TWI669263B

TWI669263B - 剝離開始部作成裝置、剝離開始部作成方法以及電子裝置的製造方法

Info

Publication number: TWI669263B
Application number: TW105104803A
Authority: TW
Inventors: 伊藤泰則
Original assignee: 日商Ａｇｃ股份有限公司
Priority date: 2015-02-18
Filing date: 2016-02-18
Publication date: 2019-08-21
Also published as: CN105895558B; CN105895558A; JP2016150832A; JP6436389B2; TW201704134A; KR20160101860A

Abstract

本發明提供一種可使刃具精準地插入之剝離開始部作成裝置、剝離開始部作成方法、以及電子裝置的製造方法。於將基板與補強板介隔樹脂層可剝離地貼合之積層體作成剝離開始部之剝離開始部作成裝置中，檢測刃具與樹脂層之位置關係，基於檢測結果，使刃具沿鉛垂方向移動，自樹脂層之位置，使刃具朝補強板之側，沿鉛垂方向移動特定距離，相對於積層體，沿水平方向使刃具前進，檢測刃具是與補強板或樹脂層中之哪一個接觸，若於檢測步驟中，判斷為並非樹脂層，則相對於積層體，沿水平方向使刃具後退，使刃具朝基板之側，沿鉛垂方向移動，至檢測樹脂層之前，反覆進行上述步驟，若於檢測步驟中，判斷為樹脂層，則相對於積層體，沿水平方向，使刃具繼續前進，而於積層體形成剝離開始部。

Description

剝離開始部作成裝置、剝離開始部作成方法以及電子裝置的製造方法

本發明係關於一種剝離開始部作成裝置、剝離開始部作成方法以及電子裝置的製造方法。

隨著顯示面板、太陽電池或薄膜二次電池等電子裝置之薄型化、輕量化，要求於該等電子裝置所使用之玻璃製、樹脂製或金屬製等之基板之薄板化。

然而，若基板之板厚變薄，則基板之操作性惡化，難以於基板之上形成電子裝置用之功能層(例如，薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)、或彩色濾光片(CF：Color Filter)等)。

因此，提出有藉由介隔樹脂層將補強板貼合於基板而補強基板，並於該補強後之基板之上形成功能層之方法(例如，參照專利文獻1)。於該方法中，對基板貼合補強板，使之成為積層體，於該成為積層體之基板之上形成功能層。繼而，於形成功能層後，自基板剝離補強板。

補強板之剝離係藉由例如自位於對角線上之2個角部之一端朝向另一端，使補強板或基板，亦或此兩者撓曲變形而進行。此時，為使剝離容易地進行，而人工作成剝離開始部(成為剝離開端之間隙)。該剝離開始部係藉由使刃具插入至樹脂層而作成。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2010/090147號

於作成剝離開始部時，必須使刃具之刃尖精準地插入至樹脂層。為精準地進行刃具之插入，必須檢測樹脂層與刃具之刃尖之位置關係，基於該檢測結果，以刃具之刃尖與樹脂層對向之方式，進行積層體與刃具之位置調整，而使刃具插入至樹脂層。

然而，根據檢測刃具之刃尖與樹脂層之位置之精度和位置調整積層體與刃具之精度的關係，有位置調整至刃具並非可與樹脂層而是與成為製品之基板接觸之位置的情形。於該狀態下，若使刃具向樹脂層移動，則有因刃具與基板接觸，導致刃具對成為製品之基板造成損傷之虞。尤其，若樹脂層變薄，則該狀況將更顯著。

本發明係鑒於此種問題而完成者，其目的在於提供一種可使刃具精準地插入至樹脂層之剝離開始部作成裝置、剝離開始部作成方法、以及電子裝置的製造方法。

第1實施形態之剝離開始部作成裝置係藉由對於將具有第1主面及第2主面之第1基板與具有第1主面及第2主面之第2基板隔著吸附層可剝離地貼合之積層體，使刃具插入至上述吸附層，而於上述積層體作成剝離開始部之積層體之剝離開始部作成裝置，其包含：移動部，其使上述刃具與上述積層體沿平行於上述第2基板之上述第2主面之方向相對地前進或後退；檢測部，其檢測上述刃具之刃尖是與上述吸附層及上述第2基板中之哪一個接觸；位置檢測部，其檢測與上述第2基板之上述第2主面垂直之方向上之上述積層體與上述刃具之位置關係；位置調整部，其係使上述積層體及/或上述刃具沿垂直於上述第2 基板之上述第2主面之方向相對地移動，而調整上述積層體與上述刃具之位置；及控制部，其控制上述移動部、上述檢測部、上述位置檢測部及上述位置調整部；上述控制部執行：位置檢測處理，其利用上述位置檢測部，檢測上述積層體與上述刃具之位置；第1位置調整處理，其基於上述位置檢測部之檢測結果，利用上述位置調整部，將上述刃具之位置自與上述積層體之上述吸附層對向之位置，朝上述第2基板之側，調整預先規定之距離；前進處理，其利用上述移動部，使上述刃具與上述積層體相對地前進；及檢測處理，其利用上述檢測部，檢測上述刃具之刃尖是與上述吸附層及上述第2基板中之哪一個接觸；上述控制部進而於檢測出上述刃具之刃尖已接觸上述第2基板之情形時，執行：後退處理，其利用上述移動部，使上述積層體與上述刃具相對地後退；及第2位置調整處理，其利用上述位置調整部，將上述刃具之位置朝上述吸附層之側調整上述吸附層之厚度以下之距離；至檢測到上述刃具已接觸上述吸附層之前，依序反覆進行上述前進處理、上述檢測處理、上述後退處理、及上述第2位置調整處理；於檢測出上述刃具之刃尖已接觸上述吸附層之情形時，執行利用上述移動部使上述刃具與上述積層體繼續相對地前進之繼續前進處理。

第2實施形態之剝離開始部作成方法係藉由對於將具有第1主面及第2主面之第1基板與具有第1主面及第2主面之第2基板隔著吸附層可剝離地貼合之積層體，使刃具插入至上述吸附層，而於上述積層體作成剝離開始部者，其包含：位置檢測步驟，其檢測與上述第2基板之上述第2主面垂直之方向上之上述積層體與上述刃具之位置關係；第1位置調整步驟，其基於上述位置檢測步驟之檢測結果，使上述積層體與上述刃具沿與上述第2基板之第2主面垂直之方向相對移動，將上述刃具之位置自與上述積層體之上述吸附層對向之位置，朝上述第2基板之側，調整預先規定之距離；前進步驟，其沿平行於上述第2基板之上述第2主面之方向，使上述刃具與上述積層體相對地前進；檢測步驟，其檢測上述刃具之刃尖是與上述吸附層及上述第2基板中之哪一個接觸；該剝離開始部作成方法進而於檢測出上述刃具之刃尖已接觸上述第2基板之情形時，執行：後退步驟，其沿平行於上述第2基板之上述第2主面之方向，使上述積層體與上述刃具相對地後退；及第2位置調整步驟，其使上述積層體與上述刃具沿與上述第2基板之第2主面垂直之方向相對地移動，將上述刃具之位置朝上述吸附層之側調整上述吸附層之厚度以下之距離；至檢測上述刃具已接觸上述吸附層之前，依序反覆進行上述前進步驟、上述檢測步驟、上述後退步驟及上述第2位置調整步驟；於檢測出上述刃具之刃尖已接觸上述吸附層之情形時，執行使上述刃具與上述積層體相對地繼續前進之繼續前進步驟。

第3實施形態之電子裝置的製造方法包含：功能層形成步驟，其對於將具有第1主面與第2主面之第1基板與具有第1主面及第2主面之第2基板介隔吸附層，可剝離地貼合上述第1基板之第2主面與上述第2基板之第1主面之積層體，於上述第1基板之第1主面形成功能層；及分離步驟，其分離形成有上述功能層之上述第1基板與上述第2基板；上述分離步驟具有：剝離開始部作成步驟，其使刃具插入至上述吸附層而作成剝離開始部；及剝離步驟，其以上述剝離開始部為起點，依序剝離上述第1基板與上述第2基板；上述剝離開始部作成步驟具有：位置檢測步驟，其檢測與上述第2基板之上述第2主面垂直之方向上之上述積層體與上述刃具之位置關係；第1位置調整步驟，其基於上述位置檢測步驟之檢測結果，使上述積層體與上述刃具沿與上述第2基板之第2主面垂直之方向相對地移動，將上述刃具之位置自與上述積層體之上述吸附層對向之位置，朝上述第2基板之側調整預先規定之距離；前進步驟，其沿平行於上述第2基板之上述第2主面之方向，使上述刃具與上述積層體相對地前進；及檢測步驟，其檢測上述刃具之刃尖是與上述吸附層及上述第2基板中之哪一個接觸；進而，於檢測出上述刃具之刃尖已接觸上述第2基板之情形時，執行：後退步驟，其沿平行於上述第2基板之上述第2主面之方向，使上述積層體與上述刃具相對地後退；及第2位置調整步驟，其使上述積層體與上述刃具沿與上述第2基板之第2主面垂直之方向相對地移動，將上述刃具之位置朝上述吸附層之側調整上述吸附層之厚度以下之距離；至檢測上述刃具已接觸上述吸附層之前，依序反覆進行上述前進步驟、上述檢測步驟、上述後退步驟、及上述第2位置調整步驟；於檢測出上述刃具之刃尖已接觸上述吸附層之情形時，執行使上述刃具與上述積層體繼續相對地前進之繼續前進步驟。

根據本發明之剝離開始部作成裝置、剝離開始部作成方法及電子裝置的製造方法，可使刃具精準地插入至樹脂層。

1‧‧‧積層體

1A‧‧‧積層體

1B‧‧‧積層體

2‧‧‧基板

2A‧‧‧基板

2B‧‧‧基板

3‧‧‧補強板

3A‧‧‧補強板

3B‧‧‧補強板

4‧‧‧樹脂層

4A‧‧‧樹脂層

4B‧‧‧樹脂層

6‧‧‧積層體

7‧‧‧功能層

10‧‧‧剝離開始部作成裝置

12‧‧‧平台

14‧‧‧固持件

16‧‧‧平台驅動單元

18‧‧‧刃具驅動單元

20‧‧‧位置調整單元

22‧‧‧測力器

24‧‧‧支持構件

26‧‧‧雷射位移計

28‧‧‧板厚檢測計

30‧‧‧控制部

32‧‧‧平台支持架台

34‧‧‧直動裝置

36‧‧‧導軌

38‧‧‧導塊

40‧‧‧框架

42‧‧‧第1止動器

44‧‧‧壓縮彈簧

46‧‧‧第2止動器

50‧‧‧本體框架

52‧‧‧軌道

54‧‧‧滑塊

56‧‧‧滾珠螺桿

58‧‧‧馬達

60‧‧‧本體框架

62‧‧‧軌道

64‧‧‧滑塊

66‧‧‧滾珠螺桿

68‧‧‧馬達

70‧‧‧本體框架

72‧‧‧軌道

74‧‧‧滑塊

76‧‧‧滾珠螺桿

78‧‧‧馬達

80‧‧‧架台

100‧‧‧剝離裝置

102‧‧‧剝離單元

104‧‧‧可動體

106‧‧‧可動裝置

108‧‧‧驅動裝置

110‧‧‧控制器

112‧‧‧第1可撓性板

114‧‧‧吸附部

116‧‧‧雙面接著膠帶

118‧‧‧第2可撓性板

120‧‧‧透氣性片材

122‧‧‧密封框構件

124‧‧‧雙面接著膠帶

126‧‧‧槽

128‧‧‧貫通孔

130‧‧‧桿

132‧‧‧球接頭

134‧‧‧框架

136‧‧‧緩衝構件

S110~S170‧‧‧步驟

圖1係表示供用於電子裝置之製造步驟之積層體之一例之主要部分放大側視圖。

圖2係表示於LCD之製造步驟之中途製作之積層體之一例之主要部分放大側視圖。

圖3係表示剝離開始部作成裝置之構成之說明圖。

圖4係表示檢測刃具與積層體之位置關係之位置檢測部之構成之說明圖。

圖5係表示剝離開始部作成方法之程序之流程圖。

圖6(A)~(D)係表示剝離開始部作成方法之程序之一部分之側視圖。

圖7(A)~(D)係表示剝離開始部作成方法之程序之一部分之側視圖。

圖8(A)~(C)係表示剝離開始部作成方法之程序之一部分之側視圖。

圖9(A)~(C)係表示剝離開始部作成方法之程序之一部分之俯視圖。

圖10係表示剝離裝置之構成之縱剖視圖。

圖11係模式性地表示複數個可動體相對於剝離單元之配置位置之可撓性板之俯視圖。

圖12(A)~(C)係表示剝離單元之構成之說明圖。

圖13係正自積層體剝離補強板之剝離裝置之縱剖視圖。

以下，根據隨附圖式就本發明之較佳實施形態進行說明。本發明係藉由以下之較佳實施形態進行說明。可於不脫離本發明之範圍內，藉由多種方法進行變更，且可利用本實施形態以外之其他實施形態。因此，本發明之範圍內之所有變更包含於申請專利範圍內。

此處，圖中，以相同記號表示之部分係具有相同功能之相同要件。又，於本說明書中，使用“~”表示數值範圍之情形時，以“~”表示之上限、下限之數值亦設為包含於數值範圍內者。

以下，根據隨附圖式，對本發明之剝離開始部作成裝置、剝離開始部作成方法及電子裝置的製造方法進行說明。

所謂電子裝置係指顯示面板、太陽電池或薄膜二次電池等電子零件。作為顯示面板，可例示液晶顯示(LCD：Liquid Crystal Display(液晶顯示器))面板、電漿顯示面板(PDP：Plasma Display Panel)、及有機EL顯示(OELD：Organic Electro Luminescence Display(有機電致發光顯示器))面板。

[電子裝置的製造方法之概要]

電子裝置係藉由於玻璃製、樹脂製、金屬製等之基板之第1主面形成電子裝置用之功能層(若為LCD，則為薄膜電晶體(TFT)、彩色濾光片(CF))而製造。

該基板係於功能層形成前於其之第2主面介隔樹脂層貼合補強板而構成為積層體。其後，以積層體之狀態，於基板之第1主面形成功能層，於功能層形成後，將補強板自基板剝離。

亦即，電子裝置的製造方法包含以積層體之狀態於基板之第1主面形成功能層之功能層形成步驟、及分離形成有功能層之基板與補強板之分離步驟。該分離步驟包含使刃具插入至樹脂層而作成剝離開始部之剝離開始部作成步驟、及以剝離開始部為起點依序剝離基板與補強板之剝離步驟。於該分離步驟之剝離開始部作成步驟，應用本發明之剝離開始部作成方法及剝離開始部作成裝置。

[積層體]

圖1係表示積層體1之一例之主要部分放大側視圖。

積層體1具備第1基板即基板2、及補強該基板2之第2基板即補強板3。於第1基板即基板2形成功能層。又，補強板3係於第1主面3a(與基板2對向之面)具備吸附層即樹脂層4，於該樹脂層4，貼合基板2之第2主面2b(與供形成功能層之第1主面2a相反之面)。基板2係藉由作用於與樹脂層4之間之凡德瓦(Van der waals)力或樹脂層4之黏著力，可剝離地貼合於補強板3。補強板3係其之第2主面3b(與基板2對向，且與第1主面3a相反之面)由平台(未圖示)等支持。

[基板]

構成第1基板之基板2具備第1主面2a與第2主面2b。於基板2之第1主面2a之上形成功能層。作為基板2，可例示玻璃基板、陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板、半導體基板。所例示之該等基板之中，玻璃基板由於耐藥品性、耐透濕性優異，且線性膨脹係數較小，故較適合作為電子裝置用之基板2。又，玻璃基板亦有隨著線性膨脹係數變小，於高溫下形成之功能層之圖案於冷卻時不易偏移之優點。此處，基板2成為構成最終製品之製品基板。

作為玻璃基板之玻璃，可例示無鹼玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高矽玻璃、或其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為藉由氧化物換算得出之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。

作為玻璃基板之玻璃，較佳選擇並採用適合所製造之電子裝置之種類之玻璃、適合其製造步驟之玻璃。例如，於液晶面板用之玻璃基板，較佳採用實質上不包含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)。

基板2之板厚係根據基板2之種類而設定。例如，於基板2採用玻璃基板之情形時，其板厚為了電子裝置之輕量化、薄板化，而較佳設定為0.7mm以下，更佳為0.3mm以下，進而較佳為0.1mm以下。於板厚為0.3mm以下之情形時，可對玻璃基板賦予良好之可撓性。進而，於板厚為0.1mm以下之情形時，可將玻璃基板捲繞成輥狀。再者，就玻璃基板之製造之觀點、及玻璃基板之處理之觀點而言，其板厚較佳為0.03mm以上。

於圖1中，基板2由1片基板構成，但基板2亦可為由複數片基板構成者。亦即，基板2亦可由積層有複數片基板之積層體構成。於該情形時，構成基板2之所有基板之合計厚度成為基板2之厚度。

[補強板]

構成第2基板之補強板3具備第1主面3a與第2主面3b，於第1主面3a之側貼合基板2，第2主面3b之側由平台等支持。作為補強板3，可例示玻璃基板、陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板及半導體基板。

補強板3之種類係根據所製造之電子裝置之種類、該電子裝置所使用之基板2之種類等而選定。若補強板3與基板2為同一材質，則可減少功能層形成步驟中之意料外因素之溫度變化所導致之翹曲、剝離。

補強板3與基板2之平均線性膨脹係數之差(絕對值)係根據基板2之尺寸形狀等而適當設定。平均線性膨脹係數之差較佳為35×10^-7/℃以下。此處，所謂「平均線性膨脹係數」係指，於50~300℃之溫度範圍之平均線性膨脹係數(JIS R3102：1995年)。

補強板3之板厚係設定為0.7mm以下，且係根據補強板3之種類、補強之基板2之種類、板厚等而設定。再者，補強板3之板厚既可較基板2更厚，亦可更薄，但為了補強基板2，較佳為0.4mm以上。

再者，雖於本例中，補強板3係由1片基板構成，但補強板3亦可由積層有複數片基板之積層體構成。於該情形時，構成補強板3之所有基板之合計厚度成為補強板3之厚度。

[樹脂層]

構成吸附層之樹脂層4設置於補強板3之第1主面3a，補強板3與基板2介隔樹脂層4可剝離地貼合。為防止因樹脂層4與補強板3之間之意外剝離，樹脂層4與補強板3之間之結合力設為高於樹脂層4與基板2之間之結合力。藉此，於剝離步驟中，於積層體1之樹脂層4與基板2之間進行剝離。

構成樹脂層4之樹脂並未特別限定，可例示丙烯酸樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、及聚醯亞胺聚矽氧樹脂。亦可混合若干種樹脂而使用。其中，就耐熱性或剝離性之觀點而言，以聚矽氧樹脂、聚醯亞胺聚矽氧樹脂較佳。

樹脂層4之厚度雖未特別限定，但較佳設定為1~50μm，更佳設定為2~20μm。藉由將樹脂層4之厚度設為1μm以上，於樹脂層4與基板2之間混入氣泡或異物時，可藉由樹脂層4之變形，吸收氣泡或異物之厚度。另一方面，藉由將樹脂層4之厚度設為50μm以下，可縮短樹脂層4之形成時間，進而不會使用必要以上之樹脂層4之樹脂，故較經濟。

再者，樹脂層4之外形，為了使補強板3可支持樹脂層4之整體，較佳為與補強板3之外形相同，或小於補強板3之外形。又，樹脂層4之外形，為了使樹脂層4可與基板2之整體密接，較佳為與基板2之外形相同，或大於基板2之外形。

又，雖於圖1中樹脂層4由1層構成，但樹脂層4亦可由2層以上構成。該情形時，構成樹脂層4之所有層之合計厚度成為樹脂層4之厚度。又，該情形時，構成各層之樹脂之種類亦可不同。

進而，於實施形態中，使用有機膜之樹脂層4作為吸附層，但亦可取代樹脂層4而使用無機層。構成無機層之無機膜包含例如自包含金屬矽化物、氮化物、碳化物、及碳氮化物之群選擇之至少1種。

金屬矽化物係包含例如自包含W、Fe、Mn、Mg、Mo、Cr、Ru、Re、Co、Ni、Ta、Ti、Zr、及Ba之群選擇之至少1種者，較佳為矽化鎢。

氮化物係包含例如自包含Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Sn、In、B、Cr、Mo、及Ba之群選擇之至少1種者，較佳為氮化鋁、氮化鈦、或氮化矽。

碳化物係包含例如自包含Ti、W、Si、Zr、及Nb之群選擇之至少1種者，較佳為碳化矽。

碳氮化物係包含例如自包含Ti、W、Si、Zr、及Nb之群選擇之至少1種者，較佳為碳氮化矽。

金屬矽化物、氮化物、碳化物、及碳氮化物係其材料所包含之Si、N或C、與其材料所包含之其他元素之間之陰電性之差較小，極化較小。因此，無機膜與水之反應性較低，而不易於無機膜之表面產生羥基。因此，於基板2為玻璃基板之情形時，可良好地保持無機膜與基板2之脫模性。

[形成有功能層之積層體]

藉由經過功能層形成步驟而於積層體1之基板2之表面2a，形成功能層。作為功能層之形成方法，可使用CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沈積)法、PVD(Physical Vapor Deposition：物理氣相沈積)法等蒸鍍法、濺鍍法。功能層係藉由光微影法、蝕刻法而形成為特定之圖案。

圖2係表示於LCD之製造步驟之中途製作之積層體6之一例之主要部分放大側視圖。

積層體6係依序積層補強板3A、樹脂層4A、基板2A、功能層7、基板2B、樹脂層4B、及補強板3B而構成。補強板3A係介隔樹脂層4A可剝離地貼合於基板2A，補強板3B係介隔樹脂層4B可剝離地貼合於基板2B。亦即，圖2之積層體6相當於將圖1所示之積層體1隔著功能層7對稱配置之積層體。以下，將包含基板2A、樹脂層4A、及補強板3A之積層體設為第1積層體1A，將包含基板2B、樹脂層4B、及補強板3B之積層體稱為第2積層體1B。

於第1積層體1A之基板2A之第1主面2Aa，形成作為功能層7之薄膜電晶體(TFT)。於第2積層體1B之基板2B之第1主面2Ba，形成作為功能層7之彩色濾光片(CF)。

第1積層體1A與第2積層體1B係彼此將基板2A之第1主面2Aa與基板2B之第1主面2Ba重疊而一體化。藉此，製造出隔著功能層7、將第1積層體1A與第2積層體1B對稱配置之構造之積層體6。

基板2A之第2主面2Ab與補強板3A之第1主面3Aa配置於對向之位置，介隔樹脂層4A將基板2A與補強板3A可剝離地貼合。又，基板2B之第2主面2Bb與補強板3B之第1主面3Ba配置於對向之位置，介隔樹脂層4B將基板2B與補強板3B可剝離地貼合。積層層6係於剝離步驟中被剝離補強板3A、3B，其後，安裝偏光板、背光等，而製造製品即LCD。於剝離步驟中，利用可撓性板吸附補強板3A之第2主面3Ab及/或補強板3B之第2主面3Bb，藉由使可撓性板彎曲而自積層體6剝離補強板3A及/或補強板3B。

再者，雖圖2之積層體6為具備補強板3A與補強板3B之構成，但作為積層體，亦可為僅具備補強板3A及補強板3B之一者之構成。

[剝離開始部作成裝置]

圖3係用於說明剝離開始部作成裝置10之構成之說明圖。再者，此處，為方便起見，以於圖1所示之積層體1形成剝離開始部之情形為例進行說明。

剝離開始部作成裝置10構成為具備：平台12，其支持積層體1；固持器14，其保持刃具N；平台驅動單元16，其使平台12沿水平方向(圖3中之X軸方向)移動；刃具移動單元18，其使刃具N沿水平方向移動；位置調整單元20，其使刃具N沿鉛垂方向(圖3中之Z軸方向)移動而調整位置；作為檢測部之測力器22，其檢測刃具N之刃尖Na是否已接觸積層體1之某一位置(樹脂層4或補強板3)；支持構件24，其用於搭載固持器14與測力器22；雷射位移計26，其檢測刃具N之刃尖Na之高度方向之位置；板厚檢測計28，其檢測由平台12支持之積層體1之補強板3之板厚；及控制部30，其作為統一控制全體之動作之控制部而發揮功能。

平台12水平地設置於平台支持架台32之上。平台12係為可支持積層體1之大致整面，而具有與積層體1之外形對應之外形。平台12之上表面設為積層體1之載置面，構成為水平面。積層體1載置於該平台12之上表面(載置面)。

又，於平台12中，具備未圖示之吸附機構。載置於平台12之積層體1係補強板3之第2主面3b藉由該吸附機構被真空吸附。藉此，載置於平台12之積層體1被吸附保持於平台12。

刃具N俯視下具有矩形之平板形狀，於一者之長邊部分，具有銳角之刃尖Na。刃具N之板厚例如為50~600μm。

固持器14係可裝卸地保持刃具N。固持器14例如固持刃具N之兩端部。固持器14固定於設置於支持構件24之上表面之直線運動裝置34。直線運動裝置34具備導軌36，其固定於支持構件24之上表面；及導塊38，其與導軌36卡合；導塊38係沿導軌36自如滑動移動地被支持。固持器14固定於導塊38。可藉由使導塊沿導軌36滑動，使固持器14及固持器14所保持之刃具N沿導軌36滑動。

於支持構件24之上表面，自固持器14遠離地，於與積層體1之位置相反之位置，設置有框架40。於框架40，設置有測力器22與第1止動器42。於固持器14與測力器22之間，安裝有壓縮彈簧44。可利用測力器22測定壓縮彈簧44之推壓力。又，藉由壓縮彈簧44，固持器14朝積層體1之方向被賦能。

再者，可藉由利用測力器22測定壓縮彈簧44之推壓力，檢測刃尖Na是與補強板3或樹脂層4中之哪一個接觸。對於該方法，將於下文敍述。

於支持構件24之上表面，即相對於固持器14與壓縮彈簧44為相反側，設置有第2止動器46。第2止動器46於支持構件24之上表面，抵抗壓縮彈簧44之賦能力而限制固持器14之移動。

於刃尖Na承受與壓縮彈簧44之賦能力為反方向之力(此處，稱為反作用力)之情形時，根據反作用力之大小，固持器14朝與賦能力相反之方向移動。於該情形時，壓縮彈簧44被壓縮。於壓縮彈簧44被完全壓縮之前，第1止動器42抵抗反作用力而限制固持器14之移動。再者，對於第1止動器42及壓縮彈簧44之動作，將進一步於下文敍述。

平台驅動單元16構成積層體移動部，使設置有平台12之平台支持架台32沿水平方向移動，使由平台12支持之積層體1水平移動。平台驅動單元16具備本體框架50、設置於本體框架50之軌道52、可於軌道52上滑動之滑塊54、沿軌道52配設之滾珠螺桿56、及使滾珠螺桿56旋轉之馬達58。本體框架50水平地設置於基台(未圖示)。此處，所謂基台，係指設置剝離開始部作成裝置10之場所，例如，具代表性者為地面。

馬達58之旋轉運動被滾珠螺桿56轉換為直線運動，滑塊54沿軌道52進行直線運動。其結果，設置於滑塊54之平台支持架台32與設置於平台支持架台32之平台12沿水平方向自由移動。

刃具驅動單元18構成刃具移動部，使搭載保持刃具N之固持器14之支持構件24沿水平方向移動，其結果，使刃具N沿水平方向移動。刃具驅動單元18設置於基台(未圖示)上所設置之架台80之上。

刃具驅動單元18具備本體框架60、設置於本體框架60之軌道62、可於軌道62上滑動之滑塊64、沿軌道62配設之滾珠螺桿66、及使滾珠螺桿66旋轉之馬達68。本體框架60沿水平方向設置於基台(未圖示)。又，本體框架60係相對於水平設置於基台(未圖示)之架台80水平設置。馬達68之旋轉運動被滾珠螺桿66轉換為直線運動，滑塊64進行直線運動。

支持構件24介隔位置調整單元20設置於滑塊64之上。因此，藉由使滑塊64沿水平方向移動，位置調整單元20、支持構件24、固持器14及刃具N沿水平方向自由移動。

此處，因刃具驅動單元18之軌道62係以與平台驅動單元16之軌道52平行之方式設置，故平台12與刃具N可沿同一方向(圖3之X軸方向)於水平面上直線移動。因此，可使積層體1與刃具N相對地沿水平方向前進或後退。

此處，所謂前進，係指以刃具N與積層體1靠近之方式移動，所謂後退，係指以刃具N與積層體1遠離之方式移動。

於實施形態中，由積層體移動部(平台驅動單元16)與刃具移動部(刃具驅動單元18)構成移動部。利用該移動部，使刃具N與積層體1沿水平方向相對地前進或後退。只要能夠使刃具N與積層體1沿水平方向相對地前進或後退，則其構成並未特別限定。此處，水平方向係指圖3中之X軸方向，且係平行於第2基板即補強板3之第2主面3b之方向。

位置調整單元20構成位置調整部，藉由使保持刃具N之固持器14沿鉛垂方向動而使刃具N沿鉛垂方向移動。位置調整單元20設置於刃具驅動單元18之滑塊64之上。

位置調整單元20具備本體框架70、設置於本體框架70之軌道72、可於軌道72上滑動之滑塊74、沿軌道72配設之滾珠螺桿76、及使滾珠螺桿76旋轉之馬達78。本體框架70係垂直直立地設置於刃具驅動單元18之滑塊64之上。馬達78之旋轉運動被滾珠螺桿76轉換為直線運動，滑塊74進行直線運動。

支持構件24設置於位置調整單元20之滑塊74。因此，藉由使滑塊74沿鉛垂方向移動，支持構件24、固持器14及刃具N沿鉛垂方向自由移動。

於實施形態中，由位置調整單元20構成位置調整部。藉由該位置調整部，刃具N相對於積層體1沿鉛垂方向移動，藉此調整刃具N與積層體1之位置。鉛垂方向係指圖3中之Z軸方向，且係垂直於第2基板即補強板3之第2主面3b之方向。

於實施形態中，公知之雷射位移計26介隔支架(未圖示)設置於基台(未圖示)。該雷射位移計26使作為檢測光之雷射光沿鉛垂方向出射，檢測至被該雷射光所照射之物體之表面為止之距離。檢測距被設為水平面之基準面之位移量，檢測基準面至物體表面為止之距離。

又，公知之板厚檢測計28介隔支架(未圖示)設置於基台(未圖示)，朝鉛垂方向上方出射檢查光。板厚檢測計28係藉由例如分光干涉法檢測補強板3之板厚。藉由分光干涉法之板厚檢測計28係自光源朝向積層體1照射檢查光，由分光器分光於積層體1反射後之干涉光，由受光器受光分光後之光，分析受光波形，算出補強板3之板厚。檢查光具有特定寬度之波長，受光波形分析係分析相對於波長之檢查光之強度變化。於使用藉由分光干涉法之板厚檢測計28之情形時，構成積層體1之補強板3較佳為具有透光性者。

其次，對於利用雷射位移計26與板厚檢測計28檢測積層體1與刃具1之位置關係之位置檢測方法，參照圖4進行說明。再者，圖4係表示檢測刃具與積層體之位置關係之位置檢測部之構成的說明圖。於實施形態中，雷射位移計26與板厚檢測計28構成位置檢測部。然而，只要可檢測刃具與積層體之位置關係，則位置檢測部並未特別限定。

藉由使刃具N朝雷射位移計26之設置位置移動，對其刃尖Na照射雷射光，檢測刃尖Na之高度方向之位置，亦即距基準面之鉛垂方向之距離L1。

藉由使被平台12支持之積層體1朝雷射位移計26之設置位置(檢測位置)移動，對補強板3之第2主面3b照射雷射光，檢測補強板3之第2主面3b之高度方向之位置，亦即距基準面之鉛垂方向之距離L2。

藉由使被平台12支持之積層體1朝板厚檢測計28之設置位置(板厚檢測位置)移動，朝向補強板3之第2主面3b出射檢查光，檢測補強板3之板厚。

再者，因補強板3係於第1主面3a具備樹脂層4，故檢測補強板3之板厚T1與包含樹脂層4之補強板3之板厚T2(補強板3之板厚+樹脂層4之厚度)而作為補強板3之板厚。

自所取得之距離L1、距離L2及補強板3之板厚T1、T2，檢測積層體1與刃具N之位置關係，亦即刃具N之刃尖Na與刃具插入預定位置之距離H(亦稱為偏移量)。

如上所述，因於補強板3具備樹脂層4，故將補強板3之板厚T1與包含樹脂層4及補強板3之板厚T2之平均值((T1+T2)/2)設為補強板3之板厚。距離H是以可藉由H=[L2+((T1+T2)/2)]-L1求得。再者，因可利用補強板3之板厚T1與包含樹脂層4及補強板3之板厚T2之平均值((T1+T2)/2)求得距離H，故刃具插入預定位置被設定於樹脂層4之厚度方向之中央。

控制部30統一控制剝離開始部作成裝置10全體之動作，並且執行各種運算處理。控制部30係由包含CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)、ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)、或RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)等記憶媒體等之電腦構成。控制部30執行特定之控制程式，執行各種處理。例如，控制平台驅動單元16之驅動而控制平台12之移動，並且，控制刃具驅動單元18之驅動而控制刃具N之移動。又，基於雷射位移計26及板厚檢測計28之檢測結果，檢測刃具插入預定位置與刃具N之刃尖Na之位置關係，基於該檢測結果，控制位置調整單元20之驅動，實施相對於積層體1之刃具N之位置調整。

[剝離開始部作成方法]

就剝離開始部作成裝置10之剝離開始部作成方法，參照圖3至圖8進行說明。圖5係表示剝離開始部作成方法之程序之流程圖，圖6至圖8係表示剝離開始部作成方法之程序之一部分的說明圖。

於實施形態中，藉由控制部30統一控制平台驅動單元16、刃具驅動單元18、雷射位移計26、板厚檢測計28及位置調整單元20之動作，執行剝離開始部作成裝置10之剝離開始部作成方法(圖3)。

首先，如圖5之流程圖所示，控制部30執行位置檢測處理，即位置檢測步驟(步驟S110)。於位置檢測步驟中，控制部30驅動平台驅動單元16、刃具驅動單元18、雷射位移計26及板厚檢測計28，控制部30基於所取得之資訊檢測積層體1與刃具N之位置關係。亦即，檢測刃具插入預定位置與刃尖Na之距離H(偏移量)(圖4、及圖6(A))。

其次，如圖5之流程圖所示，控制部30執行第1位置調整處理，即第1位置調整步驟(步驟S120)。於第1位置調整步驟中，首先，控制部30基於所檢測之距離H(偏移量)之檢測結果，驅動位置調整單元20，朝與積層體1之樹脂層4對向之位置，位置調整刃具N(圖6(B))。亦即，以使刃具N之刃尖Na位於與刃具插入預定位置相同之高度之方式，使刃具N沿鉛垂方向移動。所謂位於相同之高度，係指位於距離H為0。

其次，於第1位置調整步驟中，控制部30驅動位置調整單元20，將刃具N之位置朝補強板3之側調整預先規定之距離(圖6(C))。亦即，以刃具N之刃尖Na相對於刃具插入預定位置位於補強板3之側之方式，使刃具N沿鉛垂方向移動。於圖6中，為進行說明而進行圖6(B)之位置調整，但亦可省略圖6(B)，而直接自圖6(A)朝圖6(C)進行位置調整。

即，第1位置調整步驟之自與樹脂層4對向之位置將刃具N之位置朝補強板3之側調整預先規定之距離係包含以下情形：(1)於與樹脂層4對向之位置，位置調整刃具N，接著，將刃具N朝補強板3之側調整預先規定之距離(以圖6(A)、圖6(B)、圖6(C)之順序位置調整之情形)；及(2)基於檢測結果，求得與樹脂層4對向之位置，求得自該位置移動預先規定之距離的距離，以未朝樹脂層4所對向之位置位置調整刃具N，而直接使刃具N位於補強板3之側之方式，對刃具N進行位置調整(以圖6(A)、圖6(C)之順序進行位置調整之情形)。

如圖6(A)般，於位置檢測步驟中，利用雷射位移計26及板厚檢測計28檢測距離H。然而，即便已提高位置檢測精度，位置檢測仍不免包含某一範圍之檢測誤差。又，如圖6(B)般，使刃具N沿鉛垂方向朝距離H成為0之位置移動。然而，即便已提高位置調整單元20之精度，位置調整仍不免包含某一範圍之定位誤差。因此，主要起因於該等誤差，導致產生刃具N之刃尖Na之位置與刃具插入預定位置，即樹脂層4之厚度方向上之中央位置無法成為相同高度之情形。例如，於圖6(B)之時點，亦出現刃具N之刃尖Na之位置與基板2之位置成為相同高度之情形。

於實施形態之第1位置調整步驟中，將刃具N位置調整至與積層體1之樹脂層4對向之位置，其後，將刃具N之位置朝補強板3之側調整預先規定之距離。藉由執行上述第1位置調整步驟，可避免於其後之前進步驟中，使刃具N朝向積層體1前進時，刃具N與基板2之接觸。

特別地，較佳為考慮位置檢測部之檢測誤差及位置調整部之定位誤差此兩種誤差而將預先規定之距離設為最大誤差量以上。藉由使刃具N以比最大誤差量更大地朝補強板3之側移動，可更確實地避免前進步驟中之刃具N之刃尖Na與基板2之接觸。

其次，列舉具體之數值進行說明。例如，將樹脂層4之厚度設為2μm，將位置檢測部之檢測誤差與位置調整部之定位誤差之最大誤差設為±2μm。首先，刃具插入預定位置成為樹脂層4之厚度之中央位置，即1μm之位置。

此處，將位置檢測部與位置調整部之最大誤差設為+2μm(將鉛垂方向上方設為+)。即使已將刃尖Na位置調整至刃具插入預定位置，但因受到誤差之影響，刃尖Na仍將超過樹脂層4之厚度，而被位置調整至與基板2對向之位置。

因此，藉由朝補強板3之側，使刃尖Na沿鉛垂方向移動上述最大誤差量之2μm以上，可避免前進步驟中之基板2與刃尖Na之接觸。

其次，如圖5之流程圖所示，控制部30執行前進處理即前進步驟(步驟S130)。於前進步驟中，控制部30驅動構成移動部之平台驅動單元16及/或刃具驅動單元18，使刃具N與積層體1沿水平方向相對地前進(圖6(D))。至刃尖Na接觸積層體1之補強板3或樹脂層4之任一者為止，利用平台驅動單元16及/或刃具驅動單元18，使刃具N與積層體1相對地移動。

進而，於前進步驟中，於刃尖Na已接觸積層體1之補強板3或樹脂層4之任一者之後，亦驅動平台驅動單元16及/或刃具驅動單元18，使刃具N及/或積層體1前進特定距離(例如1mm)(圖7(A))。於該時點，固持器14並未接觸第1止動器42。

其次，如圖5之流程圖所示，控制部30執行檢測處理，即檢測步驟(步驟S140)。於檢測步驟中，控制部30檢測來自測力器22之推壓力，自推壓力之變化，檢測刃尖Na是與補強板3或樹脂層4中之哪一個接觸。

首先，對刃尖Na已接觸補強板3之情形進行說明。如圖6(D)般，自刃尖Na已接觸補強板3之時點起，測力器22之推壓力增加。其原因在於，刃尖Na受到來自補強板3之反作用力，壓縮彈簧44被進一步壓縮。

進而，如圖7(A)般，若繼續使刃具N及/或積層體1前進特定距離，則測力器22之推壓力進一步增加。其原因在於，因積層體1之位置固定，且補強板3較樹脂層4硬，故若使刃具N前進，則刃尖Na所受到之反作用力增大，壓縮彈簧44被壓縮。

即，於刃尖Na已接觸補強板3之情形時，因自測力器22檢測之推壓力不斷增加，故可檢測到刃尖Na與補強板3之接觸。

其次，如圖5之流程圖所示，若於檢測步驟(步驟S140)中判斷為刃尖Na所接觸者並非樹脂層4(此處為否)，則控制部30執行後退處理即後退步驟(步驟S150)。於後退步驟中，控制部30驅動構成移動部之平台驅動單元16及/或刃具驅動單元18，使刃具N與積層體1沿水平方向相對地後退(圖7(B))。直至刃尖Na自積層體1之補強板3遠離為止，利用平台驅動單元16及/或刃具驅動單元18使刃具N與積層體1相對地移動。

如圖5之流程圖所示，若執行後退步驟(步驟S150)，接著，控制部30執行第2位置調整處理，即第2位置調整步驟(步驟S160)。於第2位置調整步驟中，控制部30驅動位置調整單元20，將刃具N之位置朝基板2之側位置調整樹脂層4之厚度以下之距離(圖7(C))。亦即，以刃具N之刃尖Na朝基板2之側移位樹脂層4之厚度以下之距離之方式，使刃具N沿鉛直方向移動。藉由移動樹脂層4之厚度以下之距離，可避免超過樹脂層4地將刃具N位置調整至基板2之位置。

其次，如圖5之流程圖所示，控制部30係至檢測刃具N之刃尖Na接觸樹脂層4為止，依序反覆執行前進步驟(步驟S130)、檢測步驟(步驟S140)、後退步驟(步驟S150)、及第2位置調整步驟(步驟S160)。

接著，對刃尖Na接觸樹脂層4之情形進行說明。如上所述，如圖5之流程圖所示，控制部30執行前進處理，即前進步驟(步驟S130)，控制部30執行檢測步驟，即檢測步驟(步驟S140)。

控制部30驅動構成移動部之平台驅動單元16及/或刃具驅動單元18，使刃具N與積層體1沿水平方向相對地前進。於該情形時，刃具Na接觸樹脂層4(圖7(D))。

如圖7(D)般，自刃尖Na接觸樹脂層4之時點起，與以圖6(D)所說明之情形同樣地，測力器22之推壓力增加。此係因為，刃尖Na受到來自樹脂層4之反作用力，壓縮彈簧44被壓縮。

進而，如圖8(A)般，若繼續使刃具N及/或積層體1前進特定距離，則測力器22之推壓力暫時增加，其後則下降。其原因在於，雖積層體1之位置固定，但因樹脂層4較柔軟，故雖刃尖Na正剝離樹脂層4，但尚於樹脂層4中行進。因此，推阻刃尖Na之反作用力減弱，被壓縮之壓縮彈簧44朝積層體1之側彈伸。因此，圖8(A)之壓縮彈簧44之長度較圖7(A)之壓縮彈簧44之長度更長。亦即，關於利用測力器22檢測之推壓力，可理解成，刃尖Na接觸樹脂層4之情形時之推壓力(圖8(A))小於刃尖Na接觸補強板3之情形時之推壓力(圖7(A))。可自該推壓力之不同，檢測刃尖Na是與補強板3或樹脂層4中之哪一個接觸。

於實施形態中，雖已對使用測力器22，檢測刃尖Na是與補強板3或樹脂層4中之哪一個接觸之方法進行說明，但並非限定於此，而亦可使用位移計等。於使用位移計之情形時，例如，測定固持器14與第1止動器42之距離。可自距離之變化，判斷刃具N是與補強板3或樹脂層4中之哪一個接觸。

接著，如圖5之流程圖所示，若判斷為於檢測步驟(步驟S140)中刃尖Na所接觸者為樹脂層4(此處為是)，則控制部30執行繼續前進處理，即繼續前進步驟(步驟S170)。於繼續前進步驟中，控制部30驅動構成移動部之平台驅動單元16及/或刃具驅動單元18，使刃具N與積層體1沿水平方向相對前進，以使刃具Na於樹脂層4中移動並達到預先規定距離為止(圖8(B)、(C))。

如圖8(B)般，若使刃尖Na於樹脂層4中前進，則刃尖Na所受到之反作用力增大。其結果，壓縮彈簧44被壓縮，固持器14移動直至到達至第1止動器42為止。於固持器14接觸第1止動器42後，固持器14之移動將受第1止動器42限制。

進而，如圖8(C)般，於固持器14與第1止動器42接觸之狀態下，進而使刃具N與積層體1沿水平方向相對地前進。因保持刃具N之固持器14之移動受第1止動器42限制，故可抵抗反作用力地使刃尖Na於樹脂層4中行進。

如圖9(A)~(C)所示，驅動未圖示之移動部(平台驅動單元及刃具驅動單元)，使刃具N與積層體1沿平行於補強板之第2主面之方向相對地前進(圖9(A))。接著，使刃尖Na於樹脂層4中行進預先規定之距離(圖9(B))。最後，藉由使刃尖N與積層體1沿平行於補強板之第2主面之方向相對地後退，而形成剝離開始部SP(圖9(C))。

再者，較佳為，於最初之檢測步驟(步驟S140)中，執行記憶刃具N之刃尖Na與積層體1(補強板3或樹脂層4)所接觸之接觸位置的記憶步驟。此處，所謂所接觸之位置，係指水平方向之位置。

於檢測步驟(步驟S140)中，若判斷為刃具N與補強板3接觸，則執行後退步驟(步驟S150)與第2位置調整步驟(步驟S160)，並如上述般，反覆執行前進步驟(步驟S130)、檢測步驟(步驟S140)、後退步驟(步驟S150)、及第2位置調整步驟(步驟S160)。

於第2次前進步驟(步驟S130)中，較佳為基於所記憶之接觸位置資訊，調整刃具N之前進速度。可基於接觸位置資訊，於刃具N即將要接觸積層體1前，使刃具N高速移動，接著，以低速使刃具N與積層體1接觸。藉此，可防止刃具N之損傷。

又，藉由如此調整刃具N之前進速度，可快速地進行前進步驟(步驟S130)。而於暫時未能獲取接觸位置資訊之情形時，自動作開始至與積層體1接觸為止，仍必須使刃具N之移動以低速進行。

另一方面，於已獲取接觸位置資訊之情形時，因可如上述般，使刃具N之移動以高速、低速此2個階段進行，故相較於僅為低速之移動，可快速地執行前進步驟。

接著，對用於自形成有剝離開始部之積層體剝離補強板之剝離裝置及剝離方法進行說明。於以下之說明中，以使用圖2所示之積層體6之情形為例進行說明。

[剝離裝置]

圖10係表示剝離裝置100之構成之縱剖視圖，圖11係模式性地表示複數個可動體104相對於剝離裝置100之剝離單元102之配置位置之剝離單元102之俯視圖。再者，圖10相當於沿著圖11之B-B線之剖視圖，又，於圖11中，以實線示出積層體6。

如圖10般，剝離裝置100具備隔著積層體6上下配置之一對可動裝置106、106。可動裝置106、106為相同構成。此處，針對配置於圖10之下側之可動裝置106進行說明，對配置於上側之可動裝置106藉由標註相同符號而省略說明。

可動裝置106係由複數個可動體104、就每一可動體104使可動體104升降移動之複數個驅動裝置108、及就每一驅動裝置108控制驅動裝置108之控制器110等構成。

剝離單元102為使補強板3B撓曲變形而真空吸附保持補強板3B。再者，亦可取代真空吸附而進行靜電吸附或磁性吸附。

[剝離單元]

圖12(A)係剝離單元102之俯視圖，圖12(B)係沿著圖12(A)之C-C線之剝離單元102之放大縱剖視圖。又，圖12(C)係表示對於構成剝離單元102之矩形板狀之第1可撓性板112，介隔雙面接著膠帶116裝卸自如地具備構成剝離單元102之吸附部114之剝離單元102之放大縱剖視圖。剝離單元102係如上述般吸附部114介隔雙面接著膠帶116裝卸自如地安裝於第1可撓性板112而構成。

吸附部114具備厚度較第1可撓性板112更薄之第2可撓性板118。第2可撓性板118之下表面(一面)介隔雙面接著膠帶116裝卸自如地安裝於第1可撓性板112之上表面。

又，於吸附部114中，具備吸附保持積層體6之補強板3B之內表面之矩形之透氣性片材120。就使剝離時於補強板3B產生之拉伸應力減小之目的而言，透氣性片材120之厚度係2mm以下，較佳為1mm以下，於實施形態中，使用0.5mm者。

進而，於吸附部114中，具備包圍透氣性片材120，且抵接補強板3B之外周面之密封框構件122。密封框構件122及透氣性片材120係介隔雙面接著膠帶124接著於第2可撓性板118之上表面(另一面)。又，密封框構件122係蕭氏硬度為20度以上且50度以下之獨立氣泡之海綿，其厚度相對透氣性片材120之厚度厚0.3mm~0.5mm而構成。

於透氣性片材120與密封框構件122之間，具備框狀之槽126。又，於第1可撓性板112中，開口有複數個貫通孔128，該等貫通孔128之一端連通於槽126，另一端經由未圖示之吸附管路連接於吸氣源(例如真空泵)。

因此，若驅動吸氣源，則藉由吸附吸附管路、貫通孔128及槽126之空氣，積層體6之補強板3B之內表面被真空吸附保持於透氣性片材120，又，因補強板3B之外周面推壓抵接於密封框構件122，故可提高被密封框構件122包圍之吸附空間之密閉性。

因第1可撓性板112較第2可撓性板118、透氣性片材120及密封框構件122彎曲剛性更高，故第1可撓性板112之彎曲剛性決定剝離單元102之彎曲剛性。剝離單元102之平均單位寬度(1mm)之彎曲剛性較佳為1000~40000N．mm²/mm。例如，於剝離單元102之寬度為100mm之部分，彎曲剛性成為100000~4000000N．mm²。藉由將剝離單元102之彎曲剛性設為1000N．mm²/mm以上，可防止由剝離單元102吸附保持之補強板3B之折曲。又，藉由將剝離單元102之彎曲剛性設為40000N．mm²/mm以下，可使由剝離單元102吸附保持之補強板3B適當撓曲變形。

第1可撓性基板112及第2可撓性板118係楊氏係數為10MPa以下之樹脂製構件，為例如聚碳酸酯樹脂、聚氯乙烯(PVC：Polyvinyl Chloride)樹脂、丙烯酸樹脂、聚縮醛(POM：polyoxymethylene)樹脂等之樹脂製構件。

[可動裝置]

於第1可撓性板112之下表面，如圖11以棋盤格狀固定有圖10所示之圓盤狀之複數個可動體104。該等可動體104係藉由螺栓等緊固構件固定於第1可撓性板112，但亦可取代螺栓而採用接著固定。該等可動體104係利用被控制器110驅動控制之驅動裝置108獨立升降移動。

亦即，控制器110控制驅動裝置108，使自位於圖11之積層體6之角部6A側之可動體104至位於以箭頭A表示之剝離進行方向之角部6B側之可動體104依序下降移動。藉由該動作，如圖13之縱剖視圖所示般將形成於積層體6之基板2B與補強板3B之間之樹脂層4B之剝離開始部SP為起點逐漸剝離。再者，剝離開始部SP係藉由上述剝離開始部作成裝置10於剝離前形成。

驅動裝置108例如以旋轉式之伺服馬達或滾珠螺桿機構等構成。伺服馬達之旋轉運動係於滾珠螺桿機構中轉換為直線運動，而傳達至滾珠螺桿機構之桿130。於桿130之前端部，介隔球接頭132設置有可動體104。藉此，可如圖13所示般追隨於剝離單元102之撓曲變形使可動體104傾斜移動。因此，無須對剝離單元102施加不合理之力，即可使剝離單元102自角部6A向角部6B撓曲變形(參照圖11)。再者，作為驅動裝置108，並非限定於旋轉式之伺服馬達及滾珠螺桿機構，亦可為直線式之伺服馬達、或流體壓缸體(例如空氣壓缸體)。

複數個驅動裝置108較佳介隔緩衝構件136安裝於可升降之框架134。緩衝構件136係以追隨剝離單元102之撓曲變形之方式彈性變形。藉此，桿130相對於框架134傾斜移動。

框架134於將剝離後之補強板3B自剝離單元102取出時，藉由未圖示之驅動部而下降移動。

控制器110構成為包含CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)、ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)、及RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)等記憶媒體等之電腦。控制器110係藉由使CPU執行記錄於記錄媒體之程式，將複數個驅動裝置108就每一驅動裝置108進行控制，而控制複數個可動體104之升降移動。

本申請案係基於2015年2月18日申請之日本專利申請案2015-029377者，其內容作為參照併入本文中。

Claims

一種剝離開始部作成裝置，其係藉由對於將具有第1主面及第2主面之第1基板與具有第1主面及第2主面之第2基板隔著吸附層可剝離地貼合之積層體，使刃具插入至上述吸附層，而於上述積層體作成剝離開始部者，其包含：移動部，其使上述刃具與上述積層體沿平行於上述第2基板之上述第2主面之方向相對地前進或後退；檢測部，其檢測上述刃具之刃尖是與上述吸附層及上述第2基板中之哪一個接觸；位置檢測部，其檢測與上述第2基板之上述第2主面垂直之方向上之上述積層體與上述刃具之位置關係；位置調整部，其係使上述積層體及/或上述刃具沿垂直於上述第2基板之上述第2主面之方向相對地移動，而調整上述積層體與上述刃具之位置；及控制部，其控制上述移動部、上述檢測部、上述位置檢測部及上述位置調整部；上述控制部執行如下處理：位置檢測處理，其利用上述位置檢測部檢測上述積層體與上述刃具之位置；第1位置調整處理，其基於上述位置檢測部之檢測結果，利用上述位置調整部，將上述刃具之位置自與上述積層體之上述吸附層對向之位置，朝上述第2基板之側調整預先規定之距離；前進處理，其利用上述移動部，使上述刃具與上述積層體相對地前進；及檢測處理，其利用上述檢測部，檢測上述刃具之刃尖是與上述吸附層及上述第2基板中之哪一個接觸；上述控制部進而於檢測出上述刃具之刃尖已接觸上述第2基板之情形時，執行：後退處理，其利用上述移動部，使上述積層體與上述刃具相對地後退；及第2位置調整處理，其利用上述位置調整部，將上述刃具之位置朝上述吸附層之側調整上述吸附層之厚度以下之距離；至檢測到上述刃具已接觸上述吸附層之前，依序反覆進行上述前進處理、上述檢測處理、上述後退處理、及上述第2位置調整處理；且於檢測出上述刃具之刃尖已接觸上述吸附層之情形時，執行利用上述移動部使上述刃具與上述積層體繼續相對地前進之繼續前進處理；上述預先規定之距離為上述位置檢測部及上述位置調整部之最大誤差量以上。
如請求項1之剝離開始部作成裝置，其中上述檢測部係位移計或測力器。
如請求項1或2之剝離開始部作成裝置，其中上述第1基板係製品基板，上述第2基板係補強板。
如請求項1或2之剝離開始部作成裝置，其中上述吸附層之厚度為1μm以上且50μm以下。
如請求項1或2之剝離開始部作成裝置，其中上述控制部記憶上述刃具之刃尖與上述吸附層及上述第2基板中之哪一個接觸之位置資訊，於第2次以後之上述前進處理時，基於上述位置資訊調整上述刃具之前進速度。
一種剝離開始部作成方法，其係藉由對於將具有第1主面及第2主面之第1基板與具有第1主面及第2主面之第2基板隔著吸附層可剝離地貼合之積層體，使刃具插入至上述吸附層，而於上述積層體作成剝離開始部者；其包含：位置檢測步驟，其檢測與上述第2基板之上述第2主面垂直之方向上之上述積層體與上述刃具之位置關係；第1位置調整步驟，其基於上述位置檢測步驟之檢測結果，使上述積層體與上述刃具沿與上述第2基板之第2主面垂直之方向相對地移動，將上述刃具之位置自與上述積層體之上述吸附層對向之位置，朝上述第2基板之側，調整預先規定之距離；前進步驟，其沿平行於上述第2基板之上述第2主面之方向，使上述刃具與上述積層體相對地前進；及檢測步驟，其檢測上述刃具之刃尖是與上述吸附層及上述第2基板中之哪一個接觸；上述剝離開始部作成方法進而於檢測出上述刃具之刃尖已接觸上述第2基板之情形時，執行：後退步驟，其沿平行於上述第2基板之上述第2主面之方向，使上述積層體與上述刃具相對地後退；及第2位置調整步驟，其使上述積層體與上述刃具沿與上述第2基板之第2主面垂直之方向相對地移動，將上述刃具之位置朝上述吸附層之側調整上述吸附層之厚度以下之距離；至檢測到上述刃具接觸上述吸附層之前，依序反覆進行上述前進步驟、上述檢測步驟、上述後退步驟及上述第2位置調整步驟；且於檢測出上述刃具之刃尖已接觸上述吸附層之情形時，執行使上述刃具與上述積層體繼續相對地前進之繼續前進步驟；上述預先規定之距離係上述位置檢測步驟及上述第1位置調整步驟之最大誤差量以上。
如請求項6之剝離開始部作成方法，其中上述檢測步驟係以位移計或測力器進行檢測。
如請求項6或7之剝離開始部作成方法，其中上述第1基板係製品基板，上述第2基板係補強板。
如請求項6或7之剝離開始部作成方法，其中上述吸附層之厚度為1μm以上且50μm以下。
如請求項6或7之剝離開始部作成方法，其具有記憶上述刃具之刃尖與上述吸附層及上述第2基板中之哪一個接觸之位置資訊的記憶步驟；第2次以後之上述前進處理步驟係包含基於上述位置資訊，調整上述刃具之前進速度。
一種電子裝置的製造方法，其包含藉由對於將具有第1主面及第2主面之第1基板與具有第1主面及第2主面之第2基板介隔吸附層可剝離地貼合上述第1基板之第2主面與上述第2基板之第1主面之積層體，於上述第1基板之第1主面形成功能層之功能層形成步驟；及使形成有上述功能層之上述第1基板與上述第2基板分離之分離步驟；上述分離步驟具有使刃具插入至上述吸附層而作成剝離開始部之剝離開始部作成步驟、及以上述剝離開始部為起點依序剝離上述第1基板與上述第2基板之剝離步驟；上述剝離開始部作成步驟具有如下步驟：位置檢測步驟，其檢測與上述第2基板之上述第2主面垂直之方向上之上述積層體與上述刃具之位置關係；第1位置調整步驟，其基於上述位置檢測步驟之檢測結果，使上述積層體與上述刃具沿與上述第2基板之第2主面垂直之方向相對地移動，將上述刃具之位置自與上述積層體之上述吸附層對向之位置，朝上述第2基板之側調整預先規定之距離；前進步驟，其沿平行於上述第2基板之上述第2主面之方向，使上述刃具與上述積層體相對地前進；及檢測步驟，其檢測上述刃具之刃尖是與上述吸附層及上述第2基板中之哪一個接觸；進而，於檢測出上述刃具之刃尖已接觸上述第2基板之情形時，執行：後退步驟，其沿平行於上述第2基板之上述第2主面之方向，使上述積層體與上述刃具相對地後退；及第2位置調整步驟，其使上述積層體與上述刃具沿與上述第2基板之第2主面垂直之方向相對地移動，將上述刃具之位置朝上述吸附層之側調整上述吸附層之厚度以下之距離；至檢測到上述刃具接觸上述吸附層之前，依序反覆進行上述前進步驟、上述檢測步驟、上述後退步驟、及上述第2位置調整步驟；且於檢測出上述刃具之刃尖已接觸上述吸附層之情形時，執行使上述刃具與上述積層體繼續相對地前進之繼續前進步驟；上述預先規定之距離係上述位置檢測步驟及上述第1位置調整步驟之最大誤差量以上。