TWI673430B - 排氣處理裝置 - Google Patents

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TWI673430B
TWI673430B TW103114821A TW103114821A TWI673430B TW I673430 B TWI673430 B TW I673430B TW 103114821 A TW103114821 A TW 103114821A TW 103114821 A TW103114821 A TW 103114821A TW I673430 B TWI673430 B TW I673430B
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坂田晉
川端宏文
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日商大陽日酸股份有限公司
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Abstract

提供一種可對含有氫及氨之排氣以有效率之方式進行處理之排氣處理裝置。
排氣處理裝置係具備有:第1除害裝置12,其進行含有氫及氨之排氣之一次處理;第2除害裝置13,其在第1除害裝置12之後段,進行排氣之二次除害處理;溫度測量手段14,其對自第1除害裝置所導出之一次處理氣體的溫度進行測量;及控制手段15,其當利用該溫度測量手段所測出之一次處理氣體的溫度為超過高溫側設定溫度時,而該高溫側設定溫度係被設定為高於預先所設定之目標溫度,則進行降低上述第1除害裝置之運轉溫度之控制,並且當利用上述溫度測量手段所測出之一次處理氣體的溫度為低於低溫側設定溫度時,而該低溫側設定溫度係被設定為低於目標溫度,則進行昇高上述第1除害裝置之運轉溫度之控制。

Description

排氣處理裝置
本發明係關於排氣處理裝置,詳細而言,關於一種用以對自元件製造裝置中排出之含有氫及氨的排氣進行處理之裝置,該元件製造裝置係對半導體、液晶、太陽能發電板、LED等之電子元件進行成膜處理。
用以製造半導體、液晶、太陽能發電板、LED等之電子元件之程序中,具有對含有像氫及氨那樣在寬濃度範圍具有可燃性之成份的排氣進行排放之情況。作為對含有氫及氨之排氣進行處理之方法,已知一種自外部導入空氣而與排氣混合,將可燃性成份之濃度稀釋至低於爆發下限後,以濕式洗滌塔(wet scrubber)對有毒成份即氨進行吸收處理之方法(例如,參照專利文獻1)。此外,還已知一種使用燃燒式除害裝置,一方面監視排氣之流量一方面對氫及氨進行燃燒處理之方法(例如,參照專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:日本專利第3352476號公報
專利文獻2:日本專利第4690597號公報
然而,專利文獻1所記載之方法中,由於自外部導入大量之空氣,因而存在有濕式洗滌塔中之排氣的處理量增大,以致濕式洗滌塔變得大型化之問題,並且,由於大量產生含有氨之廢鹼水,因而還有廢液處理費用增高之問題。此外,專利文獻2所記載之方法中,雖有對排氣之流量進行監視,但由於是在無與排氣中之氨及濃度相關的資訊之狀態下進行運轉,因而需要對燃燒式除害裝置供給過剩之燃料量,從而有運轉成本增高之問題。
因此,本發明之目的在於,提供一種可效率良好地對含有氫及氨之排氣進行處理之排氣處理裝置。
為了達成上述目的,本發明之排氣處理裝置,係為對含有氫及氨之排氣進行處理者,其特徵在於具備有:第1除害裝置,其進行上述排氣之一次處理;第2除害裝置,其在該第1除害裝置之後段,進行上述排氣之二次處理;溫度測量手段,其對自上述第1除害裝置所導出之一次處理氣體的溫度進行測量;及控制手段,其當利用該溫度測量手段所測出之一次處理氣體的溫度為超過高溫側設定溫度時,而該高溫側設定溫度係被設定為高於預先所設定之目標溫度,則進行降低上述第1除害裝置之運轉溫度之控制,並且當利用上述溫度測量手段所測出之一次處理氣體的溫度為低於低溫側設定溫度時,而該低溫側設定溫度係被設定為低於上述目標溫度,則進行昇高上述第1除害裝置之運轉溫度之控制。
此外,本發明之排氣處理裝置,係以上述第1除害裝置為燃燒式除害裝置,上述第2除害裝置為觸媒氧化式除害裝置, 上述目標溫度為上述觸媒氧化式除害裝置之處理溫度為特徵,並且,在將燃燒式除害裝置使用於第1除害裝置之排氣處理裝置中,其特徵在於:上述燃燒式除害裝置係具備有可對供給至該燃燒式除害裝置之燃料的供給量進行調整之燃料供給手段、可對供給至上述燃燒式除害裝置之大氣的供給量進行調整之大氣供給手段、及將冷卻水供給至上述燃燒式除害裝置之冷卻水供給手段;上述控制手段係當上述溫度測量手段之測量溫度為超過預先所設定之第1高溫側設定溫度時,藉由上述冷卻水供給手段,對燃燒式除害裝置供給冷卻水,並且當測量溫度降低至目標溫度時,停止冷卻水之供給,當上述測量溫度為超過預先所設定之第2高溫側設定溫度時,藉由上述大氣供給手段,使被供給至燃燒式除害裝置之大氣的供給量產生增加,並且當測量溫度降低至目標溫度時,使大氣之供給量回復至增加前的供給量,當利用上述溫度測量手段所測出之溫度為低於預先所設定之第1低溫側設定溫度時,藉由上述大氣供給手段,使被供給至上述燃燒式除害裝置之大氣的供給量產生減少,並且當測量溫度上昇至目標溫度時,使大氣之供給量回復至減少前的供給量,當利用上述溫度測量手段所測出之溫度為低於預先所設定之第2低溫側設定溫度時,藉由燃料供給手段,使被供給至燃燒式除害裝置之燃料的供給量產生增加,並且當測量溫度上昇至目標溫度時,使燃料的供給量回復至減少前的供給量。
又,在使用加熱器加熱式除害裝置作為上述第1除害裝置之排氣處理裝置中,上述加熱器加熱式除害裝置係具備有可對加熱該加熱器加熱式除害裝置之加熱器的輸出進行調整之加熱器輸出調整手段、可對供給至上述加熱器加熱式除害裝置之大氣的供 給量進行調整之大氣供給手段、及可將冷卻水供給至上述加熱器加熱式除害裝置之冷卻水供給手段;上述控制手段係當上述溫度測量手段之測量溫度為超過預先所設定之第1高溫側設定溫度時,藉由上述冷卻水供給手段,對加熱器加熱式除害裝置供給冷卻水,並且當測量溫度降低至目標溫度時,停止冷卻水之供給,當上述測量溫度為超過預先所設定之第2高溫側設定溫度時,藉由上述大氣供給手段,使被供給至加熱器加熱式除害裝置之大氣的供給量產生增加,並且當測量溫度降低至目標溫度時,使大氣之供給量回復至增加前的供給量,當利用上述溫度測量手段所測出之溫度為低於預先所設定之第1低溫側設定溫度時,藉由上述大氣供給手段,使被供給至上述加熱器加熱式除害裝置之大氣的供給量產生減少,並且當測量溫度上昇至目標溫度時,使大氣之供給量回復至減少前的供給量,當利用上述溫度測量手段所測出之溫度為低於預先所設定之第2低溫側設定溫度時,藉由上述加熱器輸出調整手段,使加熱器之輸出產生增加,並且當測量溫度上昇至目標溫度時,使加熱器之輸出回復至增加前的輸出。
此外,其特徵在於:上述第1高溫側設定溫度係被設定為高於上述第2高溫側設定溫度之溫度,上述第1低溫側設定溫度係被設定為高於上述第2低溫側設定溫度之溫度。
根據本發明之排氣處理裝置,由於將第1除害裝置之運轉溫度控制在目標溫度附近,因而可一方面抑制對排氣中之氫及氨進行處理之能量的消耗量,一方面效率良好地進行排氣之除害處理。例如,於第1除害裝置為燃燒式除害裝置之情況下,可抑制燃 燒式除害裝置之燃料消耗量,於第1除害裝置為加熱器加熱式除害裝置之情況下,可抑制加熱器加熱式除害裝置之耗電量。此外,藉由使用觸媒氧化式除害裝置作為第2除害裝置,還不會產生含有氨之廢鹼水。
11‧‧‧CVD裝置
12‧‧‧燃燒式除害裝置
13‧‧‧觸媒氧化式除害裝置
14‧‧‧溫度測量手段
15‧‧‧控制手段
16‧‧‧第1燃料供給手段
17‧‧‧第2燃料供給手段
18‧‧‧大氣供給手段
19‧‧‧冷卻水供給手段
21‧‧‧加熱器加熱式除害裝置
22‧‧‧第1加熱器
23‧‧‧第2加熱器
24‧‧‧大氣供給手段
25‧‧‧冷卻水供給手段
26‧‧‧溫度測量手段
27‧‧‧控制手段
H1‧‧‧第1高溫側設定溫度
H2‧‧‧第2高溫側設定溫
L1‧‧‧第1低溫側設定溫度
L2‧‧‧第2低溫側設定溫度
圖1為顯示本發明之排氣處理裝置之第1形態例之說明圖。
圖2為顯示本發明之排氣處理裝置之第2形態例之說明圖。
圖3為顯示本發明之排氣處理裝置之第3形態例之說明圖。
圖1為顯示本發明之排氣處理裝置之第1形態例者,此排氣處理裝置係對自使用氫氣(H2)、氨氣(NH3)、氮氣(N2)及其他之氣體作為原料氣體(處理氣體)及運載氣體之CVD裝置11排出之排氣進行處理者,其具備:第1除害裝置即燃燒式除害裝置12,其用以進行除去氨及氫之一次除害處理;第2除害裝置即觸媒氧化式除害裝置13,其用以進行該燃燒式除害裝置12中無法處理之除去氨之二次除害處理;溫度測量手段14,其對自燃燒式除害裝置12導出之一次處理氣體的溫度進行測量;及控制手段15,其基於以該溫度測量手段所測出之一次處理氣體的溫度,對燃燒式除害裝置12之運轉狀態進行控制。
控制手段15係當以溫度測量手段14所測出之一次處理氣體的溫度超過了較預先設定之目標溫度設定為更高之高溫側設定溫度時,進行將上述燃燒式除害裝置12之運轉溫度降低之控制,並當以上述溫度測量手段14所測出之一次處理氣體的溫度低 於較上述目標溫度設定為更低之低溫側設定溫度時,進行將該燃燒式除害裝置12之運轉溫度昇高之控制。
燃燒式除害裝置12係具備:第1燃料供給手段16,其供給用以形成燃燒用火種之一定量的燃料;第2燃料供給手段17,其供給用以調節燃燒量之燃料;大氣供給手段18,其用以將大氣供給於燃燒式除害裝置12;及冷卻水供給手段19,其用以將冷卻水供給於燃燒式除害裝置12;並且,大氣供給手段18係設定有最小限之大氣供給量,以作為燃燒用及燃燒後之一次處理氣體的冷卻用。控制手段15係例如藉由對閥進行開閉或調節閥之開度,對自第2燃料供給手段17供給之燃料的流量、自大氣供給手段18供給之大氣的流量、及自冷卻水供給手段19供給之冷卻水的流量進行調整。
控制手段15係設定有目標溫度而作為適合於以觸媒氧化式除害裝置13對殘留於一次處理氣體中之氨進行處理的溫度,並分別設定有用以控制第2燃料供給手段17、大氣供給手段18及冷卻水供給手段19之溫度。
作為較目標溫度高之設定溫度,係設定有自冷卻水供給手段19開始冷卻水之供給的第1高溫側設定溫度H1、及使來自大氣供給手段之大氣的供給量增加之第2高溫側設定溫度H2,作為較目標溫度低之設定溫度,係設定有使來自大氣供給手段之大氣的供給量減少之第1低溫側設定溫度L1、及使來自第2燃料供給手段17之燃料的供給量增加之第2低溫側設定溫度L2。第1高溫側設定溫度H1與第2高溫側設定溫度H2之關係,為H1>H2,第1低溫側設定溫度L1與第2低溫側設定溫度L2之關係,為L1> L2。
如此形成之排氣處理裝置,係根據藉由自CVD裝置11排出之排氣中的可燃性成份濃度之變動而產生的燃燒式除害裝置12之溫度變化,使控制部15動作,將自燃燒式除害裝置12所導出且導入觸媒氧化式除害裝置13內之一次處理氣體的溫度,調節為最適合於觸媒氧化式除害裝置13中之氨的處理之溫度、即觸媒活性高之溫度。
例如,CVD裝置11中,所供給之氣體之種類及量係隨著進行氣相成長之步驟的行進而發生變化,例如,於自步驟開始進行預熱等之步驟初期,不供給氨而供給氫及氮,於步驟中期開始供給氨,然後停止氫之供給。並且,於步驟之後半段,進行再次開始氫之供給的步驟。
因此,由於在步驟中具有不供給氨及氫之期間及同時供給兩者之期間,自CVD裝置11排出之排氣中之氫濃度及氨濃度會發生大幅變化,因而於燃燒式除害裝置12中,隨著可燃性成份即氫及氨的濃度變化,燃燒狀態隨之而變化。因此,若氫及氨之濃度增高,燃燒式除害裝置12之溫度會因燃燒量增大而上昇,若氫及氨之濃度降低,燃燒式除害裝置12之溫度會因燃燒量減少而降低。藉此,自燃燒式除害裝置12導出之一次處理氣體的溫度發生變動,若一次處理氣體之溫度超出了觸媒氧化式除害裝置13之最適處理溫度範圍,恐有無法充分地進行在觸媒氧化式除害裝置13中之氨的除去處理之虞。
因此,採以溫度測量手段14對一次處理氣體之溫度進行測量,使一次處理氣體之溫度落在觸媒氧化式除害裝置13之 最適處理溫度範圍內之方法。首先,於在步驟初期以溫度測量手段14所測出之一次處理氣體之溫度成為目標溫度之情況下,藉由氨之供給開始而使可燃性成份濃度增加,於是燃燒式除害裝置12之溫度上昇,且於以溫度測量手段14所測出之溫度上昇至第2高溫側設定溫度H2的情況下,使來自大氣供給手段18之大氣的供給量增加,藉由混合溫度較燃燒式除害裝置12之燃燒溫度低的溫度之大氣而使一次處理氣體之溫度降低。當藉由大氣供給量之增加而使測量溫度降低至目標溫度時,使大氣之供給量回到增加前之供給量。
又,於以溫度測量手段14所測出之溫度上昇至第1高溫側設定溫度H1之情況下,自冷卻水供給手段19開始供給冷卻水,且藉由噴霧器將冷卻水噴灑於燃燒式除害裝置12內,利用水之蒸發潛熱使一次處理氣體之溫度降低。於此情況下,也於測量溫度降低至目標溫度時,停止冷卻水之供給。
此外,藉由停止朝向CVD裝置11之氫的供給而使可燃性成份濃度減少,於是燃燒式除害裝置12之溫度降低,若以溫度測量手段14所測出之溫度降低為第1低溫側設定溫度L1,藉由減少來自大氣供給手段18之大氣供給量而減少朝向排氣之大氣混合量,以使一次處理氣體之溫度上昇。當藉由大氣供給量之減少而使測量溫度上昇至目標溫度時,使大氣供給量回到減少前之供給量。又,若以溫度測量手段14所測出之溫度降低為第2低溫側設定溫度L2,則增加來自第2燃料供給手段17之燃料的供給量而使燃燒量增大,以使一次處理氣體之溫度上昇。當藉由燃料供給量之增加而使測量溫度上昇至目標溫度時,使燃料供給量回到增加前之供給量。
如此,藉由根據一次處理氣體之溫度對燃料供給量、大氣供給量、冷卻水供給量進行控制,可確實地將一次處理氣體之溫度調節為觸媒氧化式除害裝置13中之最適處理溫度、即目標溫度。此外,藉由於溫度上昇之第1階段減少燃料供給量,還可期待燃料消耗量之削減。又,作為燃料係可使用各種燃料,但藉由使用在CVD裝置11中使用的氫作為燃料,不需要另外設置燃料用之設備,還可抑制二氧化碳之產生。此外,藉由以燃料供給量之減少較高的溫度開始大氣之供給及冷卻水之供給,可抑制排氣量之增加,並且不會產生廢鹼水。
圖2為顯示本發明之排氣處理裝置之第2形態例者。再者,以下之說明中,對與第1形態例所示之排氣處理裝置之構成要素相同之構成要素,賦予相同之符號,並省略詳細之說明。
本形態例之排氣處理裝置,係使用加熱器加熱式除害裝置21作為第1除害裝置。此加熱器加熱式除害裝置21係具備:第1加熱器22,其作為對該加熱器加熱式除害裝置21進行加熱之加熱器,用以確保總是恆定之加熱量;第2加熱器23,其可調整加熱器輸出;大氣供給手段24,其可對供給於加熱器加熱式除害裝置之大氣的供給量進行調整;及冷卻水供給手段25,其將冷卻水供給於加熱器加熱式除害裝置。
於加熱器加熱式除害裝置21之後段,與上述第1形態例同樣地,具備:溫度測量手段26,其對自加熱器加熱式除害裝置21導出且導入於觸媒氧化式除害裝置13內之一次處理氣體的溫度進行測量;及控制手段27,其基於以該溫度測量手段26所測出之一次處理氣體的溫度,對加熱器加熱式除害裝置21之運轉狀態 進行控制。
控制手段27係設定有與上述第1形態例同樣之目標溫度、及作為高溫側之設定溫度的第1高溫側設定溫度H1與第2高溫側設定溫度H2,並分別設定有作為低溫側之設定溫度的第1低溫側設定溫度L1及第2低溫側設定溫度L2。
本形態例中,也與上述第1形態例同樣地,以溫度測量手段26對自加熱器加熱式除害裝置21導出之一次處理氣體的溫度進行測量,於所測出之一次處理氣體的溫度上昇為第2高溫側設定溫度H2之情況下,使來自大氣供給手段24之大氣的供給量增加,而使一次處理氣體之溫度降低,當一次處理氣體之溫度降低為目標溫度時,使大氣供給量回到增加前之供給量。又,於以溫度測量手段26所測出之溫度上昇為第1高溫側設定溫度H1之情況下,開始自冷卻水供給手段25供給冷卻水,藉由將冷卻水噴灑於燃燒式除害裝置12內,使一次處理氣體之溫度降低,當測量溫度降低為目標溫度時,停止冷卻水之供給。
此外,於以溫度測量手段26所測出之溫度降低至第1低溫側設定溫度L1之情況下,減少來自大氣供給手段24之大氣的供給量而使一次處理氣體之溫度上昇,當測量溫度上昇至目標溫度時,使大氣供給量回到減少前之供給量。又,於以溫度測量手段14所測出之溫度降低至第2低溫側設定溫度L2之情況下,使第2加熱器23之輸出增加,而使一次處理氣體之溫度上昇,當測量溫度上昇至目標溫度時,使第2加熱器23之輸出回到增加前之輸出。
如此,藉由根據一次處理氣體之溫度對加熱器加熱式除害裝置21之加熱器輸出、大氣供給量、冷卻水供給量進行控制, 可與第1形態例同樣地,確實地將一次處理氣體之溫度調節為觸媒氧化式除害裝置13中之最適處理溫度、即目標溫度。此外,藉由於溫度上昇之第1階段減少加熱器輸出,還可期待耗電量之削減,並藉由以加熱器輸出之減少較高的溫度開始大氣之供給及冷卻水之供給,可抑制排氣量之增加,並且可抑制廢鹼水之產生。
圖3為顯示本發明之排氣處理裝置之第3形態例者,顯示以一個排氣處理裝置對自複數個CVD裝置11排出之排氣進行處理的形態例。自複數個CVD裝置11排出之排氣,係導入燃燒式除害裝置12被進行燃燒除害處理,藉由將自燃燒式除害裝置12導出之一次處理氣體導入於觸媒氧化式除害裝置13而進行觸媒氧化處理,以進行排氣中之氫及氨之除害處理。
如此,於對自複數個CVD裝置11排出之排氣進行除害處理時,亦藉由以溫度測量手段14對自燃燒式除害裝置12導出之一次處理氣體的溫度進行測量,且根據測出之一次處理氣體之溫度對燃料供給量、大氣供給量、冷卻水供給量進行控制,將一次處理氣體之溫度調節為觸媒氧化式除害裝置13中之最適處理溫度,則與第1形態例同樣地,可期待燃料消耗量之削減,並抑制排氣量之增加,且不會產生廢鹼水。又,也可不使用燃燒式除害裝置12,而使用第2形態例所示之加熱器加熱式除害裝置21。
再者,於各形態例中,相對於目標溫度之第1高溫側設定溫度H1、第2高溫側設定溫度H2、第1低溫側設定溫度L1、第2低溫側設定溫度L2、燃料之增減量、加熱器輸出之增減量、大氣供給量之增減量,係可根據第1除害裝置中之排氣處理量、裝置構成、裝置規模,並根據第2除害裝置中之最適溫度範圍等之條 件而適宜地設定。此外,還可將使燃料供給量、加熱器輸出、大氣供給量、冷卻水供給量增減後、返回增減前之狀態之溫度,與目標溫度分開設定。

Claims (4)

  1. 一種排氣處理裝置,其為對含有氫及氨之排氣進行處理者,其具備有:第1除害裝置,其進行上述排氣之一次處理;第2除害裝置,其在該第1除害裝置之後段,進行上述排氣之二次處理;溫度測量手段,其對自上述第1除害裝置所導出之一次處理氣體的溫度進行測量;及控制手段,其當利用該溫度測量手段所測出之一次處理氣體的溫度為超過高溫側設定溫度時,而該高溫側設定溫度係被設定為高於預先所設定之目標溫度,則進行降低上述第1除害裝置之運轉溫度之控制,並且當利用上述溫度測量手段所測出之一次處理氣體的溫度為低於低溫側設定溫度時,而該低溫側設定溫度係被設定為低於上述目標溫度,則進行昇高上述第1除害裝置之運轉溫度之控制;上述第1除害裝置係為燃燒式除害裝置,上述第2除害裝置係為觸媒氧化式除害裝置,上述目標溫度係為上述觸媒氧化式除害裝置之處理溫度,上述燃燒式除害裝置係具備有可對供給至該燃燒式除害裝置之燃料的供給量進行調整之燃料供給手段、可對供給至上述燃燒式除害裝置之大氣的供給量進行調整之大氣供給手段、及將冷卻水供給至上述燃燒式除害裝置之冷卻水供給手段;上述控制手段係當上述溫度測量手段之測量溫度為超過預先所設定之第1高溫側設定溫度時,藉由上述冷卻水供給手段,對燃燒式除害裝置供給冷卻水,並且當測量溫度降低至目標溫度時,停止冷卻水之供給,當上述測量 溫度為超過預先所設定之第2高溫側設定溫度時,藉由上述大氣供給手段,使被供給至燃燒式除害裝置之大氣的供給量產生增加,並且當測量溫度降低至目標溫度時,使大氣之供給量回復至增加前的供給量,當利用上述溫度測量手段所測出之溫度為低於預先所設定之第1低溫側設定溫度時,藉由上述大氣供給手段,使被供給至上述燃燒式除害裝置之大氣的供給量產生減少,並且當測量溫度上昇至目標溫度時,使大氣之供給量回復至減少前的供給量,當利用上述溫度測量手段所測出之溫度為低於預先所設定之第2低溫側設定溫度時,藉由燃料供給手段,使被供給至燃燒式除害裝置之燃料的供給量產生增加,並且當測量溫度上昇至目標溫度時,使燃料的供給量回復至增加前的供給量。
  2. 如申請專利範圍第1項之排氣處理裝置,其中,上述第1高溫側設定溫度係被設定為高於上述第2高溫側設定溫度之溫度,上述第1低溫側設定溫度係被設定為高於上述第2低溫側設定溫度之溫度。
  3. 一種排氣處理裝置,其為對含有氫及氨之排氣進行處理者,其具備有:第1除害裝置,其進行上述排氣之一次處理;第2除害裝置,其在該第1除害裝置之後段,進行上述排氣之二次處理;溫度測量手段,其對自上述第1除害裝置所導出之一次處理氣體的溫度進行測量;及控制手段,其當利用該溫度測量手段所測出之一次處理氣體的溫度為超過高溫側設定溫度時,而該高溫側設定溫度係被設定為高於 預先所設定之目標溫度,則進行降低上述第1除害裝置之運轉溫度之控制,並且當利用上述溫度測量手段所測出之一次處理氣體的溫度為低於低溫側設定溫度時,而該低溫側設定溫度係被設定為低於上述目標溫度,則進行昇高上述第1除害裝置之運轉溫度之控制;上述第1除害裝置係為加熱器加熱式除害裝置,上述第2除害裝置係為觸媒氧化式除害裝置,上述目標溫度係為上述觸媒氧化式除害裝置之處理溫度,上述加熱器加熱式除害裝置係具備可對加熱該加熱器加熱式除害裝置之加熱器的輸出進行調整之加熱器輸出調整手段、可對供給至上述加熱器加熱式除害裝置之大氣的供給量進行調整之大氣供給手段、及可將冷卻水供給至上述加熱器加熱式除害裝置之冷卻水供給手段;上述控制手段係當上述溫度測量手段之測量溫度為超過預先所設定之第1高溫側設定溫度時,藉由上述冷卻水供給手段,對加熱器加熱式除害裝置供給冷卻水,並且當測量溫度降低至目標溫度時,停止冷卻水之供給,當上述測量溫度為超過預先所設定之第2高溫側設定溫度時,藉由上述大氣供給手段,使被供給至加熱器加熱式除害裝置之大氣的供給量產生增加,並且當測量溫度降低至目標溫度時,使大氣之供給量回復至增加前的供給量,當利用上述溫度測量手段所測出之溫度為低於預先所設定之第1低溫側設定溫度時,藉由上述大氣供給手段,使被供給至上述加熱器加熱式除害裝置之大氣的供給量產生減少,並且當測量溫度上昇至目標溫度時,使大氣之供給量回復至減少前的供給量,當利用上述溫度測量手段所測出之溫度為低於預先所設定之第2低溫側設定溫度時,藉由上述加熱器輸出調整手段,使加熱器之輸出產生增加,並且當測 量溫度上昇至目標溫度時,使加熱器之輸出回復至增加前的輸出。
  4. 如申請專利範圍第3項之排氣處理裝置,其中,上述第1高溫側設定溫度係被設定為高於上述第2高溫側設定溫度之溫度,上述第1低溫側設定溫度係被設定為高於上述第2低溫側設定溫度之溫度。
TW103114821A 2013-04-24 2014-04-24 排氣處理裝置 TWI673430B (zh)

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