。具體而言，以晶片區域Rc(1)結束通過照射範圍Ri為契機，驅動控制部540係藉由忽視自移動距離算出部532輸出之移動量停止反饋控制，並且開始光學列印頭170之聚焦之前饋控制。再者，前饋控制之內容係與上述實施形態相同。

此處，停止反饋控制之理由係如以下。即，於晶片區域Rc(1)結束通過照射範圍Ri後，直至晶片區域Rc(2)到達照射範圍Ri之期間，距離檢測部550檢測晶片區域Rc(1)、Rc(2)之間之樹脂M之表面。因此，若不停止反饋控制，則控制以欲使光學列印頭17之聚焦對準於樹脂M表面之方式動作。結果，有無法根據接著之晶片區域Rc(2)之高度順暢地調整光學列印頭170之聚焦之虞。因此，於距離檢測部550檢測晶片區域Rc(1)、Rc(2)之期間，較佳為停止反饋控制。

接著，如圖9之「描繪晶片區域Rc(2)」之欄所示，當晶片區域Rc(2)到達照射範圍Ri時，停止前饋控制，另一方面，開始反饋控制。

再者，本發明係並非限定於上述之實施形態者，只要不脫離其主旨可對上述者以外進行各種變更。例如，於圖10之步驟S208中，於判斷為不適宜執行描繪之描繪不適宜區域存在於複數個晶片區域Rc中之情形時，直接結束圖10之流程圖。然而，於描繪不適宜區域存在之情形時，亦可經由使用者介面300，將該意旨通知於作業者(通知步驟)。於上述之構成中，作業者可掌握描繪不適宜區域之存在。結 果，作業者能適當地執行必要之對應作業，可謀求提高作業者之作業效率。

進而，將描繪不適宜區域存在之意旨通知於作業者，且可至少讓作業者選擇是否對描繪不適宜區域以外之晶片區域Rc執行描繪。於上述之構成中，例如於描繪不適宜區域較多(特定個數以上)之情形時停止對基板W所具有之全部晶片區域Rc之描繪，另一方面，於描繪不適宜區域較少(不滿特定個數)之情形時，作業者至少可進行對描繪不適宜區域以外之晶片區域Rc執行描繪之判斷。

或者，於圖10之步驟S207、S208中判斷不適宜執行描繪之描繪不適宜區域存在之情形時，可如下構成：於步驟S217中對描繪不適宜區域以外之晶片區域Rc執行描繪，對描繪不適宜區域不執行描繪。於上述之構成中，不會對描繪不適宜區域無用地進行不滿足所期望之精度之描繪，可對描繪不適宜區域以外之晶片區域Rc適當地執行描繪。

又，於圖10之步驟S207、S208中判斷不適宜執行描繪之描繪不適宜區域存在之情形時，可於步驟S215、S216(資料產生步驟)中產生包含表示於進行顯影處理時全部去除描繪不適宜區域之光阻劑之資料之描繪資料Dd。此處，所謂表示全部去除描繪不適宜區域之光阻劑之資料係於使用負型光阻劑之情形時，相當於表示對描繪不適宜區域不執行曝光之資料，於使用正型光阻劑之情形時，相當於表示對描繪不適宜區域整體執行曝光之資料。

接著，於步驟S217中，基於上述描繪資料Dd執行描繪即可。於上述之構成中，於描繪資料Dd表示對描繪不適宜區域執行曝光之意旨之情形時，曝光描繪不適宜區域之光阻劑整體，於描繪資料Dd表示不執行對描繪不適宜區域之曝光之意旨之情形時，對描繪不適宜區域之光阻劑不執行曝光。結果，例如於以後之製程中，可容易識別全部去除光阻劑之晶片區域Rc為描繪不適宜區域。

再者，於上述般描繪不適宜區域係不適宜描繪，即，不適宜曝光之晶片區域Rc。然而，由於此時對描繪不適宜區域之曝光係以可曝光光阻劑整體程度之精度就足夠(換言之，由於不需要描繪圖案之精度)，故即使執行亦無大礙。

又，於上述實施形態中，併用基於高度資訊Dh控制光學列印頭170之聚焦調整之構成、與基於高度資訊Dh控制基板W之移動速度Vs之構成。然而，即使僅使用該等中之一者，亦可獲得對應於各構成之效果。

附帶一提，於不執行基於高度資訊Dh之前饋控制之情形時，可如下般調整光學列印頭170之聚焦。即，以於基板W之移動方向中檢測比照射範圍Ri更上游側位置之距離之方式，配置距離檢測部550。接著，於步驟S217中，以距離檢測部550檢測至到達照射範圍Ri前之晶片區域Rc之距離，並基於該結果調整聚焦。結果，可於該晶片區域Rc到達照射範圍Ri之前，調整光學列印頭170之聚焦，對該晶片區域Rc以所期望之精度執行描繪。

又，於上述實施形態中，於圖10之步驟S217中，以自高度資訊Dh求出之固定之移動速度Vs使光學列印頭170相對於基板W相對性移動。然而，使光學列印頭170對基板W相對性移動之移動速度Vs係無需固定，亦可適當變化。例如，於步驟S217中，藉由基於高度資訊Dh前饋控制該移動速度Vs，根據依序到達照射範圍Ri之晶片區域Rc之間隔之不同調整移動速度Vs。

具體而言，對連續於照射範圍Ri執行描繪之2個晶片區域Rc之組合各者，求出滿足下述條件式F<Vc/Vs

之移動速度Vs，於步驟S217中，可以對2個晶片區域Rc之各組合求出之移動速度Vs使光學列印頭170於各晶片區域Rc之間相對性移 動。

又，於上述實施形態中，藉由以平台160使基板W相對於基台130移動，使光學列印頭170相對於基板W相對性移動。然而，亦可藉由使光學列印頭170相對於基台130移動，使光學列印頭170相對於基板W相對性移動。

又，於上述實施形態中，使用對準用之相機150求出對準標記AM之高度H。然而，亦可設置與相機150分開之距離感測器，與以相機150辨識對準標記AM之XY座標並行，藉由距離感測器求出對準標記AM之高度H。

又，亦可適當變更設置於1個晶片區域Rc之對準標記AM之個數或配置。

如以上說明般，上述實施形態第1態樣之描繪方法具備：資訊取得步驟，其取得表示設置於具有複數個描繪區域之描繪對象物之描繪區域之複數個基準點各自之高度之高度資訊；算出步驟，其係自資訊取得步驟中取得之高度資訊算出表示描繪區域之傾斜之值；及判斷步驟，其係基於光學系統之焦點深度與算出步驟中算出之表示描繪區域之傾斜之值，判斷是否適合藉由以光學系統將光聚光對描繪區域執行描繪。

上述實施形態之第1態樣之描繪裝置具備：描繪部，其具有將光源及自光源射出之光聚光之光學系統，並藉由對具有複數個描繪區域之描繪對象物之描繪區域以光學系統將光聚光可對描繪區域執行描繪；資訊取得部，其取得表示設置於描繪區域之複數個基準點各自之高度之高度資訊；記憶部，其記憶光學系統之焦點深度；及控制部，其係基於自資訊取得部取得之高度資訊算出表示描繪區域之傾斜之值之結果與焦點深度，判斷是否適合執行對描繪區域之描繪。

於此種構成中，藉由以光學系統將光聚光可對描繪區域執行描 繪。然而，當描繪對象物所具有之複數個描繪區域中存在大幅傾斜之描繪區域時，有描繪區域不落在光學系統之焦點深度內，無法對描繪區域以所期望之精度執行描繪之情形。於此種情形時，對該描繪區域執行描繪係成為無用地進行不滿足所期望之精度之描繪。

對此於上述實施形態之第1態樣中，取得表示設置於描繪區域之複數個基準點各自之高度之高度資訊，並自高度資訊算出表示描繪區域之傾斜之值。接著，基於算出表示描繪區域之傾斜之值之結果與焦點深度，判斷是否適合對描繪區域執行描繪。此種構成係有助於抑制無用地執行不滿足所期望之精度之描繪。

又，可如下構成描繪方法：進而具備當於判斷步驟中判斷為不適宜執行描繪之描繪不適宜區域存在於複數個描繪區域中之情形時，將描繪不適宜區域存在之意旨通知於作業者之通知步驟。於上述之構成中，作業者可掌握描繪不適宜區域之存在。結果，作業者能適當地執行必要之對應作業，可謀求提高作業者之作業效率。

進而，可如下構成描繪方法：於通知步驟中，將描繪不適宜區域存在之意旨通知於作業者，並至少讓作業者選擇是否對描繪不適宜區域以外之描繪區域執行描繪。於上述構成中，例如於描繪不適宜區域較多(特定個數以上)之情形時停止對描繪對象物所具有之全部描繪區域之描繪，另一方面，於描繪不適宜區域較少(不滿特定個數)之情形時，作業者至少可進行對描繪不適宜區域以外之描繪區域執行描繪之判斷。

又，可如下構成描繪方法：進而具備當判斷為不適宜執行描繪之描繪不適宜區域存在於複數個描繪區域中之情形時，對描繪不適宜區域以外之描繪區域執行描繪，對描繪不適宜區域不執行描繪之描繪步驟。於上述構成中，不會對描繪不適宜區域無用地執行不滿足所期望之精度之描繪，而可對描繪不適宜區域以外之描繪區域適當地執行 描繪。

又，於對描繪區域所具有之感光性材料執行描繪之描繪方法中，可如下構成描繪方法：該描繪方法具備：資料產生步驟，其係於判斷步驟中判斷為不適宜執行描繪之描繪不適宜區域存在於複數個描繪區域中之情形時，根據感光性材料之曝光狀態進行去除感光性材料之處理與產生包含表示全部去除描繪不適宜區域之感光性材料之資料之描繪資料；及描繪步驟，其係基於資料產生步驟中產生之描繪資料至少對描繪不適宜區域以外之描繪區域執行描繪；於描繪步驟中，於描繪資料表示對描繪不適宜區域執行曝光之意旨之情形時，曝光描繪不適宜區域之感光性材料整體；於描繪資料表示不執行對描繪不適宜區域之曝光之意旨之情形時，不執行對描繪不適宜區域之感光性材料之曝光。於上述構成中，其後根據感光性材料之曝光狀態進行去除感光性材料之處理時，全部去除描繪不適宜區域之感光性材料。結果，例如於以後之製程中，可容易地識別全部去除感光性材料之描繪區域為描繪不適宜區域。

此處，所謂根據感光性材料之曝光狀態去除感光性材料之處理，係例如相當於顯影處理。又，所謂表示全部去除描繪不適宜區域之感光性材料之資料係例如於使用負型光阻劑作為感光性材料之情形時，相當於表示對描繪不適宜區域不執行曝光之資料；於使用正型光阻劑作為感光性材料之情形時，相當於表示對描繪不適宜區域整體執行曝光之資料。再者，於如上述般描繪不適宜區域係不適宜描繪，即不適宜曝光之描繪區域。然而，由於此時描繪不適宜區域之曝光係以可曝光感光性材料整體程度之精度就足夠(換言之，由於不需要描繪圖案之精度)，故即使執行亦無大礙。

上述實施形態之第2態樣之描繪方法具備：資訊取得步驟，其取得表示具有複數個描繪區域之描繪對象物之描繪區域之高度之高度資 訊；資料產生步驟，其產生表示對描繪區域應描繪之內容之光柵資料及自高度資訊至少而成之描繪資料；及描繪步驟，其係使將光照射於照射範圍之光照射器相對於描繪對象物相對移動並且根據依序到達照射範圍之各描繪區域之高度調整光照射器之聚焦自光照射器將光照射於照射範圍，對依序到達照射範圍之各描繪區域照射光；且於描繪區域中，基於包含於描繪資料之高度資訊控制光照射器之聚焦及使光照射器相對於描繪對象物相對移動之移動速度中至少一者，並基於包含於描繪資料之光柵資料自光照射器照射光。

上述實施形態之第2態樣之描繪裝置係可如下構成，其係具備：光照射器，其具有聚焦調整機構，藉由聚焦調整機構調整聚焦並將光照射於照射範圍；移動部，其係使光照射器相對於具有複數個描繪區域之描繪對象物相對移動；資訊取得部，其取得表示各描繪區域之高度之高度資訊；及控制部，其使用光照射器及移動部執行使光照射器相對於描繪對象物相對移動並且根據依序到達照射範圍之各描繪區域之高度調整聚焦將光照射於依序到達照射範圍之各描繪區域之描繪動作；控制部產生表示對描繪區域應描繪之內容之光柵資料及自高度資訊至少而成之描繪資料，並基於包含於描繪資料之高度資訊控制描繪動作中光照射器之聚焦及使光照射器相對於描繪對象物相對移動之移動速度中至少一者，並基於包含於描繪資料之光柵資料自光照射器照射光。

於此種構成中，藉由使將光照射於照射範圍之光照射器相對於描繪對象物相對移動並且自光照射器對照射範圍照射光，對依序到達照射範圍之各描繪區域照射光(描繪步驟、描繪動作)。於上述描繪步驟或描繪動作中，根據依序到達照射範圍之各描繪區域之高度調整光照射器之聚焦。藉此，可對已到達照射範圍之描繪區域調整聚焦並對該描繪區域照射光，執行對該描繪區域之描繪。

然而，有連續到達照射範圍之各描繪區域之高度大幅不同之情形。於此種情形時，設想於前一個描繪區域到達照射範圍後至下一個描繪區域到達照射範圍之前之時間間隔期間，難以使聚焦僅調整對應於該等描繪區域之高度之不同之量。

對此於上述實施形態之第2態樣中，取得表示具有複數個描繪區域之描繪對象物之描繪區域之高度之高度資訊，產生表示對描繪區域應描繪之內容之光柵資料及自高度資訊至少而成之描繪資料。接著，基於包含於描繪資料之高度資訊控制光照射器之聚焦及使光照射器相對於描繪對象物相對移動之移動速度中至少一者。結果，於各描繪區域依序到達照射範圍之時間間隔期間，能使聚焦僅調整對應於各描繪區域之高度之不同之量。關於該方面，若分別對基於高度資訊控制聚焦之情形及控制移動速度之情形進行詳述，則如下般。

於基於包含於描繪資料之高度資訊控制光照射器之聚焦之情形時，根據高度資訊所表示之各描繪區域之高度之不同調整聚焦，可使聚焦追隨於依序到達照射範圍之各描繪區域之高度。結果，於各描繪區域依序地依序到達照射範圍之時間間隔期間，可使聚焦僅調整對應於各描繪區域之高度之不同之量。

於控制使光照射器相對於描繪對象物相對移動之移動速度之情形時，根據各描繪區域之高度之不同降低移動速度，可實現延長各描繪區域依序到達照射範圍之時間隔間之控制，可確保於該時間間隔聚焦調整所需要之時間。結果，於各描繪區域依序到達照射範圍之時間間隔期間，可使聚焦僅調整對應於各描繪區域之高度之不同之量。此時，聚焦之調整係可如先前之情形般基於高度資訊而控制，或亦可以感測器檢測於描繪步驟(描繪動作)之執行中到達照射範圍之前之描繪區域之高度，並基於其結果而控制。

又，亦可如下構成描繪方法：於描繪步驟中，基於包含於描繪 資料之高度資訊前饋控制光照射器之聚焦。於上述構成中，藉由基於高度資訊之前饋控制，可使聚焦追隨於依序到達照射範圍之各描繪區域之高度。結果，可於描繪區域依序到達照射範圍之時間間隔之期間，使聚焦僅調整對應於各描繪區域之高度之不同之量。

又，可如下構成描繪方法：於描繪步驟中，以自包含於描繪資料之高度資訊求出之固定之移動速度使光照射器相對於描繪對象物相對移動。或者，亦可如下構成描繪方法：於描繪步驟中，基於包含於描繪資料之高度資訊前饋控制相對於描繪對象物之光照射器之移動速度。於上述構成中，例如於依序到達照射範圍之各描繪區域之高度大幅不同之情形時，藉由降低相對於描繪對象物之光照射器之相對移動速度，延長描繪區域到達照射範圍之時間間隔，可確保延長用於聚焦調整之時間。結果，可使聚焦之調整追隨於依序到達照射範圍之各描繪區域之高度之不同。

上述實施形態之第3態樣之描繪方法具備：描繪步驟，其係藉由使將光照射於照射範圍之光照射器相對於具有複數個描繪區域之描繪對象物相對移動並且將光照射於依序到達照射範圍之各描繪區域，對各描繪區域執行描繪，於該描繪方法中，具備資訊取得步驟，其取得表示各描繪區域之高度之高度資訊；及速度決定步驟，其係基於資訊取得步驟中取得之高度資訊決定使光照射器相對於描繪對象物相對移動之移動速度；於描繪步驟中，以速度決定步驟中決定之移動速度使光照射器相對於描繪對象物相對移動，並且根據依序到達照射範圍之各描繪區域之高度調整光照射器之聚焦自光照射器對照射範圍照射光。

上述實施形態之第3態樣之描繪裝置具備：光照射器，其具有聚焦調整機構，藉由聚焦調整機構調整聚焦並將光照射於照射範圍；移動部，其係使光照射器相對於具有複數個描繪區域之描繪對象物相對 移動；資訊取得部，其取得表示各描繪區域之高度之高度資訊；及控制部，其係基於資訊取得部中取得之高度資訊決定使光照射器相對於描繪對象物相對移動之移動速度；控制部係以經決定之移動速度使光照射器相對於描繪對象物相對移動，光照射器係隨著相對於描繪對象物之相對移動根據依序到達照射範圍之各描繪區域之高度調整聚焦將光照射於到達照射範圍之各描繪區域，對各描繪區域執行描繪。

於此種構成中，藉由使將光照射於照射範圍之光照射器相對於描繪對象物相對移動並且自光照射器對照射範圍照射光，將光照射於依序到達照射範圍之各描繪區域。此時，根據依序到達照射範圍之各描繪區域之高度調整光照射器之聚焦。藉此，對到達照射範圍之描繪區域調整聚焦並將光照射於該描繪區域，可對該描繪區域執行描繪。

然而，有連續到達照射範圍之各描繪區域之高度大幅不同之情形。於此種情形時，必須於前一個描繪區域到達照射範圍後至下一個描繪區域到達照射範圍之前之時間間隔期間，使聚焦僅調整對應於該等描繪區域之高度之不同之量。然而，當該等描繪區域之高度大幅不同時，於下一個描繪區域到達照射範圍之前未完成聚焦之調整，換言之，有聚焦之調整不追隨於依序到達照射範圍之各描繪區域之高度之不同之虞。

對此於上述實施形態之第3態樣中，取得表示各描繪區域高度之高度資訊，基於取得之高度資訊決定使光照射器相對於描繪對象物相對移動之移動速度。於上述構成中，例如於依序到達照射範圍之描繪區域之高度大幅不同之情形時，藉由降低相對於描繪對象物之光照射器相對之移動速度，延長描繪區域依序到達照射範圍之時間間隔，可確保用於聚焦調整之時間。結果，可使聚焦之調整追隨於依序到達照射範圍之各描繪區域之高度之不同。

然而，例如於降低相對於描繪對象物之光照射器相對之移動速 度之情形時，對到達照射範圍之描繪區域，更長時間照射來自光照射器之光。結果，有將過量之光照射於描繪區域之虞。因此，可如下構成描繪方法：進而具備光量決定步驟，其係根據速度決定步驟中決定之移動速度決定於描繪步驟中照射於照射範圍之光量，且於描繪步驟中，將光量決定步驟中決定之光量之光自光照射器照射於照射範圍。於上述構成中，將對應於相對於描繪對象物之光照射器之相對移動速度之光量照射於照射範圍。結果，可將適當量之光照射於描繪區域。

再者，認為決定光量之方法有各種。若例舉一例，則可如下構成描繪方法：於光量決定步驟中，使相對於速度決定步驟中決定之移動速度的照射於照射範圍之每單位時間光之能量之比為特定值，或落在特定範圍，而決定照射於照射範圍之光量。藉此，可將適量之光照射於照射範圍。

又，認為決定移動速度之方法有各種。若例舉一例，則可如下構成描繪方法：於速度決定步驟中，基於描繪步驟中連續於照射範圍中執行描繪之2個描繪區域之間光照射器於相對移動之期間應調整之聚焦之調整量即移動中調整量，決定移動速度。於上述構成中，於2個描繪區域依序到達照射範圍之時間間隔期間，可完成聚焦必要之量(移動中調整量)之調整，即，可使聚焦之調整追隨於依序到達照射範圍之各描繪區域之高度之不同。

具體而言，可如下構成描繪方法：相對於光照射器於2個描繪區域之間相對移動之移動距離的聚焦之移動中調整量之比F、每單位時間可調整之聚焦之調整量之最大值Vc、及移動速度Vs滿足條件式F<Vc/Vs，於速度決定步驟中決定移動速度Vs。

此時，於描繪步驟中3個以上描繪對象區域依序於照射範圍執行描繪之描繪方法中，可如下構成：於速度決定步驟中，於描繪步驟中連續於照射範圍執行描繪之2個描繪區域組合之各自之比F中，以最大 之比Fmax滿足條件式Fmax<Vc/Vs之方式求出上述移動速度Vs，於描繪步驟中，光照射器係以固定之移動速度Vs相對於描繪對象物相對移動並依序描繪3個以上之上述描繪區域。

或者，於描繪步驟中3個以上描繪對象區域依序於被對象區域執行描繪之描繪方法中，亦可如下構成：於速度決定步驟中，以描繪步驟中連續於照射範圍執行描繪之2個描繪區域之組合各者滿足條件式F<Vc/Vs之方式求出上述移動速度Vs，於描繪步驟中，光照射器係以速度決定步驟中各組合求出之移動速度Vs於各描繪區域之間相對移動並依序描繪3個以上之描繪區域。

上述實施形態之第4態樣之描繪方法具備：資訊取得步驟，其取得表示具有複數個描繪區域之描繪對象物之各描繪區域之高度之高度資訊；及判斷步驟，其判斷是否適合執行藉由使將光照射於照射範圍之光照射器相對於描繪對象物相對移動而將光照射於依序到達照射範圍之各描繪區域之描繪步驟；於描繪步驟中，藉由光照射器所具有之聚焦調整機構根據依序到達照射範圍之各描繪區域之高度調整光照射器之聚焦，於判斷步驟中，基於資訊取得步驟中取得之高度資訊求出之描繪步驟中應調整之聚焦之調整量之結果、與聚焦調整機構之聚焦調整能力，判斷是否適合執行描繪步驟。

上述實施形態之第4態樣之描繪裝置具備：光照射器，其具有聚焦調整機構，藉由聚焦調整機構調整聚焦並將光照射於照射範圍；移動部，其係使光照射器相對於具有複數個描繪區域之描繪對象物相對移動；資訊取得部，其取得表示各描繪區域之高度之高度資訊；及控制部，其判斷是否適合使用光照射器及移動部執行使光照射器相對於描繪對象物相對移動並且根據依序到達照射範圍之各描繪區域之高度調整聚焦將光照射於到達照射範圍之各描繪區域之描繪動作；控制部係基於自資訊取得步驟中取得之高度資訊求出之描繪動作中應調整之 聚焦之調整量之結果、與聚焦調整機構之聚焦調整能力，判斷是否適合執行描繪動作。

於此種構成中，藉由使將光照射於照射範圍之光照射器相對於描繪對象物相對移動並且自光照射器對照射範圍照射光，將光照射於依序到達照射範圍之各描繪區域(描繪步驟、描繪動作)。於上述描繪步驟或描繪動作中，根據依序到達照射範圍之各描繪區域之高度調整光照射器之聚焦。藉此，對到達照射範圍之描繪區域調整聚焦並將光照射於該描繪區域，對該描繪區域執行描繪。

然而，有連續到達照射範圍之各描繪區域之高度大幅不同之情形。於此種情形時，必須於前一個描繪區域到達照射範圍後至下一個描繪區域到達照射範圍之前之期間，使聚焦僅調整對應於該等描繪區域之高度之不同之量。然而，當該等描繪區域之高度大幅不同時，於下一個描繪區域到達照射範圍之前未完成聚焦之調整，換言之，有聚焦之調整不追隨於依序到達照射範圍之各描繪區域之高度之不同之虞。於此種聚焦之調整不追隨之狀態，對各描繪區域進行描繪係成為以調整不充分之聚焦無用地進行不滿足所期望之精度之描繪。

對此於上述實施形態之第4態樣中，取得表示各描繪區域之高度之高度資訊、並基於自高度資訊求出之描繪步驟(描繪動作)中應調整之聚焦之調整量之結果、與聚焦調整機構之聚焦調整能力，判斷是否適合執行描繪步驟(描繪動作)。此種構成係有助於抑制以調整不充分之聚焦無用地執行不滿足所期望之精度之描繪。

再者，認為判斷是否適合執行描繪步驟(描繪動作)之方法有各種。若例舉一例，則可如下構成描繪方法：於判斷步驟中，自資訊取得步驟中取得之高度資訊求出於描繪步驟中連續到達照射範圍之2個描繪區域之間光照射器於相對移動之移動期間應調整之聚焦之調整量即移動中調整量，並基於判斷是否可使聚焦僅調整聚焦調整機構於移 動期間移動中之調整量之結果，判斷是否適合執行描繪步驟。藉此，可確實地判斷是否適合執行描繪步驟(描繪動作)。

又，亦可如下構成描繪方法：進而具備通知步驟，其係於判斷步驟中判斷為不適宜執行描繪步驟之情形時，將判斷為不適宜執行描繪步驟之意旨通知於作業者。於上述構成中，作業者可掌握不適宜執行描繪步驟。結果，作業者能適當地執行必要之對應作業，可謀求提高作業者之作業效率。

又，亦可如下構成描繪方法：於判斷步驟中判斷為適宜執行描繪步驟之情形時，執行描繪步驟。於上述構成中，可以適當調整之聚焦執行滿足所期望之精度之描繪。

本發明係可應用於對設置於描繪對象物表面之複數個描繪區域執行描繪之描繪技術全部。作為處理對象之描繪對象物，係可使用半導體基板、印刷電路基板、彩色濾光片用基板、太陽電池用基板、液晶顯示裝置或電漿顯示裝置所具備之平板顯示器用玻璃基板、光碟用基板等各者。

Claims (5)

1. 一種描繪方法，其係包含：資訊取得步驟，其取得表示設置於具有各自設有複數個基準點之複數個描繪區域之描繪對象物之上述描繪區域的上述複數個基準點各自之高度之高度資訊；算出步驟，其係自上述資訊取得步驟中取得之上述高度資訊算出表示上述各描繪區域之傾斜之值；及判斷步驟，其係基於光學系統之焦點深度與上述算出步驟中算出之表示上述各描繪區域之傾斜之值，判斷是否適合藉由以上述光學系統將光聚光對上述各描繪區域執行描繪。
2. 如請求項1之描繪方法，其中進而包含：通知步驟，其係於上述判斷步驟中判斷為不適宜執行描繪之描繪不適宜區域存在於上述複數個描繪區域中之情形時，將上述描繪不適宜區域存在之意旨通知於作業者。
3. 如請求項2之描繪方法，其中於上述通知步驟中，將上述描繪不適宜區域存在之意旨通知於作業者，並且至少讓作業者選擇是否對上述描繪不適宜區域以外之上述描繪區域執行描繪。
4. 如請求項1之描繪方法，其中進而包含描繪步驟，其係於上述判斷步驟中判斷為不適宜執行描繪之描繪不適宜區域存在於上述複數個描繪區域中之情形時，對上述描繪不適宜區域以外之上述描繪區域執行描繪，對上述描繪不適宜區域不執行描繪。
5. 一種描繪方法，其係於對上述各描繪區域所具有之感光性材料執行描繪之請求項1之描繪方法中，包含：資料產生步驟，其係於上述判斷步驟中判斷為不適宜執行描繪之描繪不適宜區域存在於上述複數個描繪區域中之情形時， 則產生描繪資料，該描繪資料包含表示若根據上述感光性材料之曝光狀態進行去除上述感光性材料之處理，上述描繪不適宜區域之上述感光性材料全部被去除之資料；及描繪步驟，其係基於上述資料產生步驟中產生之上述描繪資料至少對上述描繪不適宜區域以外之上述各描繪區域執行描繪；且於上述描繪步驟中，當上述描繪資料表示對上述描繪不適宜區域執行曝光之意旨之情形時，曝光上述描繪不適宜區域之上述感光性材料整體；當上述描繪資料表示不執行對上述描繪不適宜區域之曝光之意旨之情形時，對上述描繪不適宜區域之上述感光性材料不執行曝光。